JP2911954B2 - X線マスク構造体 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は半導体製造等で用いるX線露光装置に関し、
特に転写すべきパターンが形成されたX線マスク構造に
関するものである。
特に転写すべきパターンが形成されたX線マスク構造に
関するものである。
[従来の技術] 従来のX線マスクの構造を第7図に示す。1は支持フ
レーム、2はマスク基板、3は接着剤、4はマスクパタ
ーンである。マスク基板2は支持フレーム1上に搭載さ
れ、その周囲全周に接着剤3が施されて固定される。支
持フレーム1はリング状であり、中央には開口部15が形
成されている。マスクパターン4はX線吸収体(例えば
Au)からなり、ポリイミド等の有機材料、SiN、SiC等の
無機材料からなる数μm程度の薄膜上に形成される。支
持フレーム1は、前記薄膜が有機材料のときは、例えば
厚さ5mm程度のガラス、セラミックス等が用いられ、無
機材料のときは、厚さ0.5〜3mm程度のSi板が用いられ
る。
レーム、2はマスク基板、3は接着剤、4はマスクパタ
ーンである。マスク基板2は支持フレーム1上に搭載さ
れ、その周囲全周に接着剤3が施されて固定される。支
持フレーム1はリング状であり、中央には開口部15が形
成されている。マスクパターン4はX線吸収体(例えば
Au)からなり、ポリイミド等の有機材料、SiN、SiC等の
無機材料からなる数μm程度の薄膜上に形成される。支
持フレーム1は、前記薄膜が有機材料のときは、例えば
厚さ5mm程度のガラス、セラミックス等が用いられ、無
機材料のときは、厚さ0.5〜3mm程度のSi板が用いられ
る。
第8図は従来のX線マスクの別の構造例である。この
例は、支持フレーム1に凹所5を形成し、この凹所5内
に接着剤層6を介してマスク基板2を固定したものであ
る。
例は、支持フレーム1に凹所5を形成し、この凹所5内
に接着剤層6を介してマスク基板2を固定したものであ
る。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、前記従来の接着剤を用いたX線マスク
構造においては、接着剤とマスク基板あるいは支持フレ
ームの熱膨張率の差による熱応力や、接着剤硬化時の収
縮による応力がパターン歪を起こさせるという問題があ
った。特に、第7図の例のように、マスク基板全周に接
着剤を施した場合、接着剤の厚みむらや硬化時間により
硬化収縮量が異なり、収縮による余分な応力が付加され
パターン歪が大きくなる。また、第8図のように接着剤
層を設けた場合、接着剤収縮の際、マスクパターン面の
平面度を著しく悪化させるという問題があった。
構造においては、接着剤とマスク基板あるいは支持フレ
ームの熱膨張率の差による熱応力や、接着剤硬化時の収
縮による応力がパターン歪を起こさせるという問題があ
った。特に、第7図の例のように、マスク基板全周に接
着剤を施した場合、接着剤の厚みむらや硬化時間により
硬化収縮量が異なり、収縮による余分な応力が付加され
パターン歪が大きくなる。また、第8図のように接着剤
層を設けた場合、接着剤収縮の際、マスクパターン面の
平面度を著しく悪化させるという問題があった。
本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされたものであ
って、接着剤による熱応力や収縮時の応力の影響を軽減
させたX線マスク構造体の提供を目的とする。
って、接着剤による熱応力や収縮時の応力の影響を軽減
させたX線マスク構造体の提供を目的とする。
[課題を解決するための手段] 前記目的を達成するため本発明では、所定のパターン
が形成されたX線マスク基板と、該マスク基板を搭載支
持する支持フレームとを有し、該支持フレーム上に前記
マスク基板が接着剤によって固定され、前記マスク基板
及び支持フレームの少なくとも一方の前記接着剤の周辺
部に応力緩和溝を設けたことを特徴とする。
が形成されたX線マスク基板と、該マスク基板を搭載支
持する支持フレームとを有し、該支持フレーム上に前記
マスク基板が接着剤によって固定され、前記マスク基板
及び支持フレームの少なくとも一方の前記接着剤の周辺
部に応力緩和溝を設けたことを特徴とする。
[作用] 接着剤周辺のマスク基板および/または支持フレーム
に応力緩和溝を形成することにより、応力が緩和され
る。
に応力緩和溝を形成することにより、応力が緩和され
る。
[実施例] 第1図は本発明の実施例を示す。なお、前述の第7図
の例と同じ部材については同一番号を付して説明を省略
する。マスク基板2と支持フレーム1とを接合する接着
剤3の周辺部の支持フレーム側にスリット状の応力緩和
溝7が形成される。この支持フレーム1の平面図を第3
図に示す。第1図は第3図のA−A断面である。応力緩
和溝7は環状に形成され、8か所に接着剤塗布部14が設
けられる。第4図は応力緩和溝7の別の配置例を示す平
面図である。この例では2本の環状の溝7が連続して形
成されている。この場合、接着剤はマスク基板周囲全周
に設けられる。
の例と同じ部材については同一番号を付して説明を省略
する。マスク基板2と支持フレーム1とを接合する接着
剤3の周辺部の支持フレーム側にスリット状の応力緩和
溝7が形成される。この支持フレーム1の平面図を第3
図に示す。第1図は第3図のA−A断面である。応力緩
和溝7は環状に形成され、8か所に接着剤塗布部14が設
けられる。第4図は応力緩和溝7の別の配置例を示す平
面図である。この例では2本の環状の溝7が連続して形
成されている。この場合、接着剤はマスク基板周囲全周
に設けられる。
第2図は本発明の別の実施例を示す。この実施例では
応力緩和溝7がマスク基板2に設けられている。その他
の構成、作用効果は前記第1図の実施例と同様である。
応力緩和溝7がマスク基板2に設けられている。その他
の構成、作用効果は前記第1図の実施例と同様である。
第5図は本発明のさらに別の実施例を示す。この実施
例は支持フレーム1に凹所5を設け、この凹所5内に接
着剤層6を介してマスク基板2を固定したものである。
応力緩和溝7は接着剤層6の両側の支持フレーム1に形
成されている。マスク基板2には位置合わせマーク8が
設けられ、支持フレーム1に設けた位置合わせマーク9
と整合させることによりマスク基板2と支持フレーム1
が相互に位置決めされる。また、支持フレーム1の下面
には画角制御用プレート11が接着剤層12を介して接合さ
れる。この画角制御用プレート11にも位置合わせマーク
10が設けられ、支持フレーム1のマーク9と整合させる
ことにより、支持フレーム1と画角制御用プレート11が
相互に位置決めされる。画角制御用プレート11の位置合
わせマーク10に代えて、第6図に示すように、透孔13を
設けてもよい。
例は支持フレーム1に凹所5を設け、この凹所5内に接
着剤層6を介してマスク基板2を固定したものである。
応力緩和溝7は接着剤層6の両側の支持フレーム1に形
成されている。マスク基板2には位置合わせマーク8が
設けられ、支持フレーム1に設けた位置合わせマーク9
と整合させることによりマスク基板2と支持フレーム1
が相互に位置決めされる。また、支持フレーム1の下面
には画角制御用プレート11が接着剤層12を介して接合さ
れる。この画角制御用プレート11にも位置合わせマーク
10が設けられ、支持フレーム1のマーク9と整合させる
ことにより、支持フレーム1と画角制御用プレート11が
相互に位置決めされる。画角制御用プレート11の位置合
わせマーク10に代えて、第6図に示すように、透孔13を
設けてもよい。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明においては、マスク基板
と支持フレームとを接合する接着剤の周辺部に応力緩和
溝を形成しているため、接着剤硬化時の収縮による応力
や熱応力によるマスク基板および支持フレームの歪が吸
収されて除去され、高精度で信頼性の高いパターン露光
転写が達成される。
と支持フレームとを接合する接着剤の周辺部に応力緩和
溝を形成しているため、接着剤硬化時の収縮による応力
や熱応力によるマスク基板および支持フレームの歪が吸
収されて除去され、高精度で信頼性の高いパターン露光
転写が達成される。
第1図は本発明の実施例の構成説明図、 第2図は本発明の別の実施例の構成説明図、 第3図は本発明に係る支持フレームの一例の平面図、 第4図は本発明に係る支持フレームの別の例の平面図、 第5図および第6図は各々本発明のさらに別の実施例の
構成説明図、 第7図および第8図は従来のマスク基板の各別の例の構
成説明図である。 1:支持フレーム、 2:マスク基板、 3,6:接着剤、 4:マスクパターン、 7:応力緩和溝。
構成説明図、 第7図および第8図は従来のマスク基板の各別の例の構
成説明図である。 1:支持フレーム、 2:マスク基板、 3,6:接着剤、 4:マスクパターン、 7:応力緩和溝。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 千葉 裕司 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 水澤 伸俊 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 刈谷 卓夫 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 鵜澤 俊一 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平1−152625(JP,A) 特開 昭63−236322(JP,A) 特開 昭62−54919(JP,A) 特開 昭61−223841(JP,A) 実開 昭64−51844(JP,U) 特公 平5−3131(JP,B2) 特公 平6−50719(JP,B2) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/027
Claims (1)
- 【請求項1】所定のパターンが形成されたX線マスク基
板と、該マスク基板を搭載支持する支持フレームとを有
し、該支持フレーム上に前記マスク基板が接着剤によっ
て固定され、前記マスク基板及び支持フレームの少なく
とも一方の前記接着剤の周辺部に応力緩和溝を設けたこ
とを特徴とするX線マスク構造体。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9201790A JP2911954B2 (ja) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | X線マスク構造体 |
DE69126907T DE69126907T2 (de) | 1990-04-09 | 1991-04-05 | Röntgenstrahlen-Maskenstruktur |
EP91302999A EP0452043B1 (en) | 1990-04-09 | 1991-04-05 | X-ray mask structure |
US08/182,513 US5356686A (en) | 1990-04-09 | 1994-01-14 | X-ray mask structure |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
JP9201790A JP2911954B2 (ja) | 1990-04-09 | 1990-04-09 | X線マスク構造体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH03290918A JPH03290918A (ja) | 1991-12-20 |
JP2911954B2 true JP2911954B2 (ja) | 1999-06-28 |
Family
ID=14042765
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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EP (1) | EP0452043B1 (ja) |
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EP0677787B1 (en) * | 1994-03-15 | 1998-10-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask and mask supporting mechanism |
JP3291408B2 (ja) * | 1994-04-04 | 2002-06-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置および集積回路の製造方法 |
JP2681619B2 (ja) * | 1995-02-20 | 1997-11-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブ装置 |
JP3261948B2 (ja) * | 1995-03-28 | 2002-03-04 | キヤノン株式会社 | X線露光用マスク及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
US5854819A (en) * | 1996-02-07 | 1998-12-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask supporting device and correction method therefor, and exposure apparatus and device producing method utilizing the same |
US6317479B1 (en) | 1996-05-17 | 2001-11-13 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask, and exposure method and apparatus using the same |
KR0170594B1 (ko) * | 1996-05-25 | 1999-03-20 | 양승택 | 마스크용 글래스 링 구조 |
US6101237A (en) * | 1996-08-28 | 2000-08-08 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask and X-ray exposure method using the same |
JP3450648B2 (ja) | 1997-05-09 | 2003-09-29 | キヤノン株式会社 | 倍率補正装置および倍率補正装置を搭載したx線露光装置ならびにデバイス製造方法 |
JP3348783B2 (ja) | 1999-07-28 | 2002-11-20 | 日本電気株式会社 | 重ね合わせ用マーク及び半導体装置 |
JP2001100395A (ja) | 1999-09-30 | 2001-04-13 | Toshiba Corp | 露光用マスク及びその製造方法 |
JP2003007597A (ja) * | 2001-06-25 | 2003-01-10 | Canon Inc | マスクパターン偏倍方法、偏倍装置及びマスク構造体 |
JP4463492B2 (ja) * | 2003-04-10 | 2010-05-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 製造装置 |
JP4752491B2 (ja) * | 2005-12-22 | 2011-08-17 | 株式会社ニコン | デバイス製造方法、マスク、デバイス |
CN102436133A (zh) * | 2011-08-17 | 2012-05-02 | 上海华力微电子有限公司 | 一种用于防止光掩模版应力传递致主图形移动的方法 |
CN102436134A (zh) * | 2011-08-29 | 2012-05-02 | 上海华力微电子有限公司 | 一种用于非透光切割道中防止光掩模版应力损坏的方法 |
JP6185498B2 (ja) * | 2015-02-12 | 2017-08-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 蒸着用マスク |
Family Cites Families (4)
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US5012500A (en) * | 1987-12-29 | 1991-04-30 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask support member, X-ray mask, and X-ray exposure process using the X-ray mask |
EP0323264B1 (en) * | 1987-12-29 | 1997-05-14 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray exposure process using an electrically conductive x-ray mask |
EP0338749A3 (en) * | 1988-04-18 | 1990-05-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Structure of x-ray mask |
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1990
- 1990-04-09 JP JP9201790A patent/JP2911954B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-04-05 EP EP91302999A patent/EP0452043B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-04-05 DE DE69126907T patent/DE69126907T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-01-14 US US08/182,513 patent/US5356686A/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
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DE69126907T2 (de) | 1997-12-04 |
JPH03290918A (ja) | 1991-12-20 |
US5356686A (en) | 1994-10-18 |
DE69126907D1 (de) | 1997-08-28 |
EP0452043B1 (en) | 1997-07-23 |
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