KR970072413A - 커패시터 제조방법 - Google Patents

커패시터 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970072413A
KR970072413A KR1019960012526A KR19960012526A KR970072413A KR 970072413 A KR970072413 A KR 970072413A KR 1019960012526 A KR1019960012526 A KR 1019960012526A KR 19960012526 A KR19960012526 A KR 19960012526A KR 970072413 A KR970072413 A KR 970072413A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mask
capacitor
photoresist pattern
conductive layer
capacitor manufacturing
Prior art date
Application number
KR1019960012526A
Other languages
English (en)
Inventor
홍종서
안재영
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019960012526A priority Critical patent/KR970072413A/ko
Publication of KR970072413A publication Critical patent/KR970072413A/ko

Links

Abstract

본 발명은 커패시터 제조방법에 관해 개시한다. 본 발명에 의한 커패시터 제조방법은 스토리지 노드를 한정하는 포토레지스트 패턴을 특정한 형태로 형성하기 위해 특정한 형태의 마스크를 사용한다.
따라서 종래와 동일한 방법으로 커패시터를 형성하더라도 스토리지 노드의 둘레의 표면적을 증가시킬 수 있으므로 종래보다 커패시터의 커패시턴스를 증가시킬 수 있다.

Description

커패시터 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 제1마스크의 평면도이다. 제5도는 제4도의 제1마스크를 이용한 포토레지스트 패턴의 평면도이다. 제6도는 본 발명의 제1마스크를 이용한 커패시터의 스토리지 노드 패턴의 사시도이다.

Claims (4)

  1. 트랜지스터를 포함하는 절연막상에 상기 트랜지스터의 드레인에 접속되는 도전층을 형성하는 단계; 상기 도전층을 한정하는 포토레지스트 패턴을 특정한 형태로 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 도전층을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴을 특정한 형태로 형성하기 위하여 특정한 형태의 제1 및 제2마스크를 사용하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1마스크로는 둘레에 톱니형 요철을 구비하는 사각형 형태의 마스크를 사용하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 제2마스크로는 규칙적으로 형성된 복수개의 홀을 구비하는 사각형 형태의 마스크를 사용하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960012526A 1996-04-24 1996-04-24 커패시터 제조방법 KR970072413A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960012526A KR970072413A (ko) 1996-04-24 1996-04-24 커패시터 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960012526A KR970072413A (ko) 1996-04-24 1996-04-24 커패시터 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970072413A true KR970072413A (ko) 1997-11-07

Family

ID=66217261

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960012526A KR970072413A (ko) 1996-04-24 1996-04-24 커패시터 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR970072413A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940010400A (ko) 캐패시터의 저장전극 제조방법
KR920010922A (ko) 반도체기억장치 및 그 제조방법
KR940001421A (ko) 반도체기억장치의 제조방법
KR970072413A (ko) 커패시터 제조방법
KR940022841A (ko) 반도체장치의 커패시터 및 그 제조방법
KR980005912A (ko) 반도체 장치의 금속콘택구조 및 그 제조방법
KR920015464A (ko) 반도체 장치의 전극배선층 및 그 제조방법
KR920005338A (ko) 반도체장치 제조방법
KR950026000A (ko) 반도체 메모리장치 및 그 제조방법
KR970024184A (ko) 반도체장치의 캐패시터 제조방법(Method of fabricating a capacitor in semiconductor device)
KR100382536B1 (ko) 커패시터의구조및제조방법
KR970063736A (ko) 반도체 메모리 소자 제조방법
KR980006351A (ko) 반도체소자의 캐패시터 제조방법
KR970063740A (ko) 반도체소자 및 제조방법
KR980005675A (ko) 반도체 소자의 콘택홀 형성방법
KR950002030A (ko) 캐패시터 저장전극 제조방법
KR950021548A (ko) 반도체 메모리장치의 커패시터 및 이의 제조방법
KR970008606A (ko) 반도체메모리셀 및 그 제조방법
KR970054066A (ko) 커패시터 제조방법
KR970054076A (ko) 반도체장치의 커패시터 및 그의 제조방법
KR930005205A (ko) 캐패시턴스 증가 디램(dram)의 제조방법
KR950028145A (ko) 반도체 메모리 장치의 커패시터 제조방법
KR970053946A (ko) 반도체 메모리장치 및 그 제조방법
KR950024346A (ko) 반도체 메모리장치 제조방법
KR940012677A (ko) 반도체 소자의 캐패시터 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination