KR960043117A - 금속배선 형성방법 - Google Patents

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KR960043117A
KR960043117A KR1019950012138A KR19950012138A KR960043117A KR 960043117 A KR960043117 A KR 960043117A KR 1019950012138 A KR1019950012138 A KR 1019950012138A KR 19950012138 A KR19950012138 A KR 19950012138A KR 960043117 A KR960043117 A KR 960043117A
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KR
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metal wiring
forming
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titanium
silicide layer
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KR1019950012138A
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장현진
홍택기
문영화
전영호
홍흥기
김세정
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조공정 중 금속배선 물질이 하부의 기판으로 확산되는 것을 방지하기 위한 확산장 벽층을 포함하는 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 실리사이드층을 포함하는 확산장벽층을 형성하는 단계; 금속배선층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

Description

금속배선 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 일실시예에 따른 금속배선 형성후의 단면도.

Claims (8)

  1. 반도체 소자 제조공정 중 금속배선 물질이 하부의 기판으로 확산하는 것을 방지하기 위한 확산장벽층을 포함하는 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 실리사이드층을 포함하는 확산장벽층을 형성하는 단계; 금속배선층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 실리사이드층은 티타늄실리사이드층인 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 티타늄실리사이드층은 실리콘 타겟이 장착된 챔버에서 실리콘막을 증착하는 단계; 티타늄 타겟이 장착된 챔버에서 티타늄막을 증착하는 단계; 상기 실리콘막과 티타늄막이 반응할 수 있도록 어닐링 챔버에서 열처리하는 단게를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 히는 금속배선 형성방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 실리콘막은 200 내지 300두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 티타늄막은 200 내지 300두께로 층작되는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
  6. 제3항에 있어서, 상기 열처리는 450 내지 650℃의 온도하에서 이루어지는 것을 특징으로하는 금속배선 형성방법.
  7. 제1항에 있어서, 금속배선층 형성후 열처리하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속 배선 형성방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 열처리하는 450 내지 650℃의 온도하에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950012138A 1995-05-16 1995-05-16 금속배선 형성방법 KR960043117A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100560289B1 (ko) * 1998-12-29 2006-06-14 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100560289B1 (ko) * 1998-12-29 2006-06-14 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법

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