KR970002458A - 하프톤막을 가지는 위상반전 마스크와 그것의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
위상 반전 마스크에 서로 다른 측벽 경사각도를 갖는 하프톤막을 구비시켜서, 마스크를 통해 조사되는 빛의 촛점이 사진식각되는 반도체기판의 단차에 적합한 위치에 형성되어 보다 큰 포토마진을 확보할 수 있게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1(가)도는 하프톤막의 측벽 기울기(θ)
Claims (31)
- 마스크 기판과 상기 마스크 기판위에 형성된 하프톤막을 가지는 위상반전마스크에 있어서, 상기 마스크 기판은 2 이상의 영역으로 구분되고, 상기 마스크 기판의 각 영역에는 서로 다른 측벽기울기를 가진 상기 하프톤막이 형성됨으로써, 상기 마스크 기판의 상기 각 영역을 통과하는 빛의 촛점이 상기 마스크 기판으로부터 서로 다른 거리에 위치하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 마스크 기판은 제1영역과 제2영역으로 구분되고, 상기 제1영역에는 상기 마스크 기판에 대하여 90°가량의 측벽 기울기를 가지는 제1하프톤막이 형성되고, 상기 제2영역에는 상기 마스크 기판에 대하여 30°이상 80°미만의 측벽 기울기를 가지는 제2하프톤막이 형성되는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
- 제2항에 있어서, 상기 제2하프톤막의 측벽 기울기는 40°내지 50°임을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
- 제2항에 있어서, 상기 마스크 기판의 상기 제1영역은 사진식각공정이 수행될 대상 반도체장치의 쎌 영역에 상응하고, 상기 제2영역은 상기 반도체장치의 주변회로 영역에 상응하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
- ㄱ) 마스크 기판 위에 하프톤막, 차광막 및 제1감광막을 차례로 적층 형성하는 단계; ㄴ) 상기 마스크 기판의 제1영역 위에 있는 상기 제1감광막을 노광, 현상하여 제1감광막 패턴을 형성하는 단계; ㄷ) 상기 제1감광막 패턴으로 인하여 노출된 영역의 상기 차광막을 식각하여 제1차광막패턴을 형성하는 단계; ㄹ) 상기 제1광막 패턴으로 인하여 노출된 영역의 상기 하프톤막을 이방성 식각하여 제1하프톤막을 형성하는 단계; ㅁ) 상기 제1감광막 패턴을 제거한후 상기 마스크 기판 전면에 제2감광막을 도포하고, 상기 마스크 기판의 상기 제2영역 위에 있는 상기 제2감광막을 노광, 형상하여 제2감광막 패턴을 형성하는 단계; ㅂ) 상기 제2감광막 패턴에 의해 노출된 상기 차광막을 식각하여 제2차광막 패턴을 형성하는 단계; ㅅ) 상기 제2차광막 패턴에 의해 노출된 상기 하프톤막을 동방성식각하여 제2하프톤막을 형성하는 단계; ㅇ) 상기 마스크 기판 위에 남아 있는 상기 제2감광막 패턴 및 상기 제1, 2차광막패턴을 제거하는 단계를 포함하는 위상반전 마스크 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 하프톤막의 상기 이방성 식각은 CF4, O2, 및 Ar가스를 42:3~5:1~3(sccm)의 부피비로 혼합한 것을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 하프톤막의 상기 이방성 식가은 압력을 50~150mTorr로 하고, 전력은 300~500W로 하여 수행하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 제1하프톤막은 상기 마스크 기판에 대하여 90°가량인 측벽 기울기를 가지는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 하프톤막의 상기 이방성 식각은 CF4와 O2가스를 약 42 : 5(sccm)의 부피비로 혼합한 것을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 하프톤막의 상기 등방성 식각은 압력을 300~500mTorr로 하고, 전력은 100~200W로 하여 수행하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 제2하프톤막은 상기 마스크 기판에 대하여 30°이상 90°미만인 측벽 기울기를 가지는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법.
- 제11항에 있어서, 상기 제2하프톤막의 상기 측벽 기울기는 40°내지 50°인 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 마스크 기판의 상기 제1영역은 사진식각되는 반도체 장치의 쎌 영역에 상응하고, 상기 마스크 기판의 상기 제2영역은 상기 반도체 장치의 주변회로 영역에 상응하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법.
- ㄱ) 마스크 기판 위에, 하프톤막, 차광막 및 제1감광막을 차례로 적층 형성하는 단계; ㄴ) 상기 마스크기판의 제1영역 및 제2영역 위에 있는 상기 제1감광막을 패턴닝하여 제1감광막 패턴을 형성하는 단계; ㄷ) 상기 제1감광막 패턴으로 인해 노출된 영역의 상기 차광막을 식각하여 차광막 패턴을 형성하는 단계; ㄹ) 상기 마스크 기판 위에 남아있는 상기 제1감광막 패턴을 제거하고, 상기 마스크 기판 전면에 제2감광막을 형성한 후, 상기 마스크 기판의 상기 제1영역 위에 있는 상기 제2감광막을 정렬노광으로 패턴닝함으로써 제2감광막 패턴을 형성하는 단계; ㅁ) 상기 제2감광막 패턴에 의해 노출된 상기 하프톤막을 정렬노광으로 이방성 식각하여 제1하프톤막을 형성하는 단계; ㅂ) 상기 제2감광막 패턴을 제거하고, 상기 마스크기판 전면에 제3감광막을 형성한 후, 상기 마스크 기판의 상기 제2영역 위에 있는 상기 제3감광막을 정렬노광하여 제3감광막 패턴을 형성하는 단계; ㅅ) 상기 제3감광막 패턴에 의해 노출된 상기 하프톤막을 등방성식각하여 제2하프톤막을 형성하는 단계; ㅇ) 상기 마스크 기판 위에 남아있는 상기 제3감광막 패턴 및 상기 차광막패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법.
- 제14항에 있어서, 상기 하프톤막의 상기 이방성 식각은 CF4, O2, 및 Ar가스를 42:3~5:1~3(sccom)의 부피비로 혼합한 것을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법.
- 제14항에 있어서, 상기 하프톤막의 상기 이방성 식각은 압력을 50~150mTorr로 하고, 전력은 300~500Ｗ로 하여 수행하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법.
- 제14항에 있어서, 상기 제1하프톤막 패턴은 상기 마스크 기판에 대하여 90°가량인 측벽 기울기를 가지는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법.
- 제14항에 있어서, 상기 하프톤막의 상기 이방성 식각은 CF4, O2가스를 약 42:5(sccom)의 부피비로 혼합한 것을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법.
- 제14항에 있어서, 상기 하프톤막의 상기 이방성 식각은 압력을 300~500mTorr로 하고, 전력은 100~200Ｗ로 하여 수행하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법.
- 제14항에 있어서, 상기 제2하프톤막은 상기 마스크 기판에 대하여 30° 이상 90°미만인 측벽 기울기를 가지는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법.
- 제20항에 있어서, 상기 제2하프톤막의 상기 측벽 기울기는 40°내지 50°인 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법.
- 제14항에 있어서, 상기 마스크 기판의 상기 제1영역은 사진식각되는 반도체 장치의 쎌 영역에 상응하고, 상기 마스크 기판의 상기 제2영역은 상기 반도체 장치의 주변회로 영역에서 상응하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법.
- ㄱ) 마스크 기판상에, 하프톤막, 차광막 및 제1감광막을 차례로 적층 형성하는 단계; ㄴ) 마스크 기판의 제1영역 및 제2영역 위에 있는 상기 제1감광막영역을 패턴닝하여 제1감광막 패턴을 형성하는 단계; ㄷ) 제1감광막 패턴에 의해 노출된 영역의 차광막을 식각하여 차광막 패턴을 형성하는 단계; ㄹ) 상기 차광막 패턴에 의해 노출된 영역의 하프톤막을 이방성 식각하여 마스크의 제1영역 위에 제1하프톤막을 형성하고, 마스크 기판의 제2영역 위에 예비하프톤막을 형성하는 단계; ㅁ) 상기 마스크 기판 위에 남아있는 제1감고아막 패턴을 제거하고, 상기 마스크 기판 전면에 제2감광막을 형성한 수, 마스크 기판의 제2영역 위에 있는 제2감광막을 정렬노광하여 제2감광막 패턴을 형성하는 단계; ㅂ) 상기 제2감광막 패턴에 의해 그 측벽이 노출된 상기 예비하프톤막을 등방성 식각하여 제2하프톤막을 형성하는 단계; ㅅ) 상기 마스크 기판위에 남아있는 제2감광막 패턴 및 상기 차광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법.
- 제23항에 있어서, 상기 하프톤막의 상기 이방성 식각은 CF4, O2, 및 Ar가스를 42:3~5:1~3(sccm)의 부피비로 혼합한 것을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법.
- 제23항에 있어서, 상기 하프톤막의 상기 이방성 식각은 압력을 50~150mTorr로 하고, 전력은 300~500Ｗ로 하여 수행하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법.
- 제23항에 있어서, 상기 제1하프톤막 패턴은 상기 마스크 기판에 대하여 90°가량인 측벽 기울기를 가지는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법.
- 제23항에 있어서, 상기 하프톤막의 상기 이방성 식각은 CF4, O2가스를 약 42:5(sccm)의 부피비로 혼합한 것을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법.
- 제23항에 있어서, 상기 하프톤막의 상기 등방성 식각은 압력을 300~500mTorr로 하고, 전력은 100~200Ｗ로 하여 수행하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법.
- 제23항에 있어서, 상기 제2하프톤막은 상기 마스크 기판에 대하여 30° 이상 90°미만인 측벽 기울기를 가지는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법.
- 제29항에 있어서, 상기 제2하프톤막의 상기 측벽 기울기는 40°내지 50°인 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법.
- 제23항에 있어서, 상기 마스크 기판의 상기 제1영역은 사진식각되는 반도체 장치의 쎌 영역에 상응하고, 상기 마스크 기판의 상기 제2영역은 상기 반도체 장치의 주변회로 영역에서 상응하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR1019950019032A KR0151068B1 (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 하프톤막을 가지는 위상반전 마스크와 그것의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019950019032A KR0151068B1 (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 하프톤막을 가지는 위상반전 마스크와 그것의 제조방법 |
Publications (2)
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| KR970002458A true KR970002458A (ko) | 1997-01-24 |
| KR0151068B1 KR0151068B1 (ko) | 1998-10-01 |
Family
ID=19419429
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019950019032A KR0151068B1 (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 하프톤막을 가지는 위상반전 마스크와 그것의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR0151068B1 (ko) |
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1995
- 1995-06-30 KR KR1019950019032A patent/KR0151068B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR0151068B1 (ko) | 1998-10-01 |
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