KR970077217A - 반도체 메모리 장치의 커패시터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
반도체 메모리 장치의 커패시터 제조방법에 관하여 기재하고 있다. 트랜지스터 등과 같은 하부구조물이 형성된 반도체 기판 상에 층간절연층, 식각방지막, 제1절연층 및 상기 제1절연층보다 습식식각율이 작은 제2절연층을 차례로 적층하고, 이들을 부분적으로 식각하여 스토리지 콘택홀을 형성한 다음, 상기 스토리지 콘택홀을 매립하는 도전성 플러그를 형성하고, 그 결과물 전면에 확산방지막을 형성한다. 이어서, 스토리지전극 형성을 위한 마스크 패턴을 사용하여 상기 확산방지막 및 제2절연층을 패터닝하고, 상기 제1절연층을 선택적으로 습식식각하여 제2절연층 하부에 언더컷을 형성한 다음, 결과물 전면에 백금을 증착하여, 도전성 플러그/확산방지막/백금전극으로 구성된 스토리지 전극을 형성하고, 상기 스토리지 전극 사이의 갭 일부를 매몰하는 제3절연층을 형성한다. 따라서, 백금전극 형성을 위한 건식식각공정이 필요하지 않다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 본 발명의 일 실시예에 따른 백금전극 제조방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다.
Claims (1)
- 트랜지스터 등과 같은 하부구조물이 형성된 반도체 기판 상에 층간절연층, 식각방지막, 제1절연층 및 상기 제1절연층보다 습식식각율이 작은 제2절연층을 차례로 적층하는 단계; 상기 제2절연층, 제1절연층, 식각방지막 및 층간절연층을 부분적으로 식각하여 상기 기판 일부를 노출시키는 스토리지 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 스토리지 콘택홀을 매립하는 도전성 플러그를 형성하는 단계; 도전성 플로그가 형성된 결과물 전면에 확산방지막을 형성하는 단계; 스토리지전극 형성을 위한 마스크 패턴을 사용하여 상기 확산방지막 및 제2절연층을 패터닝하는 단계; 상기 제1절연층을 선택적으로 습식식각하여 제2절연층 하부에 언터컷을 형성하는 단계; 언터컷이 형성된 결과물 전면에 백금을 증착하여, 도전성 플러그/확산방지막/백금전극으로 구성된 스토리지 전극을 형성하는 단계; 및 상기 스토리지 전극 사이의 갭 일부를 매몰하는 제3절연층을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960018216A KR970077217A (ko) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 반도체 메모리 장치의 커패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019960018216A KR970077217A (ko) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 반도체 메모리 장치의 커패시터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970077217A true KR970077217A (ko) | 1997-12-12 |
Family
ID=66284473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960018216A KR970077217A (ko) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 반도체 메모리 장치의 커패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970077217A (ko) |
-
1996
- 1996-05-28 KR KR1019960018216A patent/KR970077217A/ko not_active Application Discontinuation
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