JP2009070597A - 発光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】二重以上の封止構造によって、発光素子に対する良好な封止性能を実現した発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置2は、少なくとも発光層を有する電気光学的物質を第1電極と第2電極とで挟持した積層体12を形成した基板10と、基板10の積層体12の外周を二重或いはそれ以上に取り囲む枠状に形成された複数の封止材20,24を介して、基板10に接着された封止基板14と、封止基板14における、封止材20(24)により囲まれた領域毎に形成される複数の配設部26,28と、配設部26(28)毎に配設される水分及び酸素の吸着作用を奏する複数の吸着剤18,22と、を含む。
【選択図】図1

Description

本発明は、発光装置に関するものである。
近年、基板上に有機EL素子(有機エレクトロルミネッセンス素子)等の発光素子を備えた発光装置が、表示装置や電子写真方式の画像形成装置の露光装置等として広く利用されている。
かかる発光装置には長期間の発光に耐える耐久性が求められるが、有機EL素子の発光特性を劣化させる原因の一つとして、ダークスポットの発生が上げられる。ダークスポットは、有機EL素子の構成部品の表面に付着している水分や有機EL素子内に侵入した水分(湿気)や酸素等の雰囲気ガスが、透明電極と発光層(有機層)と背面電極とを順次積層して形成される積層体内に背面電極表面の欠陥等から侵入し、有機層と背面電極との間に乖離を生じさせることで発生する。
このような発光装置では、有機EL素子の信頼性向上や長寿命化を図るため、有機EL素子を構成する発光層や各電極を雰囲気ガスから確実に遮断することが重要とされている。この目的から、有機EL素子部を形成した基板(透明基板)と封止部材とを接着剤を介して一体化することにより、これらの間に封止した有機EL素子を雰囲気ガス等から保護する技術が知られている。
例えば、特許文献1に開示されるような、ガラス材料からなる透光性の基板上に、陽極となるITO等の透明電極と、有機化合物からなる少なくとも発光層を有する有機層と、陰極となるアルミニウム(Al)等の非透光性の背面電極とを順次積層して積層体を形成し、この積層体を覆うガラス材料からなる凹部形状の封止部材を基板上に接着剤を介して気密的に配設し、封止部材の積層体と対向する面に、化学的に水分を吸着すると共に吸着しても固体状態を維持する化合物により形成される吸湿剤を配設する発光装置が知られている。
特開2002−280168号公報
ところが、接着剤及びガラス等の蓋体による中空封止では、塗布する接着剤の厚みや幅等によって多少の差はあるにしても、接着剤の接着力不足による封止部材と基板との界面から、雰囲気ガスは内部空間に侵入してしまう。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
[適用例1]少なくとも発光層を有する電気光学的物質を第1電極と第2電極とで挟持した積層体を形成した基板と、前記基板の前記積層体の外周を二重或いはそれ以上に取り囲む枠状に形成された複数の封止材を介して、前記基板に接着された封止基板と、前記封止基板における、前記封止材により囲まれた領域毎に形成される複数の配設部と、前記配設部毎に配設される水分及び酸素の吸着作用を奏する複数の吸着剤と、を含むことを特徴とする発光装置。
これによれば、複数の吸着剤と、複数の封止材と、を設けたことで、外部から侵入した水分(湿気)や酸素等は、順次、複数の吸着剤と複数の封止材とに侵入するようになるため、水分(湿気)や酸素等に弱い発光素子が劣化するまでの時間を長期化することが可能となる。
[適用例2]上記発光装置であって、前記複数の封止材の形状は、平面視矩形形状に形成されていることを特徴とする発光装置。
これによれば、封止材の形成が容易になる。
[適用例3]上記発光装置であって、前記複数の封止材は、前記基板の前記積層体の外周を取り囲む第1封止材と、前記第1封止材の外周を取り囲む第2封止材と、を含み、前記複数の配設部は、前記封止基板における、前記第1封止材に取り囲む領域に形成される第1配設部と、前記封止基板における、前記第1封止材と前記第2封止材とに取り囲む領域に形成される第2配設部と、を含み、前記複数の吸着剤は、前記第1配設部に配設される第1吸着剤と、前記第2配設部に配設される第2吸着剤と、を含むことを特徴とする発光装置。
これによれば、第1及び第2吸着剤と、第1及び第2封止材と、を設けたことで、外部から侵入した水分(湿気)や酸素等は、第2吸着剤に吸着され、第2吸着剤の能力以上に水分(湿気)や酸素等が侵入した場合に第1配設部に水分(湿気)や酸素等が侵入するようになるため、水分(湿気)や酸素等に弱い発光素子が劣化するまでの時間を長期化することが可能となる。
[適用例4]上記発光装置であって、前記第1及び第2配設部は、それぞれ凹部を形成し、前記第1封止材は、前記第1配設部の凹部外周の凸部からなる第1支持部に設けられ、前記第2封止材は、前記第2配設部の凹部外周の凸部からなる第2支持部に設けられることを特徴とする発光装置。
これによれば、各封止材及び各吸着剤の形成領域が明確になり、第1及び第2吸着剤と、第1及び第2封止材と、を設けたことで、外部から侵入した水分(湿気)や酸素等は、第2配設部の凹部に設けた第2吸着剤に吸着され、第2吸着剤の能力以上に水分(湿気)や酸素等が侵入した場合に第1配設部の凹部に水分(湿気)や酸素等が侵入するようになるため、水分(湿気)や酸素等に弱い発光素子が劣化するまでの時間を長期化することが可能となる。
[適用例5]上記発光装置であって、前記第1及び第2吸着剤は、吸着能力が異なることを特徴とする発光装置。
これによれば、吸着能力とコストとのバランスを考慮することが容易になる。
[適用例6]上記発光装置であって、前記第1吸着剤は、前記第2吸着剤よりも水分及び酸素の吸着量が大きいことを特徴とする発光装置。
これによれば、長期に渡り発光素子の水分等による劣化を抑制することができる。
[適用例7]上記発光装置であって、前記第2吸着剤は、前記第1吸着剤よりも水分及び酸素の吸着速度が大きいことを特徴とする発光装置。
これによれば、発光素子に近い第1吸着剤の吸着能力が劣化するのを防止でき、長期に渡り発光素子の水分等による劣化を抑制することができる。
[適用例8]上記発光装置であって、前記第1支持部と前記第2支持部とが部分的に繋がって形成される封口部と、前記封口部において、前記第1支持部上の前記第1封止材の枠形状が途切れる第1不連続部と、前記封口部において、前記第2支持部上の前記第2封止材の枠形状が途切れる第2不連続部と、を含み、前記第1不連続部は、前記第2不連続部まで外周に向かって延在し、前記封口部は、複数の封口封止部材によって封止されていることを特徴とする発光装置。
これによれば、発光素子の破損を効果的に防止することが容易になる。
[適用例9]上記発光装置であって、複数の前記封口封止部材は、一体成型されていることを特徴とする発光装置。
これによれば、封口封止部材のバラツキを低減できる。
[適用例10]上記発光装置であって、前記吸着剤は、前記封止基板における、前記基板の前記積層体に対向する位置に形成されていないことを特徴とする発光装置。
これによれば、コンパクトで所望の性能を有することが容易になる。
(有機EL装置)
図1(A)は、本実施形態に係る発光装置としての有機EL装置(有機エレクトロルミネッセンス装置)2の平面構成図であり、図1(B)は、図1(A)のI−I線に沿う断面構成図である。
本実施形態に係る有機EL装置2は、図1(A)及び図1(B)に示すように、基板10と、基板10上に設けられた積層体としての発光素子12と、発光素子12を挟持して基板10と対向する封止基板14と、を主体としてなる。基板10と封止基板14との間には、発光素子12を覆う保護層16と、保護層16と対向して設けられた第1吸着剤18と、保護層16を取り囲んで設けられた第1封止材20と、第1封止材20を取り囲んで設けられた第2吸着剤22と、第2吸着剤22を取り囲んで設けられた第2封止材24と、が形成されている。尚、図1(A)では図面を見易くするために封止基板14の図示を省略している。
本実施形態の有機EL装置2は、発光素子12からの発光を基板10側から装置外部に取り出す形態(ボトムエミッション型)、封止基板14側から取り出す形態(トップエミッション型)のいずれも採用することができる。ボトムエミッション型とする場合には、基板10は、光を透過可能な透明或いは半透明材料、例えば、透明なガラス、石英、サファイア、或いはポリエステル、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルケトン等の透明な合成樹脂等を用いて形成される。トップエミッション型の場合には、保護層16、第1吸着剤18、及び封止基板14について透明ないし透光性の材質が用いられる。
封止基板14は、基板10と対向する面に、発光素子12に対向した第1配設部としての第1凹部26と、その第1凹部26の外周を取り囲む平面視矩形枠状に形成された第2配設部としての第2凹部28と、が設けられている。封止基板14は、発光素子12、保護層16、及び第1及び第2吸着剤18,22を覆って配設される基板であり、第1凹部26の外周の第1支持部としての第1凸部30に設けられた第1封止材20と、第2凹部28の外周の第2支持部としての第2凸部32に設けられた第2封止材24とを介して基板10に接着され発光素子12を封止している。
封止基板14としては、発光素子12、保護層16、及び第1及び第2吸着剤18,22を良好に保護できる機能を有していればよく、例えばガラスや石英、合成樹脂、或いは金属等水分透過率の小さい材料を用いることができる。ガラスとしては、例えばソーダ石灰ガラス、鉛アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、シリカガラス等を用いることができる。合成樹脂としては、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルケトン等の透明な合成樹脂等を用いることができる。金属としては、アルミニウムやステンレス等を用いることができる。
封止基板14としてガラス基板を用い、保護層16の表面全体を覆うことにより、発光素子12への水分(湿気)や酸素等の浸入を良好に防止することができる。尚、第1及び第2封止材20,24の厚さを調整することにより、発光素子12及び保護層16の厚さが確保できるのであれば、封止基板14には各凹部、凸部を形成しなくとも、第1封止材20、第1吸着剤18、第2封止材24、及び第2吸着剤22の各設置部に領域を分けて形成し、基板10と張り合わせてもよい。
発光素子12は、基板10上に電気光学的物質としての有機発光層を含む有機機能層を第1電極と第2電極としての2枚の電極膜により挟持した有機EL素子であり、例えば図2(B)に示すように、陽極34と、正孔輸送層36と、発光層38と、陰極40と、を積層した構造を備えている。発光素子12は、有機EL装置2の用途に応じて種々の態様に構成され、例えば、照明用途であれば発光素子12は平面形状に形成される。又、電子機器の表示手段としての用途であれば複数の発光素子12が平面視略マトリクス状に配列される。更に、プリンタの露光手段としての用途であれば、複数の発光素子12が一列又は複数列に配列された形態となる。
図1に戻り、保護層16は、無機絶縁材料の薄膜であり、発光素子12に対して水分等が浸入するのを抑制する機能を有する。保護層16を形成するための形成材料としては、酸窒化珪素(SiON)、二酸化珪素(SiO2)、窒化珪素(SiN)等を挙げることができる。
尚、本実施形態の場合、発光素子12と封止基板14との間には保護層16が一層のみ設けられている構成が示されているが、発光素子12と封止基板14との間に、保護層16を設けなくてもよい。或いは、発光素子12と封止基板14との間に、保護層16を複数積層してもよい。保護層16を複数積層することによりクラックの発生を防止することができる。又、保護層16を多層構造とすれば、発光素子12に対する封止性能をより高めることができる。
第1吸着剤18は、封止基板14の第1凹部26内に設けられている。平面視略矩形状に形成された保護層16と対向して平面視略矩形状に第1吸着剤18が設けられている。尚、本実施形態では、第1吸着剤18は平面視略矩形形状に形成しているが、例えば、発光素子12や保護層16等の形状に応じた枠に形成してもよいし、発光素子12を囲んだ任意の枠に形成してもよい。本実施形態の場合、図1(B)に示すように、第1吸着剤18はその対向する保護層16と間隙42が設けられ、更に当該第1吸着剤18を挟持する基板10及び封止基板14の封止基板14に当接して配置されている。すなわち、第1吸着剤18は所定の平面形状と断面形状とを保持し得るものであることが好ましく、例えば、水分(湿気)や酸素等の吸着作用を奏する吸着材料(脱水材及び脱酸素剤)を、樹脂やワックス、油脂等のバインダ中に分散させたものを用いることで、吸着剤に良好な成形性を付与することができる。
上記吸着材料としては、バインダを構成する有機化合物と反応しにくいものが用いられ、例えば水素化カルシウム、水素化ストロンチウム、水素化バリウム、水素化アルミニウムリチウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム等を挙げることができる。
バインダとしては、樹脂、ワックス、油脂等を用いることができ、具体例を挙げるならば、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂等の樹脂材料、パラフィンワックス、マイクロリスタリンワックス等の石油系ワックス、植物系ワックス、動物系ワックス、鉱物系ワックス、脂肪酸、脂肪酸エステル、脂肪酸アミド、脂肪族アミン等を挙げることができる。
尚、第1吸着剤18についてバインダと吸着材料との混合材料を用いない場合には、基板10と封止基板14との間の間隙42を含む封止空間において所望の吸着機能を有していれば、吸着材料に上記のような限定は無く種々のものを用いることが可能である。例えば、シリカゲル、ゼオライト、活性炭、酸化カルシウム、酸化ゲルマニウム、五酸化リン、塩化カルシウム等を単独又は複数で用いることができる。又、このような間隙42が設けられていれば、第1封止材20を通過して水分(湿気)や酸素等が間隙42に侵入した場合にも、間隙42に水分(湿気)や酸素等が拡散し、第1吸着剤18への負荷をその周面で均一化することができる。従って係る構成によれば、良好な吸着効果を長期間に渡り得ることができ、有機EL装置の信頼性、耐久性を向上させることができる。
第1封止材20は、封止基板14の第1凸部30上に設けられている。第1封止材20は、保護層16の外周を取り囲む平面視矩形枠状に形成され、基板10と封止基板14との間に挟持されている。本実施形態の場合、第1封止材20は、基板10と封止基板14とを接着する接着剤としても機能する。第1封止材20を形成するための材料としては、安定した接着強度を維持することができ、気密性が良好なものであれば特に限定されないが、例えば熱硬化性樹脂材料を用いることができる。第1封止材20を形成する材料としては、紫外光(UV)の照射により硬化する光硬化性エポキシ樹脂等を用いることもできる。
第1封止材20は、弾性率の小さい材料を用いて形成することが好ましく、後述する第2封止材24より弾性率の小さい材料を用いて形成することが好ましい。第2封止材24より小さい弾性率としておくことで、封止基板14が第2封止材24により支持される構造とすることができるので、形成が容易になる。
尚、第1封止材20は、その内部に基板10と封止基板14とを所定間隔に離間する粒状物(スペーサ)が混入された構成とすることもでき、このような構成とすることで、封止基板14を被着する際の押圧力により発光素子12が破損するのを防止することができる。又、発光素子12上における第1吸着剤18と保護層16との間隙42を一定に保つ機能を奏する。
第2吸着剤22は、封止基板14の第2凹部28内に設けられている。第2吸着剤22は、第1封止材20の外周を取り囲む平面視矩形枠状に形成され、基板10と封止基板14との間に挟持されている。本実施形態の場合、図1(B)に示すように、第2吸着剤22は当該第2吸着剤22を挟持する基板10及び封止基板14の封止基板14に当接し、基板10との間に間隙44が設けられている。すなわち、第2吸着剤22は、第1吸着剤18と同様に所定の平面形状と断面形状とを保持し得るものであることが好ましく、例えば、水分(湿気)や酸素等の吸着作用を奏する吸着剤を、樹脂やワックス、油脂等のバインダ中に分散させたものを用いることで、吸着剤に良好な成形性を付与することができる。
又、このような間隙44が設けられていれば、第2封止材24を通過して水分(湿気)や酸素等が間隙44に侵入した場合にも、間隙44に水分(湿気)や酸素等が拡散し、第2吸着剤22への負荷をその周面で均一化することができる。従って係る構成によれば、良好な吸着効果を長期間に渡り得ることができ、有機EL装置の信頼性、耐久性を向上させることができる。
尚、第2吸着剤22が基板10と封止基板14の双方に接して設けられているようにしてもよい。これにより、最外周の第2封止材24を通過して装置内部に水分(湿気)や酸素等が侵入した場合であっても、かかる水分(湿気)や酸素等は必ず第2吸着剤22に接触して吸着されるので、水分(湿気)や酸素等が第2吸着剤22を通過して更に内部に侵入するのを効果的に防止することができる。又、第1吸着剤18と第2吸着剤22とは、同一の吸着剤を用いてもよいし、吸着能力の異なる吸着剤を用いてもよい。例えば、第2吸着剤22には、第1吸着剤18よりも水分(湿気)や酸素等を吸着する速度が大きい吸着剤を用いてもよい。第2吸着剤22が発光装置の形成初期の水分等を大部分吸着することにより、発光素子12に近い第1吸着剤18の吸着能力が劣化するのを防止することができる。これにより、長期に渡り発光素子12の水分等による劣化を抑制することができる。又、第1吸着剤18を第2吸着剤22よりも水分等の吸着量が大きい吸着剤を用いることができる。これにより、長期に渡り発光素子12の水分等による劣化を抑制することができる。又、第1吸着剤18は第2吸着剤22よりも吸着速度が大きい吸着剤を用い、第2吸着剤22は第1吸着剤18よりも吸着量が大きい吸着剤を用いることもできる。
第2封止材24は、封止基板14の第2凸部32上に設けられている。第2封止材24は、第2吸着剤22の外周を取り囲む平面視矩形枠状に形成され、基板10と封止基板14との間に挟持されている。本実施形態の場合、第2封止材24は、基板10と封止基板14とを接着する接着剤としても機能する。第2封止材24の形成材料としては、安定した接着強度を維持することができ、気密性が良好なものであれば特に限定されず用いることができる。例えば、紫外光(UV)の照射により硬化する光硬化性エポキシ樹脂が用いられ、エポキシ、ビニルエーテル等のカチオン系材料の他にも、エステルアクリレート、ウレタンアクリレート等のアクリレート、ウレタンポリエステル等のラジカル系材料を用いることができる。
第2封止材24は、第1封止材20に比して水分(湿気)や酸素等の透過率の低い材料を用いて形成することが好ましい。このように装置の最外周部で水分(湿気)や酸素等の透過率の低い材料で遮断する構成とすることで、内側に配された第2吸着剤22への水分(湿気)や酸素等の到達量を低減することができ、発光素子12に達する水分量を低減すると共に、水分(湿気)や酸素等が発光素子12に達するまでの時間を延ばすことができ、発光素子12の長寿命化を実現することができる。
尚、第2封止材24は、第1封止材20と同様にその内部に基板10と封止基板14とを所定間隔に離間する粒状物(スペーサ)が混入された構成とすることもでき、このような構成とすることで、封止基板14を被着する際の押圧力により発光素子12が破損するのを防止することができる。又、発光素子12上における第1吸着剤18の層厚を一定に保つ機能を奏する。
以上説明したように、第1及び第2吸着剤18,22と、第1及び第2封止材20,24と、を設けたことで、外部から侵入した水分(湿気)や酸素等は、第2凹部28に設けた第2吸着剤22に吸着され、第2吸着剤22の能力以上に水分(湿気)や酸素等が侵入した場合に第1凹部26に水分(湿気)や酸素等が侵入するようになるため、水分(湿気)や酸素等に弱い発光素子12が劣化するまでの時間を長期化することが可能となる。又、本実施形態の有機EL装置2は、第1及び第2吸着剤18,22と、第1及び第2封止材20,24と、の二重封止構造によって、発光素子12に対する良好な封止性能を実現することができる。
(有機EL装置の製造方法)
次に、上述した構成を有する有機EL装置2を製造する方法について、図2〜図5に示す模式図を参照しながら説明する。図2〜図5において、(A)図は各工程における平面工程図、(B)図は(A)図の各断面線に沿う位置に対応する断面工程図である。尚、図5(A)では図面を見易くするために封止基板14の図示を省略している。
先ず、図2に示すように、基板10上に発光素子12を形成する。図2には示していないが、発光素子12が形成される基板10上には、既に発光素子12を駆動制御する駆動回路等が形成されているものとする。
発光素子12は、基板10上の所定領域に、陽極34と、正孔輸送層36と、発光層38と、陰極40と、を順次積層することで形成できる。このような積層構造を具備した発光素子12は、駆動回路から駆動信号を供給されると、陽極34と陰極40との間に電流が流れて発光層38が発光し、ボトムエミッション型の場合には、透明な基板10の外面側に光が射出される。
図2に示す積層構造において、陽極34は図示しない駆動回路に接続され、駆動回路から印加された電圧によって正孔を正孔輸送層36に注入するものであり、その形成材料には、例えば、ITO(Indium Tin Oxide:インジウム錫酸化物)等の透明導電材料、或いはアルミニウムや銀等の金属材料を用いることができる。
正孔輸送層36は、陽極34の正孔を発光層38に輸送・注入するためのものであり、公知の材料を用いることができる。例えば、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール等を用いることができる。更に具体的には、3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(PEDOT/PSS)等を用いることができる。
発光層38は、正孔輸送層36から注入される正孔と、陰極40から注入される電子との再結合により発光する層である。発光層38を形成する材料としては、蛍光或いは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。例えば、ポリフルオレン誘導体(PF)、(ポリ)パラフェニレンビニレン誘導体(PPV)、ポリフェニレン誘導体(PP)、ポリパラフェニレン誘導体(PPP)、ポリビニルカルバゾール(PVK)、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン(PMPS)等のポリシラン系等を用いることができる。
又、発光層38と陰極40との間に電子輸送層を設けてもよい。電子輸送層を設けることで陰極40から発光層38への電子の注入効率を向上させることができる。電子輸送層の形成材料としては、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、8−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体等を用いることができる。
陰極40は、発光層38へ効率的に電子注入を行うことができる仕事関数の低い金属、例えば、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)、金(Au)、銀(Ag)、又はカルシウム(Ca)等の金属材料から形成され、かかる金属膜にITO等の透明導電膜を積層した構造であってもよい。
発光素子12を構成する上記各層を設けるに際しては、例えば、フォトリソグラフィ法や液滴吐出法等、公知のパターニング手法を用いることができ、これにより基板10上の所定領域に各層を積層してなる構造の発光素子12を設けることができる。
金属材料や透明導電材料からなる陽極34、陰極40の形成には、スパッタ法や真空蒸着法と、フォトリソグラフィ法と、を好適に用いることができ、又、高分子材料からなる正孔輸送層36及び発光層38の形成には、液滴吐出法を好適に用いることができる。
液滴吐出法とは、形成しようとする機能層の形成材料を液状体にし、その液状体をディスペンサやインクジェット装置等の液滴吐出装置を用いて定量的に吐出することによって、所望領域に前記形成材料を塗布する方法である。具体的には、液滴吐出ヘッド(インクジェットヘッド)に設けられたノズルと基板10とを対向させた状態でノズルと基板10とを相対移動させつつ、ノズルから1滴あたりの液量が制御された液状体の液滴を吐出することによって、基板10上に液状体による所望形状の膜パターンを形成する技術である。
正孔輸送層36や発光層38を液滴吐出法を用いて成膜することにより、製造コストを低減することができる。すなわち、液滴吐出法では、基板10上の所望の局所領域に材料を配置することが可能であるから、フォトリソグラフィ法等に比べて膜形成のプロセスが簡素であると共に使用材料に無駄が少ない。
発光素子12を基板10上に形成したならば、次に、図3に示すように、所定の手法によって、発光素子12に保護層16を被覆する。本実施形態においては、保護層16は、イオンプレーティング法、或いはスパッタ法等の成膜法を用いて発光素子12の表面に被覆される。これにより、発光素子12を覆うように、発光素子12の表面に保護層16が接続される。発光素子12の表面に所定の厚さを有する保護層16が被覆されることにより、有機EL装置2の製造工程中においても、発光素子12と水分等との接触を防止でき、発光素子12は良好に封止される。
次に、図4に示すように、発光素子12が配設された側の基板面周縁に沿って平面視矩形枠状の第1及び第2封止材20,24を形成する。例えば、ディスペンサやインクジェット装置を用いて、エポキシ樹脂等の樹脂材料を図示の平面形状に塗布する。このとき、前記樹脂材料は、基板10と封止基板14との間隔を調整するためのスペーサを混入されたものを用いることができ、スペーサとしてはガラスビーズ、樹脂ビーズ等を用いることができる。尚、各製造工程は、発光素子12の劣化を防ぐために窒素ガスやアルゴンガス等の不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
基板10上に配置した前記樹脂材料は、後段の工程で封止基板14を配置したとき、封止基板14に密着して封止性を得られるものであることが好ましい。そのため、以降の工程では封止基板14に対し接着可能な状態に保持されるが、基板10上に配置した後、接着性を損なわない程度の硬化(仮硬化)を行ってもよい。仮硬化を行うことで第1及び第2封止材20,24を構成する樹脂材料の粘度を高め、基板10上にて形状を良好に保持することができるので、第1及び第2封止材20,24の形状不良による歩留まり低下を防止でき、又後続の工程における基板のハンドリング性も向上させることができる。
次に、図5に示すように、第1封止材20の内側の封止基板14上に、保護層16と対向する平面視略矩形状に乾燥剤形成材料を配置して、第1吸着剤18を形成する。更に、第1封止材20と第2封止材24との間の封止基板14上に、第1封止材20を取り囲む平面視矩形枠状に乾燥剤形成材料を配置して、第2吸着剤22を形成する。乾燥剤形成材料としては、先の記載のように、吸着材料とバインダとを混合してなるものを用いることが好ましい。このような乾燥剤形成材料を、ディスペンサやインクジェット装置を用いて塗布することで、図5に示すような平面形状の第1吸着剤18を容易に形成することができる。
上記乾燥剤形成材料は、封止基板14上に配置する際の粘度を20Pa・s以上とすることが好ましい。このような比較的高粘度の材料を配置することで、封止基板14上に配置した後の乾燥剤形成材料の形状を良好に保持することができる。又、乾燥剤形成材料は、後段の工程で第1吸着剤18に囲まれる領域に配置される、第1封止材20を形成するための樹脂材料より大きい粘度を有するものであることが好ましい。
又、乾燥剤形成材料を封止基板14上に塗布した後、先の第1及び第2封止材20,24を形成する工程と同様に乾燥剤形成材料の仮硬化を行ってもよい。仮硬化を行うことで、乾燥剤形成材料が経時的に封止基板14上で過度に濡れ広がってしまい、発光素子12や第2封止材24と接触、干渉するのを効果的に防止することができ、有機EL装置の歩留まり向上、基板のハンドリング性の向上に寄与する。
本実施形態において、第1吸着剤18は、保護層16との間に間隙42(図1(B)参照)を有する位置に配置されるようになっている。このような間隙42を形成しておくことで、封止基板14を基板10上に被着した際の緩衝領域として間隙42を利用することができ、又封止基板14の被着後にも間隙42が保持されるようにしておけば、第1封止材20を通過して装置内部に侵入した水分や酸素等を保持する領域としても機能させることができ、保護層16より内側への水分等の侵入を緩和することができる。
更に、第2吸着剤22は、基板10との間に間隙44(図1(B)参照)を有する位置に配置されるようになっている。このような間隙44を形成しておくことで、封止基板14を基板10上に被着した際の緩衝領域として間隙44を利用することができ、又封止基板14の被着後にも間隙44が保持されるようにしておけば、第2封止材24を通過して装置内部に侵入した水分や酸素等を保持する領域としても機能させることができ、第1封止材20より内側への水分等の侵入を緩和することができる。
そして、封止基板14上に第1及び第2吸着剤18,22が形成された後、基板10上に封止基板14が被着される(図1参照)。本実施形態の有機EL装置2の製造工程では、この封止基板14を配置する工程は、封止基板14と第1封止材20との間に気泡等が混入するのを防止するため、減圧環境下で実施され、封止基板14を被着した後に大気圧下に戻すことで、大気圧により封止基板14を発光素子12側へ押しつけるようになっている。その後、第1封止材20を形成するための樹脂材料として熱硬化性樹脂材料が用いられている場合には、所定の熱が基板10上の樹脂材料に付与される。
以上の工程により、樹脂材料を硬化させて第1封止材20を形成し、第1封止材20を介して封止基板14が接着された有機EL装置2を製造することができる。
本実施形態では、上記樹脂材料を基板10上に配置した際、基板10上に既設の第1吸着剤18が、基板10上で樹脂材料が広がる領域を規定するようになっており、樹脂材料が必要以上に広がることで第1封止材20の層厚が設計値よりも薄くなってしまうのを防止することができ、又封止基板14と第1封止材20との間に空隙が生じるのを防止することができる。
以上説明したように、本実施形態の製造方法によれば、発光素子12上に保護層16を設けた後に樹脂材料や乾燥剤形成材料の配置を行うようになっているので、封止工程中に樹脂材料や乾燥剤形成材料に含まれる溶剤等が発光素子12と接触して発光素子12を劣化させるのを防止でき、高歩留まりで有機EL装置2を製造することができる。
(有機EL装置の他の形態)
図6は、本実施形態の他の形態である有機EL装置4の平面構成図及び断面構成図である。尚、図6(A)では図面を見易くするために封止基板50の図示を省略している。本実施形態の有機EL装置4が、先の実施形態の有機EL装置2と異なる点は、封止基板50に第2凹部28の外周を取り囲む平面視矩形枠状に形成された第3凹部52が設けられている点であり、その他の構成は先の実施形態と同様である。
封止基板50は、第1、第2、及び第3吸着剤18,22,54と、発光素子12と、保護層16と、を覆って配設される基板であり、第1凹部26の外周の第1凸部30に設けられた第1封止材20と、第2凹部28の外周の第2凸部32に設けられた第2封止材24と、第3凹部52の外周の第3凸部56に設けられた第3封止材58と、を介して基板10に接着され発光素子12を封止している。
第3吸着剤54は、封止基板50の第3凹部52内に設けられている。第3吸着剤54は、第2封止材24の外周を取り囲む平面視矩形枠状に形成され、基板10と封止基板50との間に挟持されている。本実施形態の場合、図6(B)に示すように、第3吸着剤54は当該第3吸着剤54を挟持する基板10及び封止基板50のうち封止基板50に当接し、基板10との間に間隙60が設けられている。
先の実施形態の有機EL装置2では、保護層16を、第1封止材20と第2封止材24とで二重に取り囲んでいるので、第2封止材24を通過した水分(湿気)や酸素等が第2吸着剤22より内側に侵入するのを防止できるので、発光素子12の保護を万全なものとすることができる。これに対して、本実施形態の有機EL装置4では、保護層16を、第1封止材20と第2封止材24と第3封止材58とで三重に取り囲んでいるので、発光素子12の保護をより万全なものとすることで、高信頼性、長寿命の有機EL装置となっている。
図7は、本実施形態の他の形態である有機EL装置6の平面構成図及び断面構成図である。尚、図7(A)では図面を見易くするために封止基板70の図示を省略している。本実施形態の有機EL装置6が、先の実施形態の有機EL装置2と異なる点は、封止基板70に第1凸部30と第2凸部32が部分的に繋がって、封口部72が設けられている点であり、その他の構成は先の実施形態と同様である。
第1凸部30上の第1封止材20は、封口部72において、第1封止材20の枠形状が途切れる第1不連続部74を有している。第2凸部32上の第2封止材24は、封口部72において、第2封止材24の枠形状が途切れる第2不連続部76を有している。第1不連続部74は、第2不連続部76まで外周に向かって延在している。
又、封口部72は、図8(A)に示すように、封口封止部材78によって封止されている。尚、封口封止部材78は、図8(B)に示すように、封止基板外周付近で連続されていてもよい。
ここで、必要に応じて基板10を加圧し、これを封止基板70に密着させようとした場合に、加圧力が基板10上の発光素子12にまで及ぶと、該発光素子12にダメージを与えてしまうおそれがある。又、加圧力が基板10上の第1及び第2封止材20,24の気密性にダメージを与えてしまうおそれもある。
例えば、基板10に第1及び第2封止材20,24を塗布し、次に、この基板10と封止基板70とを重ね合わせ、これらと第1及び第2封止材20,24とで囲まれた空間(封止空間)に発光素子12を封止する。次いで、基板10と封止基板70とを圧着することにより、これらの間に挟まれた第1及び第2封止材20,24を押し広げ、その後、この第1及び第2封止材20,24を硬化させる。
ところで、基板10に封止基板70を重ねて圧着した際、封止空間の容積は第1及び第2封止材20,24が押し潰されることにより減少し、これに伴って封止空間の内圧が上昇する。この内圧上昇により第1及び第2封止材20,24が不均一に広がってしまい、基板10と封止基板14とを接合する封止ラインの形状が不均一になってしまうことから、得られる製品間においてその接着強度にバラツキが生じてしまう。又、封止空間内の気体が第1及び第2封止材20,24に孔(気道)を作って抜け出してしまい、この気道が第1及び第2封止材20,24の硬化後まで残ってしまうものもでることから、得られる製品間で内圧のバラツキによるパネル寿命のバラツキが生じ、更に気道の残存が甚だしい場合には、発光素子12の封止不良に成ってしまうこともある。そこで、本実施形態の有機EL装置6では、前記の封口部72を用いることにより、加圧力をこの封口部72で吸収し、前記ダメージを防止することができる。
(実施例)
(有機EL表示装置)
次に、図9〜図12を参照して、有機EL装置の一実施例である有機EL表示装置100について説明する。
図9は、本実施例に係る有機EL表示装置100の回路構成図であり、図10は、同表示装置の平面構成図である。図11は、同表示装置の画素102の平面構造を示す図であって、(A)図は画素102のうち主にTFT(薄膜トランジスタ)等の画素駆動部分を示す図であり、(B)図は画素間を区画するバンク(隔壁部材)等を示す図である。図12は、図11のXII−XII線に沿う断面構成図である。
図9に示す回路構成において、有機EL表示装置100は、複数の走査線104と、これら走査線104に対して交差する方向に延びる複数の信号線106と、これら信号線106に並列に延びる複数の共通給電線108と、がそれぞれ配線されたもので、走査線104及び信号線106の各交点に、画素102が設けられて構成されたものである。
信号線106に対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、及びアナログスイッチ等を備えるデータ側駆動回路110が設けられている。一方、走査線104に対しては、シフトレジスタ及びレベルシフタ等を備える走査側駆動回路112が設けられている。画素102の各々には、走査線104を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用TFT(薄膜トランジスタ)114と、このスイッチング用TFT114を介して信号線106から供給される画像信号を保持する保持容量CAPと、保持容量CAPによって保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動用TFT116と、この駆動用TFT116を介して共通給電線108に電気的に接続したときに共通給電線108から駆動電流が流れ込む画素電極118と、この画素電極118と共通電極120との間に挟み込まれる発光部122と、が設けられている。画素電極118と、共通電極120と、発光部122と、によって構成される素子が有機EL素子(発光素子)である。
このような構成のもとに、走査線104が駆動されてスイッチング用TFT114がオンとなると、そのときの信号線106の電位が保持容量CAPに保持され、保持容量CAPの状態に応じて、駆動用TFT116のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用TFT116のチャネルを介して共通給電線108から画素電極118に電流が流れ、更に発光部122を通じて共通電極120に電流が流れることにより、発光部122は、これを流れる電流量に応じて発光する。
次に、図10の平面構成に示すように、有機EL表示装置100は、矩形状の基板124の略中央部に、複数の画素102が平面視マトリクス状に配列された表示領域126を備えており、表示領域126を覆って第1吸着剤128が形成されている。表示領域126及び第1吸着剤128を取り囲んで平面視矩形枠状の第1封止材130が設けられており、第1封止材130を取り囲んで平面視矩形枠状の第2吸着剤132が設けられている。更に、第2吸着剤132を取り囲んで平面視矩形枠状の第2封止材134が設けられている。そして、封止基板136が、表示領域126、第1吸着剤128、第1封止材130、第2吸着剤132、及び第2封止材134を平面的に覆うように配置されている。
すなわち、有機EL表示装置100は、先の実施形態の有機EL装置2と同様の基本構成を具備した表示装置であり、有機EL装置2の発光素子12に対応する有機EL素子を有する画素102を配列してなる表示領域126を、第1封止材130と第2封止材134とによって二重に封止すると共に、これらの封止材130,134間に第2吸着剤132を設けた構成を具備したものとなっている。
又、第1吸着剤128と表示領域126との間には、間隙42(図1(B)参照)が設けられており、先の実施形態と同様、第1封止材130を通過して内部に侵入した水分等を拡散させ、第1吸着剤128への負荷をその周面で均一化し、第1吸着剤128の局所的な劣化を抑え、信頼性を向上させることができるようになっている。更に、第2吸着剤132と基板124との間には、間隙44(図1(B)参照)が設けられており、先の実施形態と同様、第2封止材134を通過して内部に侵入した水分等を拡散させ、第2吸着剤132への負荷をその周面で均一化し、第2吸着剤132の局所的な劣化を抑え、信頼性を向上させることができるようになっている。
次に、図11(A)に示す画素102の平面構造をみると、画素102は、平面視略矩形状の画素電極118の四辺が、信号線106、共通給電線108、走査線104、及び図示しない他の画素電極用の走査線によって囲まれた配置となっている。画素電極118の近傍にはスイッチング用TFT114と、駆動用TFT116とが設けられている。
スイッチング用TFT114は、矩形の島状の半導体層138を主体としてなるトップゲート型の薄膜トランジスタであり、半導体層138と交差する走査線104が、当該交差部分でスイッチング用TFT114のゲート電極となっている。又、半導体層138には、図示上下方向に延在する信号線106から走査線104に沿う方向に延びた分岐配線106AがコンタクトホールC1を介して電気的に接続されている。更に、半導体層138には、画素電極118の図示右側に配された平面視矩形状の中継電極140が、コンタクトホールC2を介して電気的に接続されている。
駆動用TFT116は、矩形の島状の半導体層142を主体としてなるトップゲート型の薄膜トランジスタであり、ゲート電極144Gと、ソース電極146(電源線108の一部)と、ドレイン電極148と、を備えている。ドレイン電極148は、図示しないコンタクトホール(図12参照)を介して画素電極118と電気的に接続されている。ゲート電極144Gは、半導体層142と重なる位置から図示下側へ延びて保持容量CAPの電極150と一体に形成されている。更に、電極150は、図示下側へ延びており、それと平面的に重なって配置された中継電極140とコンタクトホールC3を介して電気的に接続されている。従って、中継電極140を介して駆動用TFT116のゲートと、スイッチング用TFT114のドレインと、が電気的に接続されている。
又、図12に示す画素102の断面構造をみると、基板124上に、駆動用TFT116が設けられており、駆動用TFT116を覆って形成された複数の絶縁膜を介した基板124上に、有機EL素子152が形成されている。有機EL素子152は、基板124上に立設されたバンク(無機バンク154及び有機バンク156)に囲まれる領域内に設けられた有機機能層(発光部)122を主体として構成され、この有機機能層122を、画素電極118と共通電極120との間に挟持した構成を備えている。ここで、図11(B)に示す平面構造をみると、有機バンク156は、画素電極118の形成領域に対応した平面視略矩形状の開口部158を有しており、この開口部158に先の有機機能層122が形成されるようになっている。
図12に示すように、駆動用TFT116は、半導体層142に形成されたソース領域144A、ドレイン領域144B、及びチャネル領域144Cと、半導体層表面に形成されたゲート絶縁膜160を介してチャネル領域144Cに対向するゲート電極144Gと、を主体として構成されている。半導体層142及びゲート絶縁膜160を覆う第1層間絶縁膜162が形成されており、この第1層間絶縁膜162を貫通して半導体層142に達するコンタクトホール164,166内に、それぞれドレイン電極148、ソース電極146が埋設され、各々の電極はドレイン領域144B及びソース領域144Aに導電接続されている。第1層間絶縁膜162上には、第2層間絶縁膜168が形成されており、この第2層間絶縁膜168に貫設されたコンタクトホールに画素電極118の一部が埋設されている。そして画素電極118とドレイン電極148とが導電接続されることで、駆動用TFT116と画素電極118(有機EL素子152)とが電気的に接続されている。
第2層間絶縁膜168上には、無機絶縁材料からなる無機バンク(第1隔壁層)154が形成されており、無機バンク154は、画素電極118の周縁部に一部乗り上げるように配置されている。無機バンク154上には、有機材料からなる有機バンク(第2隔壁層)156が積層され、この有機EL装置における隔壁部材を成している。
有機EL素子152は、画素電極118上に、正孔輸送層122Aと発光層122Bとを積層し、この発光層122Bと有機バンク156とを覆う共通電極120を形成することにより構成されている。すなわち、本実施例に係る有機EL素子152が、先の実施形態に係る発光素子12に対応するものであり、画素電極118、正孔輸送層122A、発光層122B、及び共通電極120は、それぞれ発光素子12の陽極34、正孔輸送層36、発光層38、及び陰極40に相当する構成要素である。
正孔輸送層122Aは、画素電極118の表面を覆って形成されており、その周縁部は、有機バンク156の下端側から画素電極118中央側に延出された無機バンク154の端縁部を覆っている。
共通電極120上には、先の実施形態の保護層16に対応する保護層170が形成され、かかる保護層170を覆って第1吸着剤128が形成されている。
以上の構成を具備した有機EL表示装置100は、先の実施形態に係る有機EL装置2と同様に、第1及び第2吸着剤128,132と、第1及び第2封止材130,134と、を設けた構成とされている。これにより、第1封止材130と第2封止材134との二重封止構造によって有機EL素子152に対する良好な封止性能を実現できるものとなっている。
(光書き込みヘッド)
次に、他の実施例として、有機EL装置を用いた光書き込みヘッドについて図13及び図14を参照して説明する。
図13は、本実施例に係る光書き込みヘッド用途に好適な構成を具備した有機EL装置の平面構成図である。
図13に示すように、有機EL装置8を構成する基板172上には、図示しない有機EL素子が配列形成された発光素子領域174が基板172の長さ方向に沿って長手に設けられており、発光素子領域174に沿って複数の駆動素子176が配列されている。詳細は省略しているが、発光素子領域174に設けられた各有機EL素子は、各駆動素子176から延びる接続配線178と電気的に接続され、駆動素子176から供給される電気信号により駆動されるようになっている。
本実施例の有機EL装置8も、先の実施形態の有機EL装置2と同様の封止構造を具備したものとなっている。すなわち、発光素子領域174に設けられた有機EL素子の表面には図示しない保護層が形成され、発光素子領域174を覆って第1吸着剤180が形成されており、第1吸着剤180を取り囲む第1封止材182と、第1封止材182を取り囲む第2吸着剤184と、第2吸着剤184を取り囲む第2封止材186と、が形成されている。そして、第1吸着剤180、第1封止材182、第2吸着剤184、及び第2封止材186を覆うようにして封止基板188が被着されている。
上記構成を具備した有機EL装置8は、先の実施形態に係る有機EL装置2と同様に、第1及び第2吸着剤180,184と、第1及び第2封止材182,186と、を設けた構成とされている。これにより、第1封止材182と第2封止材186との二重封止構造によって発光素子領域174に対する良好な封止性能を実現できるものとなっている。
図14は、上述の有機EL装置8を、電子写真方式プリンタの光書き込みヘッド(プリンタヘッド)に適用した場合の一例を示す図である。図14において、有機EL装置8の光射出方向(図示上方)には光学系190が設けられており、光学系190の上方には感光ドラム(感光体)192が設けられている。有機EL装置8は、光学系190に対して光を射出し、光学系190に入射した光は光学系190により集光されて感光ドラム192に入射する。本例では、発光素子12に対する良好な封止性能を実現することが可能であり、電子写真方式プリンタ全体の信頼性を向上することができる。
(電子機器)
次に、上記実施例の有機EL表示装置100を備えた電子機器の例について説明する。
図15は、本実施例に係る携帯電話の一例を示した斜視図である。図15に示す携帯電話200は、上記実施例の有機EL表示装置100を用いた表示部202と、操作ボタン部204と、受話部206と、送話部208と、を備えて構成されている。図15に示す電子機器は、上記実施例の有機EL表示装置100を備えているので、第1封止材182と第2封止材186との二重封止構造によって有機EL素子に対する良好な封止性能が図られた電子機器となる。
本実施形態に係る有機EL装置の平面構成図及び断面構成図。 本実施形態に係る有機EL装置の製造工程を説明するための平面工程図及び断面工程図。 本実施形態に係る有機EL装置の製造工程を説明するための平面工程図及び断面工程図。 本実施形態に係る有機EL装置の製造工程を説明するための平面工程図及び断面工程図。 本実施形態に係る有機EL装置の製造工程を説明するための平面工程図及び断面工程図。 本実施形態に係る有機EL装置の他の形態を示す平面構成図及び断面構成図。 本実施形態に係る有機EL装置の他の形態を示す平面構成図及び断面構成図。 本実施形態に係る有機EL装置の他の形態を示す平面構成図。 本実施例に係る有機EL表示装置の回路構成図。 本実施例に係る有機EL表示装置の平面構成図。 本実施例に係る有機EL表示装置の1画素領域を示す平面構成図。 本実施例に係る有機EL表示装置の1画素領域の断面構成図。 本実施例に係る光書き込みヘッド用有機EL装置の平面構成図。 本実施例に係る光書き込みヘッドの概略構成図。 本実施例に係る電子機器の一例を示す斜視構成図。
符号の説明
2,4,6,8…有機EL装置(発光装置) 10…基板 12…発光素子(積層体) 14…封止基板 16…保護層 18…第1吸着剤 20…第1封止材 22…第2吸着剤 24…第2封止材 26…第1凹部(第1配設部) 28…第2凹部(第2配設部) 30…第1凸部(第1支持部) 32…第2凸部(第2支持部) 34…陽極 36…正孔輸送層 38…発光層 40…陰極 42,44…間隙 50…封止基板 52…第3凹部 54…第3吸着剤 56…第3凸部 58…第3封止材 60…間隙 70…封止基板 72…封口部 74…第1不連続部 76…第2不連続部 78…封口封止部材 100…有機EL表示装置 102…画素 104…走査線 106…信号線 108…共通給電線(電源線) 110…データ側駆動回路 112…走査側駆動回路 114…スイッチング用TFT(薄膜トランジスタ) 116…駆動用TFT 118…画素電極 120…共通電極 122…発光部(有機機能層) 122A…正孔輸送層 122B…発光層 124…基板 126…表示領域 128…第1吸着剤 130…第1封止材 132…第2吸着剤 134…第2封止材 136…封止基板 138…半導体層 140…中継電極 142…半導体層 144A…ソース領域 144B…ドレイン領域 144C…チャネル領域 144G…ゲート電極 146…ソース電極 148…ドレイン電極 150…電極 152…有機EL素子 154…無機バンク(第1隔壁層) 156…有機バンク(第2隔壁層) 158…開口部 160…ゲート絶縁膜 162…第1層間絶縁膜 164,166…コンタクトホール 168…第2層間絶縁膜 170…保護層 172…基板 174…発光素子領域 176…駆動素子 178…接続配線 180…第1吸着剤 182…第1封止材 184…第2吸着剤 186…第2封止材 188…封止基板 190…光学系 192…感光ドラム(感光体) 200…携帯電話 202…表示部 204…操作ボタン部 206…受話部 208…送話部。

Claims (10)

  1. 少なくとも発光層を有する電気光学的物質を第1電極と第2電極とで挟持した積層体を形成した基板と、
    前記基板の前記積層体の外周を二重或いはそれ以上に取り囲む枠状に形成された複数の封止材を介して、前記基板に接着された封止基板と、
    前記封止基板における、前記封止材により囲まれた領域毎に形成される複数の配設部と、
    前記配設部毎に配設される水分及び酸素の吸着作用を奏する複数の吸着剤と、
    を含むことを特徴とする発光装置。
  2. 請求項1に記載の発光装置において、
    前記複数の封止材の形状は、平面視矩形形状に形成されていることを特徴とする発光装置。
  3. 請求項1又は2に記載の発光装置において、
    前記複数の封止材は、
    前記基板の前記積層体の外周を取り囲む第1封止材と、
    前記第1封止材の外周を取り囲む第2封止材と、
    を含み、
    前記複数の配設部は、
    前記封止基板における、前記第1封止材に取り囲む領域に形成される第1配設部と、
    前記封止基板における、前記第1封止材と前記第2封止材とに取り囲む領域に形成される第2配設部と、
    を含み、
    前記複数の吸着剤は、
    前記第1配設部に配設される第1吸着剤と、
    前記第2配設部に配設される第2吸着剤と、
    を含むことを特徴とする発光装置。
  4. 請求項3に記載の発光装置において、
    前記第1及び第2配設部は、それぞれ凹部を形成し、
    前記第1封止材は、前記第1配設部の凹部外周の凸部からなる第1支持部に設けられ、
    前記第2封止材は、前記第2配設部の凹部外周の凸部からなる第2支持部に設けられることを特徴とする発光装置。
  5. 請求項3又は4に記載の発光装置において、
    前記第1及び第2吸着剤は、吸着能力が異なることを特徴とする発光装置。
  6. 請求項5に記載の発光装置において、
    前記第1吸着剤は、前記第2吸着剤よりも水分及び酸素の吸着量が大きいことを特徴とする発光装置。
  7. 請求項5又は6に記載の発光装置において、
    前記第2吸着剤は、前記第1吸着剤よりも水分及び酸素の吸着速度が大きいことを特徴とする発光装置。
  8. 請求項3〜7のいずれか一項に記載の発光装置において、
    前記第1支持部と前記第2支持部とが部分的に繋がって形成される封口部と、
    前記封口部において、前記第1支持部上の前記第1封止材の枠形状が途切れる第1不連続部と、
    前記封口部において、前記第2支持部上の前記第2封止材の枠形状が途切れる第2不連続部と、
    を含み、
    前記第1不連続部は、前記第2不連続部まで外周に向かって延在し、
    前記封口部は、複数の封口封止部材によって封止されていることを特徴とする発光装置。
  9. 請求項8に記載の発光装置において、
    複数の前記封口封止部材は、一体成型されていることを特徴とする発光装置。
  10. 請求項1〜9のいずれか一項に記載の発光装置において、
    前記吸着剤は、前記封止基板における、前記基板の前記積層体に対向する位置に形成されていないことを特徴とする発光装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014185113A1 (ja) * 2013-05-13 2014-11-20 シャープ株式会社 エレクトロルミネッセンス装置
KR20150010364A (ko) * 2013-07-19 2015-01-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US9306141B2 (en) 2009-08-03 2016-04-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing semiconductor light emitting device

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009259572A (ja) * 2008-04-16 2009-11-05 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置及び有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
JP2009259732A (ja) * 2008-04-21 2009-11-05 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置
KR101351409B1 (ko) * 2009-06-03 2014-01-14 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
US8071401B2 (en) * 2009-12-10 2011-12-06 Walsin Lihwa Corporation Method of forming vertical structure light emitting diode with heat exhaustion structure
US20130119529A1 (en) * 2011-11-15 2013-05-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device having lid structure and method of making same
CN104576967A (zh) * 2015-01-26 2015-04-29 深圳市华星光电技术有限公司 Oled封装结构及oled封装方法
CN104659073B (zh) * 2015-03-16 2018-10-19 京东方科技集团股份有限公司 封装结构及封装方法、显示装置
CN107331787B (zh) * 2017-06-26 2019-06-21 京东方科技集团股份有限公司 封装盖板、有机发光显示器及其制备方法
DE112019004985T5 (de) * 2018-10-02 2021-07-08 Sony Semiconductor Solutions Corporation Anzeigevorrichtung und elektronische vorrichtung
CN112456431A (zh) * 2019-09-06 2021-03-09 深圳市中光工业技术研究院 一种微机电系统装置的封装系统及其加工方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003133060A (ja) * 2001-10-23 2003-05-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機el素子とその製造方法
JP2004319103A (ja) * 2003-04-11 2004-11-11 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2006210095A (ja) * 2005-01-27 2006-08-10 Optrex Corp 有機elパネル
JP2006236745A (ja) * 2005-02-24 2006-09-07 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電気機器及び光書き込みヘッド
JP2007052395A (ja) * 2005-07-21 2007-03-01 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
JP2007095325A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Seiko Epson Corp 発光装置、発光装置の製造方法、画像形成装置、及び電子機器
JP2009026505A (ja) * 2007-07-17 2009-02-05 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 有機el表示装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4801297B2 (ja) * 2000-09-08 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2002280168A (ja) 2001-03-19 2002-09-27 Nippon Seiki Co Ltd 有機elパネル
CN1156035C (zh) * 2001-06-14 2004-06-30 中国科学院上海冶金研究所 有机发光器件的保护膜及它的封装方法
JP2003017259A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法
JP4035494B2 (ja) * 2003-09-10 2008-01-23 キヤノン株式会社 気密容器及びこれを用いた画像表示装置
KR100670328B1 (ko) * 2005-03-30 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 소자 및 그 제조방법
KR100662992B1 (ko) * 2005-12-14 2006-12-28 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치의 구동집적회로 및 그 제조방법

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003133060A (ja) * 2001-10-23 2003-05-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機el素子とその製造方法
JP2004319103A (ja) * 2003-04-11 2004-11-11 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2006210095A (ja) * 2005-01-27 2006-08-10 Optrex Corp 有機elパネル
JP2006236745A (ja) * 2005-02-24 2006-09-07 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電気機器及び光書き込みヘッド
JP2007052395A (ja) * 2005-07-21 2007-03-01 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
JP2007095325A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Seiko Epson Corp 発光装置、発光装置の製造方法、画像形成装置、及び電子機器
JP2009026505A (ja) * 2007-07-17 2009-02-05 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 有機el表示装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9306141B2 (en) 2009-08-03 2016-04-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing semiconductor light emitting device
TWI549315B (zh) * 2009-08-03 2016-09-11 東芝股份有限公司 製造半導體發光裝置之方法
WO2014185113A1 (ja) * 2013-05-13 2014-11-20 シャープ株式会社 エレクトロルミネッセンス装置
US9692011B2 (en) 2013-05-13 2017-06-27 Sharp Kabushiki Kaisha Electroluminescent apparatus
KR20150010364A (ko) * 2013-07-19 2015-01-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102093795B1 (ko) 2013-07-19 2020-03-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

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