CN1684565A - 平板显示器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种平板显示器件，其包括衬底、有机发光元件、低熔点金属层和无机复合物层。设置在衬底上的有机发光元件包括第一电极、对着第一电极的第二电极、以及设置在第一和第二电极之间从而当电流流过它时产生光的有机发光层。在有机发光元件上设置低熔点金属层来保护有机发光元件。在低熔点金属层上设置具有多种彼此混合的无机物的无机复合物层来保护低熔点金属层和有机发光元件。因此，改进了有机发光元件，并且简化了平板显示器件的制造工艺。

Description

平板显示器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种平板显示器件及其制造方法。具体地，本发明涉及一种有效保护有机发光元件并能够降低制造成本的平板显示器件。本发明还涉及该平板显示器件的制造方法。
背景技术
平板显示器分为液晶显示器(LCD)、等离子体显示器(PDP)和有机发光显示器(OLED)等等。
LCD器件包括一附加光源，它增加了LCD的厚度。而且，LCD的视场角窄。PDP能耗较大。
另一方面，OLED器件显示出更好的特性，例如高亮度，宽视场角，外形薄，低能耗等等。另外，OLED器件可以通过更简单的制造工艺得到，降低了制造成本。此外，在挠性衬底上制造的OLED能提供一种挠性的显示器件，它有很大的需求量。
OLED的有机发光元件包括象素电极、反电极和有机发光层。象素电极和反电极分别提供空穴和电子。当电子和空穴分别从两个电极注入有机发光层时。通过电子和空穴的结合，OLED显示器件产生激子，和当激子从激发态变为基态时，产生光。
OLED的有机发光层暴露在水或氧气中，使有机发光层的电化学特性恶化，所以，OLED需要密封的空间或保护层来使有机发光元件与水或氧气隔绝。
为了这个目的，在有机发光元件上OLED形成了金属罐或玻璃板。但是，金属罐或玻璃板使制造工艺变得复杂，并且增加了OLED的制造成本。同样，它增加了OLED的厚度。
在有机发光元件层上涂覆有机或无机层来形成保护层。但是，形成保护层时使用的等离子体、热或紫外线可能劣化有机发光元件。
通过不同工艺形成的保护层往往延迟制造工艺，并增加制造成本。
热变形也可能劣化其它平板显示器(例如LCD，或PDP)的元件。
发明内容
本发明提供一种平板显示装置，它能有效地保护它的发光元件并且能降低制造成本。
本发明也提供一种制造平板显示器件的简化方法。
本发明示范实施例的平板显示器件包括衬底、有机发光元件、金属层和无机复合物层。在衬底上设置有机发光元件。有机发光元件包括第一电极、第二电极和有机发光层。第二电极对着第一电极，有机发光层插入在它们之间。在有机发光元件上形成低熔点金属层作为保护层。在低熔点金属层上可形成无机复合物层来保护低熔点金属层和有机发光元件。无机复合物层包括由多种无机物彼此混合而成的无机复合物。
低熔点金属层包括锂(Li)、锌(Zn)、镓(Ga)、铷(Rb)、铯(Cs)、铊(Tl)、铋(Bi)、锡(Sn)、铟(In)、钠(Na)、钾(K)或具有其混合物的合金。低熔点金属层的熔点可以不高于约300℃。一些实例中，该熔点也可不高于约150℃。
本发明也提供一种制造平板显示器件的方法。在衬底上形成第一电极、有机发光层和第二电极来形成有机发光元件。响应于电流流动，有机发光元件产生光。第二电极面对着具有有机发光层的第一电极。在有机发光元件上沉积低熔点金属。在低熔点金属上形成无机复合物，无机复合物包括多种混合在一起的无机物。
本发明的另一方面，在一个腔体中在有机发光元件上原位沉积和形成低熔点金属和无机复合材料。
低熔点金属层可以包括合金，这样低熔点金属层可以在不高于约150℃的温度下形成。另外，合金可以防止在其上沉积的无机复合物层的结晶化。此外，无机复合物层包括无机物组成的无机复合材料，它可以降低无机复合物层的渗透性。而且，低熔点金属层和无机复合物层在同一个腔体中原位形成，以简化平板显示器件的制造工艺，并且以便减少其制造时间。
平板显示器件可以包括有机发光显示器件(OLED)，OLED可以包括有源型OLED和无源型OLED。
附图说明
通过详细地阐述其示范实施例和参考附图，本发明的以上及其他特征将更加明显。
图1是显示根据本发明示范实施例的平板显示器件的平面图；
图2是图1沿I-I’线截取的剖视图；
图3、4、5和6是显示根据本发明示范实施例制造平板显示器件的方法的剖视图；
图7是显示根据本发明的示范实施例用于沉积低熔点金属和无机复合材料的热蒸发的剖视图；
图8是显示根据本发明另一示范实施例的平板显示器件的剖视图；
图9是显示根据本发明另一示范实施例的平板显示器件的剖视图；
图10、11和12是显示根据本发明另一示范实施例制造平板显示器件的方法的剖视图；
图13是显示根据本发明另一示范实施例的平板显示器件的剖视图；
图14、15、16和17是显示根据本发明另一示范实施例制造平板显示器件的方法的剖视图。
具体实施方式
应当理解的是，下面描述的本发明示范实施例可以通过许多不同的方法做各种修改而并不脱离在此揭示的发明原理，因此本发明的范围并不局限于下面这些特定实施例。更确切的说，提供这些实施例是为了使说明更彻底和全面，通过举例而非作为限制来向那些本领域技术人员充分地传达本发明的概念。
下面将通过参考附图来详细说明本发明。
图1是显示根据本发明示范实施例的平板显示器件的平面图。图2是图1沿I-I’线截取的剖视图。
参考图1和图2，平板显示器件包括衬底100、有机发光元件150、存储电容103、低熔点金属层112、无机复合物层114和有机保护层116。
衬底100包括玻璃、三醋酸纤维(TAC)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、对苯二甲酸乙二醇聚酯(PET)、聚萘酸乙二酯(PEN)、聚乙烯醇(PVA)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、环烯烃聚合物(COP)或其混合物。
象素包括有机发光元件150、开关晶体管107、驱动晶体管109、栅绝缘层101a和绝缘层101b。有机发光元件150包括象素电极102、岸104、有机发光层106和反电极110。
开关晶体管107包括第一源电极105c、第一栅电极105b、第一漏电极105a和第一半导体层图案(未示出)。第一源电极105c和数据线105c，电连接，以接收从驱动电路(未示出)输出的数据信号。第一栅电极105b设置在衬底100上与栅线105b’连接，以接收从驱动电路输出的栅电压。第一漏电极105a和第一源电极105c隔离开。第一半导体层图案(未示出)设置在第一漏电极105a和第一源电极105c之间。
驱动晶体管109包括第二漏电极108a、第二栅电极108b和第二源电极108c。第二漏电极108a和偏压线108a’电连接来接收偏压。第二栅电极108b设置在衬底100上。第二栅电极108b通过辅助接触孔和开关晶体管107的第一漏电极105a电连接。第二源电极108c和第二漏电极108a隔离开。未示出的第二半导体图案设置在第二源电极108c和第二漏电极108a之间。
当在数据线105c’和栅线105b’上分别施加数据电压和栅电压时，数据电压通过第一源电极105c、第一半导体图案和第一漏电极105a施加在第二栅电极108b上。当数据电压施加在第二栅电极108b上时，在第二半导体层图案中形成沟道，从而偏压就施加在第二源电极108c上。
栅绝缘层101a使第一栅电极105b、栅线105b’、和第二栅电极108b与第一源电极105a、数据线105c’、第一漏电极105c、第二漏电极108a、偏压线108a’、和第二源电极108c电绝缘。栅绝缘层101a包括绝缘材料，例如，如氮化硅、氧化硅等。
绝缘层101b设置在具有开关晶体管107、驱动晶体管109、栅线105b’、数据线105c’和偏压线108a’的衬底100上。绝缘层101b包括接触孔，通过它将第二源电极108c和象素电极102电连接。绝缘层101b包括有机绝缘材料或无机绝缘材料，例如，如氮化硅，氧化硅。
第二栅电极108b的一部分和偏压线108a’的一部分重叠，以形成存储电容103。存储电容103维持在一帧画面期间象素电极102和反电极110之间的电势差。
象素电极102设置在衬底100上由偏压线108a’、栅线105b’和数据线105c’定义的区域内。象素电极102包括透明导电材料，例如，如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZO)等等。
岸104设置在具有象素电极102的绝缘层101b上，以形成象素电极102中心部分上的凹进部分。
在通过岸104形成的凹进部分中形成有机发光层106。有机发光层106可以包括三(8-羟基-喹啉)铝(Alq3)、聚对乙烯、聚芴。有机发光层106包括红有机发光部分、绿有机发光部分和蓝有机发光部分。红有机发光部分可以包括掺杂剂，例如，如二氯甲烷(DCM)、DCJT、DCJTB等等。绿有机发光层可以包括掺杂剂，例如，如香豆素6、二羟基喹啉并吖啶(Qd)等等。
反电极110形成在有机发光层106和岸104上。公共电压施加在反电极110上。反电极110包括金属氧化物或金属，例如，如钙(Ca)、钡(Ba)、铝(Al)等等。或者，反电极110可以包括低渗透性的导电材料来保护有机发光层106。
在本示范实施例中，象素电极102包括透明导电材料。更多选择，反电极110可以包括透明导电材料。
施加在第二漏电极108c上的偏压通过接触孔施加在象素电极102上。因此，电流经由有机发光层106在象素电极102和反电极110之间流动。象素电极102提供的空穴和反电极110提供的电子结合，以在有机发光层106中形成激子。当激子失去能量衰减到基态时，就产生光。
在有机发光元件150上设置低熔点金属层112，来保护有机发光元件150免于受到随后工艺中产生的热量的损害。低熔点金属层112也可以保护有机发光元件150免于受到周围环境杂质的污染。杂质可包括，例如，可以损害有机发光元件150的水和氧气。在一个大气压下，低熔点金属层112的熔点可以不高于约300℃。优选地，在一个大气压下低熔点金属层112的熔点可以不高于约150℃。在高于约150℃的温度下，有机发光元件150的特性会改变。另外，高于约300℃的温度会使有机发光元件150明显恶化。
低熔点金属层112包括低熔点金属，例如，如锂(Li)、锌(Zn)、镓(Ga)、铷(Rb)、铯(Cs)、铊(Tl)、铋(Bi)、锡(Sn)、铟(In)、钠(Na)、钾(K)等等。低熔点金属层112可包括具有多种低熔点金属的合金。
在一个大气压下，锂的熔点是约280.69℃(553.69K)。在一个大气压下，锌的熔点是约420.73℃(692.73K)。在一个大气压下，镓的熔点是约29.93℃(302.93K)。在一个大气压下，铷的熔点是约39.2℃(312.2K)。在一个大气压下，铯的熔点是约28.6℃(301.6K)。在一个大气压下，铊的熔点是约303.6℃(576.6K)。在一个大气压下，铋的熔点是约271.5℃(544.5K)。在一个大气压下，锡的熔点是约232.1℃(505.1K)。在一个大气压下，铟的熔点是约156.32℃(429.32K)。在一个大气压下，钠的熔点是约97.96℃(370.96K)。在一个大气压下，钾的熔点是约63.8℃(336.8K)。在真空气氛中形成低熔点金属层112降低了低熔点金属的熔点。
