KR970054066A - 커패시터 제조방법 - Google Patents

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박승현
고상기
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문정환
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40Capacitors
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    • H01L28/82Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
    • H01L28/90Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having vertical extensions
    • H01L28/91Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having vertical extensions made by depositing layers, e.g. by depositing alternating conductive and insulating layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract

본 발명은 커패시터 제조방법에 관한 것으로 특히, 커패시터 면적을 늘리는데 적합하도록 한 커패시터 제조방법에 관한 것이다.
이를 위한 본 발명의 커패시터 제조방법은 기판위에 ILD층, 질화막 및 제1산화막을 형성하는 단계, 상기 ILD층, 질화막 제1산화막을 선택적으로 제거하여 복수개의 제1노드 콘택홀을 형성하는 단계, 상기 복수개의 제1노드 콘택홀내 및 제1산화막 일부위에 복수개의 제1노드를 형성하는 단계, 상기 복수개의 제1노드를 포함한 기판전면에 제2산화막을 형성하는 단계, 상기 복수개의 각 제1노드 사이의 ILD층, 질화막 및 제1, 제2산화막을 선택적으로 제거하여 복수개의 제2노드 콘택홀을 형성하는 단계, 상기 복수개의 제2노드 콘택홀내 및 제2산화막 일부위에 복수개의 제2노드를 형성하는 단계, 상기 제1, 제2산화막을 제거하여 복수개의 제1, 제2노드를 노출시키는 단계, 상기 노출된 복수개의 제1, 제2노드 전면에 유전체막을 형성하는 단계, 상기 유전체막을 포함한 기판 전면에 플레이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
따라서, 커패시터 면적을 크게 확장할 수 있다.

Description

커패시터 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 커패시터 제조공정 단면도.
제2도는 본 발명의 커패시터 제조공정 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 기판 2 : ILD층
3 : 질화막 4 : 제1산화막
5 : 제1노드 콘택홀 6 : 제1노드
7 : 제2산화막 8 : 제2노드 콘택홀
9 : 제2노드 10 : 유전체막
11 : 플레이트 전극

Claims (1)

  1. 기판위에 ILD층, 질화막 및 제1산화막을 형성하는 단계, 상기 ILD층, 질화막 및 제1산화막을 선택적으로 제거하여 복수개의 제1노드 콘택홀을 형성하는 단계, 상기 복수개의 제1노드 콘택홀내 제1산화막 일부위에 복수개의 제1노드를 형성하는 단계, 상기 복수개의 제1노드를 포함한기판전면에 제2산화막을 형성하는 단계, 상기 복수개의 각 제1노드 사이의 ILD층, 질화막 제1, 제2산화막을 선택적으로 제거하여 복수개의 제2노드 콘택홀을 형성하는 단계, 상기 복수개의 제2노드 콘택홀내 및 제2산화막을 일부위에 복수개의 제2노드를 형성하는 단계, 상기 제1, 제2산화막을 제거하여 복수개의 제1, 제2노드를 노출시키는 단계, 상기 노출된 복수개의 제1, 제2노드 전면에 유전체막을 형성하는 단계, 상기 유전체막을 포함한 기판 전면에 플레이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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