KR20200136552A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20200136552A
KR20200136552A KR1020190062056A KR20190062056A KR20200136552A KR 20200136552 A KR20200136552 A KR 20200136552A KR 1020190062056 A KR1020190062056 A KR 1020190062056A KR 20190062056 A KR20190062056 A KR 20190062056A KR 20200136552 A KR20200136552 A KR 20200136552A
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inorganic
auxiliary
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송현규
정희성
김선화
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명의 일 실시예는, 기판, 기판 상에 배치된 표시 요소와, 표시 요소 상에 배치된 제1무기봉지층과, 제1무기봉지층 상의 유기봉지층과, 제1무기봉지층과 유기봉지층 사이에 개재되고, 두께가 100nm 보다 작으며, 무기절연물을 포함하는, 보조층, 및 유기봉지층 상의 제2무기봉지층을 포함하는, 표시 장치를 개시한다.

Description

표시 장치{Display device}
본 발명의 실시예들은 표시 장치에 관한 것이다.
근래에 표시 장치는 그 용도가 다양해지고 있다. 또한, 표시 장치의 두께가 얇아지고 무게가 가벼워 그 사용의 범위가 광범위해지고 있는 추세이며, 다양한 분야에서 활용될 수 있는 표시 장치에 관한 연구가 지속적으로 이루어지고 있다.
표시 장치에 구비된 표시 요소들은 이미지를 제공하기 위하여 소정의 색상의 빛을 방출하는데, 이 때 방출된 빛은 표시 요소들을 밀봉하기 위한 봉지 부재를 통과할 수 있다. 봉지 부재가 복수의 층이 적층된 구조의 경우 표시 요소에서 방출된 빛의 색 편이가 야기되는 문제가 발생할 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 고품질의 이미지를 제공할 수 있으며 표시 요소들을 외부 불순물로부터 보호할 수 있는 봉지 부재를 포함하는 표시 장치를 제공한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예는, 기판; 상기 기판 상에 배치된 표시 요소; 상기 표시 요소 상에 배치된 제1무기봉지층; 상기 제1무기봉지층 상의 유기봉지층; 상기 제1무기봉지층과 상기 유기봉지층 사이에 개재되고, 두께가 100nm 보다 작으며, 무기절연물을 포함하는, 보조층; 및 상기 유기봉지층 상의 제2무기봉지층;을 포함하는, 표시 장치를 개시한다.
상기 보조층의 두께(t)는, 30nm ≤ t < 100nm 일 수 있다.
상기 제1무기봉지층의 두께(T)는 600nm ≤ T ≤ 2200nm일 수 있다.
상기 보조층은 상기 제1무기봉지층의 상면과 직접 접촉하며, 상기 보조층의 굴절률(n3)은 아래의 조건을 만족할 수 있다.
min(n1, n2)+|n2-n1|×0.25< n3 < min(n1, n2)+|n2-n1|×0.75
여기서, n1은 제1무기봉지층의 굴절률이고, n2는 유기봉지층의 굴절률이며, min(n1, n2)은 n1과 n2 중 최소값을, |n2-n1|은 n2과 n1의 차이의 절대값을 나타낸다.
상기 제1무기봉지층과 상기 보조층은 각각 비금속원소를 포함하되, 상기 제1무기봉지층에 포함된 비금속원소와 상기 보조층에 포함된 비금속원소는 동일할 수 있다.
상기 제1무기봉지층과 상기 보조층은 실리콘옥시나이트라이드를 포함하되, 상기 제1무기봉지층의 굴절률과 상기 보조층의 굴절률은 서로 다를 수 있다.
상기 유기봉지층은 상기 보조층의 상면과 직접 접촉할 수 있다.
상기 보조층과 상기 유기봉지층 사이에 개재되는 하부층을 더 포함할 수 있다.
상기 하부층의 굴절률은 상기 유기봉지층의 굴절률과의 차이가 0.05 보다 작을 수 있다.
상기 하부층은 무기절연물을 포함할 수 있다.
상기 하부층은 상기 보조층과 동일한 비금속원소를 포함할 수 있다.
상기 하부층 및 상기 보조층은 실리콘 원소, 질소원소, 산소원소를 포함하는 무기절연물을 포함하고, 상기 하부층의 산소의 함량은 상기 보조층의 산소의 함량 보다 클 수 있다.
본 발명의 실시예는, 기판; 상기 기판 상에 배치된 복수의 유기발광다이오드들; 상기 복수의 유기발광다이오드들을 커버하는 제1무기봉지층; 상기 제1무기봉지층 상의 제2무기봉지층; 상기 제1무기봉지층과 상기 제2무기봉지층 사이의 유기봉지층; 및 상기 제1무기봉지층과 상기 유기봉지층 사이에 개재되는 보조층; 을 포함하고, 상기 보조층의 두께는 상기 제1무기봉지층의 두께 보다 작으며, 아래의 조건을 만족하는, 표시 장치를 개시한다.
30nm ≤ t < 100nm
여기서, t는 상기 보조층의 두께를 나타낸다.
상기 제1무기봉지층의 두께(T)는 600nm ≤ T ≤ 2200nm일 수 있다.
상기 제1무기봉지층, 상기 보조층, 및 상기 제2무기봉지층은 비금속원소를 포함하는 무기절연물을 구비할 수 있다.
상기 보조층의 굴절률(n3)은 아래의 조건을 만족할 수 있다.
min(n1, n2)+|n2-n1|×0.25< n3 < min(n1, n2)+|n2-n1|×0.75
여기서, n1은 제1무기봉지층의 굴절률이고, n2는 유기봉지층의 굴절률이며, min(n1, n2)은 n1과 n2 중 최소값을, |n2-n1|은 n2과 n1의 차이의 절대값을 나타낸다.
상기 제1무기봉지층에 포함된 비금속원소와 상기 보조층에 포함된 비금속원소는 동일하며, 상기 보조층의 굴절률은 상기 제1무기봉지층의 굴절률 보다 작을 수 있다.
상기 보조층은 상기 제1무기봉지층 및 상기 유기봉지층과 직접 접촉할 수 있다.
상기 보조층과 상기 유기봉지층 사이에 개재되며, 상기 유기봉지층과의 굴절률의 차이가 0.05 보다 작은 하부층을 더 포함할 수 있다.
상기 하부층은 무기절연물을 포함하며, 상기 보조층 및 상기 유기봉지층과 직접 접촉할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 표시 요소들에서 방출되는 빛의 색 편이를 방지할 수 있으며 표시 장치의 두께를 최소화하면서 외부 불순물로부터 표시 요소들을 봉지할 수 있는 표시 장치를 제공할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 어느 하나의 화소영역에 배치된 표시요소 및 그에 연결된 화소회로를 나타낸다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 간략하게 나타낸 모식도이다.
도 6은 제1무기봉지층의 두께 변화 및 보조층의 두께 변화에 따른 MPCD(minimum perceptible color difference)를 나타낸 시뮬레이션 결과이다.
도 7은 제1무기봉지층의 두께 변화 및 보조층의 굴절률 변화에 따른 MPCD(minimum perceptible color difference)를 나타낸 시뮬레이션 결과이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 간략하게 나타낸 모식도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 10a 내지 도 10d는 각각 본 발명의 실시예들에 따른 그래프로서, 시야각에 대한 MPCD(minimum perceptible color difference)를 나타낸다.
도 11a 및 도 11b는 각각 본 발명의 비교예들에 따른 그래프로서, 시야각에 대한 MPCD(minimum perceptible color difference)를 나타낸다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우도 포함한다.
이하의 실시예에서 x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
본 명세서에서 "A 및/또는 B"은 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(10)는 표시영역(DA) 및 표시영역(DA)에 인접한 비표시영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 장치(10)는 표시영역(DA)에 배치된 복수의 화소영역(P)들을 포함한다. 각 화소영역(P)에는 소정의 색상의 빛을 방출할 수 있는 표시요소가 배치되며, 표시요소는 스캔라인(SL) 및 데이터라인(DL)에 연결될 수 있다. 도 1은 표시 장치(10) 중 기판(100)의 모습으로 이해될 수 있다. 예컨대, 기판(100)이 표시영역(DA) 및 비표시영역(NDA)을 갖는 것으로 이해될 수 있다.
비표시영역(NDA)에는 스캔라인(SL)을 통해 각 화소영역(P)에 스캔신호를 제공하는 스캔 드라이버(1100), 데이터라인(DL)을 통해 각 화소영역(P)에 구비된 표시요소에 데이터신호를 제공하는 데이터 드라이버(1200), 및 제1 및 제2전원전압을 제공하기 위한 메인 전원배선이 배치될 수 있다.
도 1은 데이터 드라이버(1200)가 기판(100) 상에 배치된 것을 도시하나, 다른 실시예로서 데이터 드라이버(1200)는 표시 장치(10)의 일 측에 배치된 패드와 전기적으로 접속된 FPCB(flexible Printed circuit board) 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 표시 장치(10)는 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display), 무기 EL 표시 장치(Inorganic Light Emitting Display), 양자점 표시 장치(Quantum dot display) 등을 포함할 수 있다. 이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치로서, 유기 발광 표시 장치를 예로 하여 설명하지만, 본 발명의 표시 장치는 이에 제한되지 않으며, 후술할 특징은 전술한 바와 같은 다양한 방식의 표시 장치에 적용될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 어느 하나의 화소영역에 배치된 표시요소 및 그에 연결된 화소회로를 나타낸다.
도 2를 참조하면, 표시요소인 유기발광다이오드(OLED)는 화소회로(PC)에 연결된다. 화소회로(PC)는 제1 박막트랜지스터(T1), 제2 박막트랜지스터(T2), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 예컨대, 적색, 녹색, 또는 청색의 빛을 방출하거나, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다.
제2 박막트랜지스터(T2)는 스위칭 박막트랜지스터로서, 스캔라인(SL) 및 데이터라인(DL)에 연결되며, 스캔라인(SL)으로부터 입력되는 스위칭 전압에 따라 데이터라인(DL)으로부터 입력된 데이터 전압을 제1 박막트랜지스터(T1)로 전달할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제2 박막트랜지스터(T2)와 구동전압선(PL)에 연결되며, 제2 박막트랜지스터(T2)로부터 전달받은 전압과 구동전압선(PL)에 공급되는 제1 전원전압(ELVDD)의 차이에 해당하는 전압을 저장할 수 있다.
제1 박막트랜지스터(T1)는 구동 박막트랜지스터로서, 구동전압선(PL)과 스토리지 커패시터(Cst)에 연결되며, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압 값에 대응하여 구동전압선(PL)으로부터 유기발광다이오드(OLED)를 흐르는 구동 전류를 제어할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 전류에 의해 소정의 휘도를 갖는 빛을 방출할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)의 대향전극(예, 캐소드)는 제2전원전압(ELVSS)을 공급받을 수 있다.
도 2는 화소회로(PC)가 2개의 박막트랜지스터와 1개의 스토리지 커패시터를 포함하는 것을 설명하고 있으나, 다른 실시예에서 박막트랜지스터의 개수 또는 스토리지 커패시터의 개수는 화소회로(PC)의 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있음은 물론이다.
도 3 및 도 4는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 기판(100) 상에는 화소회로를 포함하는 화소회로층(PCL)이 배치되고, 표시요소인 유기발광다이오드(OLED)는 화소회로층(PCL) 상에 배치되며, 박막봉지층(300)으로 커버된다.
기판(100)은 고분자 수지 또는 글래스재를 포함할 수 있다. 고분자 수지를 포함하는 기판(100)은 플렉서블, 롤러블 또는 벤더블 특성을 가질 수 있다.
일 실시예로, 기판(100)은 도 3에 도시된 바와 같이 제1베이스층(101), 제1배리어층(102), 제2베이스층(103), 및 제2배리어층(104)을 포함할 수 있다. 제1베이스층(101) 및 제2베이스층(103)은 각각 고분자 수지를 포함할 수 있다. 예컨대, 제1베이스층(101) 및 제2베이스층(103)은 폴리에테르술폰(PES, polyethersulfone), 폴리아릴레이트(PAR, polyarylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenene napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP) 등과 같은 고분자 수지를 포함할 수 있다. 제1배리어층(102) 및 제2배리어층(104)은 외부 이물질의 침투를 방지하는 배리어층으로서, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥사이드와 같은 무기물을 포함하는 단일 층 또는 다층일 수 있다.
다른 실시예로 기판(100)은 도 4에 도시된 바와 같이 글래스재를 포함하는 단일층일 수 있다. 예컨대, 기판(100)은 SiO2를 주성분으로 하는 글래스 기판일 수 있다.
전술한 기판(100) 상의 화소회로층(PCL)은 박막트랜지스터(TFT)를 포함할 수 있으며, 도시되지는 않았으나 박막트랜지스터(TFT)와 연결된 스토리지 캐패시터를 포함할 수 있다. 박막트랜지스터(TFT)의 구조는 각 화소마다 동일한 구조를 가질 수 있다. 각 박막트랜지스터(TFT)는 각 화소에 구비된 표시요소와 연결될 수 있다.
박막트랜지스터(TFT)는 비정질실리콘, 다결정실리콘 또는 유기반도체물질을 포함하는 반도체층(Act), 게이트전극(GE), 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)을 포함할 수 있다. 반도체층(Act)과 게이트전극(GE)과의 절연성을 확보하기 위해, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등의 무기물을 포함하는 게이트절연층(121)이 반도체층(Act)과 게이트전극(GE) 사이에 개재될 수 있다. 게이트전극(GE)의 상부에는 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등의 무기물을 포함하는 층간절연층(131)이 배치될 수 있으며, 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 전술한 층간절연층(131) 상에 배치될 수 있다. 무기물을 포함하는 절연층은 CVD(chemical vapor deposition) 또는 ALD(atomic layer deposition)를 통해 형성될 수 있다.
게이트전극(GE), 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 다양한 도전성 물질로 형성될 수 있다. 게이트전극(GE)은 몰리브덴 또는 알루미늄을 포함할 수 있고, 단층 또는 다층구조를 취할 수 있다. 예컨대 게이트전극(GE)은 몰리브덴의 단일층이거나, 몰리브덴층, 알루미늄층 및 몰리브덴층을 포함하는 3층 구조일 수 있다. 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 티타늄 또는 알루미늄을 포함할 수 있고, 단층이거나 다층구조를 취할 수 있다. 일 실시예로 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 티타늄층, 알루미늄층 및 티타늄층을 포함하는 3층 구조일 수 있다.
전술한 구조의 박막트랜지스터(TFT)와 기판(100) 사이에는 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드 및/또는 실리콘옥시나이트라이드 등과 같은 무기물을 포함하는 버퍼층(110)이 개재될 수 있다. 이러한 버퍼층(110)은 기판(100)의 상면의 평활성을 높이거나 기판(100) 등으로부터의 불순물이 박막트랜지스터(TFT)의 반도체층(Act)으로 침투하는 것을 방지하거나 최소화하는 역할을 할 수 있다.
박막트랜지스터(TFT) 상에는 평탄화절연층(140)이 배치될 수 있다. 평탄화절연층(140)은 예컨대 아크릴, BCB(Benzocyclobutene) 또는 HMDSO(hexamethyldisiloxane) 등과 같은 유기물로 형성될 수 있다. 도 3에서는 평탄화절연층(140)이 단층으로 도시되어 있으나, 다층일 수 있다.
유기발광다이오드(OLED)는 화소전극(221), 중간층(222), 및 대향전극(223)을 포함한다.
화소전극(221)은 평탄화절연층(140) 상에 배치되되, 각 화소마다 하나씩 배치될 수 있다. 화소전극(221)은 반사전극일 수 있다. 일 실시예로서, 화소전극(221)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 다른 실시예로서, 화소전극(221)은 전술한 반사막의 위 또는/및 아래에 배치된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다. 전술한 투명 또는 반투명 전극층은 인듐틴산화물(ITO; indium tin oxide), 인듐아연산화물(IZO; indium zinc oxide), 아연산화물(ZnO; zinc oxide), 인듐산화물(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨산화물(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄아연산화물(AZO; aluminum zinc oxide)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다. 일부 실시예에서, 화소전극(210)은 ITO층, Ag층, ITO층의 3층 구조일 수 있다.
화소전극(210)들 상에는 화소정의막(150)이 배치된다. 화소정의막(150)은 각 화소전극(210)의 중심부분을 노출하는 개구(150OP)를 갖는다. 화소정의막(150)은 화소전극(210)의 에지와 대향전극(223) 사이의 거리를 증가시켜, 화소전극(210)의 에지에서 아크 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 화소정의막(150)은 폴리이미드, 폴리아마이드(Polyamide), 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐, HMDSO(hexamethyldisiloxane) 및 페놀 수지 등과 같은 유기 절연 물질로, 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다.
화소정의막(150)의 개구(150OP)를 통해 노출된 화소전극(210) 상에는 발광층(222b)이 배치될 수 있다. 발광층(222b)은 적색, 녹색 또는 적색의 빛을 방출할 수 있는 형광 또는 인광 물질을 포함하는 유기물일 수 있다. 전술한 유기물은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물일 수 있다.
발광층(222b)의 아래와 위에는 각각 제1기능층(222a) 및 제2기능층(222c)이 배치될 수 있다. 제1기능층(222a)은 예컨대, 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer)을 포함하거나, 홀 수송층 및 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer)을 포함할 수 있다. 제2기능층(222c)은 발광층(222b) 위에 배치되는 구성요소로서, 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및/또는 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다. 제2기능층(222c)은 선택적(optional)이다. 일부 실시예에서 제2기능층(222c)은 구비되지 않을 수 있다.
발광층(222b)은 화소정의막(150)의 개구에 대응하도록 각각 배치되는데 반해,
제1기능층(222a) 및 제2기능층(222c)은 각각 후술할 대향전극(223)과 마찬가지로 기판(100)을 전체적으로 커버하도록, 예컨대 기판(100)의 표시영역을 전체적으로 커버하도록 일체로 형성된 공통층일 수 있다.
대향전극(223)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 대향전극(223)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다. 일 실시예로, 대향전극(223)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 또는 은(Ag)과 마그네슘(Mg)의 합금을 포함할 수 있다.
캐핑층(230)은 대향전극(223) 상에 위치할 수 있다. 예컨대, 캐핑층(230)은 LiF를 포함하거나, 무기절연물을 포함하거나 유기절연물을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 캐핑층(230)은 생략될 수 있다.
박막봉지층(300)은 적어도 하나의 무기봉지층 및 적어도 하나의 유기봉지층을 포함할 수 있다. 예컨대, 박막봉지층(300)은 도 4에 도시된 바와 같이 제1무기봉지층(310), 유기봉지층(320), 및 제2무기봉지층(330)을 포함하되, 제1무기봉지층(310)과 유기봉지층(320) 사이에 개재된 보조층(315)을 포함하는 것을 도시한다.
제1무기봉지층(310) 및 제2무기봉지층(330)은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 타탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드, 아연옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 중 선택된 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있다. 일부 실시예로서, 제1무기봉지층(310) 및 제2무기봉지층(330)은 비금속원소를 포함하는 무기절연층, 예컨대 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 또는 실리콘옥시나이트라이드를 포함할 수 있다. 제1무기봉지층(310)에 포함된 비금속원소의 개수 및 종류는 제2무기봉지층(330)에 포함된 비금속원소의 개수 및 종류와 서로 다를 수 있다. 예컨대, 제1무기봉지층(310)은 실리콘옥시나이트라이드를 포함할 수 있고, 제2무기봉지층(330)은 실리나이트라이드를 포함할 수 있다.
제1무기봉지층(310)의 두께(T)는 약 600nm 내지 2200nm의 범위의 두께를 가질 수 있다(600nm≤ T ≤2200nm). 제1무기봉지층(310)의 두께가 전술한 하한을 벗어나는 경우(예컨대, 600nm보다 작은 경우) 투습이 발생하는 문제가 있고, 전술한 상한을 벗어나는 경우 제1무기봉지층(310)이 벗겨지거나 분리되는 문제가 발생할 수 있다. 제2무기봉지층(330)의 두께는 제1무기봉지층(310)과 동일하거나, 그 보다 작거나 클 수 있다.
유기봉지층(320)은 제1무기봉지층(310) 및/또는 제2무기봉지층(330)의 내부 스트레스를 완화시킬 수 있다. 유기봉지층(320)은 폴리머(polymer)계열의 물질을 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌설포네이트, 폴리옥시메틸렌, 폴리아릴레이트, 헥사메틸디실록산, 아크릴계 수지(예를 들면, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴산 등) 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
유기봉지층(320)은 흐름성을 갖는 모노머를 도포한 후 열이나 자외선과 같은 빛을 이용하여 모노머층을 경화함으로써 형성할 수 있다. 또는, 유기봉지층(320)은 전술한 폴리머 계열을 물질을 도포하여 형성할 수 있다.
보조층(315)은 제1무기봉지층(310)과 유기봉지층(320) 사이에 개재된다. 보조층(315)은 제1무기봉지층(310) 및 유기봉지층(320)과 직접 접촉할 수 있다. 예컨대, 보조층(315)의 바닥면은 제1무기봉지층(310)의 상면에 직접 접촉하고, 보조층(315)의 상면은 유기봉지층(320)의 바닥면에 직접 접촉할 수 있다.
보조층(315)은 비금속원소를 포함하는 무기절연층일 수 있다. 일 실시예로, 보조층(315)에 포함된 비금속원소는 제1무기봉지층(310)과 동일한 비금속원소일 수 있으며, 비금속원소는 예컨대 실리콘(Si), 산소(O), 및 질소(N)를 포함할 수 있다.
각 화소마다 배치된 유기발광다이오드(OLED)에서 방출되는 빛은 박막봉지층(300)을 지나 외부로 진행한다. 이 때, 박막봉지층(300)의 박막 간섭 현상에 의해 기판(100)에 수직한 방향(예, z 방향)과 비스듬한 방향에서 보았을 때 사용자는 전체적으로 적색화(reddish)된 이미지를 시인하는 문제가 있으나, 박막봉지층(300)은 보조층(315)을 포함하기에 전술한 문제를 방지할 수 있다. 박막봉지층(300)의 구체적인 특징은 도 5를 참조하여 후술한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 간략하게 나타낸 모식도이다.
도 5를 참조하면, 표시 장치(10)는 순차적으로 적층된 기판(100), 화소회로층(PCL), 화소전극(221), 중간층(222), 대향전극(223) 및 캐핑층(230)을 포함하는 표시층(200), 및 박막봉지층(300)을 포함한다.
박막봉지층(300)은 빛의 진행 방향(또는, 표시층(200)으로부터 박막봉지층(300)을 향하는 방향)을 따라 순차적으로 배치된 제1무기봉지층(310) 및 보조층(315)을 포함할 수 있으며, 보조층(315) 상에는 유기봉지층(320) 및 제2무기봉지층(330)이 배치될 수 있다.
앞서 언급한 적색화(reddish)의 문제를 해소하는 방안으로서 제1무기봉지층(310)의 두께를 조절하는 방안을 고려해볼 수 있으나, 제1무기봉지층(310)을 형성하는 설비(예컨대, CVD 설비) 자체의 오차에 의해 두께를 제어하는 것이 현실적으로 용이하지 않다는 문제가 있다. 예컨대, 제1무기봉지층(310)은 표시층(200)을 수분 등으로부터 보호하며 제1무기봉지층(310)의 분리 등을 방지하기 위하여 전술한 바와 같이 약 600nm 내지 2200nm의 두께 범위를 가질 수 있는데, 무기절연층을 형성하는 설비의 오차가 약 10%인 경우, 실제로 형성되는 제1무기봉지층(310)의 두께 편차는 수십~수백 nm의 범위에 해당하므로 적색화를 해소하기 위한 제1무기봉지층(310)의 두께를 제어가 현실적으로 어려우며, 전술한 적색화의 문제를 해소하는데 한계가 있다.
본 발명의 실시예에 따른 박막봉지층(300)은 제1무기봉지층(310) 상에 보조층(315)을 배치함으로써, 제1무기봉지층(310)의 두께에 구애 되지 않고 전술한 적색화의 문제를 용이하게 해결할 수 있는 장점이 있다.
보조층(315)은 무기절연물로 형성할 수 있으며, 전술한 적색화의 문제를 최소화하거나 방지하기 위한 보조층(315)의 두께(t)는 100nm 보다 작을 수 있다. 예컨대, 보조층(315)의 두께(t)는 30mn와 같거나 그보다 크고, 100nm 보다 작을 수 있다 (30nm ≤ t < 100nm).
도 6은 제1무기봉지층(310)의 두께 변화 및 보조층(315)의 두께 변화에 따른 MPCD(minimum perceptible color difference)를 나타낸다. 도 6에서 MPCD는 소정의 구간을 나누어 등고선으로 도시되어 있으며, MPCD가 0(zero)에서 멀어지는 방향으로 (-) 값을 갖는 것은 적색화되는 것을, 0(zero)에서 멀어지는 방향으로 (+) 값을 갖는 것은 녹색화(greenish)되는 것을 나타낸다. 도 6은 제1무기봉지층(310) 및 보조층(315)이 각각 굴절률이 다른 실리콘옥시나이트라이드층일 때의 시뮬레이션 결과이며, MPCD의 등고선은 도 5에 도시된 바와 같이 기판(100)에 수직한 방향으로부터 비스듬한 방향, 예컨대 z방향에 대하여 약 30°로 비스듬한 각도(θ=30°)에서 표시 장치(10)를 보았을 때의 MPCD 값에 기초로 하여 도시되었다.
도 6을 참조하면, 보조층(315)의 두께(t)가 30nm≤ t <100nm 범위일 때 MPCD의 변화가 작은 것을 확인할 수 있다. 보조층(315)의 두께가 전술한 범위를 만족할 때, 제1무기봉지층(310)의 두께(T)에 구애받지 않고 적색화의 문제를 최소화하거나 방지할 수 있다.
보조층(315)은 무기절연물을 포함한다. CVD 설비를 이용하여 형성되는 무기절연물층은, 앞서 설명한 바와 같이 타겟이 되는 두께와 대비할 때 실제 형성되는 두께가 약 10%의 오차를 가질 수 있다. 보조층(315)도 제1무기봉지층(310)과 마찬가지로 CVD 설비를 이용하여 형성될 수 있기에 실제 형성된 보조층(315)의 두께는 타겟이 되는 두께와 차이가 있을 수 있지만, 보조층(315)은 제1무기봉지층(310)의 두께보다 수십배 이상 작기 때문에 CVD 설비에 따른 두께의 오차(예컨대, 약 10%의 오차)를 고려한다 하더라도 보조층(315)의 두께 제어가 훨씬 용이하다.
보조층(315)이 전술한 두께 범위를 벗어나는 경우, 예컨대 전술한 하한을 벗어나는 경우 MPCD의 변화가 커지는 문제가 있고, 전술한 상한을 벗어나는 경우에는 MPCD의 변화가 커지고, 및/또는 보조층(315)의 두께의 제어가 어렵다. 따라서, 보조층(315)의 기능, 예컨대 제1무기봉지층(310)의 두께에 구애받지 않고 적색화를 방지하는 기능을 기대하기 어렵다.
보조층(315)은 앞서 설명한 바와 같이 비금속원소를 포함하는 무기절연물로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 보조층(315)은 제1무기봉지층(310)과 동일한 비금속원소를 포함할 수 있다. 예컨대, 보조층(315) 및 제1무기봉지층(310)은 각각 실리콘(Si), 산소(O) 및 질소(N)를 모두 포함할 수 있으며, 따라서 동일한 CVD 설비(또는 동일한 챔버)에서 가스의 조성을 변경함으로써 제1무기봉지층(310)과 보조층(315)을 형성할 수 있다. 바꾸어 말하면, 보조층(315) 및 제1무기봉지층(310)은 실리콘(Si), 산소(O) 및 질소(N)의 함량이 서로 다른 실리콘나이트라이드층일 수 있다. 제1무기봉지층(310)을 형성하는 공정에서의 가스 조성과 보조층(315)을 형성하는 공정에서의 가스 조성은 서로 다르며, 따라서 이들 사이에서는 도 5에 도시된 바와 같은 계면이 존재할 수 있다.
제1무기봉지층(310)과 보조층(315)은 서로 다른 굴절률을 가질 수 있다. 예컨대, 보조층(315)의 굴절률(n3)은 아래의 조건을 만족할 수 있다.
min(n1, n2)+|n2-n1|×0.25< n3 < min(n1, n2)+|n2-n1|×0.75
여기서, n1은 제1무기봉지층의 굴절률이고, n2는 유기봉지층의 굴절률이며, min(n1, n2)은 n1과 n2 중 최소값을, |n2-n1|은 n2과 n1의 차이의 절대값을 나타낸다.
보조층(315)의 굴절률(n3)이 전술한 범위를 벗어나는 경우, MPCD의 변화가 크게 발생하며, 따라서 전술한 적색화의 문제를 방지하기 어렵다.
도 7은 제1무기봉지층(310)의 두께 변화 및 보조층(315)의 굴절률 변화에 따른 MPCD(minimum perceptible color difference)를 나타낸다. 전술한 MCPD는 앞서 도 6에서와 마찬가지로 기판(100)에 수직한 방향에 대하여 비스듬한 위치, 예컨대 도 5의 z 방향에 대하여 약 30°로 비스듬한 각도(θ=30°)에서 표시 장치(10)를 보았을 때를 기준으로 시뮬레이션한 결과이며, 제1무기봉지층(310) 및 보조층(315)이 각각 실리콘옥시나이트라이드층을 포함하는 경우로 시뮬레이션하였다. 도 7을 참조하여 보건대, 보조층(315)의 굴절률이 약 1.57 내지 1.70의 범위인 경우, MPCD의 변화가 작게 나타나는 것을 확인할 수 있다. 보조층(315)의 굴절률은 제1무기봉지층(310)의 굴절률 보다 작을 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 모식도이다.
도 8을 참조하면, 표시 장치는 순차적으로 적층된 기판(100), 화소회로층(PCL), 표시층(200), 및 박막봉지층(300')을 포함하되, 박막봉지층(300')은 유기봉지층(320)의 아래에 배치된 하부층(325)을 더 포함할 수 있다. 하부층(325)의 제외한 나머지 구성요소들은 앞서 도 5 내지 도 7을 참조하여 설명한 실시예와 동일하므로 이하에서는 하부층(325)을 중심으로 설명한다.
하부층(325)은 박막봉지층으로서의 역할, 예컨대 투습성을 갖지 않는다. 하부층(325)은 모노머를 도포하고 경화하여 형성되는 유기봉지층(320)의 공정 중 유기봉지층(320)을 이루는 물질을 제어할 수 있다. 하부층(325)은 전술한 바와 같이 투습성을 갖지 않을 뿐만 아니라 광학적인 기능을 별도로 갖지 않는 층으로서, 하부층(325)의 굴절률은 유기봉지층(320)의 굴절률과 실질적으로 동일할 수 있다. 하부층(325)의 굴절률과 유기봉지층(320)의 굴절률이 실질적으로 동일하다고 함은, 하부층(325)의 굴절률과 유기봉지층(320)의 굴절률의 차이(n)가 0.05보다 작은 것을 의미한다. 일 실시예로, 하부층(325)의 굴절률은 1.52일 수 있다. 하부층(325)의 두께는 약 500 Å 내지 1000Å, 예컨대 약 550 Å 내지 900Å 이거나, 600 Å 내지 850Å의 범위에서 선택될 수 있다. 하부층(325)의 굴절률과 유기봉지층(320)의 굴절률이 실질적으로 동일하나, 서로 다른 물질을 포함하기에 서로 접촉하는 하부층(325)과 유기봉지층(320) 사이에는 계면이 존재한다.
하부층(325)은 무기절연층을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 하부층(325)은 제1무기봉지층(310) 및 보조층(315)과 같은 비금속원소를 포함하거나, 제1무기봉지층(310) 및 보조층(315)에 포함된 비금속원소와 다른 원소를 포함할 수 있다. 예컨대, 하부층(325)은 산소의 함량이 비교적 높은 무기절연층, 예컨대 O-rich 실리콘옥시나이트라이드층일 수 있다.
일 실시예로, 제1무기봉지층(310), 보조층(315), 및 하부층(325)은 모두 동일한 비금속원소, 예컨대 실리콘(Si), 산소(O), 및 질소(N)를 포함할 수 있다. 제1무기봉지층(310)으로서 제1실리콘옥시나이트라이드층, 보조층(315)으로서 제2실리콘옥시나이트라이드층, 및 하부층(325)으로서 제3실리콘옥시나이트라이드층은, 각각 실리콘(Si), 산소(O), 및 질소(N)의 함량의 비가 서로 다르다. 따라서, 제1실리콘옥시나이트라이드층과 제2실리콘옥시나이트라이드층 사이, 그리고 제2실리콘옥시나이트라이드층과 제3실리콘옥시나이트라이드층 사이에는 각각 계면이 존재할 수 있다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 9를 참조하면, 기판(100)의 각 화소마다에는 표시요소로서 유기발광다이오드(OLED)가 배치되며, 각각의 유기발광다이오드(OLED)는 화소회로층(PCL)에 구비된 박막트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다. 기판(100), 화소회로층(PCL) 및 유기발광다이오드는 앞서 도 3을 참조하여 설명한 바와 동일하다.
각 화소별 유기발광다이오드(OLED)는 박막봉지층(300')으로 커버될 수 있다. 박막봉지층(300')은 기판(100)에서 멀어지는 방향으로(예, z 방향) 순차적으로 적층된 제1무기봉지층(310), 보조층(315), 하부층(325), 유기봉지층(320), 및 제2무기봉지층(330)을 포함할 수 있다. 제1무기봉지층(310), 보조층(315), 하부층(325), 유기봉지층(320), 및 제2무기봉지층(330) 각각은 앞서 도 3 내지 도 8을 참조하여 설명한 것과 동일하다.
제1무기봉지층(310), 보조층(315), 및 하부층(325)은 각각 무기절연층이며, 서로 다른 비금속원소를 포함하거나 서로 동일한 비금속원소를 포함할 수 있다. 비금속원소는 예컨대, 실리콘(Si), 산소(O), 및 질소(N)를 포함할 수 있다.
일 실시예로, 제1무기봉지층(310), 보조층(315), 및 하부층(325)은 각각 실리콘(Si), 산소(O), 및 질소(N)를 포함하는 실리콘옥시나이트라이드층일 수 있다. 그러나, 제1무기봉지층(310), 보조층(315), 및 하부층(325)의 특성, 예컨대 굴절률은 서로 다를 수 있다. 예컨대, 하부층(325)으로서 제3실리콘옥시나이트라이드층인 상대적으로 산소의 함량이 많으며(O-rich), 제1무기봉지층(310)으로서 제1실리콘옥시나이트라이드층 및 보조층(315)으로서 제2실리콘옥시나이트라이드층 보다 굴절률이 작을 수 있다 제2실리콘옥시나이트라이드층의 굴절률은 제1실리콘옥시나이트라이드층의 굴절률 보다 작을 수 있다.
제1무기봉지층(310), 보조층(315), 및 하부층(325)이 동일한 비금속원소를 포함한다 하더라도 각각 별개의 공정에서 형성된다. 제1무기봉지층(310)을 형성하는 공정과, 보조층(315)을 형성하는 공정, 및 하부층(325)을 형성하는 공정은 순차적으로 이뤄지되, 각각 별개의 공정(예컨대, 동일한 챔버 내에서 반응 가스의 비율을 달리하거나 반응 가스의 종류를 달리함)에서 진행될 수 있다. 서로 제1무기봉지층(310)의 바로 위에 보조층(315)이 배치되며, 보조층(315)의 바로 위에 하부층(325)이 배치된다. 서로 접촉하는 제1무기봉지층(310)과 보조층(315) 사이, 그리고 보조층(315)과 하부층(325) 사이에는 단면도 상에서 육안으로 확인가능한 계면이 존재한다.
하부층(325)을 형성하는 공정 이후에 유기봉지층(320)을 형성하는 공정이 진행되고, 유기봉지층(320)을 형성하는 공정 이후에 제2무기봉지층(330)을 형성하는 공정이 진행된다. 따라서, 하부층(325)과 유기봉지층(320)은 서로 접촉하며, 이들의 접촉면은 단면도 상에서 육안으로 식별이 가능하다. 마찬가지로, 유기봉지층(320)과 제2무기봉지층(330)은 서로 접촉하며, 이들의 접촉면은 단면도 상에서 육안으로 식별이 가능하다.
도 9는 기판(100)이 고분자 수지를 포함하는 것을 설명하였으나, 다른 실시예로서 도 9에 도시된 기판(100)은 도 4를 참조하여 설명한 글래스재를 포함할 수 있음은 물론이다.
도 10a 내지 도 10d는 각각 본 발명의 실시예들에 따른 그래프로서, 시야각(θ)에 대한 MPCD(minimum perceptible color difference)를 나타낸다. 도 11a 및 도 11b는 각각 본 발명의 비교예들에 따른 그래프로서, 시야각(θ)에 대한 MPCD(minimum perceptible color difference)를 나타낸다.
도 10a은, 제1무기봉지층이 굴절률 1.77이고 두께가 1100nm인 실리콘옥시나이트라이드층이고, 보조층이 굴절률 1.62이고 두께가 70nm인 실리콘옥시나이트라이드층인 샘플들을 200개 제작한 후, 시야각(θ)에 따른 MPCD를 나타낸 결과를 나타낸다.
도 10b는, 제1무기봉지층이 굴절률 1.77이고 두께가 1170nm인 실리콘옥시나이트라이드층이고, 보조층이 굴절률 1.62이고 두께가 70nm인 실리콘옥시나이트라이드층인 샘플들을 200개 제작한 후, 시야각(θ)에 따른 MPCD를 나타낸 결과를 나타낸다.
도 10c는, 제1무기봉지층이 굴절률 1.77이고 두께가 900nm인 실리콘옥시나이트라이드층이고, 보조층이 굴절률 1.62이고 두께가 70nm인 실리콘옥시나이트라이드층인 샘플들을 200개 제작한 후, 시야각(θ)에 따른 MPCD를 나타낸 결과를 나타낸다.
도 10d는, 제1무기봉지층이 굴절률 1.77이고 두께가 1100nm인 실리콘옥시나이트라이드층이고, 보조층이 굴절률 1.62이고 두께가 40nm인 실리콘옥시나이트라이드층인 샘플들을 200개 제작한 후, 시야각(θ)에 따른 MPCD를 나타낸 결과를 나타낸다.
도 11a는, 제1무기봉지층이 굴절률 1.77이고 두께가 1100nm인 실리콘옥시나이트라이드층이고, 보조층이 굴절률 1.62이고 두께가 100nm인 실리콘옥시나이트라이드층인 샘플들을 200개 제작한 후, 시야각(θ)에 따른 MPCD를 나타낸 결과를 나타낸다.
도 11b는, 제1무기봉지층이 굴절률 1.77이고 두께가 1200nm인 실리콘옥시나이트라이드층이고, 보조층이 없는 샘플들을 200개 제작한 후, 시야각(θ)에 따른 MPCD를 나타낸 결과를 나타낸다.
각 샘플들에 대한 정보는 아래의 [표 1]에 정리된 바와 같다.
박막봉지층
제1무기봉지층 보조층
#1 실시예 SiON (n1: 1.77, T: 1100nm) SiON (n3: 1.62, t:70nm)
#2 실시예 SiON (n1: 1.77, T: 1170nm) SiON (n3: 1.62, t:70nm)
#3 실시예 SiON (n1: 1.77, T: 900nm) SiON (n3: 1.62, t:70nm)
#4 실시예 SiON (n1: 1.77, T: 1100nm) SiON (n3: 1.62, t:40nm)
#1 비교예 SiON (n1: 1.77, T: 1100nm) SiON (n3: 1.62, t:100nm)
#2 비교예 SiON (n1: 1.77, T: 1200nm) 없음
도 10a 내지 도 10d, 그리고 도 11a 및 도 11b를 참조하면, 보조층의 두께가 100nm이거나, 보조층이 없는 경우, 시야각 30°에서 적색화된 이미지가 시인되는 것을 확인할 수 있다. 그리고, 보조층의 두께 범위가 전술한 조건을 만족하는 실시예들에서 모두 적색화의 문제가 해소된 것을 확인할 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
300, 300': 박막봉지층
310: 제1무기봉지층
315: 보조층
320: 유기봉지층
325: 하부층
330: 제2무기봉지층

Claims (20)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치된 표시 요소;
    상기 표시 요소 상에 배치된 제1무기봉지층;
    상기 제1무기봉지층 상의 유기봉지층;
    상기 제1무기봉지층과 상기 유기봉지층 사이에 개재되고, 두께가 100nm 보다 작으며, 무기절연물을 포함하는, 보조층; 및
    상기 유기봉지층 상의 제2무기봉지층;
    을 포함하는, 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 보조층의 두께(t)는, 30nm ≤ t < 100nm 인, 표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1무기봉지층의 두께(T)는 600nm ≤ T ≤ 2200nm인, 표시 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 보조층은 상기 제1무기봉지층의 상면과 직접 접촉하며, 상기 보조층의 굴절률(n3)은 아래의 조건을 만족하는, 표시 장치.
    min(n1, n2)+|n2-n1|×0.25 < n3 < min(n1, n2)+|n2-n1|×0.75
    여기서, n1은 제1무기봉지층의 굴절률이고, n2는 유기봉지층의 굴절률이며, min(n1, n2)은 n1과 n2 중 최소값을, |n2-n1|은 n2과 n1의 차이의 절대값을 나타낸다.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제1무기봉지층과 상기 보조층은 각각 비금속원소를 포함하되, 상기 제1무기봉지층에 포함된 비금속원소와 상기 보조층에 포함된 비금속원소는 동일한, 표시 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제1무기봉지층과 상기 보조층은 실리콘옥시나이트라이드를 포함하되, 상기 제1무기봉지층의 굴절률과 상기 보조층의 굴절률은 서로 다른, 표시 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 유기봉지층은 상기 보조층의 상면과 직접 접촉하는, 표시 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 보조층과 상기 유기봉지층 사이에 개재되는 하부층을 더 포함하는, 표시 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 하부층의 굴절률은 상기 유기봉지층의 굴절률과의 차이가 0.05 보다 작은, 표시 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 하부층은 무기절연물을 포함하는, 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 하부층은 상기 보조층과 동일한 비금속원소를 포함하는, 표시 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 하부층 및 상기 보조층은 실리콘 원소, 질소원소, 산소원소를 포함하는 무기절연물을 포함하고,
    상기 하부층의 산소의 함량은 상기 보조층의 산소의 함량 보다 큰, 표시 장치
  13. 기판;
    상기 기판 상에 배치된 복수의 유기발광다이오드들;
    상기 복수의 유기발광다이오드들을 커버하는 제1무기봉지층;
    상기 제1무기봉지층 상의 제2무기봉지층;
    상기 제1무기봉지층과 상기 제2무기봉지층 사이의 유기봉지층; 및
    상기 제1무기봉지층과 상기 유기봉지층 사이에 개재되는 보조층;
    을 포함하고,
    상기 보조층의 두께는 상기 제1무기봉지층의 두께 보다 작으며, 아래의 조건을 만족하는, 표시 장치.
    30nm ≤ t < 100nm
    여기서, t는 상기 보조층의 두께를 나타낸다.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1무기봉지층의 두께(T)는 600nm ≤ T ≤ 2200nm인, 표시 장치.
  15. 제13 항에 있어서,
    상기 제1무기봉지층, 상기 보조층, 및 상기 제2무기봉지층은 비금속원소를 포함하는 무기절연물을 구비하는, 표시 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 보조층의 굴절률(n3)은 아래의 조건을 만족하는, 표시 장치.
    min(n1, n2)+|n2-n1|×0.25< n3 < min(n1, n2)+|n2-n1|×0.75
    여기서, n1은 제1무기봉지층의 굴절률이고, n2는 유기봉지층의 굴절률이며, min(n1, n2)은 n1과 n2 중 최소값을, |n2-n1|은 n2과 n1의 차이의 절대값을 나타낸다.
  17. 제15 항에 있어서,
    상기 제1무기봉지층에 포함된 비금속원소와 상기 보조층에 포함된 비금속원소는 동일하며, 상기 보조층의 굴절률은 상기 제1무기봉지층의 굴절률 보다 작은, 표시 장치.
  18. 제13 항에 있어서,
    상기 보조층은 상기 제1무기봉지층 및 상기 유기봉지층과 직접 접촉하는, 표시 장치.
  19. 제13 항에 있어서,
    상기 보조층과 상기 유기봉지층 사이에 개재되며, 상기 유기봉지층과의 굴절률의 차이가 0.05 보다 작은 하부층을 더 포함하는, 표시 장치
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 하부층은 무기절연물을 포함하며, 상기 보조층 및 상기 유기봉지층과 직접 접촉하는, 표시 장치.
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