低熔点金属层112的熔点可以不高于约150℃。更多选择，可以省略反电极110，这样公共电压可以施加在低熔点金属层112上。低熔点金属层112的厚度可以超过约10nm。
在低熔点金属层112上形成无机复合物层114来保护低熔点金属层112和有机发光元件150免于被平板显示器外的杂质污染。杂质会损害有机发光元件150的电/光学特性。无机复合物层114保护低熔点金属层112和有机发光元件免于被随后工艺中产生的热量所损害。
无机复合物层114包括多种混合在一起的无机物。无机物包括从氧化硅、碳化硅、氧化锂、氧化镁、氧化钙、氧化钡、硅胶、氧化铝、氧化钛、氮氧化硅、氮化硅、氮化铝、氟化镁和活性碳构成的组中的至少一种材料。无机复合物层114的厚度可以为约50nm到约500μm。
无机复合物层114包括不同大小的无机分子。不同大小的无机分子堆积，以降低无机复合物层114的渗透性低于具有单一无机物的无机层的渗透性。
在无机复合物层114上设置有机保护层116来保护无机复合物层114、低熔点金属层112和有机发光元件150免于受到外界对平板显示器造成的撞击。有机保护层116包括聚合树脂、聚对二甲苯等等。聚合树脂渗透性低。聚合树脂包括环氧树脂、硅树脂、氟化树脂、丙烯酸树脂、聚氨基甲酸酯树脂、酚醛树脂、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚脲、聚酰亚胺或其混合物。
图3、4、5和6是显示根据本发明示范实施例制造平板显示器件的方法的剖视图。
参考图3，将金属层沉积在衬底100上，并构图以形成第一栅电极105b、栅线105b’和第二栅电极108b。
在具有第一栅电极105b、栅线105b’和第二栅电极108b的衬底100上沉积绝缘材料。刻蚀绝缘材料以形成具有辅助接触孔的栅绝缘层101a，通过该辅助接触孔，第一漏电极105a和第二栅电极108b电连接。
相应于第一栅电极105b和第二栅电极108b，在栅绝缘层101a上形成非晶硅图案和N+非晶硅图案，来形成第一半导体层图案和第二半导体层图案。
在其上具有第一和第二半导体层图案的栅绝缘层101a上沉积金属。部分刻蚀沉积的金属来形成第一源电极105c、数据线105c’、第一漏电极105a、第二漏电极108a、偏压线108a’、第二源电极108c和存储电容103。因此，在衬底100上形成开关晶体管107和驱动晶体管109。开关晶体管107包括第一源电极105c、第一栅电极105b、第一漏电极105a和第一半导体层图案。驱动晶体管109包括第二漏电极108c、第二栅电极108b、第二源电极108a和第二半导体层图案。
在具有开关晶体管107、驱动晶体管109、栅线105b’、数据线105c’和偏压线108a’的衬底100上沉积另一绝缘层。刻蚀绝缘层来形成具有接触孔的绝缘层101b，通过该接触孔，使第二源电极108c部分暴露。绝缘层101b可以包括无机层或有机层。
在绝缘层101b上沉积金属层。刻蚀金属层来形成象素电极102。通过接触孔，象素电极102和第二源电极108c电连接。
在其上具有象素电极102的绝缘层101b上涂覆有机材料。通过光刻工艺部分除去有机材料来形成岸104。
通过喷墨工艺，将有机发光材料涂在岸104之间的凹进部分中来形成有机发光层106。
在有机发光层106和岸104上形成导电层，来形成反电极110。
这样就完成了在衬底100上形成有机发光元件150。有机发光元件150包括栅绝缘层101a、绝缘层101b、象素电极102、岸104、有机发光层106、开关晶体管107、驱动晶体管109和反电极110。
图7是显示根据本发明的示范实施例用于沉积低熔点金属和无机复合材料的热蒸发装置的剖视图。
参考图7，热蒸发装置包括腔体200、衬底固定单元202、低熔点金属供应单元205和无机复合材料供应单元207。
具有有机发光元件150的衬底100安放在衬底固定单元202上。
在腔体200中，第一供应单元205对应着衬底固定单元202。本实施例中，第一供应单元205包括第一加热器204b和安放在第一加热器204b上的低熔点金属源204a。
在腔体200中，第二供应单元207对应着衬底固定单元202。本实施例中，将第二供应单元207和第一供应单元205隔离开。第二供应单元207包括第二加热器206b和无机复合材料源206a。
参考图4和7，低熔点金属加热器204b采用第一电流I1加热低熔点金属源204a到不高于300℃的温度，低熔点金属源204a的金属分子发射到衬底100上。射出的金属分子一部分沉积到有机发光元件105上以形成低熔点金属层112。更多选择，低熔点金属加热器204b加热低熔点金属源204a到不高于150℃的温度。
参考图5和7，无机复合材料加热器206b采用第二电流I2加热无机复合材料源206a，无机复合材料源206a的无机分子发射到衬底100上。随着第二加热器206b加热温度的升高，无机复合物层114的渗透性降低。第二加热器206b可以加热无机复合材料源206a到不低于约200℃的温度。尽管第二加热器206b加热无机复合材料源206a到高于约200℃的温度，低熔点金属层112保护有机发光元件150免于受到沉积无机复合物层114期间形成的热量的损害。更多选择，第二加热器206b也可加热无机复合材料源206a到不低于约300℃的温度。发射的无机分子的一部分沉积到低熔点金属层112上以形成无机复合物层114。
低熔点金属层112和/或无机复合物层114可以采用物理气相沉积(PVD)形成。
参考图6，在无机复合物层114上涂覆具有低渗透性的聚合树脂来形成有机保护层116。可以采用丝网印刷工艺、狭缝涂布工艺、毛细管涂布工艺等等涂上聚合树脂。尽管将聚合树脂涂在无机复合物层114上时温度不低于约200℃，无机复合物层114和低熔点金属层112保护有机发光元件150免于受到形成有机保护层116期间形成的热量的损害。当在高于约200℃的温度下涂覆聚合树脂时，有机保护层116的渗透性降低。
根据本示范实施例，在反电极110上形成低熔点金属层112来保护有机发光元件150免于受到热量的损害。另外，无机复合物层114包括具有彼此混合的无机物的无机复合材料来保护有机发光元件150免于受到杂质污染。
图8是显示根据本发明另一示范实施例的平板显示器件的剖视图。除了低熔点金属层，图8所示的平板显示器件和图1和2中的平板显示器件相同。因此，涉及到图1和2中所说明的相同或相似部分时，将采用同样的参考标记，并且任何重复的说明将会被省略。
参考图1和8，平板显示器件包括衬底100、有机发光元件150、存储电容103、低熔点金属层113、无机复合物层114和有机保护层116。
有机发光元件150包括栅绝缘层101a、绝缘层101b、象素电极102、岸104、有机发光层106、开关晶体管107、驱动晶体管109和反电极110。
开关晶体管107包括和数据线105c’电连接的第一源电极105c、和栅线105b’电连接的第一栅电极105b，并包括第一漏电极105a以及第一半导体层图案(未示出)。
驱动晶体管108包括和偏压线108a’电连接的第二漏电极108a、通过辅助接触孔和开关晶体管107的第一漏电极105a电连接的第二栅电极108b，以及第二源电极108c。
在有机发光元件150上设置低熔点金属层113来保护有机发光元件150。在一个大气压下，层113的熔点可以不高于约150℃。
低熔点金属层113包括锂(Li)、锌(Zn)、镓(Ga)、铷(Rb)、铯(Cs)、铊(Tl)、铋(Bi)、锡(Sn)、铟(In)、钠(Na)和钾(K)的混合物组成的合金。合金的熔点低于纯低熔点金属的熔点。
根据本示范实施例，上述合金的低熔点金属层113可以在低于纯低熔点金属的熔点的温度下形成。这防止了对有机发光元件150潜在的热应力。
另外，合金的金属分子大小不同，从而将这些金属分子堆积在一起以降低低熔点金属层113的渗透性。此外，具有合金的低熔点金属层113的表面比具有纯低熔点金属的低熔点金属层的表面更不规则，以防止无机复合物层114的结晶化。这降低了无机复合物层114的渗透性。
图9是显示根据本发明另一示范实施例的平板显示器件的剖视图。除了低熔点金属层和吸收层，图9所示的平板显示器件和图1和2中所示相同。因此，涉及到图1和2中所说明的相同或相似部分时，将采用同样的参考标记，并且重复的说明将会被省略。
参考图1和9，平板显示器件包括衬底100、有机发光元件150、存储电容103、低熔点金属层113、吸收层118、无机复合物层114和有机保护层116。
有机发光元件150包括栅绝缘层101a、绝缘层101b、象素电极102、岸104、有机发光层106、开关晶体管107、驱动晶体管109和反电极110。
开关晶体管107包括和数据线105c’电连接的第一源电极105c、和栅线105b’电连接的第一栅电极105b，并包括第一漏电极105a和第一半导体层图案(未示出)。
驱动晶体管109包括和偏压线108a’电连接的第二漏电极108a、通过辅助接触孔和开关晶体管107的第一漏电极105a电连接的第二栅电极108b，以及第二源电极108c。
在有机发光元件150上设置低熔点金属层113。低熔点金属层113包括具有低熔点金属的合金，举例来说，低熔点金属例如是锂(Li)、锌(Zn)、镓(Ga)、铷(Rb)、铯(Cs)、铊(Tl)、铋(Bi)、锡(Sn)、铟(In)、钠(Na)、钾(K)等。
在低熔点金属层113上设置吸收层118来保护有机发光元件150和低熔点金属层113免于受到周围环境湿气损害。吸收层118包括吸湿材料，例如，如无机硅、碳化硅、氧化钙、氧化钡、氧化镁、活性碳或其混合物。
在吸收层118上设置无机复合物层114来保护吸收层118、低熔点金属层113和有机发光元件150免于受到来自平板显示器外的杂质污染。无机复合物层114可以保护吸收层118、低熔点金属层113和有机发光元件150免于受到外界的撞击。
在无机复合物层114上设置有机保护层116来同样保护无机复合物层114、吸收层118、低熔点金属层113和有机发光元件150免于受到外界的撞击。有机保护层116也可保护无机复合物层114、吸收层118、低熔点金属层113和有机发光元件150免于受到外界杂质污染。
图10、11和12是显示根据本发明另一示范实施例制造平板显示器板方法的剖视图。
参考图10，在衬底100上形成有机发光元件150。
在有机发光元件150上沉积低熔点金属来形成低熔点金属层113。
参考图11，在低熔点金属层113上沉积吸湿材料来形成吸收层118。
参考图12，在吸收层118上沉积无机复合材料来形成无机复合物层114。
低熔点金属层113、吸收层118和无机复合物层114可以通过物理气相沉积(PVD)工艺、热蒸发工艺等工艺形成。更多选择，低熔点金属层113、吸收层118和无机复合物层114可以通过原位沉积。
在无机复合物层114上涂覆聚合树脂来形成有机保护层116。
根据本示范实施例，在低熔点金属层113和无机复合物层114之间设置吸收层118来保护有机发光元件150免于被平板显示器外的湿气损害。
图13是显示根据本发明另一示范实施例的平板显示器件的剖视图。除了低熔点金属层、吸收层和辅助无机层，图13所示的平板显示器件和图1、2中所示相同。因此，涉及到图1、2中所说明的相同或相似部分时，将采用同样的参考标记，并且将不会重复相同的说明。
参考图1和13，平板显示器件包括衬底100、有机发光元件150、存储电容103、低熔点金属层113、无机复合物层114、吸收层118、辅助无机层115和有机保护层116。
本实施例中，在有机发光元件150上设置低熔点金属层113。低熔点金属层113包括具有多种低熔点金属的合金，例如，低熔点金属例如是锂(Li)、锌(Zn)、镓(Ga)、铷(Rb)、铯(Cs)、铊(Tl)、铋(Bi)、锡(Sn)、铟(In)、钠(Na)、钾(K)等。
在低熔点金属层113上设置无机复合物层114来保护低熔点金属层113和有机发光元件150免于受到外界杂质对平板显示器件的污染。
在无机复合物层114上设置吸收层118来保护无机复合物层114、低熔点金属层113和有机发光元件150免于受到外界湿气损害。
在吸收层118上设置辅助无机层115来保护吸收层118、无机复合物层114、低熔点金属层113和有机发光元件150免于受到外界杂质污染。
辅助无机层115包括无机物质，例如，如氧化硅、碳化硅、氧化锂、氧化镁、氧化钙、氧化钡、硅胶、氧化铝、氧化钛、氮氧化硅、氮化硅、氮化铝、氟化镁、活性炭等等。更多选择，辅助无机层115可以包括多种无机物相互混合的无机复合材料。
有机保护层116保护辅助无机层115、吸收层118、无机复合物层114、低熔点金属层113和有机发光元件150免于受到外界撞击。
在另一示范实施例中，平板显示器件也可以包括设置在有机保护层116上的多个无机层和/或多个有机层。
图14、15、16和17是显示根据本发明另一示范实施例制造平板显示器件方法的剖视图。
参考图14，在衬底100上形成有机发光元件150。
在有机发光元件150上沉积低熔点金属来形成低熔点金属层113。
在低熔点金属层113上沉积无机复合材料来形成无机复合物层114。
参考图15，在无机复合物层114上沉积吸湿材料来形成吸收层118。
参考图16，在吸收层118上沉积无机物或无机复合材料来形成辅助无机层115。
低熔点金属层113、无机复合物层114、吸收层118和辅助无机层115可以通过物理气相沉积(PVD)、热蒸发工艺等工艺形成。低熔点金属层113、无机复合物层114、吸收层118和辅助无机层115可以原位沉积。
参考图17，在辅助无机层115上涂覆聚合树脂来形成有机保护层116。
根据本示范实施例，平板显示器件包括设置在无机复合物层114上的吸收层118和设置在吸收层118上用来保护有机发光元件150免于受到外界杂质污染的辅助无机层115。
虽然不希望被理论所束缚，这里还是要说明无机复合物层的渗透性比只含一种无机物的无机层的渗透性低的可能原因。只含一种无机物的无机层的分子大小彼此基本上完全相等。相反，无机复合物层的分子大小彼此不同。当大小不同的分子混合时，小分子堆积在大分子之间，以降低无机复合物层的渗透性。
另外，具有一种低熔点金属的低熔点金属层的分子大小彼此基本上完全相等。但是，具有低熔点金属合金的低熔点金属层的分子大小彼此不同。当大小不同的分子混合时，小分子堆积在大分子之间，从而具有合金的低熔点金属层具有比具有一种低熔点金属的低熔点金属层更紧凑的结构。
此外，合金的熔点比纯金属的熔点低，使得具有合金的低熔点金属层的熔点比具有一种低熔点金属的低熔点金属层的熔点低。因此，尽管合金中含有的锌(Zn)或铊(Tl)的熔点高于约300℃，具有合金的低熔点金属层的熔点可以不高于150℃。
当低熔点金属层包括合金时，合金可以防止沉积在低熔点金属层上的无机复合物层结晶化，来降低无机复合物层的渗透性。通常，非晶无机材料的渗透性比多晶无机材料的渗透性低。具有合金的低熔点金属层比具有单一低熔点金属的低熔点金属层具有更不规则的表面，从而沉积在具有合金的低熔点金属层上的分子排列被打乱，因此防止了沉积在低熔点金属层上的无机复合物层结晶化。
根据本发明，低熔点金属层保护有机发光元件。另外，低熔点金属层包括合金，从而低熔点金属层可以在不高于约150℃的温度下形成，并且可以防止沉积在低熔点金属层上的无机复合物层的结晶化。此外，无机复合物层包括多种无机物彼此混合在一起组成的无机复合材料，使得无机复合物层的渗透性降低。尽管改变了无机复合材料的成分，但在无机复合物层和衬底之间形成的结构失配降低了。同样，无机复合物层和衬底之间热膨胀系数不同而产生的应力失配也可降低。
此外，低熔点金属层和无机复合物层可以在一个腔体中原位形成，这简化了平板显示器件的制造工艺，并减少了制造平板显示器件的时间。这增加了平板显示器件的产量。
尽管参照示范实施例已经说明了本发明。但显然的是，根据前述说明，对那些本领域技术人员而言明显存在很多可供选择的修改和变化。因此，本发明包含所有这些落在所附权利要求书精神和范围之内的可供选择的修改和变化。

Claims (25)

1.一种有机电致发光器件，包括：
衬底；
形成在所述衬底上的第一电极；
形成在所述第一电极上的有机发光层；
形成在所述有机发光层上的第二电极；以及
形成在所述第二电极层上的金属层。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，进一步包括：
形成在所述金属层上的无机层。
3.如权利要求2所述的有机电致发光器件，其中所述金属层低于300℃时融化。
4.如权利要求3所述的有机电致发光器件，其中所述金属层低于150℃时融化。
5.如权利要求3所述的有机电致发光器件，其中所述金属层厚度超过10nm。
6.如权利要求2所述的有机电致发光器件，其中所述无机层是复合物层。
7.如权利要求6所述的有机电致发光器件，其中所述复合物层由至少两种无机物形成。
8.如权利要求2所述的有机电致发光器件，进一步包括：
形成在所述金属层上的有机层和无机层。
9.如权利要求8所述的有机电致发光器件，其中所述有机层和无机层可选择性地形成。
10.如权利要求7所述的有机电致发光器件，进一步包括：
形成在所述金属层上的吸收层。
11.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中所述金属层包括锂(Li)、锌(Zn)、镓(Ga)、铷(Rb)、铯(Cs)、铊(Tl)、铋(Bi)、锡(Sn)、铟(In)、钠(Na)、钾(K)或它们的合金中的至少一种。
12.如权利要求9所述的有机电致发光器件，其中所述吸收层包括由无机硅、碳化硅、氧化钙、氧化钡、氧化镁和活性炭构成的组中的至少一种。
13.如权利要求2所述的有机电致发光器件，进一步包括：
形成在所述无机复合物层上的有机层。
14.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中所述金属层是In、Sn、Ti和Zn中至少两种的复合物。
15.如权利要求13所述的有机电致发光器件，进一步包括：
包括由无机硅、碳化硅、氧化钙、氧化钡、氧化镁和活性炭构成组中至少一种的吸收层。
16.如权利要求13所述的有机电致发光器件，进一步包括：
厚度为约50μm到约500μm的有机层。
17.一种制造有机电致发光器件的方法，包括：
在衬底上形成第一电极；
在所述第一电极上形成有机发光层；
在所述有机发光层上形成第二电极；以及
在所述第二电极上形成金属层。
18.如权利要求17所述的方法，进一步包括：
在所述金属层上形成无机复合物层。
19.如权利要求17所述的方法，其中所述金属层厚度超过10nm。
20.如权利要求17所述的方法，进一步包括：
在所述金属层上形成无机层。
21.如权利要求17所述的方法，进一步包括：
在所述金属层上形成有机层和无机层。
22.如权利要求21所述的方法，其中可选择性地形成所述有机层和无机层。
23.如权利要求17所述的方法，进一步包括：
在所述金属层上形成吸收层。
24.如权利要求21所述的方法，其中所述有机层的厚度在约50μm和约500μm之间。
25.一种显示器件，包括：
衬底；
晶体管；
和所述晶体管电连接的象素电极；
发光层；
融化温度低于300℃的金属层；其中所述金属层保护发光层免于受到后面工艺的损害。
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