CN1678146A

CN1678146A - 显示装置的制造方法

Info

Publication number: CN1678146A
Application number: CNA2005100717477A
Authority: CN
Inventors: 秋吉宗治
Original assignee: Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd
Current assignee: Japan Display Central Inc
Priority date: 2004-03-05
Filing date: 2005-03-07
Publication date: 2005-10-05
Anticipated expiration: 2025-03-07
Also published as: KR100646297B1; US20050196528A1; CN100429802C; TW200601879A; US7449215B2; KR20060043397A; TWI256269B

Abstract

包括：在基板(120a)上形成绝缘层(201)的工序，将第1掩模材料(203)涂布在绝缘层(201)上对应第1色像素的区域的工序，将第2掩模材料(203)涂布在绝缘层(201)上对应第2色像素的区域的工序，采用第1及第2掩模材料对绝缘层(201)进行构图并且形成各自光栅节距不同的第1衍射光栅及第2衍射光栅(115)的工序，其特征在于：通过选择涂布方式涂布第1及第2掩模材料。

Description

显示装置的制造方法

本申请基于于2004年3月5日提交的日本专利申请No.2004-062655并声明享有其优先权，该全文内容通过参考包含于此文。

1、技术领域

本发明涉及显示装置的制造方法，尤其涉及利用多个自发光元件所构成的显示装置的制造方法。

2、技术背景

近年来，有机电致发光(EL)显示装置作为平面显示装置受到注目。这种有机EL显示装置由于是采用自发光元件，所以具有视角大且无需背光而可实现薄型化、能降低电能消耗且响应速度快的特点。

由于这些特点，有机EL显示装置作为取代液晶显示装置的下一代平面显示装置的有力候补倍受关注。这种有机EL显示装置包括通过将有机EL元件配置成矩阵状所构成的阵列基板，其中，该有机EL元件在阴极与阳极之间夹持着含具有发光功能的有机化合物的有机活性层。

作为用于实现可彩色显示的有机EL显示装置的代表方法，例如，将各种发光色像素配置成红(R)、绿(G)、蓝(B)三色的方法。然而，其存在下述问题，即，在有机EL元件内产生的光中仅可向外部发出20％大小的光。为此，要想得到足够的亮度，需要向有机EL元件提供大电流，这样是不令人满意的。

此处，为了提高在有机EL元件内产生的光的出射率，提出了一种配置衍射光栅技术(例如，参考特开2003-163075号公报)。

发明概要

本发明的目的在于解决上述问题，提供一种可提高显示性能而在产业上被很好地有效利用的显示装置的制造方法。

根据本发明第1方面的显示装置的制造方法，所述显示装置包括：

配置在基板上、射出不同波长光的第1色像素和第2色像素、

对应上述第1色像素设置的第1衍射光栅、

对应上述第2色像素设置的、光栅节距与上述第1衍射光栅不同的第2衍射光栅，该显示装置的制造方法包括：

在上述基板上形成绝缘层的工序，

在上述绝缘层上对应上述第1色像素的区域上涂布第1掩模材料的工序，

在上述绝缘层上对应上述第2色像素的区域上涂布第2掩模材料的工序，

采用上述第1掩模材料以及上述第2掩模材料对上述绝缘层构图并且分别形成上述第1衍射光栅以及第2衍射光栅的工序，其特征在于：

通过选择涂布方式涂布上述第1掩模材料以及上述第2掩模材料。

根据本发明第2方面的显示装置的制造方法，所述显示装置包括：

配置在基板上、射出不同波长光的第1色像素和第2色像素、

对应上述第1色像素设有的第1衍射光栅、

对应上述第2色像素设有的、光栅节距与上述第1衍射光栅不同的第2衍射光栅，该显示装置的制造方法其特征在于包括：

在上述基板上形成绝缘层的工序，

在上述绝缘层上对应上述第1色像素的区域上选择性地涂布第1聚合物的工序，

在上述绝缘层上对应上述第2色像素的区域上选择性地涂布第2聚合物的工序，

使上述第1聚合物与上述第2聚合物相分离，分别形成上述第1衍射光栅以及第2衍射光栅的工序。

根据本发明可提供一种能提高显示性能且产业上被很好地有效利用的显示装置的制造方法。

本发明其他的目的和优点将在下面说明书中被阐明，并且部分内容由说明书将会显而易见或通过实践本发明被领会。本发明的目的和优点可通过此后所指出具体手段及结合方式实现或获得。

