CN101675500B - 曝光装置、曝光方法以及元件制造方法 - Google Patents

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Abstract

从一晶圆载台(WST1)位于形成液浸区域(14)的投影光学系统(PL)下方的区域的状态转移至另一晶圆载台(WST2)位于形成液浸区域(14)的投影光学系统(PL)下方的区域的状态时，使分别设于两晶圆载台(WST1，WST2)的檐部(23a’)与段部(23b)卡合，并在X轴方向错开的状态下，使两晶圆载台(WST1，WST2)沿Y轴方向接近或接触，并维持该状态沿Y轴方向同时驱动两晶圆载台(WST1，WST2)。藉此，液浸区域即透过檐部在两个晶圆载台间进行交接，并抑制形成液浸区域的液体的泄漏。

Description

曝光装置、曝光方法以及元件制造方法
技术领域
本发明是关于曝光装置、曝光方法以及元件制造方法，特别是关于在制造半导体元件等微型元件的微影工艺所使用的曝光装置、曝光方法以及使用该曝光方法的元件制造方法。
背景技术
以往，在制造半导体元件(集成电路等)、液晶显示元件等电子元件(微型元件)的微影工艺中，主要是使用步进重复方式的投影曝光装置(所谓步进器)、或步进扫描方式的投影曝光装置(所谓扫描步进器(亦称为扫描器))等。
此种曝光装置中，为了提升投影光学系统的解析度，一直谋求曝光用光的短波长化与增大投影光学系统的数值孔径(高NA化)。然而，因曝光用光的短波长化及投影光学系统的高NA化而导致焦点深度逐渐变窄。因此，作为实质上缩短曝光波长且扩大(加宽)相较于空气中的焦点深度的方法，使用液浸法的曝光装置近年来已逐渐受到重视。
另一方面，对曝光装置除了高解析度以外亦要求必须具有高产能。提升产能的方法，已提出有各种双晶圆载台型的曝光装置，其是采用设置多个例如2个用以保持晶圆的晶圆载台，并以该2个晶圆载台同时并行处理不同的动作的方法。
再者，最近亦提出有一种采用液浸曝光法的双晶圆载台型的曝光装置(例如，参照专利文献1)。
此外，已知有一种Z干涉仪(例如，参照专利文献2)，其是在测量与晶圆载台的XY平面正交的Z轴方向的位置(高度)时，将相对于XY平面倾斜既定角度例如45°的反射面(Z测量用反射面)设置于晶圆载台的侧面，以对该反射面照射平行于XY平面的测距光束，并接收该光束的返回光，藉此测量晶圆载台的高度。
然而，在与例如专利文献1相同类型的曝光装置采用上述Z干涉仪时，最好构成为各晶圆载台皆可从两侧以Z干涉仪进行高度测量。然而，如此一来，如专利文献2所揭示，在使2个晶圆载台接触或接近，并于两晶圆载台间交接液浸区域(液体)时，有Z测量用反射面彼此会接触而造成损伤之虞。又，若为了避免此种情况的发生而在2个晶圆载台分离的状态下进行液浸区域的交接时，则液体会从两晶圆载台间漏出，而有无法进行液浸区域的交接之虞。又，亦有因漏出的液体而弄湿Z测量用反射面之虞。又，即使在不使用Z测量用反射面的情况下，只要至少一晶圆载台具有较其他部分突出的机构部等时，当使2个晶圆载台接触或接近，以于两晶圆载台间交接液浸区域(液体)时，亦可能产生与上述相同的问题。
专利文献1：美国专利第7,161,659号说明书
专利文献2：美国专利第6,208,407号说明书
发明内容
根据第一观点，本发明的曝光装置，透过光学系统与液体通过能量束使物体曝光，其特征在于，包括：第一移动体，可装载该物体，并可在包含第一区域与第二区域的既定范围区域内实质上沿既定平面移动，该第一区域包含被供应该液体的紧邻该光学系统下方的液浸区域，该第二区域是取得位于该第一区域的第一方向一侧的该物体的位置信息的区域；第二移动体，可装载该物体，并可在包含该第一区域与该第二区域的区域内实质上沿该既定平面与该第一移动体独立移动；以及移动体驱动系统，实质上沿该既定平面驱动该第一、第二移动体，且从一移动体位于该第一区域的第一状态迁移至另一移动体位于该第一区域的第二状态时，在该第一移动体与该第二移动体于该既定平面内的与该第一方向垂直的第二方向错开、且在该第一方向维持透过彼此的对向面的一部分而接近或接触的并列状态下，将该第一、第二移动体同时驱动于该第一方向。
据此，可在维持第一、第二移动体的并列状态下，使第一、第二移动体沿第一方向移动，并使液体不会从两移动体之间泄漏，而在两移动体之间交接液浸区域。藉此，不须要液浸区域的液体的全回收及再次供应等作业。又，相较于使第一及第二移动体从第二方向接近或接触的情形，可缩短两移动体的移动距离(移动行程)。又，通过使两移动体在第二方向为错开的状态且在该第一方向透过彼此的对向面的一部分而接近或接触，即可进一步缩短两移动体的移动行程。因此，可使产能提升。
根据第二观点，本发明的曝光方法，透过光学系统与液体通过能量束使物体曝光，其特征在于：将第一移动体与第二移动体，在错开于第二方向的状态下，且在第一方向维持接近或接触的并列状态下，同时驱动于该第一方向，藉此将液浸区域从一移动体交接至另一移动体，并从一移动体位于第一区域的第一状态迁移至另一移动体位于该第一区域的第二状态，该第一移动体与第二移动体，可装载该物体，并可在包含该第一区域与第二区域的既定范围区域内实质上沿既定平面分别独立移动，该第一区域包含被供应该液体的紧邻该光学系统下方的液浸区域，该第二区域是取得位于该第一区域的该第一方向一侧的该物体的位置信息的区域。
据此，在从一移动体位于该第一区域的第一状态迁移至另一移动体位于第一区域的第二状态时，第一移动体与第二移动体，在第二方向错开、且在第一方向维持接近或接触的并列状态下，同时驱动于第一方向，而液浸区域即从一移动体交接至另一移动体。藉此，液体即不会从两移动体之间泄漏，而可在两移动体之间交接液浸区域。因此，不须要液浸区域的液体的全回收及再次供应等作业。又，相较于使第一及第二移动体从第二方向接近或接触的情形，可缩短转移至并列状态时两移动体的移动距离(移动行程)。又，通过使两移动体在第二方向为错开的状态且在第一方向接近或接触，即可进一步缩短两移动体的移动行程。因此，可使产能提升。
根据第三观点，本发明的元件制造方法，其包含通过本发明的曝光方法使该物体曝光的微影步骤。
附图说明
图1是概略表示一实施形态的曝光装置的构成的图；
图2A表示图1的晶圆载台WST1的前视图，图2B表示晶圆载台WST1的俯视图；
图3A至图3C是用以说明交接部的图；
图4表示图1的曝光装置所具备的干涉仪系统的配置的俯视图；
图5用以说明使用3个多轴干涉仪的晶圆载台的位置测量的图；
图6表示一实施形态的曝光装置的控制系统的主要构成的方块图。
图7表示对装载于晶圆载台WST1上的晶圆进行曝光，并在晶圆载台WST2上进行晶圆更换的状态的图；
图8表示对装载于晶圆载台WST1的晶圆进行曝光，并对装载于晶圆载台WST2上的晶圆进行晶圆对准的状态的图；
图9表示仅使用XZ干涉仪116测量晶圆台WTB1的X，Z，θy位置，并仅使用XZ干涉仪126测量晶圆台WTB2的X，Z，θy位置的状态的图；
图10用以说明通过使晶圆载台WST1与晶圆载台WST2维持并列状态下移动，而使液浸区域从晶圆载台WST1上移动至晶圆载台WST2上的情形的图；
图11表示对装载于晶圆载台WST2上的晶圆进行曝光，并在晶圆载台WST1上进行晶圆更换的状态的图；
图12用以说明通过使晶圆载台WST1与晶圆载台WST2维持并列状态下移动，而使液浸区域从晶圆载台WST2上移动至晶圆载台WST1上的情形的图；
图13用以说明变形例的曝光装置的图(其1)；
图14用以说明变形例的曝光装置的图(其2)。
具体实施方式
以下，针对本发明的一实施形态，根据图1至图12作说明。
图1概略表示一实施形态的双载台型曝光装置100的构成。曝光装置100是步进扫描方式的投影曝光装置，亦即所谓扫描器。如后述般，本实施形态中，设有投影光学系统PL与对准系统ALG，而以下是以与投影光学系统PL的光轴AX平行的方向为Z轴方向，以在正交于此的面内与连结投影光学系统PL的中心(光轴AX)与对准系统ALG的检测中心(光轴AXp)的直线平行的方向为Y轴方向，以正交于Z轴及Y轴的方向为X轴方向，并分别以绕X轴、Y轴、及Z轴旋转的旋转(倾斜)方向为θx方向、θy方向、及θz方向进行说明。
曝光装置100具备照明系统10、标线片载台RST、投影单元PU、局部液浸装置8、对准系统ALG、载台装置50、及此等的控制系统等。此外，图1中构成载台装置50的2个晶圆载台WST1，WST2分别位于投影单元PU的下方及对准系统ALG的下方。又，于晶圆载台WST1，WST2上分别装载有晶圆W1，W2。
例如如美国专利申请公开第2003/0025890号说明书等所揭示般，照明系统10具有光源、以及包含光学积分器等的照度均匀化光学系统及包含标线片遮帘等的照明光学系统(皆未图示)。照明系统10通过照明用光(曝光用光)IL以大致均匀的照度来照明以标线片遮帘(亦称为遮罩系统)所界定的标线片R上的狭缝状照明区域IAR。此处，照明用光IL使用例如ArF准分子激光(波长193nm)。
其图案面(图1中的下面)形成有电路图案等的标线片R，通过例如真空吸附固定于标线片载台RST上。标线片载台RST可通过例如包含线性马达等的标线片载台驱动系统11(图1中未图示、参照图6)，在XY平面内微幅驱动，并以既定扫描速度驱动于扫描方向(此处，设定为图1纸面内左右方向的Y轴方向)。
标线片载台RST的XY平面(移动面)内的位置信息(包含θz方向的旋转信息)，通过标线片激光干涉仪(以下，称为标线片干涉仪)116，透过移动镜15(实际上，设有具正交于Y轴方向的反射面的Y移动镜(或复归反射器)与具正交于X轴方向的反射面的X移动镜)，以例如0.25nm左右的解析度随时进行检测。来自标线片干涉仪116的位置信息，传送至主控制装置20(图1中未图示、参照图6)。主控制装置20则根据所传送的位置信息透过标线片载台驱动系统11来控制标线片载台RST的位置(及速度)。
投影单元PU设置于图1的标线片载台RST的下方(-Z方向)。投影单元PU包含镜筒40、及保持于镜筒40内的投影光学系统PL。投影光学系统PL例如是使用沿与Z轴方向平行的光轴AX排列的多个光学元件(透镜元件)所构成的折射光学系统。投影光学系统PL两侧远心且具有既定投影倍率(例如1/4倍、1/5倍、或1/8倍等)。因此，当通过来自照明系统10的照明用光IL照射标线片R上的照明区域IAR时，通过投影光学系统PL的第一面(物体面)与图案面大致一致设置的标线片R的照明用光IL，即透过投影光学系统PL(投影单元PU)，使其照明区域IAR内的标线片R的电路图案的缩小像(电路图案的一部分的缩小像)，形成于设置在投影光学系统的第二面(像面)侧且与表面涂布有光阻(感应剂)的晶圆W1(或W2)上的照明区域IAR共轭的区域(以下，亦称为曝光区域)IA。接着，通过同步驱动标线片载台RST与晶圆载台WST1(或WST2)，使标线片R相对于照明区域IAR(照明用光IL)沿扫描方向(Y轴方向)移动，并通过使晶圆W1(或W2)相对于曝光区域(照明用光IL)沿扫描方向(Y轴方向)移动，以进行晶圆W1(或W2)上的1个照射区域(区划区域)的扫描曝光，而使标线片R的图案转印于该照射区域。亦即，本实施形态中，通过照明系统10、标线片R、及投影光学系统PL在晶圆W1(或W2)上产生图案，并通过照明用光IL在晶圆W1(或W2)上的感应层(光阻层)所产生的曝光，而在晶圆W1(或W2)上形成该图案。
为了进行液浸方式的曝光，于本实施形态的曝光装置100设有局部液浸装置8。局部液浸装置8包含液体供应装置5、液体回收装置6(图1中皆未图示、参照图6)、液体供应管31A、液体回收管31B、及喷嘴单元32等。如图1所示，喷嘴单元32是以围绕用以保持构成投影光学系统PL的最靠像面侧(晶圆侧)的光学元件，此处为透镜(以下，亦称为前端透镜)191的镜筒40的下端部周围的方式，悬吊支撑于用以保持投影单元PU的未图示的主框架。如图1所示，本实施形态中，喷嘴单元32设定成其下端面与前端透镜191的下端面为大致同一面。
液体供应管31A连接于液体供应装置5(图1中未图示、参照图6)，而液体回收管31B则连接于液体回收装置6(图1中未图示、参照图6)。此处，液体供应装置5具备用以储存液体的槽、加压泵、温度控制装置、及用以控制液体的流量的阀等。液体回收装置6则具备用以储存回收后的液体的槽、吸引泵、及用以控制液体的流量的阀等。
主控制装置20控制液体供应装置5(参照图6)，透过液体供应管31A，将液体Lq供应于前端透镜191与晶圆W1(或W2)之间，并控制液体回收装置6(参照图6)，透过液体回收管31B，将液体Lq从前端透镜191与晶圆W1(或W2)之间回收。此时，主控制装置20以随时均使所供应的液体的量与所回收的液体的量相等的方式，进行液体供应装置5与液体回收装置6的控制。因此，在前端透镜191与晶圆W1(或W2)之间随时保持更换一定量的液体Lq，藉此形成液浸区域14(参照图4等)。本实施形态的曝光装置100中，透过形成液浸区域14的液体Lq，将照明用光IL照射于晶圆W1(或W2)，藉此进行对晶圆W1(或W2)的曝光。此处，液浸区域14虽应称为液浸空间的以液体Lq所充满的三维空间，不过由于空间亦意指空隙因此为了避免此种误解，本说明书中使用称作液浸区域的用语。
上述液体使用例如ArF准分子激光(波长193nm的光)可透射的纯水。此外，纯水对ArF准分子激光的折射率n大致为1.44，在纯水中照明用光IL的波长即被缩短成193nm×1/n＝约134nm。
对准系统ALG设置于从投影单元PU的中心(投影光学系统PL的光轴AX(本实施形态中，与上述曝光区域IA的中心一致))沿-Y侧隔开既定间隔的位置，并固定于未图示的主框架。此处，对准系统ALG是使用例如影像处理方式的FIA(Field Image Alignment)系统。对准系统ALG在晶圆对准等时，根据主控制装置20的指示拍摄晶圆载台WST1或WST2上的基准标记或晶圆上的对准标记(晶圆标记)，并透过未图示的信号处理系统将该拍摄信号供应至主控制装置20(参照图6)。
此外，本实施形态的曝光装置100中，于投影单元PU附近设有例如与美国专利第5,448,332号说明书等所揭示相同构成的斜入射方式的多焦点位置检测系统(以下，略称为多点AF系统)AF(图1中未图示、参照图6)。此处，多点AF系统AF使用下述构成，亦即透过形成在上述喷嘴单元32的未图示光透射部及液浸区域的液体Lq，将来自照射系统的检测光束分别照射于晶圆W1(或W2)表面的多个检测点，并透过形成在喷嘴单元32的另一光透射部以受光系统来接收各多个检测点的检测光束的反射光。多点AF系统AF的检测信号，透过未图示的AF信号处理系统供应至主控制装置20(参照图6)。主控制装置20根据多点AF系统AF的检测信号，检测出各检测点的晶圆W表面的Z轴方向的位置信息，并根据该检测结果执行扫描曝光中的晶圆W的所谓聚焦调平控制。此外，亦可将多点AF系统设置于对准检测系统ALG的附近，事先取得晶圆对准时晶圆表面的面位置信息(凹凸信息)，曝光时则使用该面位置信息与用以检测晶圆载台上面的Z轴方向的位置的另一感测器的测量值，以执行晶圆W的所谓聚焦调平控制。
再者，曝光装置100中，于标线片载台RST的上方，设有由使用曝光波长的光的一对TTR(Through The Reticle)对准系统所构成的标线片对准检测系统13(图1中未图示、参照图6)。标线片对准检测系统13的检测信号，透过未图示的对准信号处理系统供应至主控制装置20(参照图6)。
如图1所示，载台装置50具备设置于基座12上方的晶圆载台WST1，WST2、包含用以测量晶圆载台WST1，WST2的位置信息的干涉仪系统118的测量系统200(参照图6)、及用以驱动晶圆载台WST1，WST2的载台驱动系统124(参照图6)等。晶圆载台WST1，WST2通过其所分别具备的后述空气滑件，透过数μm左右的间隙悬浮支撑于基座12的上方。此外，晶圆载台WST1，WST2可通过构成载台驱动系统124的后述平面马达，分别沿基座12的上面(移动导引面)驱动在XY平面内。
如图1及图2A所示，晶圆载台WST1包含载台本体91、及装载于本体91上的晶圆台WTB1。如图2A所示，载台本体91具有与埋设于基座12内部的固定件52一起构成平面马达51的可动件56、及一体设于该可动件56下半部周围并具有多个空气轴承的空气滑件54。
可动件56通过磁石单元所构成，其中该磁石单元包含由例如以相邻的磁极面的极性彼此不同的方式排列成阵列状的多个平板磁石所构成的平板上发磁体。
另一方面，固定件52通过电枢单元所构成，其中该电枢单元于基座12的内部具有排列成阵列状的多个电枢线圈(驱动线圈)57。本实施形态中，电枢线圈57设有X驱动线圈及Y驱动线圈。此外，通过由包含多个X驱动线圈及Y驱动线圈的电枢单元所构成的固定件52与由上述磁石单元所构成的可动件56，构成电磁力驱动方式(劳仑兹力方式)的动磁型平面马达51。
多个电枢线圈57通过构成基座12上面的平板状构件58所覆盖。平板状构件58的上面构成晶圆载台WST1(及WST2)的移动导引面及来自空气滑件54所具备的空气轴承的加压空气的受压面。
晶圆台WTB1透过构成载台驱动系统124的一部分的Z调平机构(例如，包含音圈马达等)而设置于载台本体91之上。晶圆台WTB1通过Z调平机构相对于载台本体91微幅驱动于Z轴方向、θx方向、及θy方向。因此，晶圆台WTB1通过包含平面马达51与Z调平机构的载台驱动系统124，而可相对于基座12驱动于6个自由度方向(X、Y、Z、θx、θy、θz)。
于晶圆台WTB1上面的中央，设有通过真空吸附等来保持晶圆的晶圆保持具(未图示)。如图2B所示，于晶圆保持具(晶圆的装载区域)的外侧，在中央形成有较晶圆保持具大一圈的圆形开口，且设置有具矩形的外形(轮廓)的板28。板28的表面经对液体Lq的拨液化处理而形成有拨液面。此外，板28设定成其表面全部(或一部分)与晶圆W的表面为大致同一面。
又，于板28的+Y侧的大致中央形成有圆形开口，于该圆形开口内埋设有基准标记板FM。基准标记板FM其表面与板28为大致同一面。于基准标记板FM的表面，至少形成有通过标线片对准检测系统13所检测的一对第一基准标记、及通过对准系统ALG所检测的第二基准标记。
如图2B所示，于晶圆台WTB1的-Y侧的+X端部设置有较其他部分突出的板状檐部23a。又，如图2B所示，于晶圆台WTB1的+Y侧的+X端部形成有X轴方向的宽度与檐部23a大致相同的段部(俯视为矩形的切除部)23b。晶圆台WTB1的上面，包含晶圆W1及檐部23a大致整面(除了段部23b外)为大致同一面。
如图1(及图4)等所示，晶圆载台WST2包含载台本体91、及晶圆台WTB2，虽与上述晶圆载台WST1呈左右对称，不过完全以相同方式所构成。
因此，在晶圆载台WST2，于-Y侧的-X端部设置有与檐部23a相同(或左右对称的)檐部，并于+Y侧的-X端部形成有与段部23b呈左右对称的段部(俯视为矩形的切除部)。以下，为了区别起见将晶圆台WTB2所具备的檐部记述为檐部23a’而将段部记述为23b’。
此处，针对檐部23a，23a’及段部23b，23b’作详述。图3A扩大表示设于晶圆台WTB1的段部23b与设于晶圆台WTB2的檐部23a’。如该图3A所示，通过设于晶圆台WTB2的檐部23a’的前端与设于晶圆台WTB1的段部23b卡合，在晶圆载台WST1的+Y侧的面与晶圆载台WST2的-Y侧的面局部对向的状态下，晶圆载台WST1与晶圆载台WST2即可透过檐部23a’及段部23b在Y轴方向接近或接触，亦即两晶圆载台WST1，WST2即呈并列状态(参照图4)。
晶圆台WTB2的檐部23a’的Y轴方向的长度设定成远较段部23b的Y轴方向的长度长，如图3A所示，设定成在檐部23a’与段部23b卡合的状态下，可阻止晶圆载台WST1与晶圆载台WST2造成接触(更正确而言，晶圆载台WST1的空气滑件54的+Y侧端与晶圆载台WST2的空气滑件54的-Y侧端造成接触)程度的长度。
晶圆台WTB1的檐部23a与晶圆台WTB2的段部23b’具有与上述檐部23a’、段部23b相同的尺寸，并同样地可彼此卡合。此外，在该等的卡合状态下，可阻止晶圆载台WST1与晶圆载台WST2造成接触(更正确而言，晶圆载台WST1的空气滑件54的-Y侧端与晶圆载台WST2的空气滑件54的+Y侧端造成接触)。
本实施形态中，在晶圆载台WST1，WST2更正确而言是檐部23a’与段部23b(或檐部23a与段部23b’)接近或接触的状态(两晶圆载台的并列状态)下，晶圆台WTB1与晶圆台WST2的上面，包含檐部23a(或23 a’)的上面，整体呈大致同一面(全平坦的面)(参照图3A)。此处，以一例而言，檐部23a’(或23 a)与段部23b(或23 b’)接近是指透过300μm左右的间隙檐部23a’(或23 a)与段部23b(或23 b’)接近的状态。
如图4所示，檐部23a’(及23a)的X轴方向的宽度设定成充分大于上述液浸区域14的宽度，例如100mm左右，更正确而言为100mm以下(以一例而言，为80～100mm)。因此，例如为了结束对装载于晶圆台WTB1的晶圆W1的曝光，并开始对装载于晶圆台WTB2的晶圆W2的曝光，必须使位于包含形成液浸区域14的投影光学系统PL的下方区域的曝光时移动区域AE(参照图7及图8)的晶圆载台WST1从曝光时移动区域AE退开，并使在既定待机位置待机的晶圆载台WST2移动至曝光时移动区域AE。例如如图10所示，在该情形下，主控制装置20使各晶圆载台WST1，WST2沿Y轴方向接近或接触，以使各晶圆载台WST1，WST2所具有的段部23b与檐部23a’卡合。接着，一直保持该状态(并列状态)下，主控制装置20即通过沿-Y方向驱动两晶圆载台WST1，WST2，液浸区域14即依序移动于晶圆台WTB1、檐部23a’、及晶圆台WTB2的上面。
在液浸区域14透过檐部23a’从晶圆台WTB1上移动至晶圆台WTB2上时(或者，透过檐部23a从晶圆台WTB2上移动至晶圆台WTB1上时)，形成液浸区域14的液体Lq即渗入檐部23a’与段部23b的间隙(或檐部23a与段部23b’的间隙)，并可透过晶圆载台WST1及/或WST2的侧面造成往晶圆载台WST1及/或WST2下方的泄漏。因此，如图3C所示，例如即可将密封构件24粘贴于段部23b与檐部23a’卡合的面的一部分、反之檐部23a’与段部23b卡合的面的一部分、或檐部23a’与段部23b两者卡合的面的一部分。此种情况下，即可通过密封构件24来防止液体Lq渗入檐部23a’与段部23b的间隙，进而可防止往晶圆载台WST1及/或WST2下方的泄漏。此外，密封构件24可使用例如由氟橡胶等所构成的弹性密封构件。又，亦可通过铁氟龙(注册商标)等于檐部23a’的与段部23b的卡合面、及/或段部23b的与檐部23a’的卡合面施以拨水涂层，以取代粘贴密封构件24。此外，段部23b’、檐部23a亦与上述相同。
本实施形态中，如以上所述，可透过檐部23a或23a’使液浸区域14在晶圆台WTB1，WTB2间移动。此时，由于可维持檐部23a与段部23b’(或檐部23a’与段部23b)接触或接近的状态，因此可防止液浸区域14的液体Lq从檐部与段部的间隙泄漏。因此，无须从投影光学系统PL的下方进行液体Lq的回收作业，相较于须进行液体Lq的回收、供应的情形，便可提升产能。
此外，上述说明中，虽将檐部设于晶圆台WTB1，WTB2的-Y侧端部并将段部设于晶圆台WTB1，WTB2的+Y侧端部，不过反之，如后述变形例般，亦可将檐部设于晶圆台WTB1，WTB2的+Y侧端部并将段部设于晶圆台WTB1，WTB2的-Y侧端部。此外，如图3B所示，亦可将彼此卡合的一对平板上的突出部23c，23d设置于晶圆台WTB1上端部的+Y侧、及晶圆台WTB2上端部的-Y侧。此时，将上半部较下半部突出的凸部形成于一侧的突出部23c的前端部，并在另一侧的突出部23d的前端部卡合突出部23c的凸部，如图3B所示，在该卡合状态下形成整体形成1个板状部的下半部较上半部突出的凸部。此时，亦只要将突出部23c，23d的长度设定成突出部23c，23d嵌合的两晶圆载台WST1，WST2在并列状态下，可避免晶圆载台WST1与晶圆载台WST2造成接触的长度即可。当然，亦可将彼此卡合的一对平板上的突出部设置于晶圆台WTB2上端部的+Y侧、及晶圆台WTB1上端部的-Y侧。
又，本实施形态中，将彼此卡合的檐部23a(或23a’)与段部23b’(或23 b)(或一对突出部23c，23d)，设置于晶圆载台WST1，WST2各自的接近或接触时(并列时)对向的±Y侧的±X侧端部，使两晶圆载台WST1，WST2在X轴方向错开的状态下呈并列状态。此是主要考量以下a～c的理由。
a.通过使两晶圆载台WST1，WST2在Y轴方向并列(接近或接触)，其中Y轴方向连结进行晶圆曝光的曝光位置(液浸区域14)与进行晶圆对准的位置的方向，相较于使两晶圆载台WST1，WST2在X轴方向并列的情形，可缩短两晶圆载台WST1，WST2的移动距离(移动行程)。藉此，可谋求产能的提升。
b.通过使两晶圆载台WST1，WST2在X轴方向错开的状态下呈并列状态，可进一步缩短两晶圆载台WST1，WST2的移动行程，藉此可进一步提升产能。
c.可缩短分别连接于晶圆载台WST1，WST2的后述缆线的长度。
此外，亦可将例如国际公开第2007/097379号小册子所揭示的空间像测量装置、基准杆(Confidential Bar)(CD Bar：CD杆)、照度不均感测器、空间像测量器、波面像差测量器、及照度监测器等各种测量装置及测量构件设置于晶圆载台WST1，WST2。
本实施形态中，于可从晶圆载台WST1的-X侧端部移动至设置在基座12(晶圆载台WST1，WST2的移动导引面)的-X侧的Y轴方向的第一缆线梭(未图示)，连接有未图示的配线、配管用缆线。同样地，于可从晶圆载台WST2的+X侧端部移动至设置在基座12的+X侧的Y轴方向的第二缆线梭(未图示)，连接有未图示的配线、配管用缆线。通过该等缆线进行对设于两晶圆载台WST1，WST2的Z调平机构及测量装置的电力供应、以及对空气滑件的加压空气的供应等。
其次，针对构成测量系统200的一部分的干涉仪系统118作说明。
如图2B使用晶圆台WTB1代表性所示，于晶圆台WTB1，WTB2的-X侧端面、+Y侧端面、+X侧端面、及-Y侧端面，分别形成有反射面27a，27b，27c，27d。此外，于晶圆载台WST1，WST2的-X侧与+X侧的面，设置有具有分别对反射面27a，27c倾斜45度的反射面的反射镜27e，27f(参照图5)。又，如图1及图4所示，长方形板状的固定镜25A，25C，25B，25D使各自的长边方向朝向X轴方向，且使各自的反射面朝向-Z方向而设置于投影单元PU的+X侧、-X侧、及对准系统ALG的+X侧、-X侧。固定镜25A，25C，25B，25D的反射面可与晶圆载台WST1或WST2(晶圆台WTB1或WTB2)对向。固定镜25A～25D设置于用以保持投影单元PU等的主框架的下面。
如图4所示，干涉仪系统118包含4个Y干涉仪16，17，18，19、及4个XZ干涉仪116，117，126，127。Y干涉仪16，17，18在X轴方向不同的位置设置于基座12的+Y侧。Y干涉仪19则与Y干涉仪17对向设置于基座12的-Y侧。XZ干涉仪116，117沿Y轴方向以既定间隔设置于基座12的-X侧。又，XZ干涉仪126，127分别与XZ干涉仪116，117对向设置于基座12的+X侧。
若加以详述，如图5所示，Y干涉仪17从与连结投影光学系统PL的光轴AX与对准系统ALG的检测中心的Y轴平行的直线(基准轴)LV0，沿±X方向隔开相等间隔距离，将平行于Y轴的2个测距光束B171，B172照射于晶圆载台WST1(或WST2)的反射面27b，并接收测距光束B171，B172的反射光，以测量测距光束B171，B172的照射点的反射面27b的Y轴方向位移(作为第一、第二位置信息)。第一、第二位置信息传送至主控制装置20。主控制装置20则根据第一、第二位置信息的平均值，算出晶圆载台WST1(或WST2)在Y轴方向的位置(Y位置)。亦即，Y干涉仪17在Y轴方向的实质测距轴与基准轴LV0一致。又，主控制装置20根据第一、第二位置信息之差，算出晶圆载台WST1(或WST2)的θz方向的旋转信息(偏摇量)。
又，Y干涉仪17从测距光束B171，B172沿-Z方向隔开既定距离，将另一测距光束B173照射于反射面27b，并接收测距光束B173的反射光，以测量测距光束B173的照射点的反射面27b的Y轴方向位移(作为第三位置信息)，并传送至主控制装置20。主控制装置20则根据第三位置信息及第一、第二位置信息，算出晶圆台WTB1(或WTB2)的θx方向的旋转信息(纵摇量)。
与Y干涉仪17同样地，Y干涉仪16，18，19使用在测量晶圆台WTB1，WTB2的一者或两者的Y位置、纵摇量、及偏摇量。Y干涉仪16，18具有分别平行于基准轴LV0的测距轴LV1，LV2。又，Y干涉仪19以实质上的测距轴为基准轴LV0，并将3个测距光束照射于晶圆台WTB1(或WTB2)的反射面27d。
XZ干涉仪116，126以正交于投影光学系统PL的光轴AX与基准轴LV0的基准轴LH为在X轴方向的测距轴。亦即，如图5所示，XZ干涉仪116沿测距轴LH将测距光束B1161照射于晶圆台WTB1(或WTB2)的反射面27a，并接收反射面27a的测距光束B1161的反射光，以测量测距光束B1161的照射点的反射面27a的X轴方向位移(作为第四位置信息)。同样地，XZ干涉仪126沿测距轴LH将测距光束B1261照射于晶圆台WTB1(或WTB2)的反射面27c，并接收反射面27c的测距光束B1261的反射光，以测量测距光束B1261的照射点的反射面27c的X轴方向位移(作为第五位置信息)。第四、第五位置信息传送至主控制装置20。主控制装置20则根据第四、第五位置信息，算出晶圆台WTB1(或WTB2)的X位置。
又，XZ干涉仪116与测距轴LH平行地将测距光束(Z测距光束)B1162照射于设在晶圆台WTB1(或WTB2)的反射镜27e的反射面。测距光束B1162以反射镜27e反射至+Z方向，而照射于上述固定镜25C的反射面上。来自固定镜25C的反射面的测距光束B1162的反射光，则逆向沿原光路行进而在XZ干涉仪116被接收。XZ干涉仪116测量测距光束B1162的光路长(的变化)，并将该测量结果传送至主控制装置20。同样地，XZ干涉仪126与测距轴LH平行地将测距光束(Z测距光束)B1262照射于设在晶圆台WTB1(或WTB2)的反射镜27f的反射面。测距光束B1262以反射镜27f反射至+Z方向，而照射于上述固定镜25A的反射面上。来自固定镜25A的反射面的测距光束B1262的反射光，则逆向沿原光路行进而在XZ干涉仪126被接收。XZ干涉仪126测量测距光束B1262的光路长(的变化)，并将该测量结果传送至主控制装置20。
主控制装置20通过从上述第四位置信息所获得的测距光束B1161的光路长与测距光束B1162的光路长的差，算出测距光束B1162的反射镜27e的反射面上的照射点的Z位置(表记为Ze)。
又，主控制装置20通过从上述第五位置信息所获得的测距光束B1261的光路长与测距光束B1262的光路长的差，算出测距光束B1262的反射镜27f的反射面上的照射点的Z位置(表记为Zf)。此外，主控制装置20通过2个Z位置Ze，Zf的平均值与差，算出晶圆台WTB1(或WTB2)的Z位置与θy方向的旋转信息(横摇量)。
再者，如图5所示，XZ干涉仪116，126与测距轴LH平行地，不过从测距光束B1161，B1261沿-Z方向隔开既定距离，分别将测距光束B1163，B1263照射于反射面27a，27c。接着，XZ干涉仪116，126即接收测距光束B1163，B1263的反射光，以测量测距光束B1163，B1263的照射点的反射面27a，27c的X轴方向位移(作为第六、第七位置信息)。第六位置信息、第七位置信息传送至主控制装置20。主控制装置20根据第四位置信息与第六位置信息，算出晶圆台WTB1(或WTB2)的横摇量(作为θy1)。又，主控制装置20根据第五位置信息与第七位置信息，算出晶圆台WTB1(或WTB2)的横摇量(作为θy2)。又，主控制装置20根据Z位置(Ze)与上述横摇量θy1，算出晶圆台WTB1(或WTB2)的Z位置。又，主控制装置20根据Z位置(Zf)与上述横摇量θy2，算出晶圆台WTB1(或WTB2)的Z位置。
然而，测距光束B1161，B1163的间隔距离及测距光束B1261，B1263的间隔距离远小于测距光束(Z测距光束)B1162，B1262的反射镜27e，27f的反射面上的照射点的X轴方向的距离。因此，相较于使用上述Z测距光束B11622B1262的测量，晶圆台WTB1(或WTB2)的横摇量的测量精度较差。因此，主控制装置20原则上使用Z测距光束B1162，B1262，亦即使用两XZ干涉仪116，126来进行晶圆台WTB1(或WTB2)的θy方向的位置信息(横摇量)及Z位置的测量，而在例外时以仅使用XZ干涉仪116，126中的任一者来进行以作为替代法。此外，替代法的使用例将于后述。
与XZ干涉仪116，126同样地，XZ干涉仪117，127在晶圆对准时等使用在测量晶圆台WTB1(WTB2)的X位置、Z位置、及θy方向的位置(横摇量)。此外，测量方法除了在下述的点不同外，与使用XZ干涉仪116，126的测量相同，亦即在对准系统ALG的检测中心以平行于与基准轴LV0正交的X轴的基准轴LA(参照图4)作为测距轴的点、及分别使用固定镜25D，25B作为Z测距光束所照射的固定镜的点。
以此方式，通过使用包含Y干涉仪16，17，18，19及XZ干涉仪116，117，126，127的干涉仪系统118，即可测量晶圆台WTB1(或WTB2)的6个自由度(X，Y，Z，θx，θy，θz)方向的位置信息。此外，本实施形态中，根据各个干涉仪的配置，主控制装置20在曝光时移动区域AE使用Y干涉仪17与XZ干涉仪116，126，在晶圆载台WST1，WST2进行晶圆对准时移动的对准系统ALG附近的对准区域AA(参照图8)，则使用Y干涉仪19与XZ干涉仪117，127。又，主控制装置20在供晶圆载台WST1来回于曝光时移动区域AE与对准区域AA之间的待机区域(基座12上的-X侧区域)使用Y干涉仪16与XZ干涉仪116，126或117，127，在供晶圆载台WST2来回于曝光时移动区域AE与对准区域AA之间的待机区域(基座12上的+X侧区域)，则使用Y干涉仪18与XZ干涉仪116，126或117，127。
本实施形态中，为了测量晶圆台WTB1(或WTB2)的XY平面内的位置信息，设有与上述干涉仪系统118不同的另一编码器系统150(参照图6)。因此，主控制装置20主要使用干涉仪系统118来进行晶圆台WTB1(或WTB2)的位置测量，编码器系统150则在当晶圆载台WST位于干涉仪系统118的测量区域外时使用。当然，主控制装置20亦可并用干涉仪系统118与编码器系统150来进行晶圆台WTB1(或WTB2)的XY平面内的位置测量。
图6表示曝光装置100的控制系统的主要构成。该控制系统以由统筹控制装置整体的微电脑(或工作站)所构成的主控制装置20为中心所构成。
其次，针对使用晶圆载台WST1，WST2的并行处理动作，根据图7至图12、及图4作说明。此外，以下的动作中，通过主控制装置20控制液体供应装置5与液体回收装置6，将液体Lq供应/回收至紧邻投影光学系统PL的前端透镜191的下方，以保持一定量的液体Lq，藉此随时形成有液浸区域14。
图7表示在曝光时移动区域AE对装载于晶圆载台WST1上的晶圆W1进行步进扫描方式的曝光，并与此并行在装载位置，在晶圆搬送机构(未图示)与晶圆载台WST2间进行晶圆更换的状态。此处，本实施形态中，装载位置设定在紧邻对准系统ALG的下方基准标记板FM所定位的晶圆载台WST1，WST2的位置。
上述晶圆更换中及该晶圆更换后，在晶圆载台WST2停止于装载位置的期间，主控制装置20在开始对新晶圆W2进行晶圆对准(及其他之前处理测量)之前，先执行Y干涉仪19与XZ干涉仪117，127的重设(原点的再设定)。
当晶圆更换(新晶圆W2的装载)与干涉仪19，117，127的重设结束后，主控制装置20即使用对准系统ALG，以检测出晶圆载台WST2的基准标记板FM上的第二基准标记。接着，主控制装置20检测出以对准系统ALG的指标中心为基准的第二基准标记的位置，并根据该检测结果与检测时的干涉仪19，117，127所产生的晶圆载台WST2的位置测量的结果，算出以基准轴LA及基准轴LV0为坐标轴的正交坐标系统(对准坐标系统)的上述第二基准标记的位置坐标。
其次，如图8所示，主控制装置20使晶圆载台WST2移动至对准区域AA。接着，主控制装置20即使用干涉仪19，117，127，一边测量晶圆载台WST2在对准坐标系统的位置坐标，一边进行强化全域对准(EGA)。若加以详述时，主控制装置20一边使用干涉仪19，117，127来管理晶圆载台WST2的位置坐标，一边使用对准系统ALG检测出附设于晶圆W2上的特定多个照射区域(取样照射区域)的多个对准标记，以求出该等的位置坐标。根据所求出的位置坐标与设计上的位置坐标，执行例如美国专利第4,780,617号说明书等所揭示的统计运算，以算出多个照射区域的对准坐标系统的位置坐标。并进一步从所算出的位置坐标减去先前所检测出的第二基准标记的位置坐标，以求出以第二基准标记的位置为原点的晶圆W2上的多个照射区域的位置坐标。
通常，上述晶圆更换/晶圆对准程序较曝光程序早结束。因此，主控制装置20虽在晶圆对准结束后，使晶圆载台WST2移动至既定待机位置，不过在该移动的途中将晶圆台WTB2的Y轴方向、θx方向、及θz方向的位置测量所使用的干涉仪从Y干涉仪19切换成Y干涉仪18。接着，主控制装置20使晶圆载台WST2在既定待机位置待机，直至对晶圆载台WST1上的晶圆W1的曝光结束。
当对晶圆台WTB1上的晶圆W1的曝光结束后，主控制装置20即开始分别驱动晶圆载台WST1，WST2至图10所示的第一并列位置。晶圆载台WST1往第一并列位置的移动开始后，主控制装置20即将晶圆载台WST1的位置测量所使用的Y干涉仪从Y干涉仪17切换成Y干涉仪16。又，如图9所示，此时通过朝向第一并列位置移动的晶圆载台WST2，照射于晶圆载台WST1的XZ干涉仪126的3个测距光束便遭遮蔽，而使使用XZ干涉仪126的晶圆载台WST1的位置测量无法进行。因此，主控制装置20即仅使用XZ干涉仪116来测量晶圆台WTB1的X，Z，θy位置。此处，主控制装置20为了测量θy位置及Z位置而使用上述替代法。另一方面，从图9亦可知，在晶圆载台WST2朝向上述第一并列位置的移动途中，即产生来自XZ干涉仪117，127的测距光束无法照射到晶圆载台WST2且来自各XZ干涉仪的测距光束亦无法照射到晶圆载台WST2的状态。因此，在产生该状态前，主控制装置20即先开始进行使用上述编码器系统150的晶圆载台WST2的X位置测量。接着，在转变成来自XZ干涉仪126的3个测距光束可照射到晶圆载台WST2的各反射面的时点，即根据编码器系统150的测量值来预设XZ干涉仪126。又，图9所示的状态下，由于通过晶圆载台WST1使XZ干涉仪116的3个测距光束受到遮蔽，因此主控制装置20仅使用XZ干涉仪126来测量晶圆台WTB2的X，Z，θy位置。此处，主控制装置20为了测量θy位置及Z位置亦使用上述替代法。
此外，本实施形态中，在晶圆载台WST1，WST2一起移动的途中，与图9同样地，当晶圆载台WST1，WST2在X轴方向排列(至少一部分重迭)时，主控制装置20与上述同样地，仅使用XZ干涉仪116来测量晶圆台WTB1的X，Z，θy位置，并仅使用XZ干涉仪126来测量晶圆台WTB2的X，Z，θy位置。
接着，在两晶圆载台WST1，WST2移动至第一并列位置的状态下，如以上所述，晶圆载台WST2的檐部23a’与晶圆载台WST1的段部23b即卡合，两晶圆载台WST1，WST2便透过檐部23a’，段部23b而呈接近或接触的并列状态。主控制装置20即在一直保持该并列状态下，沿-Y方向驱动两晶圆载台WST1，WST2。
随着晶圆载台WST1，WST2一直保持并列状态下沿-Y方向移动，形成于前端透镜191与晶圆台WTB1之间的液浸区域14即依序往晶圆台WTB1、檐部23a’、晶圆台WTB2上移动。图4表示在该移动途中液浸区域14跨越檐部23a上，而从晶圆台WTB1移动至晶圆台WTB2上时两晶圆载台WST1，WST2的状态。
当液浸区域14往晶圆台WTB2上的移动结束后，如图11所示，主控制装置20便使晶圆载台WST1移动至装载位置。
从图11亦可知，在晶圆载台WST1朝向上述装载位置移动的途中，即产生来自XZ干涉仪116的测距光束无法照射到晶圆载台WST1且来自各XZ干涉仪的测距光束亦无法照射到晶圆载台WST1的状态。因此，在产生该状态前，主控制装置20即先开始进行使用上述编码器系统150的晶圆载台WST1的X位置测量。接着，在转变成来自XZ干涉仪117，127的各3个测距光束可照射到晶圆载台WST2的各反射面的时点，即根据编码器系统150的测量值来预设XZ干涉仪117，127。之后，主控制装置20即使用干涉仪16，117，127，一边测量位置一边朝向装载位置进一步驱动晶圆载台WST1。
与上述晶圆载台WST1的移动并行，主控制装置20驱动晶圆载台WST2，将晶圆载台WST2的基准标记板FM定位于紧邻投影光学系统PL的下方。接着，使用标线片对准检测系统13(参照图6)，检测出基准标记板FM上的一对第一基准标记，以检测出与第一基准标记对应的标线片R上的标线片对准标记的晶圆面上投影像的相对位置。此外，该检测透过投影光学系统PL及形成液浸区域14的液体Lq进行。
主控制装置20根据此处所检测出的相对位置信息与以先前所求出的第二基准标记为基准的晶圆W2上的各照射区域的位置信息，算出标线片R的图案的投影位置(投影光学系统PL的投影中心)与晶圆W2上的各照射区域的相对位置关系。根据该算出结果，主控制装置20即与上述晶圆W1的情形同样地，一边管理晶圆载台WST2的位置，一边以步进扫描方式将标线片R的图案转印于晶圆W2上的各照射区域。
与上述晶圆载台WST2的曝光动作并行，主控制装置20在装载位置，于晶圆搬送机构(未图示)与晶圆载台WST1之间进行晶圆更换，并将新晶圆W1装载于晶圆台WTB1上。接着，使用对准系统ALG检测出晶圆载台WST1的基准标记板FM上的第二基准标记。此外，第二基准标记的检测前，在晶圆载台WST1位于装载位置的状态下，主控制装置20先执行Y干涉仪19与XZ干涉仪117，127的重设(原点的再设定)。之后，主控制装置20即一边管理晶圆载台WST1的位置，一边使用与上述相同的对准系统ALG对晶圆W1进行晶圆对准(EGA)。
在对晶圆台WTB1上的晶圆W1的晶圆对准(EGA)结束后，且对晶圆台WTB2上的晶圆W2的曝光亦结束后，主控制装置20即朝向图12所示的第二并列位置开始晶圆载台WST1，WSR2的驱动。在该第二并列位置设于晶圆载台WST2的+Y侧的段部23b’与设于晶圆载台WST1的-Y侧的檐部23a卡合，且两晶圆载台WST1，WST2透过檐部23a、段部23b’呈接近或接触的并列状态。主控制装置20在一直保持该并列状态下，沿-Y方向驱动两晶圆载台WST1，WST2。随此，形成在前端透镜191与晶圆台WTB2之间的液浸区域14，即依序往晶圆台WTB2、檐部23a、晶圆台WTB1上移动。当液浸区域14的移动结束后，主控制装置20即与上述相同顺序开始进行对晶圆载台WST1上的晶圆W1的曝光。
其后，主控制装置20即反复执行上述晶圆载台WST1，WST2的并行动作。
如以上的详细说明，根据本实施形态的曝光装置100，主控制装置20透过檐部23a与段部23b’(或透过檐部23a’与段部23b)，将晶圆载台WST1与晶圆载台WST2在Y轴方向维持接近或接触的并列状态，通过同时沿Y轴方向驱动晶圆载台WST1与晶圆载台WST2，并透过檐部23a或23 a’将形成在紧邻投影单元PU(投影光学系统PL)下方的液浸区域14，从晶圆载台WST1及晶圆载台WST2中的一者交接至另一者，并从一晶圆载台位于曝光时移动区域AE的第一状态转移至另一晶圆载台位于曝光时移动区域AE的第二状态。
因此，即可在维持将液浸区域14形成于投影光学系统PL(投影单元PU)与位于紧邻其下方的晶圆台(或装载于晶圆台上的晶圆)之间的状态下，不会从两晶圆载台WST1，WST2的间隙泄漏液体，而从上述第一状态转移至第二状态，反之从第二状态转移至第一状态。藉此，可有效抑制液体从两晶圆台WTB1，WTB2间的间隙泄漏，藉此即可有效抑制液体对设置于晶圆载台WST1，WST2的±Y侧面的反射镜27b，27d的附着。因此，可保证使用XZ干涉仪16，17，18，19的晶圆台位置测量的高度稳定性。
又，在以一晶圆载台进行透过投影光学系统PL与液浸区域14的晶圆曝光后，至以另一晶圆载台开始透过投影光学系统PL与液浸区域14的晶圆曝光的期间，并不须进行形成液浸区域14的液体Lq的全回收及再供应的步骤。因此，可将从结束以一晶圆载台的曝光至开始以另一晶圆载台的曝光的时间，缩短至与非液浸方式的曝光装置相同程度，以谋求产能的提升。又，由于在投影光学系统PL的像面侧随时存在有液体，因此可有效防止在投影光学系统PL的像面侧的光学构件(例如前端透镜191)产生水污(水痕)，而可长期维持投影光学系统PL的良好成像性能。
又，根据本实施形态，在并列状态时使未设有反射面27e，27f侧的面彼此对向的状态下，透过檐部23a与段部23b’(或透过檐部23a’与段部23b)，使晶圆载台WST1与晶圆载台WST2在Y轴方向接近或接触。因此，相较于使晶圆载台WST1与晶圆载台WST2从X轴方向接近或接触的情形，可缩短转移至并列状态时两晶圆载台WST1，WST2的移动距离(移动行程)。又，通过使两晶圆载台WST1，WST2在X轴方向错开的状态下，在Y轴方向接近或接触即可进一步缩短两晶圆载台WST1，WST2的移动行程。因此，在此点亦可谋求产能的提升。又，亦无设于晶圆载台WST1，WST2的X轴方向两侧的反射镜27e，27f彼此接触等之虞。又，亦无以液浸区域14的液体Lq弄湿反射镜27e，27f的反射面之虞。因此，主控制装置20即可透过反射镜27e，27f长期以良好精度来测量晶圆载台WST1，WST2的Z位置、及θy方向的旋转。
又，相较于具备仅使用1个晶圆载台依序进行晶圆更换、晶圆对准、及曝光动作的习知单晶圆载台的曝光装置，通过上述2个晶圆载台WST1，WST2的并行动作，即可谋求产能的提升。
又，通过液浸曝光进行高解析度且较空气中大焦点深度的曝光，藉此即可将标线片R的图案以良好精度转印至晶圆上，并可实现例如元件规则(devicerule)为70～100nm程度的微细图案的转印。
此外，对应上述檐部23a(或23a’)与段部23b’(或23b)(或一对突出部23c，23d)的各晶圆载台上的安装位置，来决定图4及图10等所示的并列时的两晶圆载台WST1，WST2的移动路径。因此，在并列时两晶圆载台WST1，WST2的移动路径为不同的情况下，亦可依据该移动路径来适当设定檐部与段部(或一对突出部)的设置位置。
图13及图14表示变形例的曝光装置，其檐部23a为突设于构成晶圆载台WST1的晶圆台WTB1的+Y侧面的+X侧端部，且檐部23a’为突设于构成晶圆载台WST2的晶圆台WTB2的+Y侧面的-X侧端部。如图13及图14所示，该变形例的曝光装置中，于晶圆载台WST1(晶圆台WTB1)的-Y侧，在+X侧端部形成段部23b，并于檐部23a附近设置有基准标记板FM1。又，于晶圆载台WST2(晶圆台WTB2)的-Y侧，在-X侧端部形成段部23b’，并于檐部23a’附近设置有基准标记板FM2。其他部分的构成等则与上述实施形态相同。此处，基准标记板FM1，FM2虽与上述基准标记板FM为相同标记板，不过此处为了区别起见称为基准标记板FM1，FM2。
该变形例的曝光装置中，对晶圆载台WST1上的晶圆W1采用所谓完全交互扫描，从位于基准标记板FM1附近的右上(+X侧且+Y侧的端部)的照射区域开始曝光，并使位于右下(+X侧且-Y侧的端部)的照射区域最后曝光，且对晶圆载台WST2上的晶圆W2，从位于基准标记板FM2附近的左上(+X侧且+Y侧的端部)的照射区域开始曝光，并使位于左下(+X侧且-Y侧的端部)的照射区域最后曝光。图13表示结束对晶圆W1的曝光后，檐部23a’以接触或接近状态卡合于段部23b的两晶圆载台WST1，WST2的并列状态。又，图14表示结束对晶圆W2的曝光后，檐部23a以接触或接近状态卡合于段部23b’的两晶圆载台WST1，WST2的并列状态。
该变形例的曝光装置中，主控制装置20在晶圆W1的曝光结束后，从图13所示的状态，维持使檐部23a’，段部23b接近或接触的并列状态，并沿+Y方向驱动两晶圆载台WST1，WST2，以将液浸区域14从晶圆载台WST1上交接至晶圆载台WST2上。移送液浸区域14后一刻，主控制装置20立即使晶圆载台WST1朝向装载位置开始移动，并同时驱动晶圆载台WST2，以将基准标记板FM2定位于紧邻投影光学系统PL的下方并进行标线片对准后，从位于基准标记板FM2附近的照射区域开始进行对晶圆W2的曝光。
另一方面，主控制装置20在晶圆W2的曝光结束后，从图14所示的状态，与上述同样地，维持使檐部23a接近或接触段部23b’的并列状态，并沿+Y方向驱动两晶圆载台WST1，WST2，以将液浸区域14从晶圆载台WST2上交接至晶圆载台WST1上。移送液浸区域14后一刻，主控制装置20立即使晶圆载台WST2朝向第二装载位置开始移动，并同时驱动晶圆载台WST1，以将基准标记板FM1定位于紧邻投影光学系统PL的下方并进行标线片对准后，从位于基准标记板FM1附近的照射区域开始进行对晶圆W1的曝光。
从以上说明亦可知，该变形例中，在一晶圆载台上的晶圆的曝光结束后，以能以最佳效率来进行包含基准标记板上的基准标记的检测及装载于另一晶圆载台上的下一曝光对象的晶圆的曝光的开始的方式，亦即以能使另一晶圆载台的移动路径最短且所须时间亦最短的方式，来决定檐部23a，23a’、段部23b，23b’的配置，亦即晶圆载台WST1，WST2并列时的偏移量。又，该变形例中，由于可将晶圆对准结束后的一晶圆载台的对准结束位置与两晶圆载台的并列开始位置设定成比较近，因此可使该另一晶圆载台预先在对准结束位置附近待机，而可在曝光结束后立即开始并列。
然而，变形例中由于晶圆W1，W2上的照射区域存在偶数行，因此通过完全交互扫描进行晶圆W1，W2上的多个照射区域的曝光的结果，若着眼于X轴方向的位置，则晶圆载台WST1，WST2在曝光开始时与曝光结束时，位于大致相同的X位置。亦即，在从+X侧的照射区域开始曝光时，在+X侧的照射区域结束曝光，在从-X侧的照射区域开始曝光时，则在-X侧的照射区域结束曝光。
另一方面，在晶圆W1，W2的照射区域为存在奇数行的情况下，若采用完全交互扫描，在从+X侧的照射区域开始曝光时，在-X侧的照射区域结束曝光，在从-X侧的照射区域开始曝光时，则在+X侧的照射区域结束曝光。以此方式，包含晶圆W1，W2上的照射区域为存在奇数行时，在晶圆W1，W2的照射区域的曝光顺序与上述变形例不同的情况下，亦可配合其曝光顺序，以能以最佳效率进行包含基准标记板上的基准标记检测及下一曝光对象的晶圆的曝光的开始的方式，来决定檐部等交接部的配置，在必要的情况下，再进一步决定基准标记板在晶圆载台上的配置。此外，本说明书中，亦将能以最佳效率进行上述下一曝光对象的晶圆的曝光开始的并列称为最佳效率的并列。
此外，上述实施形态及变形例中，以设有反射镜27e，27f为前提，采用使两晶圆载台WST1，WST2在Y轴方向局部接触或接近的Y方向并列，以使晶圆载台WST1的反射镜27f与晶圆载台WST2的反射镜27e不会彼此接触。然而，即使采用Y方向并列，机构部的一部分亦可能有较其他部分从晶圆载台WST1，WST2的Y轴方向的侧面突出至外侧的情形。在此种情形下，最好将檐部等交接部的尺寸设定成该等突出部不会与另一晶圆载台的一部分接触程度的长度。
