KR970024319A - 반도체 장치의 저항층 형성방법 - Google Patents

반도체 장치의 저항층 형성방법 Download PDF

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KR970024319A
KR970024319A KR1019950039008A KR19950039008A KR970024319A KR 970024319 A KR970024319 A KR 970024319A KR 1019950039008 A KR1019950039008 A KR 1019950039008A KR 19950039008 A KR19950039008 A KR 19950039008A KR 970024319 A KR970024319 A KR 970024319A
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reaction prevention
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KR1019950039008A
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김정한
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

반도체 장치의 저항층 형성방법에 대해 기재되어 있다. 반도체 메모리 소자의 저항층 형성방법에 있어서, 반도체 기판 상에 커패시터의 하부전극을 형성하는 제1 단계, 상기 하부전극 상에 유전체막 및 반응방지막을 형성하는 제2 단계, 주변회로부의 상기 반응방지막이 제거되도록 패터닝하는 제3 단계, 그 결과물 상에 상부전극 형성을 위한 도전층을 형성하는 제4 단계, 및 상기 도전층 및 유전체막을 패터닝하여 셀어레이부 내의 상부전극과 주변회로부 내의 저항층을 동시에 형성하는 제5 단계를 구비한다. 따라서, 일정한 저항값을 갖는 저항층을 형성할 수 있다.

Description

반도체 장치의 저항층 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도 내지 제8도는 본 발명의 제1 실시예에 의한 반도체 메모리 소자의 저항층 형성방법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다,
제9도 내지 제12도는 본 발명의 제2 실시예에 의한 반도체 장치의 저항층 형성방법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.

Claims (5)

  1. 반도체 메모리 소자의 저항층 형성방법에 있어서, 반도체 기판 상에 커패시터의 하부전극을 형성하는 제1 단계; 상기 하부전극 상에 유전체막 및 반응방지막을 형성하는 제2 단계; 주변회로부의 상기 반응방지막이 제거되도록 패터닝하는 제3 단계, 그 결과물 상에 상부전극 형성을 위한 도전층을 형성하는 제4 단계: 및 상기 도전층 및 유전체 막을 패터닝하여 셀어레이부 내의 상부전극과 주변회로부 내의 저항층을 동시에 형성하는 제5 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 저항층 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유전체막은 Ta2O5를 사용하고 상기 반응방지막은 TiN을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 저항층 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 주변회로부의 반응방지 막 제거시 상기 유전체막도 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 저항층 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2 단계의 반응방지막은 형성한 후, 그위에 상부전극 형성을 위한 도전물을 증착하여 제1 도전층을 형성하는 단계와 주변회로부의 상기 제1 도전층이 제거되도록 패터닝하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 저항층 형성방법.
  5. 제4항에 있어서, 주변 회로 부위 상기 제1 도전층과 반응방지막 제거시 상기 유전체막도 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 저항층 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950039008A 1995-10-31 1995-10-31 반도체 장치의 저항층 형성방법 KR970024319A (ko)

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