JP2014067598A - 有機エレクトロルミネッセンスパネル及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】有機エレクトロルミネッセンスパネルが、絶縁基板と、有機エレクトロルミネッセンス素子と、有機エレクトロルミネッセンス素子を覆う有機充填層と、有機エレクトロルミネッセンス素子と有機充填層とを介して絶縁基板と対向する封止基板と、有機充填層の側面を覆い絶縁基板と封止基板とを固着する、水分吸収剤と樹脂材料とからなる吸湿シール層と、吸湿シール層の側面を覆う無機材料を含む無機封止層と、無機封止層の側面を覆う最外周シール層とを備える。無機封止層は、吸湿接着材料と接着材料とに囲まれた閉領域に無機材料を含む溶液を塗布又は滴下した後に、絶縁基板と封止基板とを貼り合せ、無機材料を含む溶液を硬化させて形成する。
【選択図】図1
Description
有機EL素子は、少なくともどちらか一方が透光性を有する二枚の電極層(陽極層と陰極層)の間に、有機発光媒体層を挟持した構造であり、両電極間に電圧を印加し電流を流すことにより有機発光媒体層で発光が生じる自発光型の表示素子である。しかし、有機EL素子は、大気中の水分や酸素の影響により劣化するといった問題がある。このため、有機EL素子を乾燥剤を内包した金属缶やガラスキャップで覆い、大気から遮断する封止方法(キャップ封止)が一般的に用いられている。
キャップ封止では、金属缶やガラスキャップの内部に貼り付けた乾燥剤により封止性能が確保される。一方、固体封止においては、有機EL素子上に無機封止層を形成することで、外部から浸入した水分によるEL素子の劣化が防止される。無機封止層に要求される特性としては、透湿性が低いこと、有機EL素子へダメージを与えないために膜応力が低いこと、無機封止層自身にピンホールや、有機EL素子上の異物に由来する亀裂等が無いこと、また有機EL素子がトップエミッション型の場合には、透過率が高いことが挙げられる。
外部からの水分を遮断して、有機EL素子の劣化を防止する別の方法として、有機ELパネルの側面に無機封止層を形成する方法が提案されている(下記の特許文献1、2参照)。
また、特許文献2の有機EL装置40では真空プロセスで第一封止層43を形成しており、生産性やコストの観点で好適ではないことに変わりはない。
そこで、本発明は、上記問題を鑑みてなされたもので、内部への水分浸入を抑制し、表示性能や信頼性の低下が抑制されるとともに、高い生産性を有する有機エレクトロルミネッセンスパネル及びその製造方法を提供することにある。
前記絶縁基板の表面に配置された有機エレクトロルミネッセンス素子と、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子を覆う有機充填層と、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子と前記有機充填層とを介して前記絶縁基板と対向する封止基板と、
前記有機充填層の側面を覆い、前記絶縁基板と前記封止基板とを固着する、水分吸収剤と樹脂材料とからなる吸湿シール層と、
前記吸湿シール層の側面を覆う、無機材料を含む無機封止層と、
前記無機封止層の側面を覆う最外周シール層と、
を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルである。
上述の課題に対し、本発明の請求項3に係る発明は、前記無機封止層が、高分子樹脂膜と無機材料膜との積層膜であることを特徴とする。
上述の課題に対し、本発明の請求項4に係る発明は、上記水分吸着剤が、酸化カルシウム及び酸化バリウム、並びにシリカゲル及びゼオライトの少なくとも1つであることを特徴とする。
上述の課題に対し、本発明の請求項6に係る発明は、前記有機充填層が、シリコンオイル及びフッ素オイルの少なくとも一種であることを特徴とする。
上述の課題に対し、本発明の請求項7に係る発明は、前記有機充填層が、紫外線硬化型樹脂又は熱硬化型樹脂であることを特徴とする。
上述の課題に対し、本発明の請求項8に係る発明は、前記有機エレクトロルミネッセンス素子が、第一電極層、有機発光層を含む有機発光媒体層及び第二電極層を含むことを特徴とする。
封止基板の表面に、水分吸収剤と樹脂材料とからなる吸湿接着材料を閉ループ形状で塗布又は印刷する工程と、
前記封止基板の表面に、前記吸湿接着材料を取り囲み、かつ該吸湿接着材料との間に間隔をあけた閉ループ形状に、樹脂材料を塗布又は印刷する工程と、
前記吸湿接着材料にて囲まれた閉領域に、有機充填材を塗布又は滴下する工程と、
前記吸湿接着材料と前記接着材料とに囲まれた閉領域に、無機材料を含む溶液を塗布又は滴下する工程と、
無機材料を含む溶液を塗布又は滴下した後に、前記絶縁基板の前記有機エレクトロルミネッセンス素子形成面と、前記封止基板の前記前記有機充填材付着面とを、前記有機エレクトロルミネッセンス素子が前記有機充填材に覆われるように対向させて、前記素子基板及び前記封止基板を貼り合せる工程と、
前記無機材料を含む溶液を硬化させて無機封止層を形成する工程と、
を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法である。
上述の課題に対し、本発明の請求項10に係る発明は、前記無機材料を含む溶液がポリシラザンを含有する溶液であり、前記ポリシラザンを含有する溶液を乾燥させることにより前記無機封止層を形成することを特徴とする。
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法では、水分バリア性に優れた無機封止層の形成工程のほとんどを、素子基板と封止基板との貼り合わせ工程に含めることができる。
以下、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンスパネル(以下、有機ELパネルと適宜称する)の構成について、図1を用いた一実施形態に基づいて説明する。以下の一実施形態では、図1に示すトップエミッション構造を有する有機ELパネル10について説明する。しかしながら、本発明に係る有機ELパネルの構成はこれに限定されるものではない。また、本発明に係る有機ELパネルは、ボトムエミッション構造や両面発光構造を有するものとしてもよい。
薄膜トランジスタの構造は、特に限定されるものではなく、例えば、スタガ型、逆スタガ型、ボトムゲート型、トップゲート型、コプレーナ型等である。また、素子基板11のどちらかの面に、カラーフィルタ層や光散乱層、光偏光層等が設けられていてもよい。
第一電極層12の膜厚は、有機ELパネル10の素子構成により最適値が異なるが、単層、積層にかかわらず、好ましくは10nm以上1000nm以下であり、より好ましくは、10nm以上300nm以下である。
有機発光媒体層13は、電圧の印加によって発光する有機発光層を含む。有機発光媒体層13は、有機発光層から成る単層構造であっても良く、有機発光層の表面に、発光効率を向上させる発光補助層を積層した積層構造であっても良い。発光補助層は、例えば正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層である。
インターレイヤ層は、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリアリーレン誘導体、アリールアミン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体などの芳香族アミンを含むポリマー等からなる。
電子注入層は、上述の電子輸送材料に、ナトリウムやバリウム、リチウムといった仕事関数が低いアルカリ金属、アルカリ土類金属を少量ドープした材料とからなる。
有機発光媒体層13の膜厚は、単層又は積層により形成する場合においても、1000nm以下であり、好ましくは50〜200nm程度である。
第二電極層14の厚さは、特に制限はないが、10nm以上1000nm以下程度であることが好ましい。また、第二電極層14を透光性電極層として利用する場合でCaやLiなどの金属材料を用いるときの第二電極層14の厚さは、0.1nm以上10nm以下程度であることが好ましい。
封止基板17は、素子基板11と同様の材料を用いることができる。トップエミッション型の有機ELパネル10に用いる封止基板17は、透明な材料からなることが好ましい。また、フリットガラスの加熱のためにレーザー光を透過させる場合には、用いるレーザーの波長に対して透過性のある材料を用いる必要がある。
同様に、有機充填層16が熱硬化型樹脂で形成される場合には、吸湿シール層18及び最外周シール層20が熱硬化型接着剤で形成され、有機充填層16が紫外線硬化型樹脂で形成される場合には、吸湿シール層18及び最外周シール層20が紫外線熱硬化型接着剤で形成されることが好ましい。
上述した本発明に係る有機ELパネル10の製造方法を、図2(a)〜図2(j)及び図3(a)〜図3(b)を用いた一実施形態に基づいて説明する。なお、図2(a)〜図2(j)では、4枚の有機ELパネル10を同時に作製する場合の製造方法の一例を示す。
続いて、素子基板11上に第一電極層12を形成する。第一電極層12は、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法や、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法などにより形成する。
隔壁15を形成する感光性樹脂組成物は、スピンコーター、バーコーター、ロールコーター、ダイコーター、グラビアコーター等の公知の塗布方法を用いて塗布することができる。感光性樹脂組成物のパターン露光及び現像には、従来公知の露光、現像方法を用いることができる。所望のパターンに形成した感光性樹脂組成物の焼成には、オーブン、ホットプレート等での従来公知の焼成方法を用いることができる。
また、隔壁15を多段状に形成してもよい。その場合には、基板上の全面に形成されたSiO2やSiNからなる絶縁性の無機膜を、フォトリソグラフィにより画素を区切る格子状に形成して1段目の隔壁15とする。そして、1段目の隔壁15上に感光性樹脂組成物からなる2段目の隔壁15をフォトリソグラフィにより形成して、2段目の隔壁15とする。
続いて、第二電極層14を形成する。第二電極層14は材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法を用いて形成することができる。
図2(c)及び図2(d)に示すように、閉ループ形状で塗布又は印刷された吸湿接着材料18aにて囲まれた閉領域に、フッ素オイル等の有機充填材16aを塗布又は滴下する。図2(d)は、図2(c)に示す有機充填材16a塗布後の封止基板17のB−B’断面を示す断面図である。
続いて、図3(a)に示すように、吸湿接着材料18a及び接着材料20aを硬化させたユニットを分割してパネルを得る。パネルは、図2(i)及び図2(j)に示すユニットに切れ目を入れ(スクライブ)、分割する(ブレイク)ことにより得られる。図3(b)は、図3(a)に示すパネルのF−F’断面を示す断面図である。
最外周シール層20を透過した水分とポリシラザン溶液とは下記の反応を起こし、無機封止層19であるシリカ膜が吸湿シール層18と最外周シール層20との隙間を満たした状態で形成される。
以上のようにして作製した本発明の一実施形態に係る有機ELパネル10は、素子基板11と封止基板17とに挟まれた有機充填層16の側面が、水分吸収剤を含む吸湿シール層18、水分バリア性に優れた無機封止層19とで覆われている。このため、無機封止層19が有機ELパネル10内部への水分浸入を防止し、無機封止層19に生じた小さなピンホールや亀裂等から水分が浸入した場合であっても、吸湿シール層18中の水分吸収剤が水分を化学的又は物理的に吸着する。したがって、本発明の一実施形態に係る有機ELパネル10では、水分の影響で有機EL素子の劣化が防止される。
〔実施例1〕
素子基板として、第一電極層、取り出し電極、TFT回路を保護するためのSiNx層からなる無機絶縁層、及び無機絶縁層上に形成された画素を仕切るためのポリイミドからなる隔壁が形成された基板を用いた。
第一電極層上に、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルホン酸との混合物からなる正孔輸送層をスピンコート法により20nm厚で形成した。
有機発光媒体層上に、Ba及びAlからなる金属膜を、抵抗加熱蒸着法によりそれぞれ5nm厚、100nm厚で順に形成し、第二電極層を形成した。
続いて、閉ループ形状に塗布した紫外線硬化接着剤の外側に、少し間隔をおいてアクリル系紫外線硬化接着剤を閉ループ形状に塗布した。そして、吸湿接着材料である酸化カルシウムを混合したアクリル系紫外線硬化接着剤と、アクリル系紫外線硬化接着剤との間に、ポリシラザン溶液を滴下した。
このようにして得た実施例1の有機ELパネル(画素数が960×540)を、温度60℃、相対湿度90%の環境下に1000時間保存したところ、気泡や画素欠陥の発生は見られなかった。
吸湿接着材料である酸化カルシウム混合アクリル系紫外線硬化接着剤の代わりに、酸化カルシウムを混合しないアクリル系紫外線硬化接着剤を用いた以外は実施例1と同様にして有機ELパネルを作製した。比較例1の有機ELパネルを、温度60℃、相対湿度90%の環境下に700時間保存したところ、吸湿接着材料を硬化させた吸湿シール層18近傍の画素にてダークスポットの発生が見られた。また、保存時間が1000時間を経過した後は、隣接画素までダークスポットが拡大した。
ポリシラザン溶液の滴下を行なわなかったこと以外は、実施例1と同様にして有機ELパネルを作製した。比較例2の有機ELパネルを、温度60℃、相対湿度90%の環境下に500時間保存したところ、外部からの水の浸入と見られる欠陥(ダークエリア)が発光表示エリア角部から発生した。また、保存時間が1000時間を経過した後は、さらにダークエリアが拡大した。
11…素子基板
12…第一電極層
13…有機発光媒体層
14…第二電極層
15…隔壁
16…有機充填層
16a…有機充填材
17…封止基板
18…吸湿シール層
18a…吸湿接着材料
19…無機封止層
20…最外周シール層
20a…接着材料
30…有機EL素子(従来例)
31…素子基板
32…第一電極層
33…有機発光媒体層
34…第二電極層
35…有機電界発光層
36…有機充填層
37…封止基板
38…無機封止層
40…有機EL装置(従来例)
41…素子基板
42…有機EL素子
43…第一封止層
44…有機充填層
45…封止基板
46…第二封止層
Claims (10)
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板の表面に配置された有機エレクトロルミネッセンス素子と、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子を覆う有機充填層と、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子と前記有機充填層とを介して前記絶縁基板と対向する封止基板と、
前記有機充填層の側面を覆い、前記絶縁基板と前記封止基板とを固着する、水分吸収剤と樹脂材料とからなる吸湿シール層と、
前記吸湿シール層の側面を覆う、無機材料を含む無機封止層と、
前記無機封止層の側面を覆う最外周シール層と、
を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネル。 - 前記無機封止層が、シリカ膜であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネル。
- 前記無機封止層が、高分子樹脂膜と無機材料膜との積層膜であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネル。
- 上記水分吸着剤が、酸化カルシウム及び酸化バリウム、並びにシリカゲル及びゼオライトの少なくとも1つであることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネル。
- 有機充填層が、液体状であることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネル。
- 前記有機充填層が、シリコンオイル及びフッ素オイルの少なくとも一種からなることを特徴とする請求項5に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネル。
- 前記有機充填層が、熱硬化型樹脂又は紫外線硬化型樹脂からなることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネル。
- 前記有機エレクトロルミネッセンス素子が、第一電極層、有機発光層を含む有機発光媒体層及び第二電極層を含むことを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネル。
- 絶縁基板の表面に、有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する工程と、
封止基板の表面に、水分吸収剤と樹脂材料とからなる吸湿接着材料を閉ループ形状で塗布又は印刷する工程と、
前記封止基板の表面に、前記吸湿接着材料を取り囲み、かつ該吸湿接着材料との間に間隔をあけた閉ループ形状に、樹脂材料を塗布又は印刷する工程と、
前記吸湿接着材料にて囲まれた閉領域に、有機充填材を塗布又は滴下する工程と、
前記吸湿接着材料と前記接着材料とに囲まれた閉領域に、無機材料を含む溶液を塗布又は滴下する工程と、
無機材料を含む溶液を塗布又は滴下した後に、前記絶縁基板の前記有機エレクトロルミネッセンス素子形成面と、前記封止基板の前記前記有機充填材付着面とを、前記有機エレクトロルミネッセンス素子が前記有機充填材に覆われるように対向させて、前記素子基板及び前記封止基板を貼り合せる工程と、
前記無機材料を含む溶液を硬化させて無機封止層を形成する工程と、
を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。 - 前記無機材料を含む溶液がポリシラザンを含有する溶液であり、前記ポリシラザンを含有する溶液を乾燥させることにより前記無機封止層を形成することを特徴とする請求項9に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
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Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150145642A (ko) * | 2014-06-20 | 2015-12-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JP2016012433A (ja) * | 2014-06-27 | 2016-01-21 | 株式会社Joled | 有機el表示パネル及び有機el表示装置 |
JP2016201362A (ja) * | 2015-04-14 | 2016-12-01 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 有機発光表示装置 |
CN106356388A (zh) * | 2015-07-15 | 2017-01-25 | 铼宝科技股份有限公司 | 显示面板 |
KR20200021442A (ko) | 2017-06-28 | 2020-02-28 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 유기 el 표시 소자용 면내 봉지제 및 유기 el 표시 소자용 봉지제 세트 |
WO2020152950A1 (ja) * | 2019-01-23 | 2020-07-30 | 日東電工株式会社 | ヘッドアップディスプレイ装置およびその製造方法 |
KR20210005840A (ko) | 2018-04-20 | 2021-01-15 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 유기 el 표시 소자용 봉지제 |
CN113330046A (zh) * | 2019-03-26 | 2021-08-31 | 积水化学工业株式会社 | 树脂组合物及有机el显示元件用周边密封剂 |
KR20210116427A (ko) | 2019-01-18 | 2021-09-27 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 유기 el 표시 소자 봉지용 수지 조성물, 경화물, 및 유기 el 표시 소자 |
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KR20210116423A (ko) | 2019-01-18 | 2021-09-27 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 경화물 및 유기 el 표시 소자 |
KR20220023748A (ko) | 2019-07-04 | 2022-03-02 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 유기 el 표시 소자용 봉지제 세트 및 유기 el 표시 소자 |
KR20230041956A (ko) | 2020-07-22 | 2023-03-27 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 유기 el 표시 소자용 봉지제 |
KR20230044981A (ko) | 2020-07-27 | 2023-04-04 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 유기 el 표시 소자용 봉지제 |
WO2023119374A1 (ja) * | 2021-12-20 | 2023-06-29 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 表示装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005190683A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Canon Inc | 有機el素子及びその製造方法 |
US20070172971A1 (en) * | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Eastman Kodak Company | Desiccant sealing arrangement for OLED devices |
JP2010108905A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 発光表示装置及びその製造方法 |
JP2010140915A (ja) * | 2010-03-19 | 2010-06-24 | Sony Corp | 表示装置及びその製造方法 |
JP2012513665A (ja) * | 2008-12-30 | 2012-06-14 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 環境感応性素子をカプセル化する方法 |
-
2012
- 2012-09-26 JP JP2012212294A patent/JP6098091B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005190683A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Canon Inc | 有機el素子及びその製造方法 |
US20070172971A1 (en) * | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Eastman Kodak Company | Desiccant sealing arrangement for OLED devices |
JP2010108905A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 発光表示装置及びその製造方法 |
JP2012513665A (ja) * | 2008-12-30 | 2012-06-14 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 環境感応性素子をカプセル化する方法 |
JP2010140915A (ja) * | 2010-03-19 | 2010-06-24 | Sony Corp | 表示装置及びその製造方法 |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150145642A (ko) * | 2014-06-20 | 2015-12-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102233100B1 (ko) | 2014-06-20 | 2021-03-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JP2016012433A (ja) * | 2014-06-27 | 2016-01-21 | 株式会社Joled | 有機el表示パネル及び有機el表示装置 |
JP2016201362A (ja) * | 2015-04-14 | 2016-12-01 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 有機発光表示装置 |
CN106356388A (zh) * | 2015-07-15 | 2017-01-25 | 铼宝科技股份有限公司 | 显示面板 |
KR20200021442A (ko) | 2017-06-28 | 2020-02-28 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 유기 el 표시 소자용 면내 봉지제 및 유기 el 표시 소자용 봉지제 세트 |
KR20210005840A (ko) | 2018-04-20 | 2021-01-15 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 유기 el 표시 소자용 봉지제 |
KR20210116425A (ko) | 2019-01-18 | 2021-09-27 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 유기 el 표시 소자용 봉지제 세트 및 유기 el 표시 소자 |
KR20210116423A (ko) | 2019-01-18 | 2021-09-27 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 경화물 및 유기 el 표시 소자 |
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KR20210116426A (ko) | 2019-01-18 | 2021-09-27 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 경화물 및 유기 el 표시 소자 |
KR20210116427A (ko) | 2019-01-18 | 2021-09-27 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 유기 el 표시 소자 봉지용 수지 조성물, 경화물, 및 유기 el 표시 소자 |
WO2020152950A1 (ja) * | 2019-01-23 | 2020-07-30 | 日東電工株式会社 | ヘッドアップディスプレイ装置およびその製造方法 |
CN113316736A (zh) * | 2019-01-23 | 2021-08-27 | 日东电工株式会社 | 平视显示器装置及其制造方法 |
JP2020118827A (ja) * | 2019-01-23 | 2020-08-06 | 日東電工株式会社 | ヘッドアップディスプレイ装置およびその製造方法 |
TWI839417B (zh) * | 2019-01-23 | 2024-04-21 | 日商日東電工股份有限公司 | 抬頭顯示器裝置及其製造方法 |
CN113330046A (zh) * | 2019-03-26 | 2021-08-31 | 积水化学工业株式会社 | 树脂组合物及有机el显示元件用周边密封剂 |
KR20210146279A (ko) | 2019-03-26 | 2021-12-03 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 수지 조성물 및 유기 el 표시 소자용 주변 봉지제 |
KR20220023748A (ko) | 2019-07-04 | 2022-03-02 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 유기 el 표시 소자용 봉지제 세트 및 유기 el 표시 소자 |
KR20230041956A (ko) | 2020-07-22 | 2023-03-27 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 유기 el 표시 소자용 봉지제 |
KR20230044981A (ko) | 2020-07-27 | 2023-04-04 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 유기 el 표시 소자용 봉지제 |
WO2023119374A1 (ja) * | 2021-12-20 | 2023-06-29 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 表示装置 |
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