CN101685263A - 载台驱动方法及载台装置、曝光装置、及元件制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种载台驱动方法及载台装置、曝光装置、及元件制造方法，其中所述曝光装置，是透过投影光学系统与液体，使基板曝光。其特征在于具备：第一、第二载台，能分别独立移动；标记检测系统，配置成从该投影光学系统而分离于第一方向，以检测该基板的标记；及驱动系统，是以边在其与该投影光学系统之间保持该液体，边从该第一、第二载台之一方与该投影光学系统相对向的第一状态迁移至该第一、第二载台之另一方与该投影光学系统相对向的第二状态的方式，将该第一、第二载台驱动于与该第一方向交叉的第二方向。以该能量光束来使基板曝光，藉此，能将元件图案精度良好地转印在基板上，结果能提高高集成度的微元件的生产性。

Description

载台驱动方法及载台装置、曝光装置、及元件制造方法
本申请是申请号为200580002269.2，申请日为2005年1月27日，发明创造名称为“载台驱动方法及载台装置、曝光装置、及元件制造方法”的原申请的分案申请。
技术领域
本发明是关于载台驱动方法及载台装置、曝光装置、及元件制造方法，更详细的说，是关于将能在包含有液体局部供应的二维面内的第一区域的区域移动的两个载台驱动的载台驱动方法及适于实施该载台驱动方法的载台装置，在投影光学系统与基板之间供应液体且通过投影光学系统与该液体使基板曝光的曝光装置，以及使用该曝光装置的元件制造方法。
背景技术
已知，在供制造半导体元件(集成电路等)、液晶显示元件等电子元件的光刻步骤，主要使用步进重复(step and repeat)方式的缩小投影曝光装置(所谓步进机)，或步进扫描(step and scan)方式的投影曝光装置(所谓扫描步进机(也称为扫描机))，将掩膜或标线片(以下，统称为“标线片”)的图案像通过投影光学系统，转印于涂布有光刻胶(感光剂)的晶片或玻璃板等的感旋光性基板(以下，称为“基板”或“晶片”)上的多个各照射区域。
投影曝光装置所具备的投影光学系统的分辨率R，能以下式(1)的瑞利(Rayleigh)式表示：
R＝K1×λ/NA    (1)
在此，λ是曝光波长，NA是投影光学系统的数值孔径，K1是处理系数。由于式(1)所使用的曝光波长(曝光用光的波长)越短，且投影光学系统的数值孔径(NA)越大，分辨率R则越高。因此，随着集成电路的微细化，使用于投影曝光装置的曝光波长则年年越短波长化，目前以比KrF准分子激光(波长248nm)短波长的ArF准分子激光(波长193nm)为光源的曝光装置也实用化。又，投影光学系统的数值孔径也逐渐增大。
进行曝光时，与分辨率同样，焦点深度(DOF)也很重要。焦点深度δ能以下式(2)表示：
δ＝K2×λ/NA2    (2)
在此，K2是处理系数。依据式(1)、式(2)，为了要提高分辨率R，若使曝光波长缩短，使数值孔径NA变大(大NA化)，则得知焦点深度δ会变小。在投影曝光装置，是将晶片的表面配合投影光学系统的像面来进行曝光，因此，较佳者为焦点深度δ应具某程度大。
然而，通过上述曝光用光的短波长化及投影光学系统的大NA化，焦点深度δ是越来越变小。又，曝光波长将来会变成更短波长化已确定，假如保持此趋势，焦点深度δ则会变过小，而产生曝光动作时的焦点裕度不足之虞。
因此，当作实质上能使曝光波长缩短，且比空气中使焦点深度变大(宽广)的方法，最近利用液浸法的曝光装置则引起注目。利用该液浸法的曝光装置，已知悉：在投影光学系统的下面与晶片表面之间，以局部填满水或有机溶剂等的液体的状态，进行曝光的(例如，参照下述专利文献1)。此专利文献1所记载的曝光装置，是利用在液体中的曝光用光的波长，会成为空气中的1/n倍(n是液体的折射率，通常1.2～1.6程度)，来提高分辨率，并且比起不使用液浸法能获得与该分辨率相同分辨率的投影光学系统(假设此种投影光学系统的制造是可能的)，能使焦点深度扩大为n倍，即比空气中能使焦点深度实质上扩大n倍。
然而，专利文献1所记载的曝光装置，在晶片交换时，在晶片载台从投影光学系统正下方离开前的阶段，需要将液体暂时回收，使投影光学系统的下面与晶片表面之间，从湿状态变成干状态。但是，如此，若每于晶片交换时，需要进行液体的回收与供应，可确定液体的回收与供应所需的时间会变成曝光装置的产能降低的主要原因。
又，如上述，将投影光学系统的像面侧的光路空间从湿状态变成干状态时，若持续干状态，则在构成投影光学系统最下端的光学构件(所谓前球，透镜或玻璃板等；以下，称为“前端透镜”)的表面，会有产生水纹(水痕)之虞。又，在该前端透镜附近若配置自动对焦机构的构成构件的光学构件(例如棱镜)的情形，在该自动对焦机构的构成构件的光学构件表面，会有产生水纹(水痕)之虞。此水纹的产生，则会成为投影光学系统的透过率降低或闪光(flare)的要因，进而或会成为使投影光学系统的其它结像性能恶化的要因。又，若在上述棱镜等产生水痕的情形，以自动对焦方式使晶片表面与投影光学系统的像面对准时的面对准精度则有降低之虞。又，水痕的产生若严重时，需要前端透镜或光学构件的更换，但其更换所需的时间会成为使曝光装置的运转率降低的要因。
又，在本说明书，使用水以外的液体时，将形成于前端透镜等的花纹也称为水纹(水痕)。
前述专利文献1为国际公开第99/49504号小册子。
发明内容
本发明，有鉴于上述情况，提供一种曝光装置，是透过投影光学系统与液体，使基板曝光，所述装置具备：
第一、第二载台，能分别独立移动；
标记检测系统，配置成从该投影光学系统而分离于第一方向，以检测该基板的标记；及
驱动系统，是以边在其与该投影光学系统之间保持该液体，边从该第一、第二载台之一方与该投影光学系统相对向的第一状态迁移至该第一、第二载台之另一方与该投影光学系统相对向的第二状态的方式，将该第一、第二载台驱动于与该第一方向交叉的第二方向。
本发明还提供一种曝光装置，是透过投影光学系统与液体，使基板曝光，所述装置具备：
第一、第二载台，能分别独立移动；及
驱动系统，为使该基板扫描曝光，将载置该基板的该第一载台驱动于第一方向，且以边在其与该投影光学系统之间边保持该液体，边从该第一、第二载台之一方与该投影光学系统相对向的第一状态迁移至该第一、第二载台之另一方与该投影光学系统相对向的第二状态的方式，将该第一、第二载台驱动于与该第一方向交叉的第二方向。
本发明还提供一种曝光装置，是透过投影光学系统与液体，使基板曝光，所述装置具备：
第一、第二载台，能在包含该投影光学系统所配置的第一区域、及相对于该第一区域而位于第一方向的一侧的第二区域的既定区域内，分别独立移动；及
驱动系统，是以边在其与该投影光学系统之间保持该液体，边从该第一、第二载台之一方与该投影光学系统相对向的第一状态迁移至该第一、第二载台之另一方与该投影光学系统相对向的第二状态的方式，将该第一、第二载台驱动于与该第一方向交叉的第二方向。
本发明还提供一种组件制造方法，所述方法包含使用上述的曝光装置以能量光束使基板曝光的微影步骤。
本发明还提供一种曝光方法，是透过投影光学系统与液体，使基板曝光，所述方法包含：
藉由能分别独立移动的第一、第二载台之一方，在其与该投影光学系统之间保持该液体；
藉由配置成从该投影光学系统而分离于第一方向的标记检测系统，检测在该第一、第二载台的另一方所载置的基板的标记；及
以边在与该投影光学系统之间保持该液体，边从该一载台与该投影光学系统相对向的第一状态迁移至该另一载台与该投影光学系统相对向的第二状态的方式，将该第一、第二载台驱动于与该第一方向交叉的第二方向。
本发明还提供一种曝光方法，是透过投影光学系统与液体，使基板曝光，所述方法包含：
将基板载置于能分别独立移动的第一、第二载台之一方；
边将该一载台移动于第一方向，边透过该投影光学系统与液体将该一载台所载置的基板扫描曝光；及
以边在与该投影光学系统之间保持该液体，边从该一载台与该投影光学系统相对向的第一状态迁移至该第一、第二载台的另一方与该投影光学系统相对向的第二状态的方式，将该第一、第二载台驱动于与该第一方向交叉的第二方向。
本发明还提供一种曝光方法，是透过投影光学系统与液体，使基板曝光，所述方法包含：
藉由能在包含该投影光学系统所配置的第一区域、及相对于该第一区域而位于第一方向的一侧的第二区域的既定区域内分别独立移动的第一、第二载台的一方，在其与该投影光学系统之间保持该液体；及
以边在与该投影光学系统之间保持该液体，边从该一载台与该投影光学系统相对向的第一状态迁移至该第一、第二载台的另一方与该投影光学系统相对向的第二状态的方式，将该第一、第二载台驱动于与该第一方向交叉的第二方向。
本发明还提供一种组件制造方法，所述组件制造方法是包含使用上述的曝光方法以能量光束使基板曝光的微影步骤。
本发明还提供一种曝光装置，是透过投影光学系统与液体，以能量光束使基板曝光，所述装置具备：
第一、第二载台，能在包含该投影光学系统所配置的第一区域、及与该第一区域不同的第二区域的区域内分别独立移动；及
线性马达系统，是以将该第一、第二载台分别从该第一、第二区域之一方移动至另一方，且边在与该投影光学系统之间保持该液体，边进行保持该液体的该第一、第二载台之一方和另一方切换的方式，于既定方向边维持近接或接触的位置关系，边使该第一、第二载台移动于该既定方向。
本发明还提供一种曝光装置，是透过投影光学系统与液体，以能量光束使基板曝光，所述装置具备：
第一、第二载台，能分别独立移动且在至少2个侧面设置反射面；
干涉计系统，将测量光束照射于该各载台的反射面以测量位置信息；及
驱动系统，是以边在与该投影光学系统之间保持该液体，边进行保持该液体的该第一、第二载台的一方和另一方切换的方式，于既定方向边维持近接或接触的位置关系，边使该第一、第二载台移动于该既定方向；
在该切换动作中相对向的该第一、第二载台的侧面，是与供该反射面设置的侧面不同。
本发明还提供一种组件制造方法，所述组件制造方法是包含使用撒谎哪个述的曝光装置以能量光束使基板曝光之微影步骤。
本发明还提供一种曝光方法，是透过投影光学系统与液体，以能量光束使基板曝光，所述方法包含：
藉由线性马达系统，将第一、第二载台从该投影光学系统所配置的第一区域，及与该第一区域不同的第二区域的一方移动至另一方；及
以边在与该投影光学系统之间保持该液体，边进行保持该液体的该第一、第二载台之一方和另一方切换的方式，藉由线性马达系统于既定方向边维持近接或接触的位置关系，边使该第一、第二载台移动于该既定方向。
本发明还提供一种曝光方法，是透过投影光学系统与液体，以能量光束使基板曝光，所述方法包含：
将在至少2个侧面设置反射面的第一、第二载台分别独立移动，且藉由干涉计系统将测量光束照射于该反射面以测量该各载台的位置信息；及
以边在与该投影光学系统之间保持该液体，边进行保持该液体的该第一、第二载台之一方和另一方切换的方式，于既定方向边维持近接或接触的位置关系，边使该第一、第二载台移动于该既定方向；
在该切换动作中相对向的该第一、第二载台的侧面，是与供该反射面设置的侧面不同。
本发明还提供一种组件制造方法，所述组件制造方法是包含使用上述的曝光方法以能量光束使基板曝光之微影步骤。
而依第一观点，本发明还提出一种载台驱动方法，是在包含有液体局部供应的二维面内的第一区域、与位于该第一区域的第一轴方向一侧的第二区域的既定范围区域内，独立驱动第一载台与第二载台，其中：
当从该第一、第二载台中的一载台位于该第一区域的第一状态，迁移至另一载台位于该第一区域的第二状态时，使该第一载台与第二载台，维持于与该第一轴方向交叉的第二轴方向上呈近接状态及接触状态的任一状态，并将该第一、第二载台朝该第二轴方向同时驱动。
在此，所谓“第一载台与第二载台呈近接状态”，是指以从第一载台与第二载台之间不泄漏液体，或液体的泄漏少的程度，使第一载台与第二载台呈近接状态而言。但是，第一载台与第二载台的间隔的容许值，是因该两载台的材质或液体的种类等而不同。本说明书，是站在这种观点使用“第一载台与第二载台呈近接状态”的表现。
依此，在包含将液体局部供应的二维面内的第一区域、与位于该第一区域的第一轴方向一侧的第二区域的既定范围区域内，使第一载台与第二载台独立驱动时，在从一载台位于该第一区域的第一状态迁移至另一载台位于该第一区域的第二状态的情形，第一、第二载台，维持与第一轴方向交叉的第二轴方向彼此呈近接状态或接触状态，而朝第二轴方向同时驱动。藉此，以在第一、第二载台中的至少一载台上形成液浸区域的状态，边防止或抑制从第一、第二载台(两载台)的间隙泄漏液体，边能从第一状态迁移至第二状态。即，从一载台上保持液体的状态，经过在双方的载台上保持液体的状态，至另一载台上保持液体的状态，不必经过液体的全回收、再度供应的步骤，能使其迁移。因此，将从第一状态至第二状态的迁移能以短时间进行。
本发明，依第二观点，提出一种载台驱动方法，是在包含有液体局部供应的二维面内的第一区域、与位于该第一区域的第一轴方向一侧的第二区域的既定范围的区域内，驱动第一载台；在包含该第一区域、与位于该第一区域的该第一轴方向的另一侧的第三区域的既定范围的区域内，驱动第二载台，其中：
当从该第一、第二载台中的一载台位于该第一区域的第一状态，迁移至另一载台位于该第一区域的第二状态时，使该第一载台与第二载台，维持与该第一轴方向呈近接状态及接触状态的任一状态，并将该第一、第二载台朝该第一轴方向同时驱动。
依此，在包含将液体局部供应的二维面内的第一区域、与位于该第一区域的第一轴方向一侧的第二区域的既定范围区域内，驱动第一载台，在包含该第一区域、与位于该第一区域的该第一轴方向的另一侧的第三区域的既定范围区域内，驱动第二载台时，从一载台位于第一区域的第一状态迁移至另一载台位于第一区域的第二状态时，第一载台与第二载台，维持与第一轴方向呈近接状态或接触状态的任一状态，而朝第一轴方向同时驱动。藉此，以在第一、第二载台中的至少一载台上形成液浸区域的状态，边防止或抑制从第一、第二载台的间隙泄漏液体，边能从第一状态迁移至第二状态。即，从一载台上保持液体的状态，经过在双方的载台上保持液体的状态，至另一载台上保持液体的状态，不必经过液体的全回收、再度供应的步骤，能使其迁移。因此，将从第一状态至第二状态的迁移能以短时间进行。
本发明，依第三观点，提供第一载台装置，具备：
第一、第二载台，能在包含有液体局部供应的二维面内的第一区域、与位于该第一区域的第一轴方向一侧的第二区域的既定范围区域内独立驱动；及
控制装置，当从该第一、第二载台中的一载台位于该第一区域的第一状态，迁移至另一载台位于该第一区域的第二状态时，该第一载台与该第二载台，维持与该第一轴方向交叉的第二轴方向呈近接状态及接触状态的任一状态，以使该第一、第二载台朝该第二轴方向同时移动的方式，来控制该第一、第二载台。
依此，从第一、第二载台中的一载台位于有液体局部供应的二维面内的第一区域的第一状态，迁移至另一载台位于该第一区域的第二状态时，通过控制装置，控制第一、第二载台，使第一、第二载台维持与第一轴方向交叉的第二轴方向彼此呈近接状态或接触状态，而朝第二轴方向同时移动。藉此，以在第一、第二载台中的至少一载台上形成液浸区域的状态，边防止或抑制从第一、第二载台(两载台)的间隙泄漏液体，边能从第一状态迁移至第二状态。即，从一载台上保持液体的状态，经过在双方的载台上保持液体的状态，至另一载台上保持液体的状态，不必经过液体的全回收、再度供应的步骤，能使其迁移。因此，将从第一状态至第二状态的迁移能以短时间进行。
本发明，依第四观点，提供第二载台装置，具备：
第一载台，能在包含有液体局部供应的二维面内的第一区域、与位于该第一区域的第一轴方向一侧的第二区域的既定范围的区域内移动；
第二载台，能在包含该第一区域、与位于该第一区域的该第一轴方向的另一侧的第三区域的既定范围区域内移动；及
控制装置，使从该第一、第二载台中的一载台位于该第一区域的第一状态，迁移至另一载台位于该第一区域的第二状态时，将该第一、第二载台控制成，维持与该第一轴方向呈近接状态及接触状态的任一状态，以使该第一、第二载台朝该第一轴方向同时移动。
依此，从第一、第二载台中的一载台位于有液体局部供应的二维面内的第一区域的第一状态，迁移至另一载台位于该第一区域的第二状态时，通过控制装置，控制第一载台与第二载台，使第一、第二载台维持与第一轴方向呈近接状态及接触状态的任一状态，而朝第一轴方向同时移动。藉此，以在第一、第二载台中的至少一载台上形成液浸区域的状态，边防止或抑制从第一、第二载台的间隙泄漏液体，边能从第一状态迁移至第二状态。即，从一载台上保持液体的状态，经过在双方的载台上保持液体的状态，至另一载台上保持液体的状态，不必经过液体的全回收、再度供应的步骤，能使其迁移。因此，将从第一状态至第二状态的迁移能以短时间进行。
本发明，依第五观点，提供第一曝光装置，是在投影光学系统与基板之间供应液体，通过该投影光学系统与该液体，通过能量光束使该基板曝光，具备：
第一载台，能在包含待供应该液体的该投影光学系统正下方的第一区域、与位于该投影光学系统的第一轴方向一侧的第二区域的既定范围区域内移动；
第二载台，能在包含该第一区域、与位于该投影光学系统的第一轴方向的另一侧的第三区域的区域内移动；
载台驱动系统，使该第一、第二载台驱动，并且使从一载台位于该第一区域的第一状态迁移至另一载台位于该第一区域的第二状态时，使该第一载台与第二载台，维持与该第一轴方向呈近接状态及接触状态的任一状态，并将该第一、第二载台朝该第一轴方向同时驱动；
第一标记检测系统，配置于该第二区域上方，供检测存在于该第一载台上的标记；及
第二标记检测系统，配置于该第三区域上方，供检测存在于该第二载台上的标记。
依此，使从一载台位于待供应液体的投影光学系统正下方的第一区域的第一状态迁移至另一载台位于第一区域的第二状态时，通过载台驱动系统，维持第一、第二载台与第一轴方向呈近接状态及接触状态，使该第一、第二载台朝第一轴方向同时驱动。因此，以在投影光学系统与其正下方的至少一载台上保持着液体的状态，边防止或抑制从第一、第二载台的间隙泄漏液体，边能从第一状态迁移至第二状态。即，从使用一载台进行通过投影光学系统与液体的基板的曝光动作后，至使用另一载台开始通过投影光学系统与液体的基板的曝光动作为止期间，从一载台与投影光学系统之间保持液体的状态，经过在双方的载台与投影光学系统之间保持液体的状态，至另一载台与投影光学系统之间保持液体的状态，不必经过液体的全回收、再度供应的步骤，能使其迁移。因此，将使用一载台的曝光动作结束后的使用另一载台的曝光动作，能以短时间开始。又，在投影光学系统的像面侧，因持续存在液体，故能有效地防止在投影光学系统的像面侧的光学构件产生前述的水纹(水痕)。又，因能分别一起进行对第一载台上的基板的曝光动作与以第二的标记检测系统的第二载台上的基板的标记检测动作(对准动作)，及对第二载台上的基板的曝光动作与以第一的标记检测系统的第一载台上的基板的标记检测动作(对准动作)，故相较于使用一个载台将基板交换、标记检测(对准)及曝光动作逐次进行的情形，能期待产能的提高。
本发明，依第六观点，提供第二曝光装置，是在投影光学系统与基板之间供应液体，通过该投影光学系统与液体，通过能量光束使该基板曝光，具备：
第一载台，能在包含供应该液体的该投影光学系统正下方的第一区域、与位于该第一区域的第一轴方向一侧的第二区域的既定范围区域内移动，且能载置该基板；
第二载台，能在包含该第一区域、与位于该第一区域的第一轴方向的另一侧的第三区域的区域内移动，且用于既定的测量；及
载台驱动系统，使该第一、第二载台驱动，并且使从一载台位于该第一区域的第一状态迁移至另一载台位于该第一区域的第二状态时，使该第一载台与该第二载台，维持与该第一轴方向呈近接状态及接触状态的任一状态，并将该第一载台与第二载台朝该第一轴方向同时驱动。
