JP4731902B2 - 自発光パネルの製造方法 - Google Patents

Description

この発明は、自発光パネルの製造方法に関する。

従来、対向する一対の電極とこの電極間に挟持された発光層とを備える自発光素子と、自発光素子を支持する支持基板と、支持基板に対し発光層を介して対向する封止基材と、支持基板と封止基材との間に設けられて自発光素子を封止するとともに支持基板と封止基板との間に充填される状態で支持基板と封止基板とを貼り合せる封止材と、を備える自発光パネルがある。

このような自発光パネルの封止としては、例えば、シート（フィルム）状の封止材を用いて自発光素子を封止する封止方法がある。該封止方法では、自発光素子を封止するようにシート状の封止材を支持基板に貼り合わせた後に、封止材が貼り合わせられた支持基板と、封止基材とを貼り合わせて一体化する。なお、封止材が貼り合わせられた封止基材と支持基板とを貼り合わせるようにしてもよい。

自発光素子の封止にシート（フィルム）状の封止材を用いることにより、液体状の樹脂を用いて発光層を封止する封止法（例えば、特許文献１参照。）を用いた場合よりも工程を簡略化することができる。このシート（フィルム）状の封止材を用いた封止法では、例えば熱硬化型樹脂によって形成された封止材を用いて、この封止材を加熱することにより、自発光素子と封止基材とを封止材を介して一体化している。

特開２００２−２１６９５０号公報

しかしながら、シート（フィルム）状の封止材を用いて自発光素子を封止する場合、封止材がシート状やフィルム状といった一定の形状を保持する固体であるため、封止材あるいは支持基板の貼り合せ面に凹凸があると、貼り合わせられた封止材と支持基板との間に気泡ができるという問題が一例として挙げられる。

また、一体化に際して封止材を硬化するために加熱すると、封止材を形成する材料中に混在する溶媒や水または反応生成ガスなどが気化し、封止材と、支持基板あるいは自発光素子との間で気泡が生じるという問題が一例として挙げられる。封止材を封止基材に貼り付ける場合も同様に、封止材と支持基板との間に気泡が残るという問題を生じる。更に、上記の気化した溶媒、水、反応生成ガスなどが自発光素子の劣化因子などとなる恐れがある。

また、このような気泡が封止材と自発光素子との間に発生すると、気泡に含まれる溶媒や水分が発光層に悪影響を及ぼし、自発光パネルの発光性能を低下させるという問題が一例として挙げられる。上記各種の問題は、封止材を封止基材に貼り付ける場合も同様に生じる。

請求項１の発明にかかる自発光パネルの製造方法は、支持基板と、支持基板上に対向する一対の電極と当該一対の電極間に挟持された発光層とを備える自発光素子と、前記支持基板に対し前記自発光素子を介して対向する封止基材と、前記支持基板と前記封止基材との間に設けられ、前記自発光素子を封止する硬化型フィルム状封止材と、を備える自発光パネルの製造方法において、前記封止材と前記支持基板とを、前記自発光素子を封止するように加熱および加圧する第１の貼り合わせ工程と、前記第１の貼り合わせ工程において前記封止材が貼り合わせられた支持基板と前記封止基材とを、前記封止材を介して減圧状態で貼り合わせる第２の貼り合わせ工程と、前記第２の貼り合わせ工程において貼り合わせられた前記支持基板および前記封止基材を、前記封止材を介して一体化する一体化工程と、を含むことを特徴とする。

請求項２の発明にかかる自発光パネルの製造方法は、支持基板と、支持基板上に対向する一対の電極と当該一対の電極間に挟持された発光層とを備える自発光素子と、前記支持基板に対し前記自発光素子を介して対向する封止基材と、前記支持基板と前記封止基材との間に設けられ、前記自発光素子を封止する硬化型フィルム状封止材と、を備える自発光パネルの製造方法において、前記封止材と前記封止基材とを加熱および加圧する第１の貼り合わせ工程と、前記第１の貼り合わせ工程において前記封止材が貼り合わせられた封止基材と前記支持基板とを、前記封止材を介して前記自発光素子を封止するように減圧状態で貼り合わせる第２の貼り合わせ工程と、前記第２の貼り合わせ工程において貼り合わせられた前記支持基板および前記封止基材を、前記封止材を介して一体化する一体化工程と、を含むことを特徴とする。

以下に添付図面を参照して、この発明にかかる自発光パネルの製造方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。

（実施の形態）
まず、この発明の実施の形態にかかる自発光パネルの構成について説明する。図１は、この発明の実施の形態にかかる自発光パネルの構成の一例を示す側面図である。図１に示すように、自発光パネル１００は、一対の電極１０１（１０１ａ，１０１ｂ）と発光層１０２とを備える自発光素子１０３と、支持基板１０４と、封止基材１０５と、封止材１０６と、を有している。

自発光素子１０３は、対向する一対の電極１０１と、一対の電極１０１間に挟持された発光層１０２とによって構成されている。一対の電極１０１および発光層１０２は、支持基板１０４上に設けられている。一対の電極１０１は、支持基板１０４の厚み方向に沿って対向するように設けられている。このため、一対の電極１０１および発光層１０２は、支持基板１０４の厚み方向に沿って積層された状態で支持基板１０４によって支持されている。封止基材１０５は、支持基板１０４の自発光素子１０３側に対向して配置される。

封止材１０６は、支持基板１０４と封止基材１０５との間に設けられ、自発光素子１０３を封止する。例えば、自発光素子１０３として有機ＥＬ素子を用いた場合、大気中に含まれる酸素や水分から自発光素子１０３を保護するため、この自発光素子１０３を外気に対して封止する必要がある。本実施の形態においては、封止基材１０５および封止材１０６を用いて、全面に亘って貼り合せることで自発光素子１０３を封止している。

固体の封止材を用いることにより、液体（形状の保持が困難なもの）を用いて自発光素子１０３を封止する封止法に比して工程を簡易化することができる。本実施の形態の封止材１０６は、シート（フィルム）状に成形されている。

次に、この発明の実施の形態にかかる自発光パネル１００の製造方法について説明する。図示を省略するが、自発光パネル１００の製造に際しては、まず、支持基板１０４上に、一対の電極１０１のうちの一方の電極１０１ａを形成する。この電極１０１ａの上に発光層１０２を形成し、発光層１０２の上に一対の電極１０１のうちの他方の電極１０１ｂを形成して、自発光素子１０３を形成する。

図２−１は、この発明の実施の形態にかかる第１の貼り合わせ工程を示す側面図である。図２−１に示すように、自発光素子１０３が形成された支持基板１０４に対し、自発光素子１０３の上面からこの自発光素子１０３を覆うようにラミネータなどを用いて封止材１０６を貼り合わせる。

図２−２は、この発明の実施の形態にかかる第２の貼り合わせ工程を示す側面図である。図２−２に示すように、第２の貼り合わせ工程では、第１の貼り合わせ工程において封止材１０６が貼り合わせられた支持基板１０４と封止基材１０５とを、封止材１０６を介して減圧状態で貼り合わせる。この第２の貼り合わせ工程では、支持基板１０４と封止基材１０５とを密着する方向に加圧する。また、第２の貼り合わせ工程では、互いに貼り合わせられる面２０１，２０２が平行になり、かつ対向するように支持基板１０４と封止基材１０５とを保持する。そして、対向する面２０１，２０２が近付く方向に支持基板１０４と封止基材１０５とを貼り合わせる。

図２−３は、この発明の実施の形態にかかる一体化工程を示す側面図である。図２−３に示すように、第２の貼り合わせ工程において貼り合わせられた支持基板１０４と封止基材１０５とを、封止材１０６を介して一体化する。この一体化工程は、減圧状態で行う。ここでいう減圧状態とは、真空状態を含んだ１０〜１０^-6Ｐａの範囲の気圧状態のことである。通常、約１０〜１０^-2Ｐａの範囲の気圧状態を陰圧状態、約１０^-2〜１０^-6Ｐａの範囲の気圧状態を真空状態と呼称している。また、封止材１０６から排出される特定ガス成分が規定量以下となった以降は、減圧状態から大気圧に変えることもできる。この一体化工程は、減圧状態、大気圧に設定された不活性ガス中、あるいは、減圧状態に設定された不活性ガス中のいずれか一つ、あるいは順次組み合わせた環境下で行う。さらに、一体化工程においては、支持基板１０４と封止基材１０５とを密着する方向に加圧してもよい。

このように、上記の製造方法によれば、第２の貼り合わせ工程において、封止材１０６が貼り合わせられた支持基板１０４と封止基材１０５とを、封止材１０６を介して真空中で貼り合わせることにより、工程の簡易化を実現できる。また、封止材１０６と封止基材１０５との間における気泡の発生を防止することができる。これによって、封止材１０６と封止基材１０５との接着面積の低下による接着不良や、光伝達効率の低下を防止することができる。

また、上記の製造方法によれば、第２の貼り合わせ工程において、支持基板１０４と封止基材１０５とを密着する方向に加圧した場合には、支持基板１０４と封止基材１０５とを封止材１０６を介してより良好に密着させることができる。また、第２の貼り合わせ工程において、互いに貼り合わせられる面２０１，２０２が平行になりかつ対向するように支持基板１０４と封止基材１０５とを保持しつつ、対向する面２０１，２０２が近付く方向に支持基板１０４と封止基材１０５とを貼り合わせた場合には、貼り合わせの途中で封止材１０６に歪みを生じさせることがない。これによって、封止材１０６が歪むことによって封止材１０６の表面に凹凸が生じることを防止し、封止材１０６と封止基材１０５との間における気泡の発生をより確実に防止することができる。

特に、大型の自発光パネル１００を製造する場合、封止基材１０５を撓ませる方法では封止基材１０５が大型となるために大掛かりな貼り合わせ用の装置が必要となるが、上記のように支持基板１０４と封止基材１０５とを平行に貼り合わせる製造方法によれば、封止基材１０５を撓ませることなく支持基板１０４と封止基材１０５とを貼り合わせることができることから、このような大掛かりな貼り合わせ用の装置を不要にできる。

ところで、封止基材１０５を撓ませて貼り合わせる方法では、自発光パネル１００を大型化した場合に、封止基材１０５を撓ませること自体が封止基材１０５を破損させる恐れがあるが、上記の製造方法によれば、封止基材１０５を撓ませずに行えるため、例えば大型テレビなどのような大型の自発光パネル１００であっても、封止材１０６と封止基材１０５との間における気泡の発生をより確実に防止することができる。なお、貼り合わせに関する方法としては、支持基板１０４と封止基材１０５とを平行に貼り合わせる製造方法に限るものではなく、封止基材１０５を撓ませて自発光パネル１００を製造する方法も含め、公知の各種技術を用いることが可能である。

以上説明したように、本実施の形態の自発光パネル１００の製造方法によれば、一体化工程を減圧状態で行った場合には、熱硬化に際して封止材１０６を形成する樹脂中から発生する特定ガス成分を封止材１０６と支持基板１０４あるいは封止基材１０５との間から外へ引き出すことができるので、封止材１０６と支持基板１０４あるいは封止基材１０５との間における気泡の発生をより確実に防止することができる。

さらに、一体化工程において、封止材１０６から排出される特定ガス成分が規定量以下となった以降に、減圧状態から大気圧に変えた場合には、封止材１０６に対し熱を良好に伝達することができるようになる。すなわち、減圧状態では支持基板１０４や封止基材１０５に熱源を直接接触させなくてはならないが、大気圧とすることにより自発光パネル１００の周囲の気体（空気や不活性ガス）を加熱することで封止材１０６を加熱することができ、効率よく加熱を行うことができる。さらには、加熱のためにエネルギーを過度に消費することを防止して、製造コスト上昇を抑制することができるようになる。

ところで、本実施の形態においては、上記の一体化工程を減圧状態で行うようにしたが、これに限るものではない。例えば、大気圧に設定された不活性ガス中で一体化工程を行った場合には、自発光素子１０３が完全に封止される前に酸素や水などが入り込んで自発光素子１０３の発光性能を低下させることを防止することができる。また、本実施の形態においては、一体化工程を減圧状態で行うようにしたが、これに限るものではなく、例えば、陰圧状態に設定された不活性ガス中で一体化工程を行った場合には、熱硬化に際して封止材１０６を形成する樹脂中から発生する特定ガス成分を封止材１０６と支持基板１０４あるいは封止基材１０５との間から外へ引き出すことができるので、封止材１０６と支持基板１０４あるいは封止基材１０５との間における気泡の発生をより確実に防止することができる。

なお、本発明は、上述したような支持基板１０４にシート状の封止材１０６を貼り合わせてから支持基材１０５を貼り合わせる工程とするに限らない。まず、シート状の封止材１０６を封止基材１０５に貼り合わせてもよい。すなわち、封止基材１０５にシート状の封止材１０６を貼り合わせる第１の貼り合わせ工程と、封止材１０６が貼り合わせられた封止基材１０５と、支持基板１０４とを封止材１０６を介して減圧状態で貼り合わせる第２の貼り合わせ工程と、貼り合わせられた支持基板１０４および封止基材１０５を封止材１０６を介して一体化する一体化工程と、を含むことを特徴とする製造方法によって自発光パネル１００を製造してもよい。

このように、第１の貼り合わせ工程において封止基材にシート状の封止材を貼り合わせ、第２の貼り合わせ工程においてこの封止基材と支持基板とを封止材を介して減圧状態で貼り合わせることにより、固体の封止材を用いることによる工程の簡易化を実現しつつ、封止材１０６と支持基板および自発光素子１０３との間における気泡の発生を防止することができる。これによって、封止材１０６と支持基板および自発光素子１０３との接着面積の低下による接着不良や、光伝達効率の低下を防止することができる。

以上説明したように、本発明の実施の形態の自発光パネル１００の製造方法によれば、気泡が発生しやすい第２の貼り合わせ工程を減圧状態で行うことにより、固体の封止材を用いることによる工程の簡易化を実現できる。また、自発光素子１０３内における気泡の発生を防止することができる。そして、封止材１０６に対する各部材の接着不良や、気泡の存在による光伝達効率の低下を防止することができる。

（自発光パネルの構成）
次に、この発明の実施例にかかる自発光パネルの構成について説明する。なお、この発明の実施例にかかる自発光パネルの外観構成は上述した図１に示す自発光パネルと同様であるためここでは図示を省略し、図１にしたがった符号を用いて説明する。

まず、本実施例における自発光パネル１００が有する自発光素子１０３について説明する。本実施例における自発光パネル１００が有する自発光素子１０３は、例えば電圧を印加することによって発生する電界エネルギーが加えられることにより、加えられた電界エネルギーを光の形態で放出するＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子などが挙げられる。ＥＬ素子には、無機ＥＬ素子と有機ＥＬ素子とがあるが、本実施例では、有機ＥＬ素子を自発光素子１０３とした例を示す。

有機ＥＬ素子は、有機ＥＬ（ＯＥＬ）デバイス、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス、電場発光光源とも呼ばれることもあるが、本実施例においては有機ＥＬ素子として説明する。有機ＥＬ素子には、高分子材料を用いて形成されたものと、低分子材料を用いて形成されたものとがある。以降、本実施例では、一例として、低分子材料を用いて形成された有機ＥＬ素子を自発光素子１０３として用いた例について説明する。本実施例においては、一対の電極１０１および一対の電極１０１間の発光層１０２によって構成される素子構造を「有機ＥＬ素子」とする。

一般的に、有機ＥＬ素子は、アノード（陽極、正孔注入電極）とカソード（陰極、電子注入電極）との間に有機層を挟み込んだ構造を有している。ここで、有機層とは、発光層を含んでいる。有機ＥＬ素子では、両電極に電圧を印加することにより、アノードから有機層内に注入・輸送された正孔と、カソードから有機層内に注入・輸送された電子とを有機層内（発光層）にて再結合させ、この再結合に際して発生する光を得ている。現在は、材料開発および製造プロセスの開発進捗などの背景から、有機層に低分子材料を用いたものがフルカラーディスプレイとして製品化されているが、本実施例においては低分子、高分子は問わない。

有機ＥＬ素子は、各種機能を有する層を複数積層した構造である。有機ＥＬ素子における各層の積層構造としては、「下部電極（陽極）／正孔注入層／正孔輸送層／有機ＥＬ発光層／電子輸送層／電子注入層／上部電極（陰極）」という順序で積層された構造が一般的である。なお、本実施例においては電極１０１ａによって下部電極が実現され、電極１０１ｂによって上部電極が実現されている。

有機ＥＬ素子における各層は、いずれも、単一の有機材料で形成されてもよいし、複数の材料を混ぜ合わせることによって形成されていてもよいし（混合層）、高分子バインダーの中に有機系あるいは無機系の機能材料を分散させたものでもよい。なお、機能材料としては、電荷輸送機能、発光機能、電荷ブロッキング機能、光学機能などが挙げられる。

有機ＥＬ素子における各層には、スパッタ法によって発光層１０２の上側に電極１０１ｂを形成する際に発光層１０２がダメージを受けないようにするためのバッファ機能や、発光層１０２の成膜プロセスによって発生する発光層１０２表面の凹凸を防止するための平坦化機能を有する層や有機ＥＬ素子を保護する、例えばＳｉＮやＳｉＯＮの無機膜などの保護層、およびこれらからなる複数の層が含まれていてもよい。

この他に、有機ＥＬ素子は、発光層１０２の上側に位置する電極を陽極とし、発光層１０２の下側に位置する電極を陰極としたものや、複数の層によって発光層１０２を構成したもの、発光色の異なる複数の発光層１０２を積層させたもの（ＳＯＬＥＤ：Ｓｔａｃｋｅｄ ＯＬＥＤ）、カソードとアノードの間に図示しない電荷発生層を介在させたもの（マルチフォトン素子）、正孔輸送層などの層を省略したものや複数積層させたもの、有機層１層のみの素子構成のもの（各機能層を連続的に形成させる、層境界をなくしたもの）などもある。なお、本発明は、有機ＥＬ素子の構成を限定するものではない。

次に、封止基材１０５について説明する。封止基材１０５は、支持基板１０４の発光層１０２側に対向して配置される。封止基材１０５を形成する材料としては、ソーダガラス，鉛ガラス，硬質ガラスなどのガラス基材、ポリエチレン，ポリプロピレン，ポリエチレンテレフタレート，ポリメチルメタクリレートなどのプラスチック基材、アルミニウム，ステンレスなどの金属基材などの各種の材料を用いることができる。封止基材１０５を形成する材料は、自発光素子１０３の構成に応じて適宜好適な材料を選択することが可能である。

例えば、自発光素子１０３が、支持基板１０４側と反対側から光を取り出すＴｏｐ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ構造の有機ＥＬ素子である場合、あるいは、支持基板１０４側とその反対側との両側から光を取り出すＴＯＬＥＤ構造の有機ＥＬ素子である場合には、封止基材１０５を形成する材料として透明性が高い材料を用いること、該封止基材の厚さとして高透過率を有する厚さであることが好適である。これに対し、例えば、自発光素子１０３が、支持基板１０４側から光を取り出すＢｏｔｔｏｍ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ構造の有機ＥＬ素子である場合には、透明性にかける金属基材などを封止基材１０５を形成する材料として用いても構わない。

次に、封止材１０６について説明する。封止材１０６は、支持基板１０４と封止基材１０５との間に設けられる。封止材１０６は、樹脂をシート（フィルム）状に成形することによって形成されている。封止材１０６は、表面に凹凸がなく（または少なく）、平坦性に優れていることが好適である。平坦性に優れた封止材を用いることにより、封止材１０６を支持基板１０４または封止基材１０５に貼り合わせる際に、支持基板１０４または封止基材１０５に対して密着する密着面において、支持基板１０４または封止基材１０５と封止材１０６との間に気泡が混入することを防止することができる。

封止材１０６の厚さは、残存応力が極力小さくなるように設定されていることが好適である。例えば、封止材１０６の形成時に内部応力が多く残されていると、経時に伴って或る一部分が伸びたり縮んだりしてしまう。このような封止材１０６を用いた場合、封止材１０６が自発光素子（有機ＥＬ素子）１０３に対して応力を及ぼし、経時に伴う封止材１０６の変化によって自発光パネル１００における各層の積層状態が崩れたり、支持基板１０４や封止基材１０５に対する封止材１０６の密着性が低下して封止不良が発生したりするといった各種の問題が発生することが懸念される。すなわち、封止材１０６の厚さを、残存応力が極力小さくなるような厚さに設定することにより、このような問題を回避することができる。さらに該封止材の厚さを決定する他の要因、例えば該封止材中に残存する水分量を極力低減するような厚さに設定することも可能である。

封止材１０６を形成する樹脂としては、例えば、ポリエステルアクリレート，ポリエーテルアクリレート，エポキシアクリレート，ポリウレタンアクリレートなどの各種アクリレートを主成分とする光ラジカル重合性樹脂や、エポキシ，ビニルエーテルなどの樹脂を主成分とする光カチオン重合性樹脂や、チオール・エン付加型樹脂などの光硬化性樹脂や、ポリエチレン，ポリプロピレン，ポリエチレンテレフタレート，ポリメチルメタクリレート，ポリスチレン，ポリエーテルスルホン，ポリアリレート，ポリカーボネート，ポリウレタン，アクリル樹脂，ポリアクリルニトリル，ポリビニルアセタール，ポリアミド，ポリイミド，ジアクリルフタレート樹脂，セルロース系プラスチック，ポリ酢酸ビニル，ポリ塩化ビニル，ポリ塩化ビニリデンなどや、これらの２つまたは３つ以上の共重合体などの熱可塑性樹脂や、熱硬化型樹脂などが挙げられる。

封止材１０６を形成する樹脂は、自発光パネル１００の作製途中で劣化原因となるガスを発生しない（または発生量が少ない）ことや、周囲の温度や経時的に変形・収縮・膨張などの変化がほとんどないものであれば、特に限定されるものではない。しかしながら、支持基板１０４および封止基材１０５への密着性および接着性が良好であるという点から、封止材１０６を形成する樹脂としては、加熱されることによって硬化する熱硬化型の樹脂が好適である。以降、本実施例においては、加熱されることによって硬化する熱硬化型の樹脂によって形成された封止材１０６を用いた場合について説明する。

（自発光パネルの製造方法）
次に、この発明の実施例にかかる自発光パネル１００の製造方法の一例について説明する。図３−１は、この発明の実施例にかかる自発光素子形成工程を示す側面図である。自発光パネル１００の製造に際しては、まず、支持基板１０４上に自発光素子１０３を形成する自発光素子形成工程を行う。自発光素子形成工程では、まず、支持基板１０４に電極１０１ａを形成し、その上に発光層１０２、電極１０１ｂを順次積層する。支持基板１０４上への自発光素子１０３の形成については公知の技術であるためここでは説明を省略する。

図３−２は、この発明の実施例にかかる第１の貼り合わせ工程を示す側面図である。次に、自発光素子１０３が形成された支持基板１０４に対して、シート状の封止材１０６を自発光素子１０３を封止するように貼り合わせる第１の貼り合わせ工程を行う。支持基板１０４において封止材１０６を貼り合わせる面は、自発光素子１０３が形成されている面である。第１の貼り合わせ工程は、減圧状態、大気圧に設定された不活性ガス中、あるいは、減圧状態に設定された不活性ガス中のいずれかの状態で行う。本実施例では減圧状態で行うものとする。

支持基板１０４と封止材１０６との貼り合わせは、例えば、支持基板１０４と封止材１０６とを重ね合わせ、重ね合わされた支持基板１０４と封止材１０６とに対して幅方向の中央部から周辺部に向かって圧力を加えることによって行う。このとき、加圧に加えて、重ね合わされた支持基板１０４と封止材１０６とを加熱するようにしてもよい。第１の貼り合わせ工程は、例えば特開２００２−３６１７４２号公報に開示されている技術を用いて行うことが可能であるが、支持基板１０４と封止材１０６との密着面に気泡や異物の混入を防ぐことが可能な方法であれば、特にこの方法に限定はされるものではない。

第１の貼り合わせ工程では、支持基板１０４と封止材１０６とを各々が密着する方向に加圧する。例えば、第１の貼り合わせ工程では、対向する一対のローラ３０１を用いて、重ね合わされた支持基板１０４と封止材１０６とをこのローラ３０１間を通過させることで、各々が密着する方向に支持基板１０４と封止材１０６とを加圧する。本実施例における第１の貼り合わせ工程は、支持基板１０４と封止材１０６との貼り合わせを、減圧状態、大気圧に設定された不活性ガス中、あるいは、減圧状態に設定された不活性ガス中のいずれかの状態で行う。

図３−３は、この発明の実施例にかかる第２の貼り合わせ工程を示す側面図である。次に、第１の貼り合わせ工程において封止材１０６が貼り合わせられた支持基板１０４と、封止基材１０５とを減圧状態で貼り合わせる第２の貼り合わせ工程を行う。本実施例では、第２の貼り合わせ工程を減圧状態で行う。この第２の貼り合わせ工程においては、互いに貼り合わせられる面２０１，２０２が平行になりかつ対向するように支持基板１０４と封止基材１０５とを保持しつつ、対向する面２０１，２０２が近付く方向に支持基板１０４と封止基材１０５とを貼り合わせる。

第２の貼り合わせ工程における支持基板１０４と封止基材１０５との貼り合わせは、例えば特開２００２−２１６９５８号公報に開示されている技術を用いて行うことが可能であるが、封止材１０６と封止基材１０５との密着面に気泡や異物の混入を防ぐことが可能な方法でれば、特にこの方法に限定はされるものではない。加えて、第２の貼り合わせ工程においては封止材１０６を加温する。この加温に際しての温度は、封止材１０６に対して熱硬化反応を生じさせる程高い温度ではなく、支持基板１０４と封止基材１０５とが封止材１０６によって見かけ上一体化される程度に封止材１０６を軟化させる程度の温度まで封止材１０６が加温されればよい。

図３−４は、この発明の実施例にかかる一体化工程を示す側面図である。次に、第２の貼り合わせ工程において貼り合わせられた支持基板１０４と封止基材１０５とを封止材１０６を介して一体化する一体化工程を行う。

本実施例の封止材１０６は熱硬化型の樹脂によって形成されているため、一体化工程において封止材１０６を加熱すると、封止材１０６を形成する樹脂が熱硬化反応を起こす。この熱硬化反応過程において、封止材１０６を形成する熱硬化型の樹脂が、支持基板１０４、自発光素子１０３および封止基材１０５に接着しながら硬化するので、これによって自発光素子１０３が設けられた支持基板１０４と封止基材１０５とが封止材１０６を介して一体化される。このように封止材１０６を硬化（本実施例では熱硬化）させることで、封止材１０６の経時変化をなくす（あるいは低減する）ことができる。本実施例においては、この一体化工程を減圧状態で行う。

封止材１０６の加熱方法は、ホットプレートなどの熱源に接触させた封止基材１０５を介して封止材１０６を加熱したり、赤外線を封止基材１０５に照射して封止基材１０５を加温することで封止材１０６を加熱したり、一体化工程を行う室内をヒーターなどで暖気することで封止材１０６を加熱したりするなどが挙げられる。封止材１０６の加熱方法は、封止材１０６を加熱し熱硬化反応させ、封止材１０６を形成する材料から排出される残留揮発成分を除去できれば上述した加熱方法に特に限定されるものではないが、封止材１０６に対して最近接に熱を加えられるという点から、上述した方法のうちではホットプレートなどの熱源に接触させる方法が好適である。

また、本実施例における一体化工程においては、封止材１０６から排出される特定ガス成分が規定量以下となった以降は雰囲気を不活性ガスで大気圧とする。ここで、特定ガス成分とは、一体化工程において加熱することにより封止材１０６を形成する樹脂が熱硬化反応（架橋反応）する際に発生するガス成分のうち、封止材１０６を形成する樹脂の種類に応じて設定された特定分子量のガス成分である。熱硬化型樹脂の熱硬化反応に際して発生するガス成分は、封止材１０６を形成する樹脂の種類によって異なるが、主に、該樹脂の合成時に使用した残存溶媒や水分などが気化したものである。樹脂の熱硬化反応に際して発生するガス成分の具体的な例として、例えば、メチルエチルケトン，トルエン，水，樹脂や添加剤の分解物などが挙げられる。

さらに、一体化工程においては、支持基板１０４と封止基材１０５とを密着する方向に加圧する（図３−４参照）。このとき、支持基板１０４および封止基板１０５の面方向に対して垂直に、支持基板１０４および封止基板１０５の面全体に亘って均一に加圧する。加圧時間、圧力値などは気泡の発生度合いなどによって適宜調整することが可能であり、特に限定されるものではない。

本実施例においては一体化工程を減圧状態で開始するようにしたが、これに限るものではなく、大気圧に設定された不活性ガス中、あるいは、減圧に設定された不活性ガス中で行ってもよい。さらに、例えば、一体化工程を大気圧に設定された不活性ガス中で開始する場合、熱硬化温度到達以降は減圧状態としてもよい。一方、例えば、一体化工程を減圧状態に設定された不活性ガス中で開始する場合、さらに、特定ガス成分が規定量以下となった以降に真空状態としてもよい。陰圧状態や真空状態にするタイミングや時間などは気泡の発生度合いなどによって適宜調整することが可能であり、特に限定されるものではない。

図４は、本実施例の自発光パネル１００の製造方法が採りうる複数の工程を示す工程図である。本実施例の自発光パネルの製造方法においては、第１の貼り合わせ工程を、減圧状態、大気圧に設定された不活性ガス中、あるいは、減圧状態に設定された不活性ガス中のいずれか一つの環境下で行うことができる。一方、本実施例の自発光パネル１００の製造方法においては、第２の貼り合わせ工程は、減圧状態のみで行う。

本実施例の自発光パネル１００の製造方法においては、一体化工程を、減圧状態、大気圧に設定された不活性ガス中、あるいは、減圧状態に設定された不活性ガス中のいずれか一つの環境下で行う。一体化工程を減圧状態で行った場合には、そのまま最後まで減圧状態で処理を行う場合と、途中から減圧状態に設定された不活性ガス雰囲気にする場合と、あるいは大気圧に設定された不活性ガス雰囲気にする場合と、という３通りの手順を採ることができる。一方、一体化工程を大気圧に設定された不活性ガス中で行った場合には、減圧状態を陰圧状態に設定するか、真空状態まで減圧するかの２通りの手順を採ることができる。また、一体化工程を減圧状態に設定された不活性ガス中で行った場合には、その後真空状態まで減圧するか、大気圧に設定された不活性ガス雰囲気にする手順を採ることができる。

このように、本実施例の自発光パネル１００の製造方法によれば、第１の貼り合わせ工程により、シート状の封止材１０６と支持基板１０４とを、自発光素子１０３を封止するように貼り合わせ、第２の貼り合わせ工程により、封止材１０６が貼り合わせられた支持基板１０４と封止基材１０５とを、封止材１０６を介して減圧状態で貼り合わせ、一体化工程により、第２の貼り合わせ工程において貼り合わせられた支持基板１０４および封止基材１０５を、封止材１０６を介して一体化する。このような封止法を用いることにより、工程の簡易化を実現しつつ、封止材１０６と封止基材１０５との間における気泡の発生を防止することができる。これによって、封止材１０６と封止基材１０５との接着面積の低下による接着不良や、光伝達効率の低下を防止することができる。

そして、第２の貼り合わせ工程において、支持基板１０４と封止材１０６とを密着する方向に加圧することにより、封止材１０６と封止基材１０５とを貼り合わせた直後に封止材１０６と封止基材１０５との間に気泡ができていた場合にも、その気泡を封止材１０６と封止基材１０５との間から外へ押し出すことができる。

図５−１は、支持基板に対して封止基材を傾けた状態で貼り合わせる際の側面図であり、図５−２は、支持基板に封止基材１０５を貼り合わせた状態を示す側面図である。図５−１に示すように、支持基板１０４に対して封止基材１０５を傾けた状態として端部から徐々に貼り合わせて行く場合、封止材１０６が一方側から他方側に向かって押されながら貼り合わせが行われる。このため、図５−２に示すように、封止材１０６が歪んで封止材１０６の表面に凹凸が生じ、気泡５０１が発生することがある。

これに対し、本実施例の第２の貼り合わせ工程においては、互いに貼り合わせられる面２０１，２０２が平行になりかつ対向するように支持基板１０４と封止基材１０５とを保持しつつ、対向する面２０１，２０２が近付く方向に支持基板１０４と封止基材１０５とを貼り合わせるようにしている。これにより、封止材１０６に歪みを生じさせることがないので、封止材１０６の表面に凹凸が生じることを防止し、減圧状態での貼り合わせにより封止材１０６と封止基材１０５との間における気泡の発生をより確実に防止することができる。

図５−３は、支持基板に対して封止基材を貼り合わせた他の状態を示す側面図である。図５−１に示したように、支持基板１０４に対して封止基材１０５を傾けた状態として端部から徐々に貼り合わせて行くと、図５−３に示すように、封止材１０６の厚さがパネル端部と中央部とで異なることがある。一つの自発光パネル１００で封止材１０６の厚さが場所によって異なっていると、発光性能が場所によって異なることとなり、ひいては自発光パネル１００の品質低下の原因となる。

これに対し、本実施例の第２の貼り合わせ工程においては、互いに貼り合わせられる面２０１，２０２が平行になりかつ対向するように支持基板１０４と封止基材１０５とを保持しつつ、対向する面２０１，２０２が近付く方向に支持基板１０４と封止基材１０５とを貼り合わせることにより、封止材１０６の厚さを自発光パネル１００全体に亘って均一にすることができる。

ところで、支持基板１０４に対して封止基材１０５を端部から徐々に貼り合わせるために、封止基材１０５を撓ませながら行う方法があるが、この方法を用いて大型の自発光パネル１００を製造するためには、大型化した封止基材１０５を撓ませるための大掛かりな貼り合わせ用の装置が必要となったり、大型化した封止基材１０５を撓ませるために封止基材１０５が破損したりすることが懸念される。

これに対し、本実施例の製造方法は、封止基材１０５に撓みを生じさせることなく支持基板１０４と封止基材１０５とを貼り合わせることができるので、例えば大型テレビなどの大型の自発光パネル１００を製造する場合にも、サイズの大きな封止基材１０５を撓ませるための大掛かりな貼り合わせ用の装置を不要にできる。また、サイズの大きな封止基材１０５を撓ませることによる封止基材１０５の破損を懸念することなく、品質の良好な自発光パネル１００を製造することができる。

すなわち、本実施例の自発光パネル１００の製造方法によれば、製造する自発光パネル１００のサイズに左右されることなく、封止材１０６と封止基材１０５との間における気泡の発生を防止し、品質の良好な自発光パネル１００を得ることができる。なお、製造方法としては、支持基板１０４と封止基材１０５とを平行に貼り合わせる製造方法に限るものではなく、封止基材１０５を撓ませて自発光パネル１００を製造する方法も含め、公知の各種技術を用いることが可能である。

本実施例では、熱硬化型の樹脂によって形成された封止材１０６を用いるとともに、一体化工程においては減圧状態で封止材１０６を加熱している。これにより、熱硬化に際して封止材１０６を形成する樹脂中から発生する特定ガス成分を封止材１０６と支持基板１０４あるいは封止基材１０５との間から外へ引き出すことができるので、封止材１０６と支持基板１０４あるいは封止基材１０５との間における気泡の発生をより確実に防止することができる。

そして、この一体化工程に際し、封止材１０６から排出される特定ガス成分が規定量以下となった以降は大気圧とすることにより、封止材１０６に対し良好に伝熱することができる。すなわち、減圧状態では支持基板１０４や封止基材１０５に熱源を直接接触させなくてはならないが、大気圧とすることにより自発光パネル１００の周囲の気体（空気や不活性ガス）を介して伝熱することで封止材１０６を加熱することができ、効率よく加熱を行うことができる。さらには、加熱のためにエネルギーを過度に消費することを防止して、製造コストの上昇を抑制することができる。

図６は、特定成分ガス量の経時変化を示す図表である。支持基板１０４と封止基材１０５とを貼り合わせた後に熱源に接触させた場合に封止材１０６から排出される特定成分ガス量の経時変化を示している。特定成分ガス量の経時変化の測定に際しては、まず、４０℃程度に設定された熱源に、自発光パネル１００における支持基板１０４を接触させる。接触させた直後に排出されるガス量を１．０、時間を０と定義する。図６においては、時間０から熱源の温度を封止材の硬化温度１００℃程度まで上げ、封止材の硬化温度に保持した時に検出されたガス量の経時変化を示している。図６から判るように、封止材１０６から排出される特定成分ガス量は、一定期間上昇しピーク点である１０分を過ぎた後徐々に低下し、４０分以降はほぼ一定量となる。

本実施例の自発光パネル１００の製造方法によれば、例えば特定成分ガス量がピークとなる１０分あるいは１０〜４０分までの間は減圧状態とすることで熱硬化反応によって封止材１０６から発生する特定ガス成分を外部へ排出するとともに、それ以降は大気圧とすることにより熱源からの熱を自発光パネル１００全体に効率よく伝導し、良好な熱硬化反応を行わせることができる。

一体化工程は、減圧状態で行うことに限るものではなく、例えば、熱硬化型の樹脂によって形成された封止材１０６を用いるとともに、一体化工程においては大気圧に設定された不活性ガス中で封止材１０６を加熱することにより、自発光素子１０３が完全に封止される前に酸素や水などが入り込んで自発光素子１０３の発光性能を低下させることを防止することができる。

同様に、一体化工程は、減圧状態で行うことに限るものではなく、例えば、熱硬化型の樹脂によって形成された封止材１０６を用いるとともに、一体化工程においては減圧状態に設定された不活性ガス中で封止材１０６を加熱することにより、熱硬化に際して封止材１０６を形成する樹脂中から発生する特定ガス成分を封止材１０６と支持基板１０４あるいは封止基材１０５との間から外へ引き出すことができるので、封止材１０６と支持基板１０４あるいは封止基材１０５との間における気泡の発生をより確実に防止することができる。

また、一体化工程において、支持基板１０４と封止基材１０５とを密着する方向に加圧することにより、熱硬化に際して封止材１０６を形成する樹脂中から発生した特定ガス成分が封止材１０６と支持基板１０４あるいは封止基材１０５との間から外へ逃げようとして通過した経路が硬化途中の封止材１０６に形成された場合にも、この経路を押しつぶすことができるので、封止材１０６に特定ガス成分が通過した経路（パス）が残ってしまうことを防止することができる。

加えて、本実施例の自発光パネル１００の製造方法によれば、第１の貼り合わせ工程を減圧状態で行うことにより、支持基板１０４と封止材１０６との間における気泡の発生を防止することができる。第１の貼り合わせ工程は、減圧状態で行うことに限るものではなく、例えば第１の貼り合わせ工程を大気圧に設定された不活性ガス中で行った場合には、支持基板１０４と封止材１０６との間に酸素や水などが入り込んで自発光素子１０３の発光性能を低下させることを防止することができる。

この他、例えば第１の貼り合わせ工程を陰圧状態に設定された不活性ガス中で行った場合には、封止材１０６と支持基板１０４との間に酸素や水などを含む気泡の発生を防止することができ、気泡に含まれる酸素や水などによって自発光素子１０３の発光性能が劣化することを防止することができる。

自発光パネル１００の製造は、一貫して同一の作業空間内で行ってもよいし、工程毎に作業空間を異ならせてもよいが、作業空間を異ならせるために搬送することによって異物混入などが懸念されることから、第１および第２の貼り合わせ工程までは同一の作業空間で行い、一体化工程を別の作業空間で行うことが好ましい。自発光パネル１００の製造に際しては、例えば、不活性ガスで満たされた大気圧下の室内で封止材１０６を支持基板１０４へ貼り合わせた後に、作業空間内を加圧して密着を強化するなどのように、同一の作業空間内の圧力を変えるようにしてもよい。

なお、本実施例では、自発光素子１０３が設けられた支持基板１０４に封止材を貼り合わせ、その後封止基材１０５を貼り合わせるようにしたが、自発光パネル１００の製造方法はこの工程順序に限るものではなく、封止材１０６を封止基材１０５に貼り合わせた後に自発光素子１０３が設けられた支持基板１０４を貼り合わせるようにしてもよい。この場合、封止基材１０５と支持基板１０４とを減圧状態で貼り合わせることにより、上述と同様の効果を得ることができる。

（具体例）
以下に、この発明の具体例としての自発光パネル１００の製造方法について説明する。なお、この発明の具体例にかかる自発光パネル１００は上述した図１に示す自発光パネル１００と同様の構造であるため図示を省略する。

（具体例１）
本発明の具体例１においては、支持基板１０４としてガラス基板を用いた。以降、このガラス基板には符号１０４付して説明する。本具体例１における自発光パネル１００の製造に際しては、まず、前処理工程を行う。前処理工程では、ガラス基板１０４上に透明かつ導電性を有するインジウム錫酸化膜（ＩＴＯ）をスパッタ法を用いて成膜する。つづいて、成膜したＩＴＯに対し、フォトリソ法を用いてパターニングを施す。また、ポジ型のポリイミドを用いて、ＩＴＯ上に発光領域を予めパターニングする。一方、ネガ型のレジストを用いて、絶縁膜上にスピンコート法を用いて成膜、パターニングし、リブを設ける。ついで、ＩＴＯ付きガラス基板をＵＶオゾン洗浄する。これによって、ガラス基板１０４上に電極（陽極）１０１ａが形成される。

つづいて、成膜工程を行う。成膜工程では、まず、１０^-4Ｐａまで真空排気した真空成膜装置内に上述の前処理工程後のガラス基板１０４を搬入する。このガラス基板１０４に対して、正孔注入層としてＣｕＰｃを５０ｎｍの厚さで積層し、正孔輸送層としてＮＰＤを５０ｎｍの厚さで積層し、さらに、白色有機ＥＬ層として青色発光層とオレンジ色発光層とを積層させた。

白色有機ＥＬ層の積層に際しては、まず、青色発光層を積層する。本具体例においては、ホスト材としてのＤＰＶＢｉに対して、ドーパントとしてのＢＣｚＶＢｉを１重量％混合した青色発光層を共蒸着によって５０ｎｍの厚さに成膜した。また、本具体例においては、ホスト材としてのＡｌｑ₃ に対して、ドーパントとしてのＤＣＭを１重量％混合したオレンジ色発光層を共蒸着によって５０ｎｍの厚さに成膜した。

さらに、成膜工程では、白色有機ＥＬ層の上側に、電子輸送層としてＡｌｑ₃ を２０ｎｍの厚さで積層し、陰極としてＡｌを１５０ｎｍの厚さで蒸着によって積層した。これによって、電極（陽極）１０１ａ上に発光層１０３である有機ＥＬ層は形成される。

成膜工程を経たガラス基板１０４を、真空とされたチャンバーから真空とされた封止室へ搬送する。なお、封止室を含む、自発光パネル１００の製造に際して用いる各装置については公知の技術であるため、ここでは図示および説明を省略する。

また、ガラス基板１０４を封止室内に搬送するまでに、該封止室内には、封止材１０６と封止基材１０５とを搬入しておく。本具体例においては、封止材１０６としてエポキシ樹脂によって形成された３５μｍ厚のフィルムを用い、封止基材１０５として０．７ｍｍの厚さのガラス基板（封止用ガラス基板）を用いた。以降、封止用ガラス基板には符号１０５を付して説明する。

そして、封止用ガラス基板１０５に対して、密着面に気泡が混入しないように封止材１０６としてのフィルムをラミネ−タを用いて貼り合わせる。以降、フィルムには符号１０６を付して説明する。なお、封止用ガラス基板１０５と封止材１０６との貼り合わせは、ラミネ−タのロール温度を９０℃に設定して行った。フィルム１０６と封止用ガラス基板１０５とを貼り合わせた後は、基板温度が４０℃になるように基板ステージ温度を設定して封止室内のＮ₂ ガスを排気し、１０^-2Ｐａまで減圧する。なお、減圧を終えた段階では、フィルム１０６と封止用ガラス基板１０５との密着面内には気泡がないことを目視にて確認した。

減圧状態でフィルム１０６と成膜面とが対向するように封止用ガラス基板１０５と成膜工程を経たガラス基板１０４と重ね合わせ一体化させる。なお、一体化に際しては、専用の貼り合わせ装置を用いた。この貼り合わせ装置は公知の各種貼り合わせ装置を使用することが可能であり、本具体例１においては説明を省略する。

一体化させた後、真空から１０Ｐａまで圧力を上げて更に９０℃まで昇温し、陰圧状態で両基板のみを加圧する。該加圧を終えた段階で、封止用ガラス基板１０５と成膜工程を経たガラス基板１０４との密着面内には気泡がないことを目視にて確認した。

次に、一体化させた有機ＥＬ表示装置を、ホットプレートが設置される加熱用チャンバーへ搬送する。搬送後、加熱用チャンバー内を排気し１０^-4Ｐａの真空状態まで減圧する。真空状態に到達したら、１００℃に安定させたホットプレートへ封止用ガラス基板１０５を接触させフィルム１０６を加熱し、十分にフィルム１０６の脱気および硬化を行う。フィルム１０６の脱気および硬化が完了したら、ホットプレートから自発光パネル１００を脱離させる。この自発光パネル１００を十分に冷却し、その後、自発光パネル１００を加熱用チャンバーから封止室へ搬送する。そして、封止室において封止不良がないことを確認した自発光パネル１００を大気中へ取り出した。

本具体例１においては、上述のように製造することにより、気泡の発生がなく発光性能の良好な自発光パネル１００を得ることができた。

（具体例２）
本具体例２においてはアクティブパネルのうちのボトムエミッション構造を有する自発光パネル１００について説明する。なお、上述した具体例１と同一部分については説明を省略する。以下の具体例についても同様とする。

本発明の具体例２においては、まず、ガラス基板１０４上に固相成長法により多結晶シリコン薄膜を形成し、この多結晶シリコン薄膜を島状に加工して、シリコン活性層を形成した。このシリコン活性層の上に、ＳｉＯ₂ によって形成されるゲート絶縁膜と、Ａｌによって形成されるゲート電極とを形成した。次に、シリコン活性層に不純物をドープしてソース領域、チャンネル形成領域、ドレイン領域を形成した。これらの上全面にＳｉＯ₂ の層間絶縁膜を形成した。そして、層間絶縁膜に有機ＥＬ発光の開口部となる部分をエッチング処理にて開口し、ＩＴＯの画素電極（下部電極）をスパッタ法にて成膜した。

次に、窒化チタン膜を１００ｎｍの厚さに成膜した。これをエッチング処理して、ソース領域とドレイン領域とのＩＴＯに接続する部分に、窒化チタン膜よりなるバリアメタルと密着用金属とを同時に形成した。つづいて、Ａｌ膜を６００ｎｍの厚さに成膜し、このＡｌ膜に対してエッチング処理を施して、ソース電極およびドレイン電極のＡｌ配線を形成した。その後、ＴＦＴを被覆するようにＳｉＯ₂ の保護膜を形成した。以降、具体例１と同様の製造プロセスにより、ガラス基板１０４上の電極１０１ａ上面に有機ＥＬ素子を形成し、封止を行った。

本具体例２においては、上述のように製造することにより、気泡の発生がなく発光性能の良好な自発光パネル１００を得ることができた。

（具体例３）
本具体例３においてはアクティブパネルのうちのトップエミッション構造を有する自発光パネル１００について説明する。

本発明の具体例３においては、層間絶縁膜上にＣｒによって形成される反射層とＩＴＯによって形成される陽極（画素電極）としての電極１０１ａとを積層させたこと、および、陰極としての電極１０１ｂはＡｌ膜厚を２ｎｍとしスパッタ法によりＩＺＯを積層した以外は、具体例２と同様に行った。

本具体例３においては、上述のように製造することにより、気泡の発生がなく発光性能の良好な自発光パネルを得ることができた。

（具体例４）
本具体例４においては、特定の時間、大気圧もしくは陰圧状態で加熱することで脱気し、さらに加熱温度を上げ、かつ真空状態にすることで完全に脱気し、かつ、硬化した。具体的に、本具体例４においては、成膜工程を経たガラス基板１０４と封止用ガラス基板１０５とを一体化させる工程までは、上述した具体例２と同様の方法で行い、一体化させたガラス基板１０４と封止用ガラス基板１０５とを加熱用チャンバーへ搬送し、チャンバーの雰囲気を不活性ガスで満たしかつチャンバー内圧を約１０Ｐａまで排気した後、９０℃で安定化させたホットプレートに封止用ガラス基板１０５を面接触させることでフィルム１０６を加熱した。

つづいて、ホットプレートの温度を１２０℃まで徐々に昇温させながら、チャンバー内の不活性ガスを排気し、内圧が１０^-4Ｐａとなるまで減圧した。１０^-4Ｐａの真空状態に到達し十分経過した後、ホットプレートから自発光パネル１００を脱離させ、十分冷却した後に封止室へ搬送した。封止室で封止不良がないことを確認した後、この自発光パネル１００を大気中へ取り出した。

本具体例４においては、上述のように製造することにより、気泡の発生がなく発光性能の良好な自発光パネル１００を得ることができた。

この発明の実施の形態にかかる自発光パネルの構成の一例を示す側面図である。 この発明の実施の形態にかかる第１の貼り合わせ工程を示す側面図である。 この発明の実施の形態にかかる第２の貼り合わせ工程を示す側面図である。 この発明の実施の形態にかかる一体化工程を示す側面図である。 この発明の実施例にかかる自発光素子形成工程を示す側面図である。 この発明の実施例にかかる第１の貼り合わせ工程を示す側面図である。 この発明の実施例にかかる第２の貼り合わせ工程を示す側面図である。 この発明の実施例にかかる一体化工程を示す側面図である。 本実施例の自発光パネルの製造方法が採りうる複数の工程を示す工程図である。 支持基板に対して封止基材を傾けた状態で貼り合わせる際の側面図である。 支持基板に対して封止基材を貼り合わせた状態を示す側面図である。 支持基板に対して封止基材を貼り合わせた他の状態を示す側面図である。 特定成分ガス量の経時変化を示す図表である。

符号の説明

１００ 自発光パネル
１０１ 一対の電極
１０２ 発光層
１０３ 自発光素子
１０４ 支持基板
１０５ 封止基材
１０６ 封止材

Claims (12)

1. 支持基板と、支持基板上に形成した対向する一対の電極と当該一対の電極間に挟持された発光層とを備える自発光素子と、前記支持基板に対し前記自発光素子を介して対向する封止基材と、前記支持基板と前記封止基材との間に設けられ、前記自発光素子を封止する硬化型フィルム状封止材と、を備える自発光パネルの製造方法において、
   前記封止材と前記支持基板とを、前記自発光素子を封止するように加熱および加圧する第１の貼り合わせ工程と、
   前記第１の貼り合わせ工程において前記封止材が貼り合わせられた支持基板と前記封止基材とを、前記封止材を介して減圧状態で貼り合わせる第２の貼り合わせ工程と、
   前記第２の貼り合わせ工程において貼り合わせられた前記支持基板および前記封止基材を、前記封止材を介して一体化する一体化工程と、
   を含むことを特徴とする自発光パネルの製造方法。
2. 支持基板と、支持基板上に形成した対向する一対の電極と当該一対の電極間に挟持された発光層とを備える自発光素子と、前記支持基板に対し前記自発光素子を介して対向する封止基材と、前記支持基板と前記封止基材との間に設けられ、前記自発光素子を封止する硬化型フィルム状封止材と、を備える自発光パネルの製造方法において、
   前記封止材と前記封止基材とを加熱および加圧する第１の貼り合わせ工程と、
   前記第１の貼り合わせ工程において前記封止材が貼り合わせられた封止基材と前記支持基板とを、前記封止材を介して前記自発光素子を封止するように減圧状態で貼り合わせる第２の貼り合わせ工程と、
   前記第２の貼り合わせ工程において貼り合わせられた前記支持基板および前記封止基材を、前記封止材を介して一体化する一体化工程と、
   を含むことを特徴とする自発光パネルの製造方法。
3. 前記第２の貼り合わせ工程は、前記支持基板と前記封止基材とを密着する方向に加圧することを特徴とする請求項１または２に記載の自発光パネルの製造方法。
4. 前記第２の貼り合わせ工程は、互いに貼り合わせられる面が平行になりかつ対向するように前記支持基板と前記封止基材とを保持しつつ、互いに貼り合わせられる前記面が近付く方向に前記支持基板と前記封止基材とを貼り合わせることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の自発光パネルの製造方法。
5. 前記封止材は、加熱されることによって硬化する熱硬化型の樹脂によって形成されており、
   前記一体化工程は、減圧状態で行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の自発光パネルの製造方法。
6. 前記一体化工程は、前記封止材から排出される特定ガス成分が規定量以下となった以降は減圧状態から大気圧にすることを特徴とする請求項５に記載の自発光パネルの製造方法。
7. 前記封止材は、加熱されることによって硬化する熱硬化型の樹脂によって形成されており、
   前記一体化工程は、大気圧に設定された不活性ガス中で行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の自発光パネルの製造方法。
8. 前記封止材は、加熱されることによって硬化する熱硬化型の樹脂によって形成されており、
   前記一体化工程は、減圧状態に設定された不活性ガス中で行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の自発光パネルの製造方法。
9. 前記一体化工程は、前記支持基板と前記封止材とを密着する方向に加圧することを特徴とする請求項５〜８のいずれか一つに記載の自発光パネルの製造方法。
10. 前記第１の貼り合わせ工程が、減圧状態、大気圧に設定された不活性ガス中または減圧状態に設定された不活性ガス中で行うことを特徴とする請求項１〜９のいずれか一つに記載の自発光パネルの製造方法。
11. 前記自発光素子は、有機ＥＬ素子である請求項１〜１０のいずれか一つに記載の自発光パネルの製造方法。
12. 前記硬化型フィルム状封止材の主原料がエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一つに記載の自発光パネルの製造方法。

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