TWI423723B - 自發光面板之製造方法 - Google Patents
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Description
此發明係關於自發光面板的製造方法。
先前，有具備：具備相對的一對的電極和挾持於此電極間的發光層之自發光元件、和支撐自發光元件的支撐基板、和對於支撐基板而經由發光層而相對的封閉基材、和在設置於支撐基板與封閉基材之間而封閉自發光元件、同時填充於支撐基板與封閉基板之間的狀態，黏合支撐基板與封閉基板的封閉材料之，自發光面板。
作為如此的自發光面板的封閉，係例如有：使用薄片(薄膜)狀的封閉材料而封閉自發光元件的封閉方法。在該封閉方法，係在如封閉自發光元件般地，將薄片狀的封閉材料黏合於支撐基板後，黏合已被黏合封閉材料的支撐基板、和封閉基材而一體化。而且，作到黏合已被黏合封閉材料的封閉基材與支撐基板亦佳。
於自發光元件的封閉藉由使用薄片(薄膜)狀的封閉材料，比起使用液體狀的樹脂而封閉發光層的封閉法(例如，參照專利文獻1。)的情況，可更簡略化工程。在使用了此薄片(薄膜)狀的封閉材料的封閉法，係例如：使用藉由熱硬化型樹脂而形成的封閉材料，藉由加熱此封閉材料，將自發光元件和封閉基材經由封閉材料而一體化。
[專利文獻1]日本特開2002－216950號公報
然而，在使用薄片(薄膜)狀的封閉材料而封閉自發光元件的情況，作為一例舉出：因為封閉材料為稱為薄片狀或薄膜狀之保持一定的形狀的固體，所以若於封閉材料或支撐基板的黏合面有凹凸，則被黏合的封閉材料與支撐基板之間產生氣泡的問題。
另外，作為一例舉出：在一體化之際，若為了硬化封閉材料而加熱，則將混合於形成封閉材料的材料中的溶媒或水或是反應產生氣體等氣化，在封閉材料、和支撐基板或自發光元件之間產生氣泡的問題。在將封閉材料黏至封閉基材的情況亦相同，產生於封閉材料與支撐基板之間留有氣泡的問題。而且，上述的氣化了的溶媒、水、反應產生氣體等為有成為自發光元件的劣化因子等之虞。
另外，作為一例而舉出：若如此的氣泡產生於封閉材料與自發光元件之間，則包含氣泡的溶媒或水分對發光層帶來不良的影響，使自發光面板的發光性能下降的問題。上述各種的問題，係在將封閉材料黏至封閉基材的情況亦同樣的產生。
關於申請專利範圍第1項的發明之自發光面板的製造方法，係具備：支撐基板、和具備形成於支撐基板上的相對的一對電極與被挾持於該一對電極間的發光層之自發光元件、和對於前述支撐基板而經由前述自發光元件而相對之封閉基材、和設置於前述支撐基板與前述封閉基材之間，封閉前述自發光元件的封閉材料之自發光面板的製造方法；以包含：將前述封閉材料與前述支撐基板，封閉前述自發光元件般地黏合之第1黏合工程、和於前述第1黏合工程，將已被黏合前述封閉材料的支撐基板與前述封閉基材，經由前述封閉材料而在減壓狀態黏合之第2黏合工程、和於前述第2黏合工程，將已被黏合的前述支撐基板及前述封閉基材，經由前述封閉材料而一體化之一體化工程，作為特徵。
關於申請專利範圍第2項的發明之自發光面板的製造方法，係具備：支撐基板、和具備形成於支撐基板上的相對的一對電極與被挾持於該一對電極間的發光層之自發光元件、和對於前述支撐基板，經由前述自發光元件而相對之封閉基材、和設置於前述支撐基板與前述封閉基材之間，封閉前述自發光元件的封閉材料之自發光面板的製造方法；以包含：黏合前述封閉材料與前述封閉基材之第1黏合工程、和於前述第1黏合工程，將已被黏合前述封閉材料的封閉基材與前述支撐基板，經由前述封閉材料，封閉前述自發光元件般的在減壓狀態黏合之第2黏合工程、和於前述第2黏合工程已被黏合的前述支撐基板及前述封閉基材，經由前述封閉材料而一體化之一體化工程，作為特徵。
參照以下添附的圖面，詳細的說明關於此發明的自發光面板的製造方法的合適的實施形態。
首先，說明關於有關此發明的實施形態之自發光面板的構成。第1圖為表示關於有關此發明的實施形態之自發光面板的構成之一例的側面圖。如第1圖所示的，自發光面板100係具有：具備一對電極101(101a、101b)和發光層102的自發光元件103、和支撐基板104、和封閉基材105、封閉材料106。
自發光元件103係藉由相對的一對電極101、和挾持於一對電極101間的發光層102而構成。一對電極101及發光層102係設置於支撐基板104上。一對電極101係如沿著支撐基板104的厚度方向而相對般的設置。因此，一對電極101及發光層102係沿著支撐基板104的厚度方向而層積的狀態，藉由支撐基板104而被支撐。封閉基材105係相對於支撐基板104的自發光元件103側而配置。
封閉材料106係設置於支撐基板104與封閉基材105之間，封閉自發光元件103。例如：在作為自發光元件103而使用了有機EL(電激發光)元件的情況，為了從包含於大氣中的氧或水分保護自發光元件103，有將此自發光元件103對於外氣封閉的必要。於本實施形態，係使用封閉基材105及封閉材料106，以經過全面而黏合而封閉自發光元件103。
藉由使用固體的封閉材料，比起使用液體(難以保持形狀之物)而封閉自發光元件103的封閉法，可簡易化工程。本實施形態的封閉材料106係成形至薄片(薄膜)狀。
接著，說明關於有關此發明的實施形態之自發光面板100的製造方法。省略圖示，但在自發光面板100的製造時，首先，於支撐基板104上，形成一對電極101之中的一方的電極101a。於此電極101a之上形成發光層102，於發光層102之上形成一對電極101之中的另一方的電極101b，形成自發光元件103。
第2－1圖為表示關於有關此發明的實施形態之第1黏合工程的側面圖。如第2－1圖所示的，對於形成自發光元件103的支撐基板104，從自發光元件103的上面，覆蓋此自發光元件103般的使用貼合機(laminator)等而黏合封閉材料106。
第2－2圖為表示關於此發明的實施形態之第2黏合工程的側面圖。如第2－2圖所示的，在第2黏合工程，將於第1黏合工程黏合了封閉材料106的支撐基板104與封閉基材105，經過封閉材料106而在減壓狀態黏合。在此第2黏合工程，係將支撐基板104與封閉基材105加壓於緊貼方向。另外，在第2黏合工程，係被相互黏合的面201、202成為平行，而且如相對般的保持支撐基板104與封閉基材105。然後，相對面201、202為於接近的方向黏合支撐基板104與封閉基材105。
第2－3圖為表示關於此發明的實施形態之一體化工程的側面圖。如第2－3圖所示的，在第2黏合工程黏合了的支撐基板104與封閉基材105，經過封閉材料106而一體化。此一體化工程係在減壓狀態進行。在此所謂減壓狀態，為包含真空狀態的10~10－ 6
Pa的範圍之氣壓狀態。通常，約10~10－ 2
Pa的範圍的氣壓狀態稱為負壓狀態，約10－ 2
~10－ 6
Pa的範圍的氣壓狀態稱為真空狀態。另外，從封閉材料106排出的特定氣體成分成為規定量以下之後，亦可從減壓狀態變為大氣壓。此一體化工程，係在減壓狀態、設定於大氣壓的惰性氣體中、或是，設定於減壓狀態的惰性氣體中的任一個，或是依序組合的環境下進行。而且，於一體化工程，係加壓支撐基板104與封閉基材105於緊貼方向亦佳。
如此，如藉由上述的製造方法，則在第2黏合工程，將被黏合了封閉材料106的支撐基板104與封閉基材105，經過封閉材料106而在真空中黏合，可實現工程的簡易化。另外，可防止於封閉材料106與封閉基材105之間氣泡的產生。由此，可防止因封閉材料106與封閉基材105之黏著面積的下降之黏著不良、或光傳達效率的下降。
另外，如藉由上述的製造方法，於第2黏合工程，在加壓於支撐基板104與封閉基材105於緊貼的方向的情況，係可使支撐基板104與封閉基材105經由封閉材料106而更良好的緊貼。另外，於第2黏合工程，在相互被黏合的面201、202成為平行，而且如相對的一邊保持支撐基板104與封閉基材105、一邊於相對面201、202靠近的方向，黏合支撐基板104與封閉基材105的情況，係在黏合的途中不讓封閉材料106產生歪斜。由此，防止由封閉材料106歪斜而於封閉材料106的表面產生凹凸，可更確實的防止於封閉材料106與封閉基材105之間的氣泡的產生。
特別是，在製造大型的自發光面板100的情況，以使封閉基材105彎曲的方法，係因為封閉基材105成為大型，所以大規模的黏合用的裝置成為必要，但如藉由如上述的平行的黏合支撐基板104與封閉基材105的製造方法，因為可不使封閉基材105撓曲而黏合支撐基板104與封閉基材105，所以如此的大規模的黏合用的裝置成為不必要。
在使封閉基材105撓曲而黏合的方法，在大型化自發光面板100的情況，使封閉基材105撓曲之情事自身有使封閉基材105破損之虞，但如藉由上述的製造方法，因為不使封閉基材105撓曲而可進行，例如即使為如大型電視等的大型的自發光面板100，亦可更確實的防止於封閉材料106與封閉基材105之間的氣泡發生。而且，作為關於黏合的方法，不限於平行的黏合支撐基板104與封閉基材105的製造方法，亦包含使封閉基材105撓曲而製造自發光面板100的方法，可使用一般周知的各種技術。
如以上說明的，如藉由本實施形態之自發光面板100的製造方法，在將一體化工程在減壓狀態進行的情況，係因為可在熱硬化時，將從形成封閉材料106的樹脂中產生的特定氣體成分，從封閉材料106與支撐基板104或與封閉基材105之間向外抽出，所以可更確實的防止於封閉材料106與支撐基板104或封閉基材105之間的氣泡產生。
而且，於一體化工程，從封閉材料106排出的特定氣體成分成為規定量以下之後，在從減壓狀態變為大氣壓的情況，係成為可對於封閉材料106而良好的傳達熱。亦即，在減壓狀態係必須使支撐基板104或封閉基材105直接接觸熱源，但藉由作為大氣壓而以加熱自發光面板100周圍的氣體(空氣或惰性氣體)而可加熱封閉材料106，可效率佳的進行加熱。而且，防止為了加熱而過度消耗能量，成為可抑制製造成本上昇。
於本實施的形態，作到如將上述的一體化工程在減壓狀態進行，但不限於此。例如：在設定於大氣壓的惰性氣體中進行一體化工程的情況，係可防止在自發光元件103完全的封閉前，氧或水等進入而使自發光元件103的發光性能下降。另外，於本實施的形態，作到一體化工程在減壓狀態進行，但不限於此，例如：在設定於負壓狀態的惰性氣體中進行一體化工程的情況，係因為可在熱硬化時，將從形成封閉材料106的樹脂中產生的特定氣體成分，從封閉材料106與支撐基板104或與封閉基材105之間向外抽出，所以可更確實的防止於封閉材料106與支撐基板104或封閉基材105之間的氣泡產生。
而且，本發明，係不限於如上述的，作為黏合薄片狀的封閉材料106於支撐基板104之後黏合封閉基材105的工程。首先，黏合薄片狀的封閉材料106於封閉基材105亦佳。也就是，以包含：於封閉基材105黏合薄片狀的封閉材料106之第1黏合工程、和將被黏合封閉材料106的支撐基板105、與支撐基板104，經由封閉材料106而在減壓狀態黏合的第2黏合工程、和將已被黏合的支撐基板104及封閉基材105，經由封閉材料106而一體化之一體化工程，作為特徵之製造方法而製造自發光面板100亦佳。
如此，藉由於第1黏合工程於封閉基材黏合薄片狀的封閉材料，於第2黏合工程，將此封閉基材與支撐基板經由封閉材料而在減壓狀態黏合，一邊實現由使用固體的封閉材料之工程的簡易化、一邊可防止於封閉材料106與支撐基板及自發光元件103之間的氣泡產生。由此，可防止因封閉材料106與支撐基板及自發光元件103之黏著面積的下降之黏著不良、或光傳達效率的下降。
如以上說明的，如藉由本發明的實施形態的自發光面板100的製造方法，則藉由將容易產生氣泡的第2黏合工程在減壓狀態進行，可實現由使用固體的封閉材料之工程的簡易化。另外，可防止於自發光元件103的間氣泡的產生。然後，可防止因對於封閉材料106的各構件之黏著不良、或氣泡的存在之光傳達效率的下降。
接著，說明關於有關此發明的實施例之自發光面板的構成。而且，關於此發明的實施例的自發光面板的外觀構成係因為與表示於上述的第1圖的自發光面板相同，所以在此省略圖示，使用隨著第1圖的符號而說明。
首先，說明關於在本實施例的自發光面板100具有的自發光元件103。於本實施例的自發光面板100具有的自發光元件103係例如可舉出：藉由加上依施加電壓而產生的電場能量，將加上的電場能量以光的形態放出之EL(Electro Luminescence電激發光)元件等。於EL元件，係有無機EL元件和有機EL元件，但在本實施例，係表示以有機EL元件作為自發光元件103的例子。
有機EL元件，亦有被稱為有機EL(OEL)裝置、有機發光二極體(OLED)裝置、電場發光光源，但在本實施例係以有機EL元件而說明。於有機EL元件，係有使用高分子材料而形成、和使用低分子材料而形成。以後，在本實施例，係作為一例，說明關於以使用低分子材料而形成的有機EL元件作為自發光元件103而使用之例。於本實施例係藉由一對電極101及一對電極101間的發光層102而構成的元件構造作為「有機EL元件」。
一般而言，有機EL元件，係有於Anode(陽極、電洞注入電極)和Cathode(陰極、電子注入電極)之間挾入有機層的構造。在此，所謂有機層係包含發光層。在有機EL元件，係藉由於兩電極施加電壓，使從陽極被注入、輸送於有機層內的電洞、和由陰極注入、輸送於有機層內的電子，在有機層內(發光層)再結合，得到在此再結合時產生的光。現在係從材料開發及製造程序的開發進展等的背景，於有機層使用低分子材料為作為全彩顯示器而製品化，但於本實施例係不問低分子、高分子。
有機EL元件，為複數層積具有各種機能的層之構造。作為於有機EL元件的各層的層積構造，一般為「下部電極(陽極)/電洞注入層/電洞輸送層/有機EL發光層/電子輸送層/電子注入層/上部電極(陰極)」的順序層積之構造。而且於本實施例係藉由電極101a而實現下部電極，藉由電極101b而實現上部電極。
於有機EL元件的各層係都以單一的有機材料形成亦佳、藉由混合複數的材料而形成亦佳(混合層)、於高分子結合劑(binder)中使有機系或無機系的機能材料分散亦佳。而且，作為機能材料，可舉出電荷輸送機能、發光機能、電荷阻擋(blocking)機能、光學機能等。
於有機EL元件的各層，係包含：具有用以如在藉由濺鍍法而於發光層102的上側形成電極101b時，發光層102不受損傷的緩衝機能、或用以防止藉由發光層102的成膜程序而產生的發光層102表面的凹凸之平坦化機能之層或保護有機EL元件，例如：SiN或SiON的無機膜等的保護層、及由這些所構成的複數之層亦佳。
另外，有機EL元件，亦有將位於發光層102的上側的電極作為陽極，位於發光層102的下側的電極作為陰極、或由複數的層而構成發光層102者、使發光色相異的複數的發光層102層積(SOLED：Stacked OLED堆疊有機發光二極體)、於陰極與陽極之間使無圖示的電荷發生層存在(多光子(Multiphoton)元件)、省略電洞輸送層等的層者或複數層積者、僅有機層1層的元件構成(使各機能層連續性的形成，變為沒有層邊界者)等。而且，本發明係不限定有機EL元件的構成。
接著，說明關於封閉基材105。封閉基材105係相對於支撐基板104的發光層102側而配置。作為形成封閉基材105的材料，係可使用：蘇打玻璃(soda glass)、鉛玻璃、硬質玻璃等的玻璃基材、聚乙烯、聚丙烯、聚乙烯對苯二甲酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯等的塑膠基材、鋁、不銹鋼等的金屬基材等的各種的材料。形成封閉基材105的材料，係可按照自發光元件103的構成而適宜選擇合適的材料。
例如：自發光元件103為，在與支撐基板104側相反側取出光的頂部發光(Top Emission)構造的有機EL元件的情況，或是，從支撐基板104與該相反側的兩側取出光的TOLED構造之有機EL元件的情況，係作為形成封閉基材105的材料而使用透明性高的材料，作為該封閉基材的厚度而為具有高透過率的厚度為合適。對於此，例如：自發光元件103為在從支撐基板104側取出光的底部發光(Bottom Emission)構造的有機EL元件的情況，使用缺乏透明性的金屬基材等作為形成封閉基材105的材料也沒關係。
接著，說明關於封閉材料106。封閉材料106係設置於支撐基板104與封閉基材105之間。封閉材料106係藉由成形樹脂至薄片(薄膜)狀而形成。封閉材料106係於表面無凹凸(或是少)、平坦性優良為合適。藉由使用平坦性優良的封閉材料，而將封閉材料106黏合於支撐基板104或封閉基材105時，在對於支撐基板104或封閉基材105而緊貼的緊貼面，可防止在支撐基板104或封閉基材105與封閉材料106之間混入氣泡。
封閉材料106的厚度係為如殘存應力變為極小般的設定為合適。例如：於封閉材料106形成時若內部應力大多殘留，則伴隨歷時而某一部分時而伸長時而收縮。在使用如此的封閉材料106的情況，擔心有時封閉材料106對自發光元件(有機EL元件)103帶來應力，由伴隨歷時之封閉材料106的變化而於自發光面板100的各層的層積狀態崩塌、有時對於支撐基板104或封閉基材105的封閉材料106的緊貼性下降而產生封閉不良之各種的問題產生。亦即，將封閉材料106的厚度，藉由設定為如殘存應力變為極小般的厚度，可避免如此的問題。而且，決定該封閉材料的厚度之其他主要原因，例如亦可設定為如極力降低該封閉材料中殘存的水分量的厚度。
作為形成封閉材料106的樹脂，例如可舉出：聚酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、環氧丙烯酸酯、氨基甲酸乙酯丙烯酸酯等的各種以丙烯酸酯作為主成分之光自由基聚合性樹脂、或環氧樹脂、乙烯基醚等的樹脂作為主成分之光陽離子聚合性樹脂、硫醇烯附加型樹脂等的光硬化性樹脂、聚乙烯、聚丙烯、聚乙烯對苯二甲酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚醚碸(Polyethersulfone)、芳香族聚酯、聚碳酸酯、氨基甲酸乙酯、丙烯酸樹脂、聚丙烯腈、聚乙烯縮醛(Polyvinyl acetal)、聚醯胺、聚亞醯胺、二丙烯基對苯二酸鹽(diacryl phthalate)、纖維素系塑膠、聚醋酸乙烯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯等、或這些的2個或3個以上的共聚合物等的熱可塑性樹脂、或熱硬化型樹脂等。
形成封閉材料106的樹脂，係如為在自發光面板100的製作途中，不產生成為劣化原因的氣體(或產生量少)、或幾乎沒有因周圍的溫度或歷時性的變形、收縮、膨脹等的變化，則不特別限定。然而，從向支撐基板104及封閉基材105的的緊貼性及黏著性良好之點，作為形成封閉材料106的樹脂，係由加熱而硬化之熱硬化型的樹脂為合適。以下，於本實施例，說明關於在使用藉由加熱而硬化的熱硬化型的樹脂而形成的封閉材料106之情況。
接著，說明關於有關此發明的實施例之自發光面板100的製造方法之一例。第3－1圖為表示關於此發明的實施例之自發光元件形成工程的側面圖。在自發光面板100的製造時，首先，進行於支撐基板104上形成自發光元件103的自發光元件形成工程。在自發光元件形成工程，係首先於支撐基板104形成電極101a，於其上依序層積發光層102、電極101b。關於向支撐基板104上的自發光元件103的形成係因為是一般周知的技術，所以在此省略說明。
第3－2圖為表示關於有關此發明的實施例之第1黏合工程的側面圖。接著，對於形成自發光元件103的支撐基板104，進行將薄片狀的封閉材料106如封閉自發光元件103般的黏合之第1黏合工程。於支撐基板104黏合封閉材料106的面，為形成自發光元件103之面。第1黏合工程，係在減壓狀態、設定於大氣壓的惰性氣體中、或是，設定於減壓狀態的惰性氣體中的任一個狀態下進行。在本實施例係作為在減壓狀態進行。
支撐基板104與封閉材料106的黏合，例如：藉由重疊支撐基板104與封閉材料106，對於重疊的支撐基板104與封閉材料106而從寬方向的中央部向周邊部而施加壓力而進行。此時，加上加壓，作到加熱已重疊的支撐基板104與封閉材料106亦佳。第1黏合工程，例如可使用開示於日本特開2002－361742號公報的技術而進行，但如為可於支撐基板104與封閉材料106的緊貼面防止氣泡或異物的混入的方法，則不特別限定於此方法。
在第1黏合工程，係將支撐基板104與封閉材料106，各別加壓於緊貼方向。例如：在第1黏合工程，係使用相的一對滾筒301，使已重疊的支撐基板104與封閉材料106通過於此滾筒301之間，各別加壓支撐基板104與封閉材料106於緊貼方向。於本實施例的第1黏合工程，係將支撐基板104與封閉材料106的黏合，在減壓狀態、設定於大氣壓的惰性氣體中、或是，設定於減壓狀態的惰性氣體中的任一個狀態下進行。
第3－3圖為表示關於有關此發明的實施例之第2黏合工程的側面圖。接著進行，將於第1黏合工程黏合了封閉材料106的支撐基板104、與封閉基材105，在減壓狀態黏合的第2黏合工程。在本實施例，係將第2黏合工程在減壓狀態進行。於此第2黏合工程，在相互被黏合的面201、202成為平行，而且如相對的一邊保持支撐基板104與封閉基材105、一邊於相對面201、202靠近的方向，黏合支撐基板104與封閉基材105。
於第2黏合工程的支撐基板104與封閉基材105的黏合，例如可使用開示於日本特開2002－216958號公報的技術而進行，但如為可於封閉材料106與封閉基材105的緊貼面防止氣泡或異物的混入的方法，則不特別限定於此方法。再加上，於第2黏合工程係加溫封閉材料106。在此加溫時的溫度，不是對於封閉材料106而使熱硬化反應產生的範圍之高的溫度，而如支撐基板104與封閉基材105主要是藉由封閉材料106而於外觀上成為一體化的程度，至使封閉材料106軟化的範圍之溫度而加溫封閉材料106為佳。
第3－4圖為表示關於此發明的實施例之一體化工程的側面圖。接著，進行在第2黏合工程黏合了的支撐基板104與封閉基材105，經過封閉材料106而一體化之一體化工程。
本實施例的封閉材料106係因為藉由熱硬化型的樹脂而形成，所以若於一體化工程加熱封閉材料106，則形成封閉材料106的樹脂產生熱硬化反應。於此熱硬化反應過程，形成封閉材料106的熱硬化型樹脂，因為一邊黏著於支撐基板104、自發光元件103及封閉基材105同時硬化，所以由此而設置了自發光元件103的支撐基板104與封閉基材105為經由封閉材料106而一體化。如此使封閉材料106硬化(在本實施例為熱硬化)，可失去(或降低)封閉材料106的歷時變化。於本實施例，在減壓狀態進行此一體化工程。
封閉材料106的加熱方法，係可舉出經由接觸於加熱板(hot plate)等的熱源之封閉基材105而加熱封閉材料106、以照射紅外線於封閉基材105而加溫封閉基材105而加熱封閉材料106、將進行一體化工程的室內，以加熱器等進行暖氣而加熱封閉材料106等。封閉材料106的加熱方法，係加熱封閉材料106而使其熱硬化反應，如能除去從形成封閉材料106的材料排出的殘留揮發成分，則不特別限定於上述的加熱方法，但從對封閉材料106於最接近能加熱之點，在上述的方法之中係接觸於加熱板等的熱源的方法為合適。
另外，於本實施例的一體化工程，從封閉材料106排出的特定氣體成分成為規定量以下之後係將氣氛以惰性氣體作為大氣壓。在此，所謂特定氣體成分，為於一體化工程，藉由加熱而在形成封閉材料106的樹脂進行熱硬化反應(交聯反應)時產生的氣體成分之中，按照形成封閉材料106的樹脂的種類而設定的特定分子量之氣體成分。在熱硬化型樹脂的熱硬化反應時產生的氣體成分，依形成封閉材料106的樹脂的種類而相異，但主要是，於該樹脂合成時使用之殘存溶媒或水分等氣化。作為在樹脂的熱硬化反應時產生的氣體成分之具體例，例如可舉出：丁酮、甲苯、水、樹脂或添加劑的分解物等。
而且，於一體化工程，係將支撐基板104與封閉基材105加壓於緊貼方向(參照第3－4圖)。此時，對於支撐基板104及封閉基材105的面方向，垂直的、經過支撐基板104及封閉基材105的面全體而均勻的加壓。加壓時間、壓力值等為藉由氣泡產生程度等而可適宜調整，不特別限定。
於本實施例作到將一體化工程在減壓狀態開始，但不限於此、在設定於大氣壓的惰性氣體中、或是，設定於減壓狀態的惰性氣體中進行亦佳。而且，例如：在將一體化工程在設定於大氣壓的惰性氣體中開始的情況，熱硬化溫度到達以後係作為減壓狀態亦佳。一方面，例如：在將一體化工程在設定於減壓狀態的惰性氣體中開始的情況，而且，在特定氣體成分成為規定量以下之後，作為真空狀態亦佳。作為負壓狀態或真空狀態的時脈(timing)或時間等，係藉由氣泡產生程度等而可適宜調整，不特別限定。
第4圖為表示本實施例之自發光面板100的製造方法可採用之複數的工程之工程圖。於本實施例的自發光面板之製造方法，可將第1黏合工程，在減壓狀態、設定於大氣壓的惰性氣體中、或是，設定於減壓狀態的惰性氣體中的任一個環境下進行。一方面，在本實施例的自發光面板100的製造方法，第2黏合工程在僅在減壓狀態進行。
於本實施例的自發光面板100之製造方法，可將一體化工程，在減壓狀態、設定於大氣壓的惰性氣體中、或是，設定於減壓狀態的惰性氣體中的任一個環境下進行。在減壓狀態進行一體化工程的情況，係可採：按照原樣到最後以減壓狀態進行處理之情況、和在途中作為設定於減壓狀態之惰性氣體氣氛的情況、或作為設定於大氣壓的惰性氣體氣氛的情況，之3種程序。一方面，在將一體化工程，在設定於大氣壓的惰性氣體中進行的情況，係可採用將減壓狀態設定於負壓狀態、或減壓至真空狀態的2種的程序。另外，在將一體化工程，在設定於減壓狀態的惰性氣體中進行的情況，之後可採用減壓至真空狀態、或作為設定於大氣壓的惰性氣體氣氛的的程序。
如此，如藉由本實施例的自發光面板100的製造方法，藉由第1黏合工程，將薄片狀的封閉材料106與支撐基板104，如封閉自發光元件103般的黏合，藉由第2黏合工程，將已黏合封閉材料106的支撐基板104與封閉基材105，經由封閉材料106而在減壓狀態黏合，藉由一體化工程，於第2黏合工程將已被黏合的支撐基板104及封閉基材105，經由封閉材料106而一體化。藉由使用如此的封閉法，一邊實現工程的簡易化、一邊可防止於封閉材料106與封閉基材105之間氣泡的產生。由此，可防止因封閉材料106與封閉基材105之黏著面積的下降之黏著不良、或光傳達效率的下降。
然後，於第2黏合工程，藉由將支撐基板104與封閉材料106加壓於緊貼方向，在黏合封閉材料106與封閉基材105之後於封閉材料106與封閉基材105之間產生氣泡的情況，亦可將該氣泡從封閉材料106與封閉基材105之間向外壓出。
第5－1圖為對於支撐基板而以傾斜封閉基材的狀態黏合時的側面圖，第5－2圖為表示黏合封閉基材105於支撐基板的狀態之側面圖。如第5－1圖所示的，在對於支撐基板104而作為傾斜封閉基材105的狀態而從端部徐徐進行黏合的情況，封閉材料106為一邊從一方側朝向他方側而按壓同時進行黏合。因此，如第5－2圖所示的，封閉材料106歪斜而於封閉材料106的表面產生凹凸，有產生氣泡501。
對於此，於本實施例的第2黏合工程，在相互被黏合的面201、202成為平行，而且如相對的一邊保持支撐基板104與封閉基材105、一邊於相對面201、202靠近的方向，黏合支撐基板104與封閉基材105。由此，因為不讓封閉材料106產生歪斜，防止於封閉材料106的表面產生凹凸，藉由在減壓狀態黏合而可更確實的防止於封閉材料106與封閉基材105之間的氣泡的產生。
第5－3圖為表示對於支撐基板而黏合封閉基材之其他狀態的側面圖。如第5－1圖所示的，作為對於支撐基板104而傾斜封閉基材105的狀態，從端部徐徐進行黏合，則如第5－3圖所示的，有封閉材料106的厚度為面板端部與中央部相異。若在一個自發光面板100而封閉材料106的厚度為依場所而相異，則發光性能為依場所而變為相異，進而成為自發光面板100的品質下降的原因。
對於此，於本實施例的第2黏合工程，係藉由在相互被黏合的面201、202成為平行，而且如相對的一邊保持支撐基板104與封閉基材105、一邊於相對面201、202靠近的方向，黏合支撐基板104與封閉基材105，可將封閉材料106的厚度經過自發光面板100全體而作為均勻。
因為對於支撐基板104而從端部徐徐的黏合封閉基材105，有一邊使封閉基材105撓曲同時進行的方法，但因為使用此方法而製造大型的自發光面板100，擔心用以使已大型化的封閉基材105撓曲之大規模的黏合用的裝置成為必要、為了使大型化的封閉基材105撓曲而毀損封閉基材105等。
對於此，本實施例的製造方法，係因為不讓封閉基材105產生撓曲而可黏合支撐基板104與封閉基材105，例如在製造大型電視機等的大型的自發光面板100之情況，亦可不需要用以使尺寸大的封閉基材105撓曲之大規模的黏合用的裝置。另外，不擔心因使尺寸大的封閉基材105撓曲之封閉基材105的毀損，可製造品質良好的自發光面板100。
也就是，如藉由本實施例的自發光面板100的製造方法，則不被製造的自發光面板100的尺寸支配，防止於封閉材料106與封閉基材105之間的氣泡產生，可得品質良好的自發光面板100。而且，作為製造方法，不限於平行的黏合支撐基板104與封閉基材105的製造方法，亦包含使封閉基材105撓曲而製造自發光面板100的方法，可使用一般周知的各種技術。
於本實施例，使用藉由熱硬化型的樹脂而形成的封閉材料106、同時於一體化工程係在減壓狀態加熱封閉材料106。由此，因為可在熱硬化時，將從形成封閉材料106的樹脂中產生的特定氣體成分，從封閉材料106與支撐基板104或與封閉基材105之間向外抽出，所以可更確實的防止於封閉材料106與支撐基板104或與封閉基材105之間的氣泡產生。
然後，在此一體化工程時，從封閉材料106排出的特定氣體成分成為規定量以下之後係藉由作為大氣壓，可對於封閉材料106良好的傳熱。亦即，在減壓狀態係必須讓支撐基板104或封閉基材105直接接觸熱源，但藉由作為大氣壓而經由自發光面板100周圍的氣體(空氣或惰性氣體)傳熱而可加熱封閉材料106，可效率佳的進行加熱。而且，防止為了加熱而過度消耗能量，可抑制製造成本的上昇。
第6圖為表示特定成分氣體量的歷時變化的圖表。表示在支撐基板104與封閉基材105的黏合後讓熱源接觸的情況，從封閉材料106排出的特定氣體量的歷時變化。在特定成分氣體量的歷時變化的測定時，首先，於設定至40℃的熱源，使在自發光面板100的支撐基板104接觸。接觸之後排出的氣體量定義為1.0、時間定義為0。於第6圖，表示從時間0將熱源的溫度上昇至封閉材料的硬化溫度100℃範圍，在保持於封閉材料的硬化溫度時，檢測的氣體量之歷時變化。如從第6圖判斷的，從封閉材料106排出的特定成分氣體量，過了為一定期間上昇峰值點的10分鐘後徐徐的下降，40分鐘以後係成為大致一定量。
如藉由本實施例的自發光面板100的製造方法，例如：以至特定成分氣體量成為峰值的10分鐘或是10~40分鐘之間係作為減壓狀態，藉由熱硬化反應而將從封閉材料106產生的特定氣體成分向外部排出、同時之後係藉由作為大氣壓而將從熱源的熱，有效率的傳導至自發光面板100全體，可使良好的熱硬化反應進行。
一體化工程，係不限於在減壓狀態進行，例如：使用藉由熱硬化型的樹脂而形成的封閉材料106、同時於一體化工程係藉由在設定於大氣壓的惰性氣體中加熱封閉材料106，可防止在自發光元件103完全的封閉前，氧或水等進入而使自發光元件103的發光性能下降。
同樣的，一體化工程係不限於在減壓狀態進行，例如：使用藉由熱硬化型的樹脂而形成的封閉材料106、同時於一體化工程係藉由在設定於減壓狀態的惰性氣體中加熱封閉材料106，因為可在熱硬化時，將從形成封閉材料106的樹脂中產生的特定氣體成分，從封閉材料106與支撐基板104或與封閉基材105之間向外抽出，所以可更確實的防止於封閉材料106與支撐基板104或與封閉基材105之間的氣泡產生。
另外，於一體化工程，藉由加壓支撐基板104與封閉基材105於緊貼方向，作為在熱硬化時從形成封閉材料106的樹脂中產生的特定的氣體成分，形成從封閉材料106與支撐基板104或與封閉基材105之間向外逃逸而通過的通路，於硬化途中的封閉材料106的情況，亦因為可押潰此通路，所以可防止留下特定氣體成分通過封閉材料106的通路(pass)。
加上，如藉由本實施例的自發光面板100的製造方法，藉由第1黏合工程在減壓狀態進行，可防止於支撐基板104與封閉材料106之間氣泡產生。第1黏合工程，係不限於在減壓狀態進行，例如：在將第1黏合工程在設定於大氣壓的惰性氣體中進行的情況，係可防止在支撐基板104與封閉材料106之間，氧或水等進入而使自發光元件103的發光性能下降。
此外，例如：將第1黏合工程設定於負壓狀態的惰性氣體中進行的情況，係可於封閉材料106與支撐基板104之間防止含有氧或水等的氣泡產生，可防止因被氣泡包含的氧或水等而劣化自發光元件103的發光性能。
自發光面板100的製造，係一貫而在同一的作業空間內進行亦佳，在每個工程使作業空間相異亦佳，但因為擔心因為使作業空間相異而因搬運而混入異物等，所以至第1及第2黏合工程係在同一作業空間進行，將一體化工程在別的作業空間進行為理想。在自發光面板100的製造時，例如：在以惰性氣體充滿的大氣壓下的室內將封閉材料106向支撐基板104黏合後，如加壓作業空間內而強化緊貼等，作到改變同一作業空間內的壓力亦佳。
而且，在本實施例，於設置了自發光元件103的支撐基板104黏合封閉材料，之後作到黏合封閉基材105，但自發光面板100的製造方法係不限於此工程順序，將封閉材料106黏合於封閉基材105之後，黏合設置了自發光元件103的支撐基板104亦佳。此情況，藉由將封閉基材105與支撐基板104在減壓狀態黏合，可得與上述同樣的效果。
以下，說明關於作為此發明的具體例之自發光面板100的製造方法。而且，關於此發明的具體例的自發光面板100係因為與表示於上述的第1圖的自發光面板100同樣的構造，所以省略圖示。
於本發明的具體例，作為支撐基板104而使用玻璃基板。以後，於此玻璃基板係附上符號104而說明。在本具體例1的自發光面板100的製造時，首先，進行前處理工程。在前處理工程，係於玻璃基板104上使用濺鍍法而成膜透明而且具有導電性的銦錫氧化膜(ITO)。接著，對於已成膜的ITO，使用微影照像法而施以圖案化。另外，正型(positive type)的聚亞醯胺，於ITO上事先圖案化發光範圍。一方面，負型的光阻，於絕緣膜上使用旋轉塗布法而成膜、圖案化，設置凸緣(rib)。接著，UV臭氧洗淨附上ITO的玻璃基板。由此，於玻璃基板104上形成電極(陽極)101a。
接著，進行成膜工程。在成膜工程，首先，於真空排氣至10－ 4
Pa的真空成膜裝置內，搬入上述的前處理工程後的玻璃基板104。對於此玻璃基板104，將作為電洞注入層的CuPc以50nm的厚度層積、作為電洞輸送層的NPD以50nm的厚度層積，而且，作為白色有機EL層使藍色發光層和橙色發光層層積。
在白色有機EL層的層積時，首先，層積藍色發光層。於本具體例，對於作為主體(host)材料的DPVBi，藉由共蒸鍍1重量%混合作為摻雜物的BCzVBi之藍色發光層而成膜至50nm的厚度。另外，於本具體例，對於作為主體(host)材料的Alq3
，藉由共蒸鍍1重量%混合作為摻雜物的DCM之橙色發光層而成膜至50nm的厚度。
而且，在成膜工程，係於白色有機EL層的上側，將作為電子輸送層之Alq3
以20nm的厚度層積，作為陰極而將Al以150nm的厚度，藉由蒸鍍而層積。由此，於電極(陽極)101a上形成為發光層103的有機EL層。
將經過成膜工程的玻璃基板104，從被作為真空的室中向被作為真空的封閉室搬運。而且，包含封閉室，關於在自發光面板100的製造時使用的各裝置係因為是一般周知的技術，所以在此省略圖示及說明。
另外，至將玻璃基板104搬運至封閉室內，於該封閉室內，係先搬入封閉材料106與封閉基材105。於本具體例，係作為封閉材料106而使用藉由環氧樹脂而形成的35 μ m厚的薄膜，作為封閉基材105而使用0.7mm厚的玻璃基板(封閉用玻璃基板)。以後，於封閉用玻璃基板係附上符號105而說明。
然後，對於封閉用玻璃基材105，於緊貼面如不混入氣泡般的，將作為封閉材料106的薄膜，使用貼合機(laminator)而黏合。以後，於薄膜係附上符號106而說明。而且，封閉用玻璃基板105與封閉材料106的黏合，係將貼合機(laminator)的滾筒溫度設定於90℃而進行。黏合薄膜106與封閉用玻璃基板105之後，如基板溫度成為40℃般的設定基板載台溫度而排氣封閉室內的N2
氣體，減壓至10－ 2
Pa。而且，在結束減壓的階段，係於薄膜106與封閉用玻璃基板105的緊貼面內係以目視確認無氣泡。
在減壓狀態如薄膜106與成膜面相對般的封閉用玻璃基板105與經過成膜工程的玻璃基板104重合而一體化。而且，在一體化時，係使用了專用的黏合裝置。此黏合裝置係可使用一般周知的各種黏合裝置，於本具體例1係省略說明。
一體化後，從真空至10Pa提高壓力，而且昇溫度90℃，在負壓狀態僅加壓兩基板。，在結束該加壓的階段，係於封閉用玻璃基板105與經過了成膜工程的玻璃基板104的緊貼面內係以目視確認無氣泡。
接著，將一體化的有機EL顯示裝置，向設置了加熱板(hot plate)的加熱用室搬運。搬運後，排氣加熱用室而減壓至10－ 4
Pa的真空狀態。如到達真空狀態，使封閉用玻璃基板105向安定於100℃的加熱板接觸而加熱薄膜106，充分的進行薄膜106的脫氣及硬化。如薄膜106的脫氣及硬化結束，則從加熱板使自發光面板100脫離。充分冷卻此自發光面板100，之後，將自發光面板100從加熱用室向封閉室搬運。然後，於封閉室，將確認了無封閉不良的自發光面板100向大氣中取出。
於本具體例1，係藉由如上述般的製造，可得無氣泡產生而發光性能良好的自發光面板100。
於本具體例2係說明關於具有主動式面板之中的底部發光構造之自發光面板100。而且，關於與上述的具體例1同一部分係省略說明。關於以下的具體例亦作為相同。
於本發明的具體例2，首先，於玻璃基板104上藉由固相成長法而形成多結晶矽薄膜，加工此多結晶矽薄膜為島狀，形成矽活性層。於此矽活性層上，形成藉由SiO2
而形成的閘極絕緣膜、和藉由Al而形成的閘極電極。接著，於矽活性層形成摻雜不純物的源極範圍、隧道形成範圍、汲極範圍。於這些上全面的形成SiO2
的層間絕緣膜。然後，於層間絕緣膜以蝕刻處理開口成為有機EL發光的開口部，將ITO的畫素電極(下部電極)以濺鍍法成膜。
接著，成膜氮化鈦膜至100nm的厚度。蝕刻處理此，於源極範圍與汲極範圍的連接於ITO的部分，同時形成藉由氮化鈦膜所構成的阻擋金屬與緊貼用金屬。接著，成膜Al膜至600nm的厚度，對於此Al膜而施加蝕刻處理，形成源極電極及汲極電極的Al配線。之後，形成如被覆TFT般之SiO2
的保護膜。以後，藉由與具體例1同樣的製造程序，於玻璃基板104上的電極101a上面形成有機EL元件，進行封閉。
於本具體例2，係藉由如上述般的製造，可得無氣泡產生而發光性能良好的自發光面板100。
於本具體例3係說明關於具有主動式面板之中的頂部發光構造之自發光面板100。
於本發明的具體例3，於層間絕緣膜上使藉由Cr而形成的反射層、與作為藉由ITO而形成的陽極(畫素電極)之電極101a層積，以及，作為陰極之電極101b係將Al膜厚作為2nm而藉由濺鍍法而層積IZO以外，係與具體例2同樣的進行。
於本具體例3，係藉由如上述般的製造，可得無氣泡產生而發光性能良好的自發光面板。
於本具體例4，以特定的時間、在大氣壓或負壓狀態加熱而脫氣，而且提高加熱溫度、而且在作為真空狀態而完全的脫氣，而且硬化。具體而言，於本具體例4，係至使經過了成膜工程的玻璃基板104與封閉用玻璃基板105一體化的工程，係以與上述的具體例2同樣的方法進行，將一體化的玻璃基板104與封閉用玻璃基板105向加熱用室搬運，將室內的氣氛以惰性氣體充滿，而且排氣室內壓至約10Pa後，使在90℃安定化的加熱板面接觸於封閉用玻璃基板105而加熱薄膜106。
接著，一面徐徐的使加熱板的溫度昇溫至120℃、同時排氣室內的惰性氣體，內壓減壓至成為10－ 4
Pa。到達10－ 4
Pa的真空狀態而經過10分鐘後，從加熱板使自發光面板100脫離，充分冷卻後向封閉室搬運。於封閉室確認無封閉不良後，將此自發光面板100向大氣中取出。
於本具體例4，係藉由如上述般的製造，可得無氣泡產生而發光性能良好的自發光面板100。
100．．．自發光面板
101．．．一對電極
102．．．發光層
103．．．自發光元件
104．．．支撐基板
105．．．封閉基材
106．．．封閉材料
[第1圖]為表示關於有關此發明的實施形態之自發光面板的構成之一例的側面圖。
[第2－1圖]為表示關於有關此發明的實施形態之第1黏合工程的側面圖。
[第2－2圖]為表示關於有關此發明的實施形態之第2黏合工程的側面圖。
[第2－3圖]為表示關於此發明的實施形態之一體化工程的側面圖。
[第3－1圖]為表示關於此發明的實施例之自發光元件形成工程的側面圖。
[第3－2圖]為表示關於有關此發明的實施例之第1黏合工程的側面圖。
[第3－3圖]為表示關於有關此發明的實施例之第2黏合工程的側面圖。
[第3－4圖]為表示關於此發明的實施例之一體化工程的側面圖。
[第4圖]為表示本實施例之自發光面板100的製造方法可採用之複數的工程之工程圖。
[第5－1圖]為對於支撐基板而在傾斜封閉基材的狀態黏合時的側面圖。
[第5－2圖]為表示對於支撐基板而黏合封閉基材之狀態的側面圖。
[第5－3圖]為表示對於支撐基板而黏合封閉基材之其他狀態的側面圖。
[第6圖]為表示特定成分氣體量的歷時變化的圖表。
100．．．自發光面板
101．．．一對電極
101a．．．電極
101b．．．電極
102．．．發光層
103．．．自發光元件
104．．．支撐基板
105．．．封閉基材
106．．．封閉材料
Claims (10)
- 一種自發光面板的製造方法，係具備：具備支撐基板、和形成於支撐基板上的相對的一對電極與被挾持於該一對電極間的發光層之自發光元件、和對於前述支撐基板而經由前述自發光元件而相對之封閉基材、和設置於前述支撐基板與前述封閉基材之間，僅由封閉前述自發光元件的以環氧樹脂為主原料之加熱硬化型薄膜狀封閉材料所成封閉材料之自發光面板的製造方法，其特徵為：包含將前述封閉材料與前述支撐基板，使封閉前述自發光元件地加熱及加壓之第1黏合工程、和於前述第1黏合工程，將已黏合前述封閉材料的支撐基板與前述封閉基材，隔著前述封閉材料而在減壓狀態，前述封閉材料非以產生硬化反應程度之高溫度進行加熱，加壓於緊密前述支持基板與前述封閉基板之方向而黏合之第2之黏合工程，於前述第2黏合工程，將已黏合的前述支撐基板及前述封閉基材，隔著前述封閉材料，以產生封閉材料之硬化反應程度之高溫度加熱而一體化之一體化工程。
- 一種自發光面板的製造方法，係具備：具備支撐基板、和形成於支撐基板上的相對的一對電極與被挾持於該一對電極間的發光層之自發光元件、和對於前述支撐基板，經由前述自發光元件而相對之封閉基材、和設置於前述支撐基板與前述封閉基材之間，僅由封閉前述自發光元 件的環氧樹脂為主原料之加熱硬化型薄膜狀封閉材料所成封閉材料之自發光面板的製造方法，其特徵為：包含加熱及加壓前述封閉材料與前述封閉基材之第1黏合工程、和於前述第1黏合工程，將已黏合前述封閉材料的封閉基材與前述支撐基板，經由前述封閉材料，封閉前述自發光元件地，在減壓狀態加壓於緊密之方向而黏合，非加熱至前述封閉材料產生硬化反應程度之高溫，將前述支持基板與前述封閉基板之第2黏合工程、和於前述第2黏合工程，將已黏合的前述支撐基板及前述封閉基材，經由前述封閉材料，以使封閉材料產生硬化反應程度之高溫而一體化之一體化工程。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所記載的自發光面板的製造方法，其中，前述第2黏合工程，相互被黏合的面成為平行，且如相對的一邊保持前述支撐基板與前述封閉基材、同時於靠近相互被黏合的前述面之方向，黏合前述支撐基板與前述封閉基材。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所記載的自發光面板的製造方法，其中，前述封閉材料係依藉由加熱而硬化的熱硬化型的樹脂而形成，前述一體化工程係在減壓狀態進行。
- 如申請專利範圍第4項所記載的自發光面板的製造方法，其中，前述一體化工程，係從前述封閉材料排出的 特定氣體成分，成為規定量以下後，係從減壓狀態變為大氣壓。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所記載的自發光面板的製造方法，其中，前述封閉材料係依藉由加熱而硬化的熱硬化型的樹脂而形成，前述一體化工程係在設定於大氣壓的惰性氣體中進行。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所記載的自發光面板的製造方法，其中，前述封閉材料係依藉由加熱而硬化的熱硬化型的樹脂而形成，前述一體化工程係在設定於減壓狀態的惰性氣體中進行。
- 如申請專利範圍第4項所記載的自發光面板的製造方法，其中，前述一體化工程，係加壓於緊貼前述支撐基板與前述封閉材料的方向。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所記載的自發光面板的製造方法，其中，前述第1黏合工程係在設定於減壓狀態、大氣壓之中非活性氣體中或在設定於減壓狀態之非活性氣體中進行。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所記載的自發光面板的製造方法，其中，前述自發光元件為有機EL(電激發光)元件。
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| JP2010080087A (ja) * | 2008-09-24 | 2010-04-08 | Toshiba Corp | 平面表示装置の製造方法、平面表示装置の製造装置及び平面表示装置 |
| JP2010192261A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Rohm Co Ltd | 固体封止有機ｅｌ装置の製造方法およびその製造装置、および固体封止有機ｅｌ装置 |
| KR100919047B1 (ko) * | 2009-03-27 | 2009-09-25 | 제이엘씨(주) | 수지커버가 구비된 무기이엘 발광체 및 그 발광체를 이용한차선표시장치 |
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| JP2012134173A (ja) * | 2012-03-09 | 2012-07-12 | Sony Corp | 表示装置およびその製造方法 |
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| WO2014098183A1 (ja) * | 2012-12-21 | 2014-06-26 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスパネルとその製造方法及び製造装置 |
| JP6314836B2 (ja) * | 2012-12-21 | 2018-04-25 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法及び製造装置 |
| CN103647007B (zh) * | 2013-12-30 | 2016-06-08 | 广州市鸿利光电股份有限公司 | 一种cob封装方法 |
| KR20150097359A (ko) | 2014-02-18 | 2015-08-26 | 주식회사 엘지화학 | 봉지 필름 및 이를 포함하는 유기전자장치 |
| JP6651224B2 (ja) * | 2016-02-24 | 2020-02-19 | パイオニア株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW576126B (en) * | 2001-06-29 | 2004-02-11 | Sanyo Electric Co | Manufacturing method for electroluminescence display panel |
| TW200417281A (en) * | 2003-02-04 | 2004-09-01 | Sanyo Electric Co | Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0562776A (ja) * | 1991-09-05 | 1993-03-12 | Tomy Denko Kk | 樹脂分散型ガラスｅｌの製造方法 |
| JPH06267654A (ja) * | 1993-03-15 | 1994-09-22 | Fuji Electric Co Ltd | エレクトロルミネセンスパネルの製造方法 |
| JP2848189B2 (ja) * | 1993-05-28 | 1999-01-20 | 凸版印刷株式会社 | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| JP4057278B2 (ja) * | 2001-11-02 | 2008-03-05 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法並びに電子機器 |
| JP2004319264A (ja) * | 2003-04-16 | 2004-11-11 | Ulvac Japan Ltd | 封止機構及びこれを用いた封止装置 |
-
2004
- 2004-12-22 JP JP2004372320A patent/JP4731902B2/ja active Active
-
2005
- 2005-11-30 TW TW094142113A patent/TWI423723B/zh active
- 2005-12-21 KR KR1020050126806A patent/KR101089487B1/ko active IP Right Grant
- 2005-12-22 CN CNB2005101321833A patent/CN100521291C/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW576126B (en) * | 2001-06-29 | 2004-02-11 | Sanyo Electric Co | Manufacturing method for electroluminescence display panel |
| TW200417281A (en) * | 2003-02-04 | 2004-09-01 | Sanyo Electric Co | Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same |
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