KR970003808A - 소자 분리막 제조방법 - Google Patents

소자 분리막 제조방법 Download PDF

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KR970003808A
KR970003808A KR1019950017684A KR19950017684A KR970003808A KR 970003808 A KR970003808 A KR 970003808A KR 1019950017684 A KR1019950017684 A KR 1019950017684A KR 19950017684 A KR19950017684 A KR 19950017684A KR 970003808 A KR970003808 A KR 970003808A
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KR
South Korea
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silicon substrate
oxide film
film
device isolation
ion implantation
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Application number
KR1019950017684A
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English (en)
Inventor
박창서
이완기
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 소자분리막 제조방법에 관한 것으로, 실리콘기판 상부에 패드 산화막과 질화막을 적층하고, 소자 분리 마스크를 이용한 식각 공정으로 상기 잘화막을 국부적으로 식각하는 단계와, 인(P)을 이온 주입하여 상기 질화막이 제거된 실리콘 기판에 이온 주입 영역을 형성하는 단계와, 상기 이온 주입 영역을 오존 가스에 의해 산화시켜 산화막을 형성하고, HF증기로 산화막을 제거하여 실리콘 기판에 홈을 형성하는 단계와, 산화공정으로 노출된 실리콘 기판을 산화시켜 소자 분리 산화막을 형성하는 단계로 이루어지는 것이다. 그로 인하여 홈을 형성할 때 발생되는 손상을 방지하고, 폴리머등의 불순물 오염을 제거하는 세정 공정을 생략되어 수율을 향상시킬 수 있다.

Description

소자 분리막 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도 내지 제4도는 본 발명의 실시예에 의해 소자 분리막을 형성하는 단계를 도시한 단면도.

Claims (2)

  1. 소자 분리막 제조방법에 있어서, 실리콘 기판 상부에 패드 산화막과 질화막을 적층하고, 소자 분리마스크를 이용한 식각 공정으로 상기 질화막을 국부적으로 식각하는 단계와, 인(P)을 이온 주입하여 상기 질화막이 제거된 실리콘 기판에 이온 주입 영역을 형성하는 단계와, 상기 이온 주입 영역을 오존 가스에 의해 산화시켜 산화막을 형성하고, HF증기로 산화막을 제거하여 실리콘 기판에 홈을 형성하는 단계와, 산화공정으로 노출된 실리콘 기판을 산화시켜 소자 분리 산화막을 형성하는 단계로 이루어지는 소자 분리막 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 인을 주입할때 홈이 형성되는 깊이까지 인이 주입되도록 하는 것을 특징으로 하는 소자분리막 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950017684A 1995-06-28 1995-06-28 소자 분리막 제조방법 KR970003808A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140035840A (ko) * 2012-09-14 2014-03-24 프리스케일 세미컨덕터, 인크. 전하 펌프를 갖는 nvm 및 이를 위한 방법

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KR20140035840A (ko) * 2012-09-14 2014-03-24 프리스케일 세미컨덕터, 인크. 전하 펌프를 갖는 nvm 및 이를 위한 방법

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