CN1925138A - 有机el元件的制造方法、有机el元件和有机el面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种有机EL元件的制造方法，在用静电吸盘保持有机EL元件基板并使其与密封基板粘贴的有机EL元件的制造方法中，防止有机EL元件基板中组装的驱动电路由于来自静电吸盘的静电而劣化。因此，本发明的特征在于，在基板(1)的第二主面(1b)上，或者在第一主面(1a)与驱动电路(2)之间，设置用于防止驱动电路(2)由于来自静电吸盘的静电而劣化的导电层(11)。

Description

有机EL元件的制造方法、有机EL元件和有机EL面板
技术领域
本发明涉及有机电致发光(有机EL)元件的制造方法、有机EL元件和有机EL面板。
技术背景
近年来，作为自发光型的发光元件，有机EL元件引人注目，使用该有机EL元件的显示器的开发正在进展。有机EL元件具有适合于运动图像显示的快的响应速度、低电压、低耗电驱动等特征，所以，以下一代的便携式电话和便携式终端(PDA)为首，作为下一代显示器受到期待。
有机EL显示器包括具有用于图像显示的多个像素的有机EL面板。有机EL面板中的有机EL元件的结构是在面板基板上由两个电极夹住有机EL膜的结构。有机EL膜主要由电子输送层、发光层、空穴输送层构成，两个电极的一方为阳极，另一方为阴极。
在包括这样的有机EL面板的有机显示器中，通过向阳极施加正的电压，向阴极施加负的电压，从阳极注入到有机EL膜中的空穴经过空穴输送层到达发光层，另一方面从阴极注入到有机EL膜中的电子经过电子输送层到达发光层，通过在发光层内电子与空穴再结合，成为能够发光的结构。
在以往的有机EL元件中，通过在形成有机EL膜的基板上粘贴玻璃罩(cap glass)板来密封。因为有机EL膜极不耐水，所以用涂布有干燥剂的玻璃罩板等。
在日本特开平5-182759号公报中，提出了用光固化性树脂粘贴密封玻璃基板的结构，代替上述的粘贴玻璃罩板的中空结构的密封。根据这种密封方法，不采用中空结构，所以能够薄膜化，而且没有阴极/空气界面和空气/罩界面的光干涉问题，而且由于不需要使用干燥剂，所以能够降低成本。
但是，在粘接剂中使用光固化性树脂来粘贴密封玻璃基板时，存在气泡进入粘接剂层的问题。
为了消除这样的问题，在日本专利第3650101号公报中，提出了在减压气氛下粘贴涂布有粘接剂的密封基板的方法。根据这种方法，在减压气氛中粘贴时产生的气泡，若在粘贴后放置在大气中就会消失，所以能够防止气泡进入粘接剂层中。
但是，因为在减压气氛下进行粘贴，所以无法使用真空吸盘保持基板。另外，在由机械卡盘保持基板的情况下，因为使用爪和环等机械地保持基板的外周部，其机构变得复杂。因此，在减压气氛下保持基板时，需要使用静电吸盘来保持。本发明人发现，在用静电吸盘保持基板的情况下，会产生作为有机EL元件中的驱动电路的薄膜晶体管的特性发生变化的问题。
在日本特开2003-271075号公报中，提出了用于抑制驱动电路因静电而被破坏，由电极层隔着电介质层覆盖驱动电路的结构。但是，即使采用这样的结构，薄膜晶体管的特性也变化，有机EL元件的发光面的均匀性降低，产生所谓的辉度不匀。
发明内容
本发明的目的在于提供一种在用静电吸盘保持有机EL元件基板并使其与密封基板粘贴的有机EL元件的制造方法中，能够防止有机EL元件基板中组装的驱动电路由于来自静电吸盘的静电而劣化的有机EL元件的制造方法和一种有机EL元件。
本发明的有机EL元件的制造方法，其特征在于，包括：在基板的第一主面上设置有源矩阵驱动电路的工序；在其上设置有机EL元件结构，制作有机EL元件基板的工序；在减压腔室内，用静电吸盘保持有机EL元件基板的与第一主面相反一侧的第二主面的工序；将有机EL元件基板按压在涂布有粘接剂的密封基板上，使密封基板隔着粘接剂层粘贴在有机EL元件结构上的工序；和作为有机EL元件基板，在基板的第二主面上，或者在第一主面与驱动电路之间，制作设置有导电层的有机EL元件基板的工序。
另外，也可以在上述导电层上设置有绝缘层。而且，该导电层的特征在于，防止驱动电路由于来自静电吸盘的静电而劣化。
即，在静电吸盘与有机EL元件基板的导电层之间可以设置有绝缘层，通过设置这样的绝缘层，在覆盖构成静电吸盘的配线的绝缘膜等破损、配线露出的情况下，可以防止因配线与导电层接触而引起的短路。
另外，也可以在粘贴密封基板时，密封基板由第二静电吸盘保持，在密封基板的由第二静电吸盘保持的一侧或者有机EL元件基板一侧上，设置有用于防止有机EL元件基板的驱动电路由于来自第二静电吸盘的静电而劣化的第二导电层。
另外，也可以在第二导电层上设置有第二绝缘层。
在本发明中，导电层和/或第二导电层，例如可以由透明导电性金属氧化物形成。作为透明导电性金属氧化物，可以举出ITO(铟锡氧化物)、铟锌氧化物(IZO)等。在顶端发射(top emission)型的有机EL元件的情况下，由于光从密封基板侧取出，所以优选由透明导电性金属氧化物形成设置在密封基板上的第二导电层。另外，在底端发射(bottom emission)型的有机EL元件的情况下，由于光从设置有机EL元件的基板侧取出，所以设置在有机EL元件基板上的导电层(第一导电层)优选由透明导电性金属氧化物形成。
另外，在顶端发射型的有机EL元件的光被取出的密封基板的外侧、或者底端发射型有机EL元件的光被取出的基板的外侧上，设置第二导电层或第一导电层的情况下，在设置透过率低的金属膜、粘贴基板并使粘接剂固化后，能够通过蚀刻和研磨等方法除去导电层。
在导电层和/或第二导电层由透明导电性金属氧化物形成的情况下，其厚度优选为10～1000nm的范围内。
另外，本发明中的导电层和/或第二导电层可以由金属膜形成。作为金属膜，没有特别的限定，但是，可以举出例如在有机EL元件中作为电极使用的金属材料，可以使用铝、银、钼、钨或它们的合金等。
在需要透光性的情况下，也可以形成将厚度减薄的透光性的金属膜。在该情况下，也可以形成与透明导电性金属氧化物膜的叠层结构。
由金属膜形成导电层和第二导电层的情况下的膜厚，优选为100～1000nm的范围内。在作为透光性的金属膜形成的情况下，其厚度优选为10～1000nm的范围内。
在本发明中，与有机EL元件基板的像素区域对应，在有机EL元件基板或密封基板上设置滤色器(color filter)层、在该滤色器层之间的边界区域设置黑色矩阵(black matrix)的情况下，可以由导电层或第二导电层形成该黑色矩阵。在该情况下，导电层和第二导电层优选由低反射金属膜形成。作为低反射金属膜，可以举出具有将铬和氧化铬叠层的结构的金属膜。
本发明的有机EL元件，其特征在于，由上述本发明的方法制造。
另外，根据本发明的另一方面的有机EL元件，是在基板的第一主面上设置有源矩阵驱动电路，在其上设置有机EL元件结构，使密封基板隔着粘接剂层粘贴在其上的有机EL元件，其特征在于：在基板的与第一主面相反一侧的第二主面上，或者在第一主面与驱动电路之间，设置有导电层。
在本发明的有机EL元件中，也可以在导电层上设置有绝缘层。
另外，在本发明的有机EL元件中，也可以在密封基板的外侧或粘接剂层侧设置有第二导电层。另外，也可以在该第二导电层上设置有第二绝缘层。
在本发明的有机EL元件基板中，设置有由有机层构成的用于驱动像素的有源矩阵驱动电路。作为这样的驱动电路，可以举出使用薄膜晶体管(TFT)的驱动电路。在这样的驱动电路上，通常设置有平坦化膜等绝缘膜，在其上形成有机EL元件结构。作为本发明的有机EL元件结构，可以举出以下的层构成。
(1)阳极/有机EL发光层/阴极
(2)阳极/空穴注入层/有机EL发光层/阴极
(3)阳极/有机EL发光层/电子注入层/阴极
(4)阳极/空穴注入层/有机EL发光层/电子注入层/阴极
(5)阳极/空穴注入层/空穴输送层/有机EL发光层/电子注入层/阴极
(6)阳极/空穴注入层/空穴输送层/有机EL发光层/电子输送层/电子注入层/阴极
包含从上述阳极到阴极的各层，没有特别的限定，只要能构成有机EL元件即可，例如，可以由以往用于有机EL元件的材料构成。另外，各层的形成方法，根据使用的材料，可以通过真空蒸镀法、溅射法、CVD法等各种薄膜形成方法形成。
另外，可以以基板侧作为阳极、以密封基板侧作为阴极，也可以形成以基板侧作为阴极、以密封基板侧作为阳极的逆结构的有机EL元件。
另外，可以在有机EL元件结构上形成保护膜。作为保护膜，可以使用作为有机EL元件的钝化层起作用的膜，优选使用具有电绝缘性、对水分和低分子成分具有阻挡性的膜。另外，在顶端发射结构的有机EL元件的情况下，优选使用可视光范围内的透明性高的(在400～800nm的波长范围的透过率为50％以上)材料。作为这样的材料，可以使用SiOx、SiNx、SiNxOy、AlOx、TiOx、TaOx、ZnOx等无机氧化物、无机氮化物等。作为保护膜的形成方法，只要是不会对有机EL元件带来不良影响的方法，就没有特别的限制，可以通过溅射法、CVD法、真空蒸镀法、浸渍法等形成。
保护膜的厚度优选为0.1～10μm左右。
在本发明中，由静电吸盘保持有机EL元件基板，将其按压在涂布有粘接剂的密封基板上，使密封基板隔着粘接剂层粘贴在有机EL元件结构上。
作为本发明中的粘接剂，优选使用光固化树脂或热固化树脂等液体固化树脂。作为树脂的固化类型，可以举出UV固化型、可见光固化型、UV+热固化型、热固化型、后固化型UV粘接剂等。在密封基板使用具有滤色器或CCM(色变换层)等的基板的情况下，由于有时紫外线不能透过滤色器等，所以优选使用热固化型、可见光固化型、后固化型UV粘接剂等。
作为用作粘接剂的具体的树脂，可以举出：脲醛树脂(urea resin)类、三聚氰胺树脂类、苯酚树脂类、间苯二酚树脂类、环氧树脂类、不饱和聚酯树脂类、聚氨酯树脂类、丙烯酸树脂类等热固化性树脂类；乙酸乙烯树脂类、乙烯乙酸乙烯共聚物树脂类、丙烯酸树脂类、氰基丙烯酸酯树脂类、聚乙烯醇树脂类、聚酰胺树脂类、聚烯烃树脂类、热固化性聚氨酯树脂类、饱和聚酯树脂类、纤维素类等热塑性树脂类；使用酯丙烯酸酯(ester acrylate)、聚氨酯丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、三聚氰胺丙烯酸酯、丙烯酸树脂丙烯酸酯等各种丙烯酸酯、聚氨酯聚酯等树脂的自由基类光固化型粘接剂；使用环氧树脂、乙烯醚等树脂的阳离子类光固化型粘接剂；硫醇-烯加成型树脂类粘接剂；氯丁橡胶类、丁腈橡胶类、苯乙烯丁二烯橡胶类、天然橡胶类、丁基橡胶类、硅酮(silicone)类等橡胶类；乙烯酚醛树脂(vinyl-phenolic)、氯丁酚醛树脂(chloroprene-phenolic)、丁腈酚醛树脂(nitrile-phenolic)、尼龙酚醛塑料(nylon-phenolic)、环氧酚醛树脂(epoxy-phenolic)、丁腈酚醛树脂(nitrile-phenolic)等复合类的合成高分子粘接剂。
在顶端发射型的有机EL元件的情况下，优选使用固化后成为450～800nm的波长范围的平均透过率为70％以上的无色透明材料的粘接剂。
有机EL元件基板与密封基板的粘贴，通常在由静电吸盘保持有机EL元件基板的状态下，用CCD摄像机(camera)等进行有机EL元件基板的定位后，使有机EL元件基板与密封基板相对地靠近并按压，使其相互粘贴。在该状态下，例如，再次用CCD摄像机等进行位置对准，以使粘接剂层固化。可以此时进行预固化，从减压腔室内取出时再次使粘接剂层固化。根据使用的粘接剂的种类，进行热固化、UV固化等光固化、UV+热固化等。
根据本发明，在用静电吸盘保持有机EL元件基板并使其与密封基板粘贴的有机EL元件的制造方法中，能够防止有机EL元件基板中组装的驱动电路由于来自静电吸盘的静电而劣化。
本发明的有机EL元件，在用静电吸盘保持有机EL元件基板并使其与密封基板粘贴的有机EL元件的制造工序中，能够防止有机EL元件基板中组装的驱动电路由于来自静电吸盘的静电而劣化。
附图说明
图1是表示按照本发明的实施例1～3的有机EL元件的结构的截面图。
图2是表示按照本发明的实施例4～9的有机EL元件的结构的截面图。
图3是表示按照本发明的实施例10的有机EL元件的结构的截面图。
图4是表示按照本发明的实施例11的有机EL元件的结构的截面图。
图5是表示与实施例11同样使用黑色矩阵作为导电层的按照本发明的实施例的有机EL元件的结构的截面图。
图6是表示按照本发明的实施例12的有机EL元件的结构的截面图。
图7是表示按照本发明的实施例13的有机EL元件的结构的截面图。
图8是表示按照本发明的实施例1的导电层的图案形状的平面图。
图9是表示按照本发明的实施例2的导电层的图案形状的平面图。
图10是表示按照本发明的实施例3的导电层的图案形状的平面图。
图11是表示按照本发明的实施例4的导电层的图案形状的平面图。
图12是表示按照本发明的实施例5的导电层的图案形状的平面图。
图13是表示按照本发明的实施例6的导电层的图案形状的平面图。
图14是表示按照本发明的实施例7的导电层的图案形状的平面图。
图15是表示按照本发明的实施例8和9的导电层的图案形状的平面图。
图16是表示制作按照本发明的实施例1～9的有机EL元件时使用的粘贴装置的截面图。
图17是表示制作按照本发明的实施例10～14的有机EL元件时使用的粘贴装置的截面图。
图18是表示制作按照本发明的实施例1～3的有机EL元件时的由静电吸盘保持的状态的截面图。
图19是表示制作按照本发明的实施例4～9的有机EL元件时的由静电吸盘保持的状态的截面图。
图20是表示制作按照本发明的实施例10的有机EL元件时的由静电吸盘保持的状态的截面图。
图21是表示制作按照本发明的实施例12的有机EL元件时的由静电吸盘保持的状态的截面图。
图22是表示制作按照本发明的实施例13的有机EL元件时的由静电吸盘保持的状态的截面图。
图23是表示TFT的V-I特性曲线的电压偏移量(ΔV)的图。
图24是表示各实施例和各比较例中的静电吸盘保持时的施加电压与电压偏移量的关系的图。
图25是表示将图像信号驱动电路和垂直扫描电路与上述有机EL元件连接的状态的俯视图。
具体实施方式
以下，通过实施例具体地说明本发明，但是本发明不限定于以下的实施例。
(实施例1～3)
制作图1所示的有机EL元件。如图1的截面图所示，在由玻璃基板制成的基板1的第一主面1a上，形成有包括栅极电极的多晶硅型TFT电路2。在与第一主面1a相反一侧的第二主面1b上，形成有导电层11。导电层11由作为透明导电膜的ITO形成，其膜厚为100nm。导电层11通过溅射法形成。
