KR970024211A - 반도체장치의 캐패시터 제조방법 - Google Patents
반도체장치의 캐패시터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
반도체장치의 캐패시터 제조방법이 개시되어 있다. 본 발명은 반도체기판의 전면에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층을 패터닝하여 상기 반도체기판의 소정영역을 노출시키는 콘택홀을 형성시킴과 동시에 절연층 패턴을 형성하는 단계; 상기 콘택홀을 채우는 매립층을 형성하는 단계; 상기 매립층이 형성된 반도체기판 전면에 제1 금속층, 제2 금속층, 및 제3 금속층을 차례로 형성하는 단계; 상기 결과물을 고온에서 산화시키어 제2 금속층을 산화시키는 단계; 및 상기 제3 금속층, 상기 산화된 제2 금속층, 및 상기 제1 금속층을 연속적으로 패터닝하여 상기 콘택홀을 덮는 제1 금속층 패턴, 산화된 제2 금속층 패턴, 및 제3 금속층 패턴으로 구성되는 스토리지 노드 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 캐패시터 제조방법을 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제3도는 본 발명에 의한 반도체장치의 캐패시터 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
Claims (5)
- 반도체기판의 전면에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층을 패터닝하여 상기 반도체기판의 소정영역을 노출시키는 콘택홀을 형성시킴과 동시에 절연층 패턴을 형성하는 단계; 상기 콘택 홀을 채우는 매립층을 형성하는 단계; 상기 매립층이 형성된 반도체기판 전면에 제1 금속층, 제2 금속층, 및 제3 금속층을 차례로 형성하는 단계; 상기 결과물을 고온에서 산화시키어 제2 금속층을 산화시키는 단계; 및 상기 제3 금속층, 상기 산화된 제2 금속층, 및 상기 제1 금속층을 연속적으로 패터닝하여 상기 콘택홀을 덮는 제1 금속층 패턴, 산화된 제2 금속층 패턴, 및 제3 금속층 패턴으로 구성되는 스토리지 노드 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 금속층은 타이타늄 질화층인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 금속층은 이리디움, 루씨니움, 몰리브덴, 및 루테니움으로 이루어진 일 군중 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3 금속층은 백금을 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 매립층은 도전물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 캐패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950036452A KR970024211A (ko) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 반도체장치의 캐패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019950036452A KR970024211A (ko) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 반도체장치의 캐패시터 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR970024211A true KR970024211A (ko) | 1997-05-30 |
Family
ID=66584439
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019950036452A KR970024211A (ko) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 반도체장치의 캐패시터 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR970024211A (ko) |
-
1995
- 1995-10-20 KR KR1019950036452A patent/KR970024211A/ko not_active Application Discontinuation
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