KR940012677A - 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 - Google Patents
반도체 소자의 캐패시터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 캐패시터의 용량을 증대할 수 있는 반도체 소자의 캐패시터 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 노드의 표면적이 작으므로써 캐패시터의 용량이 부족하므로 고집적회로에 부적합하였으나, 본 발명에서는 감광막(5) 및 BPSG막(11) 그리고 노드 콘택표면에 노드(12)를 형성하여 노드(12)의 표면적을 크게 하므로써 상기 결점을 개선시킬 수 있는 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명 캐패시터 제조를 설명하기 위한 공정단면도.
Claims (1)
- 기판상부에 필드산화막(1)을 선택적으로 형성하고 표면에 게이트(2)를 패터닝한 후 산화막(3)을 패터닝하여 게이트(2)가 도표되도록 하는 단계와, 전표면에 BPSG막(11)을 형성하고, 리플로우하여 평탄화한 후 노드콘택영역을 제외한 표면에 감광막(5)을 형성하고, 상기 감광막(5)을 마스크로 하 BPSG막(11)상부를 습식식각하는 단계와, 상기 노드콘택영역의 BPSG막(11)을 제거하고, 감광막(5) 및 BPSG막(11) 그리고 노드콘택표면에 노드(12)를 형성한 후 노드한정영역에 감광막(7)을 형성하고, 감광막(7)영역을 제외한 노드(12)를 제거하는 단계와, 상기 감광막(5, 7)을 제거하고, 습식식각하여 BPSG막(11) 상부를 제거한후 노드(12)를 포함하는 전표면에 캐패시터용 노드박막(8, 9) 및 플레이트(10)를 차례로 형성하는 단계를 차례로 실시하여 이루어지는 반도체 소자의 캐패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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1992
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| KR960005253B1 (ko) | 1996-04-23 |
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