附图说明

作为此文说明书一部分的附图用于解释本发明的原理，其阐述本发明当前优选实施例以及下列给出的优选实施例的一般说明及详细描述。

图1表示本发明第一实施形态的有机EL显示装置结构概略图。

图2表示图1所示有机EL显示装置的第1像素部分结构断面概略图。

图3表示用于涂布掩模材料的喷墨装置结构概略图。

图4A表示在制造用于形成有机EL显示装置的工序中，准备含第1绝缘层的配线基板的工序以及在第1绝缘层上形成第2绝缘层的工序图。

图4B表示在制造用于形成有机EL显示装置的工序中，在第2绝缘层上形成分离壁的工序图。

图4C表示在制造用于形成有机EL显示装置的工序中，在第2绝缘层上涂布掩模材料的工序图。

图4D表示在制造用于形成有机EL显示装置的工序中，使掩模材料相分离的工序图。

图4E表示在制造用于形成有机EL显示装置的工序中，形成衍射光栅的工序图。

图4F表示在制造用于形成有机EL显示装置的工序中，形成衍射光栅的工序图。

图4G表示在制造用于形成有机EL显示装置的工序中，形成衍射光栅的工序图。

发明详细描述

下面将参照附图对本发明一实施形态中的显示装置的制造方法进行说明。在该实施形态中，作为显示装置，以自发光显示装置，例如有机EL(电致发光)显示装置为例来进行说明。

有机EL显示装置，如图1所示，由具有显示图象的显示区102的阵列基板100、将阵列基板100的至少一个显示区102密封的密封件200所构成。显示区102由多个配置成矩阵状的像素PX(R、G、B)所构成。

各像素PX(R、G、B)包括：将ON像素和OFF像素电气分离且具有对给到ON像素的视频信号起着保持功能的像素开关10；基于所供给的视频信号通过像素开关10向显示元件提供所需驱动电流的驱动晶体管20；预定期保持驱动晶体管20的栅极-源极间电位的存储电容元件30。这些像素开关10以及驱动晶体管20由例如薄膜晶体管构成，此处，采用多晶硅半导体层。

各像素PX(R、G、B)分别包括作为显示元件的有机EL元件40(R、G、B)。即，红色像素PXR包括射出对应红色波长光的有机EL元件40R。绿色像素PXG包括射出对应绿色波长光的有机EL元件40G。蓝色像素PXB包括射出对应蓝色波长光的有机EL元件40B。

各种有机EL元件40(R、G、B)结构基本上相同，例如如图2所示，该有机EL元件40由在每个像素PX上所形成的独岛状的第1电极60，和与第1电极60对向配置、在所有像素PX上共同形成的第2电极66；以及被保持在这些第1电极60和第2电极66间的具有光活性层功能的有机活性层64构成。

另外，阵列基板100包括多个沿着像素PX行方向(即图1的Y方向)所配置的扫描线Ym(m＝1、2、…)、多个沿着与扫描线Ym大致正交方向(即图1的X方向)所配置的信号线Xn(n＝1、2、…)、用于给有机EL元件40的第1电极60提供电源的电源供给线P。另外，阵列基板100还包括在沿着显示区102外周的边缘区104上将扫描信号提供到各扫描线Ym的扫描线驱动回路107以及将视频信号提供到各信号线Xn中的信号线驱动回路108。

所有扫描线Ym与扫描线驱动回路107相连。另外，所有信号线Xn与信号线驱动回路108相连。像素开关10此处配置在扫描线Ym与信号线Xn交叉部分的附近。像素开关10的栅极电极与扫描线Ym连接，源极电极与信号线Xn相连，漏极电极与存储电容元件30的一端侧以及驱动晶体管20的栅极电极20G连接。

驱动晶体管20与有机EL元件40串联地相连。驱动晶体管20的源电极20S连接到存储电容元件30的另外一端和电源供给线P上。漏极电极20D与有机EL元件40的第1电极60相连。

电源供给线P与显示区102的四周所配置的第1电极电源线(图中未示出)连接。有机EL元件40的第2电极66与设置在显示区102的四周所配置的用于供给公共电位即接地电位的第2电极电源线(图中未示出)相连接。

阵列基板100，如图2所示，包括配置在配线基板120上的有机EL元件40。另外，配线基板120由在玻璃基板和塑性板材等绝缘性支持基板101上设置有像素开关10、驱动晶体管20、存储电容元件30、扫描线驱动回路107、信号线驱动回路108、各种配线(扫描线、信号线、电源供给线等)、后述衍射光栅等而构成。

构成有机EL元件40的第1电极60被配置在配线基板120上。该第1电极60采用ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)等具有光透过性的导电部件所形成作为阴极。

有机活性层64至少含有发光层，由有机基材料构成。该有机活性层64还可含有发光层以外的层。例如，有机活性层64还可以由含有与所有色像素共同形成的孔穴缓冲层和电子缓冲层，以及，各色像素上所形成的有机发光层的多层叠层体所构成。而且，有机活性层64的构成还可以采用由含发光层的各种层进行功能复合而成的2层或单层。孔穴缓冲层含有孔穴注入层和孔穴输送层等，配置在阳极及有机发光层间，由例如芳香族胺类衍生物及多噻吩衍生物、聚苯胺衍生物等薄膜形成。发光层由具有发出红、绿或蓝光发光性能的有机化合物所形成。该发光层在采用例如高分子基发光材料时，由PPV(聚对苯乙烯)和聚芴衍生物或其前身等薄膜所构成。在有机活性层64中，发光层如果采用有机基材料，发光层以外的层既可采用无机基材料也可采用有机基材料。

电子缓冲层含有电子注入层、电子输送层等，配置在阴极和有机发光层之间，由例如LiF(氟化锂)、Alq₃等薄膜构成。

第2电极66与各有机EL元件40共同配置在有机活性层64上。该第2电极66是由具有例如Ca(钙)、Al(铝)、Ba(钡)、Ag(银)、Yb(镱)等电子注入性能的金属膜构成的阴极。该第2电极66也可采用金属覆盖层阴极金属膜的2层结构。金属覆盖层例如由铝形成。

另外，阵列基板100包括在显示区102中将各像素RX(R、G、B)分离的隔离壁70。隔离壁70沿着第1电极60边缘呈栅状或条状配置。

但是，由于有机EL元件40为自发光元件，EL发光的出射方向遍及各个方位。作为定方位观察的显示设备，为了EL发光出射效率好，利用反射和折射而使非观察方向的EL发光也在观察方向出射的技术是必不可少的。

这里，在观察位置与有机活性层64之间，配置有保持一定程度规则性的凹凸即衍射光栅，采用一定频率使观察方向外的EL发光向观察方向弯曲，这是一种有效使用方法。然而，虽然衍射光栅在微小的基板上可容易做成，但大型基板上作成是困难的。另外，可彩色显示的有机EL显示装置中，由于与各红(R)、绿(G)、蓝(B)的波长相对应的衍射角度不同，需要对各波长设定最合适的衍射光栅的光栅节距。

为此，在该实施形态中，对于每个红、绿、蓝3种发光色像素PX(R、G、B)，通过配置具有对应由各有机EL元件40(R、G、B)所射出的EL发光波长最合适的光栅节距的衍射光栅，可使显示性能显著提高。

