DE10131012C2 - Verfahren zur Herstellung einer Phasenmaske - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstel­ lung einer Phasenmaske.

Zur Übertragung von Strukturen mit einer Auflösung bis herun­ ter zu einigen 10 Nanometern auf Silizium-Wafer oder ähnli­ cher Halbleiterprodukte werden zumeist Masken benutzt, auf welchen die zu übertragende Struktur in binärer Form vor­ liegt, z. B. durch lichtundurchlässiges Chrom verdeckte Lini­ enbereiche auf einem ansonsten transparenten Trägermaterial, im Regelfall Quarz. Bei mit optischen Wellenlängen durchge­ führter Projektion werden die Masken durchleuchtet und die Strukturen in identischer beziehungsweise verkleinernder Ab­ bildung über ein Linsensystem auf die lichtempfindliche Schicht eines Wafers gebracht. Bei zukünftigen Maskentechno­ logien kommen allerdings auch Abbildungen über eine Reflekti­ on an der Maskenoberfläche in Betracht.

Der Trend hin zu immer kleineren Strukturgrößen auf dem Wafer stellt sich ständig erhöhende Anforderungen an die Technolo­ gien der Maske bzw. des Retikels bei verkleinernder Projekti­ on, das Projektionssystem mit einer möglicherweise vorhande­ nen Linsenaberration, die verwendeten Beleuchtungstechniken oder die Numerische Apertur. Geeignete Techniken hierzu wir­ ken sich nämlich positiv auf den Koeffizienten in dem anson­ sten linearen Zusammenhang zwischen auflösbarer Strukturbrei­ te und verwendeter Wellenlänge der Projektion aus.

Bei den Masken sucht man dieses durch Verwendung von Phasen­ masken zu erzielen. Dabei wird durch Einbringung eines Pha­ senkontrastes z. B. an Strukturkanten der betreffende Struk­ turkontrast durch Interferenzeffekte wesentlich erhöht. Be­ kannt sind eine Reihe von Typen von Phasenmasken, welche sich durch die Art der Aufbringung des Phasenhubes sowie der Strukturbildung unterscheiden.

Bei den sogenannten Halbtonphasenmasken (englisch: embedded/­ attenuated phase shift masks) befinden sich auf dem transpa­ renten Trägermaterial am Ort der zu strukturierenden Linien anstelle der bei herkömmlichen Chrom-On-Glas-Masken (COG) vorhandenen Chromstege teildurchlässige Stege eines phasen­ schiebenden Materials, z. B. Molybdän-Silizium. Die Dicke solcher Bereiche wird derart gewählt, daß eine Phasenver­ schiebung um circa 180 Grad zur Auslöschung der Lichtbeiträge benachbarter Bereiche an den Kanten erreicht wird. Zur Her­ stellung solcher Halbtonphasenmasken wird eine anfänglich auf dem Quarzrohling und der phasenschiebenden Schicht (z. B. Mo- Si) liegende Chromschicht in einem ersten Schritt, auch erste Ebene genannt, an jenen Stellen frei geräumt, an denen auch das darunterliegende phasenschiebende Material abgeätzt wer­ den soll. In einem weiteren Schritt, der zweiten Ebene, wird dann später die verbleibende Chromschicht abgetragen, so daß sich die darunterliegende Struktur im stehengebliebenen teil­ durchlässigen, phasenschiebenden Material abbildet. Abhängig von der Projektionslichtwellenlänge werden üblicherweise be­ schichtete Rohlinge mit einer 4-8%igen Lichtdurchlässigkeit in der phasenschiebenden Schicht ausgeliefert.

Während im Chipbereich die Chrombedeckung bei den Halbtonpha­ senmasken weitgehend abgetragen wird, werden bei den Dreiton- Phasenmasken (englisch: tritone phase shift masks) Chromflä­ chen zusätzlich zur Strukturbildung im Chip eingesetzt. Dar­ über hinaus gibt es auch sogenannte Mehr-Level-Phasenmasken mit einer höheren Anzahl strukturierter Ebenen.

Auch bei den alternierenden Phasenmasken (englisch: Alterna­ ting phase shift masks, auch Levenson type genannt) werden Chrombereiche zur Strukturbildung auf der Maske belassen. Der Phasenhub wird hier durch eine Ätzung des Trägermaterials, typischerweise Quarz, erreicht, mit welchem die zwischen den Chromstegen liegenden transparenten Bereiche abwechselnd be­ arbeitet werden. Alternierende Phasenmasken eignen sich daher besonders für nahe an der Auflösungsgrenze liegende Struktu­ rierungsprobleme mit dichten, gitterartigen Strukturen.

Bei den chromlosen Phasenmasken als eigenem Typ wird ausge­ nutzt, daß an der Kante zwischen zwei lichtdurchlässigen Be­ reichen verschiedenen Phasenhubes - insbesondere 180 Grad - eine Auslöschung mit einem hohen Intensitätskontrast gegen­ über den umgebenden Bereichen erreicht werden kann. Durch ei­ ne sehr dicht aneinanderliegende Strukturkantenätzung können so auch Strukturen oberhalb der Auflösungsgrenze ohne innere Lichtdurchlässigkeit erzeugt werden.

Eine weitere Form stellen die sogenannten Rim-Masken (eng­ lisch, Saum) dar, bei welchen ein solch kontrasterhöhender Saum um Chromstrukturen herumgelegt wird.

Der Einsatz von Phasenmasken liegt im Bereich hochwertiger, hochauflösender Masken, deren Qualität den Mehraufwand bei der Herstellung, d. h. der Strukturierung von wenigstens zwei Ebenen, dem in der Regel teureren Rohmaterial und der präzi­ seren Prozeßtechnik rechtfertigen. Daher kommen für die Be­ lichtung von Phasenmasken - vor allem den alternierenden Pha­ senmasken für die Abbildung minimalster Strukturen auf einen Wafer zunehmend die derzeit auf dem Gebiet lithographischer Belichtungstechniken einen rasanten Fortschritt erzielenden Elektronenstrahlschreibgeräte zum Einsatz. Im Falle der al­ ternierenden Phasenmasken werden insbesondere bei der Struk­ turierung der zweiten Ebenen bei weiter abnehmenden Spezifi­ kationstoleranzen kaum mehr Laserbelichtungsgeräte in der Zu­ kunft zum Einsatz kommen, welches natürlich auch für die er­ ste Ebene gelten wird. Bei alternierenden Phasenmasken werden in der ersten Ebene die nicht transparenten Bereiche, d. h. die Chromstege, definiert, während in der zweiten Ebene aus den transparenten Bereichen mittels Laser- oder Elektronen­ strahllithographie jene herausgearbeitet werden, welche mit einem Phasenhub in einer Ätzung versehen werden sollen.

Eine derartige Strukturierungsreihenfolge führt dazu, daß in der ersten Ebene einzelne Chromstege isoliert auf dem Träger­ material stehen bleiben. Bei der Belichtung der schmalen zwi­ schenstehenden Bereiche in der zweiten Ebene mittels eines Elektronenstrahls kommt es daher zu Aufladungseffekten in den isolierten Chromstrukturen, da von diesen die Ladung nicht zeitgerecht abfliesen kann. Auf nachteilhafte Weise kann der Elektronenstrahl deshalb in der Nähe solch geladener Chrom­ strukturen um einige Nanometer abgelenkt oder aufgeweitet werden, welches bei Lagegenauigkeits- und strukturbreiten To­ leranzen von etwa 10 nm oder kleiner zum Ausfall der Maske führen kann. Darüber hinaus ist es möglich, daß Ausbrüche durch ESD-Entladungen (elektrostatische Ausbrüche) zu einer Zerstörung der Schaltungsstruktur führen. Während der Fall bei Masken mit geringeren Anforderungen an die Spezifikati­ onstoleranzen aufgrund der dazu verwendeten Laserlithogra­ phieverfahren nicht auftritt, gibt es für Phasenmasken mit nahe an der Auflösungsgrenze liegenden Toleranzen an Struk­ turbreite und Lagegenauigkeit zwei ähnliche Verfahren, mit denen das Problem bei der Elektronenstrahllithographie zu lö­ sen versucht wird: in beiden Fällen wird zunächst der Lack für die zweite Ebene aufgetragen, wonach im ersten Fall ein Metall aufgedampft wird, und im zweiten Fall ein leitfähiges Polymer aufgetragen wird. Beide Schichten dienen dem Ladungs­ abtransport der durch den Elektronenstrahl aufgebrachten La­ dungen auf die Maskenoberfläche.

Diese Verfahren haben allerdings den erheblichen Nachteil, daß vor allem durch Partikelgenerierung die Defektproblematik erhöht wird und anderseits die Strukturintegrität nachteil­ haft beeinflußt wird.

Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein Her­ stellungsverfahren für Phasenmasken anzubieten, bei dem die Ablenkung von Strahlen ladungsbehafteter Teilchen, z. B. Elek­ tronenstrahlen zur Belichtung ladungsempfindlicher Schichten auf der Maske, auf Grund von Aufladungseffekten an isolierten Strukturen auf dem Maskenträgermaterial verhindert werden soll.

Die Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung einer Phasenmaske mit Strukturen, umfassend die Schritte: Be­ reitstellung eines wenigstens mit einer Chromschicht in einer Dicke beschichteten, transparenten Trägermaterials mit einer darauf befindlichen photo- oder ladungsempfindlichen Schicht, erste Strukturierung der photo- oder ladungsempfindlichen Schicht mittels eines Strahles aus Laserlicht oder ladungsbe­ hafteter Teilchen, Übertragung der Struktur in die Chrom­ schicht mittels eines ersten Ätzschrittes, Aufbringen einer weiteren ladungsempfindlichen Schicht, zweite Strukturierung der weiteren ladungsempfindlichen Schicht mittels eines Strahles ladungsbehafteter Teilchen, Übertragung einer in der zweiten Strukturierung gebildeten Struktur in eine unter der Chromschicht liegende Schicht in einem weiteren Ätzschritt, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Ätzschritt bis zu einer ersten Tiefe durchgeführt wird, so daß ein Rest der Chrom­ schicht mit verminderter Dicke unter der eingeätzten Struktur verbleibt.

Die vorliegende Erfindung bezieht sich vor allem auf eine An­ wendung im Bereich alternierender Phasenmasken. Eine Anwen­ dung bei Halbton- oder Dreiton-Phasenmasken oder allgemein bei Phasenmasken mit isolierten Strukturen aus leitenden Ma­ terial auf nicht leitendem Trägermaterial ist ebenso möglich. Insbesondere können anstatt Chrom bzw. einer Chromschicht auch Molybdän-Silizium in Verbindung mit einer Chromschicht oder gleichwertige Materialien erfindungsgemäß behandelt wer­ den.

Gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren wird nach der Struktu­ rierung der ersten Ebene in der photo- oder ladungsempfindli­ chen Schicht - je nachdem ob eine Laserstrahl -, Elektronen­ strahl- oder Ionenstrahlbelichtung durchgeführt werden soll - nicht wie herkömmlich ein Ätzverfahren mit Endpunkterkennung z. B. aus Spektralphotometrie angeregter Chromzustände oder aus geändertem Reflektionsverhalten eines gerichteten Laser­ strahles angewandt, sondern es wird der Chrom -Ätzschritt vor dem Durchbruch auf das unterliegende Material, z. B. Quarz, abgebrochen. Durch den vorzeitigen Abbruch des Ätzschrittes wird eine dünne Schicht des Chrommaterials zwischen den an­ sonsten möglicherweise isoliert stehenden Chrombereichen zu­ rückgelassen.

Durch den vorzeitigen Abbruch des ersten Chrom-Ätzschrittes befindet sich also ganzflächig wenigstens eine dünne Chrom­ schicht auf dem Trägermaterial, so daß zu Beginn der Struktu­ rierung der zweiten Ebene, d. h. der zweiten Belichtung mit einem Strahl ladungsbehafteter Teilchen - insbesondere einem Elektronenstrahl - unter der ladungsempfindlichen Schicht ei­ ne durchgehenden ladungstransportfähige dünne Schicht vorhan­ den ist. Diese kann, wie eingangs erwähnt, aus Chrom - aber auch aus Molybdän-Silizium, etc. - bestehen. Dadurch findet vorteilhaft nur vermindert oder garnicht ein akkumulierender Aufladungseffekt statt und der Strahl ladungsbehafteter Teil­ chen wird nicht abgelenkt oder aufgeweitet.

Als Strahl ladungsbehafteter Teilchen kommt erfindungsgemäß nicht nur ein Elektronenstrahl sondern auch moderne Technolo­ gien von Ionenstrahlen in Betracht. Als Strukturierung der ersten bzw. zweiten Ebene wird in den Ansprüchen das Belich­ tungsverfahren mittels Elektronen- oder Ionenstrahles be­ zeichnet, wobei erfindungsgemäß die erste Ebene auch durch einen Laserstrahl oder andere Belichtungstechniken struktu­ riert worden sein kann. Die landungsempfindliche Schicht be­ zeichnet jede Schicht, welche mittels geladener Teilchen ortsabhängig aktiviert bzw. chemisch umgewandelt werden kann, um gegebenenfalls nach einer Entwicklung und anschließender selektiver Ablösung zu einer Lackmaske für einen folgenden Ätzprozeß zu dienen.

Ein besonderer Vorteil der vorliegenden Erfindung entsteht dadurch, daß zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfah­ rens kein zusätzlicher Abscheide-, Belichtungs- oder neuarti­ ger Ätzprozeß durchgeführt werden muß. Es sind lediglich zwei kurze zusätzliche Chromätzprozesse angezeigt, wie in weiteren Aspekten noch beschrieben wird.

In einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung wird die erste Chrom-Ätztiefe durch eine vorab definierte erste Zeitdauer der Ätzung festgelegt. Durch diese Maßnahme wird sicherge­ stellt, daß in einem im wesentlichen wiederholbaren Verfahren immer wieder eine im Wesentlichen gleich dicke Chromschicht in den zu strukturierenden Bereichen übrig gelassen wird. Ge­ mäß einer weiteren Ausgestaltung liegt diese Dicke vorzugs­ weise zwischen 5 und 20 Nanometern. Aus einer anfänglichen Chromschichtdicke von 100 Nanometern - zukünftige Maskenroh­ linge hoher Spezifikation umfassen voraussichtlich Dicken von nur noch 70 Nanometern - ist bei vorgegebener Zeit und kon­ stanter Ätzgeschwindigkeit heute schon eine derartige Genau­ igkeit erreichbar.

Die Zeitsteuerung wird vorzugsweise vorab experimentell be­ stimmt und definiert. Im wesentlichen bestimmt sie sich aus der genannten anfänglichen Chromdicke und der Ätzgeschwindig­ keit. Die Homogenität und Isotropie bzw. Anisotropie des Ätz­ prozesses über eine Maske müssen dabei ebenfalls berücksich­ tigt werden. Kriterien für die zu erzielende Chromdicke der verbleibenden Schicht im strukturierten Bereich sind eine ausreichende Leitfähigkeit, welche an Intensität und Durch­ messer des Elektronen bzw. Ionenstrahls angepaßt sein müssen, sowie die optische Durchsichtigkeit um zwischen einzelnen Prozeßschritten - insbesondere zwischen den ebenen Belichtun­ gen-Metrologie- und Defektinspektionen durchführen zu kön­ nen. Dadurch ist gewährleistet, daß gegebenenfalls Reparatu­ ren an den Strukturen durchgeführt werden können, z. B. Auf­ bringen von Chrom.

Die Genauigkeit für die Bildung einer Rest-Chromdicke bei Ätzung gemäß einer Zeitkontrolle beträgt bei derzeit verwen­ deten hochqualitativen Ätzapparaten etwa 5 Nanometer.

In einer weiteren Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung wird nach Strukturierung der zweiten Ebene, d. h. der zweiten Belichtung mittels Elektronen- oder Ionenstrahls, ein Chrom- Ätzschritt durchgeführt, welcher in den strukturierten Berei­ chen der zweiten Ebene die verbliebene reduzierte Chrom­ schicht abätzt. In einer vorzugsweise alternierende Phasen­ masken betreffenden weiteren Ausgestaltung wird auch dieser Ätzschritt zeitgesteuert ausgeführt, um vorteilhafterweise keine unsicheren Signale auf Grund der in diesem Fall inner­ halb der Strukturlöcher der noch bestehenden Lackschicht her­ vorragenden Chromkanten der vollen, anfänglichen Chromdicke zu erhalten. Die Zeitdauer dieser zweiten Chromätzung wird bei gleichem Ätzprozeß wie beim ersten Ätzschritt im wesent­ lichen proportional zur ersten Zeitdauer sein.

In einer weiteren Ausgestaltung wird nach Beendigung der Strukturierung der zweiten Ebene, des anschließenden zweiten Chromätzschrittes, des anschließenden Quarzätzens, sowie dem Entfernen der ladungsempfindlichen Schicht eine vollflächige Chromentfernung mit einem Dickenabtrag, welcher genau der Rest-Chromdicke entspricht, durchgeführt. Dadurch wird in dem zwischen den Chromstegen existierenden Gräben der Durchbruch zum Trägermaterial erreicht, z. B. dem Quarz, während sich auf Grund des niedrigen, vorzugsweise 5-20 nm betragenem Chromdickeabtrags an der Lichtundurchlässigkeit der Chromste­ ge bzw. -flächen nichts ändert. Bei 100 nm betragender an­ fänglicher Chromdicke würden anschließend wenigstens 80 nm an Chromdicke in den Chromflächen überbleiben.

Nach Ausführung des dritten Chromätzschrittes ist daher mit Ausnahme der vernachlässigbar erniedrigten Chromdicke in den Chromflächen auf vorteilhafte Weise kein Unterschied gegen­ über der konventionellen Herstellung insbesondere der alter­ nierenden Phasenmasken festzustellen. Dem gegenüber ergibt sich im Verfahrensablauf der Vorteil, daß durch die verhin­ derte Aufladung isolierter Chrombereiche eine Ablenkung des geladenen Teilchenstrahls vermieden und damit eine höhere Ge­ nauigkeit bei der Strukturierung der Masken erreicht wird.

Weitere Ausgestaltungen und Vorteile ergeben sich aus den ab­ hängigen Ansprüchen.

Die vorliegende Erfindung soll nun in Ausführungsbeispielen anhand von Figuren näher erläutert werden. Dabei zeigt

Fig. 1 an Hand eines Querschnittes durch eine alternieren­ de Phasenmaske den Ablauf des erfindungsgemäßen Verfahrens mit den Schritten: Belichtung der ersten Ebene (a), erster Chrom-Ätzschritt mit verbleibender Rest-Chromdicke (b), Be­ lackung und Belichtung der zweiten Ebene (c), Entwicklung der zweiten Ebene (d),

Fig. 2 an Hand der gleichen Maske wie in Fig. 1 beispiel­ haft erfindungsgemäße Folgeprozeßschritte: Zweiter Chrom- Ätzschritt (a), Quarzätzen (b), Lackablösung (c), vollflächi­ ger Chrom-Ätzschritt (d).

Als Beispiel sind in Fig. 1 die wesentlichen Prozeßschritte zur erfindungsgemäßen Herstellung einer alternierenden Pha­ senmaske bis zur Belichtung und Entwicklung der zweiten Ebene dargestellt. Ein mit einer Chromschicht 2 der anfänglichen Chromdicke 21 und einer darüberliegenden ladungsempfindlichen Lackschicht 3 beschichteter Quarzrohling bzw. -blank als transparentes Trägermaterial 1 wird mittels eines eine Lini­ en- und Spaltenstruktur zeichnenden Elektronenstrahls 4 be­ lichtet, wie in der Querschnittabbildung der Fig. 1a zu se­ hen ist. Nach dem Entwickeln wird ein erster Chrom-Ätzschritt durchgeführt, bei dem nach einer vorab bestimmten, definier­ ten Zeitdauer der Ätzvorgang beendet wird. Die Zeitdauer wur­ de für das hier verwendete Plasmaätzgerät und Rohlinge mit einer anfänglichen Chromdicke 21 von 100 nm experimentell derart bestimmt, daß nach dem ersten Chromätzschritt eine verbleibende Rest-Chromdicke 22 von 10 nm auf dem Quarzmate­ rial 1 in den eingeätzten Spalten vorliegt (Fig. 1b).

Die Maske wird anschließend mit einer ladungsempfindlichen Lackschicht 3 neu belackt und mittels eines Elektronenstrahls 5 in den Spalten belichtet, in welchen später durch Quarzät­ zen ein Phasenhub implementiert werden soll (Fig. 1c). Durch die am Boden der Spalten vorhandene Restchromschicht 220, welche nach dem ersten Chromätzschritt mit der Chrom- Ätztiefe 23 verblieben war, und welche die stehengebliebenen, nicht belichteten Chromstege leitend verbindet verhindert da­ bei ein Ablenken des Elektronenstrahls durch aufgeladene, isolierte Chromstrukturen.

Nach der Belichtung der zweiten Ebene wird wieder entwickelt, so daß die für das Quarzätzen selektierten Spalten frei lie­ gen (Fig. 1d).

Zur weiteren Prozeßführung können die beispielhaft in Fig. 2 gezeigten Schritte durchgeführt werden. Zur Beseitigung der Rest-Chromschicht 220 am Boden der für das Quarzätzen freige­ legten Spalten wird ein zweiter Chrom-Ätzschritt durchge­ führt, welcher z. B. zeitgesteuert gerade die Rest-Chromdicke 22 von 10 nm abätzt, wobei auch die nach Belichtung der zwei­ ten Ebene in den Spalten hervorstehenden Chromkanten im Ani­ sotropenplasma-Ätzschritt um 10 nm zu einer kleinen Chromstu­ fe 221 abgeätzt werden., wie in Fig. 2a zu sehen ist.

Darauffolgend wird der Quarz-Ätzschritt durchgeführt (Fig. 2b). Nach Ablösen der ladungsempfindlichen Lackschicht 3-oben (Fig. 2c), wird wiederum ein dritter Chrom-Ätzschritt durch­ geführt, welcher der Entfernung der Rest-Chromschicht 222 in den nun freigelegten, nicht quarzgeätzten Spalten vorhanden ist. Die Chrom-Ätztiefe von 10 nm entspricht damit in etwa der Zeitdauer des zweiten Chrom-Ätzschrittes. Dieser Schritt wird vollflächig ausgeführt, d. h. von allen Stromstrukturen werden 10 nm abgenommen, welches aber für die Lichtundurch­ lässigkeit der Chromstege keine nennenswerten Folgen hat. Letztendlich haben die Chromstege eine Höhe von 90 nm, die davon zu den quarzgeätzten Spalten zugewandeten Chromstufen 221 eine Höhe von 80 nm (Fig. 2d).

Zwischen den Prozeßschritten, insbesondere zwischen den bei­ den Ebenenbelichtungen gemäß Fig. 1a und c werden wiederholt Kontrollschritte durchgeführt, d. h. Metrologie-Schritte zur Messung von Strukturbreiten bzw. der Lagegenauigkeit sowie verschiedene Typen von Defektinspektionen, darunter auch mit SEM oder AFM. Gegebenenfalls werden auch Reparaturen durchge­ führt. Die Inspektionen sind möglich, da im durch das Quarz­ blank fallende Gegenlicht die Rest-Chromdicke 22 dünn genug ist, um das Licht durchzulassen bzw. der Kontrast zwischen dem hochreflektiven, dünnen Chrom und der auf dem nicht ge­ ätzten Chrom verbliebenen, reflexionsvermindernden Schicht hoch genug ist.

Nach dem dritten Chrom-Ätzschritt kann wie bei der konventio­ nellen Herstellung mittels Dual-trench-Verfahrens ein Ab­ gleich der Beiträge von Lichtintensitäten der Quarzgräben und der bisher noch nicht phasenschiebenden Gräben bzw. Spalten durchgeführt werden. Dabei können weitere Quarz-Ätzschritte erfolgen. Üblicherweise folgen anschließend Inspektionen, ggf. Reparaturen und die Pelliclemontage.

Claims (11)

1. Verfahren zur Herstellung einer Phasenmaske mit Struktu­ ren, umfassend die Schritte:

• - Bereitstellung eines wenigstens mit einer Chromschicht (2) in einer Dicke beschichteten, transparenten Trägermaterials (1) mit einer darauf befindlichen photo- oder ladungsemp­ findlichen Schicht (3),
• - Erste Strukturierung der photo- oder ladungsempfindlichen Schicht (3) mittels eines Strahles aus Laserlicht oder la­ dungsbehafteter Teilchen (4),
• - Übertragung der Struktur in die Chromschicht (2) mittels eines ersten Ätzschrittes,
• - Aufbringen einer weiteren ladungsempfindlichen Schicht (3'),
• - Zweite Strukturierung der weiteren ladungsempfindlichen Schicht (3') mittels eines Strahles ladungsbehafteter Teil­ chen (5),
• - Übertragung einer in der zweiten Strukturierung gebildeten Struktur in eine unter der Chromschicht (2) liegende Schicht in einem weiteren Ätzschritt,

dadurch gekennzeichnet, daß der erste Ätzschritt bis zu einer ersten Tiefe (23) durchge­ führt wird, so daß ein Rest (220) der Chromschicht mit ver­ minderter Dicke (22) unter der eingeätzten Struktur ver­ bleibt.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß nach der zweiten Strukturierung die Übertragung der Struktur in die unterliegende Chromschicht (2) in einem zwei­ ten Ätzschritt jeweils bis zu einer zweiten Tiefe durchge­ führt wird, welche der im ersten Ätzschritt verbleibenden Dicke (22) der Chromschicht (2) entspricht.

3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß Durchführung des weiteren Ätzschrittes und einem an­ schließendem Ablösen der ladungsempfindlichen Schicht (3') in einem dritten Ätzschritt der verbliebene Rest (22) der Chrom­ schicht (2) in wenigstens einer durch die ladungsempfindliche Schicht (3') während des zweiten Chrom-Ätzschrittes verdeck­ ten Struktur bis zu einer dritten Tiefe entfernt wird.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der dritte Ätzschritt der Chromschicht (2) vollflächig auf der Phasenmaske durchgeführt wird.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, die zweite Strukturierung mittels eines Elektronenstrahls (5) durchgeführt wird.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke (22) des nach dem ersten Ätzschritt verbleiben­ den Restes (220) der Chromschicht (2) in den Strukturen in dem Bereich zwischen 5 Nanometern und 20 Nanometern liegt.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Tiefe (23) im ersten Ätzschritt durch eine festgelegte, nach Beginn des Ätzprozesses unabänderbare erste Zeitdauer einer Ätzung festgelegt wird.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Tiefe im zweiten Ätzschritt durch eine festge­ legte, nach Beginn des Ätzprozesses unabänderbare zweite Zeitdauer einer Ätzung festgelegt wird.

9. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Tiefe im dritten Ätzschritt durch eine festge­ legte, nach Beginn des Ätzprozesses unabänderbare dritte Zeitdauer einer Ätzung festgelegt wird.

10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß eine Inspektion der mit der verbleibenden Chromdicke (22) bedeckten Strukturen auf der Phasenmaske nach dem ersten Ätz­ schritt mit einem optischen Mikroskop oder Defektinspektion durchgeführt wird.

11. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Phasenmaske eine aus der Gruppe umfassend: alternie­ rende Phasenmaske, Halbtonphasenmaske, Drei-Ton-Phasenmaske, bezeichnet.