CN110720072A - 用于显示技术的纳米结构平面镜片 - Google Patents
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Abstract
本文描述的实施方式涉及显示设备，例如，虚拟现实和扩增实境显示器和应用。在一个实施方式中，平面的基板具有：形成于其上的阶梯特征和形成于数个特征中的每一特征上的发射器结构。封装层设置在该基板上，并且多个均匀的介电纳米结构形成于该封装层上。由本文公开的设备产生的虚拟图像通过减小在图像平面处的色差来提供改善的图像清晰度。
Description
技术领域
本公开内容的实施方式一般地涉及：用于扩增实境和虚拟现实应用的显示设备。更为特定地，本文描述的实施方式涉及：用于扩增实境和虚拟现实显示器的结构化镜片。
背景技术
扩增实境通常被认为实现一体验，其中使用者在该体验中可经由眼镜的显示镜片或其他的头戴式显示(HMD)装置来进行观看而检视周围的环境，还可以看到被产生而用于显示该环境的部分并且作为该环境的部分来显现的虚拟对象的图像。扩增实境可包括：诸如音讯输入和触觉输入之类的任何类型的输入，以及增进或扩增使用者体验的环境的虚拟图像、图形，及视频。
然而，虚拟现实通常被认为是计算机产生的仿真环境，其中使用者在该模拟环境中具有明显的实体存在。虚拟现实体验可在3D中产生并且利用HMD来观看，诸如，利用具有如同镜片的近眼显示面板以显示取代实际的环境的虚拟现实环境的其他的可穿戴的显示设备的眼镜来观看。
近眼显示面板具有几个技术挑战。举例而言，有限的视野、与色差相关联的显示清晰度、及其他的挑战在实施能够实现沉浸式虚拟体验的虚拟现实显示器中持续存在。更为特定地，当利用具有变化的波长的光时，可能存在光学路径长度差，该光学路径长度差是路径光的几何长度和光传播所通过的介质的折射率的乘积。因此，红色光、绿色光，及蓝色光的光学路径长度差可能不会精准地聚焦在图像平面上，这样导致前述的色差。相应地，作为新兴的技术，具有存在于制造用于虚拟现实和扩增实境装置的显示器中的许多的挑战和设计约束。
发明内容
在一个实施方式中，提供了一种显示设备。该设备包括：基板，该基板具有形成于其上的多个特征；第一特征，该第一特征设置在第一平面中；及第一发射器结构，该第一发射器结构设置在该第一特征上。该设备亦包括：第二特征，该第二特征设置在与该第一平面不同的第二平面中；第二发射器结构，该第二发射器结构设置在该第二特征上；第三特征，该第三特征设置在与该第一平面和该第二平面不同的第三平面中；及第三发射器结构，该第三发射器结构设置在该第三特征上。封装层形成在所述多个特征的上方并耦接至该基板，并且多个介电纳米结构形成于该封装层上。
在另一实施方式中，提供了一种显示设备。该设备包括：基板，该基板具有形成于其上的多个特征；第一特征，该第一特征设置在第一平面中；第一发射器结构，该第一发射器结构设置在该第一特征上；及第一封装层，该第一封装层形成在该第一发射器结构的上方。该设备亦包括：第二特征，该第二特征设置在与该第一平面不同的第二平面中；第二发射器结构，该第二发射器结构设置在该第二特征上；及第二封装层，该第二封装层形成在该第二发射器结构的上方。更进一步地，该设备包括：第三特征，该第三特征设置在与该第一平面和该第二平面不同的第三平面中；第三发射器结构，该第三发射器结构设置在该第三特征上；及第三封装层，该第三封装层形成在该第三发射器结构的上方。多个介电纳米结构形成在该第一封装层、该第二封装层，及该第三封装层上。
在又一实施方式中，提供了一种显示设备。该设备包括：基板，该基板具有第一表面和与该第一表面相对而设置的第二表面，其中该第一表面和该第二表面是平面的。第一发射器结构设置在该第一表面上，第二发射器结构设置在该第一表面上，及第三发射器结构设置在该第一表面上。封装层设置在该第一发射器结构、该第二发射器结构，及该第三发射器结构的上方。具有第一尺寸的第一多个介电纳米结构设置在对应于该第一发射器结构的区域的该封装层上。具有与所述第一尺寸不同的第二尺寸的第二多个介电纳米结构设置在对应于该第二发射器的区域的该封装层上。具有与所述第一尺寸和所述第二尺寸不同的第三尺寸的第三多个介电纳米结构设置在对应于数个第三发射器结构的区域的该封装层上。
附图说明
以上简要概述本公开内容的上述详述特征可以被详细理解的方式、以及本公开内容的更特定描述，可通过参照实施方式来获得，一些实施方式绘示于所附图式中。然而，应注意到，所附图式仅示出示例性的实施方式，因而不应认为对本公开内容的范围的限制，因为本公开内容可容许其他的等同有效的实施方式。
图1是根据本文描述的实施方式的显示设备的示意性横截面图。
图2是根据本文描述的实施方式的显示设备的示意性横截面图。
图3是根据本文描述的实施方式的显示设备的示意性横截面图。
图4A是根据本文描述的实施方式的发光二极管(LED)阵列的部分示意性平面图。
图4B是根据本文描述的实施方式的图4A的LED阵列的部分示意性平面图，该LED阵列具有设置在该LED阵列的像素上的纳米镜片。
为了促进理解，尽可能地已经使用相同的附图标号以标示图式中共通的相元组件。考虑到，在没有进一步描述下一个实施方式的元件和特征可有利地并入其他实施方式中。
具体实施方式
本文描述的实施方式涉及显示设备，例如，虚拟现实和扩增实境装置和应用。在一个实施方式中，平面的基板具有形成于其上的阶梯特征和形成于数个特征中的每一个特征上的发射器结构。封装层设置在基板上并且多个均匀的介电纳米结构形成在该封装层上。由本文公开的设备产生的虚拟图像通过减小在图像平面处的色差来提供改善的图像清晰度。
图1是根据本文描述的实施方式的显示设备100的示意性横截面图。显示设备100包括：基板102，该基板具有形成于其上的多个阶梯特征112、114、116。基板102由光学透明材料制成，诸如，由玻璃制成。可替代性地，基板102可由蓝宝石材料制成。在另一实施方式中，基板102可由氮化铝材料制成。通过图案化和蚀刻工具将特征112、114、116图案化和蚀刻至基板102中。这些工具的实例可从位于加利福尼亚州的圣克拉拉的应用材料公司获得。
特征112、114、116形成在基板102上，而与基板102的平坦的表面144相对。第一特征112界定被设置在第一平面146中的一表面。第二特征114界定被设置在第二平面148中的一表面。第三特征116界定被设置在第三平面150中的一表面。
特征112、114、116中的每一个特征设置在彼此不同的平面中。举例而言，每一个特征112、114、116设置在具有到图像平面132的独有焦距的一平面处。设置在第一平面146处的第一特征112具有从第一平面146至图像平面132的第一焦距152。设置在第二平面148处的第二特征114具有从第二平面148至图像平面132的第二焦距154。设置在第三平面150处的第三特征116具有从第三平面150至图像平面132的第三焦距156。第二焦距154大于第一焦距152，并且第三焦距156大于第二焦距154。通过分别地改变特征112、114、116的焦距152、154、156来达成对于色差的预先补偿，如同在后文中更为详细地论述。
多个发射器结构122、124、126形成在多个特征112、114、116上。第一发射器结构122设置在第一特征112上。第二发射器结构124设置在第二特征114上。第三发射器结构126被形成在第三特征116上。发射器结构122、124、126中的每一个发射器结构产生光以在图像平面132处形成一图像。举例而言，第一发射器结构122发射成像在图像平面132上的光138，第二发射器结构124发射成像在图像平面132上的光136，以及第三发射器结构126发射成像在图像平面132上的光134。
用于发射器结构122、124、126中的每一个发射器结构的适当的装置的实例包括但不限于：液晶显示器(LCD)装置、发光二极管(LED)装置，及有机发光二极管(OLED)装置以及其他装置。在一个实施方式中，发射器结构122、124、126包括像素104，并且第一发射器结构122是第一子像素106，第二发射器结构124是第二子像素108，以及第三发射器结构126是第三子像素110。在替代性的实施方式中，第一发射器结构122、第二发射器结构124，及第三发射器结构126中的每一个可被认为是像素。
在一个实例中，第一发射器结构122经配置以产生处于第一波长并且具有第一带宽的光。在一个实施方式中，第一发射器结构122产生蓝色光。第二发射器结构124经配置以产生处于不同于该第一波长的第二波长并且具有不同于该第一带宽的第二带宽的光。在一个实施方式中，第二发射器结构124产生绿色光。第三发射器结构126经配置以产生处于第三波长并且具有第三带宽的光，该第三波长分别地与该第一波长和该第二波长不同，以及该第三带宽分别地与该第一带宽和该第二带宽不同。在一个实施方式中，第三发射器结构126产生红色光。
发射器结构122、124、126中的每一个设置在特征112、114、116中的相应特征上。因此，以与图像平面132相距不同的焦距来设置发射器结构122、124、126中的每一个。通过执行有限的不同的时域模拟来确定分别地由特征112、114、116界定的平面146、148、150，以及最终设置在特征上的发射器结构的颜色类型以确定在平面146、148、150之间的差量。
举例而言，界定第一平面146的第一特征112具有设置于其上的蓝色光发射器结构122。界定第二平面148的第二特征114具有设置于其上的绿色光发射器结构124。界定第三平面150的第三特征116具有设置于其上的红色光发射器结构126。在此实例中，在第一平面146与第二平面148之间的平面差量118是由在蓝色光波长与绿色光波长之间的波长差的量级(order)来确定。类似地，在第二平面148与第三平面150之间的平面差量120是由在绿色光波长与红色光波长之间的波长差的量级来确定。因此，特征112、114、116的相对位置，和因此相对应的发射器结构122、124、126的相对位置，可以相对于图像平面132定位，以对具有各种波长的光的光学路径长度差进行预先补偿。从而，在图像平面132处的色差减小并且图像清晰度改善。
显示设备100进一步包括：封装层128和设置在封装层128上的多个纳米结构130。封装层128由光学透明材料制成，并且用作封装形成于特征112、114、116上的发射器结构122、124、126。封装层128具有第一表面142和相对于第一表面142设置的第二表面140。第一表面142和第二表面140二者皆为平面的并且彼此平行。第一表面142耦接至基板102并且相邻于基板102而设置。在一个实施方式中，封装层128设置为与至少一个发射器结构相接触，诸如，与具有最短的光学路径长度152的第一发射器结构12相接触。
由于特征112、114、116的阶梯形态和封装层的第一表面142的平面形态，间隙空间144分别地形成在第二特征114与封装层128的第一表面142之间和第三特征116与封装层128的第一表面142之间。在一个实施方式中，间隙空间144填充有气体，诸如，空气或类似气体。在替代性的实施方式中，间隙空间144填充有具有一折射率的材料，该折射率类似于基板材料的折射率或封装层材料的折射率。
多个纳米结构130设置在封装层128的第二表面140上。多个纳米结构130由介电材料形成，诸如，由ZnO材料、TiO2材料、GaN材料，及其组合形成。介电材料可为结晶的或无定形的，这取决于与不同的结晶晶格结构(或其空缺)相关联的期望的光学性质。多个纳米结构130中的每一个纳米结构以实质上相同的形态被制造。换言之，多个纳米结构130是均匀的。每一个纳米结构130的形态可以是圆柱形的、柱状的、立体状的或类似形态。单个的纳米结构的高度、宽度、长度、直径、间隔，或其他的物理特性实质上类似于在多个纳米结构130中的其他纳米结构。在一个实施方式中，每一个纳米结构130的宽度/直径在大约100nm与大约350nm之间，每一个纳米结构130的高度在大约200nm与大约300nm之间，及在相邻的纳米结构之间的间隔在大约50nm与大约250nm之间。
纳米结构130是通过各种技术来沉积的，这取决于被利用以制造纳米结构130的介电材料的类型。适合的沉积技术包括化学气相沉积、物理气相沉积、分子束外延以及类似沉积技术。适合用于执行这些沉积工艺的设备是从位于加利福尼亚州的圣塔克拉拉的应用材料公司获得的工具。被沉积以形成纳米结构130的介电膜的图案化包括诸如为纳米压印光刻、电子束光刻、或适合用于形成具有诸如是在前文中描述的那些的形态大小的纳米结构130的其他的光刻技术的工艺。因此，相较于形成独有的形态的纳米结构，均匀的纳米结构130的制造是更容易达成的。
已经通过利用阶梯特征112、114、116来预先补偿了不同波长的光的光学路径长度差，纳米结构130可被利用以另外地将光聚焦在图像平面132上。举例而言，从第三发射器结构126发射的红色光134被聚焦在图像平面132处，从第二发射器结构124发射的绿色光136被聚焦在图像平面132处，及从第一发射器结构122发射的蓝色光138被聚焦在图像平面132处。由于阶梯特征112、114、116的光学路径长度预先补偿和纳米结构130的光聚焦特性，可从观察者的视角101且于图像平面132处观看到具有改善的清晰度和不具有色差的图像。相应地，光134、136、138在相同的平面(例如，图像平面132)成像和可以在没有任何的色差的情况下，或者在至少具有实质上减小的色差的情况下，观看由光在平面中产生的虚拟图像。
图2是根据本文描述的实施方式的显示设备200的示意性横截面图。显示设备200包括被设置在发射器结构122、124、126上的多个封装层202、204、206。举例而言，第一封装层202设置在第一发射器结构122上并且与第一发射器结构122接触，第二封装层204设置在第二发射器结构124上并且与第二发射器结构124接触，及第三封装层206设置在第三发射器结构126上并且与第三发射器结构126接触。因此，类似于特征112、114、116的阶梯式的定向，第一封装层202、第二封装层204，及第三封装层206阶梯式地定向。针对封装层202、204、206选择的材料类似于封装层128的那些材料。
第一多个纳米结构208设置在第一封装层202上，第二多个纳米结构210设置在第二封装层204上，及第三多个纳米结构212设置在第三封装层206上。类似于纳米结构130，纳米结构208、210、212中的每一个纳米结构由介电材料形成并且具有均匀的形态。与显示设备100相同，显示设备200利用阶梯特征112、114、116的光学路径长度预先补偿和纳米结构130的光聚焦特性以实现：从观察者的视角101且于图像平面132处观看具有改善的清晰度和不具有色差的图像。
图3是根据本文描述的实施方式的显示设备300的示意性横截面图。显示设备300包括基板302，该基板具有第一表面304和第二表面306。基板302实质上是平面的，并且第一表面304和第二表面306设置为彼此相对的且彼此平行的。被利用于基板302的材料与针对于如上所述的基板102选择的那些材料相类似。
第一发射器结构308、第二发射器结构310、及第三发射器结构312设置在第一表面304上，该第一表面界定共同的平面。发射器结构308、310、312可类似于在前文中描述的发射器结构122、124、126。第二发射器结构310设置为邻近于第一发射器结构308并且第三发射器结构312设置为邻近于第二发射器结构310。在一个实施方式中，第一发射器结构308经配置以产生蓝色光、第二发射器结构310经配置以产生绿色光，及第三发射器结构312经配置以产生红色光。
封装层314由与关于封装层128描述的那些材料类似的材料制造，所述封装层设置在发射器结构308、310、312的上方。在一个实施方式中，封装层314设置为与发射器结构308、310、312接触。封装层314在形态上实质上是平面的并且在与发射器结构308、310、312相邻的所有的区域中具有实质上均匀的厚度。
第一多个纳米结构316形成在封装层314上而对应于第一发射器结构308的区域，例如，子像素区域106，该子像素区域是基板302的对应于第一发射器结构308的区域。第一纳米结构316在子像素区域106内共享均匀的尺寸形态(大小、形状、及间隔)。基于从第一发射器结构308发射的光的波长来选择第一纳米结构316的尺寸形态以补偿在单个图像平面322处成像的不同波长的光之间的光学路径长度差。举例而言，第一纳米结构316具有经选择以将从第一发射器结构308发射的蓝色光328成像和聚焦于图像平面322处的尺寸形态。
第二多个纳米结构318形成在封装层314上而对应于第二发射器结构310的区域，例如，子像素区域108。第二纳米结构318在子像素区域108内共享均匀的尺寸形态。类似于第一纳米结构316，第二纳米结构318的尺寸形态是基于从第二发射器结构310发射的光的波长而选择，以补偿在图像平面322处成像的不同波长的光之间的光学路径长度差。第二纳米结构318的尺寸形态与第一纳米结构316的尺寸形态不同。举例而言，第二纳米结构318具有经选择以将从第二发射器结构310发射的绿色光326成像和聚焦于图像平面322处的尺寸形态。
第三多个纳米结构320形成在封装层314上而对应于第三发射器结构312的区域，例如，子像素区域110。第三纳米结构320在子像素区域110内共享均匀的尺寸形态。分别地类似于第一纳米结构316和第二纳米结构318，第三纳米结构320的尺寸形态是基于从第三发射器结构312发射的光的波长而选择，以补偿在图像平面322处成像的不同波长的光之间的光学路径长度差。第三纳米结构320的尺寸形态不同于第一纳米结构316的尺寸形态和第二纳米结构318的尺寸形态。举例而言，第三纳米结构320具有经选择以将从第三发射器结构312发射的红色光324成像和聚焦在图像平面322处的尺寸形态。
因此，可通过利用对具有不同波长的光的光学路径长度差进行补偿的纳米结构316、318、320和纳米结构316、318、320的光聚焦特性来实现图像显示，以从观察者的视角101且于图像平面322处观看具有改善的清晰度和不具有色差的图像。
图4A是根据本文描述的实施方式的发光二极管(LED)阵列400的部分示意性平面图。适当的LED阵列的实例包括但不限于：LED装置和有机发光二极管(OLED)装置以及其他装置。在一个实施方式中，LED阵列400包括基板408，并且具有设置于其上的多个像素402、404、406。在一个实例中，LED阵列400是OLED的pentile阵列。
在一个实例中，第一像素402经配置以产生处于第一波长并且具有第一带宽的光。在一个实施方式中，第一像素402产生红色光。第二像素404经配置以产生处于不同于该第一波长的第二波长并且具有不同于该第一带宽的第二带宽的光。在一个实施方式中，第二像素404产生蓝色光。第三像素406经配置以产生处于第三波长并且具有第三带宽的光，该第三波长分别地与该第一波长和该第二波长不同，以及该第三带宽分别地与该第一带宽和该第二带宽不同。在一个实施方式中，第三像素406产生绿色光。
像素402、404、406中的每一像素以一图案被布置在基板408上而形成阵列400。在一个实施方式中，像素402、404、406具有均匀的大小和分布结构。在另一实施方式中，像素402、404、406中的每一个分别地具有独有的大小，以及跨越阵列400的均匀的分布图案。尽管像素402、404被示出为具有主要为四边形的形状，可以设想到任何的期望的形状可被利用于像素402、404。类似地，尽管像素406被示出为具有圆形或椭圆形的形状，可以设想到任何的期望的形状可被利用于像素406。
图4B是根据本文描述的实施方式的图4A的LED阵列400的部分示意性平面图，且LED阵列400具有分别地设置在LED阵列400的像素402、404、406上的纳米镜片410、414、418。具有形成于其上的多个第一纳米结构412的第一纳米镜片410设置在第一像素402上。具有形成于其上的多个第二纳米结构416的第二纳米镜片414设置在第二像素404上。具有形成于其上的多个第三纳米结构420的第三纳米镜片418设置在第三像素406上。纳米镜片410、414、418中的每一个纳米镜片的大小和形状被设计为实质上对应于：相对应的下面的像素402、404、406的大小和形状。
在一个实施方式中，纳米镜片410、414、418中的每一个是单色镜片。在此实施方式中，对应于每一个纳米镜片410、414、418的多个纳米结构412、416、420适用于调节从相对应的像素402、404、406发射的具有单个波长或在界定的范围中的波长的光。举例而言，被设置在第一纳米镜片410上的第一多个纳米结构412适用于减小或消除色差和补偿在图像平面处的红色光的光学路径长度。被设置在第二纳米镜片414上的第二多个纳米结构416适用于减小或消除色差和补偿在图像平面处的蓝色光的光学路径长度。被设置在第三纳米镜片418上的第三多个纳米结构420适用于减小或消除色差和补偿在图像平面处的绿色光的光学路径长度。因此，利用具有变化的波长的光在图像平面处形成聚焦的图像是可能的。
纳米镜片410、414、418中的每一个纳米镜片和纳米结构412、416、420中的每一个纳米结构分别由介电材料形成，诸如，由ZnO材料、TiO2材料、GaN材料，及其组合形成。介电材料可为结晶的或无定形的，其中取决于与不同的结晶晶格结构(或其空缺)相关联的期望的光学性质。在一个实施方式中，被设置在纳米镜片410上的多个第一纳米结构412的每一个纳米结构以实质上均匀的第一形态被制造。被设置在纳米镜片414上的多个第二纳米结构416的每一个纳米结构以不同于第一形态的实质上均匀的第二形态被制造。被设置在纳米镜片418上的多个第三纳米结构420的每一个纳米结构以不同于第一形态和第二形态的实质上均匀的第三形态被制造。在此实施方式中，第一形态适用于调节红色光，第二形态适用于调节蓝色光，及第三形态适用于调节绿色光。
尽管第一形态、第二形态，及第三形态中的每一形态是独有的，但纳米结构412、416、420中的每一个纳米结构的形态可以是圆筒形的、柱状的、立体状的或类似形态。纳米结构412、416、420的高度、宽度、长度、直径、间隔，或其他的物理特性分别地对于第一形态、第二形态，及第三形态为独有的。在一个实施方式中，纳米结构412、416、420中的每一个纳米结构的宽度在大约50nm与大约100nm之间。
在另一实施方式中，纳米结构412、416、420中的每一个纳米结构的高度是对应于分别地由纳米镜片410、414、418调节的光颜色的不同的波长的量级。举例而言，纳米结构412的高度对应于在从像素402发射的红色光与分别地从相邻的像素404、406发射的蓝色光和绿色光之间的波长差。纳米结构416的高度对应于在从像素404发射的蓝色光与分别地从相邻的像素402、406发射的红色光和绿色光之间的波长差。纳米结构420的高度对应于在从像素406发射的绿色光与分别地从相邻的像素402、404发射的红色光和蓝色光之间的波长差。
取决于被利用以制造纳米结构412、416、420的介电材料的类型，纳米结构412、416、420通过各种技术而沉积。适当的沉积技术包括：化学气相沉积、物理气相沉积、分子束外延，及类似沉积技术。适合用于执行这些沉积工艺的设备是可从位于加利福尼亚州的圣塔克拉拉的应用材料公司获得的工具。
经沉积以形成纳米结构412、416、420的介电膜的图案化包括：诸如纳米压印光刻、电子束光刻、或适合用于形成具有诸如是在前文中描述的那些的形态的纳米结构412、416、420的其他的光刻技术的工艺。因此，具有相对应的纳米结构的单色的纳米镜片可利用对于像素402、404、406的每一个像素以独有的方式来形成。亦设想到：除了如在前文中描述的纳米镜片之外，本文描述的实施方式可被实施在其他的光调节装置中，诸如，偏振器、波阻滞板、及类似装置中。
虽然前述针对本公开内容的实施方式，在不偏离本公开内容的基本范围的情况下可设计本公开内容的其他的和另外的实施方式，并且本公开内容的范围由随附的权利要求书确定。
Claims (15)
1.一种显示设备，包括：
基板；
第一特征，所述第一特征形成于被设置在第一平面中的所述基板上；
第一发射器结构，所述第一发射器结构设置在所述第一特征上；
第二特征，所述第二特征形成于被设置在第二平面中的所述基板上，所述第二平面与所述第一平面不同；
第二发射器结构，所述第二发射器结构设置在所述第二特征上；
第三特征，所述第三特征形成于被设置在第三平面中的所述基板上，所述第三平面与所述第一平面和所述第二平面不同；
第三发射器结构，所述第三发射器结构设置在所述第三特征上；
封装层，所述封装层形成于所述特征的上方；及
多个介电纳米结构，所述多个介电纳米结构形成于所述封装层上。
2.如权利要求1所述的设备，其中所述基板是透明玻璃材料。
3.如权利要求1所述的设备，其中所述第一特征设置在与图像平面相距第一焦距处，所述第二特征设置在与所述图像平面相距第二焦距处，所述第二焦距大于所述第一焦距，及所述第三特征设置在与所述图像平面相距第三焦距处，所述第三焦距大于所述第二焦距。
4.如权利要求1所述的设备，其中所述第一发射器结构、所述第二发射器结构，及所述第三发射器系包括像素的子像素元件。
5.如权利要求4所述的设备，其中所述第一发射器结构经配置以产生处于第一波长并且具有第一带宽的光。
6.如权利要求5所述的设备，其中所述第二发射器结构经配置以产生处于不同于所述第一波长的第二波长并且具有不同于所述第一带宽的第二带宽的光。
7.如权利要求6所述的设备，其中所述第三发射器结构经配置以产生处于不同于所述第一波长和所述第二波长的第三波长和具有不同于所述第一带宽和所述第二带宽的第三带宽的光。
8.如权利要求6所述的设备，其中由所述第一发射器结构、所述第二发射器结构，及所述第三发射器结构中的每一个产生的光聚焦在单个图像平面上。
9.如权利要求1所述的设备，其中与所述第一特征、所述第二特征，及所述第三特征相对而设置的所述基板的表面是平面的。
10.如权利要求1所述的设备，其中所述多个介电纳米结构的数个尺寸包括每一个纳米结构的宽度、每一个纳米结构的高度，及在相邻的纳米结构之间的间隔并且所述介电纳米结构的所述数个尺寸是均匀的。
11.一种显示设备，包括：
基板，所述基板具有形成于其上的多个特征；
第一特征，所述第一特征设置在第一平面中；
第一发射器结构，所述第一发射器结构设置在所述第一特征上；
第一封装层，所述第一封装层形成在所述第一发射器结构的上方；
第二特征，所述第二特征设置在与所述第一平面不同的第二平面中；
第二发射器结构，所述第二发射器结构设置在所述第二特征上；
第二封装层，所述第二封装层形成在所述第二发射器结构的上方；
第三特征，所述第三特征设置在不同于所述第一平面和所述第二平面的第三平面中；
第三发射器结构，所述第三发射器结构设置在所述第三特征上；
第三封装层，所述第三封装层形成在所述第三发射器结构的上方；及
多个介电纳米结构，所述多个介电纳米结构形成在所述第一封装层、所述第二封装层、及所述第三封装层上。
12.如权利要求11所述的设备，其中所述第一特征设置在与图像平面相距第一焦距处，所述第二特征设置在与所述图像平面相距第二焦距处，所述第二焦距大于所述第一焦距，及所述第三特征设置在与所述图像平面相距第三焦距处，所述第三焦距大于所述第二焦距。
13.如权利要求12所述的设备，其中由所述第一发射器结构、所述第二发射器结构、及所述第三发射器结构中的每一个产生的光聚焦在所述图像平面上。
14.如权利要求11所述的设备，其中与所述第一特征、所述第二特征、及所述第三特征相对而设置的所述基板的表面是平面的。
15.一种显示设备，包括：
基板，所述基板具有第一表面和所述第一表面相对而设置的第二表面，其中所述第一表面和所述第二表面是平面的并且所述第二表面平行于所述第一表面；
第一发射器结构，所述第一发射器结构设置在所述第一表面上；
第二发射器结构，所述第二发射器结构设置在所述第一表面上；
第三发射器结构，所述第三发射器结构设置在所述第一表面上；
封装层，所述封装层设置在所述第一发射器结构、所述第二发射器结构、及所述第三发射器结构的上方；
第一多个介电纳米结构，所述第一多个介电纳米结构具有第一尺寸并且设置在对应于所述第一发射器结构的区域的所述封装层上；
第二多个介电纳米结构，所述第二多个介电纳米结构具有不同于所述第一尺寸的第二尺寸并且设置在对应于所述第二发射器的一区域的所述封装层上；及
第三多个介电纳米结构，所述第三多个介电纳米结构具有不同于所述第一尺寸和所述第二尺寸的第三尺寸并且设置在对应于所述第三发射器结构的一区域的所述封装层上。
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