CN1615057A - 有机电致发光显示装置及其制造方法及电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种可以防止EL元件的损害，同时可以容易平铺，以使有机EL显示装置间的接缝不显眼的有机EL显示装置、有机EL显示装置的制造方法、大型有机电致发光显示装置和电子设备。有机电致发光显示装置(1a)：具有包括射出光的电致发光元件(31)的电致发光基板(4)，包括控制向电致发光元件(31)供给的电流的薄膜晶体管(19)的薄膜晶体管基板(3)，相对向配置电致发光基板(4)和薄膜晶体管基板(3)，其特征在于，在从电致发光基板(4)到薄膜晶体管基板(3)之间配置有控制薄膜晶体管(19)的第一控制机构(13)。

Description

有机电致发光显示装置及其制造方法及电子设备

技术领域

本发明涉及有机电致发光显示装置、有机电致发光显示装置的制造方法、大型有机电致发光显示装置及电子设备。

背景技术

近年来，使用了有机电致发光元件(下面，记为有机EL元件)的显示面板通过由薄膜晶体管(下面，记为TFT)驱动有机EL元件，从而可以实现高质量的显示。特别，使用了有机EL元件的显示面板，由于有机EL元件为固体元件，所以与使用了液晶的显示面板相比，显示面板的端面密封变得容易，适合于并行配置多个显示面板而进行大型化(平铺tiling)的技术。

进行上述的显示面板的平铺时，难以确保安装控制驱动有机EL元件的TFT的驱动IC的位置。例如，在将显示面板平铺为纵向2列×横向2列的情况下，在位于显示面板外围的端面上安装水平、垂直方向的驱动IC。但是，在将显示面板平铺为纵向3列×横向3列的情况下，以看不到显示面板的接缝的方式在配置在中央的显示面板周围安装驱动IC等极其困难。

因此，为了解决上述问题，提出了将显示面板的一方基板设为聚酰亚胺基板，在聚酰亚胺基板上形成多个通孔，借由通孔电连接、安装驱动IC和TFT的方法等(例如，专利文献1)。

【专利文献1】

特开2002-207436号公报

使用了有机EL元件的显示面板，由于有机EL元件在耐湿性上有问题，故要求密封性。在上述的专利文献1中，虽然一方基板使用聚酰亚胺基板，但是聚酰亚胺基板有阻透性(gas barrier)不充分的问题，有机EL元件存在发生损坏的危险。

另外，若另一方基板使用玻璃基板等热膨胀率与聚亚酰胺基板不同的基板，则因各基板的热膨胀率不同而导致显示面板的密封性损坏，有机EL元件存在发生损坏的危险。

此外，即使上述一方基板使用有阻透性的玻璃基板，在现有技术中，也难以在玻璃基板上形成多个通孔，存在其形成需要很长时间的问题。

发明内容

本发明为解决上述问题而作出，其目的是提供一种可防止对EL元件的损害，同时使有机EL显示装置间的接缝不明显，且可容易平铺的有机EL显示装置、有机EL显示装置的制造方法、大型有机电致发光显示装置及具备有机EL显示装置的电子设备。

为了实现上述目的，本发明的有机电致发光显示装置，其中具有：包括射出光的电致发光元件的电致发光基板；和包括控制向电致发光元件供给的电流的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板，相对向配置电致发光基板和薄膜晶体管基板，其特征在于，在从电致发光基板到薄膜晶体管基板之间配置有控制薄膜晶体管的第一控制机构。

即，本发明的有机电致发光显示装置，将控制薄膜晶体管的第一控制机构配置在电致发光基板到薄膜晶体管基板之间。因此，可以综合输入到多个薄膜晶体管的信号并输入到第一控制机构，可以减少输入信号的路径。其结果，可以减少从输入信号的路径侵入含有湿气的空气的危险，电致发光元件可难以受到损害。

另外，由于将第一控制机构配置在电致发光基板到薄膜晶体管基板之间，所以还可将第一控制机构配置在有机电致发光显示装置的周围之外，例如图像显示区域内。因此，可以缩短第一控制机构与薄膜晶体管间的配线距离，可以缩短起因于向薄膜晶体管的传送信号时间的反应时间的偏差。

