JP2003007597A - マスクパターン偏倍方法、偏倍装置及びマスク構造体 - Google Patents
マスクパターン偏倍方法、偏倍装置及びマスク構造体Info
- Publication number
- JP2003007597A JP2003007597A JP2001190809A JP2001190809A JP2003007597A JP 2003007597 A JP2003007597 A JP 2003007597A JP 2001190809 A JP2001190809 A JP 2001190809A JP 2001190809 A JP2001190809 A JP 2001190809A JP 2003007597 A JP2003007597 A JP 2003007597A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- force
- mask pattern
- mask
- manufacturing
- support frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 105
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 111
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 51
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 45
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 34
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 22
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 12
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 8
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 6
- 238000012937 correction Methods 0.000 abstract description 10
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 22
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 19
- 230000006870 function Effects 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 208000024891 symptom Diseases 0.000 description 3
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 230000010485 coping Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 101100316860 Autographa californica nuclear polyhedrosis virus DA18 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000006100 radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000013024 troubleshooting Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｘ軸方向とＹ軸方向とで異なる所望の倍率補
正を行う偏倍を可能にして、より高精度な重ね合わせを
実現する。 【解決手段】 マスクパターンを形成したマスク基板と
四角窓２を有するリング状の支持フレーム１を持ったマ
スク構造体に対し、四角窓２の両対角線の実質的な延長
上にある支持フレーム外周の４箇所を加圧点４〜７とし
て力を加え、且つ各加圧点４〜７を中心として力のベク
トルの角度を調整して力を加え、加圧点の一部につい
て、互いに直交する２方向の加圧用に分けて加圧点を設
け、力のベクトルの一部について、四角窓２の辺に平行
なＸ軸方向とＹ軸方向に力を分解して支持フレーム１に
力を加えることも可能である。
正を行う偏倍を可能にして、より高精度な重ね合わせを
実現する。 【解決手段】 マスクパターンを形成したマスク基板と
四角窓２を有するリング状の支持フレーム１を持ったマ
スク構造体に対し、四角窓２の両対角線の実質的な延長
上にある支持フレーム外周の４箇所を加圧点４〜７とし
て力を加え、且つ各加圧点４〜７を中心として力のベク
トルの角度を調整して力を加え、加圧点の一部につい
て、互いに直交する２方向の加圧用に分けて加圧点を設
け、力のベクトルの一部について、四角窓２の辺に平行
なＸ軸方向とＹ軸方向に力を分解して支持フレーム１に
力を加えることも可能である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス製
造に使用するマスク構造体やこのマスクパターンの補正
技術に関する。またこの補正技術を用いた露光装置やデ
バイス製造方法等に関する。さらにはこの補正技術を用
いたマスクパターン製造方法に関する。
造に使用するマスク構造体やこのマスクパターンの補正
技術に関する。またこの補正技術を用いた露光装置やデ
バイス製造方法等に関する。さらにはこの補正技術を用
いたマスクパターン製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスにおいて 非常に微細な
パターンを形成するための技術として、Ｘ線を利用した
リソグラフィ技術が注目されている。その中で、マスク
とウエハを近接させて配置し、Ｘ線を照射することで等
倍露光転写する方式がある。この方式では、マスクとウ
エハが近接して配置され、縮小投影光学系が存在しない
ために、ウエハ上に転写する転写倍率を調整することが
出来ない。
パターンを形成するための技術として、Ｘ線を利用した
リソグラフィ技術が注目されている。その中で、マスク
とウエハを近接させて配置し、Ｘ線を照射することで等
倍露光転写する方式がある。この方式では、マスクとウ
エハが近接して配置され、縮小投影光学系が存在しない
ために、ウエハ上に転写する転写倍率を調整することが
出来ない。
【０００３】この課題に対して、特開平１０−２４２０
３３号公報に開示されているようにマスク構造体に外力
を加え、パターンサイズを変化させる（倍率補正）方法
が提案されている。
３３号公報に開示されているようにマスク構造体に外力
を加え、パターンサイズを変化させる（倍率補正）方法
が提案されている。
【０００４】これは図１５に示したように、マスク構造
体の四角窓の両対角線の延長上のそれぞれの方向に２つ
の突き当て固定部材２５８，２５９を配置し、この突き
当て固定部材の対向位置にマスク中心に向けて力Ｐ１，
Ｐ２を加え、倍率補正を行うものである。
体の四角窓の両対角線の延長上のそれぞれの方向に２つ
の突き当て固定部材２５８，２５９を配置し、この突き
当て固定部材の対向位置にマスク中心に向けて力Ｐ１，
Ｐ２を加え、倍率補正を行うものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
例では、ＸＹ等方的なパターンの変化（正方形状の縮小
変形）は得られるが、Ｘ軸方向とＹ軸方向で異なる所望
の偏倍（長方形状の縮小変形）の倍率補正を行う方法が
見出せずにいた。
例では、ＸＹ等方的なパターンの変化（正方形状の縮小
変形）は得られるが、Ｘ軸方向とＹ軸方向で異なる所望
の偏倍（長方形状の縮小変形）の倍率補正を行う方法が
見出せずにいた。
【０００６】本発明の第一の目的は、上記従来例を改良
し、Ｘ軸方向とＹ軸方向で異なる倍率での補正も可能に
し、より高精度な重ね合わせを実現するマスクパターン
偏倍方法を提供することである。
し、Ｘ軸方向とＹ軸方向で異なる倍率での補正も可能に
し、より高精度な重ね合わせを実現するマスクパターン
偏倍方法を提供することである。
【０００７】本発明の第二の目的は、より簡便な機構や
加圧の方法により上記第一の目的を実現する方法を提供
することである。
加圧の方法により上記第一の目的を実現する方法を提供
することである。
【０００８】本発明の第三の目的は、Ｘ軸方向とＹ軸方
向で異なる倍率でのマスクパターンの補正にも対応でき
る、感光基板であるウエハへのマスクパターン転写工程
を含むデバイス製造方法を提供することである。
向で異なる倍率でのマスクパターンの補正にも対応でき
る、感光基板であるウエハへのマスクパターン転写工程
を含むデバイス製造方法を提供することである。
【０００９】本発明の第四の目的は、本発明に係るマス
クパターン偏倍方法を用い、所定の力でメンブレンに歪
を与えた状態でマスクパターン描画を行うマスクパター
ン製造方法を提供することである。
クパターン偏倍方法を用い、所定の力でメンブレンに歪
を与えた状態でマスクパターン描画を行うマスクパター
ン製造方法を提供することである。
【００１０】本発明の第五の目的は、本発明に係るマス
クパターン偏倍方法を行うためのマスク構造体を提供す
ることである。
クパターン偏倍方法を行うためのマスク構造体を提供す
ることである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するため、本発明の第一の局面は、マスクパターン
を形成したマスク基板と四角窓を有するリング状の支持
フレームを持ったマスク構造体に対し、前記四角窓の両
対角線の実質的な延長上にある支持フレーム外周の４箇
所を加圧点として力を加え、且つ前記加圧点を中心とし
て力のベクトルの角度を調整することを特徴とする。
達成するため、本発明の第一の局面は、マスクパターン
を形成したマスク基板と四角窓を有するリング状の支持
フレームを持ったマスク構造体に対し、前記四角窓の両
対角線の実質的な延長上にある支持フレーム外周の４箇
所を加圧点として力を加え、且つ前記加圧点を中心とし
て力のベクトルの角度を調整することを特徴とする。
【００１２】上記目的を達成するため、本発明の第二の
局面は、力のベクトルを四角窓に平行にＸ軸方向と、Ｙ
軸方向とに力を分解して支持フレームを加圧する方法
や、ころがり接触可能部を介して、前記支持フレームに
力を加えたり、加圧点の一部を固定点にしたり、さらに
固定点の少なくとも一部について、該固定点を受止める
受止め機構にスライド機能を付加したことにより、より
簡便で扱いやすい機構や加圧方法にすることである。
局面は、力のベクトルを四角窓に平行にＸ軸方向と、Ｙ
軸方向とに力を分解して支持フレームを加圧する方法
や、ころがり接触可能部を介して、前記支持フレームに
力を加えたり、加圧点の一部を固定点にしたり、さらに
固定点の少なくとも一部について、該固定点を受止める
受止め機構にスライド機能を付加したことにより、より
簡便で扱いやすい機構や加圧方法にすることである。
【００１３】上記目的を達成するため、本発明の第三の
局面は、Ｘ線露光等における感光基板へのマスクパター
ン転写工程を含むデバイス製造方法に、本発明のマスク
パターン偏倍方法を利用することを特徴とする。
局面は、Ｘ線露光等における感光基板へのマスクパター
ン転写工程を含むデバイス製造方法に、本発明のマスク
パターン偏倍方法を利用することを特徴とする。
【００１４】上記目的を達成するため、本発明の第四の
局面は、エレクトロンビーム等によりマスクパターン描
画を行うマスクパターン製造方法に、本発明のマスクパ
ターン偏倍方法を利用することを特徴とする。
局面は、エレクトロンビーム等によりマスクパターン描
画を行うマスクパターン製造方法に、本発明のマスクパ
ターン偏倍方法を利用することを特徴とする。
【００１５】上記目的を達成するため、本発明の第五の
局面に係るマスク構造体は、マスクパターンが形成され
たメンブレンを有するマスク基板と、四角窓を有する支
持フレームを備え、支持フレームの外形が本発明に係る
パターン偏倍方法に対応してＷ字形溝、またはＶ字形溝
を有する形状や、面取りされた形状であることを特徴と
する。
局面に係るマスク構造体は、マスクパターンが形成され
たメンブレンを有するマスク基板と、四角窓を有する支
持フレームを備え、支持フレームの外形が本発明に係る
パターン偏倍方法に対応してＷ字形溝、またはＶ字形溝
を有する形状や、面取りされた形状であることを特徴と
する。
【００１６】上記目的を達成するため、本発明の第六の
局面は、マスクパターンを形成したマスク基板と四角窓
を有するリング状の支持フレームを持ったマスク構造体
に対し、前記四角窓の両対角線の延長上にある支持フレ
ーム外周の４箇所を加圧点として力を加える加圧機構を
備え、前記加圧点を中心として前記加圧機構に基づく力
のベクトルの角度が可変であることを特徴とする。
局面は、マスクパターンを形成したマスク基板と四角窓
を有するリング状の支持フレームを持ったマスク構造体
に対し、前記四角窓の両対角線の延長上にある支持フレ
ーム外周の４箇所を加圧点として力を加える加圧機構を
備え、前記加圧点を中心として前記加圧機構に基づく力
のベクトルの角度が可変であることを特徴とする。
【００１７】また、本発明に係るマスクパターン偏倍装
置は、加圧点の少なくとも一部について、互いに交差す
る２方向の加圧用に分けて加圧点を設け、力のベクトル
の少なくとも一部について、前記四角窓の辺に平行なＸ
軸方向とＹ軸方向に力を分解して前記支持フレームに力
を加えてもよく、ころがり接触可能部を介して、前記支
持フレームに力を加えることが望ましく、加圧点の一部
を固定点とすることが望ましく、前記固定点の少なくと
も一部について、該固定点を受止める受止め機構にスラ
イド機能を付加することが好ましい。
置は、加圧点の少なくとも一部について、互いに交差す
る２方向の加圧用に分けて加圧点を設け、力のベクトル
の少なくとも一部について、前記四角窓の辺に平行なＸ
軸方向とＹ軸方向に力を分解して前記支持フレームに力
を加えてもよく、ころがり接触可能部を介して、前記支
持フレームに力を加えることが望ましく、加圧点の一部
を固定点とすることが望ましく、前記固定点の少なくと
も一部について、該固定点を受止める受止め機構にスラ
イド機能を付加することが好ましい。
【００１８】本発明は、上記いずれかのマスクパターン
偏倍方法または偏倍装置を用いてマスクパターンを製造
し、そのマスクパターンに基づいて、感光基板へのマス
クパターン転写を行う露光装置にも適用可能である。
偏倍方法または偏倍装置を用いてマスクパターンを製造
し、そのマスクパターンに基づいて、感光基板へのマス
クパターン転写を行う露光装置にも適用可能である。
【００１９】また、本発明は、前記露光装置を含む各種
プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設置する工
程と、該製造装置群を用いて複数のプロセスによって半
導体デバイスを製造する工程とを有する半導体デバイス
製造方法にも適用可能であり、前記製造装置群をローカ
ルエリアネットワークで接続する工程と、前記ローカル
エリアネットワークと前記半導体製造工場外の外部ネッ
トワークとの間で、前記製造装置群の少なくとも１台に
関する情報をデータ通信する工程とをさらに有すること
が望ましく、前記露光装置のベンダもしくはユーザが提
供するデータベースに前記外部ネットワークを介してア
クセスしてデータ通信によって前記製造装置の保守情報
を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の半導体製
造工場との間で前記外部ネットワークを介してデータ通
信して生産管理を行うことが好ましい。
プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設置する工
程と、該製造装置群を用いて複数のプロセスによって半
導体デバイスを製造する工程とを有する半導体デバイス
製造方法にも適用可能であり、前記製造装置群をローカ
ルエリアネットワークで接続する工程と、前記ローカル
エリアネットワークと前記半導体製造工場外の外部ネッ
トワークとの間で、前記製造装置群の少なくとも１台に
関する情報をデータ通信する工程とをさらに有すること
が望ましく、前記露光装置のベンダもしくはユーザが提
供するデータベースに前記外部ネットワークを介してア
クセスしてデータ通信によって前記製造装置の保守情報
を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の半導体製
造工場との間で前記外部ネットワークを介してデータ通
信して生産管理を行うことが好ましい。
【００２０】また、本発明は、前記露光装置を含む各種
プロセス用の製造装置群と、該製造装置群を接続するロ
ーカルエリアネットワークと、該ローカルエリアネット
ワークから工場外の外部ネットワークにアクセス可能に
するゲートウェイを有し、前記製造装置群の少なくとも
１台に関する情報をデータ通信することを可能にした半
導体製造工場にも適用可能である。
プロセス用の製造装置群と、該製造装置群を接続するロ
ーカルエリアネットワークと、該ローカルエリアネット
ワークから工場外の外部ネットワークにアクセス可能に
するゲートウェイを有し、前記製造装置群の少なくとも
１台に関する情報をデータ通信することを可能にした半
導体製造工場にも適用可能である。
【００２１】また、本発明は、半導体製造工場に設置さ
れた前記露光装置の保守方法であって、前記露光装置の
ベンダもしくはユーザが、半導体製造工場の外部ネット
ワークに接続された保守データベースを提供する工程
と、前記半導体製造工場内から前記外部ネットワークを
介して前記保守データベースへのアクセスを許可する工
程と、前記保守データベースに蓄積される保守情報を前
記外部ネットワークを介して半導体製造工場側に送信す
る工程とを有する露光装置の保守方法にも適用可能であ
る。
れた前記露光装置の保守方法であって、前記露光装置の
ベンダもしくはユーザが、半導体製造工場の外部ネット
ワークに接続された保守データベースを提供する工程
と、前記半導体製造工場内から前記外部ネットワークを
介して前記保守データベースへのアクセスを許可する工
程と、前記保守データベースに蓄積される保守情報を前
記外部ネットワークを介して半導体製造工場側に送信す
る工程とを有する露光装置の保守方法にも適用可能であ
る。
【００２２】また、本発明は、前記露光装置において、
ディスプレイと、ネットワークインタフェースと、ネッ
トワーク用ソフトウェアを実行するコンピュータとをさ
らに有し、露光装置の保守情報をコンピュータネットワ
ークを介してデータ通信することを可能にしたことを特
徴としてもよく、前記ネットワーク用ソフトウェアは、
前記露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接
続され前記露光装置のベンダもしくはユーザが提供する
保守データベースにアクセスするためのユーザインタフ
ェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネット
ワークを介して該データベースから情報を得ることを可
能にすることが好ましい。
ディスプレイと、ネットワークインタフェースと、ネッ
トワーク用ソフトウェアを実行するコンピュータとをさ
らに有し、露光装置の保守情報をコンピュータネットワ
ークを介してデータ通信することを可能にしたことを特
徴としてもよく、前記ネットワーク用ソフトウェアは、
前記露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接
続され前記露光装置のベンダもしくはユーザが提供する
保守データベースにアクセスするためのユーザインタフ
ェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネット
ワークを介して該データベースから情報を得ることを可
能にすることが好ましい。
【００２３】
【発明の実施の形態】図１は本発明のマスクパターン偏
倍方法を行う際、マスク構造体の支持フレーム１に加え
る力のベクトル（力の大きさと方向）と四角窓２との位
置関係を説明するための平面図である。Ｘ軸及びＹ軸
は、図１に示すように四角窓２に対して対応する辺に平
行に定める。このマスクパターン偏倍方法は、四角窓２
の両対角線の延長直線上で支持フレーム１の外周３に加
圧点４〜７を定め、これらの各加圧点に力Ｆｃを加えて
行われる。力Ｆｃは、Ｘ軸方向の力ＦａとＹ軸方向の力
Ｆｂの合力である。
倍方法を行う際、マスク構造体の支持フレーム１に加え
る力のベクトル（力の大きさと方向）と四角窓２との位
置関係を説明するための平面図である。Ｘ軸及びＹ軸
は、図１に示すように四角窓２に対して対応する辺に平
行に定める。このマスクパターン偏倍方法は、四角窓２
の両対角線の延長直線上で支持フレーム１の外周３に加
圧点４〜７を定め、これらの各加圧点に力Ｆｃを加えて
行われる。力Ｆｃは、Ｘ軸方向の力ＦａとＹ軸方向の力
Ｆｂの合力である。
【００２４】所望するＸ軸方向の偏倍が−αｐｐｍ、Ｙ
軸方向の偏倍が−βｐｐｍを得るために、力Ｆａと力Ｆ
ｂの大きさ（スカラ量）が定まる。
軸方向の偏倍が−βｐｐｍを得るために、力Ｆａと力Ｆ
ｂの大きさ（スカラ量）が定まる。
【００２５】力Ｆｃを加えるための加圧機構は、４箇所
の加圧点４〜７を中心としてそれぞれの矢印で示すよう
に角度を変えられる機構になっており、本実施形態に係
る方法は、所望するＸ軸方向、及びＹ軸方向の偏倍を得
るために設定したＸ軸方向の力ＦａとＹ軸方向の力Ｆｂ
の合力に相当する力の大きさと角度θの力の方向である
力Ｆｃを加えるものである。
の加圧点４〜７を中心としてそれぞれの矢印で示すよう
に角度を変えられる機構になっており、本実施形態に係
る方法は、所望するＸ軸方向、及びＹ軸方向の偏倍を得
るために設定したＸ軸方向の力ＦａとＹ軸方向の力Ｆｂ
の合力に相当する力の大きさと角度θの力の方向である
力Ｆｃを加えるものである。
【００２６】図１における力Ｆａ、力Ｆｂ、及び力Ｆｃ
の関係は、以下の通りである。 Ｆａ⊥Ｆｂ 力Ｆｃの大きさ（スカラ量） Ｆｃ＝√（Ｆａ2 ＋Ｆｂ2 ） 力ＦｃとＸ軸とがなす角度をθとすると、 θ＝ｔａｎ-1 Ｆｂ／Ｆａ 図２は図１のマスクパターン偏倍方法におけるマスク構
造体の支持フレーム１に加える力Ｆｃを、四角窓９の辺
に平行なＸ軸方向の力ＦａとＹ軸方向の力Ｆｂに力を分
解して支持フレーム８に力を加える方法を示す平面図で
ある。
の関係は、以下の通りである。 Ｆａ⊥Ｆｂ 力Ｆｃの大きさ（スカラ量） Ｆｃ＝√（Ｆａ2 ＋Ｆｂ2 ） 力ＦｃとＸ軸とがなす角度をθとすると、 θ＝ｔａｎ-1 Ｆｂ／Ｆａ 図２は図１のマスクパターン偏倍方法におけるマスク構
造体の支持フレーム１に加える力Ｆｃを、四角窓９の辺
に平行なＸ軸方向の力ＦａとＹ軸方向の力Ｆｂに力を分
解して支持フレーム８に力を加える方法を示す平面図で
ある。
【００２７】Ｘ軸及びＹ軸は、四角窓９に対して図２に
示すように対応するそれぞれの辺に平行に定める。加圧
点１１〜１４は、四角窓９の両対角線の延長直線上で支
持フレーム８の外周１０に定め、その各加圧点にそれぞ
れ力Ｆａ、及び力Ｆｂが加えられる。
示すように対応するそれぞれの辺に平行に定める。加圧
点１１〜１４は、四角窓９の両対角線の延長直線上で支
持フレーム８の外周１０に定め、その各加圧点にそれぞ
れ力Ｆａ、及び力Ｆｂが加えられる。
【００２８】図３は、Ｘ線を使用したリソグラフィに用
いられる透過形マスク構造体の構成を示す一部破断斜視
図である。
いられる透過形マスク構造体の構成を示す一部破断斜視
図である。
【００２９】１５はシリコンウエハからなる円形のマス
ク基板である。マスク基板１５には基板の方向を規定す
るオリフラ部１６という切り欠きと放射ビーム透過領域
である四角窓１７が形成されている。このオリフラ部１
６に代わりマスク基板１５にＶ字形溝等を形成しマスク
基板１５の方向を規定するものもある。
ク基板である。マスク基板１５には基板の方向を規定す
るオリフラ部１６という切り欠きと放射ビーム透過領域
である四角窓１７が形成されている。このオリフラ部１
６に代わりマスク基板１５にＶ字形溝等を形成しマスク
基板１５の方向を規定するものもある。
【００３０】このマスク基板１５は、シリコン基板の表
面にＳｉＮやＳｉＣの膜を成膜した後、シリコン基板の
片側から四角窓となる部分をバックエッチング処理にて
極薄のメンブレンであるＳｉＮやＳｉＣの膜を残し、こ
のメンブレン上に放射線吸収体（ＷやＴａ等の金属）で
転写すべきマスクパターン１８が形成される。
面にＳｉＮやＳｉＣの膜を成膜した後、シリコン基板の
片側から四角窓となる部分をバックエッチング処理にて
極薄のメンブレンであるＳｉＮやＳｉＣの膜を残し、こ
のメンブレン上に放射線吸収体（ＷやＴａ等の金属）で
転写すべきマスクパターン１８が形成される。
【００３１】本発明の実施形態に係るマスクパターン偏
倍方法は、マスクパターンを縮小させて補正を行うた
め、マスクパターン１８は理想的な転写パターンサイズ
に対してあらかじめ僅かに大きな倍率で形成されてい
る。このオフセット倍率は、転写後のウエハプロセスで
想定されるプロセス歪も考慮して決定される。
倍方法は、マスクパターンを縮小させて補正を行うた
め、マスクパターン１８は理想的な転写パターンサイズ
に対してあらかじめ僅かに大きな倍率で形成されてい
る。このオフセット倍率は、転写後のウエハプロセスで
想定されるプロセス歪も考慮して決定される。
【００３２】１９はマスク基板１５を支持して補強する
ためのリング状の支持フレームである。支持フレーム１
９の材料は耐熱ガラスやＳｉＣ等のセラミックが好まし
い。マスク基板１５と支持フレーム１９は接着剤接合あ
るいは陽極接合などの手法により接合している。
ためのリング状の支持フレームである。支持フレーム１
９の材料は耐熱ガラスやＳｉＣ等のセラミックが好まし
い。マスク基板１５と支持フレーム１９は接着剤接合あ
るいは陽極接合などの手法により接合している。
【００３３】支持フレーム１９には方向を規定するノッ
チ部２０というＶ字形溝と、放射ビーム透過領域である
四角窓２１が形成されている。支持フレーム１９の外形
は、円形上段部２２、及び円形下段部２３の上下２段の
円盤形状を基本にしているが、後述するように本発明の
マスクパターン偏倍方法に対応して、Ｗ字形溝やＶ字形
溝を設けたり、あるいは加圧点を面取りするためその外
形が四角のような形状になるものもある。
チ部２０というＶ字形溝と、放射ビーム透過領域である
四角窓２１が形成されている。支持フレーム１９の外形
は、円形上段部２２、及び円形下段部２３の上下２段の
円盤形状を基本にしているが、後述するように本発明の
マスクパターン偏倍方法に対応して、Ｗ字形溝やＶ字形
溝を設けたり、あるいは加圧点を面取りするためその外
形が四角のような形状になるものもある。
【００３４】図４は本発明の第一の実施形態に係るマス
クパターン偏倍方法の実施用装置を示す平面図である。
本実施形態は、マスク構造体の支持フレーム２４の四角
窓２５の両対角線の延長直線上で支持フレーム２４の円
形上段部２６外周に固定点２７，２８、及び加圧点２
９，３０を設けたものである。別の実施形態として支持
フレーム２４の円形下段部外周に固定点、及び加圧点を
設ける場合もある。
クパターン偏倍方法の実施用装置を示す平面図である。
本実施形態は、マスク構造体の支持フレーム２４の四角
窓２５の両対角線の延長直線上で支持フレーム２４の円
形上段部２６外周に固定点２７，２８、及び加圧点２
９，３０を設けたものである。別の実施形態として支持
フレーム２４の円形下段部外周に固定点、及び加圧点を
設ける場合もある。
【００３５】図４を図１と対比すると、図１の加圧点
４，５の力Ｆｃに代わり、図４では、加圧機構を持たず
固定刃先３１，３２を突き当てる受止め機構を用いて固
定点２７，２８を受止め、加圧機構の簡略化と固定点の
突き当て受止めによるマスク構造体の位置決めを図って
いる。これらの受止め機構は、固定刃先３１，３２を含
む全体が対応するそれぞれのレール３３，３４、及びレ
ール３５，３６上に設置され、矢印に示すように円形上
段部２６外周の接線方向に平行にスライド可能な機構に
なっており、マスク構造体の縮小変形を拘束しないよう
に機能する。マスク構造体の脱着の際は、固定刃先３
１，３２は破線で示すそれぞれの対応する位置３７，３
８まで待避できるようになっている。
４，５の力Ｆｃに代わり、図４では、加圧機構を持たず
固定刃先３１，３２を突き当てる受止め機構を用いて固
定点２７，２８を受止め、加圧機構の簡略化と固定点の
突き当て受止めによるマスク構造体の位置決めを図って
いる。これらの受止め機構は、固定刃先３１，３２を含
む全体が対応するそれぞれのレール３３，３４、及びレ
ール３５，３６上に設置され、矢印に示すように円形上
段部２６外周の接線方向に平行にスライド可能な機構に
なっており、マスク構造体の縮小変形を拘束しないよう
に機能する。マスク構造体の脱着の際は、固定刃先３
１，３２は破線で示すそれぞれの対応する位置３７，３
８まで待避できるようになっている。
【００３６】加圧刃先３９，４０は、ロードセル等によ
る個別の加圧力検出部４１，４２を備え、図１で示した
力Ｆｃを発生するそれぞれのアクチュエータ４３，４４
の対応するそれぞれの出入ロッド４３ａ，４４ａに固定
されている。マスク構造体の脱着の際は、加圧刃先３
９，４０は対応するそれぞれの破線で示す位置４５，４
６まで待避できるようになっている。
る個別の加圧力検出部４１，４２を備え、図１で示した
力Ｆｃを発生するそれぞれのアクチュエータ４３，４４
の対応するそれぞれの出入ロッド４３ａ，４４ａに固定
されている。マスク構造体の脱着の際は、加圧刃先３
９，４０は対応するそれぞれの破線で示す位置４５，４
６まで待避できるようになっている。
【００３７】アクチュエータ４３，４４をはじめとする
加圧刃先３９，４０を有する加圧機構は、対応するそれ
ぞれのレール４７，４８、及びレール４９，５０上に設
置され、対応するそれぞれの加圧点２９，３０を中心と
して矢印に示す方向に旋回可能な機構になっており、図
１で示したように所望するＸ軸方向と、Ｙ軸方向とで異
なる倍率の偏倍を得るために設定したＸ軸方向の力Ｆａ
とＹ軸方向の力Ｆｂの合力に相当する力を加えるもので
ある。
加圧刃先３９，４０を有する加圧機構は、対応するそれ
ぞれのレール４７，４８、及びレール４９，５０上に設
置され、対応するそれぞれの加圧点２９，３０を中心と
して矢印に示す方向に旋回可能な機構になっており、図
１で示したように所望するＸ軸方向と、Ｙ軸方向とで異
なる倍率の偏倍を得るために設定したＸ軸方向の力Ｆａ
とＹ軸方向の力Ｆｂの合力に相当する力を加えるもので
ある。
【００３８】ピン５１は、支持フレーム２４のＶ字形溝
状のノッチ部５２により、マスク基板の方向を規定する
ものである。またピン５１はベース板５３の面の下に隠
れたり、横にスライドするなど待避機能を有する。
状のノッチ部５２により、マスク基板の方向を規定する
ものである。またピン５１はベース板５３の面の下に隠
れたり、横にスライドするなど待避機能を有する。
【００３９】５４〜５６はマスク押えであり、ここでは
このマスク押え５４〜５６が破線で示すそれぞれの対応
する位置５７〜５９に旋回して、マスク構造体の支持フ
レーム２４を３点のボール（不図示）とこのマスク押え
５４〜５６で挟んで固定するようになっている。
このマスク押え５４〜５６が破線で示すそれぞれの対応
する位置５７〜５９に旋回して、マスク構造体の支持フ
レーム２４を３点のボール（不図示）とこのマスク押え
５４〜５６で挟んで固定するようになっている。
【００４０】図４に示す装置は、Ｘ線露光装置のＸ線マ
スク保持装置として用い、所望するＸ軸方向、及びＹ軸
方向の偏倍になるように、支持フレーム２４に力を加え
た状態でＸ線を照射し、感光基板としてのウエハへのマ
スクパターン１８の転写を行う方法の実施に用いること
が出来る。
スク保持装置として用い、所望するＸ軸方向、及びＹ軸
方向の偏倍になるように、支持フレーム２４に力を加え
た状態でＸ線を照射し、感光基板としてのウエハへのマ
スクパターン１８の転写を行う方法の実施に用いること
が出来る。
【００４１】また、図４に示す装置は、エレクトロンビ
ーム等によりマスクパターン描画を行う際のマスク保持
装置として用い、所定の力でメンブレンに歪を与えた状
態でマスクパターン描画を行う方法の実施に用いること
が出来る。
ーム等によりマスクパターン描画を行う際のマスク保持
装置として用い、所定の力でメンブレンに歪を与えた状
態でマスクパターン描画を行う方法の実施に用いること
が出来る。
【００４２】図５は本発明の第二の実施形態に係るマス
クパターン偏倍方法の実施用装置の例を示す平面図であ
る。固定点６３，６４及び加圧点６５，６６は、マスク
構造体の支持フレーム６０の四角窓６１の両対角線の延
長上で支持フレーム６０の円形上段部の外周６２に定
め、加圧点６５，６６に力Ｆｃが加えられる。図１と対
比すると、図１の加圧点４，５の力Ｆｃに代わり、図５
では固定点６３，６４を用い、加圧機構の簡略化と固定
点突き当て受止めによるマスク構造体の位置決めを図っ
ている。
クパターン偏倍方法の実施用装置の例を示す平面図であ
る。固定点６３，６４及び加圧点６５，６６は、マスク
構造体の支持フレーム６０の四角窓６１の両対角線の延
長上で支持フレーム６０の円形上段部の外周６２に定
め、加圧点６５，６６に力Ｆｃが加えられる。図１と対
比すると、図１の加圧点４，５の力Ｆｃに代わり、図５
では固定点６３，６４を用い、加圧機構の簡略化と固定
点突き当て受止めによるマスク構造体の位置決めを図っ
ている。
【００４３】この固定点６３，６４を受止める受止め機
構は、矢印によって示す方向にスライド可能な機構にな
っており、スライドの方向を定める角度θは、加圧点６
５，６６の力ＦｃをＸ軸方向、及びＹ軸方向に力を分解
した力Ｆａ、及び力Ｆｂの比に対応して設定する。
構は、矢印によって示す方向にスライド可能な機構にな
っており、スライドの方向を定める角度θは、加圧点６
５，６６の力ＦｃをＸ軸方向、及びＹ軸方向に力を分解
した力Ｆａ、及び力Ｆｂの比に対応して設定する。
【００４４】図４の固定点２７，２８に対する受止め機
構は、矢印に示すように接線方向に平行な方向にスライ
ド可能な機構であったが、図５ではスライドの方向を変
える機構を付加することにより、より大きな偏倍、つま
りＸ軸倍率とＹ軸倍率との差を大きくするときに生じる
長方形縮小変形以外の残差の改善を行っている。
構は、矢印に示すように接線方向に平行な方向にスライ
ド可能な機構であったが、図５ではスライドの方向を変
える機構を付加することにより、より大きな偏倍、つま
りＸ軸倍率とＹ軸倍率との差を大きくするときに生じる
長方形縮小変形以外の残差の改善を行っている。
【００４５】図６は本発明の第三の実施形態に係るマス
クパターン偏倍方法の実施用装置の例を示す平面図であ
る。同図に示すように、Ｘ軸及びＹ軸は四角窓６８に対
して対応するそれぞれの辺に平行に定める。固定点７０
はマスク構造体の支持フレーム６７の四角窓６８の両対
角線の延長直線上で支持フレームの円形上段部６９外周
の所に定め、固定点７０に対しＸ軸方向に延長した場所
にある加圧点７１ではＸ軸方向の力を加え、固定点７０
に対しＹ軸方向に延長した場所にある加圧点７２ではＹ
軸方向の力を加え、固定点７０の対角方向にある加圧点
７３においては、Ｘ軸方向の力ＦａとＹ軸方向の力Ｆｂ
の合力を加える。なお、加圧点７１はＹ軸方向に動か
ず、一方加圧点７２はＸ軸方向に動かない様にする。
クパターン偏倍方法の実施用装置の例を示す平面図であ
る。同図に示すように、Ｘ軸及びＹ軸は四角窓６８に対
して対応するそれぞれの辺に平行に定める。固定点７０
はマスク構造体の支持フレーム６７の四角窓６８の両対
角線の延長直線上で支持フレームの円形上段部６９外周
の所に定め、固定点７０に対しＸ軸方向に延長した場所
にある加圧点７１ではＸ軸方向の力を加え、固定点７０
に対しＹ軸方向に延長した場所にある加圧点７２ではＹ
軸方向の力を加え、固定点７０の対角方向にある加圧点
７３においては、Ｘ軸方向の力ＦａとＹ軸方向の力Ｆｂ
の合力を加える。なお、加圧点７１はＹ軸方向に動か
ず、一方加圧点７２はＸ軸方向に動かない様にする。
【００４６】固定刃先７４は支持フレーム６７に力を加
える際、一切動かないよう固定しているが、マスク構造
体の脱着の際は、破線で示す位置７５まで待避できるよ
うになっている。
える際、一切動かないよう固定しているが、マスク構造
体の脱着の際は、破線で示す位置７５まで待避できるよ
うになっている。
【００４７】加圧刃先７６〜７８は、ロードセル等によ
るそれぞれの加圧力検出部７９〜８１を備えている。ま
た、加圧刃先７６，７７は、スライダ８２，８３を備
え、それぞれ力の方向のＸ軸方向、及びＹ軸方向にスラ
イドし、かつ力の方向に対し垂直な方向のＹ軸方向、及
びＸ軸方向の力に抗する。
るそれぞれの加圧力検出部７９〜８１を備えている。ま
た、加圧刃先７６，７７は、スライダ８２，８３を備
え、それぞれ力の方向のＸ軸方向、及びＹ軸方向にスラ
イドし、かつ力の方向に対し垂直な方向のＹ軸方向、及
びＸ軸方向の力に抗する。
【００４８】加圧刃先７６〜７８は、力を発生するそれ
ぞれのアクチュエータ８４〜８６の出入ロッド８４ａ〜
８６ａに固定されている。マスク構造体の脱着の際は、
加圧刃先７６〜７８は破線で示すそれぞれの位置８７〜
８９まで待避できるようになっている。
ぞれのアクチュエータ８４〜８６の出入ロッド８４ａ〜
８６ａに固定されている。マスク構造体の脱着の際は、
加圧刃先７６〜７８は破線で示すそれぞれの位置８７〜
８９まで待避できるようになっている。
【００４９】アクチュエータ８６をはじめとする加圧刃
先７８を含む加圧機構は、レール９０，９１上に設置さ
れており、加圧点７３を中心として矢印に示す方向に旋
回可能な機構になっている。
先７８を含む加圧機構は、レール９０，９１上に設置さ
れており、加圧点７３を中心として矢印に示す方向に旋
回可能な機構になっている。
【００５０】ピン９２は、支持フレーム６７のＶ字形溝
状のノッチ部９３により、マスク基板の方向を規定する
ものである。またピン９２は、ベース板９４の面の下に
隠れたり横にスライドするなど待避機能を有する。
状のノッチ部９３により、マスク基板の方向を規定する
ものである。またピン９２は、ベース板９４の面の下に
隠れたり横にスライドするなど待避機能を有する。
【００５１】９５〜９７はマスク押えであり、ここでは
これらのマスク押え９５〜９７が破線で示すそれぞれの
位置９８〜１００に旋回して、マスク構造体の支持フレ
ーム６７を３点のボール（不図示）とこのマスク押え９
５〜９７で挟んで固定するようになっている。
これらのマスク押え９５〜９７が破線で示すそれぞれの
位置９８〜１００に旋回して、マスク構造体の支持フレ
ーム６７を３点のボール（不図示）とこのマスク押え９
５〜９７で挟んで固定するようになっている。
【００５２】図７は本発明のマスクパターン偏倍方法に
おいて、支持フレーム１０１に形成したＷ字形溝によ
り、四角窓１０２の辺に平行なＸ軸方向とＹ軸方向に力
を分解して支持フレームに力を加える一例を説明するた
めの図である。マスク構造体の支持フレーム１０１は、
その円形上段部または円形下段部のどちらかの一方の外
周１０３にＷ字形溝１０４〜１０７を設け、Ｘ軸方向加
圧用とＹ軸方向加圧用に分けて加圧点１０８〜１１５を
設け、図１における合力Ｆｃで力を加えるのではなく、
力Ｆａと力Ｆｂとに分けて力を加えるようにしてある。
おいて、支持フレーム１０１に形成したＷ字形溝によ
り、四角窓１０２の辺に平行なＸ軸方向とＹ軸方向に力
を分解して支持フレームに力を加える一例を説明するた
めの図である。マスク構造体の支持フレーム１０１は、
その円形上段部または円形下段部のどちらかの一方の外
周１０３にＷ字形溝１０４〜１０７を設け、Ｘ軸方向加
圧用とＹ軸方向加圧用に分けて加圧点１０８〜１１５を
設け、図１における合力Ｆｃで力を加えるのではなく、
力Ｆａと力Ｆｂとに分けて力を加えるようにしてある。
【００５３】図７に示すようにＸ軸方向とＹ軸方向に分
けて力を加えるようにしたこの方法は、Ｘ軸方向及びＹ
軸方向のいずれかの力がゼロまたはゼロに近い場合の偏
倍を行うときも対応が容易である。
けて力を加えるようにしたこの方法は、Ｘ軸方向及びＹ
軸方向のいずれかの力がゼロまたはゼロに近い場合の偏
倍を行うときも対応が容易である。
【００５４】図８は本発明の第四の実施形態に係るマス
クパターン偏倍方法の実施用装置の例を示す平面図であ
る。同図において、マスク構造体の支持フレーム１１６
は、四角窓１１７の両対角線の延長上の円形上段部１１
８外周の所にＷ字形溝１１９〜１２２が形成されてい
る。
クパターン偏倍方法の実施用装置の例を示す平面図であ
る。同図において、マスク構造体の支持フレーム１１６
は、四角窓１１７の両対角線の延長上の円形上段部１１
８外周の所にＷ字形溝１１９〜１２２が形成されてい
る。
【００５５】図中左上の固定点１２３，１２４はＷ字形
溝１１９の部分に定めている。倍率補正動作中、固定点
１２３，１２４を受止める受止め機構は固定状態になっ
ている。マスク構造体の脱着の際は、固定刃先１２５，
１２６は破線で示す位置１２７，１２８まで待避する。
図中右上のＷ字形溝１２０の部分に固定点１２９、及び
加圧点１３０がある。図７と図８とを対比すると、図７
の加圧点１０８，１０９の代わりに図８では固定点１２
３，１２４が定められ、図７の加圧点１１０の代わりに
図８では固定点１２９が定められている。
溝１１９の部分に定めている。倍率補正動作中、固定点
１２３，１２４を受止める受止め機構は固定状態になっ
ている。マスク構造体の脱着の際は、固定刃先１２５，
１２６は破線で示す位置１２７，１２８まで待避する。
図中右上のＷ字形溝１２０の部分に固定点１２９、及び
加圧点１３０がある。図７と図８とを対比すると、図７
の加圧点１０８，１０９の代わりに図８では固定点１２
３，１２４が定められ、図７の加圧点１１０の代わりに
図８では固定点１２９が定められている。
【００５６】図８中右上の固定刃先１３１を有する受止
め機構はレール１３２，１３３上に設置され、矢印に示
す方向にスライド可能な機構になっており、この受止め
機構は矢印の方向に対し垂直な方向に動かず、かつマス
ク構造体の縮小変形を拘束しないように機能する。マス
ク構造体の脱着の際は、固定刃先１３１は破線で示す位
置１３４まで待避する。
め機構はレール１３２，１３３上に設置され、矢印に示
す方向にスライド可能な機構になっており、この受止め
機構は矢印の方向に対し垂直な方向に動かず、かつマス
ク構造体の縮小変形を拘束しないように機能する。マス
ク構造体の脱着の際は、固定刃先１３１は破線で示す位
置１３４まで待避する。
【００５７】加圧刃先１３５はロードセル等による加圧
力検出部１３６を備え、力Ｆａを発生するアクチュエー
タ１３７の出入ロッド１３７ａに固定されている。マス
ク構造体の脱着の際は、加圧刃先１３５は位置１３８ま
で待避できるようになっている。
力検出部１３６を備え、力Ｆａを発生するアクチュエー
タ１３７の出入ロッド１３７ａに固定されている。マス
ク構造体の脱着の際は、加圧刃先１３５は位置１３８ま
で待避できるようになっている。
【００５８】アクチュエータ１３７をはじめとする加圧
刃先１３５を有する加圧機構はレール１３９，１４０上
に設置され、矢印に示す方向にスライド可能な機構にな
っている。
刃先１３５を有する加圧機構はレール１３９，１４０上
に設置され、矢印に示す方向にスライド可能な機構にな
っている。
【００５９】Ｗ字形溝１２１，１２２の部分にそれぞれ
の加圧点１４１〜１４４がある。加圧刃先１４５〜１４
８は、それぞれロードセル等による加圧力検出部１４９
〜１５２を備え、力を発生するそれぞれのアクチュエー
タ１５３〜１５６の出入ロッド１５３ａ〜１５６ａに固
定されている。マスク構造体の脱着の際は、加圧刃先１
４５〜１４８は対応するそれぞれの位置１５７〜１６０
まで待避できるようになっている。
の加圧点１４１〜１４４がある。加圧刃先１４５〜１４
８は、それぞれロードセル等による加圧力検出部１４９
〜１５２を備え、力を発生するそれぞれのアクチュエー
タ１５３〜１５６の出入ロッド１５３ａ〜１５６ａに固
定されている。マスク構造体の脱着の際は、加圧刃先１
４５〜１４８は対応するそれぞれの位置１５７〜１６０
まで待避できるようになっている。
【００６０】これらアクチュエータ１５３〜１５６をは
じめとする加圧刃先１４５〜１４８を有する加圧機構は
対応するそれぞれのレール１６１〜１６８上に設置さ
れ、それぞれ矢印に示す方向にスライド可能な機構にな
っている。
じめとする加圧刃先１４５〜１４８を有する加圧機構は
対応するそれぞれのレール１６１〜１６８上に設置さ
れ、それぞれ矢印に示す方向にスライド可能な機構にな
っている。
【００６１】１６９〜１７１はマスク押えであり、ここ
では、これらのマスク押え１６９〜１７１が破線で示す
対応するそれぞれの位置１７２〜１７４に旋回して、マ
スク構造体の支持フレーム１１６を３点のボール（不図
示）とこのマスク押え１６９〜１７１で、挟んで固定す
るようになっている。
では、これらのマスク押え１６９〜１７１が破線で示す
対応するそれぞれの位置１７２〜１７４に旋回して、マ
スク構造体の支持フレーム１１６を３点のボール（不図
示）とこのマスク押え１６９〜１７１で、挟んで固定す
るようになっている。
【００６２】図８に示す装置は、Ｘ線露光装置のＸ線マ
スク保持装置として用い、所望するＸ軸方向、及びＹ軸
方向の偏倍になるように、支持フレーム１１６に力を加
えた状態でＸ線を照射し、ウエハへのマスクパターンの
転写を行う方法の実施に用いることが出来る。
スク保持装置として用い、所望するＸ軸方向、及びＹ軸
方向の偏倍になるように、支持フレーム１１６に力を加
えた状態でＸ線を照射し、ウエハへのマスクパターンの
転写を行う方法の実施に用いることが出来る。
【００６３】また図８に示す装置は、エレクトロンビー
ム等によりマスクパターン描画を行う際のマスク保持装
置として用い、所定の力でメンブレンに歪を与えた状態
でマスクパターン描画を行う方法の実施に用いることが
出来る。
ム等によりマスクパターン描画を行う際のマスク保持装
置として用い、所定の力でメンブレンに歪を与えた状態
でマスクパターン描画を行う方法の実施に用いることが
出来る。
【００６４】図９は図７の偏倍方法にて、支持フレーム
の円形上段部の外周に加える力Ｆａ、及び力Ｆｂの力の
大きさを変えた場合における四角窓の変化の様子を拡大
して示した図である。図９の例では破線で示した正方形
が、自然状態の四角窓サイズである。
の円形上段部の外周に加える力Ｆａ、及び力Ｆｂの力の
大きさを変えた場合における四角窓の変化の様子を拡大
して示した図である。図９の例では破線で示した正方形
が、自然状態の四角窓サイズである。
【００６５】力Ｆａ、及び力Ｆｂが同じ大きさのときは
（図中、Ｆａ＝１０Ｎ，Ｆｂ＝１０Ｎ）、Ｘ軸方向及び
Ｙ軸方向共に同じ倍率で縮小し、実線で示した正方形の
四角窓サイズとなるが、力Ｆａと力Ｆｂの大きさが異な
ってくると、Ｘ軸方向とＹ軸方向の縮小倍率が異なる偏
倍が得られ、正方形だった四角窓が長方形状に変化す
る。
（図中、Ｆａ＝１０Ｎ，Ｆｂ＝１０Ｎ）、Ｘ軸方向及び
Ｙ軸方向共に同じ倍率で縮小し、実線で示した正方形の
四角窓サイズとなるが、力Ｆａと力Ｆｂの大きさが異な
ってくると、Ｘ軸方向とＹ軸方向の縮小倍率が異なる偏
倍が得られ、正方形だった四角窓が長方形状に変化す
る。
【００６６】図１０は本発明に係るマスクパターン偏倍
方法において、支持フレーム１７５に形成したＶ字形溝
により、四角窓１７６の辺に平行なＸ軸方向とＹ軸方向
に力を分解して支持フレーム１７５に力を加える一例を
説明するための図である。マスク構造体の支持フレーム
１７５は、円形上段部または円形下段部のどちらかの一
方の外周１７７にＶ字形溝１７８〜１８１を設け、この
それぞれのＶ字形溝部分に、ころがり接触可能部として
のボール１８２〜１８５により力Ｆａ、及び力Ｆｂの力
が加わるようにしたものである。ころがり接触可能部と
しては上記ボールの代わりに円筒でもよい。
方法において、支持フレーム１７５に形成したＶ字形溝
により、四角窓１７６の辺に平行なＸ軸方向とＹ軸方向
に力を分解して支持フレーム１７５に力を加える一例を
説明するための図である。マスク構造体の支持フレーム
１７５は、円形上段部または円形下段部のどちらかの一
方の外周１７７にＶ字形溝１７８〜１８１を設け、この
それぞれのＶ字形溝部分に、ころがり接触可能部として
のボール１８２〜１８５により力Ｆａ、及び力Ｆｂの力
が加わるようにしたものである。ころがり接触可能部と
しては上記ボールの代わりに円筒でもよい。
【００６７】図１１は本発明の第五の実施形態に係るマ
スクパターン偏倍方法の実施用装置の例を示す図であ
る。マスク構造体の支持フレーム１８６は、四角窓１８
７の両対角線の延長線上における円形下段部１８８外周
の所にＶ字形溝１８９〜１９２が形成されている。別の
実施形態として支持フレーム１８６の円形上段部外周に
Ｖ字形溝を形成し固定点、及び加圧点を設ける場合もあ
る。
スクパターン偏倍方法の実施用装置の例を示す図であ
る。マスク構造体の支持フレーム１８６は、四角窓１８
７の両対角線の延長線上における円形下段部１８８外周
の所にＶ字形溝１８９〜１９２が形成されている。別の
実施形態として支持フレーム１８６の円形上段部外周に
Ｖ字形溝を形成し固定点、及び加圧点を設ける場合もあ
る。
【００６８】図１１を図１０と対比すると、図１０のボ
ール１８２に作用する力Ｆａ、及び力Ｆｂの代わりに、
図１１ではボール１９３を固定点にした機構である。ボ
ール１９３はマスク構造体の脱着の際や位置調整等のた
めに可動機能を付ける場合があるが、倍率補正動作中は
固定状態になっている。
ール１８２に作用する力Ｆａ、及び力Ｆｂの代わりに、
図１１ではボール１９３を固定点にした機構である。ボ
ール１９３はマスク構造体の脱着の際や位置調整等のた
めに可動機能を付ける場合があるが、倍率補正動作中は
固定状態になっている。
【００６９】図１０のボール１８３に作用する力Ｆｂ，
及びボール１８４に作用するＦａの代わりに、図１１の
ボール１９４，１９５は、対応するそれぞれのレール１
９６，１９７、及びレール１９８，１９９に設置された
それぞれのスライダ２００，２０１に固定され、それぞ
れ矢印に示す方向にスライド可能でかつ矢印方向に対し
垂直な方向に動かず、かつマスク構造体の縮小変形を拘
束しないように機能する。
及びボール１８４に作用するＦａの代わりに、図１１の
ボール１９４，１９５は、対応するそれぞれのレール１
９６，１９７、及びレール１９８，１９９に設置された
それぞれのスライダ２００，２０１に固定され、それぞ
れ矢印に示す方向にスライド可能でかつ矢印方向に対し
垂直な方向に動かず、かつマスク構造体の縮小変形を拘
束しないように機能する。
【００７０】加圧部２０２，２０３は、ロードセル等に
よる加圧力検出部２０４，２０５を備え、力を発生する
アクチュエータ２０６，２０７の出入ロッド２０６ａ，
２０７ａに固定されている。
よる加圧力検出部２０４，２０５を備え、力を発生する
アクチュエータ２０６，２０７の出入ロッド２０６ａ，
２０７ａに固定されている。
【００７１】Ｖ字形溝部分１９２は、ボール２０８を介
して加圧部２０９により力が加えられる。加圧部２０９
はロードセル等による加圧力検出部２１０を備え、力を
発生するアクチュエータ２１１の出入ロッド２１１ａに
固定されている。これらアクチュエータ２１１をはじめ
とする加圧部２０９を含む加圧機構は、レール２１２，
２１３上に設置され、ボール２０８を中心として矢印に
示す方向にスライド可能な機構になっている。
して加圧部２０９により力が加えられる。加圧部２０９
はロードセル等による加圧力検出部２１０を備え、力を
発生するアクチュエータ２１１の出入ロッド２１１ａに
固定されている。これらアクチュエータ２１１をはじめ
とする加圧部２０９を含む加圧機構は、レール２１２，
２１３上に設置され、ボール２０８を中心として矢印に
示す方向にスライド可能な機構になっている。
【００７２】ころがり接触可能部としてのボール１９
４，１９５，２０８は、加圧刃先に磁力で保持するなど
の方法で自由に回転する機能を付加する場合がある。
４，１９５，２０８は、加圧刃先に磁力で保持するなど
の方法で自由に回転する機能を付加する場合がある。
【００７３】２１４〜２１６はマスク押えであって、こ
こではこれらのマスク押え２１４〜２１６が破線で示す
それぞれの位置２１７〜２１９に旋回して、マスク構造
体の支持フレーム１８６を３点のボール（不図示）とこ
のマスク押えで、挟んで固定されるようになっている。
こではこれらのマスク押え２１４〜２１６が破線で示す
それぞれの位置２１７〜２１９に旋回して、マスク構造
体の支持フレーム１８６を３点のボール（不図示）とこ
のマスク押えで、挟んで固定されるようになっている。
【００７４】図１１に示す装置は、Ｘ線露光装置のＸ線
マスク保持装置として用い、所望するＸ軸方向、及びＹ
軸方向の偏倍になるように、支持フレーム１８６に力を
加えた状態でＸ線を照射し、ウエハへのマスクパターン
の転写を行う方法の実施に用いることが出来る。
マスク保持装置として用い、所望するＸ軸方向、及びＹ
軸方向の偏倍になるように、支持フレーム１８６に力を
加えた状態でＸ線を照射し、ウエハへのマスクパターン
の転写を行う方法の実施に用いることが出来る。
【００７５】また図１１に示す装置は、エレクトロンビ
ーム等によりマスクパターン描画を行う際のマスク保持
装置として用い、所定の力でメンブレンに歪を与えた状
態でマスクパターン描画を行う方法の実施に用いること
が出来る。
ーム等によりマスクパターン描画を行う際のマスク保持
装置として用い、所定の力でメンブレンに歪を与えた状
態でマスクパターン描画を行う方法の実施に用いること
が出来る。
【００７６】図１２は本発明のマスクパターン偏倍方法
において、支持フレーム２２０の上段部または下段部の
どちらかの一方の外周に四角形外周を形成することによ
り、四角窓２２１の辺に平行なＸ軸方向とＹ軸方向に力
を分解して支持フレーム２２０に力を加える一例を説明
するための図である。マスク構造体の支持フレーム２２
０は、四角窓２２１の各辺に平行な四角形外周２２２を
形成し、Ｘ軸方向加圧用とＹ軸方向加圧用に分けて加圧
点２２３〜２３０を設け、この四角形外周２２２の辺に
力Ｆａ、及び力Ｆｂの力を加えるようにしたものであ
る。この場合、支持フレーム２２０の各面取り部分近傍
の力Ｆａと力Ｆｂの方向を示す矢印の延長直線の交点、
つまり各一組の力Ｆａと力Ｆｂ例えば加圧点２２３と２
２４における力Ｆａと力Ｆｂの合力の作用点は、四角窓
２２１の右下がり対角線の左上方への延長直線上にあ
る。
において、支持フレーム２２０の上段部または下段部の
どちらかの一方の外周に四角形外周を形成することによ
り、四角窓２２１の辺に平行なＸ軸方向とＹ軸方向に力
を分解して支持フレーム２２０に力を加える一例を説明
するための図である。マスク構造体の支持フレーム２２
０は、四角窓２２１の各辺に平行な四角形外周２２２を
形成し、Ｘ軸方向加圧用とＹ軸方向加圧用に分けて加圧
点２２３〜２３０を設け、この四角形外周２２２の辺に
力Ｆａ、及び力Ｆｂの力を加えるようにしたものであ
る。この場合、支持フレーム２２０の各面取り部分近傍
の力Ｆａと力Ｆｂの方向を示す矢印の延長直線の交点、
つまり各一組の力Ｆａと力Ｆｂ例えば加圧点２２３と２
２４における力Ｆａと力Ｆｂの合力の作用点は、四角窓
２２１の右下がり対角線の左上方への延長直線上にあ
る。
【００７７】図１３は本発明の第六の実施形態に係るマ
スクパターン偏倍方法の実施用装置の例を示す簡略図で
ある。マスク構造体の支持フレーム２３１は、上段部２
３３外周が、四角窓２３２に平行な四角形外周２３４を
有し、四角形外周２３４の角部が面取りされている。支
持フレーム２３１の方向を規定するノッチ部２３５とし
てのＶ字形溝２３５は下段部２３６に設ける。
スクパターン偏倍方法の実施用装置の例を示す簡略図で
ある。マスク構造体の支持フレーム２３１は、上段部２
３３外周が、四角窓２３２に平行な四角形外周２３４を
有し、四角形外周２３４の角部が面取りされている。支
持フレーム２３１の方向を規定するノッチ部２３５とし
てのＶ字形溝２３５は下段部２３６に設ける。
【００７８】図１３を図１２と対比すると、図１２の加
圧点２２３，２２４の代わりに、図１３では固定点２３
７，２３８にした機構である。また図１２の加圧点２２
５，２２６の代わりに、図１３では矢印に示す方向にス
ライド可能な受止め機構で固定点２３９，２４０を受止
めるものとし、ここでの受止め機構は、それぞれ矢印に
示す方向にスライド可能でありかつ矢印方向に対し垂直
な方向に動かない機構になっている。
圧点２２３，２２４の代わりに、図１３では固定点２３
７，２３８にした機構である。また図１２の加圧点２２
５，２２６の代わりに、図１３では矢印に示す方向にス
ライド可能な受止め機構で固定点２３９，２４０を受止
めるものとし、ここでの受止め機構は、それぞれ矢印に
示す方向にスライド可能でありかつ矢印方向に対し垂直
な方向に動かない機構になっている。
【００７９】加圧点２４１〜２４４の力Ｆａ、及び力Ｆ
ｂに係る加圧機構は、それぞれ矢印に示す力の方向に垂
直な方向にスライド可能な機構になっており、マスク構
造体の変形を拘束しないように機能する。この場合も、
支持フレーム２３１の各面取り部分近傍の力Ｆａと力Ｆ
ｂを示す矢印の延長直線の交点、つまり各一組の力Ｆａ
と力Ｆｂの合力の作用点は、四角窓２３２の両対角線の
いずれかの延長直線上にある。
ｂに係る加圧機構は、それぞれ矢印に示す力の方向に垂
直な方向にスライド可能な機構になっており、マスク構
造体の変形を拘束しないように機能する。この場合も、
支持フレーム２３１の各面取り部分近傍の力Ｆａと力Ｆ
ｂを示す矢印の延長直線の交点、つまり各一組の力Ｆａ
と力Ｆｂの合力の作用点は、四角窓２３２の両対角線の
いずれかの延長直線上にある。
【００８０】図１４は本発明の第七の実施形態に係るマ
スクパターン偏倍方法の実施用装置の例を示す簡略図で
ある。図１３では支持フレームの上段部が四角形形状を
示すのに対し、図１４はマスク構造体の支持フレーム２
４５の下段部２４６外周が四角窓２４７に平行な四角形
外周２４８を有する。ここでは支持フレーム２４５の方
向を規定するノッチ部２４９としてのＶ字形溝は下段部
２４６外周の面取り部分に設けているが、四角形外周２
４８の部分に設けても良い。
スクパターン偏倍方法の実施用装置の例を示す簡略図で
ある。図１３では支持フレームの上段部が四角形形状を
示すのに対し、図１４はマスク構造体の支持フレーム２
４５の下段部２４６外周が四角窓２４７に平行な四角形
外周２４８を有する。ここでは支持フレーム２４５の方
向を規定するノッチ部２４９としてのＶ字形溝は下段部
２４６外周の面取り部分に設けているが、四角形外周２
４８の部分に設けても良い。
【００８１】図１４を図１２と対比すると、図１２の加
圧点２２３，２２４の代わりに、図１４では固定点２５
０，２５１にして受け止め機構が設けられている。また
図１２の加圧点２２５，２２６の代わりに、図１４では
矢印に示す方向にスライド可能な受止め機構で固定点２
５２，２５３を受止めるようにして、この受止め機構
は、それぞれ矢印に示す方向にスライド可能であり、か
つ矢印方向に対し垂直な方向に動かない機構になってい
る。
圧点２２３，２２４の代わりに、図１４では固定点２５
０，２５１にして受け止め機構が設けられている。また
図１２の加圧点２２５，２２６の代わりに、図１４では
矢印に示す方向にスライド可能な受止め機構で固定点２
５２，２５３を受止めるようにして、この受止め機構
は、それぞれ矢印に示す方向にスライド可能であり、か
つ矢印方向に対し垂直な方向に動かない機構になってい
る。
【００８２】加圧点２５４〜２５７の力Ｆａ、及び力Ｆ
ｂに係る加圧機構は、それぞれ矢印に示す力の方向に垂
直な方向にスライド可能な機構になっており、マスク構
造体の変形を拘束しないように機能する。この場合も、
支持フレーム２４５の各面取り部分近傍の力Ｆａと力Ｆ
ｂを示す矢印の延長直線の交点、つまり各一組の力Ｆａ
と力Ｆｂの合力の作用点は、四角窓２４７の両対角線の
いずれかの延長直線上にある。
ｂに係る加圧機構は、それぞれ矢印に示す力の方向に垂
直な方向にスライド可能な機構になっており、マスク構
造体の変形を拘束しないように機能する。この場合も、
支持フレーム２４５の各面取り部分近傍の力Ｆａと力Ｆ
ｂを示す矢印の延長直線の交点、つまり各一組の力Ｆａ
と力Ｆｂの合力の作用点は、四角窓２４７の両対角線の
いずれかの延長直線上にある。
【００８３】（半導体生産システムの実施形態）次に、
本発明に係る装置を用いた半導体デバイス（ＩＣやＬＳ
Ｉ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘ
ッド、マイクロマシン等）の生産システムの例を説明す
る。これは半導体製造工場に設置された製造装置のトラ
ブル対応や定期メンテナンス、あるいはソフトウェア提
供などの保守サービスを、製造工場外のコンピュータネ
ットワークを利用して行うものである。
本発明に係る装置を用いた半導体デバイス（ＩＣやＬＳ
Ｉ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘ
ッド、マイクロマシン等）の生産システムの例を説明す
る。これは半導体製造工場に設置された製造装置のトラ
ブル対応や定期メンテナンス、あるいはソフトウェア提
供などの保守サービスを、製造工場外のコンピュータネ
ットワークを利用して行うものである。
【００８４】図１６は全体システムをある角度から切り
出して表現したものである。図中、１１０１は半導体デ
バイスの製造装置を提供するベンダ（装置供給メーカ）
の事業所である。製造装置の実例としては、半導体製造
工場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例え
ば、前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッ
チング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装
置、平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査
装置等）を想定している。事業所１１０１内には、製造
装置の保守データベースを提供するホスト管理システム
１１０８、複数の操作端末コンピュータ１１１０、これ
らを結んでイントラネット等を構築するローカルエリア
ネットワーク（ＬＡＮ）１１０９を備える。ホスト管理
システム１１０８は、ＬＡＮ１１０９を事業所の外部ネ
ットワークであるインターネット１１０５に接続するた
めのゲートウェイと、外部からのアクセスを制限するセ
キュリティ機能を備える。
出して表現したものである。図中、１１０１は半導体デ
バイスの製造装置を提供するベンダ（装置供給メーカ）
の事業所である。製造装置の実例としては、半導体製造
工場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例え
ば、前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッ
チング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装
置、平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査
装置等）を想定している。事業所１１０１内には、製造
装置の保守データベースを提供するホスト管理システム
１１０８、複数の操作端末コンピュータ１１１０、これ
らを結んでイントラネット等を構築するローカルエリア
ネットワーク（ＬＡＮ）１１０９を備える。ホスト管理
システム１１０８は、ＬＡＮ１１０９を事業所の外部ネ
ットワークであるインターネット１１０５に接続するた
めのゲートウェイと、外部からのアクセスを制限するセ
キュリティ機能を備える。
【００８５】一方、１１０２〜１１０４は、製造装置の
ユーザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製
造工場１１０２〜１１０４は、互いに異なるメーカに属
する工場であっても良いし、同一のメーカに属する工場
（例えば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっ
ても良い。各工場１１０２〜１１０４内には、夫々、複
数の製造装置１１０６と、それらを結んでイントラネッ
ト等を構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）
１１１１と、各製造装置１１０６の稼動状況を監視する
監視装置としてホスト管理システム１１０７とが設けら
れている。各工場１１０２〜１１０４に設けられたホス
ト管理システム１１０７は、各工場内のＬＡＮ１１１１
を工場の外部ネットワークであるインターネット１１０
５に接続するためのゲートウェイを備える。これにより
各工場のＬＡＮ１１１１からインターネット１１０５を
介してベンダ１１０１側のホスト管理システム１１０８
にアクセスが可能となり、ホスト管理システム１１０８
のセキュリティ機能によって限られたユーザだけにアク
セスが許可となっている。具体的には、インターネット
１１０５を介して、各製造装置１１０６の稼動状況を示
すステータス情報（例えば、トラブルが発生した製造装
置の症状）を工場側からベンダ側に通知する他、その通
知に対応する応答情報（例えば、トラブルに対する対処
方法を指示する情報、対処用のソフトウェアやデータ）
や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの保守情報を
ベンダ側から受け取ることができる。各工場１１０２〜
１１０４とベンダ１１０１との間のデータ通信および各
工場内のＬＡＮ１１１１でのデータ通信には、インター
ネットで一般的に使用されている通信プロトコル（ＴＣ
Ｐ／ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネットワ
ークとしてインターネットを利用する代わりに、第三者
からのアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネ
ットワーク（ＩＳＤＮなど）を利用することもできる。
また、ホスト管理システムはベンダが提供するものに限
らずユーザがデータベースを構築して外部ネットワーク
上に置き、ユーザの複数の工場から該データベースへの
アクセスを許可するようにしてもよい。
ユーザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製
造工場１１０２〜１１０４は、互いに異なるメーカに属
する工場であっても良いし、同一のメーカに属する工場
（例えば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっ
ても良い。各工場１１０２〜１１０４内には、夫々、複
数の製造装置１１０６と、それらを結んでイントラネッ
ト等を構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）
１１１１と、各製造装置１１０６の稼動状況を監視する
監視装置としてホスト管理システム１１０７とが設けら
れている。各工場１１０２〜１１０４に設けられたホス
ト管理システム１１０７は、各工場内のＬＡＮ１１１１
を工場の外部ネットワークであるインターネット１１０
５に接続するためのゲートウェイを備える。これにより
各工場のＬＡＮ１１１１からインターネット１１０５を
介してベンダ１１０１側のホスト管理システム１１０８
にアクセスが可能となり、ホスト管理システム１１０８
のセキュリティ機能によって限られたユーザだけにアク
セスが許可となっている。具体的には、インターネット
１１０５を介して、各製造装置１１０６の稼動状況を示
すステータス情報（例えば、トラブルが発生した製造装
置の症状）を工場側からベンダ側に通知する他、その通
知に対応する応答情報（例えば、トラブルに対する対処
方法を指示する情報、対処用のソフトウェアやデータ）
や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの保守情報を
ベンダ側から受け取ることができる。各工場１１０２〜
１１０４とベンダ１１０１との間のデータ通信および各
工場内のＬＡＮ１１１１でのデータ通信には、インター
ネットで一般的に使用されている通信プロトコル（ＴＣ
Ｐ／ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネットワ
ークとしてインターネットを利用する代わりに、第三者
からのアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネ
ットワーク（ＩＳＤＮなど）を利用することもできる。
また、ホスト管理システムはベンダが提供するものに限
らずユーザがデータベースを構築して外部ネットワーク
上に置き、ユーザの複数の工場から該データベースへの
アクセスを許可するようにしてもよい。
【００８６】さて、図１７は本実施形態の全体システム
を図１６とは別の角度から切り出して表現した概念図で
ある。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユ
ーザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外
部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介し
て各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報
をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複
数のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装
置のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部
ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデー
タ通信するものである。図中、１２０１は製造装置ユー
ザ（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、工
場の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここ
では例として露光装置１２０２、レジスト処理装置１２
０３、成膜処理装置１２０４が導入されている。なお図
１７では製造工場１２０１は１つだけ描いているが、実
際は複数の工場が同様にネットワーク化されている。工
場内の各装置はＬＡＮ１２０６で接続されてイントラネ
ットを構成し、ホスト管理システム１２０５で製造ライ
ンの稼動管理がされている。
を図１６とは別の角度から切り出して表現した概念図で
ある。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユ
ーザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外
部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介し
て各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報
をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複
数のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装
置のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部
ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデー
タ通信するものである。図中、１２０１は製造装置ユー
ザ（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、工
場の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここ
では例として露光装置１２０２、レジスト処理装置１２
０３、成膜処理装置１２０４が導入されている。なお図
１７では製造工場１２０１は１つだけ描いているが、実
際は複数の工場が同様にネットワーク化されている。工
場内の各装置はＬＡＮ１２０６で接続されてイントラネ
ットを構成し、ホスト管理システム１２０５で製造ライ
ンの稼動管理がされている。
【００８７】一方、露光装置メーカ１２１０、レジスト
処理装置メーカ１２２０、成膜装置メーカ１２３０など
ベンダ（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供
給した機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム
１２１１，１２２１，１２３１を備え、これらは上述し
たように保守データベースと外部ネットワークのゲート
ウェイを備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理す
るホスト管理システム１２０５と、各装置のベンダの管
理システム１２１１，１２２１，１２３１とは、外部ネ
ットワーク１２００であるインターネットもしくは専用
線ネットワークによって接続されている。このシステム
において、製造ラインの一連の製造機器の中のどれかに
トラブルが起きると、製造ラインの稼動が休止してしま
うが、トラブルが起きた機器のベンダからインターネッ
ト１２００を介した遠隔保守を受けることで迅速な対応
が可能であり、製造ラインの休止を最小限に抑えること
ができる。
処理装置メーカ１２２０、成膜装置メーカ１２３０など
ベンダ（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供
給した機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム
１２１１，１２２１，１２３１を備え、これらは上述し
たように保守データベースと外部ネットワークのゲート
ウェイを備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理す
るホスト管理システム１２０５と、各装置のベンダの管
理システム１２１１，１２２１，１２３１とは、外部ネ
ットワーク１２００であるインターネットもしくは専用
線ネットワークによって接続されている。このシステム
において、製造ラインの一連の製造機器の中のどれかに
トラブルが起きると、製造ラインの稼動が休止してしま
うが、トラブルが起きた機器のベンダからインターネッ
ト１２００を介した遠隔保守を受けることで迅速な対応
が可能であり、製造ラインの休止を最小限に抑えること
ができる。
【００８８】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行
するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモ
リやハードディスク、あるいはネットワークファイルサ
ーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフト
ウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例え
ば図１８に一例を示す様な画面のユーザインタフェース
をディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理
するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機
種１４０１、シリアルナンバー１４０２、トラブルの件
名１４０３、発生日１４０４、緊急度１４０５、症状１
４０６、対処法１４０７、経過１４０８等の情報を画面
上の入力項目に入力する。入力された情報はインターネ
ットを介して保守データベースに送信され、その結果の
適切な保守情報が保守データベースから返信されディス
プレイ上に提示される。またウェブブラウザが提供する
ユーザインタフェースはさらに図示のごとくハイパーリ
ンク機能１４１０〜１４１２を実現し、オペレータは各
項目の更に詳細な情報にアクセスしたり、ベンダが提供
するソフトウェアライブラリから製造装置に使用する最
新バージョンのソフトウェアを引出したり、工場のオペ
レータの参考に供する操作ガイド（ヘルプ情報）を引出
したりすることができる。ここで、保守データベースが
提供する保守情報には、上記説明した本発明に関する情
報も含まれ、また前記ソフトウェアライブラリは本発明
を実現するための最新のソフトウェアも提供する。
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行
するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモ
リやハードディスク、あるいはネットワークファイルサ
ーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフト
ウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例え
ば図１８に一例を示す様な画面のユーザインタフェース
をディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理
するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機
種１４０１、シリアルナンバー１４０２、トラブルの件
名１４０３、発生日１４０４、緊急度１４０５、症状１
４０６、対処法１４０７、経過１４０８等の情報を画面
上の入力項目に入力する。入力された情報はインターネ
ットを介して保守データベースに送信され、その結果の
適切な保守情報が保守データベースから返信されディス
プレイ上に提示される。またウェブブラウザが提供する
ユーザインタフェースはさらに図示のごとくハイパーリ
ンク機能１４１０〜１４１２を実現し、オペレータは各
項目の更に詳細な情報にアクセスしたり、ベンダが提供
するソフトウェアライブラリから製造装置に使用する最
新バージョンのソフトウェアを引出したり、工場のオペ
レータの参考に供する操作ガイド（ヘルプ情報）を引出
したりすることができる。ここで、保守データベースが
提供する保守情報には、上記説明した本発明に関する情
報も含まれ、また前記ソフトウェアライブラリは本発明
を実現するための最新のソフトウェアも提供する。
【００８９】次に上記説明した生産システムを利用した
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図１９は半
導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計
を行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３
（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ
４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンデ
ィング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立
て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作
製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
ト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程と後
工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎
に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされ
る。また前工程工場と後工程工場との間でも、インター
ネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装
置保守のための情報がデータ通信される。
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図１９は半
導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計
を行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３
（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ
４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンデ
ィング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立
て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作
製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
ト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程と後
工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎
に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされ
る。また前工程工場と後工程工場との間でも、インター
ネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装
置保守のための情報がデータ通信される。
【００９０】図２０は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造
機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
されているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしト
ラブルが発生しても迅速な復旧が可能であり、従来に比
べて半導体デバイスの生産性を向上させることができ
る。
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッ
チングが済んで不要となったレジストを取り除く。これ
らのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造
機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
されているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしト
ラブルが発生しても迅速な復旧が可能であり、従来に比
べて半導体デバイスの生産性を向上させることができ
る。
【００９１】
【発明の効果】以上説明したように本発明の第一の効果
は、Ｘ軸方向とＹ軸方向で異なる倍率でのマスクパター
ン補正も実現出来ることである。
は、Ｘ軸方向とＹ軸方向で異なる倍率でのマスクパター
ン補正も実現出来ることである。
【００９２】本発明の第二の効果は、マスクパターン偏
倍がより簡便で扱いやすい機構や加圧方法で出来るよう
になり、装置の小型化、制御や操作性の向上が図れるこ
とである。その他、例えば加圧点の一部を固定点にすれ
ば、複雑な加圧機構を減らし、装置の小型化が図れるほ
か、固定点からのマスクパターンの位置が求めやすく、
位置決め制御上でも有利である。
倍がより簡便で扱いやすい機構や加圧方法で出来るよう
になり、装置の小型化、制御や操作性の向上が図れるこ
とである。その他、例えば加圧点の一部を固定点にすれ
ば、複雑な加圧機構を減らし、装置の小型化が図れるほ
か、固定点からのマスクパターンの位置が求めやすく、
位置決め制御上でも有利である。
【００９３】本発明の第三の効果は、高精度にマスクパ
ターンの転写倍率の補正等が出来る装置及びデバイス製
造方法を提供することが出来ることである。また、これ
により従来以上に高精度なデバイスを高い歩留まりで生
産することが可能となる。
ターンの転写倍率の補正等が出来る装置及びデバイス製
造方法を提供することが出来ることである。また、これ
により従来以上に高精度なデバイスを高い歩留まりで生
産することが可能となる。
【００９４】本発明の第四の効果は、マスクパターン描
画での偏倍補正等が出来る装置や方法を提供することが
出来ることである。
画での偏倍補正等が出来る装置や方法を提供することが
出来ることである。
【００９５】本発明の第五の効果は、本発明のマスクパ
ターン偏倍方法を行うためのマスク構造体を提供するこ
とが出来ることである。尚、本発明は、変形や歪を要求
される板状物体への応用利用も可能である。
ターン偏倍方法を行うためのマスク構造体を提供するこ
とが出来ることである。尚、本発明は、変形や歪を要求
される板状物体への応用利用も可能である。
【図１】 本発明に係るマスクパターン偏倍方法におけ
るマスク構造体の四角窓と力のベクトルを示す平面図で
ある。
るマスク構造体の四角窓と力のベクトルを示す平面図で
ある。
【図２】 図１のマスクパターン偏倍方法におけるマス
ク構造体の支持フレームに加える力Ｆｃを、Ｘ軸方向の
力ＦａとＹ軸方向の力Ｆｂに力を分解して支持フレーム
８に力を加える方法を示す平面図である。
ク構造体の支持フレームに加える力Ｆｃを、Ｘ軸方向の
力ＦａとＹ軸方向の力Ｆｂに力を分解して支持フレーム
８に力を加える方法を示す平面図である。
【図３】 マスク構造体の構成を示す一部破断斜視図で
ある。
ある。
【図４】 本発明の第一の実施形態に係るマスクパター
ン偏倍方法の実施用装置の例を示す平面図である。
ン偏倍方法の実施用装置の例を示す平面図である。
【図５】 本発明の第二の実施形態に係るマスクパター
ン偏倍方法の実施用装置の例を示す平面図である。
ン偏倍方法の実施用装置の例を示す平面図である。
【図６】 本発明の第三の実施形態に係るマスクパター
ン偏倍方法の実施用装置の例を示す平面図である。
ン偏倍方法の実施用装置の例を示す平面図である。
【図７】 Ｗ字形溝を有する支持フレームにより、Ｘ軸
方向とＹ軸方向に力を分解して支持フレームに力を加え
る実施形態の例を示す平面図である。
方向とＹ軸方向に力を分解して支持フレームに力を加え
る実施形態の例を示す平面図である。
【図８】 本発明の第四の実施形態に係るマスクパター
ン偏倍方法の実施用装置の例を示す平面図である。
ン偏倍方法の実施用装置の例を示す平面図である。
【図９】 図８の偏倍方法により、力Ｆａ、及び力Ｆｂ
を変えたときの四角窓の形状変化を示す図である。
を変えたときの四角窓の形状変化を示す図である。
【図１０】 Ｖ字形溝を有する支持フレームにより、Ｘ
軸方向とＹ軸方向に力を分解して支持フレームに力を加
える実施形態の例を示す平面図である。
軸方向とＹ軸方向に力を分解して支持フレームに力を加
える実施形態の例を示す平面図である。
【図１１】 本発明の第五の実施形態に係るマスクパタ
ーン偏倍方法の実施用装置の例を示す平面図である。
ーン偏倍方法の実施用装置の例を示す平面図である。
【図１２】 四角形状外周を有する支持フレームによ
り、Ｘ軸方向とＹ軸方向に力を分解して支持フレームに
力を加える実施形態の例を示す平面図である。
り、Ｘ軸方向とＹ軸方向に力を分解して支持フレームに
力を加える実施形態の例を示す平面図である。
【図１３】 本発明の第六の実施形態に係るマスクパタ
ーン偏倍方法の実施用装置の例を示す簡略図である。
ーン偏倍方法の実施用装置の例を示す簡略図である。
【図１４】 本発明の第七の実施形態に係るマスクパタ
ーン偏倍方法の実施用装置の例を示す簡略図である。
ーン偏倍方法の実施用装置の例を示す簡略図である。
【図１５】 従来の倍率補正方法を示す図である。
【図１６】 本発明に係る装置を用いた半導体デバイス
の生産システムをある角度から見た概念図である。
の生産システムをある角度から見た概念図である。
【図１７】 本発明に係る装置を用いた半導体デバイス
の生産システムを別の角度から見た概念図である。
の生産システムを別の角度から見た概念図である。
【図１８】 ユーザインタフェースの具体例である。
【図１９】 デバイスの製造プロセスのフローを説明す
る図である。
る図である。
【図２０】 ウエハプロセスを説明する図である。
１，８，１９，２４，６０，６７，１０１，１１６，１
７５，１８６，２２０，２３１，２４５：支持フレー
ム、２，９，１７，２５，６１，６８，１０２，１１
７，１７６，１８７，２２１，２３２，２４７：四角
窓、３，１０，２６，６２，１０３，１７７：外周、
４，５，６，７，１１，１２，１３，１４，２９，３
０，６５，６６，７１，７２，７３，１０８，１０９，
１１０，１１１，１１２，１１３，１１４，１１５，１
３０，１４１，１４２，１４３，１４４，２２３，２２
４，２２５，２２６，２２７，２２８，２２９，２３
０，２３７，２３８，２４１，２４２，２４３，２４
４，２５４，２５５，２５６，２５７：加圧点、１５：
マスク基板、１６：オリフラ部、１８：マスクパター
ン、２０，９３，２３５，２４９：ノッチ部、２２，２
６，６９，１１８，２３３：上段部、２３，１８８，２
３６，２４６：下段部、２７，２８，６３，６４，７
０，７７，１２３，１２４，１２９，２３９，２４０，
２５０，２５１，２５２，２５３：固定点、３１，３
２，７４，１２５，１２６，１３１：固定刃先、３３，
３４，３５，３６，４７，４８，４９，５０，９０，９
１，１３２，１３３，１３９，１４０，１６１，１６
２，１６３，１６４，１６５，１６６，１６７，１６
８，１９６，１９７，１９８，１９９，２１２，２１
３：レール、３７，３８，７５，１２７，１２８，１３
４：固定刃先待避位置、３９，４０，７６，７７，７
８，１３５，１４５，１４６，１４７，１４８：加圧刃
先、４１，４２，１３６，１４９，１５０，１５１，１
５２，２１０：加圧力検出部、４３，４４，８４，８
５，８６，１３７，１５３，１５４，１５５，１５６，
１５７，１５８，２０６，２０７，２１１：アクチュエ
ータ、４５，４６，８７，８８，８９，１３８，１５
７，１５８，１５９，１６０：加圧刃先待避位置、５
１，９２：ピン、５３，９４：ベース板、５４，５５，
５６，９５，９６，９７，１６９，１７０，１７１，２
１４，２１５，２１６：マスク押え、５７，５８，５
９，９８，９９，１００，１７２，１７３，１７４，２
１７，２１８，２１９：マスク押え位置、８２，８３，
２００，２０１：スライダ、１０４，１０５，１０６，
１０７，１１９，１２０，１２１，１２２：Ｗ字形溝、
１７８，１７９，１８０，１８１，１８９，１９０，１
９１，１９２：Ｖ字形溝、１８２，１８３，１８４，１
８５，１９３，１９４，１９５，２０８：ボール（ころ
がり接触可能部）、２０２，２０３，２０９：加圧部、
２２２，２３４，２４８：四角形外周、２５８，２５
９：突き当て固定部材、４３ａ，４４ａ，８４ａ，８５
ａ，８６ａ，１３７ａ，１５３ａ，１５４ａ，１５５
ａ，１５６ａ２０６ａ，２０７ａ，２１１ａ：出入ロッ
ド、１１０１：ベンダの事業所、１１０２，１１０３，
１１０４：製造工場、１１０５：インターネット、１１
０６：製造装置、１１０７：工場のホスト管理システ
ム、１１０８：ベンダ側のホスト管理システム、１１０
９：ベンダ側のローカルエリアネットワーク（ＬＡ
Ｎ）、１１１０：操作端末コンピュータ、１１１１：工
場のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、１２０
０：外部ネットワーク、１２０１：製造装置ユーザの製
造工場、１２０２：露光装置、１２０３：レジスト処理
装置、１２０４：成膜処理装置、１２０５：工場のホス
ト管理システム、１２０６：工場のローカルエリアネッ
トワーク（ＬＡＮ）、１２１０：露光装置メーカ、１２
１１：露光装置メーカの事業所のホスト管理システム、
１２２０：レジスト処理装置メーカ、１２２１：レジス
ト処理装置メーカの事業所のホスト管理システム、１２
３０：成膜装置メーカ、１２３１：成膜装置メーカの事
業所のホスト管理システム、１４０１：製造装置の機
種、１４０２：シリアルナンバー、１４０３：トラブル
の件名、１４０４：発生日、１４０５：緊急度、１４０
６：症状、１４０７：対処法、１４０８：経過、１４１
０，１４１１，１４１２：ハイパーリンク機能。
７５，１８６，２２０，２３１，２４５：支持フレー
ム、２，９，１７，２５，６１，６８，１０２，１１
７，１７６，１８７，２２１，２３２，２４７：四角
窓、３，１０，２６，６２，１０３，１７７：外周、
４，５，６，７，１１，１２，１３，１４，２９，３
０，６５，６６，７１，７２，７３，１０８，１０９，
１１０，１１１，１１２，１１３，１１４，１１５，１
３０，１４１，１４２，１４３，１４４，２２３，２２
４，２２５，２２６，２２７，２２８，２２９，２３
０，２３７，２３８，２４１，２４２，２４３，２４
４，２５４，２５５，２５６，２５７：加圧点、１５：
マスク基板、１６：オリフラ部、１８：マスクパター
ン、２０，９３，２３５，２４９：ノッチ部、２２，２
６，６９，１１８，２３３：上段部、２３，１８８，２
３６，２４６：下段部、２７，２８，６３，６４，７
０，７７，１２３，１２４，１２９，２３９，２４０，
２５０，２５１，２５２，２５３：固定点、３１，３
２，７４，１２５，１２６，１３１：固定刃先、３３，
３４，３５，３６，４７，４８，４９，５０，９０，９
１，１３２，１３３，１３９，１４０，１６１，１６
２，１６３，１６４，１６５，１６６，１６７，１６
８，１９６，１９７，１９８，１９９，２１２，２１
３：レール、３７，３８，７５，１２７，１２８，１３
４：固定刃先待避位置、３９，４０，７６，７７，７
８，１３５，１４５，１４６，１４７，１４８：加圧刃
先、４１，４２，１３６，１４９，１５０，１５１，１
５２，２１０：加圧力検出部、４３，４４，８４，８
５，８６，１３７，１５３，１５４，１５５，１５６，
１５７，１５８，２０６，２０７，２１１：アクチュエ
ータ、４５，４６，８７，８８，８９，１３８，１５
７，１５８，１５９，１６０：加圧刃先待避位置、５
１，９２：ピン、５３，９４：ベース板、５４，５５，
５６，９５，９６，９７，１６９，１７０，１７１，２
１４，２１５，２１６：マスク押え、５７，５８，５
９，９８，９９，１００，１７２，１７３，１７４，２
１７，２１８，２１９：マスク押え位置、８２，８３，
２００，２０１：スライダ、１０４，１０５，１０６，
１０７，１１９，１２０，１２１，１２２：Ｗ字形溝、
１７８，１７９，１８０，１８１，１８９，１９０，１
９１，１９２：Ｖ字形溝、１８２，１８３，１８４，１
８５，１９３，１９４，１９５，２０８：ボール（ころ
がり接触可能部）、２０２，２０３，２０９：加圧部、
２２２，２３４，２４８：四角形外周、２５８，２５
９：突き当て固定部材、４３ａ，４４ａ，８４ａ，８５
ａ，８６ａ，１３７ａ，１５３ａ，１５４ａ，１５５
ａ，１５６ａ２０６ａ，２０７ａ，２１１ａ：出入ロッ
ド、１１０１：ベンダの事業所、１１０２，１１０３，
１１０４：製造工場、１１０５：インターネット、１１
０６：製造装置、１１０７：工場のホスト管理システ
ム、１１０８：ベンダ側のホスト管理システム、１１０
９：ベンダ側のローカルエリアネットワーク（ＬＡ
Ｎ）、１１１０：操作端末コンピュータ、１１１１：工
場のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、１２０
０：外部ネットワーク、１２０１：製造装置ユーザの製
造工場、１２０２：露光装置、１２０３：レジスト処理
装置、１２０４：成膜処理装置、１２０５：工場のホス
ト管理システム、１２０６：工場のローカルエリアネッ
トワーク（ＬＡＮ）、１２１０：露光装置メーカ、１２
１１：露光装置メーカの事業所のホスト管理システム、
１２２０：レジスト処理装置メーカ、１２２１：レジス
ト処理装置メーカの事業所のホスト管理システム、１２
３０：成膜装置メーカ、１２３１：成膜装置メーカの事
業所のホスト管理システム、１４０１：製造装置の機
種、１４０２：シリアルナンバー、１４０３：トラブル
の件名、１４０４：発生日、１４０５：緊急度、１４０
６：症状、１４０７：対処法、１４０８：経過、１４１
０，１４１１，１４１２：ハイパーリンク機能。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 原 真一
東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ
ン株式会社内
(72)発明者 時田 俊伸
東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ
ン株式会社内
Ｆターム(参考） 5F046 AA28 BA02 DA16 DD06 GA02
GA12 GA14 GD04
Claims (21)
- 【請求項１】 マスクパターンを形成したマスク基板と
四角窓を有するリング状の支持フレームを持ったマスク
構造体に対し、前記四角窓の両対角線の実質的な延長上
にある支持フレーム外周の４箇所を加圧点として力を加
え、且つ前記加圧点を中心として力のベクトルの角度を
調整することを特徴とするマスクパターン偏倍方法。 - 【請求項２】 加圧点の少なくとも一部について、互い
に交差する２方向の加圧用に分けて加圧点を設け、力の
ベクトルの少なくとも一部について、前記四角窓の辺に
平行なＸ軸方向とＹ軸方向に力を分解して前記支持フレ
ームに力を加えることを特徴とする請求項１に記載のマ
スクパターン偏倍方法。 - 【請求項３】 ころがり接触可能部を介して、前記支持
フレームに力を加えることを特徴とする請求項１または
２に記載のマスクパターン偏倍方法。 - 【請求項４】 加圧点の一部を固定点とすることを特徴
とする請求項１〜３のいずれかに記載のマスクパターン
偏倍方法。 - 【請求項５】 前記固定点の少なくとも一部について、
該固定点を受止める受止め機構にスライド機能を付加し
たことを特徴とする請求項４に記載のマスクパターン偏
倍方法。 - 【請求項６】 請求項１〜５記載のいずれかに記載のマ
スクパターン偏倍方法を用い、感光基板へのマスクパタ
ーン転写工程を含むことを特徴とするデバイス製造方
法。 - 【請求項７】 請求項１〜５のいずれかに記載のマスク
パターン偏倍方法を用い、所定の力でメンブレンに歪を
与えた状態でパターン描画を行なうことを特徴とするマ
スクパターン製造方法。 - 【請求項８】 請求項７に記載のマスクパターン製造方
法にて製造したマスクパターンを用い、感光基板へのマ
スクパターン転写を行うことを特徴とする露光装置。 - 【請求項９】 マスクパターンを形成したマスク基板と
四角窓を有するリング状の支持フレームを持ったマスク
構造体において、前記四角窓の辺に平行なＸ軸方向とＹ
軸方向の力を受ける為の溝及び面取りの少なくともいず
れかを、前記支持フレーム外周に設けることを特徴とす
るマスク構造体。 - 【請求項１０】 マスクパターンを形成したマスク基板
と四角窓を有するリング状の支持フレームを持ったマス
ク構造体に対し、前記四角窓の両対角線の実質的な延長
上にある支持フレーム外周の４箇所を加圧点として力を
加える加圧機構を備え、前記加圧点を中心として前記加
圧機構に基づく力のベクトルの角度が可変であることを
特徴とするマスクパターン偏倍装置。 - 【請求項１１】 加圧点の少なくとも一部について、互
いに交差する２方向の加圧用に分けて加圧点を設け、力
のベクトルの少なくとも一部について、前記四角窓の辺
に平行なＸ軸方向とＹ軸方向に力を分解して前記支持フ
レームに力を加えることを特徴とする請求項１０に記載
のマスクパターン偏倍装置。 - 【請求項１２】 ころがり接触可能部を介して、前記支
持フレームに力を加えることを特徴とする請求項１０ま
たは１１に記載のマスクパターン偏倍装置。 - 【請求項１３】 加圧点の一部を固定点とすることを特
徴とする請求項１０〜１２のいずれかに記載のマスクパ
ターン偏倍装置。 - 【請求項１４】 前記固定点の少なくとも一部につい
て、該固定点を受止める受止め機構にスライド機能を付
加したことを特徴とする請求項１３に記載のマスクパタ
ーン偏倍装置。 - 【請求項１５】 請求項８に記載の露光装置を含む各種
プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設置する工
程と、該製造装置群を用いて複数のプロセスによって半
導体デバイスを製造する工程とを有することを特徴とす
る半導体デバイス製造方法。 - 【請求項１６】 前記製造装置群をローカルエリアネッ
トワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネット
ワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの
間で、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報を
データ通信する工程とをさらに有することを特徴とする
請求項１５に記載の半導体デバイス製造方法。 - 【請求項１７】 前記露光装置のベンダもしくはユーザ
が提供するデータベースに前記外部ネットワークを介し
てアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の保守
情報を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の半導
体製造工場との間で前記外部ネットワークを介してデー
タ通信して生産管理を行うことを特徴とする請求項１６
に記載の半導体デバイス製造方法。 - 【請求項１８】 請求項８に記載の露光装置を含む各種
プロセス用の製造装置群と、該製造装置群を接続するロ
ーカルエリアネットワークと、該ローカルエリアネット
ワークから工場外の外部ネットワークにアクセス可能に
するゲートウェイを有し、前記製造装置群の少なくとも
１台に関する情報をデータ通信することを可能にしたこ
とを特徴とする半導体製造工場。 - 【請求項１９】 半導体製造工場に設置された請求項８
に記載の露光装置の保守方法であって、前記露光装置の
ベンダもしくはユーザが、半導体製造工場の外部ネット
ワークに接続された保守データベースを提供する工程
と、前記半導体製造工場内から前記外部ネットワークを
介して前記保守データベースへのアクセスを許可する工
程と、前記保守データベースに蓄積される保守情報を前
記外部ネットワークを介して半導体製造工場側に送信す
る工程とを有することを特徴とする露光装置の保守方
法。 - 【請求項２０】 請求項８に記載の露光装置において、
ディスプレイと、ネットワークインタフェースと、ネッ
トワーク用ソフトウェアを実行するコンピュータとをさ
らに有し、露光装置の保守情報をコンピュータネットワ
ークを介してデータ通信することを可能にしたことを特
徴とする露光装置。 - 【請求項２１】 前記ネットワーク用ソフトウェアは、
前記露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接
続され、前記露光装置のベンダもしくはユーザが提供す
る保守データベースにアクセスするためのユーザインタ
フェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネッ
トワークを介して該データベースから情報を得ることを
可能にすることを特徴とする請求項２０に記載の露光装
置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001190809A JP2003007597A (ja) | 2001-06-25 | 2001-06-25 | マスクパターン偏倍方法、偏倍装置及びマスク構造体 |
| US10/176,614 US6804323B2 (en) | 2001-06-25 | 2002-06-24 | Mask pattern magnification correction method, magnification correction apparatus, and mask structure |
| DE60222500T DE60222500T2 (de) | 2001-06-25 | 2002-06-25 | Verfahren und Apparat zur Korrektur von Maskenstrukturen |
| EP02254433A EP1271242B1 (en) | 2001-06-25 | 2002-06-25 | Mask pattern magnification correction method and magnification correction apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001190809A JP2003007597A (ja) | 2001-06-25 | 2001-06-25 | マスクパターン偏倍方法、偏倍装置及びマスク構造体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003007597A true JP2003007597A (ja) | 2003-01-10 |
Family
ID=19029525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001190809A Pending JP2003007597A (ja) | 2001-06-25 | 2001-06-25 | マスクパターン偏倍方法、偏倍装置及びマスク構造体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6804323B2 (ja) |
| EP (1) | EP1271242B1 (ja) |
| JP (1) | JP2003007597A (ja) |
| DE (1) | DE60222500T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008511972A (ja) * | 2004-06-03 | 2008-04-17 | ボード・オブ・リージエンツ，ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム | マイクロリソグラフィにおけるアラインメントとオーバーレイを改善するシステムおよび方法 |
| US7846346B1 (en) | 2005-09-14 | 2010-12-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Processing apparatus and method |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040193752A1 (en) * | 2003-01-02 | 2004-09-30 | Harpreet Singh | System and method for providing fee-based data services |
| JP4328575B2 (ja) * | 2003-07-08 | 2009-09-09 | キヤノン株式会社 | 振動型駆動装置を用いた位置決め機構 |
| JP2005042133A (ja) * | 2003-07-22 | 2005-02-17 | Seiko Epson Corp | 蒸着マスク及びその製造方法、表示装置及びその製造方法、表示装置を備えた電子機器 |
| JP2005191393A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
| US7328420B1 (en) * | 2004-11-18 | 2008-02-05 | Altera Corporation | Circuit design tools with optimization assistance |
| US7305838B2 (en) * | 2005-04-05 | 2007-12-11 | Bendix Commercial Vehicle Systems Llc | Cooling compressor intake air |
| US8871262B2 (en) | 2012-09-19 | 2014-10-28 | Transdermal Biotechnology, Inc. | Compositions and methods for treatment of osteoporosis and other indications |
| CN112133655B (zh) * | 2016-07-18 | 2024-02-09 | 圆益Ips股份有限公司 | 对齐模块 |
| CN116500711B (zh) * | 2023-04-14 | 2024-04-26 | 同济大学 | 一种具备自溯源角度的二维光栅标准物质及其制备方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2911954B2 (ja) * | 1990-04-09 | 1999-06-28 | キヤノン株式会社 | Ｘ線マスク構造体 |
| JP3224157B2 (ja) * | 1992-03-31 | 2001-10-29 | キヤノン株式会社 | Ｘ線マスクとその製造方法、並びに該ｘ線マスクを用いたデバイス製造方法とｘ線露光装置 |
| JP3244894B2 (ja) * | 1993-11-30 | 2002-01-07 | キヤノン株式会社 | マスク保持方法、マスク及びマスクチャック、ならびにこれを用いた露光装置とデバイス製造方法 |
| DE69505448T2 (de) * | 1994-03-15 | 1999-04-22 | Canon Kk | Maske und Maskenträger |
| US5854819A (en) * | 1996-02-07 | 1998-12-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask supporting device and correction method therefor, and exposure apparatus and device producing method utilizing the same |
| JP3305188B2 (ja) | 1996-02-07 | 2002-07-22 | キヤノン株式会社 | 原版、原版保持装置およびこれを用いた露光装置ならびにディバイス製造方法 |
| TWI249760B (en) | 1996-07-31 | 2006-02-21 | Canon Kk | Remote maintenance system |
| US6069931A (en) * | 1997-02-28 | 2000-05-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask structure and mask holding mechanism for exposure apparatus |
| JP3634539B2 (ja) | 1997-02-28 | 2005-03-30 | キヤノン株式会社 | マスク保持装置、露光装置、デバイス製造方法、及びマスク構造体 |
| JP3450648B2 (ja) * | 1997-05-09 | 2003-09-29 | キヤノン株式会社 | 倍率補正装置および倍率補正装置を搭載したｘ線露光装置ならびにデバイス製造方法 |
| JP2000137319A (ja) | 1998-08-26 | 2000-05-16 | Canon Inc | マスクの作成方法ならびデバイス製造方法 |
| JP2001332472A (ja) * | 2000-05-19 | 2001-11-30 | Canon Inc | Ｘ線露光装置 |
-
2001
- 2001-06-25 JP JP2001190809A patent/JP2003007597A/ja active Pending
-
2002
- 2002-06-24 US US10/176,614 patent/US6804323B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-06-25 DE DE60222500T patent/DE60222500T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-25 EP EP02254433A patent/EP1271242B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008511972A (ja) * | 2004-06-03 | 2008-04-17 | ボード・オブ・リージエンツ，ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム | マイクロリソグラフィにおけるアラインメントとオーバーレイを改善するシステムおよび方法 |
| JP2010267973A (ja) * | 2004-06-03 | 2010-11-25 | Board Of Regents The Univ Of Texas System | マイクロリソグラフィにおけるアラインメントとオーバーレイを改善するシステムおよび方法 |
| US7846346B1 (en) | 2005-09-14 | 2010-12-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Processing apparatus and method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030023339A1 (en) | 2003-01-30 |
| DE60222500T2 (de) | 2008-02-28 |
| DE60222500D1 (de) | 2007-10-31 |
| EP1271242B1 (en) | 2007-09-19 |
| EP1271242A3 (en) | 2004-03-03 |
| EP1271242A2 (en) | 2003-01-02 |
| US6804323B2 (en) | 2004-10-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| USRE33836E (en) | Apparatus and method for making large area electronic devices, such as flat panel displays and the like, using correlated, aligned dual optical systems | |
| JP2690960B2 (ja) | 拡大投影露光方法及びその装置 | |
| JP3768825B2 (ja) | 電磁アクチュエータ、リニアモータ、露光装置、半導体デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 | |
| TWI230411B (en) | Moving mechanism in exposure apparatus, and exposure apparatus having the same | |
| US6872950B2 (en) | Electron optical system array, method of fabricating the same, charged-particle beam exposure apparatus, and device manufacturing method | |
| JP2003007597A (ja) | マスクパターン偏倍方法、偏倍装置及びマスク構造体 | |
| WO2002016993A1 (fr) | Dispositif de maintien d'element optique | |
| JP2004079639A (ja) | 移動ステージ装置、移動ステージの移動方法及び露光装置 | |
| JP3826087B2 (ja) | 位置決め装置、荷電粒子線露光装置 | |
| JP2001332480A (ja) | 原版チャック、該原版チャックを備えた露光装置および半導体デバイス製造方法 | |
| JP2003273007A (ja) | 露光装置、半導体デバイスの製造方法、露光装置の保守方法、半導体製造工場 | |
| JP2003059797A (ja) | 移動装置、ステージ装置及び露光装置 | |
| JP4227324B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP2003337272A (ja) | 光学系の保持装置、光学素子の位置調整方法、鏡筒及び露光装置並びにデバイスの製造方法 | |
| JP2003084445A (ja) | 走査型露光装置および露光方法 | |
| JP2001283755A (ja) | 電子光学系アレイとこの作製方法、荷電粒子線露光装置ならびにデバイス製造方法 | |
| JP2002025886A (ja) | ステップ＆スキャン式投影露光装置、その保守方法並びに同装置を用いた半導体デバイス製造方法および半導体製造工場 | |
| JPH10242033A (ja) | マスク保持装置、露光装置、デバイス製造方法、及びマスク構造体 | |
| JP4955874B2 (ja) | 位置合わせ装置、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
| US20030098961A1 (en) | Stage apparatus and exposure apparatus | |
| JP3880355B2 (ja) | 走査型露光装置 | |
| JP2000137319A (ja) | マスクの作成方法ならびデバイス製造方法 | |
| JP2001297966A (ja) | 露光方法、露光システム、露光装置、半導体デバイス製造方法、半導体製造工場、および露光装置の保守方法 | |
| JP4428792B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP2002203773A (ja) | 露光装置 |