CN1459372A - 图案的形成装置及方法、导电膜布线的制造方法及电子器件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种使边缘部形状良好并且可以实现加宽的图案的形成方法以及图案形成装置。该图案形成装置,通过喷出装置喷出液滴状态的液体材料,在基板上将该液滴配置成线状。在基板上将多个液滴配置成线状,在基板上形成多个线状图案之后,在这些多个线状图案之间配置多个液滴,使这些多个相邻线状图案之间形成一体化。
Description
技术领域
本发明涉及一种在基板上形成图案的方法及装置,特别涉及通过液滴喷出装置将液体材料以液滴的状态喷出在基板上而形成图案的技术。
背景技术
作为在基板上形成图案的技术,周知有采用旋转喷涂等涂敷技术在基板上形成由图案用液体材料构成的膜,然后采用光刻法将该膜形成为所希望的膜图案的方法。
对此,也提出了将液材料配置在基板上的所希望的位置上,在基板上直接形成膜图案的技术。在这种技术中,可以省略或者简化上述有关光刻的工艺。
作为在基板上的所希望位置上配置液体材料的技术,有通过设置喷吐装置的喷嘴将液体材料作为液滴喷吐的方法(参见特開平11-274671号公报、特開2000-216330号公报)。该喷吐法,与旋转涂敷法等涂敷技术相比,所具有的优点是液体材料的浪费少,容易对在基板上配置的液体材料的量和位置进行控制。又,容易应用于在旋转喷涂法中处理比较困难的大型基板中。
但是,在将液体材料形成液滴配置在基板上的技术中,存在很难加宽膜图案的宽度的问题。即,以膜图案的加宽作为目的,如果增大1个液滴的体积,或者增多配置在基板上的液体材料整体的量,膜图案的边缘部形状会产生凹凸形成,引起其性能的下降,或者产生液体滞留(隆起),成为产生断线或者短路等不良情况的原因。
发明内容
本发明正是针对这种实情的发明,其目的在于提供一种使边缘部形状良好并且可以实现加宽的图案的形成方法以及图案形成装置。
又,本发明的另一目的在于提供一种增加宽度有利于电传导的导电膜布线。
又,本发明的又一目的在于提供一种不容易产生布线部的断线或者短路等不良情况的电光学装置以及采用该装置的电子机器。
本发明的图案的形成方法,是通过液滴喷出装置喷出液滴状态的液体材料,在基板上形成图案的方法,其特征是包括由多个上述液滴在上述基板上形成多个第1图案的工艺,在上述多个第1图案之间配置多个上述液滴、使上述多个相邻第1图案之间形成一体化的工艺。
在上述图案的形成方法中,在基板上形成多个例如线状图案的第1图案后,通过使这些多个第1图案一体化,可以在基板上形成边缘部形状良好并且幅度宽的图案(膜图案)。
即,在形成多个第1图案时,通过适当控制配置在基板上的液滴的喷出条件,可以使多个第1图案的各边缘部形状处于凹凸少的良好状态。然后,通过在这些多个第1图案之间配置多个液滴,使其一体化,可以在不损失上述良好边缘部形状的情况下,加宽图案的幅度。
在上述图案的形成方法中,也可以在形成上述多个第1图案的工艺和使上述多个第1图案一体化的工艺中的各图案的形成,通过由上述液滴喷出装置喷出上述液滴进行,在形成上述多个第1图案的工艺中上述液滴喷出装置的喷出,是在与使上述多个第1图案一体化的工艺中上述液滴喷出装置的喷出不同的条件下,喷出上述液滴。
这样,可以提高生产效率。
例如,在使上述多个第1图案一体化的工艺中,与形成上述多个第1图案的工艺相比,通过增大上述液滴的体积后喷出,或者缩小液滴的配置间距后喷出,在使多个第1图案一体化时可以缩短所需要的时间。
又,在上述图案的形成方法中,优选对应上述图案的膜厚,控制上述多个第1图案的距上述基板表面的高度。
即,通过改变多个第1图案的高度(厚度),可以容易控制图案的膜厚。例如,通过增高多个第1图案的高度,可以容易增加图案的膜厚。
又,在上述图案的形成方法中,优选在将上述液滴喷出到上述基板上之前,对上述基板的表面进行斥液性处理。在此,斥液性处理是指使其具有对液体材料呈现非亲和性的特性的处理。
这样,可以防止配置在基板上的液滴的扩散,实现图案的厚膜化以及形状的稳定化。
又,上述液体材料优选由包含导电性微颗粒的液状体构成。
本发明的图案形成装置,是通过液滴喷出装置喷出液滴状态的液体材料,在基板上形成图案的图案形成装置,其特征是采用权利要求1所示的图案的形成方法在基板上形成图案。
在该图案形成装置中,可以在不损失良好边缘部形状的情况下,加宽图案的幅度。
本发明的导电膜布线,其特征是采用上述的图案形成装置形成。
该导电膜布线,由于实现了幅度加宽,有利于电传导。
本发明的器件的制造方法,是制造在基板上形成有导电膜布线的器件的器件的制造方法,其特征是包括通过液滴喷出装置喷出液滴状态的液体材料,在上述基板上形成图案的图案形成工艺,上述图案形成工艺包括通过将多个上述液滴配置在上述基板上在上述基板上形成相互大致平行的多个第1图案的工艺、在上述多个第1图案之间配置多个上述液滴、使上述多个第1图案之间成一体化的工艺。
在上述器件的制造方法中,在基板上形成多个第1图案后,通过使这些多个第1图案一体化,可以在基板上形成边缘部形状良好并且幅度宽的图案(膜图案)。为此,可以获得有利于电传导的导电膜布线。
又,本发明的电光学装置,其特征是包括上述的导电膜布线。作为电光学装置,例如可以举出等离子型显示装置、液晶显示装置、有机电致发光显示装置。
又,本发明的电子机器,其特征是包括上述的电光学装置。
依据这些发明,由于包括有利于电传导的导电膜布线,不容易产生布线部的断线和短路等不良情况。
附图说明
图1A、1B表示本发明的图案形成方法的实施方案,在基板上形成线状的导电膜图案时的流程的一例。
图2A~2C表示形成线状图案的更具体的过程。
图3A~3C表示在多条线状图案之间配置多个液滴的实例。
图4表示本发明的图案形成装置的实施方案,布线形成装置的概略立体图。
图5表示本发明的电光学装置被应用于等离子型显示装置中的实例。
图6表示本发明的电光学装置被应用于液晶显示装置中的实例。
图7表示本发明的电子机器被应用于包括液晶显示装置的移动电话中的实例。
图8表示本发明的电子机器被应用于包括液晶显示装置的便携式信息处理装置中的实例。
图9表示本发明的电子机器被应用于包括液晶显示装置的手表型电子机器中的实例。
图10表示本发明的器件制造方法被应用于液晶显示装置的开关元件以及信号线等的等效电路图。
图11表示本发明的器件制造方法被应用于液晶显示装置的TFT阵列基板的结构。
图12表示本发明的器件制造方法被应用于液晶显示装置的主要部位截面图。
图13表示本发明的器件制造方法被应用于彩色滤光片的模式图。
图14A~14F表示本发明的器件制造方法被应用于彩色滤光片的模式图。
图15A~15E表示本发明的器件制造方法被应用于有机EL装置的制造工艺模式图。
图16A~16C表示本发明的器件制造方法被应用于有机EL装置的制造工艺模式图。
图17A~17C表示本发明的器件制造方法被应用于有机EL装置的制造工艺模式图。
具体实施方式
以下,作为有关本发明的实施方案的一例,说明在基板上形成导电膜布线的方法。有关本实施方案的布线形成方法,是在基板上配置导电膜布线用的液体材料,在该基板上形成布线用的导电膜图案,包括表面处理工艺、材料配置工艺、以及热处理/光处理工艺等。此外,在液体材料的配置中,采用液滴喷吐装置,采用通过喷出头的喷嘴将液体材料作为液滴喷吐的液体喷吐法、所谓的喷墨法。在此,作为液滴喷吐装置的喷吐方式,也可以是通过压电体元件的体积变化喷吐液体材料(流动体)的压电喷出方式等。
作为导电膜布线用的基板,可以采用玻璃、石英玻璃、硅晶圆、塑料薄片、金属板等各种基板。又,在各种材料基板的表面上形成半导体膜、金属膜、电介质膜、有机膜等作为底层。
作为导电膜布线用的液体材料,在本例中,采用将导电性微颗粒分散在分散溶媒中的分散液(液状体)。又,可以是水性,也可以是油性。在此所采用的导电性微颗粒采用包含金、银、铜、钯、以及镍中任一种的金属微颗粒,此外也可以采用导电性共聚体或者超导电体的微颗粒等。
这些导电性微颗粒,为了提高其分散性也可以在表面上涂敷有机物等后使用。作为在导电性微颗粒的表面上涂敷的涂敷材料,例如可以举出二甲苯、甲苯等有机溶剂和柠檬酸等。
导电性微颗粒的颗粒直径优选在5nm以上0.1μm以下。如果比0.1μm大,有可能会堵塞上述液体喷吐头的喷嘴。又,如果比5nm小,涂敷剂对导电性微颗粒的体积比增大,所得到的膜中有机物的比例过高。
作为包含导电性微颗粒的液体的分散溶媒,在室温下的蒸气压力优选在0.001mmHg以上200mmHg以下(约0.133Pa以上26600Pa以下)。当蒸气压力比200mmHg高时,喷出后的分散溶媒急剧蒸发,很难形成良好的膜。
又,分散溶媒的蒸气压力更优选在0.001mmHg以上50mmHg以下(约0.133Pa以上6650Pa以下)。当蒸气压力比50mmHg高时,采用喷墨法喷吐液滴时由于干燥容易引起喷嘴堵塞。
另一方面,当室温下的蒸气压力比0.001mmHg低时,干燥慢,容易在膜中残留分散溶媒,在经过后续工艺的热以及/或者光处理后很难获得良好质量的导电膜。
作为上述分散溶媒,只要是可以分散上述导电性微颗粒而不出现凝聚的物质即可,并没有特别的限制。例如,除了水以外,可以列举出甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇类、n-庚烷、n-辛烷、癸烷、甲苯、二甲苯、异炳基苯、杜烯、茚、二戊烯、四氢化萘、八氢化萘、环乙基苯等碳氢化合物、或者乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲基乙醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、二甘醇甲基乙醚、1,2-二甲氧基乙烷、双(2-甲氧基乙基)乙醚、p-二氧六环等乙醚化合物,进一步可以列举出碳酸丙稀酯、γ-丁丙酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、环己酮等极性化合物。其中,从微颗粒的分散性和分散溶液的稳定性,以及容易应用于喷墨法的观点上看,优选采用水、醇类、碳氢化合物、乙醚系化合物,作为更优选的分散溶媒,可以采用水、碳氢化合物。这些分散溶媒可以单独使用,也可以2种以上混合使用。
上述导电性微颗粒分散在分散溶媒中时的分散介质浓度在1质量%以上80质量%以下,可以更加所希望的导电膜的膜厚进行调整。此外,如果超过80质量%,容易产生凝聚,而不容易获得均匀的膜。
上述导电性微颗粒的分散液的表面张力优选在0.02N/m以上0.07N/m以下。在采用喷墨法喷吐液体时,如果表面张力达不到0.02N/m,墨水组成物的对喷嘴面的粘接性增大,容易产生飞行弯曲,如果超过0.07N/m,在喷嘴前端的弯月面形状不稳定,难以进行喷出量、喷出时刻的控制。
为了调整表面张力,在上述分散液中,在不大量降低与基板之间的接触角的范围内,可以添加微量的氟系、硅系、非离子系等表面张力调节剂。非离子系表面张力调节剂可以提高液体对的粘接性,改善平整性,防止产生膜的微细凹凸等情况。
上述分散液,根据需要,也可以包含醇、乙醚、酯、酮等有机化合物。
上述分散液的粘度优选在1mPa·s以上50mPa·s以下。采用喷墨法将液体材料作为液滴喷出时,如果粘度小于1mPa·s在喷嘴周边部上会流出墨水,容易产生污染,又如果粘度大于50mPa·s时,喷嘴孔的堵塞频度增高,难以圆滑喷出液滴。
进一步,作为导电膜布线用的液体材料,可以采用包括有机金属化合物,有机金属咯合物以及相类似的物质的液体材料。作为有机金属化合物,例如可以举出有机银化合物,将有机银化合物分散在规定的溶媒中(溶解)后的溶液可以作为导电膜布线用液体材料使用。这时,作为溶媒,例如可以采用乙二醇二乙醚。作为液体材料采用有机银化合物(有机金属化合物)时,通过对液体材料进行热处理或者光处理,将有机成分除去,使银颗粒(金属颗粒)残留,实现导电性。
(表面处理工艺)
在表面处理工艺中,将形成了导电膜布线的基板表面加工成对液体材料具有斥液性。具体讲,使对包含导电性微颗粒的液体材料的规定接触角在60[deg]以上,优选在90[deg]以上110[deg]以下,对基板实施表面处理。
作为控制表面的斥液性(粘接性)的方法,例如可以采用在基板表面上形成自己组织化膜的方法、等离子处理方法等。
在自己组织化膜形成法中,在要形成导电膜布线的基板表面上形成有机分子膜等构成的自己组织化膜。
用于处理基板表面的有机分子膜包括可以与基板连接的功能基、在其相反侧改质成所谓亲液基或者远液基的基板的表面性(控制表面能量)的功能基、连接这些功能基的碳直链或者一部分分支后的碳链。与基板结合并自己组织化后形成分子膜,例如单分子膜。
在此,自己组织化膜是指由可以与基板底层等的构成原子反应的结合性功能基和这之外的直链分子构成、通过直链分子的相互作用使具有极高的取向性的化合物取向后所形成的膜。该自己组织化膜由于是使单分子取向后形成,可以形成极薄厚度的膜,并且可以在分子水平上形成均匀膜。即,由于在膜的表面为相同分子,可以在膜表面上均匀形成并且具有优异的斥液性或者亲液性。
作为上述具有高取向性的化合物,例如通过采用氟烷基硅烷(fluoroalkyl silane),使氟烷基处于膜表面上,对各化合物取向,形成自己组织化膜,在膜表面上形成均匀的斥液性。
作为形成自己组织化膜的化合物,可以列举出十七氟(heptadecafluoro)-1,1,2,2四氢癸基三乙氧基硅烷(tetrahydro decyltriethoxy silane)、十七氟-1,1,2,2四氢癸基三甲氧基硅烷(tetrahydro decyltrimethoxy silane)、十七氟-1,1,2,2四氢癸基三氯硅烷(tetrahydro decyltrichloro silane)、十三氟(tridecafluoro)-1,1,2,2四氢辛基三乙氧基硅烷(tetrahydro octyl triethoxy silane)、十三氟-1,1,2,2四氢辛基三甲氧基硅烷(tetrahydro octyl trimethoxy silane)、十三氟-1,1,2,2四氢辛基三氯硅烷(tetrahydro octyl trichloro silane)、三氟丙烷基三甲氧基硅烷(trifluoropropyl trimethoxy silane)等氟烷基硅烷(以下称为「FAS」)。这些化合物,可以单独使用,也可以2种以上组合使用。此外,通过采用FAS,可以获得与基板的密接性良好的斥液性。
FAS,一般可以采用构造式RnSiX(4-n)表示。在此,n表示1以上2以下的整数,X表示甲氧基、乙氧基、卤素原子等的加水分解基。又,R表示氯烷基,具有(CF3)(CF2)x(CH2)y(在此x表示0以上10以下的整数,y表示0以上4以下的整数结构,多个R或者X与Si结合时,R或者X分别可以是相同,也可以是不同。X表示的加水分解基通过加水分解形成硅烷醇,与基板(玻璃、硅)的底部的氢氧基反应,通过硅氧烷结合与基板结合。另一方面,由于R在表面上(CF3)等的氢基,将基板的底部表面改质成没有粘接性的表面(表面能量低)。
由有机分子膜等构成的自己组织化膜,通过将上述原料化合物和基板放入到同一密封容器中并在室温下放置2~3日的程度后,在基板上形成。又,通过使密封容器整体保持在100℃,经过3小时程度在基板上形成。这是通过气相的形成方法,也可以在液相中形成自己组织化膜。例如,将基板浸渍在包含原料化合物的溶液中,通过洗净、干燥后在基板上形成自己组织化膜。
此外,在形成自己组织化膜之前,希望实施用紫外光照射基板表面,或者用溶媒洗净等,对基板表面的前处理。
在等离子处理方法中,在常压或者真空中,对基板进行等离子照射。用于等离子处理的气体种类,可以根据要形成导电膜布线的基板表面的材质进行各种选择。作为处理气体,例如可以列举出4氟化甲烷、全氟己烷、全氟癸烷等。
此外,将基板表面加工成斥液性的处理,也可以通过在基板表面上粘贴具有所希望的斥液性的薄片,例如经过4氟化乙烯后的聚酰亚胺薄片等。又,斥液性高的聚酰亚胺薄片也可以直接用作为基板。
又,当基板表面具有比所希望的斥液性还要高的斥液性时,通过照射170~400nm的紫外光,或者使基板暴露在臭氧环境中,对基板表面进行亲液性化处理,控制基板表面的粘接性。
(材料配置工艺)
图1A、1B作为在基板上配置液体材料的方法的一例,表示在基板上形成线状导电膜图案时的流程的一例。
在该材料配置工艺中,包括在基板上形成多个线状图案(第1图案)的第1工艺(图1A)、使多个线状图案一体化的第2工艺(图1B)。以下对其进行详细说明。
在第1工艺中,如图1A所示,从液体喷头10喷出液体材料形成液滴,该液滴按照一定距离(间距)配置在基板11上。然后,反复进行该液滴的配置动作,在基板11上形成多个(在本例中为2条)线状图案W1、W2。
图2A~2C表示在上述第1工艺中,形成线状图案的更具体过程。
首先,如图2A所示,从液体喷头10喷出的液滴L1,相隔一定间隔依次配置在基板11上。在本例中,液滴L1的配置间距P1设定成比刚配置在基板11上的液滴L1的直径要大。这样,刚配置在基板11上的液滴L1之间相互不相连,可以防止液滴L1之间合起来在基板11上扩展的情况。又,液滴L1的配置间距P1设定成小于刚配置在基板11上的液滴L1的直径的2倍。
在基板11上配置液滴L1后,为了除去分散溶媒,根据需要进行干燥处理。干燥处理,例如除了采用例如热板、电炉、热风机等加热方式的一般性加热处理之外,也可以采用灯退火方式进行。作为在灯退火中使用的光的光源,并没有特别限制,可以使用红外线灯、氙灯、YAG激光、氩气激光、碳酸气体激光、XeF、XeCl、XeBr、KeF、KrCl、ArF、ArCl等受激准分子激光等。这些光源的输出范围一般采用10W以上5000W以下,在本例中采用100W以上1000W以下。
此外,这时不仅除去分散溶媒,也可以在将分散液变换成导电膜之前,加大加热或者光照射的程度。但是,导电膜的变换,由于可以在所有的液体材料的配置结束后,在热处理/光处理工艺集中进行,在此,只要能在某种程度上除去分散溶媒就足够了。例如,对于热处理,通常100℃左右的加热进行数分钟即可。
又,干燥处理也可以与液体材料的喷出并行同时进行。例如,预先对基板加热,通过在液体喷头冷却的同时使用沸点低的分散溶媒,在刚将液滴配置在基板上后,可以进行其液滴的干燥。
然后,如图2B所示,反复进行上述液滴的配置动作。即,和图2A所示情况同样,从液体喷头10喷出液体材料形成液滴L2,将该液滴L2按照一定距离配置在基板11上。
这时,液滴L2的体积(每一个液滴的液体材料的量),以及其配置间距P2和前次的液滴L1相同。又,液滴L2的配置位置与前次液滴L1只相距1/2间距,在配置在基板11上的前次的液滴L1之间的中间位置上配置本次的液滴L2。
如上所述,基板11上的液滴L1的配置间距P1,比刚配置在基板11上的液滴L1的直径大,并且小于其直径的2倍。为此,通过在液滴L1的中间位置上配置液滴L2,使液滴L2与液滴L1一部分重叠,埋入到相邻液滴L1之间的间隙中。
这时,虽然本次的液滴L2与前次的液滴L1相连接,由于前次液滴L1中的分散溶媒已经完全或者某种程度已经被除去,不会形成两者合起来在基板11上扩散的情况。
此外,在图2B中,液滴L2开始配置的位置虽然和前次是相同一侧(图2B所示的左侧),也可以从相反侧(图2B所示的右侧)开始。在往返动作中都进行液滴的喷出,可以减少液体喷吐10和基板11之间相对移动的距离。
在将液滴L2配置在基板11上后,为了除去分散溶媒,和前次同样,根据需要进行干燥处理。这时不仅除去分散溶媒,也可以在将分散液变换成导电膜之前,加大加热或者光照射的程度,但是,只要能在某种程度上除去分散溶媒就足够了。
通过反复多次进行这一连串的液滴配置动作,覆盖配置在基板11上液滴之间的间隙,如图2C所示,在基板11上形成线状的连续图案(线状图案W1、W2)。这时,通过增加液滴配置动作的反复的次数,在基板11上依次重叠液滴,将增加线状图案W1、W2的膜厚,即距基板11的表面的高度(厚度)。线状图案W1、W2的高度(厚度),根据最终膜图案所需要的膜厚确定。因此,可以确定上述液滴配置动作的反复次数。
此外,线状图案的形成方法,并不限定于图2A~2C所示的方法。例如,液滴的配置间距、反复时的偏移量等可以任意设定。
返回到图1A,液滴的喷出条件,特别是液滴的体积以及液滴的配置间距,按照使在基板11上形成的线状图案W1、W2的边缘部形状成为凹凸微小的良好状态来确定。此外,基板11的表面由于预先加工成斥液性,可以一致配置在基板11上的液滴的扩散。为此,可以可靠将线状图案的边缘部的形状控制成上述良好的状态,同时容易实现厚膜化。
多个线状图案W1、W2,可以2条同时形成,也可以1条1条形成。此外,1条1条形成多个线状图案W1、W2时,和2条同时形成的情况相比,干燥处理的次数的合计有可能增加,在不损失基板11的斥液性的情况下,确定干燥条件。
又,在本例中,多个线状图案W1、W2,配置在相互隔开的位置上,也可以相互一部分重叠进行配置。
然后,在第2工艺中,如图1B所示,从液体喷吐10喷出液体材料形成液滴,在多个线状图案W1、W2之间配置该液滴,使多个线状图案W1、W2之间一体化。
图3A~图3C,分别表示在上述第2工艺中,多个线状图案W1、W2之间配置多个液滴的实例。
在图3A的例中,和上述第1工艺相同的喷出条件下,在多个线状图案W1、W2之间配置多个液滴Ln。即,和第1工艺相同的体积以及间距,将多个液滴Ln配置在多个线状图案W1、W2之间,并多次反复该配置动作。在多个线状图案W1、W2之间,形成以各线状图案W1、W2作为壁的凹部,多个液滴Ln依次被收容在该凹部内。
液滴的配置动作,例如,在上述凹部由液滴(液体材料)充满之前反复进行。此外,在第2工艺中,在每次反复进行的一连串液滴配置动作时,也可以和第1工艺同样进行为除去分散溶媒的干燥处理,也可以省略干燥处理。即,在第2工艺中,即使在未干燥的液滴之间在基板上重叠,由于多个线状图案W1、W2成为壁,也不会在基板11上扩散。通过省略干燥处理,可以提高生产能力。
在图3B的例中,和上述第1工艺的喷出条件不同,和第1工艺相比,增大了液滴Ln的体积。即,增大了一次喷出的液体材料的量。此外,在本例中,液滴Ln的配置间距,和第1工艺相同。通过增大液滴Ln的体积,由多个线状图案W1、W2形成的凹部,可以在短时间内被液滴充满。
在图3C的例中,和上述第1工艺的喷出条件不同,和第1工艺相比,减小了液滴Ln的配置间距。此外,液滴Ln的体积可以和第1工艺相同,也可以如图3B所示,和第1工艺相比要大。通过减小液滴的配置间距,增加了单位面积的液滴的配置量,由多个线状图案W1、W2形成的凹部,可以在短时间内被液滴充满。
返回到图1B,通过在多个线状图案W1、W2之间配置多个液滴,在其间的凹部充满液滴(液体材料),使多个线状图案W1、W2之间一体化,形成1条线状图案W。该线状图案W的线宽,包括上述形成的多个线状图案W1、W2的各线宽,可以实现宽度加宽。
这时,根据在第1工艺中形成的多个线状图案W1、W2的距离间隔,确定最终的线状图案W的线宽。即,通过改变在第1工艺中形成的多个线状图案的距离间隔,可以控制一体化后的最终的线状图案W的宽度。
又,通过改变该板与在第1工艺中形成的多个线状图案W1、W2的基板表面相距的高度(厚度),可以控制一体化后的线状图案W的膜厚。例如,通过增加在第1工艺中形成的多个线状图案W1、W2的高度,可以容易增加一体化后的线状图案W的膜厚。
此外,在本例中,在第1工艺中虽然形成2条线状图案,也可以形成3条以上的线状图案。通过增加一体化后的线状图案的数量,可以容易形成更宽线宽的线状图案。
(热处理/光处理工艺)
在热处理/光处理工艺中,除去包含在配置在基板上的液滴中的分散溶媒或者涂敷材料。即,配置在基板上的导电膜形成用的液体材料,为了使微颗粒之间的电接触良好,需要将分散溶媒完全除去。又,为了在导电性微颗粒的表面提高分散性,涂敷了有机物等涂敷材料时,也需要将涂敷材料除去。
热处理以及/或者光处理虽然通常在大气环境中进行,但根据需要,也可以在氮气、氩气、氦气等惰性气体环境中进行。热处理以及/或者光处理的处理温度,根据分散溶媒的沸点(蒸气压力)、环境气体的种类和压力、微颗粒的分散性和氧化性等热参量,涂敷材料的有无和量、基板材料的耐热温度等,适当确定。
例如,为了除去有机物构成的涂敷材料,需要进行约300℃的烧成。又,使用塑料等基板时,优选在室温以上100℃以下的温度进行。
热处理以及/或者光处理,例如除了采用例如热板、电炉等加热方式的一般性加热处理之外,也可以采用灯退火方式进行。作为在灯退火中使用的光的光源,并没有特别限制,可以使用红外线灯、氙灯、YAG激光、氩气激光、碳酸气体激光、XeF、XeCl、XeBr、KeF、KrCl、ArF、ArCl等受激准分子激光等。这些光源的输出范围一般采用10W以上5000W以下,在本例中采用100W以上1000W以下的范围就足够了。
通过上述热处理以及/或者光处理,可以确保微颗粒之间的电接触,变换成导电膜。
通过以上说明的一连串工艺,在基板上形成线状的导电膜图案。在本例的布线形成方法中,即使一次可形成线状图案的线宽有限制,通过形成多个线状图案并使其一体化,可以实现对线状图案的加宽。这时,在不损坏先前形成的多个线状图案的良好边缘部的形状的情况下,原样留下其边缘部。并且通过改变先前形成的多个线状图案的间隔和距基板表面的高度,可以控制最终的导电膜图案的宽度和膜厚。为此,容易实现加宽和加厚,有利于电传导,并且可以形成不容易产生布线部的断线和短路等不良情况发生的导电膜图案。
以下,作为本发明膜图案形成装置的一例,说明实施上述布线形成方法的布线形成装置。
图4是本实施方案的布线形成装置的概略立体图。如图4所示,布线形成装置100,包括液体喷头10、在X方向上驱动液体喷头10的X方向导引轴2、使X方向导引轴2转动的X方向驱动电机3、载置基板11的载置台4、在Y方向上驱动载置台4的Y方向导引轴5、使Y方向导引轴5转动的Y方向驱动电机6、清洗机构部14、加热器15以及整体控制的控制装置8等。X方向导引轴2以及Y方向导引轴5分别固定在基台7上。此外,在图4中,液体喷头10虽然配置成与基板11的行进方向垂直,也可以调整液体喷头10的角度,与基板11的行进方向交差。这样,通过调整液体喷头10的角度,可以调节喷嘴之间的间距。又,也可以任意调节基板11和喷嘴面之间的距离。
液体喷头10被固定在X方向导引轴2上,从喷嘴(喷出口)喷出由包含导电性微颗粒的分散液构成的液体材料。X方向驱动电机3采用步进电机等,当由控制装置8供给X轴方向的驱动脉冲信号时,使X方向导引轴2转动。通过X方向导引轴2的转动,液体喷头10相对于基台7在X轴方向上移动。
