KR970072414A - 반도체장치의 커패시터 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체장치의 커패시터 제조방법에 관해 개시한다. 본 발명에 의한 커패시터 제조방법은 도전성플러그를 포함하는 층간절연막 전면에 도전층을 형성하는 단계, 상기 도전층 전면에 포토레지스트를 형성하는 단계, 상기 포토레지스트를 무 크롬 위상 반전 마스크를 사용하여 패터닝하는 단계, 상기 패터닝된 포토레지스트를 사용하여 상기 도전층을 이방성식각하는 단계 및 상기 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함한다.

본 발명은 노광 광원에 따라 무 크롬 PSM의 마스크의 식각정도를 조절하여 마스크의 두께를 위상반전을 정확히 일으킬 수 있는 두께로 형성하는 것이 가능하다. 이와 같은 무 크롬 PSM을 사용함으로써, 단일 마스크를 사용하여 입체적형태의 커패시터(예컨대, 실린더형 커패시터)를 간단한 공정으로 형성할 수 있다.

Description

반도체장치의 커패시터 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제6도는 본 발명에 사용되는 위상반전마스크이다.

Claims (4)

1. (a) 도전성플러그를 포함하는 층간절연막 전면에 도전층을 형성하는 단계; (b) 상기 도전층 전면에 포토레지스트를 형성하는 단계; (c) 상기 포토레지스트를 무 크롬 위상 반전 마스크를 사용하여 패터닝하는 단계; (d) 상기 패터닝된 포토레지스트를 사용하여 상기 도전층을 이방성식각하는 단계; 및 (e) 상기 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 무 크롬 위상 반전 마스크는 쿼츠 마스크(quartz mask)전면에 크롬막을 적층하는 단계; 상기 크롬막 전면에 포토레지스트를 도포하는 단계; 상기 포토레지스트 전면에 전자빔을 쪼여서 형성하고자 하는 커패시터의 하부전극패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로하여 크롬막을 식각하여 크롬막패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 제거하고 상기 크롬막 패턴을 마스크로하여 상기 쿼츠 마스크를 식각하는 단계; 및 상기 크롬막 패턴을 제거하는 단계로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조방법.
3. 제2항에 있어서, 상기 쿼츠 마스크 식각단계에서 식각정도는 마스크에 입사하는 광의 위상을 정확히 180°로 반전시키는 두께가 되도록 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터 제조방법.
4. 제2항에 있어서, 상기 쿼츠 마스크의 식각은 마스크에 입사하는 광의 파장에 따라 식각정도를 다르게 하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터 제조방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.