即，如图2所示，配线基板120包括配置在支持基板101上的第1绝缘层110以及配置在第1绝缘层110与有机EL元件40之间的衍射光栅115。在该实施形态中，第1绝缘层110含有底涂层111、栅极绝缘膜112、层间绝缘膜113以及平坦化层114。底涂层111配置在支持基板101上，由氮化硅(SiN)等形成。栅极绝缘膜112配置在底涂层111上，用覆盖驱动晶体管20的半导体层21等的氧化硅膜(SiO₂)等形成。层间绝缘膜113配置在栅极绝缘膜112上，用覆盖驱动晶体管20的栅极电极20G等的氧化硅膜(SiO₂)等形成。平坦化层114为配置在层间绝缘膜113上的硬树脂涂层(HRC)。

衍射光栅115可通过对配置在第1绝缘层110上的第2绝缘层201进行构图形成。第2绝缘层201当然由所述具有透过从有机EL元件40所射出的EL发出的光线的光透过性材料形成，例如由氮化硅膜等形成。该衍射光栅115在其表面(与有机EL元件相对的面)上具有最适合每个色像素的光栅节距P的凹凸。其中，光栅节距P对应于最接近的凸部201A的中心之间的距离。衍射光栅115的表面即凹凸面由平坦化层116所平坦化。

该平坦化层116由与第2绝缘层201折射率不同并且具有将从有机EL元件40射出的EL发光透过的光透过性的所述材料形成。另外，平坦化层116最好采用玻璃转移点在90C～120C的有机绝缘膜。在该实施形态中，平坦化层116为HRC层。例如当由氮化硅膜所形成的衍射光栅115的折射率为2.2时，HRC层的折射率为1.5。

衍射光栅115的光栅节距P最好设定为大致射出长波长光色像素大小。例如，红色像素PXR上所形成的衍射光栅的光栅节距为0.22至1.15μm，绿色像素PXG上所形成的衍射光栅的光栅节距为0.18至0.95μm蓝色像素PXB上所形成的衍射光栅的光栅节距为0.16至0.85μm。

这样，对于每个色像素上具有不同光栅节距的所述衍射光栅115，在第2绝缘层201成膜之后，采用喷墨方式，在第2绝缘层201上涂布相分离聚合物，并将该相分离聚合物作为掩模材料，仅一次构图就可成批形成。

即，对该相分离聚合物进行加热处理，以可平面内均一化地以毫微级地形成高耐蚀性部分和低耐蚀性部分。而且，改变聚合物种类及配比，能够容易改变相分离间隔(高耐蚀性部分节距)。即，可选择地准备对于各色像素不同节距的相分离聚合物。作为相分离聚合物，可采用例如[Jpn.J.Appl.Phys.Vol.41(2002)pp.6112-6118，Part1，No.10，October 2002]中所记载的材料。

即，通过准备出3种所述形成相应相分离时红(R)、绿(G)、蓝(B)各波长的节距的聚合物，采用各自的喷墨方式进行涂布，并实施加热处理，可相应聚合物种别，以预定节距形成相分离掩模。通过采用该掩模进行构图，可很方便地随处形成相应各波长的节距的凹凸。

这里，就用于涂布由聚合物形成的掩模材料的喷墨式涂布装置进行说明。例如，如图3所示，涂布装置1130包括载置作为工件W的基板(即配线基板120)的载台1131。在该载台1131的上方配置有喷墨头1132。在载台1131的下方，使在X方向延伸的轨道1133以及在Y方向延伸的轨道1134大致正交配置。载台1131在图中未示出的驱动结构作用下可沿着X方向在轨道1133上移动。另外，轨道1133以及载台1131通过在图中未示出的驱动结构可沿着Y方向在轨道1134上移动。根据此结构，在载台1131上载置的工件W相对喷墨头1132可彼此在大致正交的X方向及Y方向这两个方向上相对移动。

接下来对该衍射光栅115的制造工序进行说明。

首先，如图4A所示，准备一块包括第1绝缘层110的基板120a。即准备一块这样的基板120a，其由重复进行金属膜及绝缘膜的成膜、构图等处理，以在绝缘性基板101上，形成除包括像素开关10、驱动晶体管20、存储电容元件30、扫描线驱动回路107、信号线驱动回路108、信号线Xn、扫描线Ym、电源供给线P等各种配线之外还含有底涂层111、栅极绝缘膜112、层间绝缘膜113以及平坦化层114的第1绝缘层110，其还具有纵480像素、横640×3(R、G、B)像素合计92万的像素。接着，将在该基板120a上形成衍射光栅115的基板作为配线基板120。

接着，在基板120a上的一个主面即第1绝缘层110上形成第2绝缘层201。其中，将在平坦化层114上配置的氮化硅膜作为第2绝缘层201。此外，该第2绝缘层201及平坦化层114包括可与驱动晶体管20的漏极电极20D导通的接触孔。

然后，如图4B所示，在第2绝缘层201上，形成分离对应各色像素区域的光刻胶202。该光刻胶202为例如通常在构图时所使用的正性光刻胶。该光刻胶202在全部第2绝缘层201上被成膜之后，对其进行构图，使之除去形成衍射光栅115的所有区域，即，每个对应蓝色的蓝色区域ArB、对应绿色的绿色区域ArG、对应红色的红色区域ArR。另外，形成衍射光栅115的所有区域Ar(R、G、B)的尺寸比在后面所形成的各色像素开口部大许多，并且其外周内含色像素外周。该光刻胶202起到了防止将接下来所涂布的掩模材料在相邻的另外的色像素之间混合的分离壁的作用。另外，该光刻胶202可以在第2绝缘层201上形成栅格状，也可以在将行方向或列方向色像素配置为相同色的情况下在色像素间形成条状。

接着，如图4C所示，采用喷墨方式将对第2绝缘层201构图的掩模材料203涂布在第2绝缘层201上。即，将包括光刻胶202的基板120a载置在涂布装置1130的载台1131上。而且，通过喷墨头1132，在蓝色区域ArB涂布蓝色区域用掩模材料203B，在绿色区域ArG涂布绿色区域用掩模材料203G，在红色区域ArR涂布红色区域用掩模材料203R。

这些掩模材料203(R、G、B)如前说明，在对相分离聚合物通过加热处理相分离之际，调整高耐蚀性部分间隔即掩模节距使之互不相同，即，使掩模材料203B相分离时的掩模节距调整为0.16至0.85μm。使掩模材料203G的掩模节距调整为0.18～0.95μm。使掩模材料203R的掩模节距调整为0.22～1.15μm。

接下来，对涂布掩模材料203(R、G、B)的基板120a进行加热处理。即，将涂布掩模材料203的基板120a在180 C退火8小时，如图4D所示，各掩模材料203(R、G、B)以预定掩模节距相分离。即，各掩模材料203(R、G、B)高耐蚀性部分P1与低耐蚀性部分P2相分离。此时，退火时间优选适于相分离最难的掩模材料。

接着形成衍射光栅115。首先，如图4E所示，对各掩模材料203(R、G、B)进行蚀刻。即，通过O₂灰化(ァッシンダ)将所干蚀的易相分离聚合物区域(低耐蚀性部分P2)除去。此时，光刻胶202和掩模材料(相分离聚合物)203的被蚀刻的容易相分离的部分P2的配比优选为光刻胶∶掩模材料＝1∶1.7。这样，掩模材料203中仅高耐蚀性部分P1残存于第2绝缘膜201上。

此后，如图4F所示，对第2绝缘层201进行蚀刻。即，通过掩模材料203，将第2绝缘层201用CF₄-O₂基混合气体进行干蚀。这样，在第2绝缘层201上将形成高度(或深度)为70～100nm大小的凸部201A(或凹部201B)。此后，通过湿蚀，将残存在第2绝缘层201的表面上的光刻胶202及掩模材料203都除去。

此后，如图4G所示，形成第2绝缘层201和采用折射率不同材料填充凹部201B的用于将第2绝缘层201表面平坦化的平坦化层116。即，在第2绝缘层201上成膜玻璃转移点在90～120C附近具有感光性有机绝缘膜，使在平坦部膜厚为0.5～0.9μm。此后，形成可与驱动晶体管20漏极电极20D导通的接触孔并在100C附近加热处理30分钟。有机绝缘膜在加热处理时在玻璃转移点附近保持一定温度的部分的流动性增加。据此，有机绝缘膜会在被填充到第2绝缘层201表面的凹部201B的同时，将在第2绝缘层201凸部201A上所配置的有机绝缘膜自身的表面平坦化。于是，便形成了平坦化层116。经过这些工序，蓝色区域ArB、绿色区域ArG、以及红色区域ArR中，分别形成光栅节距不同的衍射光栅115。即，衍射光栅115具有蓝色用衍射光栅115B、绿色用衍射光栅115G、以及红色用衍射光栅115R。通过蓝色区域用掩模材料203B，形成衍射光栅115B使之具有第1光栅节距。通过绿色区域用掩模材料203G，形成衍射光栅115G使之具有不同于第1节距的第2光栅节距。通过红色区域用掩模材料203R，形成衍射光栅115R使之具有不同于第1节距及第2节距的第3光栅节距。此时，从第2绝缘层201凸部201A上端30nm厚度，衍射光栅115全部被平坦化。

接着，包括衍射光栅115的配线基板120的各像素中，形成有由ITO形成的第1电极60。对于该第1电极60，可以采用普通光刻法形成，也可以采用掩模溅射法。

然后，形成隔壁70。即，采用感光性树脂材料例如丙烯类正性光刻胶并用普通光刻法等工艺进行构图来形成隔壁70。

接着，在各像素内，将除有机发光层外还含有空穴缓冲层等的有机活性层64进行成膜。即，将2.0wt％的形成空穴缓冲层及有机发光层等的高分子基发光聚合物材料溶液，边喷射向隔壁70所划分的像素内，边涂布在第1电极60上。在采用压电型喷墨喷嘴进行此溶液的涂布时，发光聚合物材料的供给量为0.05ml/min。

而且，需在100℃高温下，进行15秒的干燥处理，以将溶液中含有的溶质除去。如此形成的各像素的有机活性层64会形成去溶质后均一的膜厚，此处膜厚约1500埃。为此，以确保此后所形成的第2电极66与第1电极60之间确实电气绝缘，可防止短路的发生。

接着，在有机活性层64上形成第2电极66。即，在10-7Pa的真空度下，将作为阴极用金属膜的钡(Ba)以600埃的膜厚气相沉积，然后，将作为金属覆盖层用金属膜的铝(Al)以1500～3000埃的膜厚气相沉积。这样便形成了有机EL元件40。

然后，为了将在阵列基板100上的显示区102密封，沿着密封体200外周涂布紫外线硬化型密封材料400，在氮气和氩气等不活性气体环境下经过阵列基板100和密封体200粘合。这样，有机EL元件40便被封入不活性气体氛围的密闭空间内。此后，进行紫外线照射，以使密封材料400硬化。

这样形成的下方发光式彩色显示型有源矩阵有机EL显示装置，与采用现有方式相同的驱动电流的、不具有衍射光栅的显示装置进行比较，可获得4倍左右高的辉度，并实现了很好的显示性能。另外，无须为了提高辉度而向元件提供大电流，由于可抑制元件劣化，可作为长寿命产品而充分维持其性能。

另外，由于将喷墨方式用在了用于形成衍射光栅115的掩模材料203(R、G、B)以及有机活性层64的形成上，材料的使用效率会高达80％，并可确保材料的供给系统中除残存物之外会全部有效用于成膜。于是，可提高生产效率。

另外，本发明不限定于上述实施形态，在该实施形态的工序中可对构成要素作出不脱离其要旨的范围的变形而具体化。另外，根据上述实施形态中所公开的多个构成要素的适当组合可形成多种发明。例如，可以从实施形态所公开的所有构成要素减去几个构成要素。甚至使跨越不同实施形态的构成要素进行适当组合也可以。

例如，可适用于本发明中的有机EL元件的结构也不介意为发挥此性能或与其相当的结构。即，也可以是采用低分子基材料而采用气相沉积构图方式形成有机活性层的元件，或是采用高分子基材料而采用喷墨方式形成有机活性层的元件。

另外，在涂布掩模材料时，可采用作为选择涂布方式的喷墨方式，然而，也可以采用其他的选择涂布方式。

另外，对于基板120a上，可通过具有预定节距凹凸面的第2绝缘层201、能与折射率不同于第2绝缘层201的凹凸面重叠的平坦化层116，来形成衍射光栅115，但不限于此例。例如，在基板120a上，衍射光栅115可由折射率彼此不同的部分以预定节距分开的相分离聚合物形成。这种情况，例如，使在上述的实施形态中适用的相分离聚合物相分离并可易于形成衍射光栅。

另外，即使改变衍射光栅而形成光散射层，也可得到很好的显示性能和生产效率。例如，采用喷墨方式等选择涂布方式，改变用于调整光出射性能的微粒子与固定微粒子的树脂的混合液并涂布在相分离聚合物上。这样，在每种色中可容易配置最适合条件调整的光散色层。例如，也可涂布混合每种色中粒子直径、粒子形状、粒子材料不同的微粒子的树脂。而且，与利用旋涂方式等全面涂布方式情况相比，可抑制旋转时涉及的离心力不一致引起的不稳定。另外，无须存在微粒子障碍及加工精度问题的构图工序，可使制造效率进一步提高。

本发明另外的优点及修正对本领域技术人员来说是易于想到的。由此，本发明从广义上讲并没有限定在本文所展示和说明的细节描述和代表性实施例中。相应地，可对本发明作出各种不脱离其内容的精神和范围的修改，本发明由所附权利要求及其同等内容所限定。

Claims

1、一种显示装置的制造方法，所述显示装置包括：

配置在基板上、射出不同波长光的第1色像素和第2色像素、

对应上述第1色像素设有的第1衍射光栅、

对应上述第2色像素设有的、光栅节距与上述第1衍射光栅不同的第2衍射光栅，该显示装置的制造方法包括：

在上述基板上形成绝缘层的工序，

采用上述第1掩模材料以及上述第2掩模材料对上述绝缘层构图，并且分别形成上述第1衍射光栅以及第2衍射光栅的工序，其特征在于：

2、如权利要求1所述显示装置的制造方法，其特征在于，上述第1掩模材料和上述第2掩模材料采用相分离聚合物。

3、如权利要求1所述显示装置的制造方法，其特征在于，在涂布上述第1掩模材料和上述第2掩模材料工序之前，具有在上述绝缘层上形成分离壁的工序，其中，所述分离壁将对应上述第1色像素的区域与对应上述第2色像素的区域分离。

4、如权利要求1所述显示装置的制造方法，其特征在于，上述第1色像素上所形成衍射光栅的光栅节距，比出射光波长长于上述第1色像素的上述第2色像素上所形成的衍射光栅的光栅节距小。

5、如权利要求1所述显示装置的制造方法，其特征在于，形成上述第1衍射光栅及第2衍射光栅的工序包括利用具有光透射性的材料使得已构图上述绝缘层表面变得平坦的工序。

6、如权利要求5所述显示装置的制造方法，其特征在于，将上述衍射光栅平坦化的材料为玻璃转移点在90C～120C的有机绝缘膜。

7、如权利要求1所述显示装置的制造方法，其特征在于，上述色像素具有：在上述衍射光栅上所形成的独岛状的具有光透射性的第1电极、与第1电极对向配置的第2电极、以及保持在上述第1电极和第2电极间的光活性层。

8、一种显示装置的制造方法，所述显示装置包括：

配置在基板上、射出不同波长光的第1色像素和第2色像素、

对应上述第1色像素设有的第1衍射光栅、

对应上述第2色像素上设有的、光栅节距与上述第1衍射光栅不同的第2衍射光栅，该显示装置的制造方法其特征在于包括：

在上述基板上形成绝缘层的工序，

使上述第1聚合物与第2聚合物相分离，分别形成上述第1衍射光栅以及第2衍射光栅的工序。