在TFT电路2上，对应于各像素区域，设置有红色滤色器20R、绿色滤色器20G、和蓝色滤色器20B。在TFT电路2上，形成有由SiO2构成的绝缘膜3。在绝缘膜3上，对应于各像素区域，形成有由ITO构成的阳极4(膜厚100nm)。阳极4通过绝缘膜3的通孔，与TFT电路2的电极连接。
在绝缘膜3上的各像素区域的像素间，形成有像素分离膜5。像素分离膜5由PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)形成。像素分离膜5仅在阳极4上的像素区域以外的像素间的区域形成。
空穴注入层以覆盖阳极4和像素分离膜5的方式在全体的区域上形成。空穴注入层例如由厚度1nm的氟化碳(CFx)构成。
在空穴注入层上依次形成空穴输送层、橙色发光层。空穴输送层例如由三芳基胺衍生物形成，在此，由厚度60nm的式(1)所示的NPB(N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基联苯胺(N，N’-Di(naphthalene-1-yl)-N，N’-diphenyl benzidine))构成。
[化学式1]
橙色发光层具有在基质材料(host material)中掺杂有第一掺杂剂和第二掺杂剂的构成。此外，橙色发光层具有例如30nm厚度。
作为橙色发光层的基质材料，例如，可以使用与空穴输送层的材料相同的NPB。
作为橙色发光层的第一掺杂剂，例如，可以使用式(2)所示的tBuDPN(5，12-双(4-叔丁基苯基)并四苯(5，12-Bis(4-tert-butylphenyl)naphthacene))。掺杂该第一掺杂剂，使其相对于橙色发光层成为20重量％。
[化学式2]
作为橙色发光层的第二掺杂剂，例如，可以使用式(3)所示的DBzR(5，12-双(4-(6-甲基苯并噻唑-2-基)苯基)-6，11-二苯基并四苯(5，12-Bis(4-(6-methylbenzothiazol-2-yl)phenyl)-6，11-diphenylnaphthacene))。掺杂该第二掺杂剂，使其相对于橙色发光层成为3重量％。
[化学式3]
Figure A20061012644300141
橙色发光层的第二掺杂剂发光，第一掺杂剂因为其最高被占分子轨道(HOMO)能级与最低空分子轨道(LUMO)能级都具有基质材料和第二掺杂剂的中间值，所以通过促进从基质材料向第二掺杂剂的能量转移(energy transfer)而担当辅助第二掺杂剂的发光的作用。由此，橙色发光层产生具有大于500nm小于650nm的峰值波长的橙色光。
接着，在橙色发光层上形成蓝色发光层。蓝色发光层具有在基质材料中掺杂有第一掺杂剂和第二掺杂剂的构成。此外，蓝色发光层具有例如40nm厚度。
作为蓝色发光层的基质材料，例如，可以使用式(4)所示的TBADN(2-叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(2-tert Butyl-9，10-di(2-naphtyl)anthracene))。
[化学式4]
Figure A20061012644300151
作为蓝色发光层的第一掺杂剂，例如，可以使用与空穴输送层的材料相同的NPB。掺杂该第一掺杂剂，使其相对于蓝色发光层成为10重量％。
作为蓝色发光层的第二掺杂剂，例如，可以使用式(5)所示的TBP(1，4，7，10-四叔丁基二萘嵌苯(1，4，7，10-Tetra-tert butyl perylene))。掺杂该第二掺杂剂，使其相对于蓝色发光层成为2.5重量％。
[化学式5]
蓝色发光层的第二掺杂剂发光，第一掺杂剂由空穴输送性材料构成，通过促进空穴的输送，从而促进蓝色发光层内的载流子的再结合，由此担当辅助第二掺杂剂的发光的作用。由此，蓝色发光层产生具有大于400nm小于500nm的峰值波长的蓝色光。
接着，在蓝色发光层上形成电子输送层、电子注入层和阴极7。
电子输送层由例如厚度10nm的式(6)所示的Alq3(三(8-羟基喹啉)合铝(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum))构成。
[化学式6]
Figure A20061012644300161
电子注入层例如由厚度1nm的氟化锂(LiF)构成，阴极7例如由厚度200nm的铝(Al)构成。在阴极7上，形成有由SiNx构成的保护膜8。
将由玻璃基板构成的密封基板10隔着粘接剂层9a粘贴在如以上那样制作的有机EL元件基板上。在粘接剂层9a的外周部，在与基板面垂直的方向上形成有粘接剂层9b。
