JP2005123083A - 塗布組成物および有機el素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 正孔輸送材料としてPEDT(ポリエチレンジオキシチオフェン)とPSS(ポリスチレンスルフォン酸)との混合物(バイトロンP)を用い、極性溶媒として水、エタノールを用いてITO層に対する接触角が35゜以下となる塗布組成物を得る。そして、隔壁6で囲まれた第1電極(ITO層)4R、4G、4Bの露出表面に上記した塗布組成物を流し込んで塗布する。こうして塗布された塗布組成物は各第1電極4R、4G、4B全体に均一に広がる。また、室温で15秒程度の自然乾燥させることで塗布組成物から溶媒を除去することができる。
【選択図】 図1
Description
A.特許文献1に記載の塗布組成物(以下「従来組成物」という)
この従来組成物は、正孔輸送材料としてポリチオフェン誘導体であるPEDT(ポリエチレンジオキシチオフェン)とPSS(ポリスチレンスルフォン酸)との混合物(バイトロンP)を用い、極性溶媒として水、メタノール、イソプロピルアルコール、1、3−ジメチル−2−イミダゾリジノン(DMI)を用い、さらにシランカップリング剤としてγ−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシランを用いている。そして、各構成材料の含有量は表1に示すとおりである。
本願発明者は、塗布組成物の構成材料および含有量を種々に変更しながら、各塗布組成物をガラス基板に塗布して該塗布組成物の各種物性値を測定した。そして、これらの塗布組成物の一つが表1で示した従来組成物である。なお、ここでガラス基板を用いたのは、ITO層が比較的高価であるため、数多くの実験を少ないコストで実行するためである。
図1および図2は、この発明にかかる有機EL素子の製造方法の一実施形態を示す図である。この実施形態では、まず図1(a)に示すように、ガラス基板、透明プラスチック基板などの基板2上にITO膜を形成した後、フォトリソグラフィー技術を用いて複数本のストライプ状の第1電極にパターニング形成する(電極形成工程)。この第1電極は陽極に相当するものであり、図1および図2には、赤、緑、青に対応する3種類の第1電極4R、4G、4Bを示している。なお、この第1電極としては透明電極が好ましく、上記したITO膜以外に酸化スズ膜、酸化インジウムと酸化亜鉛との複合酸化物膜等を用いることができる。
次に、正孔輸送液8を各素子空間SPに選択的に供給するための塗布装置の一実施形態について、図3を参照しつつ説明する。図3は、この発明にかかる有機EL素子の製造方法に適した塗布装置の一実施形態を示す図である。この塗布装置は、同図に示すように、上記のようにして有機EL素子が形成される基板2を載置するステージ40と、このステージ40を所定方向(同図の左右方向)に移動させるステージ移動機構部42と、基板2上に形成された位置合わせマークの位置を検出する位置合わせマーク検出部44と、3本のノズル46a〜46cに正孔輸送液8を供給する供給ユニット48と、3本のノズル46a〜46cを所定方向(同図紙面の垂直方向)に移動させるノズル移動機構部50と、装置各部を制御する制御部52とで構成されている。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態にかかる有機EL素子の製造方法では、第1電極4R、4G、4Bの表面に対して紫外線を照射して該表面を親水化させているが、親水化処理として溶媒洗浄処理を用いてもよい。また、親水化処理はコロナ放電や常圧プラズマによるプラズマ処理を用いてもよい。また、ガラス基板などの非金属製基材上に正孔輸送層を形成する場合には親水化処理としてコロナ処理を実行するようにしてもよい。さらに、親水化処理は必須処理ではなく必要に応じて行うことができる。
4R、4G、4B…第1電極(基材)
6…隔壁
8…正孔輸送液(塗布組成物)
10…正孔輸送層
Claims (6)
- 所定の基材の表面上に塗布される、正孔輸送材料を含む塗布組成物であって、
前記基材表面に対する接触角が35゜以下であることを特徴とする塗布組成物。 - 前記基材がインジウム錫酸化物で形成された透明電極である請求項1記載の塗布組成物。
- ガラス基板の表面に対する接触角が10゜以下である請求項1または2記載の塗布組成物。
- 所定のパターンを有する電極を基板上に形成する電極形成工程と、
前記パターンに対応して前記基板上に隔壁を形成する隔壁形成工程と、
前記隔壁に囲まれた前記電極の露出表面上に請求項1ないし3のいずれかに記載の塗布組成物を流し込んで塗布する塗布工程と
を備えたことを特徴とする有機EL素子の製造方法。 - 前記塗布工程前に、前記電極露出表面に対して親水化処理を施す親水化工程をさらに備える請求項4記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記親水化工程は、前記電極露出表面を溶媒洗浄する溶媒洗浄処理、または前記電極露出表面に紫外線を照射する紫外線照射処理、または前記電極露出表面のプラズマ処理である請求項5記載の有機EL素子の製造方法。
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