CN1901246A - 自发光面板的制造方法和自发光面板 - Google Patents
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Abstract
本发明提供能实现将各种要因的发光不良防止于未然、并得到无发光不良的自发光面板等的自发光面板的制造方法和自发光面板。当在基板(2)上直接或隔着其他层形成第1导电层(3)，在第1导电层(3)上层叠包含发光层的成膜层(6)，在该成膜层(6)上形成第2导电层(7)来制造自发光面板的情况下，进行：第1工序，在第1导电层(3a)形成后，形成将第1导电层(3a)上的成为发光区域(Al)的开口部(3b)进行划分的划分层(4)；第2工序，至少对第1导电层的开口部内的表面进行表面处理；以及第3工序，在至少通过第2工序实施了表面处理的第1导电层(3d)上使成膜层(6)成膜。
Description
技术领域
本发明涉及自发光面板的制造方法和自发光面板。
背景技术
以有机EL(Electroluminescence：电致发光)面板为代表的自发光面板当然可以应用于便携电话、薄型电视、信息终端等的显示器，也期待着应用于车载用功能显示，例如速度表等的内置仪表盘和电气化产品的功能显示部、薄膜状显示器，以及应用于室外引导显示或照明，并且正在积极进行开发研究。
这种自发光面板在基板上配置多个或单个自发光元件而形成，作为自发光元件，除了有机EL元件以外，还可列举LED(LightEmitting Diode：发光二极管)、FED(Field Emission Display：场致发光显示器)等的发光元件。
这种自发光元件具有在基板上直接或隔着其他层形成第1导电层，在第1导电层上层叠包含发光层的成膜层，在成膜层上形成第2导电层的结构，通过对第1导电层和第2导电层之间施加电压，从形成在第1和第2导电层的一方上的阴极侧注入电子，从形成在第1和第2导电层的另一方上的阳极侧注入空穴，通过使它们在发光层等上重新结合而得到发光。
在这种自发光元件中，在第1导电层上至少形成有具有发光层的成膜层，由于这种关系，第1导电层中的表面的平坦性对元件性能以及自发光面板产生大幅影响。在下述专利文献1所记载的内容中，提出了在具有阳极、包含有机发光层且由至少一层构成的有机层、以及阴极的有机EL中，把阳极的至少与有机层接合的面研磨成使表面粗度的最大高度(Rmax：JISB0601)小于等于50埃。
【专利文献1】日本特开平9-245965号公报
如以往技术所记载的那样，自发光面板的性能低下之一有发光不良，作为其原因之一，认为是在第1导电层与第2导电层之间发生短路。这可列举出在基板上的形成有第1导电层(例如，阳极)的表面上附着灰尘等异物的情况。为了防止这一点，如以往技术所记载的那样，在形成了第1导电层(阳极)之后实施表面研磨，使表面平坦化。然而，即使对第1导电层(阳极)进行研磨处理，在经过使用绝缘膜等形成开口部，并照射UV、臭氧、等离子体等或者进行加热等的成膜前处理工序，到达成膜层的成膜工序之前的工序的过程中，灰尘等异物也会附着在第1导电层(阳极)上。下述示出该一例。
如图1(a)所示，在形成于基板2j上的第1导电层3j(阳极)上形成将发光区域A1进行划分的划分层4j，在由该划分层4j所划分的开口部S上层叠成膜层，然而在该划分层4j的图形形成时，有时在露出的第1导电层3j的表面上附着灰尘21、22或例如抗蚀剂、氧化膜等的覆膜23等异物。并且如图1(b)所示，也有在划分层4j上形成隔壁部5j等的结构物的情况。在形成了这种划分层4j和隔壁部5j等的结构物之后，由于不能进行如前所述的研磨处理，因而不能去除前述异物，具有不能避免发光不良的问题。
发明内容
本发明把应对上述问题作为课题的一例。即，本发明的目的是以下等：通过有效地进行第1导电层上的表面处理，将各种要因的发光不良防止于未然；在第1导电层上的表面处理后进行成膜工序，而不隔着其他工序，从而有效地避免成膜不良；以及在针对第1导电层形成了划分层等的结构物之后，对第1导电层进行有效的表面处理，可得到无发光不良的自发光面板。
为了达到上述目的，本发明至少具有以下各独立权利要求的结构。
权利要求1的发明的自发光面板的制造方法，该自发光面板把自发光元件形成在成为发光区域的开口部内，该自发光元件在基板上直接或隔着其他层形成第1导电层，在该第1导电层上层叠包含发光层的成膜层，在该成膜层上形成第2导电层，其特征在于，该制造方法具有：第1工序，在前述第1导电层形成后，形成将该第1导电层上的成为发光区域的开口部进行划分的划分层；第2工序，在前述第1工序后，至少对前述第1导电层的前述开口部内的表面实施表面处理；以及第3工序，在至少实施了前述表面处理的前述第1导电层上形成前述成膜层。
权利要求6的发明的自发光面板，把自发光元件形成在成为发光区域的开口部内，该自发光元件具有：在基板上直接或隔着其他层形成的第1导电层、层叠在该第1导电层上的包含发光层的成膜层、以及形成在该成膜层上的第2导电层，该自发光面板的特征在于，具有将前述第1导电层上的成为发光区域的开口部进行划分的划分层，前述第1导电层在前述开口部内具有薄层部，该薄层部的表面成为与前述成膜层的接触面。
附图说明
图1是用于对一般的自发光面板的问题点进行说明的图。(a)是一般的有源驱动型自发光面板的剖面图。(b)是一般的无源驱动型自发光面板的剖面图。
图2是用于对本发明的第1实施方式的自发光元件面板中的具有单个或多个自发光元件的自发光元件部及其制造方法进行说明的图。
图3是用于对本发明的第1实施方式的自发光面板中的自发光元件部的制造方法进行说明的流程图。
图4是用于对本发明的表面处理进行说明的图，是将自发光元件部的剖面放大的图。
图5是用于对本发明的第2实施方式的自发光面板的制造方法进行说明的流程图。
图6是用于对本发明的第2实施方式的自发光元件部的制造方法进行说明的图。
图7是用于对本发明的第2实施方式的自发光元件部的制造方法进行说明的流程图。
图8是用于对本发明的第3实施方式的自发光面板和一般的自发光面板的发光亮度特性和驱动电压特性进行说明的图。
图9是用于对本发明的另一实施方式的自发光面板进行说明的剖面图。
图10是用于对本发明的另一实施方式的自发光面板进行说明的剖面图。
具体实施方式
本发明的一个实施方式的自发光面板的制造方法，当在基板上直接或隔着其他层形成第1导电层，在该第1导电层上层叠包含发光层的成膜层，在该成膜层上形成第2导电层的情况下，具有：第1工序，在第1导电层形成后，形成将该第1导电层上的成为发光区域的开口部进行划分的划分层；第2工序，在该第1工序后，至少对第1导电层的开口部内的表面实施表面处理；以及第3工序，在至少通过第2工序实施了表面处理的第1导电层上形成成膜层。
采用上述制造方法所制造的自发光面板具有：在基板上直接或隔着其他层形成的第1导电层、层叠在该第1导电层上的包含发光层的成膜层、形成在该成膜层上的第2导电层、以及将第1导电层上的成为发光区域的开口部进行划分的划分层；第1导电层具有薄层部，薄层部的表面成为与成膜层的接触面。
并且，根据上述制造方法，在划分层形成后，成膜层形成前，至少对第1导电层的开口部内的表面进行表面处理，从而可将各种要因的发光不良防止于未然。并且，在第1导电层上的表面处理后进行形成成膜层的工序，从而可有效地避免成膜不良。并且，在针对第1导电层形成了划分层等的结构物之后对第1导电层有效地进行表面处理，从而可得到无发光不良的自发光面板。
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
[第1实施方式]
图2～图5是用于对本发明的第1实施方式的自发光面板及其制造方法进行说明的图。
特别是，图2是用于对本发明的第1实施方式的自发光面板中的具有单个或多个自发光元件的自发光元件部及其制造方法进行说明的图。图3是用于对本发明的第1实施方式的自发光面板中的自发光元件部的制造方法进行说明的流程图。参照图2和图3，对本实施方式的自发光面板的自发光元件部及其制造方法进行说明。以下，对例如有源驱动型有机EL面板进行说明。
在步骤ST1中，如图2(a)所示，在基板2上形成第1导电层3。基板2具有作为支撑例如有机EL元件的支撑基板的功能，由例如玻璃、塑料、石英、金属等的材料形成。第1导电层3由导电性材料形成，由例如ITO(Indium Tin Oxide：氧化铟锡)、IZO(Indium Zinc Oxide：氧化铟锌)等的透明导电性材料、铬、铝等的金属材料、镁和银、铝和锂等的合金材料等形成。例如在第1导电层3由ITO形成的情况下，利用溅镀等进行成膜。
在步骤ST2中，如图2(b)所示，对形成在基板2上的第1导电层3进行构图。详细地说，通过例如光刻工序等，在基板2上形成预先规定的图形形状的第1导电层3a。
在步骤ST3中，形成划分层4。详细地说，例如如图2(c)所示，在第1导电层3a及其底面2a上形成绝缘膜4a，通过光刻工序，使用在例如与发光区域A1对应的区域形成有开口部的光掩模41，对形成在该第1导电层3a及其底面2a上的绝缘膜4a进行构图。如图2(d)所示，形成将第1导电层3a上的成为发光区域A1的开口部3b进行划分的划分层4。划分层4如图2(d)所示，形成为覆盖第1导电层3a的边缘部3c和底面2a。该划分层4具有例如在各第1导电层3之间、或者在第1导电层3与第2导电层7之间防止短路的功能。划分层4使用以例如聚酰亚胺等感光性树脂为代表的聚合物系的绝缘材料形成。并且，在本实施方式中，如图2所示，在与非发光区域A1对应的区域形成有绝缘层(划分层)。
在步骤ST4中，例如如上所述，去除附着在形成于基板2上的第1导电层3和划分层4上的灰尘21、22等异物。具体地说，如图2(e)所示，至少对第1导电层3a的开口部3b内的表面实施表面处理。该表面处理通过例如相对于划分层4选择性地处理第1导电层3a的化学表面处理(湿蚀刻处理)、相对于划分层4选择性地处理第1导电层3a的物理表面处理(干蚀刻处理)等来进行。作为本实施方式的化学表面处理，通过例如相对于划分层4选择性地溶解第1导电层3a的蚀刻处理来进行。在本实施方式中，在表面处理时，划分层4作为掩模发挥作用，相对于划分层4选择性地对第1导电层3a的表面进行表面处理。
图4是用于对本发明的表面处理进行说明的图，是将自发光元件部1的有机EL元件的剖面放大的图。根据本实施方式的表面处理，例如如图2(e)和图4所示，在第1导电层3d的开口部3b内的表面上通过表面处理形成薄层部3f。该薄层部3f的表面3e成为与成膜层6的接触面。该第1导电层3d在开口部3b内的表面3e与由划分层4覆盖的表面3g之间形成有高低差。即，薄层部3f的厚度L32比第1导电层3d的边缘部3c厚度L31薄。
作为上述化学表面处理，使用例如溶解第1导电层3的材料的溶剂来对第1导电层3a进行蚀刻。作为蚀刻处理用的溶剂，根据第1导电层3的材料，使用例如包含在上述构图时使用的蚀刻用溶剂和抗蚀剂剥离用溶剂等的有机溶剂、氢氧化钠水溶液、盐酸、氢氟酸、氢溴酸、氢碘酸、硫酸、硝酸、高氯酸、硼酸、氯化亚铁水溶液等的水溶液。
另一方面，作为物理表面处理，有例如干蚀刻和反溅镀法等的公知方法。也可以根据需要，与化学表面处理组合来进行处理。
对薄层部3f的表面3e的表面处理，具体地说，以使用例如稀释蚀刻液而实现的低蚀刻率进行，该设定膜厚L32根据例如第1导电层上的异物的污染程度等来适当设定。为了实现这里所说的低蚀刻率，例如可列举如下等方法：(1)使用稀释蚀刻液的方法；(2)缩短蚀刻工序的时间的方法；(3)减少进行蚀刻工序的装置的蚀刻喷出量的方法；(4)降低蚀刻工序中的作业温度的方法；(5)使(1)～(4)所述的方法组合来进行的方法。
并且，在上述蚀刻处理后，例如使用纯净水将溶剂从基板上洗掉。根据本实施方式的表面处理，由第1导电层3d的开口部3b内的表面3e和划分层4所覆盖的表面3g所形成的高低差的长度L33例如约为50埃。
如上所述，根据本实施方式的表面处理，与例如一般的UV、臭氧处理法、加热处理法等的洗净处理相比，即使形成划分层4等的结构物，也能有效地去除第1导电层上的灰尘21、22和覆膜23等的异物。
在步骤ST5中，优选的是，在上述表面处理后，实施使处理液干燥的加热处理。加热处理是通过在例如规定室内温度约300℃的无尘烤箱中，将图2(e)和图4所示的形成有第1导电层3d和划分层4的基板2保持规定时间，从而去除基板2上的水分和处理液等。而且，可以通过UV处理等实施洗净处理。
在步骤ST6中，在实施了上述蚀刻处理的第1导电层3a上，例如如图2(f)所示，形成包含发光层的成膜层6。在成膜层6上，形成有例如使用有机EL材料的发光层，以及为了提高例如层间的接合性和空穴(电子)输送性，根据需要形成有空穴注入层(电子注入层)和空穴输送层(电子输送层)等。该成膜层6采用例如真空蒸镀法、旋涂法、喷墨法、丝网印刷法、离子化蒸镀法、MBE(Molecular Beam Epitaxy：分子束蚀刻)法、电子束法、溅镀法、CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法等的成膜方法来形成。如上所述，在进行了蚀刻处理后，通过在第1导电层3d上形成成膜层6，可以提高第1导电层3d与成膜层6的密合性，并可提高界面的平滑度，可形成良好的成膜层6，可有效地避免成膜不良。
在步骤ST7中，例如如图2(g)所示，在成膜层6上形成第2导电层7。第2导电层7例如由导电材料形成。根据需要，也可以在成膜层与第2导电层之间形成由碱金属、碱土类金属、稀土类和它们的合金等构成的缓冲层。
图5是自发光面板的制造方法中的密封工序的说明流程图。参照图5，对自发光面板的密封工序进行说明。首先，作为自发光元件部形成工序ST101A，例如如图2所示，采用上述实施方式的制造方法，在基板2上形成第1导电层3、划分层4、成膜层6以及第2导电层7。自发光元件部1可以如上所述，将有机EL元件排列成点矩阵状，也可以排列单个或多个具有期望图形的有机EL元件。另一方面，作为密封构件形成工序ST101B，形成具有凹部的密封构件(未作图示)。然后，在密封构件形成工序ST101B中，相对于前述凹部的内侧面设置薄板状干燥构件，该薄板状干燥构件通过例如切入等形成为期望的图形。
然后，作为密封工序ST102，在自发光元件部的周围、或者密封构件的支撑部的粘接面上涂布粘接剂，在基板2上贴附密封构件来进行成膜层6等的密封。详细地说，在氮、氩等的惰性气体的环境下、或者真空环境下，使基板2和通过密封构件形成工序ST101B所形成的密封构件隔着支撑部贴合起来进行上述密封，以便包围形成在基板2上的成膜层6。之后，根据需要进行适当的检查工序ST103，制造自发光面板。
如以上说明那样，在基板2上直接或隔着其他层形成第1导电层3，在第1导电层3上层叠包含发光层的成膜层6，当在该成膜层6上形成第2导电层7来制造自发光元件部1的情况下，进行：第1工序，在第1导电层3a形成后，形成将该第1导电层3a上的成为发光区域A1的开口部3b进行划分的划分层4；第2工序，在该第1工序后，至少对第1导电层的开口部内的表面进行表面处理；以及第3工序，在至少通过第2工序实施了表面处理的第1导电层3d上使成膜层6成膜，因而有效地进行第1导电层上的表面处理，从而可将由各种要因的第1、第2导电层间的短路等引起的发光不良防止于未然。
并且，通过在针对第1导电层3形成了划分层4等的结构物之后对第1导电层3有效地进行表面处理，可得到无发光不良的自发光面板。
并且，在本实施方式中，作为表面处理，例如划分层4作为掩模发挥作用，利用相对于划分层4选择性地溶解第1导电层3的蚀刻处理进行化学表面处理，从而可对第1导电层3的开口部3b内表面有效地实施表面处理。
并且，在例如成膜层形成前，通过基板的表面研磨去除了第1导电层3上的异物的情况下，有可能使划分层4等的结构物破损而引起发光不良，然而在本发明的制造方法中，如上所述，根据相对于划分层4选择性地处理第1导电层3的化学表面处理和物理表面处理来实施表面处理，从而不会使划分层4破损，可有效地去除第1导电层的开口部3b内的灰尘和覆膜等的异物。并且，由于在表面处理后，实施使处理液干燥的加热处理，因而可良好地形成成膜层6。
并且，在本实施方式中，通过在步骤ST4中进行表面处理，可省略例如上述划分层形成工序(相当于第1工序)前的对第1导电层3的表面处理，可实现制造工序的简化和制造时间的缩短。
并且，在本实施方式的制造方法中，通过光刻工序对形成在第1导电层3及其底面2a上的绝缘膜进行构图来形成划分层4，此时即使在第1导电层3上附着了灰尘、覆膜等异物的情况下，进行上述表面处理，因而也可有效地去除该第1导电层3上的灰尘、覆膜等异物。
并且，由于划分层4形成为覆盖第1导电层3的开口部3b以外的边缘部3c，因而可抑制在表面处理时对边缘部3c进行表面处理。
[第2实施方式]
图6是用于对本发明的第2实施方式的自发光面板的制造方法进行说明的图。图7是用于对本发明的第2实施方式的自发光面板的制造方法进行说明的流程图。参照图6和图7，对采用本实施方式的自发光元件的无源驱动型自发光面板的制造方法进行说明。对于与第1实施方式公共部分，省略一部分说明。如图7所示，步骤ST1～ST3是与图2所示的步骤ST1～ST3大致相同的工序，省略说明。
在步骤ST31中，如图6(c)所示，在划分层4上形成隔壁部5。例如对于隔壁部5，将感光性树脂等的材料涂布在划分层4上，通过光掩模进行显像，利用由显像时的厚度方向的曝光量不同引起的显像速度差来形成倒锥形状的隔壁部5。在该工序后，通过在步骤ST4中与第1实施方式大致一样实施表面处理，如图6(d)所示，在第1导电层3上形成薄层部3f。通过步骤ST5，根据需要实施加热处理。之后，在步骤ST6、ST7中，如图6(e)、(f)所示，在实施了表面处理的第1导电层3上形成成膜层6和第2导电层7。此时，例如成膜层6和第2导电层7由隔壁部5隔断，不使用掩模即可形成期望图形的成膜层6和第2导电层7。前述的隔壁部5的形状不限于倒锥形，可以通过进行两次例如ST31的工序来形成具有伞形状的隔壁部5，可使用公知方法。
如以上说明那样，在制造本实施方式的无源驱动用自发光面板的情况下，在划分层4上形成了隔壁部5之后，在成膜层6形成前，通过对基板实施表面处理，不使划分层4和隔壁部5破损即可有效地去除附着在第1导电层3上的异物，可将各种要因的发光不良防止于未然。
[第3实施方式]
本发明者为了确认本发明的自发光面板的显示特性，制作未实施本发明的表面处理的自发光面板来进行显示特性的比较。以下，对本实施方式的自发光面板的制造方法进行更详细说明。
首先，在玻璃制的基板2上，采用例如溅镀制造方法等使约110nm的ITO(第1导电层)成膜。使用光致抗蚀剂，采用光刻制造方法，使ITO电极(第1导电层3)构图形成为格子形状。然后，在形成了ITO电极的基板2上采用绝缘材料形成隔壁部5。
划分层4形成工序，例如详细地说，是在基板2上涂布电绝缘性能比较高的正型抗蚀剂材料，采用例如旋涂法进行成膜。将形成有第1导电层3和划分层4的基板2在约100℃加热约80秒钟来使溶剂挥发，使用曝光装置，隔着光掩模，在约50mJ/cm2的照射条件下进行曝光。然后，使用碱水溶液进行显像，使用恒温恒湿槽在300℃进行加热处理，从而形成构图后的划分层4。
然后，使形成有划分层4的支撑基板2浸渍在充满了作为ITO蚀刻液的例如氯化亚铁水溶液的槽内，经过了规定时间例如50秒钟后，浸渍在充满了纯净水的槽内，使支撑基板2上的蚀刻液稀释。在本实施方式中，还使该支撑基板2再次浸渍在充满了纯净水的另一槽内，使支撑基板2在槽内振动来洗掉蚀刻液。然后，从槽内取出支撑基板2，通过旋转干燥进行旋转干燥。将干燥结束后的支撑基板2通过例如UV/臭氧照射，使用电热板在约300℃进行加热处理。
在加热处理后，把支撑基板投入到真空槽内，采用电阻加热真空成膜法，通过电阻加热蒸镀，把作为空穴注入层的例如铜酞菁(CuPc)形成为厚约25nm，把作为空穴输送层的例如萘二胺(α-NPD)形成为厚约45nm，把作为发光层的例如Alq3(tris(8-hydroxyquinoline)aluminum：三(8-羟基喹啉)铝)形成为厚约60nm，以及把作为电子注入层的例如氟化锂(LiF)形成为厚约0.5nm。
然后，在真空室中，将作为上部电极(第2导电层7)的例如铝以每秒1nm的速度，采用电阻加热真空成膜法形成到厚约100nm。采用上述制造方法制造由有机EL元件构成的自发光元件部。
然后，把形成有自发光元件部的基板2移送到充满了氮气体(N2)的箱内，使涂布有密封用UV固化型粘接剂的密封用玻璃与形成有自发光元件部的基板2贴合，通过UV照射使粘接剂固化来使自发光元件部密封，并设置驱动电路等来制造自发光面板。
在通过上述工序，使用ITO蚀刻溶剂使第1导电层3溶解后，实施了蚀刻处理的第1导电层3的面(凹部)与未实施蚀刻处理的面的高低差约为50埃。即，从基板2表面到第1接触面(第1导电层3与划分层4的接触面)的第1距离、与从上部电极侧的基板表面到第2接触面(第1导电层3与成膜层6的接触面)的第2距离之差L33约为50埃。
然后，通过不实施本发明的对基板的表面处理，而在第1导电层上形成成膜层和第2导电层来制作比较对象的一般的自发光面板。
把上述本实施方式的自发光面板与一般的自发光面板的显示性能进行比较。在一般的自发光面板中，在显示面板内能确认斑点等的显示不良，而在本实施方式的自发光面板中，不能确认斑点等的显示不良，呈现出良好的发光状态。
图8是用于对本发明的第3实施方式的自发光面板和一般的自发光面板的发光亮度特性和驱动电压特性进行说明的图。图8所示的横轴表示时间t。上部实线L1表示本实施方式的自发光面板的发光亮度Lu的经时变化，上部虚线L1a表示一般的自发光面板的发光亮度Lu的经时变化。下部实线L2表示本发明的自发光面板的驱动电压(与基准驱动电压的电压差ΔV)的经时变化，上部虚线L1a表示一般的自发光面板的驱动电压(与基准驱动电压的电压差ΔV)的经时变化。
