KR970024319A - 반도체 장치의 저항층 형성방법 - Google Patents
반도체 장치의 저항층 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
반도체 장치의 저항층 형성방법에 대해 기재되어 있다. 반도체 메모리 소자의 저항층 형성방법에 있어서, 반도체 기판 상에 커패시터의 하부전극을 형성하는 제1 단계, 상기 하부전극 상에 유전체막 및 반응방지막을 형성하는 제2 단계, 주변회로부의 상기 반응방지막이 제거되도록 패터닝하는 제3 단계, 그 결과물 상에 상부전극 형성을 위한 도전층을 형성하는 제4 단계, 및 상기 도전층 및 유전체막을 패터닝하여 셀어레이부 내의 상부전극과 주변회로부 내의 저항층을 동시에 형성하는 제5 단계를 구비한다. 따라서, 일정한 저항값을 갖는 저항층을 형성할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도 내지 제8도는 본 발명의 제1 실시예에 의한 반도체 메모리 소자의 저항층 형성방법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다,
제9도 내지 제12도는 본 발명의 제2 실시예에 의한 반도체 장치의 저항층 형성방법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.
Claims (5)
- 반도체 메모리 소자의 저항층 형성방법에 있어서, 반도체 기판 상에 커패시터의 하부전극을 형성하는 제1 단계; 상기 하부전극 상에 유전체막 및 반응방지막을 형성하는 제2 단계; 주변회로부의 상기 반응방지막이 제거되도록 패터닝하는 제3 단계, 그 결과물 상에 상부전극 형성을 위한 도전층을 형성하는 제4 단계: 및 상기 도전층 및 유전체 막을 패터닝하여 셀어레이부 내의 상부전극과 주변회로부 내의 저항층을 동시에 형성하는 제5 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 저항층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 유전체막은 Ta2O5를 사용하고 상기 반응방지막은 TiN을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 저항층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 주변회로부의 반응방지 막 제거시 상기 유전체막도 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 저항층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 단계의 반응방지막은 형성한 후, 그위에 상부전극 형성을 위한 도전물을 증착하여 제1 도전층을 형성하는 단계와 주변회로부의 상기 제1 도전층이 제거되도록 패터닝하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 저항층 형성방법.
- 제4항에 있어서, 주변 회로 부위 상기 제1 도전층과 반응방지막 제거시 상기 유전체막도 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 저항층 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950039008A KR970024319A (ko) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 반도체 장치의 저항층 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019950039008A KR970024319A (ko) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 반도체 장치의 저항층 형성방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970024319A true KR970024319A (ko) | 1997-05-30 |
Family
ID=66586789
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019950039008A KR970024319A (ko) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 반도체 장치의 저항층 형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR970024319A (ko) |
-
1995
- 1995-10-31 KR KR1019950039008A patent/KR970024319A/ko not_active Application Discontinuation
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