此外，上述实施形态及变形例中，虽针对于晶圆载台WST1，WST2设有固定的檐部等突出部的情形作了说明，但不限于此，突出部亦可为可动。此时，例如亦可将突出部设置成仅在两晶圆载台WST1，WST2并列时呈大致水平状态，并列时以外亦即非使用时则预先予以折迭。
又，上述实施形态及变形例中，檐部的X轴方向的宽度虽设定成稍大于液浸区域，但不限于此，檐部的X轴方向的宽度亦可设定成更宽。
又，上述实施形态及变形例中，虽针对在液浸区域的交接等时，2个晶圆载台WST1，WST2一直维持并列状态下沿Y轴方向驱动的情形作了说明，但不限于此，不仅Y轴方向亦可沿X轴方向驱动。如此一来，相较于2个晶圆载台WST1，WST2一直维持并列状态下，仅沿X轴方向驱动的情形，多少可缩短对在并列后保持于交接液浸区域的晶圆载台的下一曝光对象的晶圆进行曝光开始前的时间。
此外，至目前为止的说明中，已针对于晶圆载台WST1，WST2的至少一者的Y轴方向的至少一侧形成有檐部等突出部的情形作了说明。然而，亦可以在不存在檐部等突出部的2个晶圆载台彼此间，采用如例如上述般伴随两载台的X轴方向的位置错开(偏移)的并列状态。此时，与上述变形例同样地，该并列时的偏移量可设置成效率最佳的并列。或者，在例如于一晶圆载台WST1的+Y侧的侧面的+X侧端部附近有从其他部分突出的构成零件(以下，称为突起物)，并于另一晶圆载台WST2的-Y侧的侧面的-X侧端部附近形成有可将上述构成零件收容于其内部的凹部的情形下，将并列时的偏移量设定成可使突起物与凹部对向。在此种情形下，即可防止因突起物接触晶圆载台WST2而造成损伤，并可使液浸区域来回在晶圆载台WST1，WST2上。此时，在两晶圆载台WST1，WST2并列状态下，该接触或接近的部分(对向部分)的X轴方向的宽度设定成例如较液浸区域14的X轴方向的宽度宽，且至少为100mm左右(以一例而言为80mm～100mm)。
又，上述实施形态及变形例中，虽以上述晶圆载台WST1，WST2的移动路径为前提，将晶圆载台WST1，WST2设置成通过平面马达沿XY平面独立驱动。然而，并不一定要使用平面马达，根据移动路径亦可使用线性马达等。
又，上述实施形态中，虽针对以干涉仪系统118测量晶圆载台WST1，WST2曝光时及对准时的位置的情形作了说明，但亦可取代干涉仪系统118或予以增加而采用如例如美国专利申请公开第2008/0008843号说明书等所记载般，将格子部(Y标尺、X标尺)设置于晶圆台(晶圆载台)上，并与此对向将Y读头、X读头设置于晶圆载台外部的构成的编码器系统，或如例如美国专利申请公开第2006/0227309号说明书等所揭示般，将编码器读头设置于晶圆载台，并与此对向将格子部(例如2维格子或设置成2维的1维格子部)设置于晶圆载台外部的构成的编码器系统。
此外，上述实施形态中，虽设置成喷嘴单元32的下面与投影光学系统PL的前端光学元件的下端面为大致同一面，但不限于此，例如亦可将喷嘴单元32的下面设置于较前端光学元件的射出面靠近投影光学系统PL的像面(亦即晶圆)附近。亦即，局部液浸装置8并不限于上述构造，亦可使用例如欧洲专利申请公开第1420298号说明书、美国专利申请公开第2006/0231206号说明书、美国专利申请公开第2005/0280791号说明书、及美国专利第6,952,253号说明书等所记载。又，如例如美国专利申请公开第2005/0248856号说明书等所揭示，除了前端光学元件的像面侧的光路以外，亦可以液体充满前端光学元件的物体面侧的光路。再者，亦可将具有亲液性及/或抗溶解功能的薄膜形成于前端光学元件表面的一部分(至少包含与液体的接触面)或全部。此外，石英与液体的亲和性较高且亦不须抗溶解膜，不过萤石则最好至少要形成抗溶解膜。
此外，上述实施形态中，虽设置成使用纯水(水)作为液体，但本发明当然不限于此。液体亦可使用化学上安定且照明用光IL的透射率高的安全液体，例如氟是惰性液体。该氟是惰性液体可使用例如Fluorinert(美国3M公司的产品名)。该氟是惰性液体在冷却效果上亦优异。又，液体亦可使用对照明用光IL的折射率较纯水(折射率为1.44左右)高的例如1.5以上的液体。该液体可列举例如折射率约为1.50的异丙醇、折射率约为1.61的甘油等具有C-H键结或O-H键结的既定液体、己烷、庚烷、癸烷等既定液体(有机溶剂)、或折射率约为1.60的十氢萘(Decalin：Decahydronaphthalene)等。或者，亦可为混合该等液体中任意的2种以上的液体者，或将至少一种该等液体添加(混合)于纯水者。或者，液体亦可为将H+、Cs+、K+、Cl-、SO42-、PO42-等碱或酸添加(混合)于纯水者。再者，亦可为将Al氧化物等的微粒子添加(混合)于纯水者。该等液体可透射ArF准分子激光。又，液体较佳为光吸收系数小、温度依存性小、且对投影光学系统(前端的光学构件)、及/或涂布于晶圆表面的感光材料(或保护膜(上涂层膜)或抗反射膜等)安定。又，在使用F2激光作为光源时，亦可选择全氟聚醚油(Fomblin oil)。再者，液体亦可使用对照明用光IL的折射率较纯水高的液体，例如折射率为1.6～1.8左右。亦可使用超临界流体作为液体。又，投影光学系统PL的前端光学元件，可以例如石英(二氧化硅)或氟化钙(萤石)、氟化钡、氟化锶、氟化锂、及氟化钠等氟化物的单结晶材料来形成，亦可以折射率比石英或萤石高(例如1.6以上)的材料来形成。折射率约为1.6以上的材料，可使用例如国际公开第2005/059617号小册子所揭示的蓝宝石、二氧化锗等，或国际公开第2005/059618号小册子所揭示的氯化钾(折射率约为1.75)等。
又，上述实施形态中，亦可将所回收的液体加以再利用，此时最好预先将从所回收的液体除去杂质的过滤器设置于液体回收装置或回收管等。
又，上述实施形态中，虽针对将本发明应用于步进扫描方式等的扫描型曝光装置的情形作了说明，但不限于此，亦可将本发明应用于步进器等的静止型曝光装置。又，亦可将本发明应用于将照射区域与照射区域加以合成的步进接合(Step and Stitch)方式的缩小投影曝光装置、近接(proximity)方式的曝光装置、或镜像投射对准器等。
又，上述实施形态的曝光装置的投影光学系统不仅缩小系统，等倍及放大系统的任一种皆可，投影光学系统PL不仅折射系统，反射系统及反射折射系统的任一种皆可，该投影像是倒立像及正立像的任一种皆可。又，上述照明区域及曝光区域其形状虽设置成矩形，但不限于此，例如圆弧、梯形、或平行四边形等皆可。
此外，上述实施形态的曝光装置的光源并不限于ArF准分子激光，亦可使用KrF准分子激光(输出波长为248nm)、F2激光(输出波长为157nm)、Ar2激光(输出波长为126nm)、Kr2激光(输出波长为146nm)等脉冲激光光源、及发出g线(波长为436nm)、i线(波长为365nm)等谱线的超高压水银灯等。又，亦可使用YAG激光的谐波产生装置等。此外，如例如美国专利第7,023,610号说明书所揭示般，亦可使用谐波作为真空紫外光，该谐波以涂布有铒(或铒与镱两者)的光纤放大器，将从DFB半导体激光或纤维激光所射出的红外线区或可见区的单一波长激光放大，并使用非线形光学结晶将其波长转换成紫外光。
又，上述实施形态中，虽使用将既定遮光图案(或相位图案/减光图案)形成于光透射性的基板上的光透射型掩膜(标线片)，但如例如美国专利第6,778,257号说明书所揭示般，亦可使用根据待曝光的图案的电子资料形成透射图案、反射图案、或发光图案的电子掩膜(包含亦称为可变成形掩膜、主动式掩膜、或图案产生器，例如非发光型影像显示元件(空间光调变器)的一种的DMD(Digital Micro-mirrow Device)等)，以取代该标线片。
又，亦可将本发明应用于例如通过将干涉条纹形成于晶圆上而将线宽与线距图案形成于晶圆上的曝光装置(微影系统)。
此外，如例如美国专利第6,611,316号说明书所揭示般，亦可将本发明应用于透过投影光学系统将2个标线片图案合成在晶圆上，并通过1次扫描曝光使晶圆上的1个照射区域大致同时双重曝光的曝光装置。
此外，上述实施形态中，待形成图案的物体(能量束所照射的曝光对象的物体)并不限于晶圆，玻璃板、陶瓷基板、膜构件、或掩膜基板等其他物体亦可。
曝光装置的用途并不限于半导体制造用的曝光装置，亦可广泛应用于例如将液晶显示元件图案转印于方形玻璃板的液晶用曝光装置、用以制造有机电激发光、薄膜磁头、摄影元件(CCD等)、微型元件、以及DNA晶圆等的曝光装置。又，不仅是半导体元件等微型元件，亦可将本发明应用于为了制造光曝光装置、EUV曝光装置、X线曝光装置、及电子线曝光装置等所使用的标线片或掩膜，而将电路图案转印于玻璃基板或硅晶圆等的曝光装置。
此外，援用与上述实施形态所引用的曝光装置等有关的所有公报、国际公开小册子、美国专利申请公开说明书、及美国专利说明书的揭示，作为本说明书的记载的一部分。
半导体元件等电子元件经由以下步骤所制造，亦即进行元件的功能/性能设计的步骤、制作根据该设计步骤的标线片的步骤、从硅材料制作晶圆的步骤、通过上述实施形态的曝光装置(图案形成装置)及该曝光方法将掩膜(标线片)的图案转印于晶圆的微影步骤、使曝光后的晶圆显影的显影步骤、通过刻蚀除去光阻残存的部分以外的部分的露出构件的刻蚀步骤、除去已完成刻蚀而不须要的光阻的光阻除去步骤、元件组装步骤(包含切割步骤、接合步骤、及封装步骤)、以及检查步骤等。此时，由于在微影步骤使用上述实施形态的曝光装置并执行上述曝光方法，而于晶圆上形成元件图案，因此能以良好生产性制造高集成度的元件。
如以上的说明，本发明的曝光装置及曝光方法适合于通过液浸法使物体曝光。又，本发明的元件制造方法适合于微型元件的生产。

Claims (27)

1.一种曝光装置，透过光学系统与液体通过能量束使物体曝光，其特征在于，所述的曝光装置包括：
第一移动体，可装载所述物体，并可在包含第一区域与第二区域的既定范围区域内实质上沿既定平面移动，所述第一区域包含被供应所述液体的紧邻所述光学系统下方的液浸区域，所述第二区域是取得位于所述第一区域的第一方向一侧的所述物体的位置信息的区域；
第二移动体，可装载所述物体，并可在包含所述第一区域与所述第二区域的区域内实质上沿所述既定平面与所述第一移动体独立移动；以及
移动体驱动系统，实质上沿所述既定平面驱动所述第一移动体、第二移动体，且从一移动体位于所述第一区域的第一状态迁移至另一移动体位于所述第一区域的第二状态时，在所述第一移动体与所述第二移动体于所述既定平面内的与所述第一方向垂直的第二方向错开、且在所述第一方向维持透过彼此的对向面的一部分接近或接触的并列状态下，将所述第一移动体、第二移动体同时驱动于所述第一方向。
2.如权利要求1所述的曝光装置，其中，于所述第一移动体的所述第二方向的至少一侧设有相对所述既定平面呈倾斜的反射面；
于所述第二移动体的所述第二方向的至少一侧设有相对所述既定平面呈倾斜的反射面。
3.如权利要求1所述的曝光装置，其中，所述移动体驱动系统，在使所述第一移动体与所述第二移动体的端部彼此在所述第二方向维持至少较紧邻所述光学系统下方的液浸区域宽的彼此对向的所述并列状态下，将所述第一、第二移动体同时驱动于所述第一方向。
4.如权利要求1所述的曝光装置，其中，所述第一移动体在所述第二方向，在于所述液浸区域一侧相距既定距离的第一位置与所述液浸区域附近的第二位置间的既定范围区域内移动；
所述第二移动体在所述第二方向，在于所述液浸区域另一侧相距既定距离的第三位置与所述液浸区域附近的第四位置间的既定范围区域内移动。
5.如权利要求4所述的曝光装置，其中，在所述并列状态下，使所述第一移动体在所述第一方向的任一端部及在所述第二方向另一侧的端部接近或接触所述第二移动体。
6.如权利要求5所述的曝光装置，其中，在所述并列状态下，使所述第二移动体在所述第一方向的任一端部及在所述第二方向一侧的端部接近或接触所述第一移动体。
7.如权利要求4所述的曝光装置，其中，在所述第一、第二移动体中至少一者的至少所述第一方向一侧突设交接部，所述交接部，其上面与所述第一、第二移动体的上面呈大致相同面高的状态，所述第二方向的宽度宽于所述液浸区域；
在所述第一状态与第二状态间的状态迁移时，通过所述移动体驱动系统，使所述第一移动体与所述第二移动体透过所述交接部维持所述并列状态。
8.如权利要求7所述的曝光装置，其中，所述交接部，是在所述并列状态时能彼此对向的状态下分别突设于所述第一、第二移动体各自的所述第一方向的两侧。
9.如权利要求7所述的曝光装置，其中，所述第一、第二移动体处于所述并列状态时，所述第一移动体与所述第二移动体透过所述交接部在所述第一方向接近；
于所述第一移动体与所述第二移动体中至少一者，设有在所述并列状态下位于两移动体间的间隙，以抑制所述液体从所述间隙泄漏的抑制构件。
10.如权利要求1至9中任一权利要求所述的曝光装置，其中，于所述第一移动体，从所述第二方向一侧连接有缆线；
于所述第二移动体，从所述第二方向另一侧连接有缆线。
11.如权利要求10所述的曝光装置，其进一步具备配置于所述第二区域、用以检测所述第一及第二移动体中位在紧邻下方的特定移动体上存在的标记的标记检测系统。
12.如权利要求10所述的曝光装置，其中，在所述迁移时，所述液体持续保持于所述光学系统与位于所述第一区域的移动体之间。
13.如权利要求12所述的曝光装置，其中，所述移动体驱动系统包含沿所述既定平面驱动所述第一、第二移动体的平面马达。
14.一种曝光方法，透过光学系统与液体通过能量束使物体曝光，其特征在于：
将第一移动体与第二移动体，在于既定平面内的与第一方向垂直的第二方向错开的状态下，且在所述第一方向维持接近或接触的并列状态下，同时驱动于所述第一方向，藉此将液浸区域从一移动体交接至另一移动体，并从一移动体位于第一区域的第一状态迁移至另一移动体位于所述第一区域的第二状态，所述第一移动体与第二移动体，可装载所述物体，并可在包含所述第一区域与第二区域的既定范围区域内实质上沿既定平面分别独立移动，所述第一区域包含被供应所述液体的紧邻所述光学系统下方的液浸区域，所述第二区域是取得位于所述第一区域的所述第一方向一侧的所述物体的位置信息的区域。
15.如权利要求14所述的曝光方法，其中，于所述第一移动体的所述第二方向的至少一侧设有相对所述既定平面呈倾斜的反射面；
于所述第二移动体的所述第二方向的至少一侧设有相对所述既定平面呈倾斜的反射面；
在所述并列状态下，所述第一移动体与所述第二移动体的未设有所述反射面的边彼此在所述第一方向至少一部分接近或接触。
16.如权利要求14所述的曝光方法，其中，所述第一移动体与所述第二移动体，在所述接近或接触的端部彼此在所述第二方向维持至少较紧邻所述光学系统下方的液浸区域宽的彼此对向的所述并列状态下，同时驱动于所述第一方向。
17.如权利要求14所述的曝光方法，其中，所述第一移动体，在所述既定平面内于与所述第一方向垂直的第二方向，在于所述液浸区域一侧相距既定距离的第一位置与所述液浸区域附近的第二位置间的既定范围区域内移动；
所述第二移动体在所述第二方向，在于所述液浸区域另一侧相距既定距离的第三位置与所述液浸区域附近的第四位置间的既定范围区域内移动。
18.如权利要求17所述的曝光方法，其中，在所述并列状态下，使所述第一移动体在所述第一方向的任一端部及在所述第二方向另一侧的端部接近或接触所述第二移动体。
19.如权利要求18所述的曝光方法，其中，在所述并列状态下，使所述第二移动体在所述第一方向的任一端部及在所述第二方向一侧的端部接近或接触所述第一移动体。
20.如权利要求17所述的曝光方法，其中，在所述第一、第二移动体中至少一者的至少所述第一方向一侧突设交接部，所述交接部，其上面与所述第一、第二移动体的上面呈大致相同面高的状态，所述第二方向的宽度宽于所述液浸区域；
在所述第一状态与第二状态间的状态迁移时，所述第一移动体与所述第二移动体透过所述交接部维持所述并列状态。
21.如权利要求20所述的曝光方法，其中，所述交接部，在所述并列状态时能彼此对向的状态下分别突设于所述第一、第二移动体各自的所述第一方向的两侧。
22.如权利要求20所述的曝光方法，其中，所述第一、第二移动体处于所述并列状态时，所述第一移动体与所述第二移动体透过所述交接部在所述第一方向接近；
于所述第一移动体与所述第二移动体中至少一者，设有在所述并列状态下位于两移动体间的间隙，以抑制所述液体从所述间隙泄漏的抑制构件。
23.如权利要求14至22中任一权利要求所述的曝光方法，其中，于所述第一移动体，从所述第二方向一侧连接有缆线；
于所述第二移动体，从所述第二方向另一侧连接有缆线。
24.如权利要求23所述的曝光方法，其中，于所述第二区域，以标记检测系统检测所述第一移动体及第二移动体中，位于紧邻既定位置下方的特定移动体上存在的标记。
25.如权利要求23所述的曝光方法，其中，在所述迁移时，所述液体持续保持于所述光学系统与位于所述第一区域的移动体之间。
26.如权利要求25所述的曝光方法，其中，所述第一、第二移动体通过平面马达沿所述既定平面驱动。
27.一种元件制造方法，其包含通过权利要求14至26中任一权利要求所述的曝光方法使所述物体曝光的微影步骤。
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