如图8所示，在一般的自发光面板中，发光亮度Lu伴随时间的经过而大幅下降。另一方面，在本发明的一个实施方式的自发光面板中，发光亮度Lu比较缓慢地下降。并且，如图8所示，在一般的自发光面板中，驱动电压ΔV在经过了长时间时，驱动电压与时间大致成比例地增加，相比之下，在本发明的一个实施方式的自发光面板中，驱动电压ΔV的增加率非常小。如上所述，可以确认本发明的自发光面板与一般的自发光面板相比，电气特性良好。
另外，本发明不限于上述实施方式。可以使上述实施方式分别组合。
不限于例如图2和图6所示的自发光元件部1的形式。例如，可以是在下部电极(第1导电层3)上形成有电子注入电极、在上部电极(第2导电层7)上形成有空穴注入电极的自发光元件。并且，可以是在下部电极上形成有反射电极、在上部电极上形成有具有透明性的电极的自发光元件。并且，可以是下部电极和上部电极全都形成有具有透明性的电极的自发光元件。
以下，使用图9，作为前述的自发光面板的具体例列举有机EL面板为例，对具体结构进行说明。
有机EL面板100的基本结构是在第1电极(下部电极)131与第2电极(上部电极)132之间夹持包含发光层的成膜层133，在支撑基板110上形成多个有机EL元件130。在图示的例子中，在支撑基板110上形成SiO2覆盖层120a，把形成在其上的第1电极131设定为由ITO等的透明电极构成的阳极(第1导电层)，把第2电极132(第2导电层)设定为由Al等的金属材料构成的阴极，构成从支撑基板110侧取出光的底部发光方式。并且，作为成膜层133，示出了空穴输送层133A、发光层133B、电子输送层133C的3层结构的例子。然后，使支撑基板110与密封构件111通过粘接层112贴合起来形成密封区域S，在该密封区域S内形成由有机EL元件130构成的自发光元件部。
由有机EL元件130构成的自发光元件部在图示的例子中，使用绝缘层134将第1电极131进行划分，在所划分的第1电极131的下面形成有使用各有机EL元件130的单位显示区域(130R、130G、130B)。并且，在形成密封区域S的密封构件111的内面安装有干燥单元140，防止由湿气引起的有机EL元件130的劣化。
并且，在形成于支撑基板110的端部的引出区域110A上，采用与第1电极131相同材料和相同工序所形成的第1电极层121A在与第1电极131在由绝缘层134绝缘的状态下形成图形。在第1电极层121A的引出布线部分形成有第2电极层121B，该第2电极层121B形成包含银合金等的低电阻布线部分，并且在其上，根据需要形成IZO等的保护覆膜121C，从而形成由第1电极层121A、第2电极层121B、保护覆膜121C构成的引出布线部121。然后，在密封区域S内端部，第2电极132的端部132a与引出布线121连接。
第1电极131的引出布线尽管省略图示，然而可通过使第1电极131延伸而引出到密封区域S外来形成。在该引出布线中，与前述的第2电极132的情况一样，也能形成有形成包含Ag合金等的低电阻布线部分的电极层。
然后，密封构件111的面临引出布线部121的端缘111E0由在支撑基板110与密封构件111的贴合前所加工的孔加工缘形成。
以下，对有机EL面板100的细节部分进行更具体地说明。
a.电极；
第1电极131和第2电极132的一方被设定为阴极侧，另一方被设定为阳极侧。阳极侧由功函数比阴极侧高的材料构成，可使用铬(Cr)、钼(Mo)、镍(Ni)、铂(Pt)等金属材料和ITO、IZO等透明导电材料。反之，阴极侧由功函数比阳极侧低的材料构成，可使用碱金属(Li、Na、K、Rb、Cs)、碱土类金属(Be、Mg、Ca、Sr、Ba)、稀土类金属等功函数低的金属、或者由它们的组合构成的合金等。并且，在第1电极131和第2电极132全都由透明材料构成的情况下，也能采用在与光的放出侧相反的电极侧设置反射膜的结构。
驱动有机EL面板100的驱动电路部件和挠性布线基板与引出布线部(图示的引出布线部121和第1电极131的引出布线)连接，然而优选的是形成为尽量低的电阻，如前所述，可层叠Ag合金或APC、Cr、Al等的低电阻金属电极层，或者单独形成这些低电阻金属电极。
b.成膜层；
成膜层133至少由包含有机EL成膜层的单层或多层有机化合物材料层构成，然而层结构可以任意形成。一般如图9所示，可使用从阳极侧向阴极侧层叠了空穴输送层133A、发光层133B以及电子输送层133C结构，然而发光层133B、空穴输送层133A以及电子输送层133C不仅分别可以设置为1层，而且也可以层叠多层，空穴输送层133A和电子输送层133C可以省略任一层，也可以省略两层。并且，也能根据用途插入空穴注入层、电子注入层等。空穴输送层133A、发光层133B以及电子输送层133C可适当选择采用以往使用的材料(不管高分子材料和低分子材料)。
并且，在形成发光层133B的发光材料中，可以采用荧光材料、磷光材料的任意一方。
c.密封构件；
在有机EL面板100中，作为用于将有机EL元件130气密密封的密封构件111，可使用玻璃制、塑料制、金属制等的板状构件。也能使用在玻璃制的密封基板上通过冲压成形、蚀刻、喷砂处理等的加工形成了密封用凹部(不管一级挖入和二级挖入)的构件，或者也能使用平板玻璃并根据玻璃(也可以是塑料)制的隔板在与支撑基板110之间形成密封区域S。并且，可以利用通过上述密封构件形成密封区域S的气密密封法，也可以是例如在密封区域S内封入了树脂或硅油等的填充剂的密封方式、使用层叠了树脂膜和具有高阻挡性的金属箔而得到的膜进行密封的密封方式等的固体密封法、使用阻挡膜等将有机EL元件130进行密封的膜密封法。
d.粘接剂；
形成粘接层112的粘接剂可使用热固化型、化学固化型(2液混合)、光(紫外线)固化型等，作为材料可使用丙烯树脂、环氧树脂、聚酯、聚烯烃等。特别是，优选的是使用无需加热处理、即固化性高的紫外线固化型环氧树脂制粘接剂。
e.干燥单元；
干燥单元140可使用以下干燥剂形成，即：沸石、硅胶、碳、碳纳米管等的物理干燥剂，碱金属氧化物、金属卤化物、过氧化氯等的化学干燥剂，把有机金属络合物溶解在甲苯、二甲苯、脂肪族有机溶剂等的石油系溶剂内所得的干燥剂，以及使干燥剂粒子分散在具有透明性的聚乙烯、聚异戊二烯、聚肉桂酸乙烯酯等的粘合剂内所得的干燥剂。
f.有机EL显示面板的各种方式等；
作为本发明的实施例的有机EL面板100，可在不背离本发明要旨的范围内进行各种设计变更。例如，取出从有机EL元件130产生的光的方式可以是如前所述，从支撑基板110侧取出光的底部发光方式，也可以是从密封构件111侧取出光的顶部发光方式(在该情况下，有必要使密封构件111成为透明材料，并考虑干燥单元140的配置)，还可以是多光子结构。并且，有机EL面板100可以是单色显示，也可以是多色显示，为了实现多色显示，当然包含分涂方式，还可采用：使利用滤色器和荧光材料的色转换层与白色或蓝色等的单色成膜层组合的方式(CF方式、CCM方式)，对单色成膜层的发光区域照射电磁波等来实现多个发光的方式(光漂白方式)，使2色以上的单位显示区域纵向层叠来形成一个单位显示区域的方式(SOLED(transparent Stacked OLED)方式)，使不同发光色的低分子有机材料预先在不同膜上成膜，通过激光器的热转印，转印到一个基板上的激光转印方式等。并且，在图示的例子中示出了无源驱动方式，然而可以在作为支撑基板110的TFT基板上形成第1电极131，采用有源驱动方式。
图10是用于对本发明的另一实施方式的自发光面板进行说明的图。参照图10对本发明的有源驱动型自发光面板进行说明。对于与上述实施方式公共的部分，省略一部分说明。本实施方式的有源驱动型自发光面板如图10所示，在基板2上形成有作为驱动用晶体管的TFT8(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)的TFT基板上形成有平坦化膜9，在该平坦化膜9上形成有第1导电层3，并形成有划分层4、成膜层6、第2导电层7以及保护层200等。在上述结构的有源驱动型自发光面板中，通过对第1导电层3实施本发明的表面处理，可将各种要因的发光不良防止于未然，可得到无发光不良的自发光面板。
如以上说明那样，自发光面板把自发光元件形成在成为发光区域的开口部内，该自发光元件在基板2上直接或隔着其他层形成第1导电层3，在第1导电层3上形成包含发光层的成膜层6，在该成膜层6上形成第2导电层7，在制造该自发光面板的情况下，进行：第1工序，在第1导电层3a形成后，形成将该第1导电层3a上的成为发光区域A1的开口部3b进行划分的划分层4；第2工序，至少对第1导电层的开口部内的表面进行表面处理；以及第3工序，在至少通过第2工序实施了表面处理的第1导电层3d上使成膜层6成膜，因而可有效地进行第1导电层上的表面处理，从而可将由各种要因的短路等引起的发光不良防止于未然。