为了实现上述结构，更具体的，也可在电致发光基板到薄膜晶体管基板之间配置控制第一控制机构的第二控制机构。

根据该结构，将控制第一控制机构的第二控制机构配置在电致发光基板到薄膜晶体管基板之间。因此，可以综合输入多个第一控制机构的信号而输入到第二控制机构，可以进一步减少输入信号的路径。其结果，可以进一步减少含有湿气的空气侵入的路径，可以使电致发光元件难以受到损害。

为了实现上述结构，更具体的，在电致发光基板到薄膜晶体管基板之间配置有从外部接收控制电致发光元件的发光的光信号的光电二极管。

根据该结构，通过在控制电致发光元件的发光的信号中使用光信号，并由光电二极管接收其信号，从而可以进一步减少含有湿气的空气侵入的路径，可以使电致发光元件难以受到损害。

另外，由于可以删除传送控制电致发光元件的发光的信号的配线，无需考虑配线的处理，故排列多个有机电致发光显示装置变得容易。

本发明的第一大型有机电致发光显示装置，其特征在于，配置有多个上述本发明所述的有机电致发光显示装置。

即，本发明的第一大型有机电致发光显示装置，由于有机电致发光显示装置将第一控制机构等配置在电致发光基板到薄膜晶体管基板之间，所以第一控制机构不会成为障碍，可以无间隙地配置多个有机电致发光显示装置。因此，使多个有机电致发光显示装置间的接缝不会很显眼，可以容易地平铺。

本发明的第二大型有机电致发光显示装置，其特征在于，排列多列有机电致发光显示装置，周围被包围的有机电致发光显示装置是上述本发明所述的有机电致发光显示装置。

即，本发明的第二大型有机电致发光显示装置，周围被有机电致发光显示装置包围，在无间隙地排列困难的配置位置上配置有上述本发明的有机电致发光显示装置。因此，可以使位于图像的显示区域内的有机电致发光显示装置间的接缝不会变得显眼。

本发明的有机电致发光显示装置的制造方法，该有机电致发光显示装置其中具有：包括射出光的电致发光元件的电致发光基板；和包括控制向所述电致发光元件供给的电流的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板，其特征在于，具有：第一工序，其制作电致发光基板；第二工序，其在薄膜晶体管基板上形成薄膜晶体管和控制薄膜晶体管的第一控制机构；和第三工序，其粘合薄膜晶体管基板和电致发光基板，以使第一控制机构与电致发光基板相对向。

即，在本发明的有机电致发光显示装置的制造方法中，在第二工序中，在薄膜晶体管基板上形成薄膜晶体管和控制薄膜晶体管的第一控制机构；在第三工序中，粘合薄膜晶体管基板和电致发光基板，以使第一控制机构与电致发光基板相对向。因此，可以综合控制电致发光元件的信号避过那输入到有机电致发光显示装置内的第一控制机构，由此分配到薄膜晶体管中。即，可以减少向有机电致发光显示装置内输入信号的路径，由此，可以减少含有湿气的空气侵入的危险，因此，电致发光元件难以受到损害。

为了实现上述结构，更具体的，在第二工序中，也可以在薄膜晶体管基板上形成了第一控制机构后，将薄膜晶体管复制到薄膜晶体管基板上。

根据该结构，在另一工序中预先形成薄膜晶体管，将形成的薄膜晶体管复制、安装到已形成第一控制机构的薄膜晶体管基板上。因此，可以在薄膜晶体管基板内，即比薄膜晶体管的安装面还下层地形成第一控制机构。

为了实现上述结构，更具体的，也可以进一步具有在薄膜晶体管基板上形成控制第一控制机构的第二控制机构的工序。

根据该结构，由于在薄膜晶体管基板上形成有控制第一控制机构的第二控制机构，故可以综合输入到第一控制机构的信号而输入到第二控制机构中，由此分配到第一控制机构。即，由于可以进一步减少输入信号的路径，故可以进一步减少含有湿气的空气侵入的路径，电致发光元件难以受到损害。

为了实现上述构成，更具体的，也可进一步具有在薄膜晶体管基板上形成接收控制电致发光元件的发光的光信号的光电二极管的工序。

根据该结构，由于在薄膜晶体管基板上形成有接收控制电致发光元件的发光的光信号的光电二极管，故可以不形成含有湿气的空气侵入的路径地输入信号。因此，电致发光元件更难受到损害。

本发明的电子设备，其特征在于，使用了上述本发明的有机电致发光显示装置、或利用本发明的有机电致发光显示装置的制造方法所制造的有机电致发光显示装置。

即，由于本发明的电子设备将上述本发明的有机电致发光显示装置或利用上述本发明的有机电致发光显示装置的制造方法制造的有机电致发光显示装置用作显示装置，故在防止对EL元件的损害的同时，可以以使有机EL显示装置间的接缝不显眼的方式容易地平铺。

附图说明

图1是表示本发明的有机EL装置的一实施方式的平面图；

图2是同一有机EL装置的局部分解立体图；

图3是同一有机EL装置的主要部分剖面图；

图4是表示同一有机EL装置的制造方法的工序图；

图5是表示同一有机EL装置的制造方法的工序图；

图6是表示同一有机EL装置的制造方法的工序图；

图7是表示本发明的电子设备的一实施方式的立体图。

图中：1-有机EL显示装置(大型电致发光显示装置)，1a-有机EL显示装置(电致发光显示装置)，3-TFT基板(薄膜晶体管基板)，4-有机EL基板(电致发光基板)，13-驱动IC(第一控制机构)，14-控制用LSI(第二控制机构)，15-光电二极管阵列(光电二极管)，19-TFT(薄膜晶体管)，31-有机EL元件(电致发光元件)。

具体实施方式

下面，参照图1～图6，对本发明的有机电致发光显示装置(下面，记为有机EL显示装置)、大型有机EL显示装置和有机EL显示装置的制造方法进行说明。

而且，在用于下面的说明的各附图中，为了使各部分为可识别的大小，而适当改变各部件的比例尺。

(有机EL装置)

图1是表示本发明的有机EL显示装置的整体结构的平面图。图2是本发明的有机EL显示装置的分解立体图。图3是本发明的有机EL显示装置的主要部分剖面图。图1和图2中具有重复结构的部分，代表表示其一部分，省略其他部分。

如图1所示，有机EL显示装置(大型电致发光显示装置)1是将更小的有机EL显示装置(电致发光显示装置)1a配置为纵向2列×横向2列的矩阵状而形成的。虽然有机EL显示装置1a的排列图案可以是纵向2列×横向2列的矩阵状的排列，但是除此之外，也可以是纵向3列×横向3列的排列、纵向3列×横向4列的排列等各种排列图案。

如图2和图3所示，有机EL显示装置1a为至少具备基板接合体2的结构。基板接合体2为借由后述的基板间导通部34粘合TFT基板(薄膜晶体管基板)3和有机EL基板(电致发光基板)4并进行了接合的结构。

TFT基板3大致构成为依次层叠具有透光性的配线基板10、第二层间绝缘层11b、第一层间绝缘层11a。

在配线基板10的上面形成第二配线12，在第二配线12上配置有驱动IC(第一控制机构)13、控制用LSI(第二控制机构)14和光电二极管阵列(光电二极管)15。第二层间绝缘膜11b形成为覆盖这些驱动IC 13。另外，在配线基板10的下面(配置了驱动IC 13等的面的相反侧的面)，并借由配线基板10与光电二极管阵列15相对向的位置上，配置有发送时钟脉冲或RGB图像信号的面发光激光器阵列16。

借由第二配线12将光电二极管阵列15电连接在控制用LSI 14上，同时，连接有向有机EL元件(电致发光元件)31供给电流的电源供给部17。光电二极管阵列15由4个光电二极管形成，分别接收时钟脉冲的光信号、R(红)、G(绿)、B(蓝)各图像信号。将输入到光电二极管阵列15的信号输入到控制用LSI 14，并分别向相应的驱动IC 13分配输出。

另外，虽然光电二极管阵列15可以由4个光电二极管构成，但也可以由一个光电二极管构成，并不特定其个数。

在第二层间绝缘层11b的上面形成有形成栅极配线或源极配线等的第一配线18。第一层间绝缘层11a形成为覆盖第一配线18。在第一层间绝缘层11a的上面形成有可驱动有机EL元件31的TFT(薄膜晶体管)19和基板间连接电极20。借由TFT连接部21电连接TFT 19和第一配线18，借由电极连接部22电连接基板间连接电极20和第一配线18。TFT连接部21根据TFT的端子图案而形成，由利用无电解电镀处理形成的隆起焊盘(bump)和在该隆起焊盘上涂敷形成的导电性膏构成。所谓导电性膏，例如，包括各向异性导电粒子(ACP)。另外，第一配线18和第二配线12通过配线连接部23电连接着。

将有机EL装置1a的显示区域分割为纵向2列×横向2列的显示区域A1、A2、A3、A4，并配置有与各显示区域A1、A2、A3、A4有关的两个驱动IC 13。各驱动IC 13电连接分别作为栅极配线的第一配线18和作为源极配线的第一配线18，通过控制TFT 19来控制有机EL元件31的发光。另外，驱动IC 13通过第二配线12电连接控制用LSI 14，并借由第二配线12，从控制用LSI 14中输入TFT 19的控制信号。

如图3所示，有机EL基板4由透过发光光线的透明基板30、有机EL元件31、绝缘膜32和阴极33构成。

在这里，有机EL元件31具有由ITO等透明金属构成的阳极、空穴注入/输送层和有机EL元件，通过用有机EL元件结合阳极产生的空穴和阴极产生的电子，从而使其发光。而且，这种有机EL元件的详细结构采用公知技术。另外，也可在有机EL元件31和阴极33之间形成电子注入/输送层。

进而，在TFT基板3和有机EL基板4之间设置导通连接基板间连接电极20与阴极33的基板间导通部34和密封TFT基板3与有机LE基板4的外周的密封部(图中未示出)，并且，在TFT基板3和有机EL基板4之间的空间中填充有惰性气体35。

基板间导通部34是银膏，如后所述，通过粘合TFT基板3和有机EL基板4而被压扁变形。另外，基板间导通部34只要是导电性和可塑性的材料，则银材料不必要为膏状，还可采用导电性合适的材料。

惰性气体35采用公知的气体，在本实施方式中采用氮气(N₂)。作为其他气体优选Ar等稀有气体，另外，只要具有惰性性质，也可以是混合气体。在后述的TFT基板3和有机EL基板4的粘合工序前后封入该惰性气体35。

此外，作为在TFT基板3和有机EL基板4之间填充的物质，并不必然限定为气体，也可以使用惰性液体。

密封部是使用密封树脂等粘接剂来构成的部位，设置在TFT基板3和有机EL基板4的周围，实现了在粘接TFT基板3和有机EL基板4的同时，在TFT基板3和有机EL基板4之间进行密封的任务。

另外，虽然密封部可用密封树脂来构成，但也可由所谓的罐密封来构成，除此之外，只要是不侵入引起有机EL元件31的劣化的物质的结构，就可以适当采用。另外，也可以在TFT基板3和有机EL基板4之间设置吸收使有机EL元件31劣化的水份的吸湿剂。

根据上述结构，由于在TFT基板3内配置有控制TFT 19的驱动IC 13和控制用LSI 14，所以通过综合输入到多个TFT 19的信号而输入到控制用LSI 14，从而可以减少向有机EL显示装置1a内输入上述信号的路径。因此，从输入上述信号的路径中侵入含有湿气的空气的危险减小，有机EL元件31可以难以受到损害。

进一步，通过在上述信号中使用光信号，由光电二极管阵列15来接收该信号，从而可以进一步减少含有湿气的空气侵入的路径，有机EL元件31可以很难受到损害。

另外，由于在TFT基板3内配置有驱动IC 13，故也可将驱动IC 13配置在有机EL显示装置1a的图像显示区域内。因此，可以缩短驱动IC 13和TFT 19间的配线距离，可以缩短向TFT 19传送信号的时间引起的反应时间的偏差。进一步，因为可以减小配线电阻，所以可以抑制有机EL装置1和1a的功率消耗。

此外，由于驱动IC 13配置在TFT基板3内，故驱动IC 13不会有妨碍，可以无间隙地配置多个有机EL显示装置1a。因此，可以使多个有机EL显示装置1a的接缝不显眼地，容易地进行平铺。

进一步，通过在上述信号的输入中使用光电二极管阵列15，从而可以删除传送上述信号的配线。因此，不需要考虑配线的处理，排列多个有机EL显示装置1a变得容易。

(有机EL装置的制造方法)

接着，参照图4～图6说明图1所示的有机EL装置1a的制造方法。

有机EL装置1a的制造工序大致由有机EL基板制造工序(第一工序)、TFT基板制造工序(第二工序)、TFT基板和有机EL基板的粘合工序(第三工序)构成，以上述顺序进行各工序。另外，有机EL装置1a的制造工序虽然可以以上述顺序进行各工序，但是也可以适当改变各工序的顺序，也可以适当改变后述各工序内的顺序。

在本实施方式中，使用SUFTLA(Surface Free Technology by LaserAblation)(注册商标)的技术进行TFT等的复制。另外，作为用于TFT等的复制的技术可以采用其他公知技术。

(有机EL基板制造工序)

在有机EL基板制造工序中，在透明基板30上顺序形成有机EL元件31、绝缘膜32和阴极33。有机EL元件31、绝缘膜32和阴极33通过采用现有公知的材料，用公知技术形成，这里省略其详细说明。

另外，有机EL基板制造工序是与后述的TFT基板制造工序不同的工序，可以与TFT基板制造工序平行进行。

(TFT基板制造工序)

TFT基板制造工序由TFT制造工序、驱动IC安装工序和TFT复制工序等构成。下面说明这些工序。

另外，由于TFT制造工序是与驱动IC安装工序不同的工序，所以可以与驱动IC安装工序平行进行。

(TFT制造工序)

首先，参照图4(a)，对在基础基板(形成基板)40上形成TFT 19的工序进行说明。

如图4(a)所示，在该工序中，首先在基础基板40上形成剥离层41，在剥离层41上排列形成多个TFT 19。TFT 19隔开规定的间隔进行排列，以便在后面工序中易于选择规定的TFT 19。

另外，由于TFT 19的制造方法采用包含高温工艺的公知技术，所以省略说明，详细描述基础基板40和剥离层41。

基础基板40在本工序中是用于形成TFT 19的部件，不是有机EL装置1的构成要素。具体的，优选是耐1000℃左右的石英玻璃等透光性耐热基板，但是除了石英之外，也能使用苏打玻璃、corning(コ-ニング)7059、日本电气玻璃OA-2等耐热性玻璃等。

剥离层41是通过激光光等照射光在剥离层41内或其界面中产生剥离(记为“层内剥离”或“界面剥离”)的。剥离层41的组成是非晶质硅(a-Si)，在该非晶质硅中含有氢(H)。若含有氢(H)，则通过利用激光光的照射，产生氢气(气体)而在剥离层2中产生内压，由此，促进了层内剥离或界面剥离。氢的含有量优选为2at％以上，更好为2at％～20at％。

而且，剥离层41的作用是通过激光等的照射产生层内剥离或界面剥离，除了上述组成之外，也可以是通过光能量产生消融(ablation)等，而引起层内剥离或界面剥离的材料；也可以是通过因光能量使含有成份气化所产生的气体而引起剥离的材料；也可以是组成材料本身气化，通过所产生的气体引起层内剥离或界面剥离的材料。

例如，可举出氧化硅或硅酸化合物、氮化硅、氮化铝、氮化钛等氮化陶瓷、有机高分子材料(因光的照射切断这些原子间的结合)、金属、例如，Al、Li、Ti、Mn、In、Sn、Y、La、Ce、Nd、Pr、Cd或Sm，或者包含其中至少一种的合金。

作为剥离层41的形成方法，可以采用CVD法，尤其是低压CVD法或等离子CVD法。

在剥离层41由其他材料形成的情况下，只要是能以均匀厚度形成剥离层41的方法，就能根据剥离层41的组成或厚度等各种条件来适当选择。例如，可采用CVD(包括MOCCVD、低压CVD、ECR-CVD)法、蒸镀、分子线蒸镀(MB)、溅射法、离子掺杂法、PVD等各种气相成膜法、电镀、浸镀(浸渍)、无电解电镀法等各种电镀法、朗缪尔·布洛杰特(LB，Langmuir-Blodgett)法、旋涂(spin coat)法、喷涂(spray coat)法、滚涂(roll coat)法等涂敷法、各种印刷法、复制法、喷墨法、粉末喷射法等。进一步，也可以组合其中两种以上的方法。另外，在利用溶胶-凝胶(sol-gel)法用陶瓷来成膜剥离层41的情况下或由有机高分子材料构成的情况下，优选通过涂敷法、特别是旋涂法来成膜。

(驱动IC安装工序)

接着，参照图4(b)、(c)、(d)，说明在配线基板10上形成驱动IC 13、控制用LSI 14和光电二极管阵列15的工序。

如图4(b)所示，在配线基板10上形成了第二配线12以后，形成驱动IC 13、控制用LSI 14和光电二极管阵列15，之后形成第二层间绝缘层11b。

在配线基板10上通过钻孔器(drill)等形成贯通孔，在贯通孔中形成有电源供给部17。第二配线12配线为电连接电源供给部17和控制用LSI14。

作为第二配线12的形成方法，采用光刻(photolithography)等公知技术。

另外，也可利用液滴喷出法(喷墨法)在配线基板10上形成使金属微粒分散在溶剂中的分散液。作为构成这种第二配线12的材料，优选采用低电阻材料，优选使用Al或Al合金(Al·Cu合金等)。

如图4(c)所示，在第二配线12之上安装驱动IC 13、控制用LSI 14和光电二极管阵列15。之后，研削驱动IC 13、控制用LSI 14和光电二极管阵列15，使其厚度大约为50μm。通过研削驱动IC 13、控制用LSI 14和光电二极管阵列15，从而可以减小其安装空间，特别是厚度方向的空间，可以实现有机EL显示装置1的薄型化、小型化。

安装驱动IC 13等后，在配线基板10的整个面上形成由丙烯树脂、聚酰亚胺树脂等构成的第二层间绝缘层11b。如图4(d)所示，第二层间绝缘层11b通过平坦化模具50冲压成形(stamping)，树脂被固化。在平坦化模具50中形成凸部51，通过该凸部51，在第二层间绝缘层11b中形成通孔。通孔贯通第二层间绝缘层11b，在其底面露出第二配线12。另外，由于平坦化模具50的与第二层间绝缘层11b相对向的面形成为具有高的平坦性，故冲压成形后的第二层间绝缘层11b的上面也有高的平坦性。

而且，通过采用旋涂法等液相法形成第二层间绝缘层11b，从而形成得到高精度的平坦性的层间绝缘膜，并通过借由掩模的曝光或光刻法在第二层间绝缘膜11b上形成通孔。

(TFT复制工序)

接着，参照图5(a)、(b)、(c)、(d)，说明在配线基板10上形成TFT 19的工序。

在该工序中，在配线基板10的第二层间绝缘层11b上形成第一配线18后，形成第一层间绝缘层11a，之后，形成TFT 19和基板间连接电极20。

如图5(a)所示，在第二层间绝缘层11的通孔中形成连接第二配线12和第一配线18的配线连接部23，以电连接第一配线18和第二配线12。之后，在第二层间绝缘层11b上形成第一配线18。作为第一配线18的形成方法，与第二配线12相同，采用光刻法等。也可以使用液滴喷出法(喷墨法)在第二层间绝缘层11b上形成金属微粒的分散液。作为构成第一配线18的材料，虽然优选采用低电阻材料，但优选使用Al或Al合金(Al·Cu合金等)

如图5(b)所示，形成第二配线12后，在第二层间绝缘层11b的整个面上形成由丙烯树脂、聚酰亚胺树脂构成的第一层间绝缘层11a。第一层间绝缘层11a通过使用旋涂法等的液相法，而可以作为得到了高精度的平坦性的层间绝缘膜来形成。进一步，通过借由掩模的曝光或光刻法在第一层间绝缘层11a上形成用来形成TFT连接部21和电极连接部22的开口部。

接着，采用无电解电镀法形成电连接第一配线18和TFT 19的TFT连接部21。TFT连接部21是所谓的隆起焊盘。

在采用了无电解电镀法的情况下，将Ni-Au隆起焊盘作为TFT连接部21形成。另外，也可以在Ni-Au隆起焊盘上通过丝网印刷或浸渍等形成焊锡或Pb预焊锡，例如Sn-Ag-Cu系列等的焊锡而作为隆起焊盘。

接着，采用公知的成膜方法形成基板间连接电极20。例如，在采用气相法的情况下，可举出CVD法、溅射法、蒸镀法、离子电镀法(ion plating)等半导体制造工序中所用的各种方法。

另外，也可以采用液相法形成基板间连接电极20。这种情况下，采用混合了金属微粒和溶剂的分散液来作为材料液体。作为具体的液相法，可举出旋涂法、狭缝涂层法(slit coat)、浸渍涂法、喷雾法、滚涂法、幕式淋涂(curtain coat)法、印刷法、液滴喷出法等。

接着，如图5(b)所示，粘合上述配线基板3和基础基板40，以将TFT 19复制到配线基板10上。

首先，在TFT 13和TFT连接部14之间涂敷含有各向异性导电粒子(ACP)的导电性膏，以粘合基础基板40和配线基板30。

并且，局部地且从基础基板40的背面侧(TFT非形成面)只向涂敷了导电性膏的部分照射激光光LA。这样，剥离层41的原子和分子的结合减弱，另外，剥离层41内的氢分子化，从晶体的结合中分离，即，TFT 19和基础基板40的结合力完全消失，可以容易拆除照射了激光光LA部分的TFT。

接着，如图5(c)所示，通过将基础基板40与配线基板3拉离，从而自基础基板40上去除TFT 19，同时，将TFT 19复制到配线基板3上。另外，TFT 19的端子借由TFT连接部21和导电性膏，连接到第一配线18上。

(TFT基板和有机EL基板的粘合工序)

接着，参照图6(a)、(b)，说明粘合上述TFT基板3和有机EL基板4，最终形成有机EL装置1a的工序。

首先，如图6(a)所示，在TFT基板3上形成电连接基板间连接电极20和有机EL元件31的基板间导通部34。基板间导通部34是形成在基板间连接电极20上的银膏，基板间导通部34的形成方法采用的是丝网印刷法等公知方法。

并且，如图6(b)所示，在与有机EL基板4相对向的位置上配置上述配线基板3，粘合配线基板3和有机EL基板4丙进行按压。这样，基板间导通部34的上面与阴极33接触，基板间导通部34被阴极33压扁，基板间连接电极20和阴极33借由基板间导通部34导通。其结果，有机EL元件31和TFT 19借由基板间导通部34等电连接。

在该状态下，在配线基板3和有机EL基板4之间封入惰性气体35，如图6(b)所示，通过密封配线基板3和有机EL基板4的周围，从而有机EL装置1a完成。

另外，作为惰性气体35的封入方法和基板的密封方法，有在密封配线基板3和有机EL基板4后封入惰性气体35，来进行密封的方法和在惰性气体气氛的容器内粘合配线基板3和有机EL基板4来进行密封的方法。

通过上述制造方法制造出的有机EL装置1a成为从有机EL基板4的配线基板3侧顺序配置了阴极33、有机EL元件、空穴注入/输送层、阳极的、从透明基板30侧取出发光光的顶部发光(top emission)型的有机EL装置。

如上所述，在TFT基板制造工序中，在TFT基板3上形成TFT 19、驱动IC 13、控制用LSI 14，在TFT基板和有机EL基板的粘合工序中，粘合TFT基板3和有机EL基板4，以使驱动IC 13和控制用LSI 14与有机EL基板4相对向。

因此，可以综合控制有机EL元件31的信号，以输入到有机EL显示装置1a内的控制用LSI 14中，由此，可借由驱动IC 13分配给TFT 19。即，可以减少向有机EL显示装置1a内的信号的输入路径，由此，可以减少含有湿气的空气侵入的危险，所以有机EL元件31难以受到损害。

(电子设备)

接着，说明具备了上述有机EL显示装置的电子设备的例子。图7是表示具备上述实施方式的显示装置的移动型个人计算机(信息处理装置)的结构的立体图。在该图中，个人计算机1100由具备键盘1102的主体部1104、将上述有机EL显示装置作为显示装置1106而具备的显示装置单元构成。因此，可以提供包括具有良好发光特性的显示部的电子设备。

除了上述例子之外，作为其他例子，可举出移动电话、手表型电子设备、液晶电视、取景器型或监视器直视型的磁带录像机、汽车驾驶导向装置、寻呼机(pager)、电子记事本、台式电子计算机、文字处理器、工作站(work station)、电视电话、POS终端、电子纸、具备触摸面板的设备等。本发明的电光学装置也可适用于这种电子设备的显示部。

而且，本发明的技术范围并不限于上述实施方式，能够在不脱离本发明的主旨的范围内施加各种变更。

例如，在上述实施方式中，虽然说明了将本发明适用于有机EL显示装置，但是本发明并不限于有机EL显示装置，也可适应于反射型的液晶显示装置等其他各种显示装置。

另外，在上述实施方式中，适于将控制用LSI 14安装在TFT基板3内的结构来进行说明，但是该控制用LSI 14也并不限于安装在TFT基板3内的结构，还可适用于将控制用LSI 14配置在有机EL显示装置1的外部的结构等其他各种结构。

此外，在上述实施方式中，虽然适于来自外部的信号的输入使用面发光激光器阵列16来进行说明，但是并不限于使用该面发光激光器，还可适应于采用光纤输入等其他各种输入形式。

还有，在上述实施方式中，虽然适于在使有机EL元件31发光的电流供给中采用在配线基板10上形成贯通孔而设置的电源供给部17的结构来进行说明，但是除使用该电源供给部17的结构之外，也可适于使用感应线圈向有机EL元件31供给电流的结构来进行说明。根据该构成，由于也可不在配线基板10上形成贯通孔，所以可进一步减少有机EL元件31受到损害的可能。

Claims (10)

1.一种有机电致发光显示装置，其中具有：包括射出光的电致发光元件的电致发光基板；和包括控制向所述电致发光元件供给的电流的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板，相对向配置所述电致发光基板和所述薄膜晶体管基板，其特征在于，

在从所述电致发光基板到所述薄膜晶体管基板之间配置有控制所述薄膜晶体管的第一控制机构。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光显示装置，其特征在于，在所述电致发光基板到所述薄膜晶体管基板之间配置有控制所述第一控制机构的第二控制机构。

3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光显示装置，其特征在于，在从所述电致发光基板到所述薄膜晶体管基板之间，配置有从外部接收控制所述电致发光元件的发光的光信号的光电二极管。

4.一种大型有机电致发光显示装置，其特征在于，

排列有多个权利要求1～3中任一项所述的有机电致发光显示装置。

5.一种大型有机电致发光显示装置，其特征在于，

排列多列有机电致发光显示装置，

周围被包围的有机电致发光显示装置是权利要求1～3中任一项所述的有机电致发光显示装置。

6.一种有机电致发光显示装置的制造方法，其中该有机电致发光显示装置具有：包括射出光的电致发光元件的电致发光基板；和包括控制向所述电致发光元件供给的电流的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板，其特征在于，具有：

第一工序，其制作所述电致发光基板；

第二工序，其在所述薄膜晶体管基板上形成所述薄膜晶体管和控制该薄膜晶体管的第一控制机构；和

第三工序，其粘合所述薄膜晶体管基板和所述电致发光基板，以使所述第一控制机构与所述电致发光基板相对向。

7.根据权利要求6所述的有机电致发光显示装置的制造方法，其特征在于，在所述第二工序中，在所述薄膜晶体管基板上形成所述第一控制机构后，将所述薄膜晶体管复制到所述薄膜晶体管基板上。

8.根据权利要求6或7所述的有机电致发光显示装置的制造方法，其特征在于，进一步具有在所述薄膜晶体管基板上形成控制所述第一控制机构的第二控制机构的工序。

9.根据权利要求6～8中任一项所述的有机电致发光显示装置的制造方法，其特征在于，进一步具有在所述薄膜晶体管基板上形成接收控制所述电致发光元件的发光的光信号的光电二极管的工序。

10.一种电子设备，其特征在于，使用了权利要求1～3中任一项所述的有机电致发光显示装置、权利要求4或5所述的大型有机电致发光显示装置或根据权利要求6～9中任一项所述的有机电致发光显示装置的制造方法制造出的有机电致发光显示装置。

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