作为液体喷吐方式,可以采用利用压电元件喷出墨水的压电方式,对液体材料加热产生泡而将液体材料喷出的泡泡方式等周知的各种技术。其中,压电方式由于不需要对液体材料加热,具有不会对材料的组成等产生影响的优点。此外,在本例中,从液体材料选择的自由度以及液滴控制的良好性的观点出发,采用上述压电方式。
载置台4被固定在Y方向导引轴5上,在Y方向导引轴5上连接Y方向驱动电机6、16。Y方向驱动电机6、16采用步进电机等,当由控制装置8供给Y轴方向的驱动脉冲信号时,使Y方向导引轴5转动。通过Y方向导引轴5的转动,载置台4相对于基台7在Y轴方向上移动。
清洗机构部14,对液体喷头10进行清洗,防止喷嘴的堵塞。清洗机构部14在进行上述清洗时,由Y方向驱动电机16沿Y方向导引轴5移动。
加热器15采用灯退火灯加热装置对基板11进行热处理,使喷吐到基板11上的液体进行蒸发、干燥,同时进行变换成导电膜的热处理。
在本实施方案中的布线形成装置100中,在从液体喷头10喷出液体材料的同时,通过X方向驱动电机3以及/或者Y方向驱动电机6,使液体喷头10和基板11相对移动,在基板11上配置液体材料。
液体喷头10的各喷嘴的液滴喷出量由从控制装置8供给的上述压电元件的电压所控制。
又,配置在基板11上的液滴间距,由上述相对移动的速度、以及从液体喷头10的喷吐频率(施加到压电元件的驱动电压的频率)所控制。
又,在基板11上液滴的起始位置,由上述相对移动的方向、以及上述相对移动时从液体喷头10喷出液滴的开始时刻等所控制。
这样,在基板11上形成上述布线用的导电膜图案。
以下,作为本发明的电光学装置的一例,说明等离子型显示装置。
图5是表示本实施方案的等离子型显示装置500的分解立体图。
等离子型显示装置500包括相互对向配置的基板501、502以及在其间形成的放电显示部510。
放电显示部510,聚集了多个放电室516。在多个放电室516中以红色放电室516(R)、绿色放电室516(G)、蓝色放电室516(B)的3个放电室516成1组构成1像素。
在基板501的上面按规定间隔形成条状的地址电极511,形成电介质层519覆盖地址电极511和基板501。在电介质519上在地址电极511、511之间沿各地址电极511形成隔壁515。隔壁515包括与地址电极511的宽度方向左右两侧邻近的隔壁和在与地址电极511垂直的方向上延伸的隔壁。又,与由隔壁515区分的长方形区域对应,形成放电室516。
又,在由隔壁515区分的长方形区域的内侧上配置荧光体517。荧光体517是发出红、绿、蓝的某种荧光的物质,在红色放电室516(R)的底部配置红色荧光体517(R)、在绿色放电室516(G)的底部配置绿色荧光体517(G)、在蓝色放电室516(B)的底部配置蓝色荧光体517(B)。
另一方面,在基板502上,在与上述地址电极511垂直的方向上按规定间隔形成条状的多个显示电极512。进一步,形成电介质层513以及由MgO构成的保护膜514以便覆盖这些电极。
基板501和基板502,使上述地址电极511…和显示电极512相互垂直后,相互对向粘贴在一起。
上述地址电极511和显示电极512与图中未画出的交流电源连接。通过在各电极中通电,使放电显示部510中的荧光体517励激发光,可以进行彩色显示。
在本实施方案中,上述地址电极511以及显示电极512分别采用上述图4所示的布线形成装置,按照上述图1A、图1B所示的布线形成方法形成。为此,不容易出现上述各类布线的断线或者短路等不良情况,并且容易实现小型化、薄型化。
以下,作为本发明的电光学装置的另一例,说明液晶装置。
图6表示本实施方案的液晶装置的第1基板上的信号电极等的平面布局。本实施方案的液晶装置,大致由该第1基板、设置了扫描电极等的第2基板(图中未画出)、在第1基板和第2基板之间封入的液晶(图中未画出)所构成。
如图6所示,在第1基板300上的像素区域303上,按照多重行列状设置多个信号电极310…。特别是,各信号电极310…由与各像素对应设置的多个像素电极部分310a…和将这些连接成多重行列状的信号布线部分310b…所构成,并在Y方向上延伸。
又,符号350表示1个芯片构成的液晶驱动电路,该液晶驱动电路350和信号布线部分310b…的一端侧(图中下侧)之间通过第1引线布线331…连接。
又,符号340…表示上下导通端子,该上下导通端子340…和设置在图中未画出的第2基板上的端子之间通过上下导通材料341连接。又,上述导通端子340…和液晶驱动电路350之间通过第2引线布线332…连接。
在本实施方案中,设置在上述第1基板300上的信号布线部分310b…、第1引线布线331…以及第2引线布线332…分别采用上述图4所示的布线形成装置,按照上述图1A、图1B所示的布线形成方法形成。为此,不容易出现上述各类布线的断线或者短路等不良情况,并且容易实现小型化、薄型化。又,即使在大型化的液晶用基板的制造中应用的情况下,也可以有效使用布线用材料,可以降低成本。此外,可以应用本发明的器件,并不限定于这些电光学装置,例如也可以在形成导电膜布线的电路基板、半导体的安装布线等其它器件的制造中应用。
以下,说明本发明的电子机器的具体例。
图7表示移动电话的一例的立体图。在图7中,1600表示移动电话本体,1601表示包括上述图6所示液晶装置的液晶显示部。
图8表示字处理机、微计算机等便携式信息处理装置的一例的立体图。在图8中,1700表示信息处理装置,1701表示键盘等输入部、1703表示信息处理本体,1702表示包括上述图6所示液晶装置的液晶显示部。
图9表示手表型电子机器的一例的立体图。在图9中,1800表示手表本体,1801表示包括上述图6所示液晶装置的液晶显示部。
图7~图9所示的电子机器,由于包括上述实施方案的液晶装置,因此不容易出现布线的断线或者短路等不良情况,并且容易实现小型化、薄型化。
此外,本实施方案的电子机器虽然包括液晶装置,也可以是包括有机电致发光显示装置、等离子型显示装置等其它电光学装置的电子机器。
以下,说明本发明的制造方法的其它应用例。
本发明可以在制造图10~图12所示液晶显示装置中应用。本实施方案的液晶显示装置,是作为开关元件采用TFT(ThinFilm Transistor)元件的有源矩阵透射型液晶装置。图10表示该透射型液晶装置的配置成矩阵状的多个像素中的开关元件、信号线等的等效电路图。图11表示形成了数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板的相邻近的多个像素群的构成的要部平面图。图12表示图11中的A-A’线截面图。此外,在图12中,表示图中上侧为光入射侧,图中下侧为辨认侧(观察者侧)的情况。又,在各图中,为了使各层和各部件在图面上可以辨认,而对各层和各部件分别采用了不同的比例尺。
在本实施方案的液晶显示装置中,如图10所示,在配置成矩阵状的多个像素中,分别形成像素电极109、和对该像素电极109进行通电控制的开关元件的TFT元件130,供给像素信号的数据线106a与该TFT元件130的源极电连接。在数据线106a上,写入图象信号S1、S2、…、Sn依次按线顺序供给,或者对相邻多条数据线106a成组供给。又,扫描线103a与TFT元件130的栅极电连接,对多个扫描线103a,按照规定的时序依次施加脉冲的扫描信号G1、G2、…、Gn。又,像素电极109与TFT元件130的源极电连接,通过使开关元件的TFT元件130在一定期间中处于ON状态,按照规定的时序写入由数据线106a供给的图象信号S1、S2、…、Sn。通过像素电极109,写入到液晶中的规定电平的图象信号S1、S2、…、Sn,在后述的公共电极之间保持一定期间。液晶,通过根据所施加电压电平改变分子集合的取向和秩序,对光调制,显示辉度。在此,为了防止所保持的图象信号泄漏,与在像素电极109和公共电极之间形成的液晶电容并联设置积蓄电容170。
以下,参照图11,说明本实施方案的液晶显示装置的平面结构。如图11所示,在TFT阵列基板上,由铟锡氧化物(Indium Tin Oxide,以下简称为ITO)等透明导电性材料构成的举行政的像素电极109(由虚线部109A所示其轮廓)多个配置成矩阵状,沿像素电极109的纵横边界分别设置数据线106a、扫描线103a以及电容线103b。该像素电极109与在扫描线103a和数据线106a之间的各交叉部上对应设置的TFT元件130电连接,可以进行每个像素的显示。数据线106a,与构成TFT元件130的例如由多晶硅膜构成的半导体层101a中的后述的源极区域通过导孔105电连接,像素电极109与半导体层101a中的后述元件区域通过导孔108电连接。又,与半导体层101a中的后述的通道区域(图中左上斜线所示区域)对向,配置扫描线103a,扫描线103a与通道区域对向的部分上作为栅极作用。电容线103b包括沿扫描线103a略直线状延伸的本线部(即平面观察时沿扫描线103a形成的第1区域)、和从与数据线106a交叉的地方开始沿数据线106a相前段侧(图中向上的方向)喷出的喷出部(即平面观察时沿数据线106a延伸设置的第2区域)。
以下,参照图12,说明本实施方案的液晶显示装置的截面结构。图12,如上所述,是图11的A-A’线截面图,表示形成TFT元件130的区域的构成的截面图。在本实施方案的液晶显示装置中,在TFT阵列基板110和与其对向配置的对向基板120之间夹持液晶层150。TFT阵列基板110以透光的基板本体110A、在其液晶层150侧表面上形成的TFT元件130、像素电极109、取向膜140作为主体构成,对向基板120以透光的塑料基板(基板本体)120A、在其液晶层150侧表面上形成的公共电极121和取向膜160作为主体构成。然后,各基板110、120通过定距器115保持规定基板间隔(间隙)。在TFT阵列基板110中,在基板本体110A的液晶层150侧表面上设置像素电极109,在与各像素电极109相邻的位置上,设置开关控制各像素电极109的像素开关用TFT元件130。像素开关用TFT元件130具有LDD(Lightly Doped Drain)结构,包括扫描线103a、由该扫描线103a产生的电场形成通道的半导体层101a的通道区域101a’、使扫描线103a和半导体层101a绝缘的栅极绝缘膜102、数据线106a、半导体层101a的低浓度源极区域101b以及低浓度漏极区域101c、半导体层101a的高浓度源极区域101d以及高浓度漏极区域101e。在上述扫描线103a上、包含栅极绝缘膜102的基板本体110A上,形成开设了通过高浓度源极区域101d的导孔105、以及通过高浓度漏极区域101e的导孔108的第2层间绝缘膜104。即,数据线106a通过贯通第2层间绝缘膜104的导孔105与高浓度源极区域101d电连接。进一步,在数据线106a上以及第2层间绝缘膜104上,形成开设了通过高浓度漏极区域101e的导孔108的第3层间绝缘膜107。即,高浓度漏极区域101e通过贯通第2层间绝缘膜104以及第3层间绝缘膜107的导孔108与像素电极109电连接。
在本实施方案中,栅极绝缘膜102从与扫描线103a对向的位置开始延伸设置,作为电介质膜使用,通过延伸设置半导体膜101a作为第1积蓄电容电极101f,进一步与其对向的电容线103b的一部分作为第2积蓄电容电极,构成积蓄电容170。又,TFT阵列基板110A和像素开关用TFT元件130之间,形成为了使构成像素开关用TFT元件130的半导体层101a与TFT阵列基板110A电绝缘的第1层间绝缘膜112。进一步,在TFT阵列基板110的液晶层150侧表面上,即像素电极109以及第3层间绝缘膜107上形成当没有电压施加控制液晶层150内的液晶分子的取向的取向膜140。因此,在具有这样的TFT元件130中的区域中,在TFT阵列基板110的液晶层150侧表面上,即液晶层150的夹持面上形成多个凹凸或者段差。另一方面,在对向基板120上,在基板本体120A的液晶层150侧表面、与数据线106a、扫描线103a、像素开关用TFT元件130的形成区域(非像素区域)对向的区域上,设置防止入射光侵入导像素开关用TFT元件130的半导体层101a的通道区域101a’和低浓度源极区域101b、低浓度漏极区域101c的第2遮光膜123。进一步,在形成第2遮光膜123的基板本体120A的液晶层150侧上,在大致整个面上,形成ITO等构成的公共电极121,在器液晶层150侧,形成当没有电压施加控制液晶层150内的液晶分子的取向的取向膜160。
在本实施方案中,数据线106a、构成栅极的扫描线103a、电容线103b、以及像素电极109等采用本发明的制造方法形成。
本发明也可以用于形成成为彩色滤光片的构成要素的膜。图13表示在基板P上形成彩色滤光片的图,图14A~14F表示彩色滤光片的制造过程。如图13所示,在本例中,在长方形形状的基板P上为提高生产效率,矩阵状形成多个彩色滤光片区域251。这些彩色滤光片区域251,通过在后面切断基板P,可以作为适合液晶显示装置的彩色滤光片使用。彩色滤光片区域251分别按照规定图案,在本例中采用现有的周知的条状型形成R(红)的液状体组成物、G(绿)的液状体组成物以及B(蓝)的液状体组成物。此外,作为该形成图案,除了条状型之外,也可以是马赛克型、三角形、或者方形等。然后,在RGB各个液状体组成物上添加上述界面活性剂。
为了形成这样的彩色滤光片251区域,首先如图14A所示,在透明基板P的一面上形成堤岸252。该堤岸252的形成方法是在旋转喷吐后进行嚗光、显影。堤岸252在平面视图中形成为格子状,在格子所包围的堤岸内部配置墨水。这时,优选堤岸252具有斥液性。又,优选堤岸252作为黑底作用。然后,如图14B所示,从上述液滴喷头喷出液状体组成物的液滴254,滴入到滤光片元件253中。喷出液滴254的量,为在加热工艺中液状体组成物的体积减少后仍有足够的量。这样在基板P上的所有滤光片元件253中充填液滴254后,利用加热器将基板P加热到规定温度(例如70℃左右)进行加热处理。经过该加热处理,使液状体组成物的溶媒蒸发,减少液状体组成物的体积。该体积减少多时,重复进行液滴喷吐工艺和加热工艺,直到得到作为彩色滤光片的足够膜厚为止。经过该处理后,包含在液状体组成物中的溶媒蒸发,最后只留下包含在液状体组成物中的固形成分,形成膜,成为图14C所示的彩色滤光片255。然后,对基板P进行平坦化,并且为了包含彩色滤光片255,如图14D所示,在基板P上形成保护模256,覆盖彩色滤光片256和堤岸252。该保护模256的形成,可以采用旋转喷涂法、辊涂法、剥开法等方法,也可以和彩色滤光片255同样,采用液滴喷涂法进行。然后,如图14E所示,在该保护模256的整个面上采用溅射法或者真空蒸镀法形成透明导电膜257。然后,对透明导电膜257图案化,如图14F所示,使像素电极258与滤光片元件253对应进行图案化。此外,当采用TFT(Thin FilmTransistor)进行液状显示屏的驱动时,不需要进行该图案化。
在本实施方案中,在形成彩色滤光片255和像素电极258时可以使用本发明的制造方法。在形成彩色滤光片时,在堤岸内配置多个液滴形成多个线状图案,然后配置液滴使上述多个线状图案之间一体化。
本发明也可以在制造有机EL装置时应用。参照图15A~15E-图17A~17C说明有机EL装置的制造方法。此外,在图15A~15E-图17A~17C中,为了简化说明,只示出了单一像素。
首先,准备基板P。在此,在有机EL元件中由后述的发光层所产生的发光可以从基板侧取出。也可以从与基板相反一侧取出。采用从基板侧取出发光的构成时,作为基板材料采用玻璃或者石英、树脂等透明或者半透明的材料,特别优选采用价低的玻璃。在本例中,作为基板,如图15A所示,采用玻璃等构成的透明基板P。然后,在基板P上形成非晶硅膜构成的半导体膜700。然后,对该半导体膜700进行激光退火或者固相生长法等结晶化工艺,使半导体膜700结晶化,成为多晶硅膜。然后,如图15B所示,对半导体膜(多晶硅膜)700图案化,形成岛状的半导体膜710,在其表面上形成栅极绝缘膜720。然后,如图15所示形成栅极电极643A。然后,在该状态下打入高浓度的磷离子,在半导体膜710中对栅极643A自己匹配形成源极、漏极区域643a、643b。此外,没有导入杂质的部分成为通道区域643c。然后,如图15D所示,在形成具有导孔732、734的层间绝缘膜730之后,在这些导孔732、734内埋入中继电极736、738。然后,如图15E所示,在层间绝缘膜730上,形成信号线632、公共供电线633以及扫描线(图15A~15E中未画出)。在此,中继电极736和各布线也可以在同一工艺中形成。这时,中继电极736由后述的ITO膜形成。然后,形成层间绝缘膜740覆盖在各布线的上面,在与中继电极736对应的位置形成导孔(图中未画出),在该导孔内形成ITO膜埋入其中,进一步,对该ITO膜图案化,在包围信号线632、公共供电线633以及扫描线(图中未画出)的规定位置上形成与源极、漏极区域643a电连接的像素电极641。在此,信号线632、公共供电线633以及扫描线(图中未画出)所夹持的部分,成为后述的空穴注入层和发光层的形成场所。
然后,如图16A所示,形成堤岸650包围上述形成场所。该堤岸650作为分隔部件作用,例如优选由聚酰亚胺等绝缘性有机材料形成。又,堤岸650优选采用对从液滴喷头喷出的液状体组成物呈现非亲和性的材料。为了使堤岸650呈现非亲和性,例如在堤岸650的表面采用氟系化合物等进行表面处理的方法。作为氟系化合物,例如有CF4、SF5、CHF3等,作为表面处理,例如可以举出等离子处理、UV照射处理等。然后,经过这样处理后,在空穴注入层和发光层的形成场所、即这些形成材料的涂敷位置和其周围的堤岸650之间形成足够高度的段差611。然后,如图16B所示,使基板P的上面朝上的状态下,包含空隙注入层形成用材料的液状体组成物614A采用液滴喷头选择性涂敷在由堤岸650所包围的涂敷位置、即堤岸650内。然后,如图16C所示,通过加热或者光照射,使液状体组成物614A的溶媒蒸发,在像素电极641上形成固态的空穴注入层640A。
然后,如图17A所示,使基板P的上面朝上的状态下,采用液滴喷头,包含发光层形成用材料(发光材料)的液状体组成物614B选择性涂敷在堤岸650内的空穴注入层640A上。当从液滴喷头喷出包含发光层形成用材料的液状体组成物614B后,液状体组成物614B被涂敷在堤岸650内的空穴注入层640A上。在此,在通过液状体组成物614B的喷出形成发光层时,分别在对应的像素中喷出包含发出红色光的发光层形成用材料的液状体组成物、包含发出绿色光的发光层形成用材料的液状体组成物、包含发出蓝色光的发光层形成用材料的液状体组成物,进行涂敷工艺。此外,与各色对应的像素,按照预先确定的规则配置。这样,在喷出包含各色的发光层形成用材料的液状体组成物614B,进行涂敷后,通过使液状体组成物614B中的溶媒蒸发,如图17B所示在空穴注入层640A上形成固态的发光层640B。这样获得由空穴注入层640A和发光层640B形成的发光部640。然后,如图17C所示,在透明基板P的整个表面上,或者条状表面上形成反射电极。这样制造出有机EL元件。
如上所述,在本实施方案中,空穴注入层640A和发光层640B采用液滴喷吐法形成,可以应用本发明的制造方法。又,信号线632、公共供电线633、扫描线、以及像素电极641等,可以按照本发明的制造方法形成。
以上,参照附图说明了有关本发明的优选实施方案,显然本发明并不限定于上述的实例。在上述例中所示的各构成部件的各种形状和组合等,在不脱离本发明的主要技术构思的范围,可以根据设计要求等进行各种变更。
发明的效果
依据本发明的图案形成方法以及图案形成装置,在基板上形成多个线状图案(第1图案),通过在这些多个线状图案之间配置多个液滴,使这些多个线状图案之间一体化,可以在基板上形成边缘部形状良好,并且幅度宽的膜图案。
依据本发明的导电膜布线,所形成的幅度宽,有利于电传导。
依据本发明的器件的制造方法,可以获得幅度宽并且有利于电传导的导电膜布线。
依据本发明的电光学装置,不容易产生断线和短路等不良情况,可以提高产品质量。
Claims (12)
1.一种图案的形成方法,是通过由液滴喷出装置喷出液滴状态的液体材料,在基板上形成图案的方法,其特征是:包括
由多个所述液滴在所述基板上形成多个第1图案的工艺、
在所述多个第1图案之间配置多个所述液滴、使所述多个相邻的第1图案之间形成一体化的工艺。
2.根据权利要求1所述的图案的形成方法,其特征是:在形成所述多个第1图案的工艺和使所述多个第1图案一体化的工艺中的各图案的形成,通过由所述液滴喷出装置喷出所述液滴进行,在形成所述多个第1图案的工艺中所述液滴喷出装置的喷出,是在与使所述多个第1图案一体化的工艺中所述液滴喷出装置的喷出的不同的条件下,喷出所述液滴。
3.根据权利要求2所述的图案的形成方法,其特征是:在使所述多个第1图案一体化的工艺中,与形成所述多个第1图案的工艺相比,喷出增大了体积的所述液滴。
4.根据权利要求2所述的图案的形成方法,其特征是:在使所述多个第1图案一体化的工艺中所述液体材料的喷出,与在形成所述多个第1图案的工艺中所述液体材料的喷出相比,缩小所述液滴的配置间距进行喷出。
5.根据权利要求1所述的图案的形成方法,其特征是:对应所述图案的膜厚,控制所述多个第1图案的距所述基板表面的高度。
6.根据权利要求1所述的图案的形成方法,其特征是:在将所述液滴喷出到所述基板上之前,对所述基板的表面进行斥液性处理。
7.根据权利要求1所述的图案的形成方法,其特征是:所述液体材料由包含导电性微颗粒的液状体构成。
8.一种图案形成装置,是通过液滴喷出装置喷出液滴状态的液体材料,在基板上形成图案的图案形成装置,其特征是:采用权利要求1所示的图案的形成方法在基板上形成图案。
9.一种导电膜布线,其特征是:采用权利要求8所述的图案形成装置形成。
10.一种器件的制造方法,是制造在基板上形成有导电膜布线的器件的器件的制造方法,其特征是:包括通过液滴喷出装置喷出液滴状态的液体材料,在所述基板上形成图案的图案形成工艺,
所述图案形成工艺包括:
通过将多个所述液滴配置在所述基板上在所述基板上形成相互大致平行的多个第1图案的工艺、
在所述多个第1图案之间配置多个所述液滴、使所述多个相邻第1图案之间形成一体化的工艺。
11.一种电光学装置,其特征是:包括权利要求9所述的导电膜布线。
12.一种电子机器,其特征是:包括权利要求11所述的电光学装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100492611C (zh) * | 2004-11-30 | 2009-05-27 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
US7608531B2 (en) | 2005-01-28 | 2009-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
Families Citing this family (55)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB0130485D0 (en) * | 2001-12-21 | 2002-02-06 | Plastic Logic Ltd | Self-aligned printing |
JP4042497B2 (ja) * | 2002-04-15 | 2008-02-06 | セイコーエプソン株式会社 | 導電膜パターンの形成方法、配線基板、電子デバイス、電子機器、並びに非接触型カード媒体 |
US7118943B2 (en) * | 2002-04-22 | 2006-10-10 | Seiko Epson Corporation | Production method of a thin film device, production method of a transistor, electro-optical apparatus and electronic equipment |
JP3966294B2 (ja) * | 2003-03-11 | 2007-08-29 | セイコーエプソン株式会社 | パターンの形成方法及びデバイスの製造方法 |
JP3966293B2 (ja) * | 2003-03-11 | 2007-08-29 | セイコーエプソン株式会社 | パターンの形成方法及びデバイスの製造方法 |
JP3966292B2 (ja) * | 2003-03-27 | 2007-08-29 | セイコーエプソン株式会社 | パターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、導電膜配線、電気光学装置、並びに電子機器 |
KR101115291B1 (ko) * | 2003-04-25 | 2012-03-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액적 토출 장치, 패턴의 형성 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
JP2004363560A (ja) * | 2003-05-09 | 2004-12-24 | Seiko Epson Corp | 基板、デバイス、デバイス製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器 |
JP2005012179A (ja) * | 2003-05-16 | 2005-01-13 | Seiko Epson Corp | 薄膜パターン形成方法、デバイスとその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器、アクティブマトリクス基板の製造方法 |
US7192859B2 (en) * | 2003-05-16 | 2007-03-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device and display device |
JP2005019955A (ja) * | 2003-05-30 | 2005-01-20 | Seiko Epson Corp | 薄膜パターンの形成方法及びデバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器 |
US7393081B2 (en) * | 2003-06-30 | 2008-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Droplet jetting device and method of manufacturing pattern |
US7226819B2 (en) * | 2003-10-28 | 2007-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Methods for forming wiring and manufacturing thin film transistor and droplet discharging method |
DE102004002587B4 (de) * | 2004-01-16 | 2006-06-01 | Novaled Gmbh | Bildelement für eine Aktiv-Matrix-Anzeige |
CN100533808C (zh) * | 2004-01-26 | 2009-08-26 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示器件及其制造方法以及电视设备 |
JP4583776B2 (ja) * | 2004-02-13 | 2010-11-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
KR101127889B1 (ko) * | 2004-02-17 | 2012-03-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박막 트랜지스터, 표시장치 및 그것들의 제조 방법 |
US7462514B2 (en) | 2004-03-03 | 2008-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same, liquid crystal television, and EL television |
JP2005268693A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Seiko Epson Corp | パターン形成方法、回路基板および電子機器 |
US7642038B2 (en) * | 2004-03-24 | 2010-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming pattern, thin film transistor, display device, method for manufacturing thereof, and television apparatus |
US7494923B2 (en) * | 2004-06-14 | 2009-02-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of wiring substrate and semiconductor device |
US8158517B2 (en) | 2004-06-28 | 2012-04-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing wiring substrate, thin film transistor, display device and television device |
JP2006015271A (ja) * | 2004-07-02 | 2006-01-19 | Seiko Epson Corp | 薄膜形成方法 |
JP2006035184A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Seiko Epson Corp | 液滴塗布方法と液滴塗布装置及び電気光学装置並びに電子機器 |
JP2006114585A (ja) * | 2004-10-13 | 2006-04-27 | Seiko Epson Corp | 隔壁構造体、隔壁構造体の形成方法、デバイス、電気光学装置及び電子機器 |
JP4155257B2 (ja) | 2004-10-21 | 2008-09-24 | セイコーエプソン株式会社 | パターン形成方法および機能性膜 |
JP4148213B2 (ja) * | 2004-10-21 | 2008-09-10 | セイコーエプソン株式会社 | パターン形成方法および機能性膜 |
JP2006126692A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Seiko Epson Corp | 薄膜パターン基板、デバイスの製造方法、及び電気光学装置、並びに電子機器 |
JP4238822B2 (ja) * | 2004-12-03 | 2009-03-18 | セイコーエプソン株式会社 | パターン形成基板、電気光学装置、パターン形成基板の製造方法及び電気光学装置の製造方法 |
WO2006072066A2 (en) * | 2004-12-30 | 2006-07-06 | E.I. Dupont De Nemours And Company | Organic electronic devices and methods |
JP2006196542A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | 配線パターンの描画形成方法及びその方法を用いて作製した回路基板 |
JP2006192320A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Seiko Epson Corp | 識別コード描画方法、基板及び表示モジュール |
TWI562380B (en) * | 2005-01-28 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
JP4179288B2 (ja) | 2005-02-01 | 2008-11-12 | セイコーエプソン株式会社 | 膜パターン形成方法 |
JP4337744B2 (ja) * | 2005-02-04 | 2009-09-30 | セイコーエプソン株式会社 | 膜パターンの形成方法、アクティブマトリクス基板の製造方法 |
US8034401B2 (en) * | 2005-06-22 | 2011-10-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Pattern forming method and pattern forming apparatus |
JP2007281416A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-10-25 | Seiko Epson Corp | 金属配線形成方法及びアクティブマトリクス基板の製造方法 |
JP4470945B2 (ja) * | 2007-02-05 | 2010-06-02 | セイコーエプソン株式会社 | 成膜方法及び配向膜形成方法 |
JP5085965B2 (ja) | 2007-03-30 | 2012-11-28 | 富士フイルム株式会社 | 樹脂膜形成方法、樹脂膜形成装置、及び電子回路基板製造方法 |
JP2009000600A (ja) * | 2007-06-20 | 2009-01-08 | Seiko Epson Corp | パターン形成方法及び電気光学装置製造方法並びに電子機器製造方法 |
JP2009038185A (ja) * | 2007-08-01 | 2009-02-19 | Konica Minolta Holdings Inc | 導電膜パターンの形成方法、および配線基板、表示装置 |
JP4661864B2 (ja) * | 2007-12-25 | 2011-03-30 | セイコーエプソン株式会社 | 膜パターン形成方法及び発光装置の製造方法 |
JP5157582B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2013-03-06 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機薄膜トランジスタの製造方法 |
JP5334512B2 (ja) * | 2008-09-24 | 2013-11-06 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
JP5250539B2 (ja) | 2009-02-27 | 2013-07-31 | 富士フイルム株式会社 | 線描画方法 |
KR20100123973A (ko) * | 2009-05-18 | 2010-11-26 | 삼성전자주식회사 | 컬러 필터, 그 제조 장치 및 그 제조 방법 |
JP5487791B2 (ja) * | 2009-08-10 | 2014-05-07 | セイコーエプソン株式会社 | 転写媒体製造方法、転写媒体 |
JP4788828B2 (ja) * | 2010-02-09 | 2011-10-05 | 住友化学株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2011175910A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 発光装置の製造方法 |
JP5627399B2 (ja) * | 2010-11-05 | 2014-11-19 | キヤノン株式会社 | 保護層付き基板の製造方法および基板加工方法 |
EP2852498A1 (en) * | 2012-05-23 | 2015-04-01 | OCE-Technologies B.V. | Printing method for printing a functional pattern and a printing apparatus |
JP2017025386A (ja) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | セイコーエプソン株式会社 | 3次元成形物および3次元成形方法 |
CN110620063B (zh) * | 2018-06-19 | 2023-01-13 | 东京毅力科创株式会社 | 配线固定构造和处理装置 |
WO2022236068A1 (en) * | 2021-05-07 | 2022-11-10 | Cornell University | Method for protecting reactive materials with atomically thin film |
CN114005671B (zh) * | 2021-11-24 | 2022-12-27 | 西北有色金属研究院 | 一种采用无绝缘MgB2线材绕制超导磁体的方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3949121A (en) * | 1973-12-12 | 1976-04-06 | Western Electric Company, Inc. | Method of forming a hydrophobic surface |
IT1129356B (it) * | 1980-10-31 | 1986-06-04 | Olivetti Ing C Spa | Dispositivo di stampa a getto selettivo di inchiostro |
US5204055A (en) * | 1989-12-08 | 1993-04-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Three-dimensional printing techniques |
JP3241251B2 (ja) * | 1994-12-16 | 2001-12-25 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子の製造方法及び電子源基板の製造方法 |
JP3241613B2 (ja) * | 1995-10-12 | 2001-12-25 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子、電子源および画像形成装置の製造方法 |
DE69738794D1 (de) * | 1996-02-08 | 2008-08-14 | Canon Kk | Verfahren zur Herstellung einer elektronenemittierende Vorrichtung, einer Elektronenquelle und eines Bilderzeugungsgerätes und Verfahren zur Überprüfung der Herstellung |
GB9611582D0 (en) * | 1996-06-04 | 1996-08-07 | Thin Film Technology Consultan | 3D printing and forming of structures |
US5876615A (en) * | 1997-01-02 | 1999-03-02 | Hewlett-Packard Company | Molten solder drop ejector |
JPH10283917A (ja) | 1997-04-08 | 1998-10-23 | Canon Inc | 電子放出素子の製造方法、電子放出素子、電子源基板、画像形成装置、および液滴付与装置 |
JPH1125851A (ja) * | 1997-05-09 | 1999-01-29 | Canon Inc | 電子源、その製造方法及び製造装置並びに画像形成装置及びその製造方法 |
DE69840914D1 (de) * | 1997-10-14 | 2009-07-30 | Patterning Technologies Ltd | Methode zur Herstellung eines elektrischen Kondensators |
JP3539179B2 (ja) | 1998-01-28 | 2004-07-07 | セイコーエプソン株式会社 | 基板、基板の製造方法、集積回路および集積回路の製造方法。 |
JP4741045B2 (ja) | 1998-03-25 | 2011-08-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電気回路、その製造方法および電気回路製造装置 |
JP2000216330A (ja) | 1999-01-26 | 2000-08-04 | Seiko Epson Corp | 積層型半導体装置およびその製造方法 |
US6501663B1 (en) * | 2000-02-28 | 2002-12-31 | Hewlett Packard Company | Three-dimensional interconnect system |
JP2002049031A (ja) | 2000-07-31 | 2002-02-15 | Seiko Epson Corp | 液晶装置およびその製造方法 |
US6673388B2 (en) * | 2001-04-27 | 2004-01-06 | Eastman Kodak Company | Method of making a printed circuit board |
JP2003133691A (ja) | 2001-10-22 | 2003-05-09 | Seiko Epson Corp | 膜パターンの形成方法、膜パターン形成装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体 |
JP2003317553A (ja) | 2002-04-22 | 2003-11-07 | Seiko Epson Corp | 膜パターンの形成方法、膜パターン形成装置、導電膜配線、多層配線基板、半導体チップの実装構造、電気光学装置、電子機器、ならびに非接触型カード媒体 |
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Cited By (5)
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US7608531B2 (en) | 2005-01-28 | 2009-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
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