在上述实施例中，形成将橙色发光层和蓝色发光层叠层的白色发光元件，对应于像素区域设置有滤色器，但是也可以做成对应于RGB的各像素，设置红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层的分涂方式的有机EL元件。另外，在分涂方式的有机EL元件中，也可以对应于各像素设置滤色器。
上述的有机EL元件基板与密封基板的粘贴，使用图16所示的粘贴装置进行。在图16所示的粘贴装置中，通过将上腔室16和下腔室17组合而成为减压腔室。在上腔室16中安装有上部基板保持板14，在上部基板保持板14上安装有静电吸盘13。在下腔室17中安装有下部基板保持板15。上部基板保持板14利用静电吸盘保持有机EL元件基板。下部基板保持板15是机械卡盘，直接保持密封基板。
图18是用于说明使用图16所示的粘贴装置，粘贴图1所示的实施例的有机EL元件基板和密封基板的工序的截面图。在图18中，仅图示了有机EL元件基板的一个像素。在图19～图22中也是同样。
如图18所示，由静电吸盘13隔着导电层11保持有机EL元件基板1。密封基板10在涂布有粘接剂层9的状态下，以粘接剂层9朝上的状态保持在下部基板保持板15上。密封基板10通过UV臭氧处理清洗其表面后，使用丝网印刷等印刷方法或分配器(dispenser)，将粘接剂涂布成规定的图案。密封基板的清洗和粘接剂的涂布，在干燥的氮气氛下进行。粘接剂9a使用UV固化型环氧树脂(商品名“TB3112”，三键(ThreeBond)公司生产)。外周部使用的粘接剂9b，使用在上述的UV固化型环氧树脂中添加10重量％的SiOx作为填充物，使其增粘后的物质。
如以上那样保持有机EL元件基板和密封基板并将其设置在装置内，闭合上腔室16和下腔室17，使腔室内密闭，打开排气阀将腔室内减压到1～10Pa的气压。用CCD摄像机对有机EL元件基板的位置进行定位后，使上部基板保持板14下降，使有机EL元件基板粘贴在密封基板上。再次用CCD摄像机进行位置对准后，用UV灯向粘接剂9照射紫外线，进行预固化。粘贴结束后，破坏腔室内的真空，打开腔室，取出粘贴后的基板，在干燥气氛下再次用UV灯照射紫外线，使粘接剂层完全固化。
在上述的形成有机EL元件结构时的真空处理中，机械地保持有机EL元件基板。因而，不会发生由静电吸盘保持的情况下的TFT电路因静电而引起的劣化。另外，在上述有机层形成时，由于蒸镀源在下面，所以有机EL元件基板的第一主面朝下配置。制作有机EL元件基板后，在粘贴装置的上部保持基板上安装静电吸盘，使有机EL元件基板保持在该静电吸盘上，使得能够不使基板翻转而直接将其设置在粘贴装置中。
图8是表示实施例1的导电层11的图案形状的平面图。在图8中，图示出像素部分和TFT电路部分，使得容易把握形成有导电层11的位置。实际上，由于它们形成在基板1的相反侧上，所以是看不到的部分。图9～图15也是同样的。
如图8所示，在实施例1中，导电层11在覆盖各像素区域的像素部和周边的驱动电路的区域上形成。
图9是表示实施例2的导电层11的图案形状的平面图。如图9所示，在实施例2中，以覆盖各像素区域的像素和周边驱动部的方式，以在横向上延伸的图案形状形成导电层11。
图10是表示实施例3的导电层11的图案形状的平面图。如图10所示，在实施例3中，以覆盖基板1的整个背面的方式形成导电层11。
(实施例4～8)
制作如图2的截面图所示的有机EL元件。如图2所示，在本实施例中，在导电层11上形成有绝缘层12。导电层11与实施例1～3同样，通过溅射法形成膜厚100nm的ITO膜。通过CVD法，由SiN膜(膜厚500nm)形成绝缘层12。
图11是表示实施例4的导电层11和绝缘层12的图案形状的平面图。导电层11的区域与图8～图10同样地用点表示。绝缘层12的区域用粗线表示。在实施例4中，如图11所示，以覆盖像素部及其周边的驱动电路的方式分别形成导电层11和绝缘层12。
图12是表示实施例5的导电层11和绝缘层12的图案形状的平面图。如图12所示，在实施例5中，与实施例4同样地以覆盖像素部及其周边的驱动电路的方式形成导电层11，以覆盖基板1的整个面的方式形成绝缘层12。
图13是表示实施例6的导电层11和绝缘层12的图案形状的平面图。如图13所示，在实施例6中，与图9所示的导电层11同样地以在横向上延伸的方式形成导电层11，绝缘层12也同样地以在横向上延伸的方式形成。
图14是表示实施例7的导电层11和绝缘层12的图案形状的图。如图14所示，实施例7的导电层11与实施例6同样以在横向上延伸的方式形成，绝缘层12在基板1的第二主面的整个面上形成。
图15是表示实施例8的导电层11和绝缘层12的图案形状的平面图。如图15所示，在实施例8中，以覆盖基板1的第二主面的整个面的方式分别形成导电层11和绝缘层12。
在实施例4～8中，与实施例1～3同样，用图16所示的粘贴装置粘贴有机EL元件基板与密封基板。
(实施例9)
在本实施例中，除了用导电率比ITO高的铝代替ITO形成导电层11以外，与实施例8同样地制作有机EL元件。因此，导电层11和绝缘层12的图案形状为图15所示的图案形状。此外，由铝构成的导电层11通过真空蒸镀法形成为膜厚100nm。
本实施例是底端发射型的发光元件，设置有由铝构成的导电层11时，由有机层发出的光难以从基板1透射到外部，所以粘贴有机EL元件 板与密封基板后，通过研磨，除去基板1上的导电层11和绝缘层12。
另外，本发明中的导电层11也可以通过粘贴例如铝箔等金属箔而形成。在像胶带那样具有粘接性的金属箔的情况下，粘贴有机EL元件基板与密封基板后，能够容易地除去。
(实施例10～13)
上述的实施例1～9是底端发射型的有机EL元件，但在实施例10～13中，制作顶端发射型的有机EL元件。
图3是表示实施例10的有机EL元件的截面图。除了电极材料和在TFT电路2上未设置滤色器以外，制作与实施例9同样的有机EL元件基板。由于与实施例9是同样的，所以在基板1的第二主面1b上形成有由铝构成的导电层11(膜厚100nm)和由SiN构成的绝缘层12(膜厚500nm)。此外，本实施例中的阳极是将铝膜和ITO膜叠层的结构，各自厚度为100nm。另外，阴极由将Li(膜厚1nm)/Ag(膜厚10nm)/IZO(膜厚100nm)叠层的结构形成。
另外，在密封基板10上，对应于各像素区域，设置有红色滤色器20R、绿色滤色器20G、和蓝色滤色器20B，在各滤色器之间，设置有由树脂构成的黑色矩阵19。
另外，以覆盖在黑色矩阵19和各滤色器上的方式，形成有由丙烯酸树脂构成的外包敷层(overcoat)18。
如后所述，在本实施例中，由于用静电吸盘保持密封基板10，所以在密封基板10一侧设置第二导电层11。在本实施例中，在外包敷层18上形成第二导电层11。第二导电层11由ITO形成，其膜厚为100nm。
在本实施例中，用图17所示的粘贴装置粘贴有机EL元件基板与密封基板。图17所示的粘贴装置是有机EL元件基板和密封基板都由静电吸盘保持的装置。因而，在下部基板保持板15上也设置有静电吸盘13。
图20是表示用图17所示的粘贴装置，粘贴实施例10的有机EL元件基板和密封基板的状态的截面图。如图20所示，有机EL元件基板隔着导电层11和绝缘层12由上方的静电吸盘13保持。另外，密封基板10由下方的静电吸盘13保持。由于在密封基板10上设置有第二导电层11，所以能够利用该第二导电层11防止TFT电路2由于来自下方的静电吸盘13的静电而劣化。另外，能够利用设置在基板1上的导电层11防止由来自上方的静电吸盘13的静电引起的劣化。
图4是表示实施例11的有机EL元件的截面图。在实施例11中，用具有将铬和氧化铬叠层的结构的低反射金属制的黑色矩阵，代替由树脂构成的黑色矩阵。将该黑色矩阵19用作本发明中的第二导电层。即，在本实施例中，在密封基板10上，设置有作为第二导电层起作用的金属制的黑色矩阵19。由于是黑色矩阵，所以成为不在像素区域上形成、像素开口部不存在导电层的状态。因此，仅在没有像素的区域、即非显示部上设置有第二导电层。
在图4所示的实施例11的情况下，可以与上述实施例10同样，用图15所示的粘贴装置粘贴有机EL元件基板和密封基板。
图5是表示在底端发射型的有机EL元件中，与实施例11同样使用具有将铬和氧化铬叠层的结构的金属制黑色矩阵的实施例的截面图。在本实施例中，在基板1的外侧也设置有导电层11和绝缘层12。
图6是表示实施例12的有机EL元件的截面图。在实施例12中，在密封基板10的上面、即由静电吸盘保持的保持侧上，设置有第二导电层11。除此以外，与图3所示的实施例10是同样的。
图21是表示用图17所示的粘贴装置粘贴实施例12的有机EL元件基板和密封基板的状态的截面图。如图21所示，下方的静电吸盘13隔着第二导电层11保持密封基板10，由该第二导电层11防止TFT电路2由于来自下方的静电吸盘13的静电而劣化。
图7是表示实施例13的有机EL元件的截面图。如图7所示，在本实施例中，除了在设置在密封基板10的保持侧的第二导电层11上，形成有第二绝缘层12以外，与实施例12相同。通过CVD法，由SiN形成第二绝缘层12，其膜厚为500nm。
图22是表示用图17的装置粘贴图7所示的实施例13的有机EL元件基板和密封基板的状态的图。如图22所示，密封基板10隔着第二导电层11和第二绝缘层12被保持在下方的静电吸盘13上。
由基板1上的导电层11防止由来自上方的静电吸盘13的静电引起的劣化，由设置在密封基板10上的第二导电层11防止由来自下方的静电吸盘13的静电引起的劣化。
实施例10～13中的密封基板侧的第二导电层和第二绝缘层被设置在密封基板的整个面上。
(实施例14)
在本实施例中，除了在实施例10中，在密封基板10一侧不设置第二导电层11以外，与实施例10同样地制作有机EL元件。因此，在存在来自下方的静电吸盘的静电的影响的状态进行制作。
(比较例1)
除了在实施例1中不形成导电层11以外，与实施例1同样地制作有机EL元件。
(比较例2)
除了在上述比较例1中使有机EL元件基板的基板玻璃的厚度从0.7mm变成两倍的1.4mm以外，与比较例1同样地制作有机EL元件。
将如以上所述制作的实施例1～14和比较例1～2的有机EL元件的结构汇总示于表1。另外，将表1所示的结构1～5的具体的构成示于表2。在表1和表2中，将有机EL元件基板表示为“TFT基板”。
表1
                TFT基板侧            密封基板侧
  图案   导电层/绝缘层   图案   导电层
  实施例1 结构1   像素部   ITO   无   无
  实施例2   横向图案   ITO   无   无
  实施例3   整个面   ITO   无   无
  实施例4 结构2   像素部/像素部   ITO/SiN   无   无
  实施例5   像素部/整个面   ITO/SiN   无   无
  实施例6   横向图案/横向图案   ITO/SiN   无   无
  实施例7   横向图案/整个面   ITO/SiN   无   无
  实施例8   整个面/整个面   ITO/SiN   无   无
  实施例9   整个面/整个面   Al/SiN   无   无
  实施例10 结构3   整个面/整个面   Al/SiN   整个面(粘接剂侧)   ITO
  实施例11   整个面/整个面   Al/SiN   发光部开口(粘接剂侧)   ITO
  实施例12 结构4   整个面/整个面   Al/SiN   整个面   ITO
  实施例13 结构5   整个面/整个面   Al/SiN   整个面   ITO/SiN
  实施例14 结构2   整个面/整个面   Al/SiN   无   无
  比较例1   -   无   无   无   无
  比较例2   -   无   玻璃   无   无
表2
 TFT基板侧     密封基板侧
结构1  TFT基板/导电层     无
结构2  TFT基板/导电层/绝缘层     无
结构3  TFT基板/导电层/绝缘层     密封基板/导电层/粘接剂
结构4  TFT基板/导电层/绝缘层     导电层/密封基板/粘接剂
结构5  TFT基板/导电层/绝缘层     绝缘层/导电层/密封基板/粘接剂
(TFT特性的评价)
测定在实施例1～14和比较例1～2中制作的有机EL元件的栅极-源极间的电压偏移量(ΔV)。具体地说，在有机EL元件基板的状态下测定TFT电路的TFT特性，与使用静电吸盘粘贴密封基板而制作出有机EL元件后的TFT特性进行比较。
图23是用于说明此时的评价方法的图。如图23所示，求出由静电吸盘保持前的阈值电压与由静电吸盘保持后的阈值电压的变化量作为电压偏移量ΔV。此外，在各实施例和比较例中，使由静电吸盘保持时对静电吸盘施加的电压改变为1.5kV、2.5kV、和3.5kV，分别制作三种有机EL元件，将当时的施加电压与电压偏移量的关系示于图24。
从图24可知，在实施例1～8中，电压偏移量，例如在3.5kV下为0.2V。在实施例9中，由于使用导电率高的铝作为导电层，所以电压偏移量在3.5kV下成为0.05V，电压偏移量比实施例1～8减少。
在实施例10～13中，在有机EL元件基板侧的导电层中使用铝，但是由于密封基板侧的第二导电层由ITO形成，所以电压偏移量与实施例1～8为相同程度。
在实施例14中，由于在密封基板侧没有设置第二导电层，所以可看出，与其它实施例相比，电压偏移量变大。在比较例1～2中，由于完全没有设置导电层，所以可看出，与实施例1～14相比，电压偏移量变大。
图25是表示将图像信号驱动电路和垂直扫描信号驱动电路与上述有机EL元件连接的状态的俯视图。
具体地说，驱动IC芯片21由驱动有机EL面板的图像信号驱动IC芯片、和垂直扫描信号驱动IC芯片的各个构成。搭载在图25的下侧的驱动电路基板22上的5个IC芯片21是垂直扫描信号侧的驱动IC芯片，搭载在左边的驱动电路基板23上的10个IC芯片21是图像信号侧的驱动IC芯片。驱动电路基板22和23中，驱动用IC芯片21利用柔性带自动连接法(TAB：Tape Automated Bonding)安装，通过带载封装(tape carrier package)，如图25那样分割成图像信号驱动电路用和扫描信号驱动电路用两个。
于是，由搭载在驱动电路基板22和23上的各个IC芯片21，以规定的定时向上述的有机EL元件施加图像信号和垂直扫描信号，生成在各有机EL元件上显示的图像。电源电路基板24供给驱动电压。
此外，端子组分别将多根扫描电路连接用端子25、图像信号电路连接用端子26、和它们的引出配线部汇总在搭载有集成电路芯片21的带载封装TCP单元中。从各组的矩阵部到外部连接端子部的引出配线，越靠近两端越倾斜。这是因为使有机EL面板的端子25和26与封装TCP的排列间距和各驱动电路基板22和23中的连接端子间距一致的缘故。
该有机EL面板通过将下部基板保持板15和上部基板保持板14重叠并密封后切断上下基板，组装而成。在本发明的有机EL面板的制造中，如果是小尺寸，则为了提高处理能力，在一块玻璃基板上同时加工多个器件后进行分割，如果是大尺寸，则为了制造设备的共用，无论任何品种，都加工标准化大小的玻璃基板，然后减小至符合各品种的尺寸，在任一情况下都是经过一套工序后切断玻璃。
由以上可知，按照本发明，通过设置用于防止由来自静电吸盘的静电引起的劣化的导电层，在由静电吸盘保持而制作有机EL元件时，能够防止TFT电路劣化。
此外，本发明不限定于上述的实施例，本发明在构成上可进行各种变更，在解释权利要求时，应该最广义地解释。

Claims (17)

1.一种有机EL元件的制造方法，其特征在于，包括：
在基板的第一主面上设置有源矩阵驱动电路的工序；
在其上设置有机EL元件结构，制作有机EL元件基板的工序；
在减压腔室内，用静电吸盘保持所述有机EL元件基板的与所述第一主面相反一侧的第二主面的工序；
将所述有机EL元件基板按压在涂布有粘接剂的密封基板上，使所述密封基板隔着粘接剂层粘贴在所述有机EL元件结构上的工序；和
作为所述有机EL元件基板，在所述基板的第二主面上，或者在所述第一主面与所述驱动电路之间，制作设置有导电层的有机EL元件基板的工序。
2.如权利要求1所述的有机EL元件的制造方法，其特征在于：
在所述导电层上设置有绝缘层。
3.如权利要求1所述的有机EL元件的制造方法，其特征在于：
所述导电层防止所述驱动电路由于来自所述静电吸盘的静电而劣化。
4.如权利要求3所述的有机EL元件的制造方法，其特征在于：
在粘贴所述密封基板时，所述密封基板由第二静电吸盘保持，在所述密封基板的由第二静电吸盘保持的一侧或者所述有机EL元件基板一侧上，设置有用于防止所述有机EL元件基板的所述驱动电路由于来自所述第二静电吸盘的静电而劣化的第二导电层。
5.如权利要求4所述的有机EL元件的制造方法，其特征在于：
在所述第二导电层上设置有第二绝缘层。
6.如权利要求5所述的有机EL元件的制造方法，其特征在于：
所述导电层和/或所述第二导电层由透明导电性金属氧化物形成。
7.如权利要求6所述的有机EL元件的制造方法，其特征在于：
所述导电层和/或所述第二导电层由金属膜形成。
8.如权利要求7所述的有机EL元件的制造方法，其特征在于：
所述金属膜为低反射金属膜。
9.如权利要求7所述的有机EL元件的制造方法，其特征在于：
还包括：与所述有机EL元件基板的像素区域对应，在所述有机EL元件基板或所述密封基板上设置滤色器层的工序；和在该滤色器层之间的边界区域设置黑色矩阵的工序，
该黑色矩阵由所述导电层或所述第二导电层形成。
10.如权利要求1所述的有机EL元件的制造方法，其特征在于：
在所述有机EL元件基板的第二主面和/或所述密封基板的所述保持侧上形成有所述导电层和/或所述第二导电层的情况下，
在使所述密封基板粘贴在所述有机EL元件基板上的工序之后，还包括除去所述导电层和/或所述第二导电层的工序。
11.如权利要求10所述的有机EL元件的制造方法，其特征在于：
在所述导电层和/或所述第二导电层上设置有所述绝缘层和/或所述第二绝缘层的情况下，还包括将所述绝缘层和/或所述第二绝缘层与所述导电层和/或所述第二导电层一起除去的工序。
12.一种有机EL元件，其特征在于：
由权利要求1、2、3或7中任一项的方法制造。
13.一种有机EL元件，在基板的第一主面上设置有源矩阵驱动电路，在其上设置有机EL元件结构，使密封基板隔着粘接剂层粘贴在其上，其特征在于：
在所述基板的与所述第一主面相反一侧的第二主面上，或者在所述第一主面与所述驱动电路之间，设置有导电层。
14.如权利要求13所述的有机EL元件，其特征在于：
在所述导电层上设置有绝缘层。
15.如权利要求13所述的有机EL元件，其特征在于：
在所述密封基板的外侧或所述粘接剂层侧设置有第二导电层。
16.如权利要求15所述的有机EL元件，其特征在于：
在所述第二导电层上设置有第二绝缘层。
17.一种具有权利要求13所述的有机EL元件的有机EL面板，其特征在于：
所述有源矩阵驱动电路由图像信号驱动电路和垂直扫描信号驱动电路构成，图像信号通过该图像信号驱动电路而被施加在所述有机EL元件上，垂直扫描信号通过该垂直扫描信号驱动电路，以规定的定时被施加在所述有机EL元件上，由此生成在各有机EL元件上显示的图像。
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