具体地说，通过对第1导电层3实施本发明的表面处理，可消除成膜不良。并且，通过实施本发明的表面处理，去除第1导电层与成膜层之间的覆膜和灰尘等异物，从而可减少电子(空穴)注入障碍。并且，在形成了划分层4和隔壁部5等的结构物的情况下，不会使划分层4和隔壁部5等的结构物破损即可对第1导电层3上的开口部内的表面实施表面处理。并且，在第1导电层3上进行了表面处理之后，使成膜层6成膜，从而如上所述，可良好地形成成膜层。并且，当把使用上述制造方法所形成的自发光元件用于自发光面板时，可得到例如无斑点等的显示不良的发光特性良好的自发光面板。
并且，本发明的自发光面板具有：在基板2上直接或隔着其他层所形成的第1导电层3，层叠在该第1导电层3上的包含发光层的成膜层6，形成在成膜层6上的第2导电层7，以及将第1导电层3上的成为发光区域A1的开口部3b进行划分的划分层4，第1导电层3具有通过开口部3b内的表面处理所形成的薄层部3f，薄层部3f的表面成为与成膜层6的接触面。因而可将发光不良防止于未然。
即，划分层4形成为对形成在第1导电层3及其底面2a上的绝缘膜进行构图，至少覆盖第1导电层3的边缘部3c，第1导电层3在开口部3b内的表面3e与划分层所覆盖的表面3g之间形成有高低差，因而通过在薄层部3f无异物的状态下形成成膜层6，可将发光不良防止于未然。即，由于通过化学表面处理和物理表面处理对薄层部3f的表面3e进行表面处理，因而通过在薄层部3f无异物的状态下形成成膜层6，可得到良好的发光特性。
此外，通过在第1导电层上设置薄层部f，还可提高光取出效率。
Claims (11)
1.一种自发光面板的制造方法，该自发光面板把自发光元件形成在成为发光区域的开口部内，该自发光元件在基板上直接或隔着其他层形成第1导电层，在该第1导电层上形成包含发光层的成膜层，在该成膜层上形成第2导电层，其特征在于，该制造方法具有：
第1工序，在前述第1导电层形成后，形成将该第1导电层上的成为发光区域的开口部进行划分的划分层；
第2工序，在前述第1工序后，至少对前述第1导电层的前述开口部内的表面实施表面处理；以及
第3工序，在至少实施了前述表面处理的前述第1导电层上形成前述成膜层。
2.根据权利要求1所述的自发光面板的制造方法，其特征在于，前述表面处理是通过相对于前述划分层选择性地处理前述第1导电层的化学表面处理来进行的。
3.根据权利要求2所述的自发光面板的制造方法，其特征在于，前述化学表面处理是通过相对于前述划分层选择性地溶解前述第1导电层的蚀刻处理来进行的。
4.根据权利要求1所述的自发光面板的制造方法，其特征在于，前述表面处理是通过相对于前述划分层选择性地处理前述第1导电层的物理表面处理来进行的。
5.根据权利要求1～4的任意一项所述的自发光面板的制造方法，其特征在于，前述划分层形成为至少覆盖前述第1导电层的边缘部。
6.一种自发光面板，把自发光元件形成在成为发光区域的开口部内，该自发光元件具有：在基板上直接或隔着其他层形成的第1导电层，层叠在该第1导电层上的包含发光层的成膜层，以及形成在该成膜层上的第2导电层，该自发光面板的特征在于，
具有将前述第1导电层上的成为发光区域的开口部进行划分的划分层，
前述第1导电层在前述开口部内具有薄层部，该薄层部的表面成为与前述成膜层的接触面。
7.根据权利要求6所述的自发光面板，其特征在于，前述第1导电层根据前述开口部内的表面和前述划分层所覆盖的表面形成高低差。
8.根据权利要求6或7所述的自发光面板，其特征在于，前述薄层部的表面是通过化学表面处理的处理面。
9.根据权利要求6或7所述的自发光面板，其特征在于，前述薄层部的表面是通过物理表面处理的处理面。
10.根据权利要求6～9的任意一项所述的自发光面板，其特征在于，还具有形成在前述划分层上的隔壁部。
11.根据权利要求6～9的任意一项所述的自发光面板，其特征在于，前述第1导电层形成在具有TFT的基板上。
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