KR970052493A - 반도체 장치의 금속 배선막 형성 방법 - Google Patents

반도체 장치의 금속 배선막 형성 방법 Download PDF

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    • H01L21/28026—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor
    • H01L21/28123—Lithography-related aspects, e.g. sub-lithography lengths; Isolation-related aspects, e.g. to solve problems arising at the crossing with the side of the device isolation; Planarisation aspects

Abstract

본 발명은 반도체상에 다층 구조를 가진 금속 배선막을 제조함에 있어서 1차 금속 배선막을 반도체 기판내의 불순물 영역보다 좌,우로 3㎛ 정도 넓게 형성함으로써, 1,2차 금속 배선막간의 절연을 확보하고, 이에 따라서, 차후에 형성할 2차 금속 배선막을 위한 평탄화 공정시에도 플라즈마에 의한 산화막의 증착, 상기 산화막의 식각, 플라즈마에 의한 층간 산화막을 형성하는 공정으로써, 공정 단순화를 기할 수 있게 된다.

Description

반도체 장치의 금속 배선막 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4a도 내지 제4b도는 본 발명의 실시예에 따라 금속 배선막을 형성하는 공정들을 보여주는 단면도.
제5도는 본 발명의 실시예에 따라 형성된 금속 배선막의 개략적인 평면도.

Claims (1)

  1. 소자 격리 영역(22)에 의해 활성 영역으로 정의된 반도체 기판(21)상에 금속 배선막을 형성하는 방법에 있어서, 상기 활성영역상에 버퍼링 산화막(23)을 형성하는 공정과, 상기의 버퍼링 산화막(23)을 통하여 밥도체 기판(21)으로 불순물을 주입하여 상기 반도체 기판(21)내에 불순물 영역(24)을 형성하는 공정과, 상기 남아 있는 버퍼링 산화막(22)을 제거하는 공정과, 상기 소자 격리 영역(22)을 포함하는 반도체 기판(21)상에 금속 배선막을 형성한 후, 이를 패터닝하여 상기 불순물 영역(24)의 양측에서 약 3㎛ 넓게 금속 배선막 패턴(25)으로 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속 배선막 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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