KR960043190A - 반도체장치의 커패시터 제조방법 - Google Patents

반도체장치의 커패시터 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR960043190A
KR960043190A KR1019950013689A KR19950013689A KR960043190A KR 960043190 A KR960043190 A KR 960043190A KR 1019950013689 A KR1019950013689 A KR 1019950013689A KR 19950013689 A KR19950013689 A KR 19950013689A KR 960043190 A KR960043190 A KR 960043190A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
forming
layer
storage electrode
hsg
insulating layer
Prior art date
Application number
KR1019950013689A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0168343B1 (ko
Inventor
김영선
심세진
유차영
박영욱
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019950013689A priority Critical patent/KR0168343B1/ko
Publication of KR960043190A publication Critical patent/KR960043190A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0168343B1 publication Critical patent/KR0168343B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40Capacitors
    • H01L28/60Electrodes
    • H01L28/82Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
    • H01L28/84Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation being a rough surface, e.g. using hemispherical grains

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

HSG 실리콘층을 이용한 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법에 대해 기재되어 있다.
이는 반도체기판 상에 제1도전층을 형성하는 제1공정, 제1도전층 상에 제1의 반구 모양의 그레인(HSG)을 갖는 실리콘층을 형성하는 제2공정, 결과물 상에 절연층을 형성하는 제3공정, 절연층 및 제1도전층을 부분적으로 식각하여 스토리지전극 패턴을 형성하는 제4공정, 결과물 전면에 제2의 반구 모양의 그레인을 갖는 실리콘층을 형성하는 제5공정, 스토리지전극 패턴의 측벽에 스페이서를 형성하는 제6공정, 스토리지전극 패턴의 상부 및 스토리지전극 패턴들 사이에 형성된 반구모양의 그레인을 갖는 실리콘층을 거하는 제7공정 및 스페이서를 제거하는 제8공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 하부전극 사이와 그 상부에 형성된 HSG층을 제거 하기 위한 식각공정시 하부전극의 측벽에 형성된 HSG가 손상되지 않도록 할 수 있으므로 커패시터의 용량을 신뢰성있게 증가시킬 수 있다.

Description

반도체장치의 커패시터 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2E도는 본 발명의 일 실시예에 따른 HSG 실리콘층을 이용한 커패시터의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

Claims (5)

  1. 반도체기판 상에 제1도전층을 형성하는 제1공정; 상기 제1도전층 상에 제1의 반구 모양의 그레인(HSG)을 갖는 실리콘층을 형성하는 제2공정; 결과물 상에 절연층을 형성하는 제3공정; 상기 절연층 및 제1도전층을 부분적으로 식각하여 스토리지전극 패턴을 형성하는 제4공정; 결과물 전면에 제2의 반구 모양의 그레인을 갖는 실리콘층을 형성하는 제5공정; 상기 스토리지전극 패턴의 측벽에 스페이서를 형성하는 제6공정; 상기 스토리지전극 패턴의 상부 및 스토리지전극 패턴들 사이에 형성된 반구 모양의 그레인을 갖는 실리콘층을 제거하는 제7공정; 및 상기 스페이서를 제거하는 제 8공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연층은 산화막, 질화막 및 산화막/질화막의 이중막 주의 어느 한 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제3공정 후에, 상기 절연층 사에 오염방지층을 형성하는 공정을 추가하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 오염방지층은 비정질실리콘 또는 다결정실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 스페이서는 산화막, 질화막 및 산화막/질화막의 이중막 중의 어느 한 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950013689A 1995-05-29 1995-05-29 반구형 그레인 실리콘을 갖는 커패시터의 스토리지 전극의 제조방법 KR0168343B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950013689A KR0168343B1 (ko) 1995-05-29 1995-05-29 반구형 그레인 실리콘을 갖는 커패시터의 스토리지 전극의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950013689A KR0168343B1 (ko) 1995-05-29 1995-05-29 반구형 그레인 실리콘을 갖는 커패시터의 스토리지 전극의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960043190A true KR960043190A (ko) 1996-12-23
KR0168343B1 KR0168343B1 (ko) 1998-12-15

Family

ID=19415752

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950013689A KR0168343B1 (ko) 1995-05-29 1995-05-29 반구형 그레인 실리콘을 갖는 커패시터의 스토리지 전극의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0168343B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101663281B1 (ko) 2015-03-13 2016-10-07 김윤길 자동차 방향지시장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR0168343B1 (ko) 1998-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930015002A (ko) 반도체 메모리 장치 및 그 제조방법
KR960043190A (ko) 반도체장치의 커패시터 제조방법
KR960026803A (ko) 원통형 커패시터 제조방법
KR970063746A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR960005846A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR960030407A (ko) 반도체 메모리장치의 캐패시터 및 그 제조방법
KR0151073B1 (ko) 반도체 소자의 식각방법
KR970052485A (ko) 커패시터의 스토리지 전극 제조 방법
KR950028144A (ko) 반도체 장치의 캐패시터
KR960012499A (ko) 캐패시터의 전하저장전극 제조방법
KR970054008A (ko) 반도체 장치의 커패시터 제조방법
KR960043199A (ko) 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법
KR960039369A (ko) 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법
KR970024217A (ko) 반도체 장치의 커패시터 제조 방법
KR960002789A (ko) 반도체소자의 캐패시터 제조방법
KR970008596A (ko) Hsg 마스크를 이용한 캐패시터 제조방법
KR960043192A (ko) 반도체 캐패시터 및 그 제조 방법
KR930009088A (ko) 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법 및 커패시터 구조
KR960009152A (ko) 반도체기억장치 제조방법
KR960006027A (ko) 반도체 소자의 캐패시터 제조방법
KR960009151A (ko) 반도체 기억장치 및 그 제조방법
KR20010004799A (ko) 반도체장치의 커패시터 제조방법
KR970012988A (ko) 원통형 커패시터 제조방법
KR950021578A (ko) 캐패시터의 전하저장전극 형성방법
KR960002839A (ko) 반도체 기억장치 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20050909

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee