CN1658719A - 电光学装置的制造方法、电光学装置及电子器械 - Google Patents

电光学装置的制造方法、电光学装置及电子器械 Download PDF

Info

Publication number
CN1658719A
CN1658719A CN200510051668XA CN200510051668A CN1658719A CN 1658719 A CN1658719 A CN 1658719A CN 200510051668X A CN200510051668X A CN 200510051668XA CN 200510051668 A CN200510051668 A CN 200510051668A CN 1658719 A CN1658719 A CN 1658719A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
small
sized
sized substrate
electro
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN200510051668XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN100454607C (zh
Inventor
行田幸三
野泽陵一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of CN1658719A publication Critical patent/CN1658719A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100454607C publication Critical patent/CN100454607C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/18—Tiled displays
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A01—AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
    • A01K—ANIMAL HUSBANDRY; AVICULTURE; APICULTURE; PISCICULTURE; FISHING; REARING OR BREEDING ANIMALS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; NEW BREEDS OF ANIMALS
    • A01K61/00—Culture of aquatic animals
    • A01K61/60—Floating cultivation devices, e.g. rafts or floating fish-farms
    • A01K61/65—Connecting or mooring devices therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3031—Two-side emission, e.g. transparent OLEDs [TOLED]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P60/00—Technologies relating to agriculture, livestock or agroalimentary industries
    • Y02P60/60—Fishing; Aquaculture; Aquafarming

Landscapes

  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Environmental Sciences (AREA)
  • Marine Sciences & Fisheries (AREA)
  • Zoology (AREA)
  • Animal Husbandry (AREA)
  • Biodiversity & Conservation Biology (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供在不需要将制造装置大型化情况下，在平面地排列配置多块小型基板的大型基板上可高效地形成自发光元件的电光学装置的制造方法、电光学装置及电子器械。在制造将多块小型基板(2)粘合的有机EL显示装置(1)时，在小型基板(2)和大型基板(3)的粘合工序之前，进行TFT(123、124)的形成、像素电极(111)的形成等的、需要使用激光退火或光刻技术的工序，在粘合工序之后，使用喷墨法形成有机EL元件。另外，直至形成有机EL元件之间，用保护膜(6)覆盖小型基板(2)。

Description

电光学装置的制造方法、电光学装置及电子器械
技术领域
本发明涉及由自发光型元件构成的多个像素的电光学装置的制造方法和使用该方法制造的电光学装置以及采用该电光学装置的电子器械。
背景技术
近年，光接收型的液晶显示以外，具有薄、轻、对视野角没有依赖性等特征的有机电致发光(以下简称EL)显示作为自发光型电光学装置得到关注。在这样的有机EL显示装置中，采用在与液晶同样配置成矩阵状的多个像素的每一个中配置有像素开关元件和有机EL元件的显示基板，通过控制各像素的ON与OFF，进行显示。有机EL元件由夹持有机材料的两个电极和对发光作贡献的有机材料构成。通过由两个电极向发光材料中注入电子和空穴而使各像素发光。即，通过由电极注入的电子和空穴在有机材料的发光中心再结合，使有机分子处于激发状态，此后有机分子由激发状态向基础状态恢复时发光。因此，如使用发光颜色不同的种种材料，可以显示彩色图像。
与液晶显示装置一样，对这样的有机EL显示装置当要求有超出30英寸的显示装置时，要将基板大型化。为此，用于制造像素开关用元件的TFT(薄膜晶体管)的生产线也要大型化。另外，通过将基板大型化，降低了清洗工序或成膜工序中的成品率。还有，为达到使用廉价的玻璃基板作基板的目的，如使TFT由低温多晶硅构成，则使用于将非晶硅在多晶硅上结晶化的激光退火变得不稳定。
为此，现有技术中，提出了采用多块可充分制造大小的基板通过平面配置而构成大型有机EL元件装置的方案。为了实现这样的大型化技术，提出了如下方法：在小型基板上形成像素开关用元件及有机EL元件后将多块小型基板平面地排列配置的方法、和在小型基板上形成像素开关用元件后将多块小型基板平面地排列配置、然后在各小型基板上形成有机EL元件的方法。后者，具有小型基板彼此之间的连接处不显眼的优点(比如、专利文献1、2)。
但是，在专利文献1、2记载的技术中，在多块小型基板平面地排列配置状态下形成有机EL元件时，有必要利用现有技术的半导体工序，而没有采用特别技术以将有机EL元件形成于大区域内。为此，形成有机EL元件时，存在有不能避开制造装置大型化的问题。
另外，在将多块小型基板平面地排列配置以构成大型有机EL显示装置时，小型基板的厚度方向的位置会产生零散偏差，或者当小型基板向表面的外方向倾斜时，导致各像素的发光位置产生零散偏差从而降低了显示品质的问题。
还有，如按照专利文献1、2中记载的技术，将多块小型基板粘合在大型基板上而得到的产品，由于该大型基板的厚度而导致电光学装置变得很厚，从而产生不能实现重量轻的问题。再有，还存在有不能制造弯曲了基板的新方式的电光学装置的问题。但是，从最初使用薄型基板时，在制造工序中存在有基板割裂使成品率降低的问题。这里，虽然可以认为在小型基板粘合在大型基板或者密封基板(对向基板)上以形成板状之后进行薄型化处理，但如使用化学蚀刻进行这样的薄型化处理，则有在电光学装置用基板上形成的端子也被蚀刻从而受到损坏这一问题的发生。
发明内容
为了解决上述问题点，本发明的目的在于提供一种在不使制造装置大型化情况下，在几块小型基板以平面地排列配置状态下可高效形成自发光元件的自发光型的电光学装置的制造方法和采用该方法制造的电光学装置及具有该电光学装置的电子器械。
还有，本发明的另一目的在于提供一种即使在几块小型基板以平面地排列配置情况下，在小型基板的厚度方向上也不发生位置上的零散偏差，并且不会有小型基板向面的外方向倾斜情况的电光学装置的制造方法、采用该方法制造的电光学装置及具有该电光学装置的电子器械。
再有，本发明的又一目的在于提供一种在该制造工序中能高效实现小型基板薄型化的电光学装置的制造方法、采用该方法制造的电光学装置及具有该电光学装置的电子器械。
另外，本发明的又一目的在于提供一种在不损伤小型基板和对向基板粘合而成的板的端子的情况下能实现薄型化的电光学装置的制造方法、用该方法制造的电光学装置及具有该电光学装置的电子器械。
为了解决上述课题，本发明提供一种电光学装置的制造方法，用于制造将多块在配置成矩阵状的多个像素区域的每一个中包括像素开关用元件及自发光元件的基板在平面上排列配置的电光学装置，其特征在于，包括：小型基板形成工序，形成小型基板，所述小型基板在基板的一个面一侧形成有所述像素开关用元件及所述自发光元件的像素电极；粘合工序，在将多块所述小型基板在平面上排列配置的状态下，将多块所述小型基板的另一个面一侧与大型基板粘合；发光功能层形成工序，在该状态下，使用喷墨法对所述多块小型基板的所述一个面一侧的预定区域选择性地涂覆液状组成物，以形成所述自发光元件的发光功能层。
本发明在向大型基板的粘合工序之前，进行小型基板的像素开关用元件的形成及自发光元件的像素电极的形成等的、需要使用激光退火或光刻技术的工序。另外在粘合工序之后，在形成自发光元件的发光功能层时采用能很容易地进行对任意位置的涂覆的喷墨法。为此，即使将自发光元件的发光功能层形成在平面上排列配置多块小型基板的大面积区域内时，也可以不需要制造装置的大型化，且不会发生成品率低的情况。
在本发明中，在所述粘合工序中使用粘接剂将所述小型基板和所述大型基板全面粘接。
在本发明中，优选在进行所述粘合工序之前，进行激光切断工序，该工序使用激光，切断所述小型基板的多条基板边中的至少在所述电光学装置中与其他小型基板邻接的边。
如采用这样的方式，则正确地粘接各小型基板，从而提高大型基板上的各小型基板彼此之间的位置精度。另外，当使用喷墨法形成自发光元件的发光功能层时，由于各小型基板彼此之间的位置精度高，因此能高精度地在小型基板上的预定位置形成发光功能层。再有，最好在所述小型基板上形成有显示用于切断的激光的照射位置的对准标记。
在本发明中，优选在所述小型基板形成工序之后，在所述小型基板的至少所述一个面一侧粘贴保护膜；接着在进行了所述粘合工序之后，从所述小型基板的所述一个面一侧除去所述保护膜，然后进行所述发光功能层形成工序。如采用这样的方式，则在粘合工序时能保护小型基板的形成有像素开关元件的一个面一侧不受异物或损伤，从而能提高可靠性。
在本发明中，优选在所述粘合工序中以所述保护膜的一侧向着平台的方式排列配置所述多块小型基板，并在该状态下将所述多块小型基板的所述另一个面一侧和所述大型基板粘合。如采用这种方式，能以小型基板的形成有保护膜的一个面一侧为基准，进行大型基板的粘合。因此，当使用喷墨法形成自发光元件的发光功能层时，对任意的小型基板来说，从喷墨头到小型基板的一个面一侧的距离是一定的，因此能防止由于液滴的飞落距离的零散偏差而造成的发光功能层的形成位置或者亮度的零散偏差。
在本发明中，优选在所述粘合工序中在排列配置在所述平台上的所述多块小型基板的所述另一个面一侧重叠所述大型基板；并在该状态下，对所述大型基板施加流体压力以向着所述平台按压所述大型基板，从而将所述多块小型基板的所述另一个面一侧与所述大型基板粘合。如采用这样的方式，由于在大型基板及小型基板上施加均匀的力，从而能以相同条件将任一小型基板粘合在大型基板上。为此，能防止形成电光学装置的小型基板的厚度方向上的位置零散偏差，从而能显示高品质的图像。
在本发明中，优选在所述粘合工序中在所述小型基板和所述大型基板之间存在有控制基板间隔的第一基板间隔控制部件的状态下，粘合所述小型基板和所述大型基板。如采用这样的方式，通过第一基板间隔控制部件规定了小型基板和大型基板之间的厚度方向的间隔，因此在小型基板的厚度方向的位置不会发生零散偏差，并且小型基板也不会向面的外方向倾斜。因此，在由大型基板射出显示光的底部发射型显示情况下，能对齐由观察者看到的像素位置。为此，能提供无显示歪曲的高品质的有机EL装置。另外，在底部发射型及顶部发射型的任一种的显示时，如使用喷墨法形成自发光元件的发光功能层，则对任意的小型基板来说，从喷墨头到小型基板的一个面一侧的距离是一定的，从而能防止由于液滴的飞落距离的零散偏差而造成的发光功能层的形成位置或者亮度的零散偏差。因此，本发明能实现显示品质的提高。
本发明中所述第一基板间隔控制部件比如是形成于所述小型基板及所述大型基板中的一个上的突起。此时，所述第一基板间隔控制部件能由比如使用光刻技术形成的感光性树脂构成。另外，所述第一基板间隔控制部件还可以为通过临摹、印刷或者喷墨法固定在所述小型基板及所述大型基板中的一个上的树脂组成物。不论哪种情况，所述第一基板间隔控制部件最好形成在避开了与所述自发光元件的形成区域在平面上重叠的区域的区域。如采用这种方式，则在底部发射型的电光学装置中，即使在小型基板与大型基板之间存在有第一基板间隔控制部件，在显示光的射出路径中也不会有第一基板间隔控制部件存在，因此可以抑制由第一基板间隔控制部件所造成的显示品质的降低。
在本发明中，优选所述第一基板间隔控制部件是分散在所述小型基板与所述大型基板之间的粒状或者棒状的间隙材料。像这样的间隙材料并不能控制其存在位置，从而也会存在于显示光的射出路径中。因此在底部发射型情况下，最好间隙材料的折射率与大型基板或小型基板的折射率大致相等。
在本发明中，优选在形成所述自发光元件之后，进行密封工序，在所述小型基板的所述一个面一侧粘合密封基板。此时，所述密封工序中比如使用密封树脂将所述小型基板和所述密封基板全面粘接。
在本发明中，优选在所述密封工序中，在所述小型基板和所述大型基板之间存在有控制基板间隔的第二基板间隔控制部件的状态下，粘合所述小型基板和所述密封基板。如采用这样的方式，能以高间隔精度粘合小型基板与密封基板。因此，在由密封基板射出显示光的顶部发射型显示情况下，能对齐由观察者侧看到的各像素的发光位置，从而实现了显示品质的提高。另外，在底部发射型及顶部发射型的任一种的显示时，如能以高位置精度粘合小型基板与密封基板，则能以高精度切断密封基板。即，在使用切割装置切断密封基板的一部分以露出小型基板上的端子形成区域工序中，能达到正确并很容易切断的效果。
在本发明中，所述第二基板间隔控制部件比如是形成于所述小型基板及所述大型基板中的一个上的突起。此时，所述第二基板间隔控制部件能由比如使用光刻技术形成的感光性树脂而构成。另外，所述第二基板间隔控制部件还可以为通过临摹、印刷或者喷墨法固定在所述小型基板及所述大型基板中的一个上的树脂组成物。不论哪种情况，所述第二基板间隔控制部件最好形成在避开了与所述自发光元件的形成区域在平面上重叠的区域的区域。如采用这种方式，从密封基板来的应力不会通过突起传递给自发光元件，从而可以防止自发光元件及显示装置的损伤。另外，在底部发射型的电光学装置中，即使在小型基板与密封基板之间存在有第二基板间隔控制部件，在显示光的射出路径中也不会有第二基板间隔控制部件存在，因此可以抑制由第二基板间隔控制部件所造成的显示品质的降低。
在本发明中，优选所述第二基板间隔控制部件是分散在所述小型基板与所述密封基板之间的粒状或者棒状的间隙材料。像这样的间隙材料并不能控制其存在位置，从而也会存在于显示光的射出路径中。因此在顶部发射型显示的情况下，最好间隙材料的折射率与密封基板或小型基板的折射率大致相等。
进一步，为了解决上述课题，在本发明中，在所述小型基板形成工序之后，进行使用蜡将所述多块小型基板以平面排列配置的状态固定在平台上的固定工序、和在该状态下，研磨所述小型基板的表面以使所述小型基板薄型化的薄型化工序；在进行了所述薄型化工序之后，通过让蜡加热熔化，从所述平台上取出所述小型基板。
本发明中将小型基板薄型化的方法，是对通常的小型基板施行了预定的工序之后进行薄型化的方法。因此，作为小型基板使用通常的玻璃硬质基板，即使将该基板薄型化至100μm以下，甚至50μm以下时，在制造工序中也不会发生基板破裂。而且，如一齐研磨多块电光学装置用基板，则效率更好。另外，由于小型基板的薄型化不是进行化学蚀刻而是进行机械的研磨，因此小型基板的表面不会粗糙。而且，在机械的研磨的情况下，由于能选择性地研磨小型基板的单面，从而不会损伤基板上的多个端子，即使是如液晶装置那样通过密封材料将一对基板粘合的情况下，也不会恶化密封材料。更有，通过蜡的熔化、固化、熔化的反复过程将电光学装置用基板固定在平台上的方式，也使研磨后的取出能很容易地进行。另外，通过蜡固定的方式，不会产生用于固定的应力集中于制造中产品的一部分中，从而不会使基板破裂。更有，由于蜡是在大约80度温度下熔化，因此在小型基板保持有液晶或EL材料等的电光学物质之后，即使进行薄型化加工，也不会使电光学物质恶化。还有，通过研磨使多块小型基板的表面于一个平面上对齐，因此能很容易地、并且高精度地粘合多块小型基板与大型基板。
在本发明中，优选在所述薄型化工序中，在通过所述蜡将所述小型基板固定在所述平台上的状态下，连续进行研磨所述小型基板以使其薄型化的研磨工序、和平滑地研磨所述小型基板的表面的抛光工序。
在本发明中，优选在所述固定工序中，在形成于所述平台的上面的凹部内加热熔化蜡，之后将所述多块小型基板浸泡在熔化了的所述蜡内，并且对所述多块小型基板施加流体压力以向着所述平台按压所述多块小型基板，然后冷却、固化所述蜡，并通过所述蜡将所述多块小型基板固定在所述平台上。作为施加流体压力的方法，可以是由喷头向着小型基板的上面喷出压缩空气的方法，或者也可以是给小型基板覆盖具有弹性的隔膜，对由该隔膜所隔开的2个空间中的、与配置有小型基板的一侧相反侧的空间供给流体的方法。如采用这种方式，能对各小型基板施加均匀的力，从而能将小型基板固定在平台的正确位置上，并因此能进行高精度的研磨。
在本发明中，优选在进行了粘合在所述平台上的所述多块小型基板和大型基板以形成在所述大型基板上多块小型基板在平面上排列配置的粘合基板的粘合工序之后，加热熔化所述蜡以从所述平台上取出所述粘合基板。然后使用该粘合基板制造在所述大型基板上平面地排列配置有多块小型基板的电光学装置。这里，可以由喷头向着大型基板喷出压缩空气的方法，或者也可以是给大型基板覆盖具有弹性的隔膜，对由该隔膜所隔开的2个空间中的、与配置有大型基板的一侧相反侧的空间内供给空气或者液体等的流体。如采用这种方式，由于能对大型基板及小型基板施加均匀的力，从而任一的小型基板能以相同的条件粘贴在大型基板上。因此，能防止在小型基板的厚度方向上的零散偏差，从而显示高品质图像。
本发明的所述小型基板也可以是比如通过密封材料将一对基板已经粘合好的液晶装置用基板。另外，本发明的电光学装置用基板为有机EL显示装置等的电光学装置用基板。
本发明是包括下述工序的制造方法：形成小型基板工序，在进行了在所述小型基板的一个面一侧形成像素开关用元件及自发光元件的像素电极的小型基板形成工序之后，经过将多块所述小型基板以所述电极面在下的方式平面地排列配置在平台上并用蜡予以固定的固定工序、研磨所述多块小型基板的另一个面一侧的研磨工序、将大型基板粘合在所述研磨面上以制作粘合基板的粘合工序、加热熔化所述蜡以从所述平台上取出所述粘合基板并且在由所述多块小型基板构成的所述粘合基板的一个面一侧形成所述自发光元件的发光功能层的发光功能层形成工序之后，使用所述粘合基板以制造在所述大型基板上平面地排列配置多块所述电光学用基板的的电光学装置。即，在向大型基板的粘合工序之前，进行需要使用激光退火或光刻技术的像素开关用元件的形成及自发光元件的像素电极的形成等，在该粘合工序之后，形成自发光元件的发光功能层。为此，在形成自发光元件的发光功能层时，能采用可容易地进行对任意位置的涂覆的喷墨法等。如采用这种方式，在将自发光元件的发光功能层形成在平面地排列配置多块小型基板的大面积区域内时，也可以不需要对制造装置大型化，且不会发生成品率低的情况。
在本发明中，优选在通过蜡将所述粘合基板固定在平台上的状态下，研磨所述大型基板的表面以使该大型基板薄型化，然后加热熔化蜡以从该平台上取出所述粘合基板。如采用这种方式，能实现电光学装置的薄型化、轻型化。
在本发明中，优选在相对所述粘合基板的相反侧即所述小型基板的所述一个面一侧粘贴密封基板以形成模块之后，在通过蜡将所述模块固定在平台上的状态下研磨所述密封基板的表面以使所述密封基板薄型化，然后加热熔化所述蜡以从所述平台上取出所述模块。如采用这种方式，能实现电光学装置的薄型化、轻型化。
另外，本发明中所述电气光学用基板为具有多个端子的基板，在所述薄型化工序之后，还具有切断密封基板以露出所述端子的切断工序。
本发明为了实现板子的薄型化，通过粘合小型基板与密封基板之后进行薄型化。为此，作为密封基板使用玻璃材料，并且即使将该密封基板薄型化至比如100μm以下，甚至50μm以下时，在制造工序中也不会发生对向基板破裂。另外，由于薄型化的方法不是进行化学蚀刻法而是使用研磨法，因此不会对形成在小型基板上的端子进行蚀刻。更有在研磨时，由于端子被密封基板覆盖，从而不会损伤端子。在研磨结束后，能仅通过熔化蜡以从平台取出板子，并且能通过切断经研磨后的密封基板，可以很容易地露出端子。
本发明的所述切断工序最好是通过激光切断所述密封基板。如采用这种方式，能在板子状态下高效地切断密封基板。
在本发明中，优选所述小型基板具有规定所述液状组成物的涂覆区域的隔壁，所述保护膜在膜基材一个面一侧具有比所述隔壁的高度厚的粘接剂层。如采用这种方式，能防止向小型基板与保护膜之间侵入气泡。因此，由于在粘贴在小型基板上的保护膜的表面不会发生凹凸，当以保护膜的表面为基准粘合小型基板和大型基板时，能高精度地对齐小型基板的一个面一侧的位置。因此其结果，能使用喷墨法稳定地形成自发光元件的发光功能层。另外，能在形成大型电光学装置时能防止各小型基板的厚度方向上的位置(高度)零散偏差，从而能显示高品质的图像。
在本发明中，优选所述小型基板具有规定所述液状组成物的涂覆区域的隔壁，所述保护膜在膜基材一个面一侧形成有相对所述液状组成物的疏液材料层和比所述隔壁的高度薄的粘接剂层；当除去所述保护膜时，在所述液状组成物的涂覆区域的周围，将所述疏液材料层临摹至所述小型基板侧。如采用这样的方式，对小型基板的一个面一侧可以不进行等离子体处理等的特别的疏液处理，从而能实现制造工序的简化。
适用了本发明的电光学装置，适合使用于各种电子器械，特别是具有超过30英寸以上的大画面的电子器械。
附图说明
图1(A)、(B)是有关本发明的电光学装置一实施方式的有源矩阵型有机EL显示装置的立体图及俯视图。
图2是显示有机EL显示装置的电结构的说明图。
图3是形成于电光学装置中的多个像素一部分的模式俯视图。
图4(A)、(B)是有关本发明的实施方式1的有机EL显示装置的剖面图，及放大显示像素区域的一个像素的剖面图。
图5(A)、(B)是有关本发明的有机EL显示装置的制造方法中小型基板形成工序的说明图。
图6(A)、(B)、(C)是有关本发明的有机EL显示装置的制造方法中在小型基板上贴有保护膜的状态的说明图。
图7(A)、(B)、(C)是有关本发明的有机EL显示装置的制造方法中粘合工序的说明图。
图8(A)、(B)是有关本发明的有机EL显示装置的制造方法中有机功能层形成工序的说明图。
图9(A)、(B)是有关本发明的实施方式2的有机EL显示装置的剖面图及放大显示像素区域的1个像素的剖面结构的剖面图。
图10(A)、(B)是有关本发明的实施方式3的有机EL显示装置的剖面图及放大显示像素区域的1个像素的剖面结构的剖面图。
图11(A)、(B)是有关本发明的实施方式4的有机EL显示装置的剖面图及放大显示像素区域的1个像素的剖面结构的剖面图。
图12(A)、(B)是有关本发明的实施方式5的有机EL显示装置的剖面图及放大显示像素区域的1个像素的剖面结构的剖面图。
图13(A)、(B)是有关本发明的实施方式6的有机EL显示装置的剖面图及放大显示像素区域的1个像素的剖面结构的剖面图。
图14(A)、(B)、(C)、(D)是有关本发明的基板的薄型化工序中研磨工序的工序剖面图。
图15(A)～(F)是有关本发明的有机EL显示装置的制造方法中基板的薄型化加工之后的粘合工序剖面图。
图16(A)、(B)是有关本发明的实施方式7的小型基板的立体图、及放大显示像素区域的一个像素的剖面结构的剖面图。
图17(A)～(E)是有关本发明的大型基板的薄型化工序中研磨工序的工序剖面图。
图18(A)～(D)是有关本发明的密封基板的切断工序和柔性布线基板的安装的工序图。
图19是有关本发明的另一有机EL显示装置的制造方法中小型基板上贴有保护膜的状态的说明图。
图20(A)、(B)是有关本发明的另一有机EL显示装置的制造方法中小型基板上贴有保护膜的状态的说明图。
图中：1-有机EL显示装置(电光学装置)，2-小型基板(TFT阵列基板)，3-大型基板，4-密封基板，6、7-保护膜，8-平台，9-喷墨头，35、36-第一基板间隔控制部件，45、46-第二基板间隔控制部件，101-有机EL元件，110-发光功能层，111-像素电极，123、124-TFT。
具体实施方式
下面参照附图说明有关本发明的有机EL显示装置(自发光型电光学装置)、及使用该显示装置的电子器械的实施方式。另外，在参照的各图中，为了可以在图面中辨认，针对各层或各部件存在比例尺不相同的情况。
[实施方式1]
(有机EL显示装置的整体结构)
图1(A)、(B)是有关本发明的电光学装置一实施方式的有源矩阵型的有机EL显示装置的立体图及俯视图。图2是有机EL显示装置的电结构的说明图。图3是形成于电光学装置中的多个像素一部分的模式俯视图。图4(A)、(B)是有关本发明的实施方式1的有机EL显示装置的剖面图，及放大显示像素区域的一个像素的剖面图。
在图1及图4(A)中，本方式的有机EL显示装置1是使用所谓拼合技术的30英寸以上的大型显示装置，其将几块(本方式为4块)小型基板2(TFT阵列基板)以平面地排列配置的状态粘合在大型基板3上。即，大型基板3和小型基板2的另一个面(下面)侧22通过透明的粘接剂30全面粘接。另外，小型基板2的上面(与大型基板3的相反一侧)粘合有密封基板4。密封基板4通过防止水或氧的侵入而防止阴极12或者有机功能层110的氧化，其通过环氧树脂等的密封树脂40而全面粘接在小型基板2的一个面一侧21上。粘接剂30使用的是折射率与作为小型基板2、大型基板3及密封基板4使用的玻璃的折射率大致相等的丙烯类粘接剂。
大型基板3比几块小型基板2的大小之和还大。相对于此，密封基板4比几块小型基板2的大小之和小，从而小型基板2的一个面(上面)侧21的一部分从密封基板4的端部伸出。因此，形成于小型基板2的一个面一侧21的端部的端子形成区域20，能通过柔性布线基板(图中未表示)等与外部电连接。
另外，上述小型基板2，通过后述的薄型化工序，可以达到比如100μm，甚至50μm以下。
图2是本方式的有机EL显示装置1的等效电路图。本显示装置的布线由小型基板2上的多条扫描线131、与扫描线131垂直相交的多条信号线132、与该信号线并列延长的多条电源线133构成。另外，在扫描线131及信号线132的各交点处形成像素区域100。信号线132连接包括移位寄存器、电平转换器、视频线及模拟开关的信号线驱动电路103等。还有，扫描线131连接包括移位寄存器及电平转换器的扫描侧驱动电路104。
(像素构成)
如图2、图3及图4(B)所示，各像素区域100中形成有：通过扫描线131供给扫描信号的像素开关用的TFT123、储存通过该TFT123从信号线132供给的图像信号的保持电容135、供给通过保持电容135所储存的图像信号的像素驱动用的TFT124、和显示元件101。
如图4(B)所示，为了形成上述TFT123、124，在由玻璃基板构成的小型基板2上，形成由硅氧化膜构成的底层保护膜2c，在该底层保护膜2c上形成由低温多晶硅膜构成的岛状的半导体膜141。在半导体膜141处通过浇注高浓度磷(P)离子而形成源/漏区域141a、141b，在没导入P的部分成为沟道区域141c。在底层保护膜2c及半导体膜141的表面上形成栅绝缘膜142，在栅绝缘膜142上形成由Al、Mo、Ta、Ti、W等构成的栅电极143(扫描线的一部分)。在栅电极143及栅绝缘膜142的表面一侧，形成透明的第一层间绝缘膜114a和第二层间绝缘膜114b。另外，栅电极143设置在对应半导体膜141的沟道区域141c的位置处。还有，层间绝缘膜114a、114b处形成分别连接半导体膜141的源/漏区域141a、141b的接触孔145、146。在第二层间绝缘膜114b上以预定的形状形成由ITO等构成的透明像素电极111。通过接触孔145将像素电极111与TFT124连接。
再有像素区域100处还形成有有机EL元件101(自发光元件)，该有机EL元件101包括当TFT124为导通状态时与电源线133连接的像素电极(阳极)111、夹在像素电极111和阴极12之间的发光功能层110(有机功能层)。
有机功能层110由比如层叠在像素电极111上的空穴注入/输送层110a、在空穴注入/输送层110a上形成的发光层(有机EL层)110b构成。有时在发光层110b和阴极之间形成电子注入/输送层。空穴注入/输送层110a具有将空穴注入发光层110b的功能，并且具有将空穴输送至空穴注入/输送层110a内部的功能。在发光层110b，从空穴注入/输送层110a注入的空穴与从阴极12一侧注入的电子再结合，从而得到发光。这里，多个像素区域100对应红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的各个颜色，与这些颜色的对应是由构成有机功能层110的材料的种类来规定的。
阴极12由钙层12a和铝层12b构成，形成在小型基板2的除端子形成区域之外的大致全部区域内。铝层12b是将由发光层110b发出的光反射到小型基板2侧的层，也可以由Al膜之外的Ag膜、Al和Ag的层叠膜等而构成。
在本方式的有机EL显示装置1中，在像素区域100内以包围像素电极111的周边部分的形式形成隔壁112。隔壁112如后述那样，在形成有机功能层110时，对使用喷墨法(液滴喷出法)喷出、涂覆的液状组成物的涂覆区域进行规定，利用该表面张力以均匀的厚度形成液状组成物。本实施方式中，隔壁112比如由位于基板侧的无机物隔壁层112a和在无机物隔壁层112a的上层形成的有机物隔壁层112b而构成。无机物隔壁层112a比如由SiO2、TiO2等的无机材料构成。有机物隔壁层112b由丙烯树脂、聚酰亚胺树脂等具有耐热性、耐溶剂性的抗蚀剂形成。
按照这样构成的有机EL显示装置，如驱动扫描线131使TFT123成为导通状态，则此时的信号线132的电位被储存在保持电容135内，根据该保持电容135的状态控制驱动用的TFT124的导通状态。另外，当驱动用的TFT124成为导通状态时，通过其沟道由电源线133向像素电极111流入电流，还有，有机EL元件通过有机功能层110向阴极12流入电流。因此，根据此时的电流量，有机功能层110发光。这里，有机EL显示装置1由于为底部发射型，由有机功能层110向大型基板3侧发出的光射向观察者侧，由有机功能层110向大型基板3的反对一侧发出的光，如图4(A)、(B)中的箭头L所示那样，经阴极12反射后由大型基板3向观察者侧射出。
另外，如果在像素电极111侧形成反射层，并且用透光性材料形成阴极12侧，则能构成如图4(A)、(B)中的箭头L’所示那样，由密封基板4一侧射出显示光的顶部发射型的有机EL显示装置。
图5(A)、(B)是有关本发明的有机EL显示装置的制造方法中小型基板形成工序的说明图。图6(A)、(B)、(C)是有关本发明的有机EL显示装置的制造方法中在小型基板上贴有保护膜的状态的说明图。图7(A)、(B)、(C)是有关本发明的有机EL显示装置的制造方法中粘合工序的说明图。图8(A)、(B)是有关本发明的有机EL显示装置的制造方法中有机功能层形成工序的说明图。
在制造有机EL显示装置1时，本方式的小型基板形成工序是如图5(A)、(B)所示那样，由在小型基板2上形成TFT123、124等的电路元件、有机EL元件101的像素电极111及隔壁112的工序构成。
接着，在小型基板2的一个面一侧21及另一个面一侧22粘贴保护膜6、7后(保护膜粘贴工序)、沿图6(A)的点划线201所示的切割线照射激光，连同保护膜6、7一起，切断小型基板2并洗净(激光切断工序)。然后，相对基板面垂直地调整小型基板2的切断面。另外，小型基板2的激光切断，如图1(A)、(B)所示，可以对小型基板2的多条边中至少与其他小型基板邻接的2条边进行。也可以在小型基板2的4个角处形成表示激光照射位置的对准标记。保护膜6、7是所谓被称为LV膜的膜，如图6(C)所示那样，在膜基板61、71与粘贴材料层63、73之间具有UV剥离层62、72。
然后，在粘合工序中，如图7(A)所示，相对于具有平坦的基准面的平台8，让保护膜6在下面，将多块小型基板2平面地排列配置在平台8上。接着，对保护膜7照射UV光以剥离保护膜7。此时，保护膜7、包括粘贴材料层73完全被除去。然后，洗净剥离面。此后，如图7(B)所示，在小型基板2的另一个面(背面)侧22处涂覆丙烯类等的粘接剂30后，在小型基板2的另一个面一侧22处重叠大型基板3，并使粘接剂30固化。此时，如箭头F所示，对大型基板3施加流体压力，向着平台8按压大型基板3，从而能加强小型基板2与大型基板3之间的粘合性，并且能够对多块小型基板2的一个面一侧21的位置进行对位。其结果，如图7(C)所示，通过粘接剂30将多块小型基板2固定于大型基板3上。作为向大型基板3施加流体压力的方法，有由喷头向着大型基板3喷出压缩空气的方法。另外，也可以是在大型基板3上覆盖具有弹性的隔膜，对由该隔膜所隔开的2个空间中的、与配置有大型基板一侧相反侧的空间供给空气或液体等的流体的方法。
接着，对保护膜6照射UV光，如图8(A)、(B)所示，在剥离了保护膜6后，洗净剥离面。在剥离保护膜6时，也完全除去粘贴材料层63。
然后，相对移动由图8(B)中的点划线所示的喷墨头9和小型基板2，实施发光功能层形成工序。首先，在小型基板2上的由隔壁112所包围的区域内选择性地喷出、涂覆构成空穴注入/输送层110a的液状组成物之后，进行热处理后形成空穴注入/输送层110a。同样，相对移动喷墨头9和小型基板2，向着由小型基板2上的由隔壁112所包围的区域内喷出、涂覆对应预定颜色的发光层110b的液状组成物之后，进行热处理后形成发光层110b。这里，用于形成空穴注入/输送层110a的液状组成物为3，4-聚乙烯二羟基噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)、聚苯胺、聚吡咯等的溶液或者分散液。另外，用于形成发光层110b的液状组成物为(聚)芴衍生物(PF)、(聚)对苯撑乙烯撑衍生物(PPV)、聚苯撑衍生物(PP)、聚对苯撑衍生物(PPP)、聚乙烯基咔唑(PVK)、聚噻吩衍生物、聚甲基苯基硅烷(PMPS)等的聚硅烷系等的溶液或者分散液。
然后如图4(B)所示，使用蒸镀法，顺次形成阴极12的钙层12a及铝层12b。此时，为了实现在大面积上选择性形成钙层12a及铝层12b的目的，在用预定部件覆盖端子形成区域等的外周部分的状态下进行成膜。
此后，通过密封树脂40粘贴密封基板4(密封工序)。通过此，制造图1(A)、(B)所示的有机EL显示装置1。另外，当密封基板4使用的是比4块小型基板2还大的基板时，仅在小型基板2的除对应于端子形成区域20的外周部分之外的内侧区域，通过密封树脂40粘接。此后，使用切割装置切断密封基板4的外周部分，从而露出小型基板2的端子形成区域20。
(本方式的主要效果)
如上所述，本方式中，在向大型基板3的粘合工序之前，进行TFT123、124的形成或者像素电极111的形成等、需要使用激光退火或光刻技术的工序。另外在粘合工序之后，由于形成有机EL元件101的发光功能层110的方法采用的是喷墨法，因此可以很容易地对任意位置进行材料涂覆和成膜。为此，即使将有机EL元件101的发光功能层110形成在平面地排列配置多块小型基板2的大面积区域内时，也可以不需要制造装置的大型化，且不会发生成品率降低的情况。
另外，本方式中，在进行粘合工序之前，用于进行使用激光切断小型基板2的基板周边的激光加工，而能让切断面成直角，从而能以高位置精度粘接各有机EL显示装置的小型基板2。其结果，在使用喷墨法形成发光功能层110时，也能以高位置精度将发光功能层110形成于小型基板2上的预定位置处。
还有，本方式中，由于是在小型基板2的一个面一侧(表面)21处贴有保护膜6的状态下进行粘合工序，从而能防止在粘合工序中由于异物的附着或外力而造成TFT123、124的损伤。另外，由于与大型基板3的粘合是在以小型基板2的一个面一侧(表面)21为基准进行，因此对任一小型基板2来说从喷墨头9至多块小型基板面的距离可以保持一定。为此，对任一小型基板2来说，从喷墨头9喷出的液滴的飞落距离也是一定的，因此能防止由飞落距离的零散偏差而造成的发光功能层110的形成位置或者着落液滴的直径的零散偏差，进而能进行高精度地成膜。
再有，在将小型基板2与大型基板3的粘合工序中，通过对大型基板3施加流体压力而向平台8按压大型基板3，从而能对大型基板3及小型基板2施加均匀的力。因此，能以相同条件粘合任意的小型基板2。为此，能防止在EL显示装置1的厚度方向上的小型基板2的位置偏差，显示高品质的图像。
[实施方式2]
图9(A)、(B)是有关本发明的实施方式2的有机EL显示装置的剖面图及放大显示像素区域的1个像素的剖面结构的剖面图。另外，本方式的有机EL显示装置的基本结构，由于与实施方式1相同，具有共同功能的部分采用相同的符号并省略其说明。
在图9(A)、(B)中，本方式的有机EL显示装置1与实施方式1相同，是底部发射型，也是作为使用了拼合技术的30英寸以上的大型显示装置被使用。即，本方式的有机EL显示装置1是在平面地排列配置4块小型基板2(TFT阵列基板)的状态下，通过透明粘接剂30将小型基板2的另一个面一侧(背面)22全面粘接在大型基板3上。另外，在小型基板2的一个面一侧(表面)21处，通过环氧树脂等的密封树脂40，全面粘接有密封基板4。作为粘接剂30，使用的是折射率与小型基板2及大型基板3所使用的玻璃的折射率大致相等的丙烯类粘接剂。本方式中，大型基板3可以比几块小型基板2的大小之和还大。相对此，密封基板4比几块小型基板2的大小之和小，从而小型基板2的一个面一侧21的一部分从密封基板4的端部伸出。因此，形成于小型基板2的一个面一侧21的端部的端子形成区域20，能通过柔性布线基板(图中未表示)等与外部电连接。
按照这样构成的有机EL显示装置1，当4块小型基板2的厚度方向的位置产生有零散偏差时，或者小型基板2向面的外方向倾斜时，会造成各像素的发光位置的零散偏差，产生亮度斑点，而降低了显示品质。这里，本方式是在大型基板3和小型基板2的粘接面处，形成控制小型基板2与大型基板3的基板之间间隔的第一基板间隔控制部件35，并通过进行与图7(A)、(B)、(C)同样的粘合工序，在小型基板2与大型基板3之间存在有第一基板间隔控制部件35的状态下，粘接两基板。
本方式中，第一基板间隔控制部件35是形成在大型基板3上的突起，像这样的突起，能由使用光刻技术形成的柱状的感光性树脂而构成。作为感光性树脂公知有丙烯树脂。另外，第一基板间隔控制部件35还可以为通过临摹、印刷或者喷墨法固定在大型基板3上的树脂组成物。此时，作为树脂组成物，如使用将粒状或者棒状的间隙材料分散于树脂中而形成的树脂组成物，则在大型基板3上树脂成分不流动，从而能形成高度尺寸精度高的第一基板间隔控制部件35。
使用上述任一方法时，能在大型基板3的预定位置处选择性地形成第一基板间隔控制部件35。因此，本方式中，形成第一基板间隔控制部件35的区域是避开了与有机EL元件101的形成区域在平面上重叠的区域，比如与隔壁112或各种布线(图3所示的扫描线131、信号线132、电源线133)平面上重叠的区域。其他结构与实施方式1相同，因此省略说明。
如上述说明，本方式在粘合工序中在小型基板2与大型基板3之间存在有控制基板间隔的第一基板间隔控制部件35的状态下，粘接小型基板2和大型基板3。因此，通过第一基板间隔控制部件35，高精度地规定了小型基板2的以大型基板3表面为基准的位置间隔，从而可以使小型基板2的厚度方向的间隔不产生偏差，并且，可以使小型基板2不向面的外方向倾斜。因此，在由大型基板3一侧射出显示光的底部发射型显示的情况下，能对齐各像素的发光位置，从而不会发生画面的歪曲，能提供高品质的显示装置。
另外，本方式中，形成第一基板间隔控制部件35的区域是避开了与有机EL元件101的形成区域在平面上重叠的区域，因此，有关本发明的底部发射型的有机EL显示装置1，即使在小型基板2和大型基板3之间存在有第一基板间隔控制部件35，也不会遮挡显示光。因此能抑制显示品质的降低。
还有，本方式中说明了在大型基板3上形成第一基板间隔控制部件35的例子，但也可以形成在小型基板2上。再有，即使有机EL显示装置1为底部发射型，当第一基板间隔控制部件35的折射率与粘接剂30、大型基板3、小型基板2的折射率大致相等时，还可以在与有机EL元件101的形成区域在平面上重叠的区域形成第一基板间隔控制部件35。
更有，如按照本方式的结构，在相对大型基板3的小型基板2的厚度方向的位置处不会发生偏差，并且小型基板2也不会向面的外方向倾斜。因此，在底部发射型及顶部发射型的任一种有机EL显示装置1中采用了本方式的结构时，则由喷墨头9向任一小型基板2的液滴的飞落距离成为一定，因此能防止由飞落距离的零散偏差而造成的发光功能层110的形成位置或者着落液滴的直径的零散偏差。为此，可以达到显示无亮度斑点的高品质的图像的效果。
[实施方式3]
图10(A)、(B)是有关本发明的实施方式3的有机EL显示装置的剖面图及放大显示像素区域的1个像素的剖面结构的剖面图。另外，本方式的有机EL显示装置的基本结构，由于与实施方式1相同，具有共同功能的部分采用相同的符号并省略其说明。
图10(A)、(B)中，本方式的有机EL显示装置1与实施方式1相同，是底部发射型，也是作为使用了拼合技术的30英寸以上的大型显示装置被使用。即，本方式的有机EL显示装置1是在平面地排列配置4块小型基板2(TFT阵列基板)的状态下，通过透明粘接剂30将小型基板2的另一个面一侧(背面)22全面粘接在大型基板3上。另外，在小型基板2的一个面一侧(表面)21处，通过环氧树脂等的密封树脂40，全面粘接有密封基板4。这里，粘接剂30使用的是折射率与小型基板2及大型基板3所使用的玻璃的折射率大致相等的丙烯系粘接剂。本方式中，大型基板3可以比几块小型基板2的大小之和大。相对此，密封基板4比几块小型基板2的大小之和小，从而小型基板2的一个面一侧21的一部分从密封基板4的端部伸出。因此，形成于小型基板2的一个面一侧21的端部的端子形成区域20，能通过柔性布线基板(图中未表示)等与外部电连接。
制造这样构成的有机EL显示装置1时，本方式是在图7(A)、(B)、(C)中说明过的粘合工序中，在小型基板2与大型基板3之间存在有第一基板间隔控制部件36的状态下，粘接小型基板2和大型基板3。
本方式中，第一基板间隔控制部件36是配置在小型基板2和大型基板3之间的粒状或者棒状的间隙材料。为使由这样的间隙材料所构成的第一基板间隔控制部件36存在于小型基板2和大型基板3之间，可以事先在粘接剂30中分散所述的间隙材料。或者，还可以采用在图7(B)所示那样配置的4块小型基板2的上面散布由所述间隙材料所构成的第一基板间隔控制部件36，并且还在大型基板3的表面涂覆粘接剂30，然后，粘合小型基板2和大型基板3的方式。
这里，所述间隙材料作为第一基板间隔控制部件36并不能控制其位置，因此间隙材料使用的是折射率与粘接剂30、大型基板3、小型基板2的折射率大致相等的光学性同质的材料。其他结构与实施方式1相同，因此省略说明。
如上述说明，本方式在粘合工序中，通过使在小型基板2与大型基板3之间存在有控制基板间隔的第一基板间隔控制部件36，以粘接小型基板2和大型基板3。因此，通过第一基板间隔控制部件36，规定了小型基板2的以大型基板3表面为基准的位置间隔，从而可以使小型基板2的厚度方向的间隔不产生零散偏差，并且，可以使小型基板2不向面的外方向倾斜。因此，在由大型基板3一侧射出显示光的底部发射型显示的情况下，能对齐各像素的发光位置，从而不会发生画面的歪曲，能提供高品质的显示装置。
还有，本方式中使用的间隙材料，是其折射率与粘接剂30、大型基板3、小型基板2的折射率大致相等的光学性同质材料。其结果，底部发射型的有机EL显示装置1中即使在小型基板2与大型基板3之间存在有间隙材料，也不会降低显示品质。
再有，如按照本方式的结构，在相对大型基板3的小型基板2的厚度方向的位置间隔处不会发生零散偏差，并且小型基板2也不会向面的外方向倾斜。因此，由喷墨头9向任一小型基板2的液滴的飞落距离成为一定，从而能防止由飞落距离的零散偏差而造成的发光功能层110的形成位置或者着落液滴的直径的零散偏差。为此，可以显示无亮度斑点的高品质的图像。
另外，本方式中，是在4块小型基板2上散布间隙材料并在大型基板3一侧涂覆粘接剂30，还可以相反地、在大型基板3上散布间隙材料并在小型基板2一侧涂覆粘接剂30，然后粘合小型基板2和大型基板3。
再有，当有机EL显示装置1为顶部发射型时，作为第一基板间隔控制部件36还可以使用折射率与粘接剂30、大型基板3、小型基板2的折射率不同的间隙材料。
[实施方式4]
图11(A)、(B)是有关本发明的实施方式4的有机EL显示装置的剖面图及放大显示像素区域的1个像素的剖面结构的剖面图。另外，本方式的有机EL显示装置的基本结构，由于与实施方式1相同，具有共同功能的部分采用相同的符号并省略其说明。
图11(A)、(B)中，本方式的有机EL显示装置1与实施方式1相同，是底部发射型，也是作为使用了拼合技术的30英寸以上的大型显示装置被使用。即，本方式的有机EL显示装置1是在平面地排列配置4块小型基板2(TFT阵列基板)的状态下，通过透明粘接剂30将小型基板2的另一个面一侧(背面)22全面粘接在大型基板3上。另外，在小型基板2的一个面一侧(表面)21处，通过环氧树脂等的密封树脂40，全面粘接有密封基板4。这里，粘接剂30使用的是折射率与小型基板2及大型基板3所使用的玻璃的折射率大致相等的丙烯类粘接剂。本方式中，大型基板3可以比几块小型基板2的大小之和还大。相对此，密封基板4比几块小型基板2的大小之和小，从而小型基板2的一个面一侧21的一部分从密封基板4的端部伸出。因此，形成于小型基板2的一个面一侧21的端部的端子形成区域20，能通过柔性布线基板(图中未表示)等与外部电连接。
本方式的有机EL显示装置1与实施方式2相同，在大型基板3和小型基板2的粘接面处，形成控制小型基板2与大型基板3之间的基板间隔的第一基板间隔控制部件35，在图7(A)、(B)、(C)所说明过的粘合工序中，在小型基板2与大型基板3之间存在有第一基板间隔控制部件35的状态下粘接。第一基板间隔控制部件35是形成在大型基板3或者小型基板2上的突起，像这样的突起，可以由使用光刻技术形成的柱状的感光性树脂而构成。另外，第一基板间隔控制部件35还可以为通过临摹、印刷或者喷墨法固定在大型基板3上的树脂组成物。
再有，在本方式中，在密封基板4与小型基板2的粘接面处形成控制小型基板2与密封基板4之间的基板间隔的第二基板间隔控制部件45，通过环氧树脂等的密封树脂40，在小型基板2与密封基板4之间存在有第二基板间隔控制部件45的状态下粘接两者。
本方式中，第二基板间隔控制部件45是形成在密封基板4上的突起，像这样的突起，能由使用光刻技术形成的柱状的感光性树脂而构成。另外，第二基板间隔控制部件45还可以为通过临摹、印刷或者喷墨法固定的树脂组成物。此时，作为树脂组成物，如果使用在树脂中分散粒状或者棒状的间隙材料而得到的树脂组成物，则能形成预定高度的第二基板间隔控制部件45。另外，作为树脂组成物，如果使用在速干性的树脂中分散粒状或者棒状的间隙材料而得到的树脂组成物，由于在密封基板4上树脂不流动，则能形成高度尺寸的精度高的第二基板间隔控制部件45。
可以使用这些方法中的任一方法，在密封基板4的预定位置处选择性地形成第二基板间隔控制部件45。因此，本方式中，形成第二基板间隔控制部件45的区域是避开了与有机EL元件101的形成区域在平面上重叠的区域，比如与隔壁112或各种布线(图3所示的扫描线131、信号线132、电源线133)平面上重叠的区域。其他结构与实施方式1相同，因此省略说明。
如上述说明，本方式与实施方式2相同，在粘合工序中在存在有控制小型基板2与大型基板3之间基板间隔的第一基板间隔控制部件35的状态下，粘接小型基板2和大型基板3。因此，通过第一基板间隔控制部件35，规定了小型基板2的以大型基板3表面为基准的位置间隔，从而可以使小型基板2的厚度方向的间隔不产生零散偏差，并且，可以使小型基板2不向面的外方向倾斜。因此，在由大型基板3一侧射出显示光的底部发射型显示的情况下，能对齐各像素的发光位置，从而不会发生画面的歪曲，能提供高品质的显示装置。
更有，如按照本方式的结构，在相对大型基板3、小型基板2的厚度方向的间隔不会发生零散偏差，并且小型基板2也不会向面的外方向倾斜。因此，在底部发射型及顶部发射型的任一种有机EL显示装置1中采用了本方式的结构时，则由喷墨头9向任一小型基板2的液滴的飞落距离成为一定，因此能防止由飞落距离的零散偏差而造成的发光功能层110的形成位置或者着落液滴的直径的零散偏差。为此，可以显示无亮度斑点的高品质的图像，即达到与实施方式2同样的效果。
另外，如果顶部发射型的有机EL显示装置1采用本方式的结构，由于是在小型基板2与密封基板4之间存在有第二基板间隔控制部件45的状态下粘接两者，从而能高位置精度地将4块小型基板2粘合在密封基板4上。因此，由于能对齐各像素的发光位置，而能实现显示品质的提高。而且，由于形成第二基板间隔控制部件45的区域是避开了与有机EL元件101的形成区域在平面上重叠的区域，因此底部发射型的有机EL显示装置1，即使在小型基板2和密封基板4之间存在有第二基板间隔控制部件45，也不会遮挡显示光。因此能抑制显示品质的降低。
再有，使用切割装置等切断密封基板4的端部以露出小型基板2上的端子区域时，由于是以高位置精度粘合小型基板2与密封基板4，因此能正确地切断密封基板4。
更有，由于形成第二基板间隔控制部件45的区域是避开了与有机EL元件101的形成区域在平面上重叠的区域，因此即使在小型基板2与密封基板4之间存在有第二基板间隔控制部件45，但由密封基板4来的应力并不通过第二基板间隔控制部件45而施加给有机EL元件101。因此，不会损伤有机EL元件101，从而能提供有机EL显示装置1的可靠性。
另外，本方式与实施方式2相同，使在小型基板2与大型基板3之间存在突起状的第一基板间隔控制部件35，但也可以使其存在的是实施方式3所说明的使用了粒状、棒状的间隙材料的第一基板间隔控制部件36。
[实施方式5]
图12(A)、(B)是有关本发明的实施方式5的有机EL显示装置的剖面图及放大显示像素区域的1个像素的剖面结构的剖面图。另外，本方式的有机EL显示装置的基本结构，由于与实施方式1相同，具有共同功能的部分采用相同的符号并省略其说明。
图12(A)、(B)中，本方式的有机EL显示装置1与实施方式1相同，是底部发射型，也是作为使用了拼合技术的30英寸以上的大型显示装置被使用。即，本方式的有机EL显示装置1是在平面地排列配置4块小型基板2(TFT阵列基板)的状态下，通过透明粘接剂30将小型基板2的另一个面一侧22全面粘接在大型基板3上。另外，在小型基板2的一个面一侧(表面)21处，通过环氧树脂等的密封树脂40，全面粘接有密封基板4。这里，作为粘接剂30使用的是折射率与小型基板2及大型基板3所使用的玻璃的折射率大致相等的丙烯类粘接剂。本方式中，大型基板3可以比几块小型基板2的大小之和还大。相对此，密封基板4比几块小型基板2的大小之和小，从而小型基板2的一个面一侧21的一部分从密封基板4的端部伸出。因此，形成于小型基板2的一个面一侧21的端部的端子形成区域20，能通过柔性布线基板(图中未表示)等与外部电连接。
本方式的有机EL显示装置1与实施方式2相同，在大型基板3与小型基板2的粘接面，形成控制小型基板2与大型基板3之间的基板间隔的第一基板间隔控制部件35，在与图7(A)、(B)、(C)同样的粘合工序中，在小型基板2与大型基板3之间存在有第一基板间隔控制部件35的状态下粘接两基板。像这样的第一基板间隔控制部件35是形成在大型基板3上的突起，这样的突起，可以由使用光刻技术形成的柱状的感光性树脂而构成。另外，第一基板间隔控制部件35还可以为通过临摹、印刷或者喷墨法固定在大型基板3上的树脂组成物。
再有在本方式中，配置控制小型基板2与密封基板4之间的基板间隔的第二基板间隔控制部件46，通过环氧树脂等的密封树脂40，在存在有该第二基板间隔控制部件46的状态下粘接两者。
本方式中，第二基板间隔控制部件46是配置在小型基板2和大型基板3之间的粒状或者棒状的间隙材料。为使由这样的间隙材料所构成的第二基板间隔控制部件46存在于小型基板2和密封基板4之间，可以事先在密封树脂40中分散间隙材料。另外，在粘合密封基板4的密封工序中，可以在4块小型基板2的上面散布间隙材料，而对另一方的密封基板4涂覆密封树脂40，然后粘合小型基板2和密封基板4。更有还可以相反地，在密封基板4上散布间隙材料而在小型基板2上涂覆密封树脂后粘接两者。其他结构与实施方式1相同而省略说明。
如上述说明，本方式与实施方式2相同，在粘合工序中，在存在有控制小型基板2与大型基板3之间基板间隔的第一基板间隔控制部件35的状态下粘合小型基板2和大型基板3。因此，通过第一基板间隔控制部件35，规定了小型基板2的以大型基板3表面为基准的位置间隔，从而可以使小型基板2的厚度方向的间隔不产生零散偏差，并且，可以使小型基板2不向面的外方向倾斜。因此，在由大型基板3一侧射出显示光的底部发射型的情况下，能对齐各像素的发光位置，从而能提供没有画面的歪曲的高品质的显示装置。
再有，如按照本方式的结构，在相对大型基板3的小型基板2的厚度方向的位置不会发生零散偏差，并且小型基板2也不会向面的外方向倾斜。因此，在底部发射型及顶部发射型显示的任一种的有机EL显示装置中采用了本方式的结构时，由喷墨头9向任一小型基板2的液滴的飞落距离成为一定，从而能防止由飞落距离的零散偏差而造成的发光功能层110的形成位置或者着落液滴的直径的零散偏差。为此，可以达到显示无亮度斑点的高品质的图像的效果。
再有，如果在顶部发射型的有机EL显示装置1中采用了本方式的结构，由于是在小型基板2与密封基板4之间存在有第二基板间隔控制部件46的状态下粘接两者，从而能高间隔精度地将4块小型基板2粘合在密封基板4上。因此，由于能对齐各像素的发光位置，而能得到在画面处无歪曲的高显示品质的图像。但是，由于使用间隙材料的基板间隔控制不能正确控制其位置，因此如果间隙材料使用的是折射率与密封树脂40、密封基板4、小型基板2的折射率大致相等的材料，则可以防止由于间隙材料所造成的显示品质的降低。
再有，使用切割装置等切断密封基板4的端部以露出小型基板2上的端子区域时，由于是以高位置精度粘合小型基板2与密封基板4，因此能正确地切断密封基板4。
另外，本方式与实施方式2相同，使在小型基板2与大型基板3之间存在突起状的第一基板间隔控制部件35，但也可以使用实施方式3所说明的粒状或者棒状的第一基板间隔控制部件36。
[实施方式6]
图13(A)、(B)是使用有关本发明的实施方式6的有机EL显示装置的制造方法、在结束了小型基板的制作的阶段的说明图。图14(A)～(D)及图15(A)～(F)是图1所示的有机EL显示装置的制造方法的工序剖面图。另外，本方式的有机EL显示装置的基本结构，由于与实施方式1相同，具有共同功能的部分采用相同的符号并省略其说明。
在制造有机EL显示装置1时，本方式是如图13(A)、(B)所示，首先在小型基板2上形成TFT123、124等的电路元件、有机EL元件101的像素电极111及隔壁112等。该工序中电光学装置用基板2为薄型化处理前的厚玻璃基板2，其厚度比如为0.5mm。
接着，如图13(A)、(B)及图14(A)所示，在小型基板2的一个面一侧(表面)21粘贴保护膜6(保护膜粘贴工序)。保护膜6是所谓被称为UV膜的膜，如图13(B)所示，在膜基板61与粘贴材料层63之间具有UV剥离层62。保护膜6可以粘贴在小型基板2的一个面一侧21的除形成端子20区域之外的区域，也可以覆盖小型基板2的全面。另外，还可以通过照射激光以连同保护膜6一起切断小型基板2，从而可以调整基板的外形。小型基板2的激光切断，是对基板的多条边中至少在如图1(A)、(B)所示排列配置的状态下与其他小型基板2邻接的边进行。还有，最好在小型基板2的4个角处形成显示激光照射位置的对准标记。如进行这样的激光切断，则能在组装了有机EL显示装置1的状态下，高位置精度地粘接各小型基板2。而且能防止在后述的研磨时发生裂片的现象。
然后，用图14(C)所示的研磨装置200进行小型基板2的薄型化。这里，首先，将多块基板2排列配置、固定在研磨装置200的平台210上(固定工序)。该研磨装置200具有平台210，该平台210是在配置被研磨基板的部分形成了凹部220的陶瓷制平台，在该凹部220内填充有蜡250。因此，在通过平台间接地或者直接地将蜡250加热至大约摄氏80度的温度使其熔化后，以基板的一个面一侧21面向熔化后的蜡250的表面的方式，平面地配置多块基板。然后，对排列配置的基板2施加流体压力以按压在凹部220上。这里，可以是由喷头向着基板2喷出压缩空气，或者也可以是给基板1覆盖具有弹性的隔膜，对由该隔膜所隔开的2个空间中的、与配置有基板2的一侧相反侧的空间供给空气或液体等的流体的方式。通过这样做，可以给各小型基板2施加均匀的力。
此后，自然冷却熔化的蜡250至摄氏25度的温度，或者强制冷却使蜡250固化。其结果，如图14(C)所示，基板2以另一个面一侧22向上的方式，通过蜡250被固定在平台210的凹部220。
接着，进行基板的薄型化。这里，在基板2的上方配置研磨用研磨头280，使研磨头280绕轴线转动的同时，以与研磨头280不同的速度使平台210也转动。另外，对研磨用研磨头280与基板2之间供给磨石微粒的悬浊液，同时在箭头P所示方向施加大约150g/cm2左右的负荷。通过此，以大约7.2μm/分的速度研磨基板2的表面，从开始的厚度0.5mm直至薄型化为25μm厚度(研磨工序)。
然后，在抛光工序中，如图14(D)所示，在研磨用研磨头280的下部安装柔软的研磨布281，并根据需要对研磨用研磨头280和基板2之间供给磨石微粒的悬浊液，同时在箭头P所示方向施加大约50g/cm2左右的负荷，以使刚才研磨过的面平滑化。通过此，小型基板2成为具有与玻璃同等的光透射系数的基板。
接着，如图15(A)所示，洗净小型基板2的另一个面一侧(研磨面)。然后，如图15(B)所示，在小型基板2的另一个面一侧22涂覆粘接剂30后，如图15(C)所示，在小型基板2的另一个面一侧22重叠大型基板3，并使粘接剂30固化。此时，也对大型基板3施加流体压力以向着平台210方向按压大型基板3，从而提高两基板的粘合性。对大型基板3施加流体压力的方法可以是比如由喷头向着大型基板3喷出压缩空气的方法。或者，也可以是在大型基板3上覆盖具有弹性的隔膜，对由该隔膜所隔开的2个空间中的、与配置有大型基板3一侧相反侧的空间供给空气或液体等的流体的方法。
通过这样做，在平台210上将多块小型基板2粘合在大型基板3上以形成基板10后，通过平台210间接地或者直接地将已经固化的蜡250加热至大约摄氏80度的温度使其熔化，如图15(D)所示那样从平台210的凹部220取出小型基板2(粘合基板10)。
接着，对保护膜6照射UV光，如图15(E)所示，剥离保护膜6。此时，粘贴材料层63也被完全地从基板2的一个面一侧21除去。然后，进行粘合基板10的洗净。
像这样，在制作了图8(A)所示的粘合基板10之后，进行发光功能层的形成。下面的工序，由于与本发明的实施方式1相同，在这里省略说明。将如这样制作的具有有机EL发光功能层的基板10，如图15(F)所示通过密封树脂40粘贴在密封基板4上以构成模块1′。使用该模块1′制造如1(A)、(B)所示的有机EL显示装置1。
另外，也可以照射激光以切断大型基板3、密封基板4，从而能调整其为预定的大小。还有，如图15(E)、(F)所示状态，在将多块小型基板2和大型基板3粘合以形成粘合基板10之后，或者在以夹入电光学装置用基板2的方式层叠大型基板3及密封基板4以形成模块1′之后，可以对密封基板4或者大型基板3施行研磨以使其薄型化。此时，也可以使用图14(B)、(C)、(D)所示的研磨装置200，通过蜡250将粘合基板10或者模块1′固定在平台210上，然后，进行所述的研磨工序及抛光工序。
(本方式的主要效果)
如上所述，本方式中由于对小型基板2施行了预定的工序之后进行薄型化，在薄型化之前的工序中都仍能使用厚的小型基板2。为此，如使用玻璃等的硬质基板作为小型基板2，并且即使将该基板薄型化至100μm以下，甚至50μm以下时，也不会使基板破裂。而且，如一齐研磨多块小型基板2，则效率更好。
另外，由于小型基板2的薄型化不是进行化学蚀刻而是进行机械研磨，因此小型基板2的表面不会粗糙。而且，即使存在形成于小型基板2上的多个端子20时，还可以选择性地研磨其相反侧，从而不会损伤端子20。
更有，能仅通过使熔化后的蜡固化就可以将小型基板2固定在平台210上，而在结束研磨后能仅通过熔化蜡250就可以从平台210取出电光学装置用基板2。而且，如果是通过蜡250固定，用于固定的应力不会集中于电光学装置用基板2的一部分上，从而不会使基板破裂。
再有，由于通过研磨使多块小型基板2的表面得到齐整，因此可以很容易并且高精度地在平台210上粘合多块小型基板2和大型基板3。
另外，本方式中是在进行向大型基板3的粘合工序之前进行TFT123、124的形成、像素电极111的形成等的需要使用激光退火或者光刻技术的工序，之后在形成有机EL元件101的发光功能层时，能采用可很容易地进行对任意位置的涂覆的喷墨法。为此，即使是在平面地排列配置多块小型基板2的大面积区域内形成发光功能层110时，也可以不需要制造装置的大型化，且不会发生成品率降低的情况。
还有，本方式中由于在进行粘合工序之前使用激光切断小型基板2的基板边，从而能在组装了有机EL显示装置的状态下以高位置精度粘接各小型基板2。因此，在使用喷墨法形成发光功能层110时，能以高精度在小型基板2上的预定位置形成发光功能层110。
再有，本方式中由于在小型基板2的一个面一侧21贴有保护膜6的状态下进行粘合工序，从而能够防止薄型化工序或者粘合工序时由于异物的附着或外力而造成的TFT123、124的损伤。而且不发生异物的附着或损伤。
此外，由于与大型基板3的粘合是在以形成有小型基板2的保护膜6的一个面一侧21为基准进行的，因此使用喷墨法形成发光功能层110时，从喷墨头9喷出的液滴到任意的小型基板2飞落距离是一定的，因此能防止由飞落距离的零散偏差而造成的发光功能层110的形成位置或者着落液滴的直径的零散偏差，进而能显示高品质的图像。
再有，在粘合工序中由于对大型基板3施加流体压力而按压大型基板3于平台210上，以粘合小型基板2与大型基板3，因此能对大型基板3及小型基板2施加均匀的力，从而能以相同条件粘合任意的小型基板2。为此，能防止形成有EL显示装置1的小型基板2的厚度方向上的位置零散偏差，显示无画面歪曲的高品质的图像。
[实施方式7]
图16(A)、(B)是使用有关本发明的实施方式7的有机EL显示装置的制造方法、在结束了小型基板的制作的阶段的说明图。图17(A)～(E)是图1所示的有机EL显示装置的制造工序中的将板子薄型化的工序的工序剖面图。图18(A)～(D)是图1所示的有机EL显示装置的制造工序中，将板子薄型化并且在端子处连接柔性布线基板的工序的说明图。另外，本方式的有机EL显示装置的基本结构，由于与实施方式1相同，具有共同功能的部分采用相同的符号并省略其说明。
在制造有机EL显示装置1时，本方式是如图16(A)、(B)中所示，首先在小型基板2上形成TFT123、124等的电路元件、有机EL元件101的像素电极111及隔壁112等。该工序中电光学装置用基板2为薄型化处理前的厚玻璃基板2，其厚度比如为0.5mm。
接着，如图16(A)、(B)所示，在小型基板2的一个面一侧(表面)21粘贴保护膜6(保护膜粘贴工序)。本方式中，保护膜6以覆盖小型基板2的全面的方式粘贴。另外，还可以通过照射激光，连同保护膜6一起切断小型基板2，以调整基板的外形。小型基板2的激光切断，是对基板的多条边中至少在如图1(A)、(B)所示排列配置的状态下与其他小型基板2邻接的边进行的。
然后，用图14(C)所示的研磨装置200进行小型基板2的薄型化。薄型化工序依照实施方式6的图14进行。薄型化结束后的多块小型基板2通过实施方式6的图15的工序粘合在大型基板3上，然后进行实施方式1的发光功能层的形成。这些制造工序及制造方法与本发明的实施方式6及1相同，由于已详细说明过，在此省略。
接着，如图17(A)所示，通过密封树脂40，将与多块小型基板2的总和相等或者比这些总和还大的密封基板4粘贴在小型基板2的一个面一侧21，形成板子1’。此阶段中形成于小型基板2上的端子20为被密封基板4覆盖的状态。
然后，使用图17(B)的研磨装置200对板子1’进行薄型化。首先，如图17(B)所示那样，将板子1’以密封基板4向上的方式固定在研磨装置200的平台210上(固定工序)。该工序中通过平台210间接地或者直接地将蜡250加热至大约摄氏80度的温度使其熔化后，在熔化后的蜡250的表面以小型基板2在下面的方式配置板子1’，并对板子1’施加流体压力以按压在凹部220上。此时，可以是由喷头向着板子1’喷出压缩空气，或者也可以是给板子1’覆盖具有弹性的隔膜，对由该隔膜所隔开的2个空间中的、与配置有板子1’的一侧相反侧的空间供给空气或液体等的流体的方式。通过这样做，可以给各小型基板2施加均匀的力。
此后，将熔化的蜡250自然冷却至摄氏25度的温度，或者强制冷却使蜡250固化。
接着，进行板子的薄型化。这里，在板子1’的上方配置研磨用研磨头280，使研磨头280绕轴线转动的同时，以与研磨头280不同的速度使平台210也转动。在这种状态下，对研磨用研磨头280与板子1’之间供给磨石微粒的悬浊液，同时在箭头P所示方向施加大约150g/cm2左右的负荷。通过此，能以大约7.2μm/分的速度研磨基板2的表面，从开始的厚度0.5mm直至薄型化为25μm厚度(研磨工序)。
然后，在抛光工序中，如图17(C)所示，在研磨用研磨头280的下部安装柔软的研磨布281，并根据需要对研磨用研磨头280和板子1’之间供给磨石微粒的悬浊液，同时在箭头P所示方向施加大约50g/cm2左右的负荷，以使刚才研磨过的面平滑化。通过此，小型基板2成为具有与玻璃同等的光透射系数的基板。
接着，通过平台210间接地或者直接地将已经固化的蜡250加热至大约摄氏80度的温度使其熔化，从平台210取出板子1’。
另外，对大型基板3也进行薄型化时，与图17(B)、(C)一样，如图17(D)所示，以大型基板3向上的方式将板子1’固定在研磨装置200的平台210上后，研磨大型基板3，以使大型基板3从0.5mm厚度直至薄型化为25μm厚度(研磨工序)。然后如图17(E)所示使大型基板3的表面平滑化(抛光工序)，然后从平台210取出板子1’(图18(A))。
接着，洗净板子1’后，如图18(B)所示对大型基板3照射激光以切断端部，从而调整大型基板3为预定的大小。
然后，如图18(C)所示对密封基板4照射激光以切断端子20的上方部分，从而调整密封基板4为预定的大小。其结果，露出形成在小型基板2上的端子20。之后，如图18(D)所示在端子20处连接以COF方式安装有IC70的柔性布线基板7。
(本方式的主要效果)
如上所述，本发明中为了实现板子1’的薄型化，在将小型基板和密封基板粘合后的工序中进行薄型化。为此，作为密封基板使用玻璃材料，并且即使将该基板薄型化至100μm以下，甚至50μm以下时，也不会在制造工序中使对向基板破裂。另外，由于薄型化的方法不是进行化学蚀刻法而是使用研磨法，因此不会对形成在小型基板上的端子进行蚀刻。更有在研磨时，由于端子被密封基板覆盖，从而不会损伤端子。并且通过切断经研磨后的密封基板，可以很容易地露出端子。
另外，上述固定工序中由于是通过对板子1’施加流体压力以固定在平台210上，从而能对板子1’全体施加均匀的力。因此，能将板子1’以适当的状态固定在平台210上，从而能以高精度进行研磨。
再有，由于是通过蜡250将板子1’固定在平台210上，因此在结束研磨后能仅通过熔化蜡250就可以从平台210取出板子1’。而且，如果是通过蜡250固定，用于固定的应力不会集中于板子1’的一部分，从而不会使板子1’破裂。另外，如果是蜡250，大约80度的温度就会熔化，因此假设板子1’上保持有有机EL材料，也不会使有机EL材料恶化。
[实施方式1的变形例]
图19所示，作为图6、图13、图16所示的工序中使用的保护膜6，如在膜基本材料层61处使用比隔壁112的高度还厚的粘贴材料层63，则如图19所示，在小型基板2的一个面一侧21粘贴有保护膜6时，能防止向小型基板2与保护膜6之间侵入气泡。因此，由于不会发生因保护膜6的表面的气泡所造成的凹凸，当粘合小型基板2和大型基板3时，能高精度地齐整小型基板2的一个面一侧21的位置。其结果，能使用喷墨法稳定地形成发光功能层110，并且构成的有机EL显示装置1能防止在小型基板2的厚度方向上的位置(高度)零散偏差。因此，有关本发明的显示装置，能显示高品质的图像。
另外，如图20(A)所示，相对用于形成发光功能层110的液状组成物，在保护膜6中追加疏液材料层64，并且如将粘贴材料层63设置得比隔壁112的高度薄，则在除去保护膜6之后，如图20(B)所示，在液状组成物的涂覆区域的周围，即隔壁112的上端部，能临摹疏液材料层64。因此，对小型基板2的一个面一侧21可以不进行使用氟化物的等离子体处理等的特别的疏液处理，从而能实现制造工序的简化。
还有，上述方式中是以有机EL显示装置1为例进行的说明，本发明也可以适用于制造使用其他自发光型元件的自发光型电光学装置。
[电子器械中的适用]
适用本发明的电光学装置，最好是搭载于具有超过30英寸以上的大画面的电子器械中。但是，显然也适用于使用同样的制造方法或者技术思想的大小的显示装置中。

Claims (35)

1、一种电光学装置的制造方法，用于制造将多块在配置成矩阵状的多个像素区域的每一个中包括像素开关用元件及自发光元件的基板在平面上排列配置的电光学装置，其特征在于，包括：
小型基板形成工序，形成小型基板，所述小型基板在基板的一个面一侧形成有所述像素开关用元件及所述自发光元件的像素电极；
粘合工序，在将多块所述小型基板在平面上排列配置的状态下，将多块所述小型基板的另一个面一侧与大型基板粘合；
发光功能层形成工序，在该状态下，使用喷墨法对所述多块小型基板的所述一个面一侧的预定区域选择性地涂覆液状组成物，以形成所述自发光元件的发光功能层。
2、根据权利要求1所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，在所述粘合工序中使用粘接剂将所述小型基板和所述大型基板全面粘接。
3、根据权利要求1或2所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，在进行所述粘合工序之前，进行激光切断工序，该工序使用激光，切断所述小型基板的多条基板边中的至少在所述电光学装置中与其他小型基板邻接的边。
4、根据权利要求3所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，所述小型基板上形成有表示激光的照射位置的对准标记。
5、根据权利要求1～4中任一项所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，在所述小型基板形成工序之后，在所述小型基板的至少所述一个面一侧粘贴保护膜；
接着在进行了所述粘合工序之后，从所述小型基板的所述一个面一侧除去所述保护膜，然后进行所述发光功能层形成工序。
6、根据权利要求5所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，在所述粘合工序中以所述保护膜的一侧向着平台的方式排列配置所述多块小型基板，并在该状态下将所述多块小型基板的所述另一个面一侧和所述大型基板粘合。
7、根据权利要求6所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，在所述粘合工序中在排列配置在所述平台上的所述多块小型基板的所述另一个面一侧重叠所述大型基板；
并在该状态下，对所述大型基板施加流体压力以向着所述平台按压所述大型基板，从而将所述多块小型基板的所述另一个面一侧与所述大型基板粘合。
8、根据权利要求1～7中任一项所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，在所述粘合工序中在所述小型基板和所述大型基板之间存在有控制基板间隔的第一基板间隔控制部件的状态下，粘合所述小型基板和所述大型基板。
9、根据权利要求8所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，所述第一基板间隔控制部件由形成于所述小型基板及所述大型基板中的一个之上的突起构成。
10、根据权利要求9所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，所述第一基板间隔控制部件由使用光刻技术形成的感光性树脂构成。
11、根据权利要求9所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，所述第一基板间隔控制部件由通过临摹、印刷或者喷墨法固定在所述小型基板及所述大型基板中的一个之上的树脂组成物构成。
12、根据权利要求9～11中任一项所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，形成所述第一基板间隔控制部件的区域是避开了与所述自发光元件的形成区域在平面上重叠的区域。
13、根据权利要求8所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，所述第一基板间隔控制部件是分散在所述小型基板与所述大型基板之间的粒状或者棒状的间隙材料。
14、根据权利要求8～13中任一项所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，在形成所述自发光元件之后，进行密封工序，在所述小型基板的所述一个面一侧粘合密封基板。
15、根据权利要求14所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，在所述密封工序中使用密封树脂将所述小型基板和所述密封基板全面粘接。
16、根据权利要求14或15所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，在所述密封工序中，在所述小型基板和所述大型基板之间存在有控制基板间隔的第二基板间隔控制部件的状态下，粘合所述小型基板和所述密封基板。
17、根据权利要求16所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，所述第二基板间隔控制部件由形成于所述小型基板及所述密封基板中的一个之上的突起构成。
18、根据权利要求17所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，所述第二基板间隔控制部件由使用光刻技术形成的感光性树脂构成。
19、根据权利要求17所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，所述第二基板间隔控制部件由通过临摹、印刷或者喷墨法固定在所述小型基板及所述密封基板中的一个之上的树脂组成物构成。
20、根据权利要求17～19中任一项所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，形成所述第二基板间隔控制部件的区域是避开了与所述自发光元件的形成区域在平面上重叠的区域。
21、根据权利要求16所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，所述第二基板间隔控制部件是分散在所述小型基板与所述密封基板之间的粒状或者棒状的间隙材料。
22、根据权利要求1所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，在所述小型基板形成工序之后，进行使用蜡将所述多块小型基板以平面排列配置的状态固定在平台上的固定工序、和在该状态下，研磨所述小型基板的表面以使所述小型基板薄型化的薄型化工序；在进行了所述薄型化工序之后，通过让蜡加热熔化，从所述平台上取出所述小型基板。
23、根据权利要求22所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，在所述薄型化工序中，在通过所述蜡将所述小型基板固定在所述平台上的状态下，连续进行研磨所述小型基板以使其薄型化的研磨工序、和平滑地研磨所述小型基板的表面的抛光工序。
24、根据权利要求22或23所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，在所述固定工序中，在形成于所述平台的上面的凹部内加热熔化蜡，之后将所述多块小型基板浸泡在熔化了的所述蜡内，并且对所述多块小型基板施加流体压力以向着所述平台按压所述多块小型基板，然后冷却、固化所述蜡，并通过所述蜡将所述多块小型基板固定在所述平台上。
25、根据权利要求22～24中任一项所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，在进行了粘合在所述平台上的所述多块小型基板和大型基板以形成在所述大型基板上多块小型基板平面地排列配置的粘合基板的粘合工序之后，加热熔化所述蜡以从所述平台上取出所述粘合基板。
26、根据权利要求25所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，在所述粘合工序中，在所述平台上的所述多块小型基板上重叠有大型基板的状态下，对所述大型基板施加流体压力以向着所述平台按压所述大型基板。
27、根据权利要求1～26中任一项所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，在进行了在所述小型基板的一个面一侧形成像素开关用元件及自发光元件的像素电极的小型基板形成工序之后，
经过将多块所述小型基板以所述电极面在下的方式平面地排列配置在平台上并用蜡予以固定的固定工序、研磨所述多块小型基板的另一个面一侧的研磨工序、将大型基板粘合在所述研磨面上以制作粘合基板的粘合工序、加热熔化所述蜡以从所述平台上取出所述粘合基板并且在由所述多块小型基板构成的所述粘合基板的一个面一侧形成所述自发光元件的发光功能层的发光功能层形成工序之后，
使用所述粘合基板以制造在所述大型基板上平面地排列配置多块所述电光学用基板的的电光学装置。
28、根据权利要求27所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，在通过蜡将所述粘合基板固定在平台上的状态下，研磨所述大型基板的表面以使该大型基板薄型化，然后加热熔化所述蜡以从该平台上取出所述粘合基板。
29、根据权利要求27或28所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，在相对所述粘合基板的相反侧即所述小型基板的所述一个面一侧粘贴密封基板以形成模块之后，在通过蜡将所述模块固定在平台上的状态下研磨所述密封基板的表面以使所述密封基板薄型化，然后加热熔化所述蜡以从所述平台上取出所述模块。
30、根据权利要求29所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，所述小型基板为具有多个端子的基板，在所述密封基板的薄型化工序之后，还具有切断所述密封基板以露出所述端子的切断工序。
31、根据权利要求30所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，在所述切断工序中通过激光切断所述密封基板。
32、根据权利要求1或5所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，所述小型基板具有规定所述液状组成物的涂覆区域的隔壁，所述保护膜在膜基材一个面一侧具有比所述隔壁的高度厚的粘接剂层。
33、根据权利要求1或5所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，所述小型基板具有规定所述液状组成物的涂覆区域的隔壁，所述保护膜在膜基材一个面一侧形成有相对所述液状组成物的疏液材料层和比所述隔壁的高度薄的粘接剂层；
当除去所述保护膜时，在所述液状组成物的涂覆区域的周围，将所述疏液材料层临摹至所述小型基板侧。
34、一种电光学装置，其特征在于，采用权利要求1～33中任一项所述的制造方法制造。
35、一种电子器械，其特征在于，具有权利要求34所述的电光学装置。
CNB200510051668XA 2004-02-19 2005-02-18 电光学装置的制造方法、电光学装置及电子器械 Expired - Fee Related CN100454607C (zh)

Applications Claiming Priority (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004043024 2004-02-19
JP2004043030 2004-02-19
JP2004043023 2004-02-19
JP2004043030 2004-02-19
JP2004043024 2004-02-19
JP2004043023 2004-02-19
JP2004200548 2004-07-07
JP2004200548 2004-07-07
JP2004288665A JP4082400B2 (ja) 2004-02-19 2004-09-30 電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器
JP2004288665 2004-09-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1658719A true CN1658719A (zh) 2005-08-24
CN100454607C CN100454607C (zh) 2009-01-21

Family

ID=34865460

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB200510051668XA Expired - Fee Related CN100454607C (zh) 2004-02-19 2005-02-18 电光学装置的制造方法、电光学装置及电子器械

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7282385B2 (zh)
JP (1) JP4082400B2 (zh)
KR (1) KR100686504B1 (zh)
CN (1) CN100454607C (zh)
TW (1) TW200605712A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101726905B (zh) * 2008-10-29 2013-09-18 上海天马微电子有限公司 平板显示设备制造方法
CN103427787A (zh) * 2012-05-15 2013-12-04 精工爱普生株式会社 薄片基板、电子设备、电子部件及其检验方法与制造方法
CN106773211A (zh) * 2016-12-29 2017-05-31 深圳市华星光电技术有限公司 一种显示面板切割机及其切割方法
CN107836041A (zh) * 2015-05-01 2018-03-23 伊梅金公司 大面积oled微型显示器及其制造方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007087807A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Mitsubishi Electric Corp 有機ｅｌ表示装置の製造方法
KR101337264B1 (ko) * 2006-02-28 2013-12-05 삼성디스플레이 주식회사 터치 패널, 이를 구비한 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100822204B1 (ko) * 2006-06-07 2008-04-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
JP4904198B2 (ja) * 2007-05-15 2012-03-28 リンテック株式会社 シート貼付装置、シート切断方法及びウエハ研削方法
KR101603314B1 (ko) * 2008-09-11 2016-03-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP5621283B2 (ja) * 2010-03-12 2014-11-12 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP5891952B2 (ja) 2012-05-29 2016-03-23 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法
CN104022062B (zh) * 2014-06-12 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板的制备方法
US11437451B2 (en) 2016-09-22 2022-09-06 Emagin Corporation Large area display and method for making same
TWI781241B (zh) 2017-11-08 2022-10-21 美商康寧公司 用於組裝顯示區域的裝置及方法
US20190334113A1 (en) * 2018-04-27 2019-10-31 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Oled display device
CN111081158A (zh) * 2019-12-30 2020-04-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 拼接式显示屏及其制备方法、显示装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5475514A (en) * 1990-12-31 1995-12-12 Kopin Corporation Transferred single crystal arrayed devices including a light shield for projection displays
JPH1062604A (ja) * 1996-08-19 1998-03-06 Sony Corp 光学基板の製造方法および液晶表示装置の製造方法
JP3458382B2 (ja) * 1998-11-26 2003-10-20 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
JP3847494B2 (ja) * 1998-12-14 2006-11-22 シャープ株式会社 二次元画像検出器の製造方法
JP2000243555A (ja) * 1999-02-17 2000-09-08 Toyota Motor Corp 有機ｅｌ表示装置
JP2001076872A (ja) * 1999-06-28 2001-03-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電気光学装置の作製方法
TW512543B (en) * 1999-06-28 2002-12-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing an electro-optical device
JP3049063B1 (ja) 1999-08-18 2000-06-05 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 液晶表示装置
JP2001100668A (ja) 1999-09-29 2001-04-13 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
JP3676142B2 (ja) * 1999-09-29 2005-07-27 三洋電機株式会社 エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
JP2001142412A (ja) * 1999-11-15 2001-05-25 Sharp Corp 平面型表示パネルの製造方法、平面型表示パネルおよび保持用治具
JP2002063859A (ja) * 2000-05-25 2002-02-28 Toshiba Corp 画像表示装置およびその製造方法
JP2002082342A (ja) * 2000-09-07 2002-03-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶セル製造プロセスにおける基板の接着方法および装置
JP4485042B2 (ja) * 2000-10-30 2010-06-16 エーユー オプトロニクス コーポレイション ギャップ幅調整方法、ギャップ幅調整装置および表示パネルの製造方法
JP3992450B2 (ja) * 2001-03-30 2007-10-17 三洋電機株式会社 エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
JP3879425B2 (ja) * 2001-04-03 2007-02-14 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法
JP2002333848A (ja) * 2001-05-10 2002-11-22 Sharp Corp 複合アクティブマトリクス基板、その製造方法、及び電磁波撮像装置
JPWO2002098812A1 (ja) * 2001-06-04 2004-09-16 日本板硝子株式会社 透明基板の製造方法及び透明基板、並びに該透明基板を有する有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2002372928A (ja) * 2001-06-13 2002-12-26 Sony Corp タイリング型表示装置及びその製造方法
JP4267266B2 (ja) * 2001-07-10 2009-05-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2003108038A (ja) * 2001-09-27 2003-04-11 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置及びその製造方法
JP2003255863A (ja) * 2002-03-06 2003-09-10 Sanyo Electric Co Ltd 大型ディスプレイの製造方法
EP3252806B1 (en) * 2002-03-12 2019-10-09 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate dividing method
JP4123801B2 (ja) * 2002-03-14 2008-07-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置の製造装置、電気光学装置、並びに電子機器

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101726905B (zh) * 2008-10-29 2013-09-18 上海天马微电子有限公司 平板显示设备制造方法
CN103427787A (zh) * 2012-05-15 2013-12-04 精工爱普生株式会社 薄片基板、电子设备、电子部件及其检验方法与制造方法
CN107836041A (zh) * 2015-05-01 2018-03-23 伊梅金公司 大面积oled微型显示器及其制造方法
CN107836041B (zh) * 2015-05-01 2021-11-12 伊梅金公司 大面积oled微型显示器及其制造方法
CN106773211A (zh) * 2016-12-29 2017-05-31 深圳市华星光电技术有限公司 一种显示面板切割机及其切割方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060042112A (ko) 2006-05-12
US7282385B2 (en) 2007-10-16
JP4082400B2 (ja) 2008-04-30
JP2006047945A (ja) 2006-02-16
KR100686504B1 (ko) 2007-02-26
US20050186717A1 (en) 2005-08-25
TW200605712A (en) 2006-02-01
CN100454607C (zh) 2009-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1658719A (zh) 电光学装置的制造方法、电光学装置及电子器械
CN1282398C (zh) 电光装置的制造方法及制造装置、电光装置、电子仪器
CN1229655C (zh) 滤色膜层及电光学装置
CN1507304A (zh) 发光器件的制作方法，以及制造装置
CN1286148C (zh) 电光装置及其制造方法以及电子仪器
CN100339939C (zh) 半导体装置以及其制造方法、电光学装置和电子机器
CN2627785Y (zh) 电光学装置及电子设备
CN1535087A (zh) 显示装置、电子机器以及显示装置的制造方法
CN1875298A (zh) 制作光学膜的方法
CN1499908A (zh) 电光学装置及电子机器
US10367048B2 (en) Display device and method of manufacturing the same
CN1815751A (zh) 发光装置、发光装置的制作方法、以及电子机器
CN1536949A (zh) 图形的形成方法、图形形成装置以及器件的制造方法
CN1756456A (zh) 图案形成结构及形成方法、器件及电光学装置、电子仪器
CN1301424C (zh) 电光装置的制造方法、电光装置和电子机器
CN1652645A (zh) 电光学装置的制造方法、电光学装置以及电子机器
CN1578563A (zh) 蒸镀掩模及制法、显示装置及制法以及具有其的电子机器
CN1574202A (zh) 薄膜装置的制造方法、电光学装置和电子设备
CN1538799A (zh) 图形的形成方法、图形形成装置以及器件的制造方法
CN1703122A (zh) 滤色片基板的制造方法、电光学装置及其制造方法、电子设备
CN1816254A (zh) 膜图案的形成法、器件及其制法、电光学装置和电子仪器
CN1301192C (zh) 薄膜形成装置、电光学装置及电子仪器
CN1741272A (zh) 有源矩阵基板及其制造方法、电光装置以及电子机器
CN1943879A (zh) 膜图案的形成方法以及电子设备的制造方法
CN1615057A (zh) 有机电致发光显示装置及其制造方法及电子设备

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090121

Termination date: 20160218