KR940016768A - 트렌치를 이용한 소자분리막 형성방법 - Google Patents
트렌치를 이용한 소자분리막 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR940016768A KR940016768A KR1019920026731A KR920026731A KR940016768A KR 940016768 A KR940016768 A KR 940016768A KR 1019920026731 A KR1019920026731 A KR 1019920026731A KR 920026731 A KR920026731 A KR 920026731A KR 940016768 A KR940016768 A KR 940016768A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- trench
- device isolation
- forming
- oxide film
- isolation film
- Prior art date
Links
Landscapes
- Element Separation (AREA)
Abstract
본 발명은 트렌치를 이용한 소자분리막 형성방법에 관것으로 트렌치를 형성한후 그 내부에 산화막 - 질화막 - 산화막을 적층하여 소자분리막 패턴을 형성시킴으로써 질화막에 의한 소자의 절연효과를 증대시키고 열산화공정으로 인한 버즈비크를 방지하여 소자의 신뢰성을 향상시키는 반도체소자 제조공정시 트렌치를 이용한 소자분리막 형성방법이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명의 의하여 형성된 트랜치 소자분리막을 나타낸 단면도.
Claims (1)
- 반도체 소자의 트렌치를 이용한 소자분리막 형성방법에 있어서, 버즈비크를 감소시키고 소자의 절연효과를 증대시키기 위하여, 트렌치를 형성한후 그 상부에 얇은 두께의 제1산화막과 질화막을 증착하고 전체적으로 제 2 산화막을 적층하는 단계와, 감광막 마스크를 형성하고 예정된 부분을 식각하되 제 2 산화막의 일부분만 식각하고 감광막 마스크를 제거하는 단계와, 블랭킷 에치백으로 식각하여 제 3 산화막의 일부분과 질화막, 제 1 산화막을 식각하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 트렌치를 이용한 소자분리막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920026731A KR940016768A (ko) | 1992-12-30 | 1992-12-30 | 트렌치를 이용한 소자분리막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920026731A KR940016768A (ko) | 1992-12-30 | 1992-12-30 | 트렌치를 이용한 소자분리막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940016768A true KR940016768A (ko) | 1994-07-25 |
Family
ID=67215297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920026731A KR940016768A (ko) | 1992-12-30 | 1992-12-30 | 트렌치를 이용한 소자분리막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940016768A (ko) |
-
1992
- 1992-12-30 KR KR1019920026731A patent/KR940016768A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR940016768A (ko) | 트렌치를 이용한 소자분리막 형성방법 | |
| KR980006032A (ko) | 반도체 소자의 격리영역 형성방법 | |
| KR960026585A (ko) | 반도체소자의 소자분리 산화막의 제조방법 | |
| KR100281274B1 (ko) | 트렌치 형성방법 | |
| KR970072295A (ko) | 반도체 소자의 격리막 형성방법 | |
| KR950021401A (ko) | 트렌치형 소자분리막 제조방법 | |
| KR960002714A (ko) | 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법 | |
| KR970053546A (ko) | 반도체 장치의 금속 배선 형성 방법 | |
| KR960009105A (ko) | 반도체소자의 소자분리 방법 | |
| KR960026610A (ko) | 반도체 소자의 필드산화막 형성방법 | |
| KR970053396A (ko) | 고집적 반도체 소자의 소자분리 산화막 제조방법 | |
| KR960039285A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| KR960026557A (ko) | 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
| KR970008623A (ko) | 반도체 메모리장치 제조방법 | |
| KR930009024A (ko) | 반도체 소자의 콘택형성방법 | |
| KR960019661A (ko) | 소자분리막 형성방법 | |
| KR960032651A (ko) | 반도체 소자의 게이트전극 제조방법 | |
| KR930014884A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR970030643A (ko) | 반도체소자의 소자분리막 형성방법 | |
| KR960026575A (ko) | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 | |
| KR950021096A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR950001945A (ko) | 필드산화막 형성방법 | |
| KR960002739A (ko) | 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법 | |
| KR970052493A (ko) | 반도체 장치의 금속 배선막 형성 방법 | |
| KR950021400A (ko) | 필드산화막 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |