CN1204782C - 电致发光显示面板的制造方法 - Google Patents
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- CN1204782C CN1204782C CNB021403716A CN02140371A CN1204782C CN 1204782 C CN1204782 C CN 1204782C CN B021403716 A CNB021403716 A CN B021403716A CN 02140371 A CN02140371 A CN 02140371A CN 1204782 C CN1204782 C CN 1204782C
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 41
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 163
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 163
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 26
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 26
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 22
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 14
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 claims description 14
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 9
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 abstract 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 83
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 71
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 47
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 7
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 5
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 5
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003490 calendering Methods 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 3
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 chromium metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MGNZXYYWBUKAII-UHFFFAOYSA-N cyclohexa-1,3-diene Chemical compound C1CC=CC=C1 MGNZXYYWBUKAII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000003230 hygroscopic agent Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- 239000012945 sealing adhesive Substances 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- PQMOXTJVIYEOQL-UHFFFAOYSA-N Cumarin Natural products CC(C)=CCC1=C(O)C(C(=O)C(C)CC)=C(O)C2=C1OC(=O)C=C2CCC PQMOXTJVIYEOQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FSOGIJPGPZWNGO-UHFFFAOYSA-N Meomammein Natural products CCC(C)C(=O)C1=C(O)C(CC=C(C)C)=C(O)C2=C1OC(=O)C=C2CCC FSOGIJPGPZWNGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000749 chronicity Toxicity 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CUONGYYJJVDODC-UHFFFAOYSA-N malononitrile Chemical compound N#CCC#N CUONGYYJJVDODC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 150000002829 nitrogen Chemical class 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003217 poly(methylsilsesquioxane) Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8428—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8723—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract
本发明提供一种EL显示面板的制造方法，可以更稳定地对形成有EL元件的显示基板元件面进行封装。将具有层压有机电致发光(EL)元件而形成的元件层(2)而构成的显示基板(3)的元件面，予以粘合于预先涂布有粘合剂(5)的封闭用玻璃(4)上。该粘合是对于以围绕显示基板(3)的元件层(2)的形状而涂布的粘合剂(5)的粘合面，施加压力以使该间隙到达预定值后，进行紫外线照射而使粘合剂固化。此时，设置有不会因该压力的施加而关闭的开口部(8)，并在完成给定间隙的粘合之后，使该开口部(8)封闭，而完全将显示基板(3)的元件面封装。
Description
技术领域
本发明涉及作为显示文字及图像等的显示装置所利用的电致发光显示面板的制造方法。
背景技术
一般来说，在有关具有电致发光(Electro luminescence；EL)元件而构成的EL显示面板方面，以适当的封装构件将形成有EL元件等的显示基板的元件面予以封装。这是因为作为该显示面板的发光元件的EL元件，将因水分而易于使特性恶化，甚至使采用该面板的显示装置的功能降低所致。因此，为长期维持EL显示面板的显示质量，故需要将上述EL元件予以高质量且稳定地封装。
另外，上述显示基板，具有在玻璃基板上层压上述EL元件及驱动该元件发光的驱动元件等的显示用元件而成的元件层。而且，在进行该封装时，保持适当间隙，而将该显示基板的元件面与封装构件相对向粘合。并且，在进行该粘合时，使预先以围绕显示基板的显示区域的形状而涂布于粘合面的粘合剂固化。
图7是以模式化表示为了一同制造多个(在该例中为12个)的EL显示面板、而在1片玻璃基板31上形成多个(12个)显示基板33、并在其元件面粘合作为封装构件的封装用玻璃34的情况。如图7(a)及(b)所示，在封装用玻璃34上，涂布有包围显示基板33各显示区域的粘合剂35，而该粘合剂35将玻璃基板31以及封装用玻璃34的接触面密封后，将形成于显示基板33的元件面的元件层32予以封装。另外，作为封装该EL显示面板的显示基板33的元件面的粘合剂35来说，使用由紫外线照射促进阳离子聚合而固化的环氧树脂。该阳离子系紫外线固化性环氧树脂，由于固化时的收缩率小且水分的透过性低，故多利用在封装这种EL显示面板的显示基板33的元件面的用途上。另外，在显示基板33的元件面的封装中所进行的这些处理，由于在水分含有量低的惰性气体、例如氮气等环境下进行，故所封装的内部空间充满几乎不含水分的惰性气体。另外，封装用玻璃34的与显示基板33的相对向面，以蚀刻等而与该显示基板33的显示区域形状对应切削。该封装用玻璃34的切削部36，为涂布用来维持所封装的显示基板33的特性的吸湿剂等而设置。另外，在图7(b)中，未图示玻璃基板31。
图8是以模式化表示上述玻璃基板31与封装用玻璃34粘合时的剖面状态。
在上述封装处理中，粘合面相互的距离，即间隙G的稳定化，是使与粘合剂35所粘合的上下的玻璃面间的接触面的宽度，即密封线宽度W稳定化，进而获得高可靠度的封装质量的重要要素。但是，上述阳离子系紫外线固化性环氧树脂，一般而言粘度较高且无法通过使用溶剂等稀释方式而调整其粘度，故需要将粘合面按压以使间隙G到达目标值，并使密封线宽W稳定化。
通常如图8所示，除了以真空吸引等方式使该支持构件37支持玻璃基板31之外，并使受支持的玻璃基板31下降至配置于台(未图标)上的封装用玻璃34上，再按压粘合面。然后，由支持构件37对玻璃基板31加压，以使玻璃基板31与封装用玻璃34间的间隙G达到目标值。以这样方式使间隙G到达目标值之后，再由紫外线照射使粘合剂35固化，而以封装用玻璃34将显示基板33的元件面予以封装。此时，密封线宽度W，由粘合剂35的量与粘度、以及间隙G及上述加压压力、加压时间等所决定。另外，在粘合剂中混入有具有预定直径的例如圆筒状或球状的间隔件38(图8以模式化表示)，将该间隔件38作为限制件，通过进行上述加压方式，而可获得目标值以作为间隙G。
但将玻璃基板31与封装用玻璃34粘合，并对该粘合面按压时，如上所述，将使存在于环境中的气体受到所封装的内部空间加压而被封入。因此目前，例如图9所示，不使上述粘合剂35的涂布开始点A与涂布终了点B之间两端部结合，而有意以偏移方式设置开口部40，而且与上述粘合面的按压同时，使存在于内部空间的气体由此开口部40排出。然后，在同一粘合面的间隙G到达目标值的阶段，使粘合剂35的上述两端部A及B，根据该压延而自动地结合粘合剂35，并封装内部空间。之后，由紫外线照射使粘合剂35固化，而完全将显示基板33的元件面封装。
在采用上述方法情况下，当粘合面受按压，而间隙G到达目标值时，如粘合剂35的上述两端部A及B未自动地结合粘合剂35，则无法完全将显示基板33的元件面封装。因此，为采用上述现有已知方法而实施上述封装，需要采用粘度高的粘合剂，同时精准地控制其涂布位置及涂布量。
例如，在上述粘合面的按压中，粘合面的按压结束以前，如粘合剂35的两端部A及B自动地结合粘合剂35，则在封装空间内部将会封入经加压的气体。在此情况下，将无法按压使粘合面的间隙G到达目标值，而且，将由于更进一步的按压，而有造成封装部分的一部分开口，以致无法确保显示基板33的元件面的封装质量之虑。另外，假使在上述间隙G达到目标值的阶段，就使粘合剂35的两端部A及B自动地结合，但如无法确保该结合部分与其它封装部分同等的密封线宽度W，则仍难以长期维持该封装质量。
发明内容
本发明是有鉴于这种实际状况而创造的，其目的在于提供能更稳定地进行形成有EL元件的显示基板元件面的封装的EL显示面板的制造方法。
权利要求1所述的发明要旨是，一种电致发光显示面板的制造方法，在以封装构件将基板面上具有电致发光元件而形成的显示基板的元件面予以封装时，在该封装构件与显示基板的元件面间的粘合面，预先以围绕显示基板的显示区域的方式涂布粘合剂，在上述封装构件与显示基板元件面粘合后，对上述粘合面加压，使两者的间隙到达目标值，并使上述粘合剂固化，其特征在于：预先在上述粘合剂的涂布区域设置开口，以便对上述封装构件与显示基板元件面间的粘合面加压使两者的间隙到达上述目标值之后，上述显示基板的元件面不会被上述封装构件及上述粘合剂完全封装，在该粘合剂的固化处理后，针对所述开口进行所述粘合剂的涂布，及其固化处理，以便将上述开口封闭。
另外，上述显示基板同时多个粘合在1片封装构件上，而上述开口的封闭，是在上述显示基板及封装构件经切断而成为显示面板之后，在各个显示面板分别针对所述开口进行所述粘合剂的涂布，及其固化处理，以便将所述开口封闭。
另外，权利要求2所述的发明要旨是，如权利要求1所述的电致发光显示面板的制造方法，其特征在于：上述粘合剂是通过阳离子聚合而固化的紫外线固化性树脂，并通过紫外线照射而进行该粘合剂的固化。
另外，权利要求3所述的发明要旨是，如权利要求1所述的电致发光显示面板的制造方法，其特征在于：针对上述开口所涂布的粘合剂，在其固化处理之前先进行加热处理，以便成为适合对该开口浸透的粘度。
另外，权利要求4所述的发明要旨是，如权利要求1或2中任意一项所述的电致发光显示面板的制造方法，其特征在于：还包括：在上述开口封闭之前、先在上述显示基板的元件面以及上述封装构件以及上述粘合剂所围绕的空间中填充憎水性流体的步骤。
而且，权利要求5所述的发明要旨是，如权利要求5所述的电致发光显示面板的制造方法，其特征在于：采用硅油作为上述填充的憎水性的流体。
附图说明
图1是针对本发明的EL显示面板的制造方法的第1实施例、表示用于实施该方法的装置构成例的说明图。
图2是针对该第1实施例、表示在封装用玻璃上所涂布的粘合剂的涂布形状例的说明图。
图3是针对该第1实施例、表示由封装用玻璃将显示基板的元件面予以封装的封装顺序例的流程图。
图4是针对该第1实施例、表示粘合基板的外观的说明图。
图5是针对本发明的EL显示面板的制造方法的第2实施例、模式化表示将硅油填充于粘合基板的内部空间的装置结构例的说明图。
图6是针对该第2实施例、表示由封装用玻璃将显示基板的元件层予以封装的封装顺序例的流程图。
图7是表示作为一般的EL显示面板的制造方法、形成于玻璃基板上的多个显示基板的封装用玻璃的封装形态的说明图。
图8是模式化扩大表示将上述玻璃基板与封装用玻璃粘合时的剖面状态的说明图。
图9是表示由现有EL显示面板的制造方法造成的封装不良的例子的平面图。
图10是表示有机EL显示用面板的元件层的构成例的平面图。
图11是表示有机EL显示用面板的元件层的构成例的剖面图。
符号说明：1玻璃基板，2元件层，3显示基板，4封装用玻璃，5粘合剂，5a粘合剂，6切削部，7支持构件，8开口部，11石英玻璃，20腔室，21a气体导入口，21b气体排出口，22CCD摄像机，23紫外线光源，31玻璃基板，32元件层，33显示基板，34封装用玻璃，35粘合剂，36切削部，37支持构件，38间隔件，40开口部，41粘合基板，42腔室，43真空泵，44油皿，45硅油，46阀门，51栅极信号线，52漏极信号线，53驱动电源线，54电容电极线，55电容电极，60有机EL元件，60R、60G、60B有机EL元件，61阳极，62空穴传输层，63发光层，64电子传输层，65电子注入层，66发光元件层，67阴极，68绝缘膜，70TFT，71栅极电极，71S源极，73主动层(active layer)，73LD低浓度区域，73S源极，73D漏极，80TFT，81栅极，83主动层，83C通道，83D漏极，83S源极，90基板，92栅极绝缘膜，95层间绝缘膜，96漏极电极，97平坦化绝缘膜。
具体实施方式
(第1实施例)
下面，使用图1～图4说明将本发明的EL显示面板的制造方法、具体化成为具有有机EL元件的构成的EL显示面板的制造方法的第1实施例。另外，在该第1实施例中，基本上，通过由粘合剂将上述玻璃基板与封装用玻璃予以粘合的方式，而将形成有有机EL元件的显示基板予以封装。
图1是表示以该第1实施例的制造方法来制造EL显示面板的装置的构成例的模式图。
如图1所示，在构成显示基板3的玻璃基板1的其中一方的面，通过薄膜形成过程而形成有由有机EL元件等所构成的元件层2。在1片玻璃基板1中，为一同制造多个显示用面板，而一同形成多个元件层2，以同时生成多个显示基板3。然后，上述玻璃基板1，粘合于与元件层2相对向配置的封装用玻璃4。在该封装用玻璃4上，以围绕显示基板3的形状，即，沿着封装上述元件层2的形状，涂布有粘合剂5。另外，该粘合剂5，是由粘度高的紫外线固化性树脂、例如阳离子系紫外线固化性环氧树脂所构成。该阳离子系紫外线固化性环氧树脂，其固化时的收缩率小，且具有水分透过性低的特性，适于封装有机EL元件等的用途。另外，在封装用玻璃4上与该显示基板3的相对向面，通过蚀刻而与该显示基板3(严格而言是指该元件层)的形状以及配置相对应而进行切削。该封装用玻璃4的切削部6，是为了涂布用来维持所封装的显示基板3的特性的吸湿剂等而设置。
上述各构件配置于腔室(chamber)20内，该腔室20内部充满着通过连接至外部的气体导入口21a以及气体排出口21b而进行供气排气的氮气(N2)。就该氮气来说，使用其水分含有率在5ppm以下的氮气，以使形成于显示基板3的有机EL元件，不会受到存在于环境中的水分而恶化。
在上述腔室20内，玻璃基板1，由设置在腔室20内部、并由受到位置控制的支持构件7加以真空吸附。另外在图1中，并未图示用于真空吸附该玻璃基板1的装置。另一方面，封装用玻璃4，配置在固定于腔室20底面的石英玻璃11上。然后，控制支持构件7的位置的装置24，根据设在腔室20内部的CCD摄像机22所摄像的定位标记(未图示)等图像，而使支持构件7与玻璃基板1一起向水平方向移动，而决定与相对向的封装用玻璃4间的相对位置。在该定位结束后，支持构件7下降并将玻璃基板1按压至封装用玻璃4上，并对两者的粘合面加压。另外，在图1所示的制造装置中，符号23是隔着石英玻璃11以及封装用玻璃4、照射紫外线于上述阳离子系紫外线固化性环氧树脂所构成的粘合剂5、而使其固化的紫外线光源。另外，为了对粘合面加压而使间隙G达到目标值，在粘合剂5中，混入例如以该目标值为直径的圆筒形状等形状适宜的间隔件(参照图8)。然后，在对该粘合面施加充分的压力后，这些间隔件即成为限制件，而可将间隙G变为目标值。
图2是表示涂布上述粘合剂5于封装用玻璃4上的图案例的说明图。如图2所示，在与玻璃基板1粘合时，为包围显示基板3的元件面的显示区域而涂布有粘合剂5，在粘合时封装各显示基板3的元件面的空间，成为具有与外部连通的开口部8的涂布形状。另外，并与显示基板3的元件面相对向设有切削部6。
在上述结构中，显示基板3的元件面的封装用玻璃4的封装，如图3流程图所示，以下列顺序进行。
首先，使真空吸引玻璃基板1的支持构件7下降，将玻璃基板1粘合于以具有如图2所示的开口部8的形状涂布的粘合剂5的封装用玻璃4上(步骤S301)。并且，支持构件7对该粘合面施加适当压力，使玻璃基板1按压至玻璃基板1与封装用玻璃4间的粘合面的间隙G到达目标值为止(步骤S302)。此时，存在于由玻璃基板1与封装用玻璃4与粘合剂5所围绕的空间的氮气，透过开口部8而适当地被排出至外部。因此，即使在将两者粘合并使该间隙G成为目标值之后，也未因为封装用玻璃4与粘合剂5而将玻璃基板1的元件面完全封装，因此确保该内部空间与外气压、即腔室20内的氮气气压(此处为大气压)相等。这是由于在粘合剂5设有开口部8所致。接着，持续对该粘合面加压，并维持间隙G在目标值，同时将紫外线光源23点亮以照射粘合剂5，使该粘合剂5固化(步骤S303)。由此，玻璃基板1与封装用玻璃4间的间隙G固定于目标值，两者的粘合即结束。接着，将该已粘合的基板切断而成为分别为封装有形成于显示基板3的元件层2的形状，而分割成如图4所示的粘合基板41(步骤S304)。此时，以涂布于各显示基板3的粘合剂的开口部8成为上述粘合基板41的切断面端部的方式将粘合基板予以切断。接着，将使用于先前粘合时的相同的粘合剂，涂布于粘合基板41的粘合面的开口部8(步骤S305)。该粘合剂5a对于开口部8的涂布，如图4所示，将上述粘合基板41的开口部8朝向上方，并以点胶机(dispenser，未图示)将粘合剂涂布于开口部8，使所涂布的粘合剂5a通过其自重而从切断面端部浸透入，而到达开口部8。在粘合剂5a的涂布方面，优选对点胶机的粘合剂进行加温，以使涂布于切断面端部的粘合剂5a，成为适于浸透入粘合基板41的开口部8的粘度，或者在涂布后进行加温。然后，对上述开口部8再度照射紫外线以使粘合剂5a固化，并封闭粘合基板41的开口部8，完全将显示基板3的元件面封装(步骤S306)。另外，上述步骤S304～S306的处理，与上述步骤S301～S303的处理相同，优选在水分含有率低的氮气等惰性气体环境下进行，可以抑制处理中的有机EL元件的特性恶化。另外，在步骤S303以及S306中，为了耐热性低的有机EL元件不会因受到含有来自紫外线光源23的照射光的红外线加热而使特性恶化，优选以通过红外线滤光片的光进行照射。另外在紫外线之中，希望能以不透过玻璃基板的紫外线不予以照射，即被玻璃基板吸收的为最理想。
另外仅供参考，下面说明形成于作为上述有机EL显示面板所利用的显示基板3上的元件层2的构成例。
图10是表示针对构成显示装置的显示单元(像素)的各个EL元件、附加作为主动元件的薄膜晶体管(TFT)的主动矩阵型的EL显示面板的构成、并扩大其1个像素的周边部的平面图。
EL显示面板是利用EL元件通过施加电场而发光的性质的显示装置，在显示面板上有用于驱动开关用TFT的栅极信号线以及用于使各像素显示的信号线，这些信号线形成纵横的矩阵状。
如图10所示，在该EL显示面板中，形成有栅极信号线51与漏极信号线52来作为上述信号线。而且，与这些交叉部相对应形成有构成像素的有机EL元件60。另外，在该EL显示面板中，为实现全彩色显示而形成有发光色不同的3种有机EL元件60R、60G、以及60B来作为1个重复单元。而且，这3个成为1组，并形成作为发出任意颜色的全彩色显示装置的1个显示单元。
在两信号线的交叉部附近，形成有通过栅极信号线51来进行开关的TFT70，当TFT70导通时，则漏极信号线52的信号连接至源极71S，并施加至电容电极55。该电容电极55，连接于EL元件驱动用的TFT80的栅极81。另外，TFT80的源极83S，连接于有机EL元件60的阳极61，漏极83D连接于构成供给电流至有机EL元件60的驱动电源线53。
另外，与这些TFT70以及80相对应，形成有与栅极信号线51平行的保持电容电极线54。该保持电容电极线54，由铬(Cr)等金属构成，隔着绝缘膜在与上述电容电极55之间储存电荷而构成电容元件。该保持电容，是为保持施加于TFT80的栅极电极81的电压而设置的。
图11是表示图10所示的像素周边的剖面图，图11(a)是沿D-D线的剖面图，图11(b)是沿E-E线的剖面图。
如图11所示，上述有机EL显示面板中的显示基板的元件层，在玻璃或合成树脂、或是导体或半导体基板等基板90上，依次层压并形成TFT以及有机EL元件60。
首先，针对控制电容电极55的充电的TFT70的形成进行说明。
如图11(a)所示，在由石英玻璃、无碱玻璃等所构成的绝缘性基板90上，对非晶硅膜照射激光，而形成由多结晶化的多晶硅膜所构成的主动层73。在该主动层73中设有所谓LDD(Lightly Doped Drain)结构。即，在通道的两侧设有低浓度区域73LD，以及在该外侧设有高浓度区域的源极73S以及漏极73D。在其上形成栅极电极71，该栅极电极71是由栅极绝缘膜92、Cr、以及钼(Mo)等高熔点金属所构成的栅极信号线51的一部分所形成。在此同时，形成保持电容电极54。接下来，在栅极绝缘膜92上的全面，设置依硅氧化膜(SiO2膜)以及硅氮化膜(SiN膜)的顺序层压而成的层间绝缘膜95，并在与漏极73D相对应而设置的接触孔中填充铝(Al)等的金属，同时设置漏极信号线52与本身为漏极信号线52的一部分的漏极电极96。并且在该膜面之上，设置例如由有机树脂构成、使表面平坦的平坦化绝缘膜97。
下面，针对驱动有机EL元件60并使之发光的TFT80的形成进行说明。
如图11(b)所示，在由石英玻璃、无碱玻璃等所构成的绝缘性基板90上，在先前TFT70的主动层73的形成同时，形成由多晶硅膜所构成的主动层83。在该主动层83中，在栅极电极81下方设置真性或实质上真性的通道83C，而在该通道83C的两侧施加p型不纯物的离子掺杂(ion doping)，并设置源极83S以及漏极83D，构成P型通道TFT。在该主动层83之上设置由栅极绝缘膜92、以及Cr、Mo等高熔点金属所构成的栅极电极81。该栅极电极81，如上所述连接于TFT70的源极73S。而且，在栅极绝缘膜92以及栅极电极81上的全面，形成依SiO2膜、SiN膜、以及SiO2膜顺序层压而成的层间绝缘膜95，并在与漏极83D相对应而设置的接触孔中填充Al等的金属，同时形成驱动电源线53。并在该膜面之上，设置例如由有机树脂构成、使表面平坦的平坦化绝缘膜97。而且，在该平坦化绝缘膜97上形成用于与源极83S连接的接触孔，并将通过该接触孔与源极83S连接的透明电极61形成于平坦化绝缘膜97上。该透明电极61构成有机EL元件60的阳极，并使层压于其上的有机EL元件60所释出的光，向基板90侧穿透过。就该透明电极来说，采用铟与锡的氧化物的‘ITO’(Indium Tin Oxide)等。
有机EL元件60，是在上述阳极61的上层、按照发光元件层66和由Al所构成的阴极67的顺序层压形成而构成的。而且，发光元件层66具有4层结构，各层在阳极61的上层，依以下所示顺序层压形成。
(1)空穴传输层62：‘NPB’。
(2)发光层63：与各发光色相对应并使用下列材料。
红色…在主体材料‘Alq3’中掺杂‘DCJTB’。
绿色…在主体材料‘Alq3’中掺杂‘Coumarin 6’。
蓝色…在主体材料‘Balq’中掺杂‘Perylene’。
(3)电子传输层64：‘Alq3’。
(4)电子注入层65：氟化锂(LiF)。
在此，上述以简称记载的材料正式名称如下所示。
·‘NPB’…N，N′-(亚萘基-1-酰基)-N，N′-二苯基-联苯胺。
·‘Alq3’…三(8-羟基喹啉)铝。
·‘DCJTB’…(2-(1，1-二甲基乙基)-6-(2-(2，3，6，7-四氢-1，1，7，7-四甲基-1H，5H-苯[ij]喹嗪-9-酰基)乙烯基)-4H-吡喃-4-叉)丙二腈。
·‘Coumarin 6’…3-(2-苯并噻唑基)-7-(二乙胺)香豆素。
·‘Balq’…(1，1′-联苯酚-4-羟基)双(2-甲基-8-喹啉板-N1，08)铝。
这些空穴传输层62、电子传输层64、电子注入层65以及阴极67，共同形成于与图10所示各像素相对应的有机EL元件60上。发光层63与阳极61相对应而形成岛状。另外，在阳极61的周边形成绝缘膜68(以虚线表示的区域的外侧)。这是为了防止因阳极61的厚度所导致的段差而造成发光层63的切断、进而产生阴极67与阳极61之间的短路而设置的。
这样所形成的有机EL元件60的像素，如被上述TFT70以及80驱动，则由阳极61所注入的空穴以及由阴极67所注入的电子，在发光层66的内部再度结合并发光。
另外，在采用上述材料作为构成有机EL元件60的各层时，希望不造成这些各层的特性恶化，而能施加于元件层2的温度，优选为95℃以下。
如以上所说明，依据该第1实施例的EL显示面板的制造方法，可获得以下结果。
(1)在将玻璃基板1与封装用玻璃4粘合时，设置开口部8，以便粘合剂5对于该粘合面的涂布不会由于对粘合面的加压使该粘合剂5压延而自动地使粘合剂5结合。由此，在粘合时透过该开口部8而封装的内部空间与外部连通，并按压该粘合面，将使间隙G能够容易且顺利地到达目标值。
(2)另外，在使粘合面的间隙G到达目标值时，存在于粘合基板41的内部空间的气体，随着对该粘合面的按压，将确实地被排出至外部。因此，可顺利地对粘合面按压，并且能使两者的间隙G到达目标值，而可稳定地获得精度良好的密封线宽度W。
(3)因此，在封装结束时刻，可使加压至封装空间内部的气体不被封入，且使粘合时的封装不良的发生频率受到抑制，并可提高长期的封装质量。
(4)另外，在将玻璃基板1粘合于封装用玻璃4并按压时，不需要通过该压延将预先涂布的粘合剂5的端部自动地与粘合剂5结合。因此，在将该粘合剂5涂布于封装用玻璃4时，不会严格地要求该涂布开始点与涂布终了点之间的位置及涂布量等。
(5)而且，就上述开口部8的封闭来说，不论显示用元件是否有耐热性，都对所涂布的粘合剂5a进行适当加温，并调整至适于对开口部8浸透的粘度。因此，可更容易且确实地封闭开口部8，并将显示基板3的元件面予以封装。
(6)为使上述开口部8封闭，将与粘合玻璃基板1和封装用玻璃4的粘合剂同样的粘合剂，涂布于该开口部8并使其固化。因此，不需要新的构件，即可确实地进行上述封闭。另外，由于粘合及封闭所使用的粘合剂相互间具有良好亲和性，故可提高两者的接触部中的封装可靠度。
(7)如此所获得的封装部分，因其封装质量高，故可制造出特性恶化少且高可靠度的EL显示面板，作为显示装置。
(第2实施例)
下面，以与上述第1实施例不同部分为中心，使用图5及图6说明将本发明的EL显示面板的制造方法、具体化成为具有有机EL元件的构成的EL显示面板的制造方法的第2实施例。
在该第2实施例的EL显示面板的制造方法中，按照上述第1实施例所示封装顺序，追加在粘合基板41的内部空间，即在封装显示基板3的元件面的空间，填充憎水性流体的处理。该流体，由于与形成于显示基板3的元件层2直接接触，所以优选水分等不纯物含有率低且对元件层2为惰性、例如硅油等。
图5是模式化地表示用于向封装上述显示基板3的元件层2的空间填充硅油的装置结构例的图。
如图5所示，用于向粘合基板41的内部空间的填充硅油的该装置，具有真空腔室42、真空泵43、填满硅油45的油皿44、以及将真空腔室42内予以真空破坏的阀门46所构成。其它虽未图示，但也具备有用于搬运及支持粘合基板41的装置。另外，就该真空泵43来说，优选使用干式泵，以便不使不纯物混入到腔室42内部。
将上述装置与先前第1实施例所示玻璃基板1与封装用玻璃4的粘合所使用的装置合并使用，并按图6的顺序例所示的流程进行上述封装处理。
首先，以具有开口部8的方式将玻璃基板1粘合于封装用玻璃4(步骤S601)。其中，在该第2实施例中，也使用与在先前第1实施例所使用的粘合剂相同的阳离子系紫外线固化性环氧树脂。接着，将该粘合面加压以使两者的间隙G到达目标值(步骤S602)，并照射紫外线以使粘合剂固化(步骤S603)。接着，将该粘合基板切断(步骤S604)，成为分别封装有显示基板的元件层2的粘合基板41。到此处为止，与先前第1实施例中图3步骤S301至S304，基本上属相同顺序。接着，将该开口部8朝向下方并将该粘合基板41置入腔室42内，由真空泵43将腔室42内部予以抽真空至0.13Pa(0.001Torr)左右(步骤S605)。接着，将该粘合基板41的开口部8，浸渍于由高纯度硅油45所填满的油皿44(步骤S606)。接着，在该粘合基板41的开口部8浸渍于硅油45内的状态下，静静打开阀门46以破坏腔室42内的真空(步骤S607)。由此，腔室42内部成为大气压，而在大气压下将硅油填充入粘合基板41的内部空间。接着，将粘合基板41的开口部8从其所浸渍的硅油45中提起(图6步骤S608)。然后，拭去附着于开口部8附近的硅油45。这是为了防止粘合剂剥落。然后，与先前第1实施例中图3的步骤S305及S306的处理相同，将粘合基板41的开口部8朝上，通过未图示的点胶机，涂布与上述粘合中所使用的粘合剂相同的粘合剂9(步骤S609)，并对涂布该粘合剂的部位照射紫外线而封闭开口部8(图6步骤S610)。另外此时，最好不要对有机EL元件照射紫外线，以防止该元件的特性劣化。另外，在步骤S604～S610的一连串的处理中，优选与步骤S601～S603的处理相同，在水分含有率低的氮气等环境下进行，而不至于造成形成于显示基板3的元件层2的特性劣化。
以此方式，在该第2实施例中，在粘合基板41的内部空间填充硅油45。
如以上所说明，依据该第2实施例的EL显示面板的制造方法，除了由先前第1实施例所能获得的效果之外，还将获得以下效果。
(8)在封装显示基板3的元件面的内部空间抽真空后，即在其处充填高纯度的硅油45。由此，即使水分等不纯物透过封装部分，侵入到内部空间，也能通过硅油所具有的憎水性，降低该不纯物与元件层2直接接触的机会。
(9)因此，作为发光体的有机EL元件的特性劣化将更理想地受到抑制，且可更长期维持作为显示装置的显示功能。
(其它实施例)
另外，上述各实施例也可如下列方式变更实施。
·在上述各实施例中，玻璃基板1与封装用玻璃4粘合所使用的的粘合剂5，虽设定为紫外线固化性的树脂，但未必仅限于此。就粘合剂5来说，也可是热固化性的树脂，或是通过其它手段而使之固化的粘合剂。而且，也可为丙烯树脂。只要能够确实粘合上述粘合面，并且能更理想地将显示基板3的元件面予以封装，而不致造成形成于显示基板3的元件层2的特性劣化，则使用任何粘合剂均可。
·在上述各实施例中，虽针对以氮气将腔室20内部充满的情况进行了范例说明，但未必仅限定于此。除氮气外，只要是水分含有量少、并不导致对形成于显示基板3的元件层2造成不良影响的惰性气体，则使用任何气体均可。
·在上述各实施例中，虽针对具有有机EL元件而构成的显示基板3予以封装并作为EL显示面板的情况进行了范例说明，但未必仅限定于此。在发光用元件方面，也可以是利用无机EL元件的。
·在上述各实施例中，虽针对利用封装用玻璃4作为将显示基板3的元件面予以封装的封装构件的例子进行了说明，但未必仅限定于此。例如，也可由金属的外壳(金属密封外壳)等将显示基板3的元件面予以封装。
·在上述第2实施例中，虽然分别表示了用于将玻璃基板1粘合于封装用玻璃4的腔室20、以及用于填充硅油45至粘合基板41的内部空间的腔室42，但这些腔室也可以是相同的。
·在上述第2实施例中，虽针对使用高纯度的硅油45作为充填于粘合基板41的内部空间的流体的例子进行了说明，但未必仅限定于此。只要是能不使形成于显示基板3的元件层2的特性劣化、并具有憎水性的流体，则任何流体均可。
根据权利要求1所述的EL显示面板的制造方法，在以上述粘合剂，将具有上述电致发光元件而形成的上述显示基板，封装于上述封装构件时，在两者的粘合面设置开口，且不使其封闭而进行粘合并加压。在使该粘合面的间隙G到达目标值之后，使上述粘合剂固化。然后在这之后，封闭上述开口并使上述封装结束。因此，在将上述显示基板粘合于封装构件并加压时，可使由显示基板与封装构件与上述粘合剂所围绕的内部空间，与外部相连通。因此，如同通过对粘合面的加压的涂布的粘合剂的压延、而将该粘合面予以封装那样，将不会因上述内部空间完全被封装的时刻、而使对上述粘合面加压的处理受到影响，并可在间隙G到达目标值之前，平均地予以按压。而且更可以使封装上述粘合面的粘合剂的接触宽度稳定化。在如此处理之后，即封闭开口并使封装结束，因此可使该封装质量稳定化，且达到高可靠度。特别是，由于上述被封装的内部空间内未封入经过加压的气体，所以可以确保封装质量的长期性的可靠度。
并且由于可一次进行多个上述粘合处理，故可更有效地进行该处理。
由于上述粘合中所使用的粘合剂与封闭上述开口的粘合剂相同，故使该开口封闭的粘合剂，与上述粘合中所使用的粘合剂，能在其接触面亲和性良好地进行密封。因此，可理想地抑制开口的封闭部弱点，防止水分等不纯物从该处侵入。
根据权利要求2所述的EL显示面板的制造方法，由于使用紫外线固化性的树脂作为封装上述显示基板的粘合剂，故不存在对耐热性低的EL元件加热而造成特性劣化的情况，可理想的进行封装。
根据权利要求3所述的EL显示面板的制造方法，对于涂布于上述开口的粘合剂，将在其固化之前通过加热处理方式而适当调整其粘度，故可易于控制在封闭上述开口时粘合剂对于粘合面的涂布、以及对于开口的浸透速度。因此，可更确实稳定地进行上述开口的封闭处理。
根据权利要求4所述的EL显示面板的制造方法，由于在封装上述显示基板的封装空间内部，填充憎水性的流体，故形成于显示基板上的EL元件，将难以直接与水分等的不纯物接触。由此，将更理想地抑制EL元件的劣化。
根据权利要求5所述的EL显示面板的制造方法，由于封装上述显示基板的封装空间内部，充满高纯度且惰性的流体，故可理想地降低形成于显示基板上的EL元件与水分等不纯物的接触机会。
Claims (5)
1.一种电致发光显示面板的制造方法，在以封装构件将基板面上具有电致发光元件而形成的显示基板的元件面予以封装时，在该封装构件与显示基板的元件面间的粘合面，预先以围绕显示基板的显示区域的方式涂布粘合剂，在所述封装构件及显示基板元件面粘合后，对所述粘合面加压，使两者的间隙到达目标值，并使所述粘合剂固化，其特征在于：
预先在所述粘合剂的涂布区域设置开口，以便对所述封装构件与显示基板元件面间的粘合面加压使两者的间隙到达所述目标值之后，所述显示基板的元件面不会被所述封装构件及所述粘合剂完全封装，在该粘合剂的固化处理后，针对所述开口进行所述粘合剂的涂布，及其固化处理，以便将所述开口封闭；
所述显示基板同时多个粘合在1片封装构件上，而所述开口的封闭，是在所述显示基板及封装构件经切断而成为显示面板之后，在各个显示面板分别针对所述开口进行所述粘合剂的涂布，及其固化处理，以便将所述开口封闭。
2.如权利要求1所述的电致发光显示面板的制造方法，其特征在于：所述粘合剂是通过阳离子聚合而固化的紫外线固化性树脂，并通过紫外线照射而进行该粘合剂的固化。
3.如权利要求1所述的电致发光显示面板的制造方法，其特征在于：针对所述开口所涂布的粘合剂，在其固化处理之前先进行加热处理，以便成为适合对该开口浸透的粘度。
4.如权利要求1所述的电致发光显示面板的制造方法，其特征在于：
还包括：在所述开口封闭之前、先在所述显示基板的元件面以及所述封装构件以及所述粘合剂所围绕的空间中填充憎水性流体的步骤。
5.如权利要求4所述的电致发光显示面板的制造方法，其特征在于：采用硅油作为所述填充的憎水性的流体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001198928A JP2003017259A (ja) | 2001-06-29 | 2001-06-29 | エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法 |
| JP2001198928 | 2001-06-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1395451A CN1395451A (zh) | 2003-02-05 |
| CN1204782C true CN1204782C (zh) | 2005-06-01 |
Family
ID=19036285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB021403716A Expired - Fee Related CN1204782C (zh) | 2001-06-29 | 2002-07-01 | 电致发光显示面板的制造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030017777A1 (zh) |
| JP (1) | JP2003017259A (zh) |
| KR (1) | KR20030003120A (zh) |
| CN (1) | CN1204782C (zh) |
| TW (1) | TW576126B (zh) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI299632B (zh) * | 2001-09-28 | 2008-08-01 | Sanyo Electric Co | |
| KR100477745B1 (ko) * | 2002-05-23 | 2005-03-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계발광 소자의 봉지방법 및 이를 이용하는 유기전계발광 패널 |
| WO2004034746A1 (ja) | 2002-10-09 | 2004-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 発光装置の製造方法 |
| JP2005218899A (ja) | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Toshiba Corp | 塗布装置及びこれを備えた表示装置製造装置 |
| TWI234411B (en) | 2004-04-01 | 2005-06-11 | Au Optronics Corp | Organic light-emitting diode and method of fabricating the same |
| CN100369291C (zh) * | 2004-05-09 | 2008-02-13 | 友达光电股份有限公司 | 有机发光显示器及其制造方法 |
| KR100698697B1 (ko) * | 2004-12-09 | 2007-03-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
| JP4592476B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2010-12-01 | 三洋電機株式会社 | 発光パネルの製造方法及び表示パネルの製造方法 |
| TWI405496B (zh) * | 2004-12-13 | 2013-08-11 | Sanyo Electric Co | 有機電場發光元件之封裝方法，及發光面板以及顯示面板之製造方法 |
| JP4731902B2 (ja) * | 2004-12-22 | 2011-07-27 | 東北パイオニア株式会社 | 自発光パネルの製造方法 |
| US7452258B1 (en) * | 2005-08-30 | 2008-11-18 | Rockwell Collins, Inc. | Method of sealing OLED cover with liquid adhesive |
| DE102006015065A1 (de) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Siemens Ag | Einbaumotor, insbesondere Einbau-Torquemotor |
| JP2007279616A (ja) * | 2006-04-12 | 2007-10-25 | Sony Corp | 駆動基板の製造方法および駆動基板 |
| KR100847657B1 (ko) * | 2006-08-16 | 2008-07-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시 장치 |
| JP2008059868A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法及び電子機器 |
| JP2008288012A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法 |
| KR100840090B1 (ko) * | 2007-08-17 | 2008-06-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그의 모기판 |
| JP2009070597A (ja) * | 2007-09-11 | 2009-04-02 | Seiko Epson Corp | 発光装置 |
| ES2341410B1 (es) * | 2008-04-24 | 2011-04-12 | Creaciones Arquitectonicas Y Estudios De Logotipos, S.L. | Metodo de impresion grafica para cristales y cristal impreso obtenido. |
| KR101528142B1 (ko) * | 2008-08-01 | 2015-06-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시 패널의 제조 방법 |
| CA2751559A1 (en) * | 2009-02-05 | 2010-08-12 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electroluminescent device |
| US8411235B1 (en) | 2010-03-16 | 2013-04-02 | Rockwell Collins, Inc. | Displays for three-dimensional imaging |
| US20130021572A1 (en) * | 2010-03-31 | 2013-01-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device element, method for manufacturing same, and liquid crystal display device |
| CN104992638A (zh) * | 2015-07-30 | 2015-10-21 | 长沙信元电子科技有限公司 | 一种led显示屏的显示模组及其防水密封条 |
| KR101805552B1 (ko) * | 2015-08-31 | 2017-12-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
| KR102466959B1 (ko) | 2015-12-31 | 2022-11-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4640583A (en) * | 1983-07-22 | 1987-02-03 | Kabushiki Kaisha Seiko Epson | Display panel having an inner and an outer seal and process for the production thereof |
| US5246789A (en) * | 1989-08-28 | 1993-09-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | AC powder type EL panel and method of manufacturing the same |
| JPH03156888A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-07-04 | Toshiba Corp | 分散型ｅｌパネル及びその製造方法 |
| US5239228A (en) * | 1990-07-02 | 1993-08-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin-film electroluminescence device for displaying multiple colors with groove for capturing adhesive |
| US5499127A (en) * | 1992-05-25 | 1996-03-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device having a larger gap between the substrates in the display area than in the sealant area |
| JP3225700B2 (ja) * | 1992-08-04 | 2001-11-05 | 松下電器産業株式会社 | 液晶パネルの製造方法および製造装置 |
| JP2795207B2 (ja) * | 1994-03-31 | 1998-09-10 | 株式会社デンソー | エレクトロルミネッセンス表示器及びその製造方法 |
| KR0128521Y1 (ko) * | 1994-09-26 | 1998-12-15 | 엄길용 | 전계발광소자 |
| TW378276B (en) * | 1995-01-13 | 2000-01-01 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display device and its fabrication method |
| US5697825A (en) * | 1995-09-29 | 1997-12-16 | Micron Display Technology, Inc. | Method for evacuating and sealing field emission displays |
| TW439007B (en) * | 1996-09-11 | 2001-06-07 | Canon Kk | Process and apparatus for producing electrode plate and process for producing liquid crystal device including the plate |
| US5959712A (en) * | 1997-07-11 | 1999-09-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a liquid crystal display element having a decreased fluctuation of aperture ratio |
| EP0899987A1 (en) * | 1997-08-29 | 1999-03-03 | TDK Corporation | Organic electroluminescent device |
| JPH11121170A (ja) * | 1997-10-15 | 1999-04-30 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
| JPH11264991A (ja) * | 1998-01-13 | 1999-09-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法 |
| JPH11224773A (ja) * | 1998-02-09 | 1999-08-17 | Denso Corp | Ｅｌパネルの製造方法およびｅｌパネルへの絶縁流体注入装置 |
| JP2000003783A (ja) * | 1998-06-12 | 2000-01-07 | Tdk Corp | 有機ｅｌ表示装置 |
| TWI235863B (en) * | 1998-11-30 | 2005-07-11 | Toshiba Corp | Manufacturing method of liquid crystal lattice |
| US6624570B1 (en) * | 1999-09-29 | 2003-09-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electroluminescent display device and method for its fabrication |
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| JP2001155855A (ja) * | 1999-11-24 | 2001-06-08 | Toyota Motor Corp | 有機ｅｌ素子の封止方法 |
| TW452952B (en) * | 2000-03-30 | 2001-09-01 | Delta Optoelectronics Inc | Packaging method of electro-luminescent device |
| JP4112779B2 (ja) * | 2000-05-31 | 2008-07-02 | 三星エスディアイ株式会社 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
-
2001
- 2001-06-29 JP JP2001198928A patent/JP2003017259A/ja active Pending
-
2002
- 2002-06-11 TW TW91112603A patent/TW576126B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-06-28 US US10/185,544 patent/US20030017777A1/en not_active Abandoned
- 2002-06-29 KR KR1020020037534A patent/KR20030003120A/ko not_active Application Discontinuation
- 2002-07-01 CN CNB021403716A patent/CN1204782C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2003017259A (ja) | 2003-01-17 |
| CN1395451A (zh) | 2003-02-05 |
| KR20030003120A (ko) | 2003-01-09 |
| US20030017777A1 (en) | 2003-01-23 |
| TW576126B (en) | 2004-02-11 |
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| TWI538552B (zh) | 有機ｅｌ裝置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C19 | Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |