JP2004047179A - 帯電防止有機el素子およびその製造方法 - Google Patents
帯電防止有機el素子およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004047179A JP2004047179A JP2002200337A JP2002200337A JP2004047179A JP 2004047179 A JP2004047179 A JP 2004047179A JP 2002200337 A JP2002200337 A JP 2002200337A JP 2002200337 A JP2002200337 A JP 2002200337A JP 2004047179 A JP2004047179 A JP 2004047179A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- antistatic
- substrate
- tft
- emitting layer
- conductive film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 58
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- -1 tetraphenylbutadiene derivative compounds Chemical class 0.000 description 11
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 3
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 3
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 7-[(z)-3-methyl-4-(4-methyl-5-oxo-2h-furan-2-yl)but-2-enoxy]chromen-2-one Chemical compound C=1C=C2C=CC(=O)OC2=CC=1OC/C=C(/C)CC1OC(=O)C(C)=C1 CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 2
- 239000011365 complex material Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 1
- SHXCHSNZIGEBFL-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole;zinc Chemical compound [Zn].C1=CC=C2SC=NC2=C1 SHXCHSNZIGEBFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIWLITBBFICQKW-UHFFFAOYSA-N 1h-benzo[h]quinolin-2-one Chemical compound C1=CC=C2C3=NC(O)=CC=C3C=CC2=C1 UIWLITBBFICQKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DWYHDSLIWMUSOO-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-benzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2N1 DWYHDSLIWMUSOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYGSXEYUWRFVNY-UHFFFAOYSA-N 2-pyran-2-ylidenepropanedinitrile Chemical class N#CC(C#N)=C1OC=CC=C1 KYGSXEYUWRFVNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018134 Al-Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018467 Al—Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJWRRBADQOOFSF-UHFFFAOYSA-N C1=CC=C2OC([Zn])=NC2=C1 Chemical compound C1=CC=C2OC([Zn])=NC2=C1 AJWRRBADQOOFSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 Chemical class C1=CNC2=C3C=NN=C3C=CC2=C1 UXYHZIYEDDINQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001651 Cyanoacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- MWCLLHOVUTZFKS-UHFFFAOYSA-N Methyl cyanoacrylate Chemical compound COC(=O)C(=C)C#N MWCLLHOVUTZFKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004775 coumarins Chemical class 0.000 description 1
- CUIWZLHUNCCYBL-UHFFFAOYSA-N decacyclene Chemical compound C12=C([C]34)C=CC=C4C=CC=C3C2=C2C(=C34)C=C[CH]C4=CC=CC3=C2C2=C1C1=CC=CC3=CC=CC2=C31 CUIWZLHUNCCYBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N gamma-Phenylpyridine Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=NC=C1 JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N phenoxazin-1-one Chemical compound C1=CC=C2N=C3C(=O)C=CC=C3OC2=C1 FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N phenoxazone Natural products C1=CC=C2OC3=CC(=O)C=CC3=NC2=C1 UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 1
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1.C1=CSN=N1 VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001651 triphenylamine derivatives Chemical class 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】充分に帯電防止処理されたEL素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に、少なくとも薄膜トランジスタと有機発光層と電極とを有するEL素子において、上記基板の少なくとも薄膜トランジスタ基板の裏面である第二主面に帯電防止膜が形成されていることを特徴とする帯電防止有機EL素子およびその製造方法。
【選択図】 図1
【解決手段】基板上に、少なくとも薄膜トランジスタと有機発光層と電極とを有するEL素子において、上記基板の少なくとも薄膜トランジスタ基板の裏面である第二主面に帯電防止膜が形成されていることを特徴とする帯電防止有機EL素子およびその製造方法。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、帯電防止された有機発光層を有するエレクトロルミネッセンス(EL)素子およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
EL素子は、図5および図6に示すように、対向する陰電極と陽電極とから注入された正孔および電子が発光層内で結合し、そのエネルギーで発光層中の蛍光物質を励起し、蛍光物質に応じた色の発光を行うものであり、自発光の面状表示素子として注目されている。これらのEL素子の発光層は無機物質からなるものと有機物質からなるものとが知られている。
【0003】
その中でも有機発光材料を用いた有機薄膜ELディスプレイは、印加電圧が10V弱であっても高輝度な発光が実現するなど、発光効率が高く、単純な素子構造で発光が可能で、特定のパターンを発光表示させる広告、その他の低価格の簡易表示ディスプレイヘの応用が期待されている。図5に示す例は、陰電極を透明電極とし、陽電極(薄膜トランジスタ:TFT)を反射性電極として、発光をトップエミッション型としたものであり、図6に示す例は、陰電極を反射性電極とし、陽電極を透明性電極として、発光をボトムエミッション型としたものである。
【0004】
また、EL素子においては、有機発光層を、発光色の異なる有機発光材料からストライプパターンやマトリックスパターンに形成し、陽電極を薄膜トランジスタ(TFT)として駆動させることで、フルカラー画像の表示も可能である。このようなTFTをガラス板や透明樹脂板の表面に形成したEL素子基板は、これらの基板が絶縁性であることから、発光層や陰電極などを形成するTFT付き基板の取り扱い中に摩擦などにより静電気が帯電し、TFTが破損して最終的に得られるEL素子において不良品が発生するという問題がある。
【0005】
TFTを用いたEL素子の製造方法おいては、TFT付き基板上に、有機発光層および陰電極などを形成するが、有機発光材料は酸素や水分によって劣化しやすく、かかる劣化を防止するために、酸素濃度および水分が厳密にコントロールされた環境下において有機発光層や陰電極の成膜を行っている。このような操作中においては、操作雰囲気に水分が殆ど存在しないことから、TFT付き基板の搬送や接触時に静電気が帯電し、該静電気によってTFTが破壊される可能性が高くなり、十分な静電対策が必要である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
上記静電対策としては、通常イオナイザーにより除電が行われるが、有機発光層や陰電極の形成は、上記のように酸素および水分が厳密にコントロールされた窒素雰囲気下で行われるので、上記イオナイザーは充分に機能せず、TFT付き基板の摩擦などによって生じる静電気を十分に除去することができない。
従って、本発明の目的は、充分に帯電防止処理されたEL素子およびその製造方法を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的は以下の本発明によって達成される。すなわち、本発明は、基板上に、少なくとも薄膜トランジスタと有機発光層と電極とを有するEL素子において、上記基板の少なくとも薄膜トランジスタ基板の裏面である第二主面に帯電防止膜が形成されていることを特徴とする帯電防止有機EL素子を提供する。
【0008】
また、本発明は、表面に薄膜トランジスタが形成された基板の裏面(第二主面)に帯電防止膜を形成し、上記薄膜トランジスタの表面に少なくとも有機発光層と電極とを形成することを特徴とする帯電防止有機EL素子の製造方法を提供する。
【0009】
【発明の実施の形態】
次に好ましい実施の形態を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。
図1は、トップエミッション型のEL素子の構造を図解的に示しており、このEL素子においては、例えば、ガラス板などの基板の裏面(第二主面)に帯電防止膜(導電膜)が形成され、基板の表面にTFT電極、有機発光層および透明陰電極が少なくとも形成されている。この実施例おいて不図示のドライバーによりTFTを駆動させることによって、矢印に示す方向に、例えば、RGBが発光され、フルカラー画像が表示可能である。この場合の帯電防止膜である導電膜は、透明導電膜でも不透明導電膜(例えば金属膜)であってもよい。また、図示のように基板の少なくとも1個の側面にも導電膜を形成してもよい。
【0010】
図2は、ボトムエミッション型のEL素子の構造を図解的に示しており、このEL素子においては、陰電極が反射性であり、TFTが透明性であり、例えば、ガラス板などの基板の裏面(第二主面)に帯電防止用の透明導電膜が形成されている。この実施例においても不図示のドライバーによりTFTを駆動させることによって、矢印に示す方向に、例えば、RGBが発光され、フルカラー画像が表示可能である。この場合の帯電防止膜である導電膜は、透明導電膜でも不透明導電膜(例えば金属膜)であってもよいが、少なくとも画像表示部は透明導電膜であるか、若しくは導電膜が形成されていないことが必要である。また、図示のように基板の全ての側面にも導電膜を形成してもよい。
【0011】
図3は、図2において発光面である第二主面の帯電防止膜である導電膜の形状を示したものであり、第二主面の全面ではなく、導電膜を画像表示部の周辺のみに形成したものである。このような導電膜を形成することによって、透明導電膜を全面に形成した場合と比べ、透明導電膜による透過率の低下や発光波長の変化をなくし、より優れた画像表示が可能である。また、この実施形態では導電膜は不透明で良導電性金属膜でもよい。このようなパター状導電膜は適当なマスクを用いて導電膜を形成することにより容易に作成できる。
【0012】
本発明の帯電防止EL素子の製造方法を図4を参照して説明する。本発明では予めTFTが形成されている基板(a)の裏面(第二主面)に帯電防止膜として導電膜を形成する(b)。このように導電膜を形成しておくことにより、乾燥窒素雰囲気において、発光層、陰電極、その他の層を形成する際の基板の取扱時に、基板に静電気が帯電することがなく、従ってTFTの損傷が防止できる。このような導電膜が透明である場合には、該導電膜はそのままでもよい(c)が、金属層の如く透明性が低い導電膜の場合には、エッチングなどの適当な方法で全面的に除去するか(d)或いは図3の示すようにパターン状に除去することが必要である。
【0013】
以上の如く、基板の第二主面に導電膜を形成しておくことにより、TFTを有するEL素子の製造および搬送などの取扱時において、TFTの損傷が発生せず、不良品率を顕著に低下させることができる。
【0014】
本発明の帯電防止EL素子およびその製造方法は以上の通りであるが、上記本発明で使用する各材料および方法についてさらに説明する。
(基板)
本発明で使用するEL素子のTFT付き基板としては、従来のEL素子や液晶表示素子に使用されているTFT付きガラス板や透明プラスチックシートなどの基板であればよく特に限定されない。これらの基板の厚みは通常約0.1〜2.0mmである。
【0015】
(電極材料)
トップエミッション型のEL素子の好ましい陰極材料としては、例えば、酸化インジウム、酸化錫、ITOなどが挙げられる。ボトムエミッション型のEL素子の好ましい陰極材料としては、例えば、マグネシウム合金(Mg−Agなど)、アルミニウム合金(Al−Li、Al−Ca、Al−Mgなど)、金属カルシウムおよび仕事関数の小さい金属が挙げられる。また、陽極でもあるTFT自体は、従来の液晶表示素子に使用されているTFTと同様でよい。これらの電極層の厚みは、それぞれ通常約20〜1000Åである。
【0016】
(帯電防止導電膜)
帯電防止導電膜材料としては、上記の電極材料と同様な材料が使用され、例えば、図1に示す実施形態の導電膜としては、光透過性の材料でも、光不透過性材料でもよく、図2に示す実施形態では光透過性の材料を使用するが、図3に示すように後に画像表示部を作製する場合には、光不透過性材料であってもよい。さらに図4に示す如き実施形態では、導電性に優れた金属膜を使用することが好ましい。導電膜の形成方法は、蒸着、スパッタリング、CVD法など従来公知の方法でよい。形成する導電膜の導電性は十分に高いことが必要であり、その厚みは好ましくは5〜10,000Å程度、さらに好ましくは1,000〜5,000Å程度である。なお、導電膜の厚みは使用する導電性材料によって調整することができる。
【0017】
(電荷注入層)
本発明のEL素子には、図示していないが、陽電極(TFT)および陰電極と発光層との間に他の層が形成されていてもよい。この層には、バッファー層、正孔注入層および/または電子注入層が含まれる。これらは、例えば、特開平11−4011号公報に記載のもののように、従来のEL素子に一般に用いられているものであれば特に限定されない。
【0018】
(発光層)
陽電極(TFT)上に形成する有機発光層は、主として蛍光を発光する有機物(低分子化合物および高分子化合物)と、これを補助するドーパントとから通常形成される。このような発光材料としては、例えば、下記の如き材料が挙げられる。
1.色素系材料
色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマーなどが挙げられる。
【0019】
2.金属錯体系材料
金属錯体系材料としては、例えば、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体など、中心金属に、Al、Zn、BeなどまたはTb、Eu、Dyなどの希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを有する金属錯体などを挙げることができる。
【0020】
3.高分子系材料
高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素体や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどが挙げられる。
【0021】
上記発光性材料のうち、青色に発光する材料としては、ジスチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、およびそれらの重合体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体やポリフルオレン誘導体などが好ましい。
【0022】
また、緑色に発光する材料としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが好ましい。
【0023】
また、赤色に発光する材料としては、クマリン誘導体、チオフェン環化合物、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが好ましい。
【0024】
(ドーパント材料)
発光層中に発光効率の向上や発光波長を変化させるなどの目的で、ドーパントを添加することができる。このようなドーパントとしては、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルプレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィレン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどを挙げることができる。以上の如き有機発光層の厚みは、それぞれ通常約20〜2000Åである。
【0025】
(バッファー層)
本発明では、発光層を形成する工程の他にバッファー層を形成する工程を有してもよい。本発明でいうバッファー層とは、発光層に電荷の注入が容易に行われるように、陽極(TFT)と発光層との間に、または陰極と発光層との間に設けられ、有機物、特に有機導電体などを含む層である。例えば、発光層への正孔注入効率を高めて、電極などの凹凸を平坦化する機能を有する導電性高分子から形成することができる。以上の如きバッファー層の厚みは、通常約100〜2000Åである。
【0026】
上記バッファー層は、その導電性が高い場合、素子のダイオード特性を保ち、クロストークを防ぐために、パターニングされていることが望ましい。なお、バッファー層の抵抗が高い場合などはパターニングされていなくてもよい場合があり、また、バッファー層が省ける素子の場合はバッファー層は設けなくてもよい場合がある。
【0027】
バッファー層を形成する材料としては、具体的には、ポリアルキルチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、トリフェニルアミンなどの正孔輸送性物質の重合体、無機化合物のゾルゲル膜、トリフルオロメタンなどの有機物の重合膜、ルイス酸を含む有機化合物膜などが挙げられる。
【0028】
以上の如き発光層やバッファー層を形成する方法としては通常の発光層などの形成と同様であって、特に制限されないが、蒸着法のほかに電着法、材料の溶融液、溶液または混合液を使用するスピンコーティング法、キャスティング法、ディッピング法、バーコート法、ブレードコーティング法、ロールコート法、グラビアコート法、フレキソ印刷法、スプレーコート法などが挙げられる。
【0029】
(封止材料)
本発明のEL素子は最終的には、外気の酸素や水分から遮断するための封止板と封止材とを用いて封止する。封止材は、従来公知の方法で使用されている封止材でよく、特に限定されないが、溶剤を含んでいない、いわゆる無溶剤接着剤を使用することが好ましい。具体的には、熱によって接着性を発揮する熱可塑性樹脂(ヒートシール剤)、ポリオールとポリイソシアネートとからなる二液型接着剤、エポキシ系やシアノアクリレート系などの感圧接着剤、アクリレートオリゴマーなどの重合性成分を含む感光性接着剤などが挙げられる。このような無溶剤型接着剤を用いることにより、封止後に溶剤によるEL層に対する悪影響を排除することができる。
【0030】
以上の如き封止材は、さらに水分や酸素が封止材層を透過しないように、封止材中に酸化カルシウムなどのアルカリ土類金属の酸化物や、還元剤や酸化鉄などの酸素吸収剤を適当な量で添加しておくことが好ましい。なお、封止材中には封止板の押圧によってEL層が破壊されないように、EL層の厚みより径が大きいガラスビーズなどのスペーサーを含ませておくことが好ましい。
【0031】
(封止板)
本発明で用いる封止板は、水分や酸素の透過性が低い材料であれば何れの材料でもよく、例えば、ガラス板、ガスバリヤー性に優れた樹脂板、金属板などが挙げられる。これらの封止板のサイズは通常EL素子の基板と略同一サイズである。
【0032】
【実施例】
次に実施例を挙げて本発明をさらに詳しく説明する。
<実施例1(図1参照)>
板厚1.1mmで、表面にTFTが形成された基板の裏面(第二主面)に、蒸着方法により厚み3,000Åのアルミニウム合金薄膜を形成した。次いでTFTの面にTFTの構造に合わせて、フォトリソグラフィー法にてRGBの発光層をパターニングして膜厚800Åの有機発光層を形成した。赤色発光層は、ポリビニルカルバゾール70重量部、オキサジアゾール30重量部、ジシアノメチレンピラン誘導体1重量部、モノクロロベンゼン4900重量部からなる塗布液を用い、緑色発光層は、ポリビニルカルバゾール70重量部、オキサジアゾール30重量部、クマリン6の1重量部、モノクロロベンゼン4900重量部からなる塗布液を用い、青色発光層は、ポリビニルカルバゾール70重量部、オキサジアゾール30重量部、ペリレン1重量部、モノクロロベンゼン4900重量部からなる塗布液を用いて形成した。
【0033】
これらの発光層の表面に透明陰電極としてITOをマスクスパッタ方法で1,500Åの厚みに形成し、最後に常法に従って封止材と封止板とでEL層を封止して本発明のEL素子を作製した。以上の操作は全て窒素ガス雰囲気で行った。TFT電極側を陽極に、そしてITO陰電極側を負極に接続し、駆動回路を接続して表示実験を行ったところ、表示信号に従ってフルカラー表示が可能であり、この際に意図しない発光や発光不良がなく、TFTが静電気によって損傷していないことが明らかとなった。
【0034】
<実施例2(図2参照)>
実施例1において、板厚1.1mmで、表面にTFTが形成された基板の裏面(第二主面)に、CVD法により厚み1,500ÅのITO薄膜を形成し、陰電極としてCaを100Å、さらに保護層としてAgを2,500Åの厚みで蒸着した以外は実施例1と同様にして本発明のEL素子を作製した。このEL素子についても実施例1と同様にしてTFTの損傷は認められなかった。
【0035】
<実施例3(図3参照)>
実施例2において、板厚1.1mmで、表面にTFTが形成された基板の裏面(第二主面)に、スパッタリング法により所定のマスク(画像表示面をマスクするパターン)を介して厚み3,000Åの銀の薄膜を形成した以外は実施例2と同様にして本発明のEL素子を作製した。このEL素子についても実施例1と同様にしてTFTの損傷は認められなかった。
【0036】
<実施例4(図4参照)>
実施例2において、板厚1.1mmで、表面にTFTが形成された基板の裏面(第二主面)に、スパッタリング法により厚み1,000Åの銀の薄膜を形成し、EL層および陰電極を形成後、上記の銀の薄膜を図3に示す形状に適当なマスクを介してドライエッチングにより除去した以外は実施例3と同様にして本発明のEL素子を作製した。このEL素子についても実施例1と同様にしてTFTの損傷は認められなかった。
【0037】
【発明の効果】
以上の如き本発明によれば、充分に帯電防止処理されたEL素子およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の帯電防止EL素子を説明する図。
【図2】本発明の別の実施形態の帯電防止EL素子を説明する図。
【図3】本発明の帯電防止EL素子の画像表示面を説明する図。
【図4】本発明の方法を説明する図。
【図5】従来のEL素子の基本構成を示す図。
【図6】従来のEL素子の基本構成を示す図。
【発明の属する技術分野】
本発明は、帯電防止された有機発光層を有するエレクトロルミネッセンス(EL)素子およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
EL素子は、図5および図6に示すように、対向する陰電極と陽電極とから注入された正孔および電子が発光層内で結合し、そのエネルギーで発光層中の蛍光物質を励起し、蛍光物質に応じた色の発光を行うものであり、自発光の面状表示素子として注目されている。これらのEL素子の発光層は無機物質からなるものと有機物質からなるものとが知られている。
【0003】
その中でも有機発光材料を用いた有機薄膜ELディスプレイは、印加電圧が10V弱であっても高輝度な発光が実現するなど、発光効率が高く、単純な素子構造で発光が可能で、特定のパターンを発光表示させる広告、その他の低価格の簡易表示ディスプレイヘの応用が期待されている。図5に示す例は、陰電極を透明電極とし、陽電極(薄膜トランジスタ:TFT)を反射性電極として、発光をトップエミッション型としたものであり、図6に示す例は、陰電極を反射性電極とし、陽電極を透明性電極として、発光をボトムエミッション型としたものである。
【0004】
また、EL素子においては、有機発光層を、発光色の異なる有機発光材料からストライプパターンやマトリックスパターンに形成し、陽電極を薄膜トランジスタ(TFT)として駆動させることで、フルカラー画像の表示も可能である。このようなTFTをガラス板や透明樹脂板の表面に形成したEL素子基板は、これらの基板が絶縁性であることから、発光層や陰電極などを形成するTFT付き基板の取り扱い中に摩擦などにより静電気が帯電し、TFTが破損して最終的に得られるEL素子において不良品が発生するという問題がある。
【0005】
TFTを用いたEL素子の製造方法おいては、TFT付き基板上に、有機発光層および陰電極などを形成するが、有機発光材料は酸素や水分によって劣化しやすく、かかる劣化を防止するために、酸素濃度および水分が厳密にコントロールされた環境下において有機発光層や陰電極の成膜を行っている。このような操作中においては、操作雰囲気に水分が殆ど存在しないことから、TFT付き基板の搬送や接触時に静電気が帯電し、該静電気によってTFTが破壊される可能性が高くなり、十分な静電対策が必要である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
上記静電対策としては、通常イオナイザーにより除電が行われるが、有機発光層や陰電極の形成は、上記のように酸素および水分が厳密にコントロールされた窒素雰囲気下で行われるので、上記イオナイザーは充分に機能せず、TFT付き基板の摩擦などによって生じる静電気を十分に除去することができない。
従って、本発明の目的は、充分に帯電防止処理されたEL素子およびその製造方法を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的は以下の本発明によって達成される。すなわち、本発明は、基板上に、少なくとも薄膜トランジスタと有機発光層と電極とを有するEL素子において、上記基板の少なくとも薄膜トランジスタ基板の裏面である第二主面に帯電防止膜が形成されていることを特徴とする帯電防止有機EL素子を提供する。
【0008】
また、本発明は、表面に薄膜トランジスタが形成された基板の裏面(第二主面)に帯電防止膜を形成し、上記薄膜トランジスタの表面に少なくとも有機発光層と電極とを形成することを特徴とする帯電防止有機EL素子の製造方法を提供する。
【0009】
【発明の実施の形態】
次に好ましい実施の形態を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。
図1は、トップエミッション型のEL素子の構造を図解的に示しており、このEL素子においては、例えば、ガラス板などの基板の裏面(第二主面)に帯電防止膜(導電膜)が形成され、基板の表面にTFT電極、有機発光層および透明陰電極が少なくとも形成されている。この実施例おいて不図示のドライバーによりTFTを駆動させることによって、矢印に示す方向に、例えば、RGBが発光され、フルカラー画像が表示可能である。この場合の帯電防止膜である導電膜は、透明導電膜でも不透明導電膜(例えば金属膜)であってもよい。また、図示のように基板の少なくとも1個の側面にも導電膜を形成してもよい。
【0010】
図2は、ボトムエミッション型のEL素子の構造を図解的に示しており、このEL素子においては、陰電極が反射性であり、TFTが透明性であり、例えば、ガラス板などの基板の裏面(第二主面)に帯電防止用の透明導電膜が形成されている。この実施例においても不図示のドライバーによりTFTを駆動させることによって、矢印に示す方向に、例えば、RGBが発光され、フルカラー画像が表示可能である。この場合の帯電防止膜である導電膜は、透明導電膜でも不透明導電膜(例えば金属膜)であってもよいが、少なくとも画像表示部は透明導電膜であるか、若しくは導電膜が形成されていないことが必要である。また、図示のように基板の全ての側面にも導電膜を形成してもよい。
【0011】
図3は、図2において発光面である第二主面の帯電防止膜である導電膜の形状を示したものであり、第二主面の全面ではなく、導電膜を画像表示部の周辺のみに形成したものである。このような導電膜を形成することによって、透明導電膜を全面に形成した場合と比べ、透明導電膜による透過率の低下や発光波長の変化をなくし、より優れた画像表示が可能である。また、この実施形態では導電膜は不透明で良導電性金属膜でもよい。このようなパター状導電膜は適当なマスクを用いて導電膜を形成することにより容易に作成できる。
【0012】
本発明の帯電防止EL素子の製造方法を図4を参照して説明する。本発明では予めTFTが形成されている基板(a)の裏面(第二主面)に帯電防止膜として導電膜を形成する(b)。このように導電膜を形成しておくことにより、乾燥窒素雰囲気において、発光層、陰電極、その他の層を形成する際の基板の取扱時に、基板に静電気が帯電することがなく、従ってTFTの損傷が防止できる。このような導電膜が透明である場合には、該導電膜はそのままでもよい(c)が、金属層の如く透明性が低い導電膜の場合には、エッチングなどの適当な方法で全面的に除去するか(d)或いは図3の示すようにパターン状に除去することが必要である。
【0013】
以上の如く、基板の第二主面に導電膜を形成しておくことにより、TFTを有するEL素子の製造および搬送などの取扱時において、TFTの損傷が発生せず、不良品率を顕著に低下させることができる。
【0014】
本発明の帯電防止EL素子およびその製造方法は以上の通りであるが、上記本発明で使用する各材料および方法についてさらに説明する。
(基板)
本発明で使用するEL素子のTFT付き基板としては、従来のEL素子や液晶表示素子に使用されているTFT付きガラス板や透明プラスチックシートなどの基板であればよく特に限定されない。これらの基板の厚みは通常約0.1〜2.0mmである。
【0015】
(電極材料)
トップエミッション型のEL素子の好ましい陰極材料としては、例えば、酸化インジウム、酸化錫、ITOなどが挙げられる。ボトムエミッション型のEL素子の好ましい陰極材料としては、例えば、マグネシウム合金(Mg−Agなど)、アルミニウム合金(Al−Li、Al−Ca、Al−Mgなど)、金属カルシウムおよび仕事関数の小さい金属が挙げられる。また、陽極でもあるTFT自体は、従来の液晶表示素子に使用されているTFTと同様でよい。これらの電極層の厚みは、それぞれ通常約20〜1000Åである。
【0016】
(帯電防止導電膜)
帯電防止導電膜材料としては、上記の電極材料と同様な材料が使用され、例えば、図1に示す実施形態の導電膜としては、光透過性の材料でも、光不透過性材料でもよく、図2に示す実施形態では光透過性の材料を使用するが、図3に示すように後に画像表示部を作製する場合には、光不透過性材料であってもよい。さらに図4に示す如き実施形態では、導電性に優れた金属膜を使用することが好ましい。導電膜の形成方法は、蒸着、スパッタリング、CVD法など従来公知の方法でよい。形成する導電膜の導電性は十分に高いことが必要であり、その厚みは好ましくは5〜10,000Å程度、さらに好ましくは1,000〜5,000Å程度である。なお、導電膜の厚みは使用する導電性材料によって調整することができる。
【0017】
(電荷注入層)
本発明のEL素子には、図示していないが、陽電極(TFT)および陰電極と発光層との間に他の層が形成されていてもよい。この層には、バッファー層、正孔注入層および/または電子注入層が含まれる。これらは、例えば、特開平11−4011号公報に記載のもののように、従来のEL素子に一般に用いられているものであれば特に限定されない。
【0018】
(発光層)
陽電極(TFT)上に形成する有機発光層は、主として蛍光を発光する有機物(低分子化合物および高分子化合物)と、これを補助するドーパントとから通常形成される。このような発光材料としては、例えば、下記の如き材料が挙げられる。
1.色素系材料
色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマーなどが挙げられる。
【0019】
2.金属錯体系材料
金属錯体系材料としては、例えば、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体など、中心金属に、Al、Zn、BeなどまたはTb、Eu、Dyなどの希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを有する金属錯体などを挙げることができる。
【0020】
3.高分子系材料
高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素体や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどが挙げられる。
【0021】
上記発光性材料のうち、青色に発光する材料としては、ジスチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、およびそれらの重合体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体やポリフルオレン誘導体などが好ましい。
【0022】
また、緑色に発光する材料としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが好ましい。
【0023】
また、赤色に発光する材料としては、クマリン誘導体、チオフェン環化合物、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。なかでも高分子材料のポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが好ましい。
【0024】
(ドーパント材料)
発光層中に発光効率の向上や発光波長を変化させるなどの目的で、ドーパントを添加することができる。このようなドーパントとしては、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルプレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィレン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどを挙げることができる。以上の如き有機発光層の厚みは、それぞれ通常約20〜2000Åである。
【0025】
(バッファー層)
本発明では、発光層を形成する工程の他にバッファー層を形成する工程を有してもよい。本発明でいうバッファー層とは、発光層に電荷の注入が容易に行われるように、陽極(TFT)と発光層との間に、または陰極と発光層との間に設けられ、有機物、特に有機導電体などを含む層である。例えば、発光層への正孔注入効率を高めて、電極などの凹凸を平坦化する機能を有する導電性高分子から形成することができる。以上の如きバッファー層の厚みは、通常約100〜2000Åである。
【0026】
上記バッファー層は、その導電性が高い場合、素子のダイオード特性を保ち、クロストークを防ぐために、パターニングされていることが望ましい。なお、バッファー層の抵抗が高い場合などはパターニングされていなくてもよい場合があり、また、バッファー層が省ける素子の場合はバッファー層は設けなくてもよい場合がある。
【0027】
バッファー層を形成する材料としては、具体的には、ポリアルキルチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、トリフェニルアミンなどの正孔輸送性物質の重合体、無機化合物のゾルゲル膜、トリフルオロメタンなどの有機物の重合膜、ルイス酸を含む有機化合物膜などが挙げられる。
【0028】
以上の如き発光層やバッファー層を形成する方法としては通常の発光層などの形成と同様であって、特に制限されないが、蒸着法のほかに電着法、材料の溶融液、溶液または混合液を使用するスピンコーティング法、キャスティング法、ディッピング法、バーコート法、ブレードコーティング法、ロールコート法、グラビアコート法、フレキソ印刷法、スプレーコート法などが挙げられる。
【0029】
(封止材料)
本発明のEL素子は最終的には、外気の酸素や水分から遮断するための封止板と封止材とを用いて封止する。封止材は、従来公知の方法で使用されている封止材でよく、特に限定されないが、溶剤を含んでいない、いわゆる無溶剤接着剤を使用することが好ましい。具体的には、熱によって接着性を発揮する熱可塑性樹脂(ヒートシール剤)、ポリオールとポリイソシアネートとからなる二液型接着剤、エポキシ系やシアノアクリレート系などの感圧接着剤、アクリレートオリゴマーなどの重合性成分を含む感光性接着剤などが挙げられる。このような無溶剤型接着剤を用いることにより、封止後に溶剤によるEL層に対する悪影響を排除することができる。
【0030】
以上の如き封止材は、さらに水分や酸素が封止材層を透過しないように、封止材中に酸化カルシウムなどのアルカリ土類金属の酸化物や、還元剤や酸化鉄などの酸素吸収剤を適当な量で添加しておくことが好ましい。なお、封止材中には封止板の押圧によってEL層が破壊されないように、EL層の厚みより径が大きいガラスビーズなどのスペーサーを含ませておくことが好ましい。
【0031】
(封止板)
本発明で用いる封止板は、水分や酸素の透過性が低い材料であれば何れの材料でもよく、例えば、ガラス板、ガスバリヤー性に優れた樹脂板、金属板などが挙げられる。これらの封止板のサイズは通常EL素子の基板と略同一サイズである。
【0032】
【実施例】
次に実施例を挙げて本発明をさらに詳しく説明する。
<実施例1(図1参照)>
板厚1.1mmで、表面にTFTが形成された基板の裏面(第二主面)に、蒸着方法により厚み3,000Åのアルミニウム合金薄膜を形成した。次いでTFTの面にTFTの構造に合わせて、フォトリソグラフィー法にてRGBの発光層をパターニングして膜厚800Åの有機発光層を形成した。赤色発光層は、ポリビニルカルバゾール70重量部、オキサジアゾール30重量部、ジシアノメチレンピラン誘導体1重量部、モノクロロベンゼン4900重量部からなる塗布液を用い、緑色発光層は、ポリビニルカルバゾール70重量部、オキサジアゾール30重量部、クマリン6の1重量部、モノクロロベンゼン4900重量部からなる塗布液を用い、青色発光層は、ポリビニルカルバゾール70重量部、オキサジアゾール30重量部、ペリレン1重量部、モノクロロベンゼン4900重量部からなる塗布液を用いて形成した。
【0033】
これらの発光層の表面に透明陰電極としてITOをマスクスパッタ方法で1,500Åの厚みに形成し、最後に常法に従って封止材と封止板とでEL層を封止して本発明のEL素子を作製した。以上の操作は全て窒素ガス雰囲気で行った。TFT電極側を陽極に、そしてITO陰電極側を負極に接続し、駆動回路を接続して表示実験を行ったところ、表示信号に従ってフルカラー表示が可能であり、この際に意図しない発光や発光不良がなく、TFTが静電気によって損傷していないことが明らかとなった。
【0034】
<実施例2(図2参照)>
実施例1において、板厚1.1mmで、表面にTFTが形成された基板の裏面(第二主面)に、CVD法により厚み1,500ÅのITO薄膜を形成し、陰電極としてCaを100Å、さらに保護層としてAgを2,500Åの厚みで蒸着した以外は実施例1と同様にして本発明のEL素子を作製した。このEL素子についても実施例1と同様にしてTFTの損傷は認められなかった。
【0035】
<実施例3(図3参照)>
実施例2において、板厚1.1mmで、表面にTFTが形成された基板の裏面(第二主面)に、スパッタリング法により所定のマスク(画像表示面をマスクするパターン)を介して厚み3,000Åの銀の薄膜を形成した以外は実施例2と同様にして本発明のEL素子を作製した。このEL素子についても実施例1と同様にしてTFTの損傷は認められなかった。
【0036】
<実施例4(図4参照)>
実施例2において、板厚1.1mmで、表面にTFTが形成された基板の裏面(第二主面)に、スパッタリング法により厚み1,000Åの銀の薄膜を形成し、EL層および陰電極を形成後、上記の銀の薄膜を図3に示す形状に適当なマスクを介してドライエッチングにより除去した以外は実施例3と同様にして本発明のEL素子を作製した。このEL素子についても実施例1と同様にしてTFTの損傷は認められなかった。
【0037】
【発明の効果】
以上の如き本発明によれば、充分に帯電防止処理されたEL素子およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の帯電防止EL素子を説明する図。
【図2】本発明の別の実施形態の帯電防止EL素子を説明する図。
【図3】本発明の帯電防止EL素子の画像表示面を説明する図。
【図4】本発明の方法を説明する図。
【図5】従来のEL素子の基本構成を示す図。
【図6】従来のEL素子の基本構成を示す図。
Claims (6)
- 基板上に、少なくとも薄膜トランジスタと有機発光層と電極とを有するEL素子において、上記基板の少なくとも薄膜トランジスタ基板の裏面である第二主面に帯電防止膜が形成されていることを特徴とする帯電防止有機EL素子。
- 基板側面にも帯電防止膜が形成されている請求項1に記載の帯電防止有機EL素子。
- ボトムエミッション型有機EL素子であって、帯電防止膜が透明導電膜である請求項1に記載の帯電防止有機EL素子。
- 導電膜が、画像表示部の周辺に形成されている請求項1に記載の帯電防止有機EL素子。
- 表面に薄膜トランジスタが形成された基板の裏面(第二主面)に帯電防止膜を形成し、上記薄膜トランジスタの表面に少なくとも有機発光層と電極とを形成することを特徴とする帯電防止有機EL素子の製造方法。
- 前記薄膜トランジスタの表面に有機発光層および電極を形成後、上記帯電防止膜の少なくとも1部を除去する請求項5に記載の帯電防止有機EL素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002200337A JP2004047179A (ja) | 2002-07-09 | 2002-07-09 | 帯電防止有機el素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002200337A JP2004047179A (ja) | 2002-07-09 | 2002-07-09 | 帯電防止有機el素子およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004047179A true JP2004047179A (ja) | 2004-02-12 |
Family
ID=31707237
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002200337A Pending JP2004047179A (ja) | 2002-07-09 | 2002-07-09 | 帯電防止有機el素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004047179A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005332803A (ja) * | 2004-04-22 | 2005-12-02 | Canon Inc | 有機電子素子の製造方法および製造装置 |
JP2006040801A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機elパネル |
JP2007066775A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機el素子の製造方法及び有機el素子 |
KR100739088B1 (ko) * | 2005-03-30 | 2007-07-13 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 전자 디바이스용 기판, 전자 디바이스, 전자 디바이스의제조 방법 및 전자 기기 |
JP2008517306A (ja) * | 2004-09-29 | 2008-05-22 | インダストリアル テクノロジー リサーチ インスティチュート | 電気的変調型ディスプレイのための静電防止層 |
JP2011183802A (ja) * | 2010-03-04 | 2011-09-22 | Toshiba Corp | プリントヘッドおよび画像形成装置 |
JP2012208214A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Sony Corp | 表示パネル、表示装置および電子機器 |
JP2013057726A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Sony Corp | 表示パネル、表示装置および電子機器 |
KR20170056554A (ko) | 2014-09-18 | 2017-05-23 | 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코 | 발광 소자, 표시 장치 및 조명 장치 |
KR20170108176A (ko) * | 2008-12-11 | 2017-09-26 | 오스람 오엘이디 게엠베하 | 유기발광다이오드 및 조명수단 |
CN110178238A (zh) * | 2017-01-11 | 2019-08-27 | 应用材料公司 | 用于处理基板的方法和设备 |
-
2002
- 2002-07-09 JP JP2002200337A patent/JP2004047179A/ja active Pending
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005332803A (ja) * | 2004-04-22 | 2005-12-02 | Canon Inc | 有機電子素子の製造方法および製造装置 |
US7632704B2 (en) | 2004-04-22 | 2009-12-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for organic electronic element and manufacturing apparatus therefor |
JP2006040801A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機elパネル |
JP2008517306A (ja) * | 2004-09-29 | 2008-05-22 | インダストリアル テクノロジー リサーチ インスティチュート | 電気的変調型ディスプレイのための静電防止層 |
KR100739088B1 (ko) * | 2005-03-30 | 2007-07-13 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 전자 디바이스용 기판, 전자 디바이스, 전자 디바이스의제조 방법 및 전자 기기 |
CN100452943C (zh) * | 2005-03-30 | 2009-01-14 | 精工爱普生株式会社 | 电子设备用基板、电子设备、电子设备的制造方法 |
US7677941B2 (en) | 2005-03-30 | 2010-03-16 | Seiko Epson Corporation | Electronic device substrate, electronic device, method of manufacturing electronic device, and electronic apparatus |
JP2007066775A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機el素子の製造方法及び有機el素子 |
KR20170108176A (ko) * | 2008-12-11 | 2017-09-26 | 오스람 오엘이디 게엠베하 | 유기발광다이오드 및 조명수단 |
KR102029563B1 (ko) | 2008-12-11 | 2019-10-07 | 오스람 오엘이디 게엠베하 | 유기발광다이오드 및 조명수단 |
US10605422B2 (en) | 2008-12-11 | 2020-03-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organic-light-emitting diode |
US11585504B2 (en) | 2008-12-11 | 2023-02-21 | Pictiva Displays International Limited | Organic-light-emitting diode |
US11828425B2 (en) | 2008-12-11 | 2023-11-28 | Pictiva Displays International Limited | Organic-light emitting diode |
JP2011183802A (ja) * | 2010-03-04 | 2011-09-22 | Toshiba Corp | プリントヘッドおよび画像形成装置 |
JP2012208214A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Sony Corp | 表示パネル、表示装置および電子機器 |
JP2013057726A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Sony Corp | 表示パネル、表示装置および電子機器 |
KR20170056554A (ko) | 2014-09-18 | 2017-05-23 | 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코 | 발광 소자, 표시 장치 및 조명 장치 |
US10446783B2 (en) | 2014-09-18 | 2019-10-15 | Japan Science And Technology Agency | Light-emitting device, display apparatus and lighting apparatus |
CN110178238A (zh) * | 2017-01-11 | 2019-08-27 | 应用材料公司 | 用于处理基板的方法和设备 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2461649B1 (en) | Organic electroluminescence element | |
JP5676867B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
KR101604155B1 (ko) | 발광 장치 및 그의 제조 방법 | |
US8063553B2 (en) | Organic electroluminescence display device and method of manufacturing the same | |
JP2001148292A (ja) | 有機el素子 | |
KR101319306B1 (ko) | 유기전계발광 소자의 제조방법 | |
GB2430798A (en) | Electroluminescent device with protective structure | |
JP2004047179A (ja) | 帯電防止有機el素子およびその製造方法 | |
JP3852518B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
US8298839B2 (en) | Manufacturing method of a thin film active element | |
JP2004031262A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスパネル | |
JP2005044799A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP3852517B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
US7396269B2 (en) | Method for fabricating organic EL element | |
JP4578032B2 (ja) | エレクトロルミネッセント素子の製造方法 | |
JP2004103247A (ja) | 有機el表示装置 | |
WO2013179873A1 (ja) | 有機電界発光装置およびその製造方法ならびに電子機器 | |
JP4044362B2 (ja) | 有機el素子の製造方法 | |
JP4893839B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP2017130408A (ja) | 発光装置 | |
WO2013133090A1 (ja) | 表示装置 | |
JP3852520B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP5184938B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
JP2005005223A (ja) | 発光素子および表示デバイス | |
JP2008234890A (ja) | 有機エレクトロルミネセンスパネル及び有機エレクトロルミネセンス表示装置 |