依此，从一载台位于待供应液体的投影光学系统正下方的第一区域的第一状态迁移至另一载台位于第一区域的第二状态时，通过载台驱动系统，第一、第二载台，维持与第一轴方向呈近接状态及接触状态的任一状态，使第一、第二载台向第一轴方向同时驱动。因此，以在投影光学系统与位于其正下方的至少一载台之间保持着液体的状态，边防止或抑制从第一载台与第二载台的间隙泄漏液体，边能从第一状态迁移至第二状态。即，对第一载台上的基板通过投影光学系统与液体进行基板的曝光动作后，至使用第二载台在投影光学系统正下方开始测量为止期间，从第一载台与投影光学系统之间保持液体的状态，经过在双方的载台与投影光学系统之间保持液体的状态，至第二载台与投影光学系统之间保持液体的状态，不必经过液体的全回收、再度供应的步骤，能使其迁移。又，对第二载台结束测量后，至对第一载台开始曝光为止，也同样。因此，将使用第一载台的曝光动作结束后的使用第二载台的测量动作，及使用第二载台的测量动作结束后的使用第一载台的曝光动作，能以短时间开始，能获得产能的提高。又，在投影光学系统的像面侧，因持续存在液体，故能有效地防止在投影光学系统的像面侧的光学构件产生前述的水纹(水痕)。又，将使用第一载台的基板的曝光动作与使用第二载台的基板的检测动作，依测量动作能一起进行。
本发明，依第七观点，提供第三曝光装置，是在投影光学系统与基板之间供应液体，通过该投影光学系统与液体，使该基板曝光，具备：
第一载台，能在包含供应该液体的该投影光学系统正下方的第一区域、与位于该第一区域的第一轴方向一侧的第二区域的既定范围区域内移动；
第二载台，能在包含该第一区域与该第二区域的区域内，与该第一载台独立移动；及
载台驱动系统，使该第一、第二载台驱动，并且使从一载台位于该第一区域的第一状态迁移至另一载台位于该第一区域的第二状态时，使该第一载台与该第二载台，维持于与该第一轴方向交叉的第二轴方向上呈近接状态及接触状态的任一状态，并将该第一、第二载台朝该第二轴方向同时驱动。
依此，从一载台位于待供应液体的投影光学系统正下方的第一区域的第一状态迁移至另一载台位于第一区域的第二状态时，通过载台驱动系统，第一、第二载台，维持与第二轴方向(与第一区域与第二区域所排列的第一方向的方向交叉)呈近接状态及接触状态的任一状态，使第一、第二载台向第二轴方向同时驱动。因此，以在投影光学系统与位于其正下方的至少一载台之间保持着液体的状态，边防止或抑制从第一载台与第二载台的间隙泄漏液体，边能从第一状态迁移至第二状态。即，在一载台侧通过投影光学系统与液体进行基板的曝光动作后，至在另一载台侧通过投影光学系统与液体开始基板的曝光动作为止期间，从一载台与投影光学系统之间保持液体的状态，经过在双方的载台与投影光学系统之间保持液体的状态，至另一载台与投影光学系统之间保持液体的状态，不必经过液体的全回收、再度供应的步骤，能使其迁移。因此，将使用一载台的曝光动作结束后的使用第二载台的测量动作，及使用第二载台的测量动作结束后的使用另一载台的曝光动作，能以短时间开始，能获得产能的提高。又，在投影光学系统的像面侧，因持续存在液体，故能有效地防止在投影光学系统的像面侧的光学构件产生前述的水纹(水痕)。
本发明，依第八观点，提供第四曝光装置，是在投影光学系统与基板之间供应液体，通过该投影光学系统与该液体，使该基板曝光，具备：
第一载台，能在包含待供应该液体的该投影光学系统正下方的第一区域、及与该第一区域不同区域的区域内移动；
第二载台，能在包含该第一区域、及与该第二区域不同区域的区域内，与该第一载台独立移动；
载台驱动系统，使该第一、第二载台驱动，并且使从一载台位于该第一区域的第一状态迁移至另一载台位于该第一区域的第二状态时，使该第一载台与该第二载台，维持与既定方向呈近接状态，并将该第一、第二载台朝该既定方向同时驱动；及
抑制构件，设置于该第一载台及该第二载台的至少一方，从该第一状态迁移至该第二状态时其位于该两载台的间隙，藉此来防止该液体从该间隙泄漏。
依此，从能在包含投影光学系统正下方的第一区域、及与该第一区域不同区域的区域内移动的第一、第二载台的一载台，位于第一区域的第一状态，迁移至另一载台位于第一区域的第二状态时，通过使第一载台与第二载台与第一轴方向呈近接状态，并且使抑制构件(设置于第一、第二载台的至少一方，用以抑制液体的泄漏)以位于两载台的间隙的状态朝该既定方向同时驱动，从第一状态迁移至第二状态时，故能极力防止液体从两载台之间泄漏。
又，在光刻步骤，使用本发明的各第一～第四曝光装置，以该能量光束来使基板曝光，藉此，能将元件图案精度良好地转印在基板上，结果能提高高集成度的微元件的生产性。因此，本发明，进一步从另一观点来看，也可称元件制造方法，其包含使用本发明的第一～第四曝光装置的任一种，以该能量光束使基板曝光的光刻步骤。
附图说明
图1是表示第一实施形态的曝光装置的概略图。
图2是表示第一实施形态的晶片载台装置的俯视图。
图3是表示图2的晶片载台WST1的立体图。
图4是表示液体供排机构的概略俯视图。
图5是表示第一实施形态的曝光装置的控制系统主要构成的方块图。
图6是用以说明并行处理动作的两个晶片载台的驱动方法的图(其1)。
图7是用以说明并行处理动作的两个晶片载台的驱动方法的图(其2)。
图8是用以说明并行处理动作的两个晶片载台的驱动方法的图(其3)。
图9是用以说明并行处理动作的两个晶片载台的驱动方法的图(其4)。
图10是表示弹性密封构件的图。
图11是表示第二实施形态的曝光装置的控制系统主要构成的方块图。
图12是表示第二实施形态的晶片载台装置的俯视图。
图13A是用以说明第二实施形态的并行处理动作的两个晶片载台的驱动方法的图(其1)。
图13B是用以说明第二实施形态的并行处理动作的两个晶片载台的驱动方法的图(其1)。
图14A是用以说明第二实施形态的并行处理动作的两个晶片载台的驱动方法的图(其2)。
图14B是用以说明第二实施形态的并行处理动作的两个晶片载台的驱动方法的图(其2)。
图15A是用以说明第二实施形态的并行处理动作的两个晶片载台的驱动方法的图(其3)。
图15B是用以说明第二实施形态的并行处理动作的两个晶片载台的驱动方法的图(其3)。
图16是表示第三实施形态的晶片载台装置的俯视图。
图17A是用以说明第三实施形态的并行处理动作的晶片载台与测量载台的驱动方法的图(其1)。
图17B是用以说明第三实施形态的并行处理动作的晶片载台与测量载台的驱动方法的图(其1)。
图18A是用以说明第三实施形态的并行处理动作的晶片载台与测量载台的驱动方法的图(其2)。
图18B是用以说明第三实施形态的并行处理动作的晶片载台与测量载台的驱动方法的图(其2)。
图19A是用以说明抑制构件的变形例的图。
图19B是用以说明抑制构件的变形例的图。
图19C是用以说明抑制构件的变形例的图。
图20是表示第四实施形态的晶片载台装置的俯视图。
图21是表示晶片载台与测量载台近接状态的图。
图22A是用以说明第四实施形态的并行处理动作的晶片载台与测量载台的驱动方法的图(其1)。
图22B是用以说明第四实施形态的并行处理动作的晶片载台与测量载台的驱动方法的图(其1)。
图23A是用以说明第四实施形态的并行处理动作的晶片载台与测量载台的驱动方法的图(其2)。
图23B是用以说明第四实施形态的并行处理动作的晶片载台与测量载台的驱动方法的图(其2)。
图24是用以说明第四实施形态的变形例的图(其1)。
图25A是用以说明第四实施形态的变形例的图(其2)。
图25B是用以说明第四实施形态的变形例的图(其2)。
图26是用以说明本发明的元件制造方法的流程图。
图27是表示图26的步骤204的具体例的流程图。
主要元件符号说明：
5：液体供应装置
6：液体回收装置
10：照明系统
11：标线片载台驱动部
12：基盘
15：移动镜
16、18：X轴干涉计
17X、117X：X移动镜
17Y、117Y：Y移动镜
20：主控制装置
21、22、27、28：供应管
21a、21b、21c、22a、22b、22c、27a、28a：供应嘴
23、24、29、30：回收管
23a、23b、24a、24b、29a、29b、30a、30b：回收嘴
32：液体供排系统
40：镜筒
44、46、48：Y轴干涉计
47X、49X：X移动镜
47Y1、47Y2、49Y1、49Y2：Y移动镜
49、49’：槽
50、50’、50”：晶片载台装置
70：本体部
72a～72d：辅助板
80～87：晶片载台驱动部
80、81、136Y1、136Y2、138Y1、138Y2、186、187、188、189：Y轴线性导件(Y轴线性发动机)
82、83、84、85、86、87、136X、138X、180、181：X轴线性导件(X轴线性发动机)
90a：照射系统
90b：受光系统
91：前端透镜
93、93’、93”：密封构件、弹性密封构件
94：平板
95：泼水被膜
100：曝光装置
111a：凸缘部
111b：段部
111c：突部
116：标线片干涉计
118、118A：干涉计系统
124、124A：晶片载台驱动部
151X1、151X2、151X3、151X4、151Y1、151Y2：干涉计
171：第一驱动部
172：第二驱动部
178、179：X可动件
182、183、184、185：Y可动件
195：第一连接机构
196：第二连接机构
ALG1、ALG2：对准系统
B11X、B12X、B11Y、B12Y、B13Y：测轴
AX：光轴
FM1、FM2：基准标记板
H1、H2：晶片保持具
IA：曝光区域
IF1、IF5、IF6：X轴干涉计
IF2、IF3、IF4：Y轴干涉计
IL：照明用光(曝光用光)
Lq：液体
MST、MST’：测量载台
PL：投影光学系统
PU：投影单元
R：标线片
RAa、Rab：标线片对准检测系统
RST：标线片载台
Sb、Sc、Se：端面
W1、W2：晶片
WST1、WST2、WST1’、WST2’、WST1”、WST2”：晶片载台
具体实施方式
第一实施形态：
以下，依图1～图10说明本发明的第一实施形态。
在图1，表示第一实施形态的曝光装置100的概略构成。此曝光装置100，是步进扫描(step and scan)方式的投影曝光装置，即所谓扫描步进机(也称为扫描机)。此曝光装置100具备：照明系统10；标线片载台RST，用以保持当作掩膜使用的标线片R；投影单元PU；晶片载台装置50，具有当作第一、第二载台使用的晶片载台WST1、WST2；偏轴对准(off axisalignment)系统ALG1、ALG2，当作第一、第二标记检测系统；及这些构件的控制系统。在晶片载台WST1、WST2上，载置作为基板的晶片。在图1，在晶片载台WST1上载置晶片W1，在晶片载台WST2上载置晶片W2。
前述照明系统10，例如日本特开2001-313250号公报及对应于此的美国专利申请公开第2003/0025890号说明书所揭示，包含：光源、照度均匀化光学系统(含有光学积分器)、分束器、中继透镜、可变ND滤光片、标线片遮帘等(均未图标)。此照明系统10，将标线片遮帘所限制的标线片R上的狭缝状照明区域，通过照明用光(曝光用光)IL(作为能量光束)以大致均匀的照度照明。在此，照明用光IL，作为一例，使用ArF准分子激光(波长193nm)。又，光学积分器，能使用复眼透镜、杆式积分器(内面反射型积分器)或绕射光学元件等。其它，照明系统10，也可采用例如日本特开平6-349701号公报及对应于此的美国专利第5,534,970号等所揭示的构成。在本案所指定的指定国(或所选择的选择国)的国内法令所允许的范围，援用上述各公报及对应于此的美国专利申请公开说明书或美国专利的揭示，作为本说明书的记载的一部分。
在前述标线片载台RST上，将形成电路图案等于其图案面(在图1是下面)的标线片R，例如通过真空吸附固定。标线片载台RST，例如通过包含线性发动机等的标线片载台驱动部11(在图1未图标，参照图5)，能在垂直于照明系统10的光轴(一致于后述的投影光学系统PL的光轴AX)的XY平面内微驱动，并且能朝既定的扫描方向(在此，设为与图1纸面正交方向的Y轴方向)以所指定的扫描速度驱动。
标线片载台RST的载台移动面内的位置，是通过标线片激光干涉计(以下称为“标线片干涉计”)116，通过移动镜15，例如以0.5～1nm程度的分解能持续检测。在此，实际上，虽在标线片载台RST上设置具有正交于Y轴方向的反射面的Y移动镜与具有正交于X轴方向的反射面的X移动镜，对应这些移动镜设置标线片Y干涉计与标线片X干涉计，但在图1以移动镜15、标线片干涉计116为代表这些元件来表示。又，也可例如将标线片载台RST的端面镜面加工来形成反射面(相当于上述的X移动镜、Y移动镜的反射面)。又，替代朝X轴方向延伸的反射面(使用于标线片载台RST的扫描方向(在本实施形态是Y轴方向)的位置检测)，也可使用至少一个直角反射镜(comer cube mirror)(例如retroreflector)。在此，标线片Y干涉计与标线片X干涉计的一方，例如标线片Y干涉计，是具有2轴测长轴的2轴干涉计，根据此标线片Y干涉计的测量值，除了标线片载台RST的Y位置外，也能测量Z轴周围的旋转方向(θz方向)的旋转。
标线片干涉计116的测量值，送至主控制装置20(在图1未图标，参照图5)，主控制装置20，根据此标线片干涉计116的测量值算出标线片载台RST的X、Y、θz方向的位置，并且根据此算出结果控制标线片载台驱动部11，藉此来控制标线片载台RST的位置(及速度)。
在标线片R的上方，将使用曝光波长的光的TTR(Through The Reticle)对准系统所构成的一对标线片对准检测系统RAa、RAb沿X轴方向隔既定距离设置，用以通过投影光学系统PL将标线片R上的标线片标记与所对应的基准标记板上的基准标记同时观察。此等标线片对准检测系统RAa、RAb，使用例如与日本特开平7-176468号公报及对应于此的美国专利第5,646,413号等所揭示的同样的构成。在本案所指定的指定国(或所选择的选择国)的国内法令所允许的范围，援用上述公报及对应于此的美国专利的揭示，作为本说明书的记载的一部分。
投影单元PU，配置于图1的标线片载台RST的下方。投影单元PU，包含：镜筒40；及投影光学系统PL，由在该镜筒40内以既定的位置关系保持的多个光学元件组成。投影光学系统PL，例如使用由具有Z轴方向的共同光轴AX的多个透镜(透镜元件)所构成的折射光学系统。此投影光学系统PL，例如在两侧远心具有既定的投影倍率(例如1/4倍、1/5倍或1/8倍)。因此，若以来自照明系统10的照明用光IL使标线片R的照明区域照明，由通过此标线片R的照明用光IL，通过投影单元PU(投影光学系统PL)，将该照明区域内的标线片R的电路图案的缩小像(电路图案的一部分的缩小像)形成于在表面涂布有光刻胶(感光剂)的晶片上。
又，在本实施形态的曝光装置100，如后述由于是进行适用液浸法的曝光，故伴随数值孔径NA实质上增大，标线片侧的孔径也变大。因此，在仅以透镜构成的折射光学系统，要满足珀兹伐(Petzval)条件变成困难，而有使投影光学系统大型化的趋势。为了要避免这种投影光学系统的大型化，也可使用包含反射镜与透镜所构成的反射折射系统(catadioptric系统)。
又，本实施形态，在构成投影光学系统PL的最像面侧(晶片侧)的透镜(以下，称为“前端透镜”)91与晶片载台WST1或WST2上的晶片之间(或前端透镜91与晶片载台WST1或WST2之间)，设置用以局部供应液体的液体供排系统32。在图1，表示构成此液体供排单元之嘴，来代表液体供排系统32。又，对液体供排系统32的构成等，将予后述。
前述晶片载台装置50具备：基盘12；晶片载台WST1、WST2，配置于该基盘12上面的上方；干涉计系统118(参照图5)，包含用来测量所述晶片载台WST1、WST2的位置的干涉计的位置测量装置；及晶片载台驱动部124(参照图5)，用以驱动晶片载台WST1、WST2。
在晶片载台WST1、WST2的底面，将未图标的非接触轴承，例如真空预压型空气静压轴承(以下，称为「气垫」)设置于多个位置，由从所述气垫朝基盘12上面所喷出的加压空气的静压，在基盘12上面的上方将晶片载台WST1、WST2通过数μm程度的间隙非接触地浮起支撑。又，晶片载台WST1、WST2，由晶片载台驱动部124，独立于X轴方向(图1纸面内的左右方向)及Y轴方向(与图1纸面正交的方向)能沿二维方向驱动。
在基盘12上，如图2的俯视图所示，将一对X轴线性导件(朝X轴方向延伸的X固定件)86、87沿Y轴方向隔既定间隔配置。这些X轴线性导件86、87，例如由内设永久磁铁群组(沿X轴方向以既定间隔且交替配置的N极磁铁与S极磁铁的多组所构成)的磁极单元来构成。在这些X轴线性导件86、87上方，设置各两个滑件82、84及83、85，形成将所对应的X轴线性导件86、87从上方包围的状态且非接触。即，合计四个滑件82、84、83、85，具有截面倒U字形的形状，形成将X轴线性导件86、87从上方及侧方包围，对所对应的X轴线性导件86、87分别通过未图标的气垫例如以数μm程度的间隙浮起支撑。各滑件82、84、83、85，例如由分别内设沿X轴方向以既定间隔配置的电枢线圈的电枢单元来构成。即，在本实施形态，由电枢单元所构成的滑件82、84与磁极单元所构成的X轴线性导件86，分别构成动圈型的X轴线性发动机。同样地，由滑件83、85与X轴线性导件87，分别构成动圈(moving coil)型的X轴线性发动机。以下，对上述四个各X轴线性发动机，使用与构成各可动件的滑件82、84、83、85相同的符号，称为X轴线性发动机82、X轴线性发动机84、X轴线性发动机83、X轴线性发动机85。
上述四个X轴线性发动机中，构成两个X轴线性发动机82、83的滑件，分别固定于Y轴线性导件80(当作朝Y轴方向延伸的Y固定件)的长边方向的一端与另一端。又，构成另外的两个X轴线性发动机84、85的滑件，固定于Y轴线性导件81(当作朝Y轴方向延伸的Y固定件)的一端与另一端。因此，Y轴线性导件80、81，由各一对的X轴线性发动机82、83、84、85，使其沿X轴分别驱动。
前述各Y轴线性导件80、81，例如由分别内设沿Y轴方向以既定间隔配置的电枢线圈的电枢单元来构成。
一Y轴线性导件81，以插入状态设置于形成在晶片载台WST1的开口。在此晶片载台WST1的上述开口的内部，设置具有永久磁铁群组(例如沿Y轴方向以既定间隔且交替配置的N极磁铁与S极磁铁的多组所构成)的磁极单元。由此磁极单元与Y轴线性导件81，构成将晶片载台WST1沿Y轴方向驱动的动磁型的Y轴线性发动机。同样地，另一Y轴线性导件80，以插入状态设置于形成在晶片载台WST2的开口。在此晶片载台WST2的上述开口的内部，设置与晶片载台WST1侧同样的磁极单元。由此磁极单元与Y轴线性导件80，构成将晶片载台WST2沿Y轴方向驱动的动磁(movingmagnet)型的Y轴线性发动机。在以下，对这些Y轴线性发动机，使用与构成各固定件的线性导件81、80相同的符号，称为Y轴线性发动机81、Y轴线性发动机80。
在本实施形态，包含X轴线性发动机82～85及Y轴线性发动机80、81，来构成图5所示的晶片载台驱动部124。构成此晶片载台驱动部124的上述各线性发动机，则由图5所示的主控制装置20控制。
又，由使一对X轴线性发动机84、85(或82、83)分别所产生的推力稍微不同，能控制晶片载台WST1(或WST2)的偏摇(yawing)。
在本实施形态，各晶片载台WST1、WST2，虽以单一的载台图标，但实际上，具备：载台本体，由Y轴线性发动机81、80分别驱动；晶片台，通过Z·调平驱动机构(例如音圈发动机)载置于该载台本体的上部，对载台本体相对地沿Z轴方向及X轴周围的旋转方向(θx方向)、Y轴周围的旋转方向(θy方向)微驱动。
在前述晶片载台WST1上(晶片台上)，如图1所示，设置晶片保持具H1，由真空吸附等保持晶片W1。晶片保持具H1，如图3的立体图所示，具备：本体部70，俯视(从上方观察)大致呈正方形；四片辅助板72a～72d，以从上方重叠于本体部70的方式配置于晶片W1的载置区域周围。这些辅助板72a～72d的表面，形成与晶片W1的表面大致相同的高度。又，辅助板72a～72d，也可由一个构件构成。又，若能在投影光学系统PL的像面侧保持液体Lq，也可在晶片表面与辅助板表面之间有段差。
在晶片载台WST1的上面，将X移动镜17X(在X轴方向的一端(+X侧端)具有与X轴正交的反射面)朝Y轴方向延设，将Y移动镜17Y(在Y轴方向的一端(+Y侧端)具有与Y轴正交的反射面)朝X轴方向延设。对这些移动镜17X、17Y的各反射面，如图2所示，将来自构成后述的干涉计系统118(参照图5)的干涉计的干涉计光束(测长光束)投射，由以各干涉计接收该反射光，将从各移动镜反射面的基准位置(一般是在投影单元PU侧面，或对准系统ALG1的侧面配置固定反射镜，以此为基准面)的位移测量，藉此，测量晶片载台WST1的二维位置。较佳者为移动镜17X、17Y的上面也设为与晶片W1大致相同的高度。
在此，如图3所示，在各辅助板72a～72d与晶片W1之间，虽存在间隙D，但间隙D的尺寸，是以成为0.1～1mm的方式设定。又，在晶片W1，虽在其一部分存在缺口(V字形的缺口)，但因此缺口的尺寸也是仅1mm程度，故省略图标。
又，辅助板72a，在其一部分形成圆形开口，在其开口内，嵌入基准标记板FM1。基准标记板FM1，是使其表面与辅助板72a为大致同一面。在基准标记板FM1的表面，形成至少一对标线片对准用的第一基准标记，及如后述以对准系统ALG1所检测的第二基准标记(均未图标)等。
在前述晶片载台WST2上(晶片台上)，如图1所示，设置晶片保持具H2，由真空吸附等保持晶片W2。此晶片保持具H2，是与前述的晶片保持具H1构成同样。因此，在形成于构成此晶片保持具H2的一个辅助板的一部分的圆形开口内，嵌入基准标记板FM2(在图1未图标，参照图2)。
又，在晶片载台WST2的上面，将X移动镜117X(在X轴方向的一端(-X侧端)具有与X轴正交的反射面)朝Y轴方向延设，将Y移动镜117Y(在Y轴方向的一端(+Y侧端)具有与Y轴正交的反射面)朝X轴方向延设。对这些移动镜117X、117Y的各反射面，如图2所示，将来自构成后述的干涉计系统118的干涉计的干涉计光束(测长光束)投射，由以各干涉计接收该反射光，将来自各移动镜反射面的基准位置的位移测量，藉此测量晶片载台WST2的二维位置。
又，例如，可将晶片载台WST1、WST2的端面作镜面加工来形成移动镜(相当于前述的移动镜17X、17Y、117X、117Y的反射面)。
又，在晶片载台WST1、WST2彼此对向侧的面，例如在晶片载台WST1的-X侧面，在其全面，如图10所示，贴附密封构件93。此密封构件93，例如使用由含氟橡胶等所构成的弹性密封构件。
又，替代晶片载台WST1的-X侧面，也可将密封构件93贴附于晶片载台WST2的+X侧面，也可将密封构件93贴附于晶片载台WST1的-X侧面与晶片载台WST2的+X侧面双方。
回到图1，在分别隔相同距离于投影单元PU的+X侧、-X侧的位置，分别配置前述的偏轴对准系统(以下，略述为“对准系统”)ALG1、ALG2。这些对准系统ALG1、ALG2，实际上，是装设于用以保持投影单元PU的保持构件。这些对准系统ALG1、ALG2，例如使用影像处理方式的FIA(FieldImage Alignment)系统的感测器，该影像处理方式，是将对象标记的像(将不使晶片上的光刻胶感光的宽频(broad band)的检测光束照射于对象标记，由来自该对象标记的反射光结像于受光面)与未图标的指针(设置于对准系统ALG1、ALG2内的指针板上的指针图案)的像使用摄影元件(CCD等)来摄影后，将这些摄影信号输出。又，对准系统ALG1、ALG2，不限于FIA系统，将相干(coherent)的检测用光照射于对象标记，检测从该对象标记所产生的散射光或绕射光，或使从该对象标记所产生的两个绕射光(例如同次数的绕射光，或绕射于同方向的绕射光)干涉来检测的对准感测器，单独或适当组合使用当然可能。
在本实施形态，对准系统ALG1，是使用于形成在晶片载台WST1上的晶片W1的对准标记及形成在基准标记板FM1上的基准标记的位置测量等。又，对准系统ALG2，是使用于形成在晶片载台WST2上的晶片W2的对准标记及形成在基准标记板FM2上的基准标记的位置测量等。
来自这些对准系统ALG1、ALG2的资料，如图5所示，供应至主控制装置20。
其次，参照图2说明干涉计系统118的构成等。如图2所示，干涉计系统118，具有：三个Y轴干涉计46、48、44，分别具有测轴BI2Y、BI3Y、BI1Y，平行于通过投影光学系统PL的投影中心(光轴AX)、对准系统ALG1、ALG2的各检测中心的Y轴；及两个X轴干涉计16、18，分别具有测轴BI1X、BI2X，平行于连结投影光学系统PL的投影中心(光轴AX)及对准系统ALG1、ALG2的检测中心的X轴。
在此，当晶片载台WST1位于投影光学系统PL的光轴正下方的位置附近的区域(第一区域)，对该晶片载台WST1上的晶片进行曝光时，由X轴干涉计18、Y轴干涉计46来管理晶片载台WST1的位置。以下，将由此X轴干涉计18、Y轴干涉计46各测长轴所规定的坐标系统称为第一曝光坐标系统。
又，晶片载台WST2当投影光学系统PL位于第一区域，对该晶片载台WST2上的晶片进行曝光时，由X轴干涉计16、Y轴干涉计46来管理晶片载台WST2的位置。以下，将由此X轴干涉计16、Y轴干涉计46各别的测长轴所规定的坐标系统称为第二曝光坐标系统。
又，当晶片载台WST1，位于对准系统ALG1的检测中心正下方的位置附近的区域(第二区域)，要进行形成于其晶片载台WST1上的晶片的对准标记的检测时，例如要进行后述的晶片对准时，由X轴干涉计18、Y轴干涉计48来管理晶片载台WST1的位置。以下，将由此X轴干涉计18、Y轴干涉计48各测长轴所规定的坐标系统称为第一对准坐标系统。
又，当晶片载台WST2，位于对准系统ALG2的检测中心正下方的位置附近的区域(第三区域)，要进行形成于其晶片载台WST2上的晶片的对准标记的检测时，例如要进行后述的晶片对准时，由X轴干涉计16、Y轴干涉计44来管理晶片载台WST2的位置。以下，将由此X轴干涉计16、Y轴干涉计44各别的测长轴所规定的坐标系统称为第二对准坐标系统。
从上述的说明得知，在本实施形态，来自X轴干涉计18、16的干涉计光束，在晶片载台WST1、WST2的移动范围的全域持续分别照射于晶片载台WST1、WST2的移动镜17X、117X。因此，对X轴方向，使用投影光学系统PL曝光时，即使使用对准系统ALG1、ALG2时等任何情形，晶片载台WST1、WST2的位置，则由X轴干涉计18、16来管理。这些X轴干涉计18、16，是具有相对于Y轴方向及Z轴方向离开的至少三支光轴的多轴干涉计，各光轴的输出值能独立测量。因此，这些X轴干涉计18、16，除了晶片载台WST1、WST2的X轴方向的位置测量以外，也能测量Y轴周围的旋转量(横摇量(rolling))及Z轴周围的旋转量(偏摇量)。
又，上述Y轴干涉计46、48、44，例如是具有相对于Z轴方向离开的各二支光轴的二轴干涉计，各光轴的输出值能独立测量。因此，这些Y轴干涉计46、48、44，除了晶片载台WST1、WST2的Y轴方向的位置测量以外，也能测量X轴周围的旋转量(俯仰量(pitching))。
又，上述多轴干涉计，也可倾斜45°而设置于晶片载台WST1、WST2的反射面，对设置于将投影光学系统PL载置的架台(未图标)的反射面照射激光束，来检测相对于投影光学系统PL的光轴方向(Z轴方向)的相对位置数据。
其次，依图4说明前述液体供排系统32。此液体供排系统32具备：液体供应装置5；液体回收装置6；供应管21、22、27、28，连接于液体供应装置5；及回收管23、24、29、30，连接于液体回收装置6。
前述液体供应装置5包括：液体槽；加压泵；温度控制装置；及多个阀，用以控制对各供应管21、22、27、28的液体的供应、停止等。各阀，例如较佳者为使用流量控制阀，不仅液体的供应、停止，而且也能进行流量调整。前述温度控制装置，是用来将液体槽内的液体温度，调整为与收纳有例如投影单元PU等所构成的曝光装置本体的室(未图标)内的温度相同程度的温度。
前述供应管21，将其一端连接于液体供应装置5，将其它端分支为三个，在各分支端分别形成(或设置)由尖细嘴所构成的供应嘴21a、21b、21c。这些供应嘴21a、21b、21c的前端，位于前述的前端透镜91(参照图1)附近，沿X轴方向隔既定间隔且近接于曝光区域IA(与前述槽上的照明区域共同作用的像面上的区域)的+Y来配置。以供应嘴21a为中心，将供应嘴21b、21c配置于大致左右对称。
前述供应管22，将其一端连接于液体供应装置5，将其它端分支为三个，在各分支端分别形成(或设置)由尖细嘴构成的供应嘴22a、22b、22c。这些供应嘴22a、22b、22c的前端，位于前端透镜91附近，沿X轴方向隔既定间隔且近接于曝光区域IA的-Y来配置。在此情形，供应嘴22a、22b、22c，隔着曝光区域IA对向于供应嘴21a、21b、21c来配置。
前述供应管27，将其一端连接于液体供应装置5，将其它端形成(或设置)为由尖细嘴所构成的供应嘴27a。此供应嘴27a的前端，位于前端透镜91附近，近接于曝光区域IA的-X侧来配置。
前述供应管28，将其一端连接于液体供应装置5，将其它端形成(或设置)为由尖细嘴所构成的供应嘴28a。此供应嘴28a的前端，位于前端透镜91附近，近接于曝光区域IA的+X侧，且隔着曝光区域IA对向于供应嘴27a来配置。
又，不需要将用以供应液体的槽、加压泵、温度控制装置、阀等全部设于曝光装置100，至少将一部分能由设置曝光装置100的工厂等的设备来替代。
前述液体回收装置6包括：液体槽；吸引泵；及多个阀，用以控制分别通过各回收管23、24、29、30的液体的回收、停止等。各阀，较佳者为对应前述的液体供应装置5侧的阀，使用流量控制阀。
前述回收管23，将其一端连接于液体回收装置6，将其它端分支为二股，在各分支端分别形成(或设置)由尾宽嘴所构成的回收嘴23a、23b。在此情形，回收嘴23a、23b，是交替配置于供应嘴22a～22c之间。各回收嘴23a、23b的前端及各供应嘴22a、22b、22c的前端，大致沿着平行于X轴的同一直线上来配置。
前述回收管24，将其一端连接于液体回收装置6，将其它端分支为二股，在各分支端分别形成(或设置)由尾宽嘴所构成的回收嘴24a、24b。在此情形，回收嘴24a、24b，是在供应嘴21a～21c之间，交替且隔着曝光区域IA分别对向于回收嘴23a、23b来配置。各回收嘴23a、23b的前端及各供应嘴21a、21b、21c的前端，大致沿着平行于X轴的同一直线上来配置。
前述回收管29，将其一端连接于液体回收装置6，将其它端分支为二股，在各分支端分别形成(或设置)由尾宽嘴所构成的回收嘴29a、29b。这些回收嘴29a、29b，是隔着供应嘴28a配置。各回收嘴29a、29b及供应嘴28a的前端，大致沿着平行于Y轴的同一直线上来配置。
前述回收管30，将其一端连接于液体回收装置6，将其它端分支为二股，在各分支端分别形成(或设置)由尾宽嘴所构成的回收嘴30a、30b。这些回收嘴30a、30b，是隔着供应嘴27a，且隔着曝光区域IA分别对向于回收嘴29a、29b来配置。各回收嘴30a、30b及供应嘴27a的前端，大致沿着平行于Y轴的同一直线上来配置。
又，不需要将用以回收液体的槽、吸引泵、阀等全部设于曝光装置100，至少将一部分能由设置曝光装置100的工厂等的设备来替代。
在本实施形态，上述液体，是使用能通过ArF准分子激光(波长193nm)的超纯水(以下，除了特别需要时，简单称为“水”)。超纯水，能在半导体制造工厂容易大量获得，并且具有对涂布于晶片上的光刻胶(感光剂)或光学透镜等无不良影响的优点。又，超纯水对环境无不良影响，并且因杂质的含有量极低，故也能期待对晶片的表面及前端透镜91的表面的洗净作用。
对ArF准分子激光的水的折射率n，是大致1.44。在此水中，照明用光IL的波长，则使其短波长化为193nm×1/n＝约134nm。
前述液体供应装置5及液体回收装置6，分别具备控制器，各控制器，由主控制装置20来控制(参照图5)。例如，沿图4中的实线箭头A所示的方向(-Y方向)使晶片W1(或W2)移动时，液体供应装置5的控制器，依照主控制装置20的指示，以既定开度打开连接于供应管21的阀，使其它阀为全闭，通过设置于供应管21的供应嘴21a～21c朝-Y方向将水供应至前端透镜91与晶片W1(或W2)之间。又，此时，液体回收装置6的控制器，依照主控制装置20的指示，以既定开度打开连接于回收管23的阀，使其它阀为全闭，通过回收嘴23a、23b从前端透镜91与晶片W1(或W2)之间将水回收至液体回收装置6的内部。此时，主控制装置20，对液体供应装置5、液体回收装置6发出指令，使从供应嘴21a～21c朝-Y方向供应至前端透镜91与晶片W1(或W2)之间的水量，与通过回收嘴23a、23b回收的水量相等。因此，在前端透镜91与晶片W1(或W2)之间，保持一定量的水Lq(参照图1)。在此情形，保持于前端透镜91与晶片W1(或W2)之间的水Lq持续替换。
又，沿图4中的虚线箭头A’所示的方向(+Y方向)使晶片W1(或W2)移动时，液体供应装置5的控制器，依照主控制装置20的指示，以既定开度打开连接于供应管22的阀，使其它阀为全闭，通过设置于供应管22的供应嘴22a～22c朝+Y方向将水供应至前端透镜91与晶片W1(或W2)之间。又，此时，液体回收装置6的控制器，依照主控制装置20的指示，以既定开度打开连接于回收管24的阀，使其它阀为全闭，通过回收嘴24a、24b从前端透镜91与晶片W1(或W2)之间至液体回收装置6的内部回收水。此时，主控制装置20，对液体供应装置5、液体回收装置6发出指令，使从供应嘴22a～22c朝+Y方向供应至前端透镜91与晶片W1(或W2)之间的水量，与通过回收嘴24a、24b回收的水量相等。因此，在前端透镜91与晶片W1(或W2)之间，保持一定量的水Lq(参照图1)。在此情形，保持于前端透镜91与晶片W1(或W2)之间的水Lq持续替换。
如此，在本实施形态，因隔着曝光区域IA在Y轴方向一侧与另一侧，分别设置彼此成组的供应嘴群组与回收嘴群组，故即使要将晶片朝+Y方向或-Y方向的任一方移动时，在晶片W1(或W2)与前端透镜91之间使水稳定地持续填满。即，即使是正扫描及负扫描的任一情形，也能在前端透镜91与晶片之间稳定地保持水。
又，因水会流动于晶片W1(或W2)上，故即使在晶片W1(或W2)上附着异物(包含来自光刻胶的飞散粒子)的情形，能将该异物用水冲洗。又，因供应由液体供应装置5已调整为既定温度的水，且此水是持续替换，故即使在曝光时照明用光IL照射于晶片W1(或W2)上，在晶片与流动于该晶片上的水之间进行热交换，能防止晶片表面的温度上升。又，在本实施形态，因水沿与移动晶片的方向相同方向流动，故不会使已吸收异物或热的液体滞留于前端透镜正下方的曝光区域而能将其回收。
又，若要朝图4中实线箭头B所示的方向(+X方向)移动晶片W1(或W2)时，液体供应装置5的控制器，依照主控制装置20的指示，以既定开度打开连接于供应管27的阀，使其它阀为全闭，通过设置于供应管27的供应嘴27a朝+X方向将水供应至前端透镜91与晶片W1(或W2)之间。又，此时，液体回收装置6的控制器，依照主控制装置20的指示，以既定开度打开连接于回收管29的阀，使其它阀为全闭，通过回收嘴29a、29b将水从前端透镜91与晶片W1(或W2)之间回收至液体回收装置6的内部。此时，主控制装置20，对液体供应装置5、液体回收装置6发出指令，使从供应嘴27a供应至前端透镜91与晶片W1(或W2)之间的水量，与通过回收嘴29a、29b回收的水量相等。因此，在前端透镜91与晶片W1(或W2)之间，保持一定量的水Lq(参照图1)。在此情形，保持于前端透镜91与晶片W1(或W2)之间的水Lq持续替换。
又，若要朝图4中虚线箭头B’所示的方向(-X方向)移动晶片W1(或W2)时，液体供应装置5的控制器，依照主控制装置20的指示，以既定开度打开连接于供应管28的阀，使其它阀为全闭，通过设置于供应管28的供应嘴28a朝-X方向将水供应至前端透镜91与晶片W1(或W2)之间。又，此时，液体回收装置6的控制器，依照主控制装置20的指示，以既定开度打开连接于回收管30的阀，使其它阀为全闭，通过回收嘴30a、30b将水从前端透镜91与晶片W1(或W2)之间回收至液体回收装置6的内部。此时，主控制装置20，对液体供应装置5、液体回收装置6发出指令，使从供应嘴28a供应至前端透镜91与晶片W1(或W2)之间的水量，与通过回收嘴30a、309b回收的水量相等。因此，在前端透镜91与晶片W1(或W2)之间，保持一定量的水Lq(参照图1)。在此情形，保持于前端透镜91与晶片W1(或W2)之间的水Lq持续替换。
藉此，与使晶片W1(或W2)朝Y轴方向移动的情形同样，即使要将晶片朝+X方向或-X方向的任一方移动时，将水稳定地填满于晶片与前端透镜91之间。因此，在所谓照射间步进时，即使其步进方向是任何方向，也能在晶片与前端透镜91之间稳定地持续保持水。
又，以上，虽对在晶片与前端透镜91之间将水保持的情形说明，但如前述，因晶片表面与晶片保持具H1、H2的表面成为大致同一面，故即使晶片保持具H1(或H2)位于对应投影单元P正下方的曝光区域IA的位置的情形，与上述同样，水则保持于前端透镜91与晶片保持具H1(或H2)，也即与前述的辅助板之间。又，步进时，若在晶片与前端透镜91之间能保持水的情形，也可停止水的供应与回收。
又，除了从X轴方向或Y轴方向进行水的供应及回收的嘴外，例如也可设置用以从斜方向进行水的供应及回收的嘴。
又，也可与晶片的移动方向无关，从供应嘴21a～21c、22a～22c、27a、28a持续供应液体Lq，从回收嘴23a、23b、24a、24b、29a、29b、30a、30b持续回收液体Lq。
又，液体供排系统不限于上述图4的形态，只要能在投影光学系统PL的像面侧形成液浸区域，能适用各种形态。
本实施形态100，进一步在用以保持投影单元PU的未图标的保持构件，设置斜射入方式的多点焦点位置检测系统，是由照射系统90a(在图1未图标，参照图5)及受光系统90b(在图1未图标，参照图5)构成，与例如日本特开平6-283403号公报及对应于此的美国专利第5,448,332等所揭示的同样。照射系统90a，具有以图5的主控制装置20控制开关的光源，朝投影光学系统PL的结像面射出用以形成多数个针孔或狭缝的像的光束。此所射出的光束，通过设置于投影单元PU的镜筒的未图标的棱镜(照射系统90a内的光学系统的一部分)对光轴AX从斜方向照射于晶片表面。另一方面，在晶片表面被反射的这些光束的反射光束，以设置于投影单元PU的镜筒的未图标的另外的棱镜(受光系统90b内的光学系统的一部分)反射，由受光系统90b内的受光元件受光。
此焦点位置检测系统(90a、90b)的受光系统90b的输出的焦点偏移信号(散焦信号)，是供应至主控制装置20。主控制装置20，在后述的扫描曝光时等，算出来自受光系统90b的焦点偏移信号(散焦信号)，例如根据S曲线信号算出晶片表面的Z位置及θx、θy旋转，使所算出的晶片表面的Z位置及θx、θy旋转对所述的目标值的差变成零，即要使焦点偏移为零，由通过晶片载台驱动部124控制晶片载台WST1、WST2的Z轴方向的移动，及二维方向的倾斜(即，θx、θy方向的旋转)，在照明用光IL的照射区域(与前述的照射区域共同的区域)内执行使投影光学系统PL的结像面与晶片的表面实质上一致的自动对焦(auto focus)及自动调平(auto levelling)。又，在本案所指定的指定国(或所选择的选择国)的国内法令所允许的范围，援用上述日本特开平6-283403号公报及对应的美国专利的揭示，作为本说明书的记载的一部分。
又，焦点位置检测系统，也可通过液体检测晶片表面的位置资料，也可不通过液体检测。又，焦点位置检测系统，不限于在投影光学系统PL的像面侧检测晶片表面的位置资料，也可从投影光学系统PL离开处检测晶片表面的位置资料。
在图5，表示本实施形态的曝光装置100的控制系统的主要构成。此控制系统，以将装置全体综合控制的微电脑(或工作站)所构成的主控制装置20为中心来构成。
其次，说明本实施形态的曝光装置100曝光时的各部的动作。在此，如图2所示，说明在晶片载台WST1侧进行曝光的情形。
此曝光动作的开始时，在主控制装置20，根据事前所进行的例如增强型总对准(EGA，Enhanced Global Alignment)等的晶片对准的结果等，边监视干涉计18、46的测量值，边控制X轴线性发动机84、85及Y轴线性发动机81，而将晶片载台WST1移动至用以晶片W1的第一照射区域的曝光用扫描开始位置(加速开始位置)。在此曝光次序，是在第一曝光坐标系统上进行晶片载台WST1的位置管理。
其次，在主控制装置20，开始相对于标线片R(标线片载台RST)与晶片W1(晶片载台WST1)的Y轴方向的相对扫描。此相对扫描时，主控制装置20，边监视前述的干涉计18、46及标线片干涉计116的测量值，边控制标线片载台驱动部11并且Y轴线性发动机81(及X轴线性发动机84、85)。
接着，当两载台RST、WST1加速至各目标扫描速度时，在主控制装置20，对未图标的光源(ArF准分子激光装置)发出指令，开始脉冲发光。然后，当两载台RST、WST1达到等速同步状态时，由来自照明系统10的照明用光IL(紫外脉冲光)使标线片R的图案区域开始照明，开始扫描曝光。虽在此扫描曝光开始之前，如上述，光源的脉冲发光已开始，但由主控制装置20，照明系统10内的可动标线片遮帘(未图标)的既定叶片同步于标线片载台RST而移动，藉此防止在扫描曝光的开始前对晶片W1进行不必要的曝光。
然后，以照明用光IL依次照明标线片R的图案区域，由完成对图案区域全面的照明，结束晶片W1上的第一照射区域的扫描曝光。藉此，标线片R的图案通过投影光学系统PL缩小转印于晶片W1上的第一照射区域。
在此情形，扫描曝光结束后，也由主控制装置20，使照明系统10内的可动标线片遮帘(未图标)同步于标线片载台RST而移动，藉此防止晶片W1的不必要的曝光。
如上述，结束第一照射区域的扫描曝光后，由主控制装置20，通过X轴线性发动机84、85及Y轴线性发动机81使晶片载台WST1沿X、Y方向步进移动，移动至用以第二照射区域的曝光的加速开始位置(扫描开始位置)。此照射间步进时，主控制装置20，依干涉计18、46的测量值将晶片载台WST1的X、Y、θz方向的位置位移实时(real time)检测。并且，根据此测量结果，主控制装置20，控制晶片载台WST1的位置，使晶片载台WST1的XY位置位移成为既定状态。又，主控制装置20，根据晶片载台WST1的θz方向的资料，控制标线片载台RST(标线片微动载台)及晶片载台WST1的至少一旋转，使其晶片侧的旋转位移补偿。
接着，在照射间步进结束后，由主控制装置20，与上述同样，控制各部的动作，对晶片W1上的第二照射区域进行与上述同样的扫描曝光。
如上述，反复进行晶片W1上的照射区域的扫描曝光与供下次照射曝光的照射间步进动作，使标线片R的图案依序转印于晶片W1上的曝光对象的照射区域全部。
又，上述的对晶片W1的步进扫描方式的曝光动作中，按照晶片W1的移动方向的变化，由主控制装置20，如前述，进行液体供排系统32的液体供应装置5及液体回收装置6的各阀的开关控制则是理所当然。因此，上述的对晶片W1的步进扫描方式的曝光动作中，在前端透镜91与晶片W1之间维持持续将一定量的水稳定地保持的状态。
其次，对使用两个晶片载台WST1、WST2的并行处理动作，参照图2及图6～图9说明。又，以下的动作中，由主控制装置20，按照位于投影单元PU正下方的第一区域的晶片载台的移动方向，如前述进行液体供排系统32的液体供应装置5及液体回收装置6的各阀的开关控制，在投影光学系统PL的前端透镜91正下方持续填满水。但是，以下，为了要使说明容易了解，将关于液体供应装置5及液体回收装置6的控制的说明省略。
在图2表示：对晶片载台WST1上的晶片W1如前述以步进扫描方式进行曝光，与此并行，在晶片载台WST2侧，在对准系统ALG2的下方的第三区域进行对晶片W2的晶片对准的状态。
如上述，对晶片W1以步进扫描方式进行曝光期间，在晶片载台WST2侧，则进行如下所述的动作。
即，在上述的晶片对准前，在左侧装载位置，未图标的晶片搬送机构与晶片载台WST2之间进行晶片交换。在此，所谓左侧装载位置，是指设定为基准标记板FM2位于对准系统ALG2的正下方的位置而言。在此情形，在左侧装载位置，由对准系统ALG2检测基准标记板FM2上的第二基准标记以前，由主控制装置20执行Y轴干涉计44的重置(reset)。
上述第二基准标记的检测时，主控制装置20，使用对准系统ALG2取进第二基准标记的影像，对其影像信号施加既定的处理，由解析其处理后的信号来检测以对准系统ALG2的指针中心为基准的第二基准标记的位置。又，主控制装置20，根据其第二基准标记的位置的检测结果与其检测时的干涉计16、44的测量结果，算出第二对准坐标系统上的第二基准标记的位置坐标。
其次，主控制装置20，由边在前述第二对准坐标系统上管理晶片载台WST2的XY面内的位置，边使用对准系统ALG2来检测附设于晶片W2上的特定的多个照射区域(样本照射区域)的对准标记(样本标记)的位置资料(对对准系统ALG2的检测中心的位置资料)，来求出第二对准坐标系统上的样本标记的位置资料。接着，主控制装置20，根据其检测结果与特定的照射区域的设计上的位置坐标，执行例如日本特开昭61-22249号公报及对应于此的美国专利第4,780,617号等所揭示的统计运算，来算出晶片W2上的多个照射区域的第二对准坐标系统上的位置坐标。即，如上述，进行EGA(增强型总对准)。并且，主控制装置20，由从晶片W2上的多个照射区域的第二对准坐标系统上的位置坐标将前述第二基准标记的位置坐标减算，使多个照射区域的位置坐标转换成以第二基准标记的位置为原点的位置坐标。又，在本案所指定的指定国(或所选择的选择国)的国内法令所允许的范围，援用上述公报及对应美国专利的揭示，作为本说明书的记载的一部分。
上述在两个晶片载台WST1、WST2上并行而进行的曝光次序与晶片交换/对准次序，通常，是晶片交换/对准次序最先结束。因此，已结束对准的晶片载台WST2，则在既定的待机位置呈等待状态。
并且，在晶片载台WST1侧，在对晶片W1的曝光结束的时点，主控制装置20，将晶片载台WST1、WST2朝图6所示的既定位置分别开始移动。
并且，将晶片载台WST1、WST2移动至图6所示的位置后，主控制装置20，则开始使晶片载台WST1与晶片载台WST2同时朝+X方向驱动的动作。又，在图6的状态，晶片载台WST1与晶片载台WST2是通过设置于晶片载台WST1的弹性密封构件93接触。
如上述，由主控制装置20，使晶片载台WST1、WST2同时移动，在图6的状态，保持于投影单元PU的前端透镜91与晶片W1之间的水，则伴随晶片载台WST1、WST2朝+X侧移动，在晶片W1→晶片载台WST1(更具体而言是晶片保持具H1)→晶片载台WST2(更具体而言是晶片保持具H2)上依序移动。又，上述移动期间，晶片载台WST1、WST2则与图6的状态同样通过弹性密封构件93保持彼此接触的位置关系。在图7，表示：在上述移动的中途，水同时存在于晶片载台WST1、WST2(晶片保持具H1、H2)时的状态，即从晶片载台WST1上待将水交给晶片载台WST2上之前的状态。
从图7的状态，当进一步使晶片载台WST1、WST2朝+X方向同时驱动既定距离，则如图8所示，形成在晶片载台WST2上的包含基准标记板FM2的区域与前端透镜91之间保持水的状态。先行于此，主控制装置20，在使来自Y轴干涉计46的干涉计光束能照射于移动镜117Y的任一时点，执行Y轴干涉计46的重置。
接着，主控制装置20，朝图9所示的右侧装载位置开始晶片载台WST1的驱动。此右侧装载位置，设定为基准标记板FM1位在对准系统ALG1的正下方的位置。
与朝上述右侧装载位置的晶片载台WST1的移动开始并行，主控制装置20，由一对标线片对准系统RAa、RAb(参照图1)使用照明用光IL进行基准标记板FM2上的一对第一基准标记与对应于其的标线片R上的标线片对准标记的晶片上投影像的相对位置检测。此时，基准标记板FM2上的一对第一基准标记与标线片对准标记的像的检测，是通过投影光学系统PL及水来进行。
并且，主控制装置20，根据此所检测的相对位置资料，与对预先所求的第二基准标记的晶片W2上的各照射区域的位置资料，及既知的第一基准标记与第二基准标记的位置关系，算出标线片R的图案的投影位置(投影光学系统PL的投影中心)与晶片W2上的各照射区域的相对位置关系。并且，根据其算出结果，主控制装置20，与前述的晶片W1的情形同样，在第二曝光坐标系统上边管理晶片载台WST2的位置，边以步进扫描方式将标线片R的图案转印于晶片W2上的各照射区域。
与上述晶片载台WST2侧的动作并行，晶片载台WST1侧，在右侧装载位置，与未图标的晶片搬送系统之间进行晶片交换，与晶片交换同时或在其后，由主控制装置20使用对准系统ALG1进行基准标记板FM1上的第二基准标记的检测。主控制装置20，先在此第二基准标记的检测以前执行Y轴干涉计48的重置。其后，主控制装置20，边在第一对准时坐标系统上管理晶片载台WST1，边对晶片W2进行使用对准系统ALG1的EGA。
以后，由主控制装置20，反复进行与上述晶片载台WST1、WST2的并行动作。
使用晶片载台WST1与晶片载台WST2的并行处理时，在对一晶片载台上的晶片的曝光结束，至对另一晶片载台上的晶片的曝光要开始期间，虽会进行从一晶片载台在投影单元PU正下方的状态(即，在一晶片载台上水附着的状态)，迁移至另一晶片载台在投影单元PU正下方的状态(即，在另一晶片载台上水附着的状态)，但此时，如前述，维持晶片载台WST1、WST2在X轴方向通过弹性密封构件93呈接触状态(图10的状态)。因此，如图7所示，即使在晶片载台WST1、WST2彼此间使水跨越(液浸区域)的状态，由弹性密封构件93能确实防止水(液体)通过晶片载台WST1、WST2彼此的间隙向载台下方泄漏。
又，在晶片载台WST1与晶片载台WST2的移动途中，虽会存在来自干涉计46、48任一干涉计光束不照射于晶片载台WST1的移动镜17Y的状态(移动期间，移动区间)，又，存在来自干涉计46、44任一干涉计光束也不照射于晶片载台WST2的移动镜117Y的状态(移动期间，移动区间)，但在本实施形态，此情形的两晶片载台WST1、WST2的位置，是由未图标的线性编码机(linear encorder)来管理。又，使用线性编码机来管理晶片载台的位置时，在来自任一Y轴干涉计的干涉计光束会照射于移动镜17Y或117Y的时点，由主控制装置20执行Y轴干涉计的重置。
如从以上说明可知，在本实施形态，由晶片载台驱动部124构成载台驱动系统的至少一部分。又，由此载台驱动系统，与晶片载台WST1、WST2构成载台装置的至少一部分。
如以上详细说明，依本实施形态的曝光装置100及该曝光装置所具备的载台装置，并且在该曝光装置100所执行的晶片载台WST1、WST2的驱动方法，从一晶片载台WST1(或WST2)位于第一区域(包含有液体(水)供应的投影单元PU(投影光学系统PL)正下方的位置)的第一状态，迁移至另一晶片载台WST2(或WST1)位于第一区域的第二状态时，由载台驱动系统(124等)，晶片载台WST1、WST2维持于X轴方向通过弹性密封构件93呈接触状态，晶片载台WST1、WST2朝X轴方向同时驱动。
因此，在投影光学系统PL(投影单元PU)与位于其正下方的特定的晶片载台(此晶片载台，伴随移动从一晶片载台切换为另一晶片载台)之间供应着水的状态，水不会从两晶片载台的间隙泄漏，能使从一晶片载台WST1(或WST2)位于第一区域的第一状态，迁移至另一晶片载台WST2(或WST1)位于第一区域的第二状态。即，在一晶片载台侧通过投影光学系统PL与水(液体)进行晶片的曝光动作后，至在另一晶片载台侧通过投影光学系统PL与水(液体)开始晶片的曝光动作前为止期间，能从一晶片载台与投影光学系统PL之间使水保持的状态，迁移至另一晶片载台与投影光学系统PL之间使水保持的状态，而不需要经过水的全回收、再度供应等步骤。
因此，能将从一晶片载台侧的曝光动作结束至另一晶片载台侧的曝光动作开始为止的时间缩短(即，维持为与非液浸曝光的通常的曝光装置(非液浸曝光装置)相同程度)，能获得产能的提高。又，因在投影光学系统PL的像面侧持续存在水，故能有效地防止在投影光学系统PL的像面侧的光学构件(例如前端透镜91及前述的多点焦点位置检测系统的棱镜等)产生水纹(水痕，water mark)，能长期良好地维持投影光学系统PL的结像性能及多点焦点位置检测系统的检测精度。
又，由在前述两个晶片载台WST1、WST2的并行处理动作，比起已知的具备单晶片载台的曝光装置(使用一个晶片载台，将晶片交换、晶片对准及曝光动作，依序进行)，能获得产能的提高。
又，因由液浸曝光，进行高解像度且比空气中大焦点深度的曝光，故能将标线片R的图案精度良好地转印于晶片上，例如当作元件规格(devicerule)能实现70～100nm程度的微细图案的转印。
又，在本实施形态，由晶片载台WST1与晶片载台WST2是通过弹性密封构件93接触，除了能防止自两晶片载台的间隙的漏水外，也能降低晶片载台WST1与晶片载台WST2接触时的冲击。
再者，在本实施形态，因在晶片载台WST1的-X侧面及晶片载台WST2的+X侧面未设置干涉计用的移动镜，故即使两晶片载台是在X轴方向呈近接状态，因两晶片载台上的移动镜的反射面彼此不会近接而相面对，故两晶片载台沿X轴方向同时驱动的期间，不仅能由干涉计系统118监视两晶片载台的位置，也能防止在移动镜的反射面附着水。
第二实施形态：
其次，依图11～图15B说明本发明的第二实施形态。在此，对与前述第一实施形态同一或同等的部分，使用同一的符号，并且将其说明简化或省略。在此第二实施形态的曝光装置，晶片载台装置的构成等，及使用两个晶片载台的并行处理动作则与第一实施形态不同。又，标记检测系统仅设置一个，也与前述第一实施形态不同。其它部分的构成等，则与前述第一实施形态相同。因此，以下，仅以相异处为中心来说明，以免重复说明。
图11，是表示本第二实施形态的曝光装置的控制系统的构成。若将此图11与图5作比较，则得知在本第二实施形态，替代前述第一实施形态的晶片载台驱动部124，设置晶片载台驱动部124A，这一点与前述的第一实施形态不同。
在本第二实施形态，替代前述的晶片载台装置50，设置图12所示的晶片载台装置50’。此晶片载台装置50’，如图12所示，具备：基盘12；晶片载台WST1’，是配置于该基盘12上面的上方(在图12的纸面前侧)的第一载台，及晶片载台WST2’，是第二载台；六个干涉计151X1、151X2、151X3、151X4、151Y1、151Y2，是用来测量这些晶片载台WST1’、WST2’的位置的位置测量系统；第一驱动部171、第二驱动部172，用以将晶片载台WST1’、WST2’个别地驱动，俯视(从上方观察)呈大致H字形；第一连接机构195及第二连接机构196(在图12未图标，参照图11)。
在此，由上述六个干涉计151X1、151X2、151X3、151X4、151Y1、151Y2，构成图11的干涉计系统118A；包含第一驱动部171、第二驱动部172、第一连接机构195及第二连接机构196，来构成图11的晶片载台驱动部124A。
前述第一驱动部171具备：X轴线性发动机136X，是用以使晶片载台WST1’(或WST2’)朝X轴方向驱动的线性致动器(linear actuator)；及一对Y轴线性发动机136Y1、136Y2，用以使晶片载台WST1’(或WST2’)与X轴线性发动机136X一体地朝扫描方向的Y轴方向驱动。
前述X轴线性发动机136X具备：X轴线性导件181，是将X轴方向当作长边方向的固定件；及X可动件179，沿该X轴线性导件181且朝X轴方向移动。
X轴线性导件181，由朝X轴方向延伸的框体，及具有在其内部以既定间隔沿X轴方向配设的多个电枢线圈的电枢单元构成。在此X轴线性导件181的长边方向(X轴方向)的一端部，固定一Y轴线性发动机136Y1的可动件(Y可动件)184，在另一端部固定另一Y轴线性发动机136Y2的可动件(Y可动件)185。
前述X可动件179，例如，具有筒状(形成将X轴线性导件181从周围包围)的形状，在其内部设置YZ截面逆U字形的可动件轭。在此可动件轭，沿其长边方向交替配置多个N极永久磁铁与多个S极永久磁铁。因此，在X可动件179的内部空间，沿X轴方向形成交流磁场。
在此情形，由X可动件179，与X轴线性导件181之间的电磁相互作用，使其产生使X可动件179朝X轴方向驱动的驱动力(洛伦兹(Lorentz)力)。即，X轴线性发动机136X，是动磁型电动力驱动方式的线性发动机。
在X可动件179的-Y侧面，设置第一连接机构195(在图12未图标，参照图11)，用以将晶片载台WST1’(或WST2’)连接。此第一连接机构195，例如能使用利用电磁的磁吸引力，或将晶片载台WST1’(或WST2’)机械式地卡合的机构等。主控制装置20，控制此第一连接机构195，使晶片载台WST1’(或WST2’)连接于X可动件179，或使其解除其连接。又，在连接状态，晶片载台WST1’(或WST2’)由X可动件179成为单边支撑的状态。在图12，表示X可动件179将晶片载台WST1’单边支撑的状态。
一Y轴线性发动机136Y1，具备：Y轴线性导件188，是朝Y轴方向延设的固定件；及Y可动件184，沿该Y轴线性导件188移动。前述Y轴线性导件188，使用与前述X轴线性导件181同样构成的电枢单元。又，Y可动件184，虽是XZ截面逆U字形的形状，但使用与前述的X可动件同样构成的磁极单元。即，Y轴线性发动机136Y1，是动磁型电动力驱动方式的线性发动机。
另一Y轴线性发动机136Y2，具备：Y轴线性导件189，是朝Y轴方向延设的固定件；及Y可动件185，沿该Y轴线性导件189移动。此Y轴线性发动机136Y2，是与Y轴线性发动机136Y1同样构成的动磁型电动力驱动方式的线性发动机。
又，如前述，由将X轴线性导件181的两端部分别固定于Y可动件184、185，若Y轴线性发动机136Y1、136Y2产生Y轴方向的驱动力，则与X轴线性发动机136X一起使晶片载台WST1’(或WST2’)驱动于Y轴方向。在此情形，由使Y轴线性发动机136Y1、136Y2所产生的驱动力不同，通过X轴线性发动机136X能控制晶片载台WST1’(或WST2’)的Z轴周围的旋转。
前述第二驱动部172，配置于前述第一驱动部171的-Y侧面，在图12的纸面内形成大致对称。此第二驱动部172，是与上述第一驱动部171同样构成。即，此第二驱动部172，具备：X轴线性发动机138X，是由X轴线性导件180及X可动件178所构成的线性致动器；Y轴线性发动机138Y1，由设置于X轴线性导件180的一端的Y可动件182及Y轴线性导件186所构成；及Y轴线性发动机138Y2，由设置于X轴线性导件180的另一端的Y可动件183及Y轴线性导件187所构成。
在X可动件178的+Y侧面，与X可动件179同样，设置第二连接机构196(在图12未图标，参照图11)，与前述的第一连接机构同样，用以将晶片载台WST1’(或WST2’)连接。主控制装置20，控制此第二连接机构196，使晶片载台WST1’(或WST2’)连接于X可动件178，或使其解除其连接。又，在图12，表示晶片载台WST1’连接于X可动件178成为单边支撑的状态。
前述晶片载台WST1’，具备：载台本体，与构成前述第一实施形态的晶片载台WST1不同，未设置磁极单元部分；及晶片台，是与构成在该载台本体的上面通过未图标的Z·倾斜(tilt)驱动机构所设置的前述晶片载台WST1同样。在此晶片台的上面，设置+Y移动镜47Y1、-Y移动镜47Y2、+X移动镜47X于±Y侧端部及+X侧端部附近。
前述晶片载台WST2’，构成为与上述晶片载台WST1’同样。在构成此晶片载台WST2’的晶片台的上面，设置+Y移动镜49Y1、-Y移动镜49Y2、-X移动镜49X于±Y侧端部及-X侧端部附近。
又，在本第二实施形态，也在未将晶片载台WST1’的移动镜配置于附近的侧面(-X侧面)，及未将晶片载台WST2’的移动镜配置于附近的侧面(+X侧面)的至少一方，设置与图10所示的弹性密封构件93同样的弹性密封构件。
又，如图12所示，在投影光学系统PL的-Y侧隔既定距离，设置标记检测系统的对准系统ALG。
前述干涉计系统118A，如图12所示，具有：两个Y轴干涉计151Y1、151Y2，具有与将投影光学系统PL的投影中心(光轴)与对准系统ALG的检测中心连结的Y轴平行的测长轴；两个X轴干涉计151X1、151X2，分别具有与在投影光学系统PL的投影中心(光轴)与干涉计151Y1的测长轴垂直交叉的X轴平行的测长轴；及两个X轴干涉计151X3、151X4，分别具有与在对准系统ALG的检测中心与干涉计151Y2的测长轴垂直交叉的X轴平行的测长轴。
四个X轴干涉计151X1～151X4，是相对于Y轴方向及Z轴方向离开且至少具有三支光轴的多轴干涉计，各光轴的输出值能独立测量。因此，在这些X轴干涉计151X1～151X4，除了晶片载台WST1’或WST2’的X轴方向的位置测量以外，也能测量Y轴周围的旋转量(横摇量)及Z轴周围的旋转量(偏摇量)。
上述两个Y轴干涉计151Y1、151Y2，是相对于Z轴方向离开且具有各两支光轴的二轴干涉计，各光轴的输出值能独立测量。因此，在这些Y轴干涉计151Y1、151Y2，除了晶片载台WST1’或WST2’的Y轴方向的位置测量以外，也能测量X轴周围的旋转量(俯仰量)。
在此情形，晶片载台WST1’位于投影光学系统PL的光轴正下方的位置的附近的区域(第一区域)，要进行对其晶片载台WST1’上的晶片(在图12晶片W1)的曝光时，在以X轴干涉计151X1、Y轴干涉计151Y1各测长轴所规定的第一曝光坐标系统上，进行晶片载台WST1’的XY平面内的位置管理。
又，晶片载台WST2’位于投影光学系统PL的光轴正下方的位置附近的区域(第一区域)，要进行对其晶片载台WST2’上的晶片(在图12晶片W2)的曝光时，在以X轴干涉计151X2、Y轴干涉计151Y1各测长轴所规定的第二曝光坐标系统上，进行晶片载台WST2’的XY平面内的位置管理。
又，晶片载台WST1’位于对准系统ALG正下方的位置附近的区域(第二区域)，要进行对其晶片载台WST1’上的晶片(在图12晶片W1)的对准(EGA)等时，在以X轴干涉计151X3、Y轴干涉计151Y2各测长轴所规定的第一对准坐标系统上，进行晶片载台WST1’的XY平面内的位置管理。
再者，晶片载台WST2’位于对准系统ALG正下方的位置附近的区域(第二区域)，要进行对其晶片载台WST2’上的晶片(在图12晶片W2)的对准(EGA)等时，在以X轴干涉计151X4、Y轴干涉计151Y2各测长轴所规定的第二对准坐标系统上，进行晶片载台WST2’的XY平面内的位置管理。
其它的构成部分，是包含液体供排系统32在内构成为与前述的第一实施形态同样。
其次，依图12～图15B，说明本第二实施形态的曝光装置所进行的一连串的动作，包含对一晶片载台上的晶片的曝光动作，及对另一晶片载台上的晶片的对准动作等的并行处理动作。又，以下的动作中，由主控制装置20，按照位于投影光学系统PL正下方的第一区域的晶片载台的移动方向，如前述，进行液体供排系统32的液体供应装置5及液体回收装置6的各阀的开闭控制，在投影光学系统PL的前端透镜91正下方持续填满水。但是，以下，为了要使说明容易了解，省略液体供应装置5及液体回收装置6相关的说明。
又，在晶片载台WST1’与晶片载台WST2’的移动途中，存在来自X轴干涉计或Y轴干涉计的干涉计光束，不照射于移动镜，致使要以干涉计进行晶片载台的位置管理成为困难的区间。此情形的晶片载台位置，是由未图标的线性编码机(linear encorder)来管理，如上述若使用线性编码机来管理晶片载台的位置时，在来自所要的干涉计的干涉计光束会接触于移动镜的时点，由主控制装置20执行该干涉计的重置。但是，以下，为了要防止说明的烦杂化，关于使用线性编码机进行晶片载台的位置测量及干涉计的重置，则省略其说明。
在图12，表示：对载置于晶片载台WST1’上的晶片W1，与前述第一实施形态同样以步进扫描方式进行曝光，并行于此，在晶片载台WST2’侧，在对准系统ALG的下方的第二区域进行对晶片W2的对准的状态。
又，上述对晶片W1的曝光动作，主控制装置20，在前述第一曝光坐标系统上边管理晶片载台WST1’的位置，边由使前述的X轴线性发动机136X、一对Y轴线性发动机136Y1、136Y2驱动控制，移动晶片载台WST1’来进行。
在晶片载台WST1’侧对晶片W1以步进扫描方式执行曝光期间，在晶片载台WST2’侧，执行如下的动作。
即，先于上述晶片对准之前，在既定的装载位置，在未图标的晶片搬送机构与晶片载台WST2’之间进行晶片交换。
晶片交换后，主控制装置20，在前述的第二对准坐标系统上边管理晶片载台WST2’的XY面内的位置，边使用对准系统ALG执行包含检测样本标记(附设于晶片W2上的特定的多个样本照射区域)的位置资料的前述EGA，来算出晶片W2上的多个照射区域的第二对准坐标系统上的位置坐标。又，在图12，表示样本标记检测时的状态。又，主控制装置20，在检测样本标记的位置资料的前后，检测形成于晶片载台WST2’上的基准标记板FM2的第二基准标记的位置资料。并且，主控制装置20，将预先所求得的晶片W2上的多个照射区域的第二对准坐标系统上的位置坐标，转换为以第二基准标记的位置为原点的位置坐标。
又，上述晶片对准时等的晶片载台WST2’的移动，是由主控制装置20使前述的X轴线性发动机138X、一对Y轴线性发动机138Y1、138Y2驱动控制来进行。
对上述晶片载台WST2’上的晶片W2的晶片对准动作，与对晶片载台WST1’上的晶片W1的曝光动作，通常，是晶片对准动作先结束。因此，主控制装置20，晶片对准的结束后，通过X轴线性发动机138X、一对Y轴线性发动机138Y1、138Y2将晶片载台WST2’移动至图13A所示的既定待机位置，在其位置等待。
其后，对晶片载台WST1’上的晶片W1的曝光动作结束后，主控制装置20，则通过X轴线性发动机136X、一对Y轴线性发动机136Y1、136Y2使晶片载台WST1’移动至图13A所示的位置。又，对晶片W1的曝光结束位置，较佳者为设定于此图13A的位置附近。
将晶片载台WST1’移动至图13A所示的位置后，主控制装置20，通过X轴线性发动机138X及一对Y轴线性发动机138Y1、138Y2使晶片载台WST2’移动至图13B所示的既定待机位置。在晶片载台WST2’移动至图13B的位置的状态，晶片载台WST1’与晶片载台WST2’则与前述第一实施形态同样通过弹性密封构件呈接触状态。
其次，主控制装置20，控制X轴线性发动机136X、一对Y轴线性发动机136Y1、136Y2，并且X轴线性发动机138X及一对Y轴线性发动机138Y1、138Y2，使晶片载台WST1’与晶片载台WST2’同时朝+X方向移动。在图14A，表示：如上述两晶片载台WST1’、WST2’从图13B的状态同时朝+X方向移动，在包含晶片载台WST2’上的基准标记板FM2的区域与前端透镜91之间保持水的状态。
在图13B的状态，保持于投影单元PU的前端透镜91与晶片W1之间的水，则伴随晶片载台WST1’、WST2’朝+X侧移动，在晶片W1→晶片载台WST1’→晶片载台WST2’上依序移动。又，上述移动期间，晶片载台WST1’、WST2’则通过弹性密封构件93保持彼此接触的位置关系。
其次，主控制装置20，将用前述第一连接机构195的X可动件179与晶片载台WST1’的连接状态，及用前述第二连接机构196的X可动件178与晶片载台WST2’的连接状态，一起解除后，将X可动件179朝+Y方向，将X可动件178向-Y方向稍微驱动。在图14B，表示此X可动件179、178的驱动后状态。
又，在图14B的状态，晶片载台WST1’、WST2’，由设置于各底面(-Z侧的面)的未图标的气垫，浮起支撑于基盘12上。但是，不限于此，也可在晶片载台WST1’、WST2’侧或基盘12侧设置可伸缩的支持脚，在将晶片载台WST1’、WST2’与X可动件179、178的接触解除之前，由支持脚使晶片载台WST1’、WST2’稳定地支撑于基盘12上方。
其次，主控制装置20，通过Y轴线性发动机136Y1、136Y2、X轴线性发动机136X驱动X可动件179，移动至能连接于晶片载台WST2’的位置，并且，通过Y轴线性发动机138Y1、138Y2、X轴线性发动机138X驱动X可动件178，移动至能连接于晶片载台WST1’的位置。此时，各X可动件的位置，是由未图标的编码器来管理。
在图15A，表示：如上述，驱动X可动件179，移动至能连接于晶片载台WST2’的位置，驱动X可动件178，移动至能连接于晶片载台WST1’的位置的状态。其后，主控制装置20，通过第一连接机构195将晶片载台WST2’连接于X可动件179，并且通过第二连接机构196将晶片载台WST1’连接于X可动件178。又，也可不朝Y轴方向移动，而进行X可动件178、179朝X方向移动与晶片载台WST1’、WST2’的拆装。
如上述，在X可动件179连接于晶片载台WST2’，在X可动件178连接于晶片载台WST1’后，主控制装置20，在前述第二曝光坐标系统上边管理晶片载台WST2’的位置，边使用前述标线片对准系统RAa、RAb测量基准标记板FM2上的一对第一基准标记与标线片R上的一对标线片对准标记。并且，根据其测量结果与预先所进行的晶片对准的结果，将晶片载台WST2’移动至用以曝光于晶片W2上的第一次的照射区域的加速开始位置。然后，主控制装置20，在第二曝光坐标系统上边管理晶片载台WST2’的位置，边通过X轴线性发动机136X及一对Y轴线性发动机136Y1、136Y2，使晶片载台WST2’驱动控制，对晶片W2的步进扫描方式的曝光动作则与前述第一实施形态同样来进行。
另一方面，主控制装置20，通过Y轴线性发动机138Y1、138Y2，及X轴线性发动机138X，使晶片载台WST1’向装载位置移动。此移动中的晶片载台WST1’的位置，是在前述的第一对准坐标系统上管理。并且，在装载位置，对晶片载台WST1’上的已曝光完的晶片W1与下一个曝光对象的晶片进行交换后，主控制装置20，与上述同样对新晶片进行晶片对准动作。
并且，在晶片载台WST1’的晶片对准结束，且晶片载台WST2’的曝光动作结束的阶段，晶片载台WST1’与晶片载台WST2’则经过与上述的途径完全相反的途径，再度使其回至图12的状态。
如此，本第二实施形态的曝光装置，是将边进行晶片载台WST1’、WST2’的转换(switching)，边将对另一晶片载台上的晶片的曝光动作，与另一晶片载台上的晶片交换及晶片对准动作，以同时并行处理进行。
从以上的说明得知，在本第二实施形态，由晶片载台驱动部124A及主控制装置20构成载台驱动系统。又，由此载台驱动系统，与晶片载台WST1’、WST2’构成载台装置。又，由第一连接机构195、第二连接机构、Y轴线性发动机136Y1～136Y4、X轴线性发动机136X、138X及控制这些构件的主控制装置20构成转换装置。
如以上详细说明，依本第二实施形态的曝光装置及该曝光装置所具备的载台装置，并且该曝光装置所执行的晶片载台WST1’、WST2’的驱动方法，若要从一晶片载台WST1’(或WST2’)位于有液体供应的投影光学系统PL正下方的第一区域的第一状态迁移至另一晶片载台WST2’(或WST1’)位于第一区域的第二状态时，由载台驱动系统(20，124A)，晶片载台WST1’、WST2’在X轴方向(前述第一区域与对准系统ALG正下方的位置附近的第二区域排列的Y轴方向交叉的方向)通过弹性密封构件93维持呈接触状态，使晶片载台WST1’、WST2’同时朝X轴方向驱动。
因此，能将水(液体)以在投影光学系统PL与位于其正下方的特定的晶片载台(此晶片载台，伴随移动从一晶片载台转换为另一晶片载台)之间供应(保持)着的状态，不使液体从两晶片载台的间隙泄漏，而从一晶片载台WST1’(或WST2’)位于第一区域的第一状态迁移至另一晶片载台WST2’(或WST1’)位于第一区域的第二状态。即，在一晶片载台侧通过投影光学系统PL与水进行晶片的曝光动作后，至在另一晶片载台侧通过投影光学系统PL与水(液体)开始晶片的曝光动作为止期间，从一晶片载台与投影光学系统PL之间保持水的状态，至另一晶片载台与投影光学系统PL之间保持水的状态，不需要经过水的全回收，再供应等步骤，能使其迁移。因此，能缩短在一晶片载台侧的曝光动作结束至在另一晶片载台侧的曝光动作开始为止的时间(即，能维持于与非液浸曝光的通常的曝光装置(非液浸曝光装置)相同程度)，而能获得产能的提高。又，因在投影光学系统PL的像面侧水持续存在，由与前述第一实施形态同样的理由，能长期使投影光学系统PL的结像性能及多点焦点检测系统的检测精度良好维持。
又，由前述两个晶片载台WST1’、WST2’的并行处理动作，比起具备已知的单晶片载台的曝光装置(使用一个晶片载台，逐次执行晶片交换，晶片对准及曝光动作)，能获得产能的提高。
又，在本第二实施形态的曝光装置，由以液浸曝光，进行高解像度且比空气中大焦点深度的曝光，能使标线片R的图案精度良好地转印于晶片上。
又，在本第二实施形态，由与前述第一实施形态同样的理由，除了能防止从两晶片载台的间隙漏水外，进一步能减低晶片载台WST1’与晶片载台WST2’接触时的冲击。
又，在本第二实施形态，与前述第一实施形态同样，因在晶片载台WST1’的-X侧面及晶片载台WST2’的+X侧面未设置干涉计用的移动镜，故即使相对于X轴方向两晶片载台近接状态，因两晶片载台上的移动镜的反射镜彼此不会近接而向面对，故能将两晶片载台的位置由干涉计系统118A在两晶片载台同时驱动于X轴方向的期间中监视。又，也能防止水在移动镜的反射镜附着。
又，在本第二实施形态，虽在晶片载台WST1’、WST2’上分别配置三个移动镜，将干涉计配置六个，但移动镜及干涉计的配置并不限于上述第二实施形态的配置。例如，也可采用在两晶片载台分别配置两个移动镜，使用此等两个移动镜能测量两晶片载台的位置的干涉计配置。
又，在本第二实施形态，保持在前端透镜91下的水，虽从一载台上移动至另一载台上后，进行X可动件178、179的替换，但也可在水从一载台上移动至另一载台上前，进行X可动件178、179的替换。
第三实施形态：
其次，依图16～图18B说明本发明的第三实施形态。在此，对与前述第一实施形态同一或同等的部分，使用同一的符号，并且将其说明简化或省略。在此第三实施形态的曝光装置，仅晶片载台装置的构成等，是与第一实施形态不同，其它部分的构成等，则相同。因此，以下，为避免重复说明仅以相异处为中心说明。
本第三实施形态的晶片载台50”，如图16所示，与前述的构成第一实施形态的曝光装置的晶片载台装置50不同，具备：能载置晶片的晶片载台WST；及测量专用的测量载台MST。
所述晶片载台WST及测量载台MST，对应前述第一实施形态的晶片载台WST1及晶片载台WST2，由与第一实施形态同样的晶片载台驱动部(80～87)使其在二维面内驱动。
又，在投影光学系统PL(投影单元PU的镜筒)附近，仅设置一个对准系统ALG。又，投影单元PU与对准系统ALG，实际上，如图16所示呈内嵌状态。即，在比投影单元PU的下端部附近的其它部分形成小径的部分的外侧(前端透镜的周围部分)且投影单元PU的大径部的下方部分，将对准系统ALG的至少下端部定位。
在前述测量载台MST的上面，设置各种测量用构件。此测量用构件，例如，包含：基准标记板，将日本特开平5-21314号公报及对应于此的美国专利第5,243,195号等所揭示的多个基准标记形成；及感测器，通过投影光学系统PL将照明用光IL受光等。感测器，例如，能采用：照度监视器，具有既定面积的受光部，在日本特开平11-16816号公报及对应于此的美国专利申请公开第2002/0061469号说明书等所揭示的投影光学系统PL的像面上将照明用光IL受光；照度不均感测器，具有针孔状的受光部，在日本特开昭57-117238号公报及对应于此的美国专利第4,465,368号等所揭示的投影光学系统PL的像面上将照明用光IL受光；空间像测量器，测量图案的空间像(投影像)的光强度，由在日本特开2002-14005号公报及对应于此的美国专利申请公开第2002/0041377号说明书等所揭示的投影光学系统PL投影等。在本案所指定的指定国(或所选择的选择国)的国内法令所允许的范围，援用上述公报及对应于此的美国专利申请公开说明书或美国专利的揭示，作为本说明书的记载的一部分。又，载置于晶片载台WST上的测量用构件，不限于在此所列举者，视必要能载置各种测量用构件。
又，在本实施形态，对应进行液浸曝光(通过投影光学系统PL与水由曝光用光(照明用光)IL来曝光晶片)，在使用于用照明用光IL的测量的上述照度监视器、照度不均感测器、空间像测量器，通过投影光学系统PL与水将照明用光IL受光。又，各感测器，例如也可仅将光学系统等的一部分载置于测量载台MST，也可将感测器全体配置于测量载台MST。
又，在晶片载台WST，可载置测量用构件，也可不载置。
又，在本第三实施形态，与前述第一实施形态同样，在晶片载台WST的-X侧面与测量载台MST的+X侧面的至少一方，设置与图10的弹性密封构件93同样的弹性密封构件。
以下，对使用本第三实施形态所具备的晶片载台WST与测量载台MST的并行处理动作，依图16～图18B加以说明。又，在本第三实施形态的曝光装置，也设置与第一实施形态同样的干涉计系统，使晶片载台WST与测量载台MST的位置，与第一实施形态同样加以管理。以下的说明，为了要避免重复说明，省略关于干涉计系统的两载台位置管理的记载。又，以下的动作中，由主控制装置20，按照位于投影单元PU正下方的第一区域的载台的移动方向，如前述进行液体供排系统32的液体供应装置5及液体回收装置6的各阀的开闭控制，在投影光学系统PL的前端透镜91正下方持续填满水。但是，以下，为了要使说明容易了解，省略关于液体供应装置5及液体回收装置6的控制的说明。
在图16，表示与第一实施形态同样进行对晶片载台WST上的晶片W的步进扫描方式的曝光的状态。此时，测量载台MST，在既定的待机位置(不会与晶片载台WST冲突)等待。
并且，在晶片载台WST侧，例如1批(1批是25片或50片)晶片W的曝光结束的阶段，主控制装置20，使测量载台MST移动至图17A所示的位置。在此图17A的状态，测量载台MST与晶片载台WST，是通过前述弹性密封构件接触。
其次，主控制装置20，边保持测量载台MST晶片载台WST与测量载台MST的X轴方向的位置关系，边开始将两载台WST、MST同时朝+X方向驱动的动作。
如上述，由主控制装置20，使晶片载台WST、测量载台MST同时驱动后，在图17A的状态，保持于投影单元PU的前端透镜91与晶片W之间的水，则伴随晶片载台WST、测量载台MST朝+X侧移动，在晶片W→晶片载台WST→测量载台MST上依序移动。又，上述移动期间，晶片载台WST、测量载台MST则与图17A的状态同样通过弹性密封构件保持彼此接触的位置关系。在图17B，表示：在上述移动途中，水(液浸区域)同时跨越于晶片载台WST、测量载台MST而存在时的状态，即从晶片载台WST上将水待供应于测量载台MST上之前的状态。
从图17B的状态，进一步使晶片载台WST、测量载台MST朝+X方向同时驱动既定距离，则如图18A所示，形成测量载台MST与前端透镜91之间保持水的状态。
其次，主控制装置20，使晶片载台WST移动至既定的晶片交换位置并且进行晶片的交换，与此并行，按照需要执行使用测量载台MST的既定的测量。此测量，例如在标线片载台RST上的标线片交换后进行。对准系统ALG的基线测量，可作为一例。具体而言，主控制装置20，使用前述的标线片对准系统RAa、RAb同时检测与基准标记板FM上(设置于测量载台MST上)的一对第一基准标记对应的标线片上的标线片对准标记，来检测对应一对第一基准标记的标线片对准标记的位置关系。与此同时，主控制装置20，由以对准系统ALG检测上述基准标记板FM上的第二基准标记，来检测对准系统ALG的检测中心与第二基准标记的位置关系。并且，主控制装置20，根据对应上述一对第一基准标记的标线片对准标记的位置关系及对准系统ALG的检测中心与第二基准标记的位置关系，以及既知的一对第一基准标记与第二基准标记的位置关系，求得投影光学系统PL的标线片图案的投影中心(投影位置)与对准系统ALG的检测中心(检测位置)的距离。又，将此时的状态，表示于图18B。
又，测量上述对准系统ALG的基线，并且在标线片上将标线片对准标记复数对形成，对应于此在基准标记板FM上形成复数对第一基准标记，将至少二对的第一基准标记与所对应的标线片对准标记的相对位置，由边使标线片载台RST、测量载台MST移动，边使用标线片对准系统RAa、RAb测量，进行标线片对准。
在此情形，使用标线片对准系统RAa、RAb的标记的检测，是通过投影光学系统PL及水来进行。
接着，在上述两载台WST、MST上的作业结束的阶段，主控制装置20，例如将测量载台MST与晶片载台WST，维持着通过弹性密封构件使其呈接触状态，在XY面内驱动，与前述同样对交换后的晶片W进行晶片对准，即使用对准系统ALG进行交换后的晶片W上的对准标记的检测，而算出晶片W上的多个照射区域的位置坐标。
其后，主控制装置20，与前述者相反，边保持晶片载台WST与测量载台MST的位置关系，边使两载台WST、MST朝-X方向同时驱动，使晶片载台WST(晶片W)移动至投影光学系统PL的下方后，即液浸区域从测量载台MST移动至晶片载台WST(晶片W)上后，使测量载台MST退避至既定位置。
其后，主控制装置20，对晶片W执行步进扫描方式的曝光动作，将标线片图案依序转印于晶片W上的多个照射区域。又，为了晶片W上的各照射区域的曝光，晶片载台WST移动至加速开始位置，是根据上述晶片对准的结果所得的晶片W上的多个照射区域的位置坐标，与之前所测量的基线来进行。
又，在上述说明，测量动作，虽对要进行基线测量的情形说明，但不限于此，也可使用测量载台MST，将照度测量、照度不均测量、空间像测量等，例如与晶片交换一起进行，使用其测量结果，反应于其后要进行的晶片W的曝光。又，载置于测量载台MST的感测器，不限于上述，也可设置例如进行波面测量的感测器。
又，在上述第三实施形态，虽说明对1批的晶片W的曝光结束时，使晶片载台WST与测量载台MST接触而移动，使在投影光学系统PL与测量载台MST之间保持水，但是较佳的为每于各晶片交换，进行上述动作，使在投影光学系统PL与测量载台MST之间保持水，则不必多言。又，基线等的测量，如前述，也可每于1批的曝光结束时进行，也可每于晶片交换，或既定片数的晶片的曝光结束后进行。
如从上述说明可知，在本第三实施形态，与第一实施形态同样，由晶片载台驱动部(80～87)构成载台驱动系统的至少一部分。又，由载台驱动系统与晶片载台WST与测量载台MST构成载台装置的至少一部分。
如以上所说明，依本第三实施形态的曝光装置及该曝光装置所具备的载台装置，从晶片载台WST(或测量载台MST)，位于有液体(水)供应的投影光学系统PL正下方的第一区域的第一状态迁移至测量载台MST(或晶片载台WST)位于第一区域的第二状态时，由上述载台驱动系统，维持两载台于X轴方向通过弹性密封构件呈接触状态，使晶片载台WST、测量载台MST朝X轴方向同时驱动。因此，以在投影光学系统PL与位于其正下方的特定载台(此载台，伴随移动，从一载台转换为另一载台)之间供应着水(液体)的状态，不会从两载台的间隙使液体泄漏，使能从一载台位于第一区域的第一状态迁移至另一载台位于第一区域的第二状态。即，在晶片载台WST侧通过投影光学系统PL与水(液体)进行曝光动作后，至在测量载台MST在投影光学系统PL正下方开始测量为止期间，从一晶片载台WST与投影光学系统PL之间保持水的状态至测量载台MST与投影光学系统PL之间保持水的状态，不需要经过水的全回收，再供应等步骤，能使其迁移。又，对使用测量载台MST的测量结束后，至使用晶片载台WST的曝光开始为止，也相同。
因此，将从晶片载台WST侧的曝光动作结束至测量载台MST侧的测量动作开始的时间，及从测量载台MST侧的测量结束，至晶片载台WST侧的曝光动作开始的时间缩短(即，维持于与非液浸曝光的通常的曝光装置(非液浸曝光装置)相同程度)，能获得产能的提高。又，在投影光学系统PL的像面侧，因持续存在水(液体)，故能有效地防止前述的水纹(水痕)产生。
又，由液浸曝光，进行高解像度且比空气中大焦点深度的曝光，能使标线片R的图案精度良好地转印于晶片上，例如当作元件规格能实现70～100nm程度的微细图案的转印。
又，因能每于晶片的交换等，使用载置于测量载台MST的测量用构件进行各种测量，使测量结果反应于其后的曝光动作，故能以持续调整为高精度的状态进行晶片的曝光。
又，若使用测量载台MST所进行的测量动作是不使用照明用光IL，也能将测量载台MST侧的测量动作，与晶片载台WST侧的晶片W的曝光动作一起进行。
又，在上述第三实施形态，虽以将测量载台MST与晶片载台WST通过弹性密封构件呈接触状态进行晶片对准，但也可在要进行晶片对准之前，以使两个载台呈接触状态，将晶片载台WST移动至投影光学系统PL(及对准系统ALG)的下方，使测量载台MST退避后，进行晶片对准。
又，在上述第三实施形态，虽能使基准标记板FM上的第一基准标记与第二基准标记同时测量，但也可测量第一基准标记与第二基准标记的一方后，以在测量载台MST上保持水的状态移动来测量另一方。
又，上述第一～第三实施形态所使用的弹性密封构件，如图19A所示，也可采用弹性密封构件93’，在一载台(在此，是载台WST2(WST2’、MST))的+X侧面形成截面大致梯形状的槽49，在该槽49以埋入状态装配。如此构成，也能获得与上述各实施形态同样的效果。对此图19A所示的构成，也可不仅在一载台，而在双方的载台设置。
又，如图19B所示，也可在一载台(在此，是载台WST1(WST1’、WST))的+Z面形成截面大致梯形状的槽49’，在该槽49’将弹性密封构件93”以埋入状态装配，在另一载台(在此，是载台WST2(WST2’、MST))上面的+X侧端部设置平板94。在此情形，在两载台呈近接状态，由平板94接触于弹性密封构件93”，如图19B所示，能使水不会从两载台间泄漏。
又，如图19C所示，也可由在两载台所对向的各侧面例如由铁氟龙(登录商标)等施加拨水被膜95，以在两载台的间隙防止水的渗入及漏水。藉此，因两载台间能维持非接触状态，故不会引起两载台的近接所造成的载台变形或位置控制精度恶化等之虞。
又，在上述第一～第三实施形态，虽设置弹性密封构件，但也可不必设置弹性密封构件及其它抑制漏水的抑制构件。在此情形，也可在从一载台位于投影光学系统PU正下方的状态迁移至另一载台位于投影光学系统PU正下方的状态的期间，使两载台直接接触。又，虽由两载台的材质、两载台的表面状态或形状、液体的种类等而定，但即使在迁移时两载台近接状态(例如两载台的间隔是2mm以下)，若由液体的表面张力不使液体泄漏，则也可不施加拨水被膜。主要是要维持不使液体从两载台间泄漏的位置关系，来使两载台迁移即可。
又，迁移时在两载台间水(液体)的泄漏，若泄漏量微少，因有时候也有被容许的情形，故迁移时的两载台的间隔，不仅要考虑载台的材质或载台的表面状态或形状、液体的种类，也可考虑容许泄漏量来决定。
又，在上述第一～第三实施形态，虽在两个载台的接触面未形成移动镜的反射面，但此不是必须要件，只要能防止水从两个载台泄漏，也可在至少一载台的接触面形成移动镜的反射面。这种实施形态，例如能考虑如下的第四实施形态。
第四实施形态：
其次，依图20～图23B说明本发明的第四实施形态。在此，对与前述第三实施形态相同或同等的部分，使用相同的符号，并且将其说明简化或省略。在此第四实施形态的曝光装置，仅晶片载台装置的构成(包含干涉计的配置)，与前述第三实施形态一部分不同，其它部分的构成等，则与第三实施形态的装置相同。因此，以下，为了要避免重复说明，仅以相异处为中心说明。
本第四实施形态的晶片载台装置150，如图20所示，具备：晶片载台WST’，能载置晶片；测量专用的测量载台MST’；及干涉计系统，包含六个激光干涉计(以下，简称“干涉计”)IF1～IF6。
前述晶片载台WST’，虽下述两点是与前述第三实施形态的晶片载台WST不同，即，第一点，如图21所示，将其-X侧(测量载台MST’对向的侧)的上端部一部分形成为比其它部分突出的板状的凸缘部111a，及第二点，在其+X侧端面Se及+Y侧端面Sd设置镜面加工所形成的反射面，来替代前述的移动镜，但是其它部分，则构成为与晶片载台WST相同。又，此晶片载台WST’的上面，以载置晶片W的状态，包含晶片W表面及凸缘部111a，全面是大致同一平面(同一面)。
前述测量载台MST’，虽下述两点是与前述第三实施形态的测量载台MST不同，即，第一点，如图21所示，在其+X侧(与晶片载台WST’对向的侧)设置突部111c，将隔着既定间隙卡合于前述凸缘部111a的段部111b设于其上端部；及第二点，在其-X侧端面Sa、+Y侧端面Sb、及+X侧的端面(突部111c的+X侧的端面)Sc，设置镜面加工所形成的反射面，来替代前述的移动镜；但是其它部分，则构成为与测量载台MST相同。在此情形，如图21所示，在晶片载台WST’的凸缘部111a与测量载台MST’的段部111b卡合的状态，使晶片载台WST’的上面与测量载台MST’的上面全体能形成全平面。
本实施形态的晶片载台WST’及测量载台MST’，与前述的第三实施形态的晶片载台WST及测量载台MST同样，由晶片载台驱动部(80～87)使其在二维面内驱动。
前述干涉计系统，如图20所示，具有：三个Y轴干涉计IF3、IF4、IF2，分别具有分别通过投影光学系统PL的投影中心(光轴AX)，对准系统ALG的各检测中心，及从投影光学系统PL的投影中心离既定距离于-X方向的位置且平行于Y轴方向的测长轴；两个干涉计IF1、IF5，分别具有连结投影光学系统PL的投影中心(光轴AX)及对准系统ALG的检测中心且平行于X轴的测长轴；及干涉计IF6，具有与通过从投影光学系统PL的投影中心起于-Y方向离既定距离位置的X轴方向平行的测长轴。
在此，晶片载台WST’位于投影光学系统PL的光轴正下方的位置附近的区域(第一区域)，对其晶片载台WST’上的晶片进行曝光时，由X轴干涉计IF5、Y轴干涉计IF3来管理晶片载台WST’的位置。以下，将由X轴干涉计IF5、Y轴干涉计IF3的各测长轴所规定的坐标系统称为曝光坐标系统。
又，晶片载台WST’位于对准系统ALG的检测中心正下方的位置附近的区域(第二区域)，要进行形成于其晶片载台WST’上的晶片的对准标记的检测，例如晶片对准等时，由X轴干涉计IF5、Y轴干涉计IF4来管理晶片载台WST’的位置。以下，将由X轴干涉计IF5、Y轴干涉计IF4的各测长轴所规定的坐标系统称为对准坐标系统。
又，测量载台MST’，位于如图20所示的待机位置附近的区域时，由X轴干涉计IF1、Y轴干涉计IF2来管理测量载台MST’的位置。以下，将由X轴干涉计IF1、Y轴干涉计IF2的各测长轴所规定的坐标系统称为等待坐标系统。
X轴干涉计IF6，在晶片曝光结束后的晶片交换等时，测量相对于晶片载台WST’的X轴方向的位置。
如从上述说明可知，在本实施形态，X轴干涉计IF5、IF1，是具有相对于X轴方向及Z轴方向离开的至少三支光轴的多轴干涉计，各光轴的输出值能独立测量。因此，在所述X轴干涉计IF5、IF1，除了晶片载台WST’、测量载台MST’的X轴方向的位置测量以外，也能测量Y轴周围的旋转量(横摇量)及Z轴周围的旋转量(偏摇量)。又，X轴干涉计IF6，也可多轴干涉计，也可光轴一支的干涉计。
又，上述Y轴干涉计IF2、IF3、IF4，是具有相对于Z轴方向离开的各二支光轴的二轴干涉计，各光轴的输出值能独立测量。因此，在所述Y轴干涉计IF2、IF3、IF4，除了晶片载台WST’或测量载台MST’的Y轴方向的位置测量以外，也能测量X轴周围的旋转量(俯仰量)。
以下，对使用本第四实施形态的曝光装置所具备的晶片载台WST’与测量载台MST’的并行处理动作，依图20～图23B加以说明。又，以下的动作中，由主控制装置20，按照位于投影单元PU正下方的第一区域的载台的移动方向，如前述，进行液体供排系统32的液体供应装置5及液体回收装置6的各阀的开闭控制，在投影光学系统PL的前端透镜91正下方持续填满水。但是，以下，为了要使说明容易了解，省略液体供应装置5及液体回收装置6相关的说明。
在图20，表示将对晶片载台WST’上的晶片W的步进扫描方式的曝光，与前述的第一实施形态同样进行的状态。此时，测量载台MST’，在不与晶片载台WST’冲突的既定的待机位置等待。在此情形，主控制装置20，将测量载台MST’的位置在前述的等待坐标系统上管理，将晶片载台WST’的位置在前述的曝光坐标系统上管理。
并且，在晶片载台WST’侧，在例如对1批(1批是25片或50片)的晶片W的曝光结束的阶段，主控制装置20，使测量载台MST’移动至图22A所示的位置。在此图22A的状态，测量载台MST’与晶片载台WST’，如图21所示成为设置于晶片载台WST’的凸缘部111a的-X侧端面与测量载台MST’的段部111b的-X侧面近接(或接触)的状态。
在此，因将晶片载台WST’侧的凸缘部111a的X轴方向的宽度尺寸，比测量载台MST’侧的段部111b的X轴方向的宽度尺寸设为大，故能防止使测量载台MST’的镜面加工端面(反射面)Sc与除晶片载台WST’的凸缘部111a外的-X侧端面(-X侧端面的凸缘部111a下方的部分)接触。
其次，主控制装置20，边保持晶片载台WST’与测量载台MST’的X轴方向的位置关系，边开始使两载台同时驱动于+X方向的动作。
如上述，若由主控制装置20，使晶片载台WST’、测量载台MST’同时驱动，在图22A的状态，保持于投影单元PU的前端透镜91与晶片W之间的水，则伴随晶片载台WST’、测量载台MST’的+X侧移动，在晶片W→晶片载台WST’→测量载台MST’上依序移动。又，上述的移动期间中，晶片载台WST’与测量载台MST’保持如图21所示的位置关系。在图22B，表示在上述的移动中途水(液浸区域)同时跨越存在于晶片载台WST’、测量载台MST’上时的状态，即表示从晶片载台WST’上将水供应于测量载台MST’上之前的状态。也在此状态晶片载台WST’与测量载台MST’是保持如图21所示的位置关系。在图21的状态，因晶片载台WST’的凸缘部111a的边缘与对向凸缘部111a的测量载台MST’的上面的边缘的间隙是维持于0.3mm以下，故即使水移动于其间隙上，能防止水渗入其间隙。在此情形，由将凸缘部111a的上面与测量载台MST’的上面分别形成为拨水性(与水的接触角度是80°以上)，能更确实防止水渗入其间隙。又，在此移动中，来自干涉计IF2的干涉计光束虽不照射至测量载台MST’的端面Sb，但因与此大约同时(其前或后)干涉计IF3的干涉计光束会照射至测量载台MST’的端面Sb，故在其时点由主控制装置20执行干涉计IF3的重置。
若从图22B的状态，进一步将晶片载台WST’、测量载台MST’同时朝+X方向既定距离驱动，如图23A所示，成为在测量载台MST’与前端透镜91之间保持水的状态。
其次，主控制装置20，与使晶片载台WST’驱动于+X方向及-Y方向并行，使测量载台MST’朝+X方向及+Y方向驱动。在此驱动期间，因在晶片载台WST’的端面Se，不再照射来自干涉计IF5的干涉计光束，而使干涉计IF6的干涉计光束照射，故主控制装置20，以两干涉计光束照射的状态，使用干涉计IF5的测量值，使干涉计IF6重置。另一方面，因来自干涉计IF4的干涉计光束会照射至测量载台MST’的端面Sb，故主控制装置20，在两干涉计光束照射的任一时点，使用干涉计IF3的测量值，使干涉计IF4重置。又，因在测量载台MST’的端面Sc，会照射来自干涉计IF5的干涉计光束，故主控制装置20，则执行干涉计IF5的重置(或考虑干涉计IF1的测量值的重置)。
如上述，形成如图23B所示的两载台的配置，即，晶片载台WST’位于既定的晶片交换位置，并且测量载台MST’位于投影光学系统PL正下方。又，在晶片载台WST’，若干涉计IF4的干涉计光束不照射，由干涉计系统，虽不能测量Y轴方向的位置，但可由未图标的线性编码器等来管理晶片载台WST’的Y位置。或也可追加晶片载台WST’还在晶片交换位置时能测量晶片载台WST’的Y轴方向的位置的干涉计。在图23B所示的状态，在晶片载台WST’侧进行晶片交换，与此并行，在测量载台MST’侧按照必要执行既定的测量。此测量，例如在标线片载台RST的标线片交换后将对准系统ALG的基线测量，与上述第三实施形态同样执行。在此情形，测量载台MST’的X轴方向的位置，比干涉计IF1较佳者为使用干涉计IF5来测量。由在晶片W的曝光中使用测量测量载台MST’的X轴方向的位置的干涉计IF5，边测量测量载台MST’的位置，边进行基线测量，能以高精度执行根据其基线(量)的晶片W的对准(定位)。
又，与上述第三实施形态同样，与上述对准系统ALG的基线测量一起，进行前述的标线片对准。
并且，在上述的两载台WST’、MST’上的作业结束的阶段，主控制装置20，例如将测量载台MST’与晶片载台WST’，恢复为图23A的状态，边维持使晶片载台WST’与测量载台MST’近接(或接触)的状态，边在XY面内驱动，与前述同样对交换后的晶片W进行晶片对准，即使用对准系统ALG进行交换后的晶片W上的对准标记的检测，来算出晶片W上的多个照射区域的位置坐标。又，此晶片对准时的晶片载台WST’的位置管理，则在前述的对准坐标系统上管理。
其后，主控制装置20，边保持晶片载台WST’与测量载台MST’的X轴方向的位置关系，边与前述者相反，将两载台WST’、MST’向-X方向同时驱动，而使晶片载台WST’(晶片W)移动至投影光学系统PL的下方后，将测量载台MST’退避至既定位置。在此期间，也以与前述者相反的步骤进行干涉计系统的干涉计的重置等。
其后，主控制装置20，与上述各实施形态同样，对晶片W执行步进扫描方式的曝光动作，将标线片图案依序转印于晶片W上的多个照射区域。
又，在上述说明，测量动作，虽对进行基线测量的情形说明，但不限于此，与上述第三实施形态同样，也可进行照度测量、照度不均测量、空间像计测量等。又与上述第三实施形态同样，不限于1批的曝光结束后，每于既定片数(例如1片)的晶片交换，也能按照必要执行各种的测量。又，也可在测量载台MST’载置波面像差测量装置，使其测量动作，来测量投影光学系统PL的波面像差。或，也可在测量载台MST’设置观察摄影机，来检查形成于投影光学系统PL的像面侧的液浸区域的状态。
又，使用对准系统ALG进行交换后的晶片W的对准标记的检测，不一定需要使晶片载台WST’与测量载台MST’边保持既定的近接状态边执行，也可在两载台离开后开始对准标记的检测，也可以两载台近接状态进行一部分的对准标记的检测后，使两载台离开，来进行剩余的对准标记的检测。
如以上所说明，依本第四实施形态，与第三实施形态同样，晶片载台WST’(或测量载台MST’)，从位于供应液体(水)的投影光学系统PL正下方的第一区域的第一状态迁移至测量载台MST’位于第一区域的第二状态时，由载台驱动系统(包含晶片载台驱动部(80～87)来构成)，使晶片载台WST’侧的凸缘部111sa与测量载台MST’的段部111b成为卡合状态，由晶片载台WST’的上面与测量载台MST’的上面能实现全平面。因此，在投影光学系统PL与其正下方的至少一载台(此载台，伴随移动从一载台转换为另一载台)之间以保持水(液体)的状态，不会从两载台的间隙使液体泄漏，能从一载台位于第一区域的第一状态迁移至另一载台位于第一区域的第二状态。即，在晶片载台WST’侧进行通过投影光学系统PL与水(液体)的曝光动作后，至在测量载台MST’侧开始在投影光学系统PL正下方的测量为止期间，从晶片载台WST’与投影光学系统PL之间保持水的状态至在测量载台MST’与投影光学系统PL之间保持水的状态，不需要经过水的全回收，再供应等步骤，能使其迁移。又，使用测量载台MST’的测量结束后，至使用晶片载台WST’开始曝光为止期间也同样。
因此，能使从晶片载台WST’侧的曝光动作结束至测量载台MST’的测量动作开始为止的时间，及从测量载台MST’侧的测量结束至晶片载台WST’侧的曝光动作开始为止的时间缩短(即，维持于与非液浸曝光的通常的曝光装置(非液浸曝光装置)相同程度)，能获得产能的提高。又，因在投影光学系统PL的像面侧，水(液体)持续存在，故能有效地防止前述的水纹(水痕)的产生。
又，在本第四实施形态，因在晶片载台WST’设置凸缘部111a，将与此卡合的段部111b设置于测量载台MST’，故即使在两载台所对向侧的投影光学系统PL的端面Sc设置反射面，不会产生障碍，能从晶片载台WST’与投影光学系统PL之间保持水的状态迁移至投影光学系统PL与测量载台MST’之间保持水的状态(或其相反)。
又，由液浸曝光，进行高解像度且比空气中大焦点深度的曝光，能将标线片R的图案精度良好地转印于晶片上，例如当作元件规格能实现70～100nm程度的微细图案的转印。
又，在上述第四实施形态，虽对在晶片载台WST’侧设置凸缘部111a，在测量载台MST’侧设置具有段部111b的突部111c的情形说明，但本发明并不限于此，也可在晶片载台WST’设置具有段部的突部，在测量载台MST’侧设置凸缘部。又，在上述第四实施形态，虽对测量载台MST’的+X侧的端部以形成段部111b于上端部的单一的突部形成的情形，加以说明，但是，此是由于需要使其突部111c的+X侧的端面Sc形成反射面而构成，不一定要构成如此。例如，若不需要形成反射面，相当于突部111b的部分，则可在上端部形成隔着既定间隙卡合于凸缘部111a的段部，其它部分也可任何形状。同样，晶片载台WST’侧只要在上端部设置凸缘部111a，其它部分的形状，也可为任何形状。
又，在上述第四实施形态，虽将凸缘部111a一体形成于晶片载台WST’，但也可以从晶片载台WST’本体能装卸的板构件来形成凸缘部111a。
又，也可采用设置弹性密封构件的构成，以凸缘部111a与段部111b卡合的状态，使在凸缘部111a与段部111b之间介有弹性密封构件。即，例如，由在凸缘部111a的-X侧端部设置弹性密封构件，能完全防止晶片载台WST’与测量载台MST’之间的漏水。又，由设置弹性密封构件，即使在晶片载台WST’与测量载台MST’会接触的情形，能减低其冲击。当然，也可将弹性密封构件设置于测量载台MST’侧，替代弹性密封构件，也可在晶片载台WST’与测量载台MST’的至少一两载台对向的位置，施加拨水被膜。
又，在上述第四实施形态的载台的一方设置凸缘部，在另一方设置段部的概念，不仅两载台是测量载台与晶片载台的情形，在两载台均是晶片载台的情形，也能采用。
即，例如，要采用如上述第一实施形态(参照图2)或第二实施形态(参照图12)的载台装置的构成的情形，因晶片载台WST1与晶片载台WST2相对于X轴方向的位置关系不变，故如图24所示，能采用在一晶片载台的X轴方向一侧具备凸缘部111a，在另一晶片载台的X轴方向另一侧具备将段部111b形成于其上端部的突部111c的构成。
又，例如，如图25A所示，若采用晶片载台WST1”、WST2”相对于X轴方向的位置关系会变更的载台装置时，如图25B所示，需要采用使各晶片载台WST1”、WST2”，具备凸缘部与具有段部的突部的构成。由采用如上述的构成，即使晶片载台WST1”位于-X侧，晶片载台WST2”位于+X侧的情形，或晶片载台WST1”位于+X侧，晶片载台WST2”位于-X侧的情形，与前述第四实施形态同样，以防止漏水的状态，能从一晶片载台上水接触状态，迁移至另一晶片载台上水接触状态。
又，在上述各实施形态，保持于前端透镜91下的水，从一载台上移动至另一载台上时，也可在前端透镜91下保持着水，使水的供应与回收停止。特别，在由水的供应水的压力会升高的情形，因从两个载台的间隙容易漏水，故较佳者为停止水的供应与回收。
又，在上述各实施形态，虽液体是使用超纯水(水)，但本发明当然并不限于此。液体，也可使用化学性稳定、照明用光IL的透过率高、安全的液体，例如使用氟系惰性液体。此氟系惰性液体，例如能使用Fluorinert(美国3M公司的商品名称)。此氟系惰性液体，对冷却效果也良好。又，液体，也能使用对照明用光IL有透过性且折射率尽量高，又，对投影光学系统或涂布于晶片表面的光刻胶稳定(例如，洋杉油)。又，若使用F2激光作为光源时，液体能使用氟系液体(例如，丰布尔油(Fomblin oil))。
又，在上述各实施形态，也可将所回收的液体再利用，在此情形，较佳者为将用以从所回收的液体去除杂质的过滤器设置于液体回收装置或回收管等。
又，在上述实施形态，虽投影光学系统PL的最像面侧的光学元件是前端透镜91，但该光学元件不限于透镜，也可为光学板(平行平面板等)，用以调整投影光学系统PL的光学特性，例如像差(球面像差、彗形像差)的调整，也可简单的盖玻璃。投影光学系统PL的最像面侧的光学元件(在上述实施形态是前端透镜91)，起因于由照明用光IL的照射从光刻胶所产生的飞散粒子或液体中的杂质的附着等，会与液体(在上述实施形态是水)接触，使其表面污染。因此，其光学元件，也可装卸(交换)自如地固定于镜筒40的最下部，定期交换。
如上述的情形，若接触于液体的光学元件是透镜，其交换构件的成本昂贵，且交换所需的时间变长，会导致维护成本(运转成本)的上升或产能的降低。因此，接触于液体的光学元件，也可使用例如比前端透镜91廉价的平行平面板。
又，在上述各实施形态，使液体流动的范围可设为使覆盖标线片的图案像的投影区域(照明用光IL的照射区域)全域，其大小虽可任意，但，为了要控制流速、流量，较佳者为比照射区域稍微小，使其范围尽量缩小。
又，在上述各实施形态，虽对将本发明适用于步进扫描方式等的扫描型曝光装置的情形说明，但本发明的适用范围当然不限于此。即，也能合适地适用于步进重复方式的缩小投影曝光装置。
曝光装置的用途并不限于半导体制造用的曝光装置，例如，能广泛地适用于用以将液晶显示元件图案转印于方型的玻璃板的液晶用曝光装置，或用以制造有机EL、薄膜磁头、摄影元件(CCD等)、微型机器、及DNA芯片等的曝光装置。又，不仅是半导体元件等的微元件，供制造光曝光装置、EUV曝光装置、X线曝光装置、及电子曝光装置等所使用的标线片或掩膜，在玻璃基板或硅晶片等转印电路图案的曝光装置，也能适用本发明。
又，在上述各实施形态的曝光装置的光源，不限于ArF准分子激光源，也能使用KrF准分子激光源、F2激光源等的脉冲激光源，或发出g线(波长436nm)、i线(波长365nm)等光线超压水银灯等。
又，将DFB半导体激光或光纤激光所振荡的红外域，或可视域的单一波长激光，例如以掺杂铒(或铒与钇双方)的光纤放大器放大，而使用非线性光学结晶波长转换为紫外光的高谐波也可。又，投影光学系统的倍率，不仅是缩小系统，也可为等倍及放大系统的任一种。
元件制造方法：
其次，对将上述实施形态的曝光装置在光刻步骤使用的元件制造方法的实施形态，加以说明。
在图26，表示元件(IC或LSI等半导体芯片、液晶面板、CCD、薄膜磁头、微型机器等)的制造例的流程图。如图26所示，首先，在步骤201(设计步骤)，进行元件的机能、性能设计(例如，半导体元件的电路设计等)，进行用以实现该机能的图案设计。接着，在步骤202(掩膜制作步骤)，制作形成有所设计的电路图案的掩膜。另一方面，在步骤203(晶片制造步骤)，使用硅等材料制造晶片。
其次，在步骤204(晶片处理步骤)，使用在步骤201～步骤203所准备的掩膜与晶片，如后述，由光刻技术等在晶片上形成实际的电路等。其次，在步骤205(元件组装步骤)，使用在步骤204所处理的晶片进行元件组装。在此步骤205，按照需要，包含切割步骤、接合步骤、及封装步骤(芯片封入)等步骤。
最后，在步骤206(检查步骤)，进行在步骤205所制作的元件的动作确认测试、耐久测试等的检查。经过如上述的步骤后，元件则完成而出货。
在图27，表示半导体元件的上述步骤204的详细流程例。在图27，在步骤211(氧化步骤)使晶片的表面氧化。在步骤212(CVD步骤)在晶片表面形成绝缘膜。在步骤213(电极形成步骤)在晶片上以蒸镀形成电极。在步骤214(离子植入步骤)在晶片植入离子。以上的步骤211～步骤214，分别构成晶片处理的各阶段之前处理步骤，按照各阶段所需要的处理选择来执行。
在晶片处理的各阶段，上述之前处理步骤结束后，执行后处理步骤如下。在此后处理步骤，首先，在步骤215(光刻胶形成步骤)，在晶片涂布感光剂。接着，在步骤216(曝光步骤)，由如上所说明的曝光装置将掩膜的电路图案转印于晶片。其次，在步骤217(显影步骤)，使所曝光的晶片显影，在步骤218(蚀刻步骤)，将光刻胶所残留的部分以外的部分的露出构件以蚀刻去除。并且，在步骤219(光刻胶去除步骤)，去除已完成蚀刻而变成不要的光刻胶。
由重复进行此等前处理步骤与后处理步骤，能在晶片上形成多层的电路图案。
使用以上所说明的本实施形态的元件制造方法，由在曝光步骤(步骤216)使用上述各实施形态的曝光装置以能量光束(照明用光IL)使晶片(基板)曝光，因在晶片上形成元件图案，故能长期间实现高产能且高精度的曝光。因此，能提高形成微细图案的高积体度的微元件的生产性。
如以上说明，本发明的载台驱动装置，适于驱动第一载台与第二载台。又，本发明的曝光装置，适于在投影光学系统与基板之间供应液体，通过投影光学系统与液体由能量光束使前述基板曝光。又，本发明的元件制造方法，适于微元件的生产。

Claims (44)

1.一种曝光装置，是透过投影光学系统与液体，使基板曝光，其特征在于具备：
第一、第二载台，能分别独立移动；
标记检测系统，配置成从该投影光学系统而分离于第一方向，以检测该基板的标记；及
驱动系统，是以边在其与该投影光学系统之间保持该液体，边从该第一、第二载台之一方与该投影光学系统相对向的第一状态迁移至该第一、第二载台之另一方与该投影光学系统相对向的第二状态的方式，将该第一、第二载台驱动于与该第一方向交叉的第二方向。
2.如权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，该第一载台是能载置基板，该基板是被进行扫描曝光，该驱动系统是于该扫描曝光时将该第一载台驱动于该第一方向。
3.一种曝光装置，是透过投影光学系统与液体，使基板曝光，其特征在于具备：
第一、第二载台，能分别独立移动；及
驱动系统，为使该基板扫描曝光，将载置该基板的该第一载台驱动于第一方向，且以边在其与该投影光学系统之间边保持该液体，边从该第一、第二载台之一方与该投影光学系统相对向的第一状态迁移至该第一、第二载台之另一方与该投影光学系统相对向的第二状态的方式，将该第一、第二载台驱动于与该第一方向交叉的第二方向。
4.如权利要求3所述的曝光装置，其特征在于，该第一、第二载台，是分别能在包含该投影光学系统所配置的第一区域、及相对于该第一区域而位于该第一方向之一侧的第二区域的既定区域内移动。
5.一种曝光装置，是透过投影光学系统与液体，使基板曝光，其特征在于具备：
第一、第二载台，能在包含该投影光学系统所配置的第一区域、及相对于该第一区域而位于第一方向的一侧的第二区域的既定区域内，分别独立移动；及
驱动系统，是以边在其与该投影光学系统之间保持该液体，边从该第一、第二载台之一方与该投影光学系统相对向的第一状态迁移至该第一、第二载台之另一方与该投影光学系统相对向的第二状态的方式，将该第一、第二载台驱动于与该第一方向交叉的第二方向。
6.如权利要求4或5所述的曝光装置，其特征在于，所述装置还包括标记检测系统，配置于该第二区域，以检测该基板的标记。
7.如权利要求1至6任意一项所述的曝光装置，其特征在于，该第一、第二载台，分别具有基板的载置区域、及其表面为与载置于该载置区域的基板表面大致相同高度的该载置区域的周围区域。
8.如权利要求7所述的曝光装置，其特征在于，该第一、第二载台，分别具有其表面为与该周围区域的表面大致相同高度的基准标记构件。
9.如权利要求1、2或6所述的曝光装置，其特征在于，在该迁移动作中，于该一载台载置曝光后的基板，而于该另一载台载置藉由该标记检测系统所进行的标记检测后的基板。
10.如权利要求9所述的曝光装置，其特征在于，该一载台所载置的基板的曝光动作，与该另一载台所载置的基板的标记检测动作并行，且该一载台所载置的基板与该另一载台所载置的基板是交替进行曝光处理。
11.如权利要求7至10任意一项所述的曝光装置，其特征在于，在复数个基板之曝光动作中，该第一、第二载台之至少一方是持续透过该液体而与该投影光学系统相对向。
12.如权利要求1至11任意一项所述的曝光装置，其特征在于，在该迁移动作中，该第一、第二载台是边维持其位置关系边被同时驱动。
13.如权利要求12所述的曝光装置，其特征在于，该第一、第二载台是以接触或近接的方式，使该另一载台接近该一载台。
14.一种组件制造方法，其特征在于：是包含使用如权利要求1至13任意一项所述的曝光装置，以能量光束使基板曝光的微影步骤。
15.一种曝光方法，是透过投影光学系统与液体，使基板曝光，其特征在于所述方法包含：
藉由能分别独立移动的第一、第二载台之一方，在其与该投影光学系统之间保持该液体；
藉由配置成从该投影光学系统而分离于第一方向的标记检测系统，检测在该第一、第二载台的另一方所载置的基板的标记；及
以边在与该投影光学系统之间保持该液体，边从该一载台与该投影光学系统相对向的第一状态迁移至该另一载台与该投影光学系统相对向的第二状态的方式，将该第一、第二载台驱动于与该第一方向交叉的第二方向。
16.如权利要求15所述的曝光方法，其特征在于，该迁移动作前，该一载台所载置的基板，是透过该投影光学系统与液体而进行扫描曝光，该一载台是于该扫描曝光时被驱动于该第一方向。
17.一种曝光方法，是透过投影光学系统与液体，使基板曝光，其特征在于所述方法包含：
将基板载置于能分别独立移动的第一、第二载台之一方；
边将该一载台移动于第一方向，边透过该投影光学系统与液体将该一载台所载置的基板扫描曝光；及
以边在与该投影光学系统之间保持该液体，边从该一载台与该投影光学系统相对向的第一状态迁移至该第一、第二载台的另一方与该投影光学系统相对向的第二状态的方式，将该第一、第二载台驱动于与该第一方向交叉的第二方向。
18.如权利要求17所述的曝光方法，其特征在于，该第一、第二载台，是分别能在包含该投影光学系统所配置的第一区域、及相对于该第一区域而位于该第一方向的一侧的第二区域的既定区域内移动。
19.一种曝光方法，是透过投影光学系统与液体，使基板曝光，其特征在于所述方法包含：
藉由能在包含该投影光学系统所配置的第一区域、及相对于该第一区域而位于第一方向的一侧的第二区域的既定区域内分别独立移动的第一、第二载台的一方，在其与该投影光学系统之间保持该液体；及
以边在与该投影光学系统之间保持该液体，边从该一载台与该投影光学系统相对向的第一状态迁移至该第一、第二载台的另一方与该投影光学系统相对向的第二状态的方式，将该第一、第二载台驱动于与该第一方向交叉的第二方向。
20.如权利要求18或19所述的曝光方法，其特征在于，藉由配置于该第二区域的标记检测系统，检测存在于该另一载台上的标记。
21.如权利要求15至20任意一项所述的曝光方法，其特征在于，该第一、第二载台，是分别以使其表面与载置区域的周围区域的表面大致相同高度的方式，将基板载置于该载置区域。
22.如权利要求21所述的曝光方法，其特征在于，藉由标记检测系统检测在该另一载台所载置的基板的标记；
在该标记的检测动作时，检测与该周围区域的表面大致相同高度的基准标记。
23.如权利要求15至21任意一项所述的曝光方法，其特征在于，藉由标记检测系统检测在该另一载台所载置的基板的标记；
在该迁移动作中，于该一载台载置曝光后的基板，而于该另一载台载置藉由该标记检测系统所进行的标记检测后的基板。
24.如权利要求23所述的曝光方法，其特征在于，该一载台所载置的基板的曝光动作，与该另一载台所载置的基板的标记检测动作并行，且该一载台所载置的基板与该另一载台所载置的基板是交替进行曝光处理。
25.如权利要求21至24任意一项所述的曝光方法，其特征在于，在复数个基板的曝光动作中，该第一、第二载台的至少一方是持续透过该液体而与该投影光学系统相对向。
26.如权利要求15至25任意一项所述的曝光方法，其特征在于，在该迁移动作中，该第一、第二载台是边维持其位置关系边被同时驱动。
27.如权利要求26所述的曝光方法，其特征在于，该第一、第二载台是以接触或近接的方式，使该另一载台接近该一载台。
28.一种组件制造方法，其特征在于：是包含使用如权利要求15至27任意一项所述的曝光方法，以能量光束使基板曝光的微影步骤。
29.一种曝光装置，是透过投影光学系统与液体，以能量光束使基板曝光，其特征在于具备：
第一、第二载台，能在包含该投影光学系统所配置的第一区域、及与该第一区域不同的第二区域的区域内分别独立移动；及
线性马达系统，是以将该第一、第二载台分别从该第一、第二区域之一方移动至另一方，且边在与该投影光学系统之间保持该液体，边进行保持该液体的该第一、第二载台之一方和另一方切换的方式，于既定方向边维持近接或接触的位置关系，边使该第一、第二载台移动于该既定方向。
30.如权利要求29所述的曝光装置，其特征在于，该第一、第二区域，于与该既定方向交叉的方向的位置为不同。
31.如权利要求29或30所述的曝光装置，其特征在于，所述装置进一步具备标记检测系统，配置于该第二区域，用以检测该基板的标记。
32.如权利要求29至31任意一项所述的曝光装置，其特征在于，该第一载台是能载置基板，该基板是被进行扫描曝光，该线性马达系统系于该扫描曝光时，将该第一载台移动于与该既定方向交叉的方向。
33.如权利要求29至32任意一项所述的曝光装置，其特征在于，该第一、第二载台，分别具有基板的载置区域，及其表面为与载置于该载置区域的基板表面大致相同高度的该载置区域的周围区域。
34.如权利要求33所述的曝光装置，其特征在于，该第一、第二载台，分别具有其表面为与该周围区域的表面大致相同高度的基准标记构件，作为测量构件。
35.如权利要求33或34所述的曝光装置，其特征在于，所述装置进一步具备用以检测该基板之标记之标记检测系统；
在该切换动作中，于该一载台载置曝光后的基板，而于该另一载台载置藉由该标记检测系统所进行的标记检测后的基板。
36.如权利要求35所述的曝光装置，其特征在于，该一载台所载置的基板的曝光动作，与该另一载台所载置的基板的标记检测动作并行，且该一载台所载置的基板与该另一载台所载置的基板系交替进行曝光处理。
37.如权利要求29至36任意一项所述的曝光装置，其特征在于，所述装置进一步具备检测系统，在载置于该另一载台的基板曝光前，透过该液体检测该能量光束。
38.如权利要求37所述的曝光装置，其特征在于，该检测系统，是检测透过该液体而照射于在该另一载台所设置的基准标记的能量光束。
39.如权利要求37所述的曝光装置，其特征在于，该检测系统，是透过该液体检测照射于光罩之标记之能量光束，该光罩具有待形成于该基板之图案。
40.一种曝光装置，是透过投影光学系统与液体，以能量光束使基板曝光，其特征在于所述装置具备：
第一、第二载台，能分别独立移动且在至少2个侧面设置反射面；
干涉计系统，将测量光束照射于该各载台的反射面以测量位置信息；及
驱动系统，是以边在与该投影光学系统之间保持该液体，边进行保持该液体的该第一、第二载台的一方和另一方切换的方式，于既定方向边维持近接或接触的位置关系，边使该第一、第二载台移动于该既定方向；
在该切换动作中相对向的该第一、第二载台的侧面，是与供该反射面设置的侧面不同。
41.一种组件制造方法，其特征在于：是包含使用如权利要求29至40任意一项所述的曝光装置，以能量光束使基板曝光之微影步骤。
42.一种曝光方法，是透过投影光学系统与液体，以能量光束使基板曝光，其特征在于所述方法包含：
藉由线性马达系统，将第一、第二载台从该投影光学系统所配置的第一区域，及与该第一区域不同的第二区域的一方移动至另一方；及
以边在与该投影光学系统之间保持该液体，边进行保持该液体的该第一、第二载台之一方和另一方切换的方式，藉由线性马达系统于既定方向边维持近接或接触的位置关系，边使该第一、第二载台移动于该既定方向。
43.一种曝光方法，是透过投影光学系统与液体，以能量光束使基板曝光，其特征在于所述方法包含：
将在至少2个侧面设置反射面的第一、第二载台分别独立移动，且藉由干涉计系统将测量光束照射于该反射面以测量该各载台的位置信息；及
以边在与该投影光学系统之间保持该液体，边进行保持该液体的该第一、第二载台之一方和另一方切换的方式，于既定方向边维持近接或接触的位置关系，边使该第一、第二载台移动于该既定方向；
在该切换动作中相对向的该第一、第二载台的侧面，是与供该反射面设置的侧面不同。
44.一种组件制造方法，其特征在于：是包含使用如权利要求42或43所述的曝光方法，以能量光束使基板曝光之微影步骤。
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WO (1) WO2005074014A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI624734B (zh) * 2012-11-12 2018-05-21 尼康股份有限公司 曝光裝置及曝光方法、以及元件製造方法

Families Citing this family (193)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101178756B1 (ko) * 2003-04-11 2012-08-31 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침액체를 유지하는 장치 및 방법
EP2216685B1 (en) 2003-06-19 2012-06-27 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
EP1670039B1 (en) * 2003-08-29 2014-06-04 Nikon Corporation Exposure apparatus and device producing method
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US20070030467A1 (en) * 2004-02-19 2007-02-08 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device fabricating method
JP4220423B2 (ja) * 2004-03-24 2009-02-04 株式会社東芝 レジストパターン形成方法
CN1950929B (zh) * 2004-03-25 2011-05-25 株式会社尼康 曝光装置及曝光方法、以及组件制造方法
EP3255652B1 (en) * 2004-06-21 2018-07-25 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
JP4488006B2 (ja) 2004-10-15 2010-06-23 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US7119876B2 (en) * 2004-10-18 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8330939B2 (en) * 2004-11-01 2012-12-11 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and device manufacturing method with a liquid recovery port provided on at least one of a first stage and second stage
TWI538013B (zh) * 2004-11-18 2016-06-11 尼康股份有限公司 A position measuring method, a position control method, a measuring method, a loading method, an exposure method and an exposure apparatus, and a device manufacturing method
TW200625026A (en) * 2004-12-06 2006-07-16 Nikon Corp Substrate processing method, method of exposure, exposure device and device manufacturing method
US7528931B2 (en) * 2004-12-20 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070258068A1 (en) * 2005-02-17 2007-11-08 Hiroto Horikawa Exposure Apparatus, Exposure Method, and Device Fabricating Method
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2527921A3 (en) 2005-04-28 2017-10-18 Nikon Corporation Exposure method and exposure apparatus
JP5309565B2 (ja) * 2005-08-05 2013-10-09 株式会社ニコン ステージ装置、露光装置、方法、露光方法、及びデバイス製造方法
KR101388345B1 (ko) * 2005-09-09 2014-04-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
US7633073B2 (en) * 2005-11-23 2009-12-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7871933B2 (en) * 2005-12-01 2011-01-18 International Business Machines Corporation Combined stepper and deposition tool
US8953148B2 (en) 2005-12-28 2015-02-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and making method thereof
JP5182558B2 (ja) 2005-12-28 2013-04-17 株式会社ニコン パターン形成方法及びパターン形成装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
WO2007080523A1 (en) * 2006-01-10 2007-07-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Maglev object positioning apparatus and method for positioning an object and maintaining position with high stability
TWI550688B (zh) 2006-01-19 2016-09-21 尼康股份有限公司 液浸曝光裝置及液浸曝光方法、以及元件製造方法
KR101495471B1 (ko) * 2006-02-21 2015-02-23 가부시키가이샤 니콘 패턴 형성 장치, 마크 검출 장치, 노광 장치, 패턴 형성 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
EP2003680B1 (en) 2006-02-21 2013-05-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
CN102866591B (zh) 2006-02-21 2015-08-19 株式会社尼康 曝光装置及方法、以及元件制造方法
WO2007102484A1 (ja) 2006-03-07 2007-09-13 Nikon Corporation デバイス製造方法、デバイス製造システム及び測定検査装置
US7230676B1 (en) * 2006-03-13 2007-06-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7310132B2 (en) * 2006-03-17 2007-12-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7760324B2 (en) * 2006-03-20 2010-07-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI454859B (zh) 2006-03-30 2014-10-01 尼康股份有限公司 移動體裝置、曝光裝置與曝光方法以及元件製造方法
JP5217239B2 (ja) 2006-05-18 2013-06-19 株式会社ニコン 露光方法及び装置、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法
TW200818256A (en) 2006-05-22 2008-04-16 Nikon Corp Exposure method and apparatus, maintenance method, and device manufacturing method
JP5019170B2 (ja) 2006-05-23 2012-09-05 株式会社ニコン メンテナンス方法、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
WO2007139017A1 (ja) * 2006-05-29 2007-12-06 Nikon Corporation 液体回収部材、基板保持部材、露光装置、及びデバイス製造方法
TWI425318B (zh) 2006-06-09 2014-02-01 尼康股份有限公司 移動體裝置、曝光裝置和曝光方法以及元件製造方法
CN100456138C (zh) * 2006-06-13 2009-01-28 上海微电子装备有限公司 浸没式光刻机浸液流场维持系统
CN101390194B (zh) 2006-06-30 2011-04-20 株式会社尼康 维修方法、曝光方法及装置、以及元件制造方法
JP5151981B2 (ja) * 2006-08-30 2013-02-27 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
CN103645608B (zh) 2006-08-31 2016-04-20 株式会社尼康 曝光装置及方法、组件制造方法以及决定方法
US20080094592A1 (en) 2006-08-31 2008-04-24 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
KR101634893B1 (ko) 2006-08-31 2016-06-29 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
EP2993523B1 (en) 2006-09-01 2017-08-30 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method
TWI574304B (zh) 2006-09-01 2017-03-11 尼康股份有限公司 Mobile body driving method and moving body driving system, pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus, component manufacturing method, and correcting method
US7872730B2 (en) * 2006-09-15 2011-01-18 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and immersion exposure method, and device manufacturing method
KR101413891B1 (ko) * 2006-09-29 2014-06-30 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
US20080158531A1 (en) * 2006-11-15 2008-07-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP5055971B2 (ja) 2006-11-16 2012-10-24 株式会社ニコン 表面処理方法及び表面処理装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US7973910B2 (en) * 2006-11-17 2011-07-05 Nikon Corporation Stage apparatus and exposure apparatus
JP5089143B2 (ja) * 2006-11-20 2012-12-05 キヤノン株式会社 液浸露光装置
US20080156356A1 (en) 2006-12-05 2008-07-03 Nikon Corporation Cleaning liquid, cleaning method, liquid generating apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method
WO2008146819A1 (ja) * 2007-05-28 2008-12-04 Nikon Corporation 露光装置、デバイス製造方法、洗浄装置、及びクリーニング方法並びに露光方法
US8164736B2 (en) 2007-05-29 2012-04-24 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device
US7737515B2 (en) * 2007-06-20 2010-06-15 New Jersey Institute Of Technology Method of assembly using array of programmable magnets
JP5630634B2 (ja) * 2007-07-13 2014-11-26 株式会社ニコン 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
US9025126B2 (en) 2007-07-31 2015-05-05 Nikon Corporation Exposure apparatus adjusting method, exposure apparatus, and device fabricating method
US8421994B2 (en) 2007-09-27 2013-04-16 Nikon Corporation Exposure apparatus
US8279399B2 (en) * 2007-10-22 2012-10-02 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
CN101675500B (zh) * 2007-11-07 2011-05-18 株式会社尼康 曝光装置、曝光方法以及元件制造方法
KR20100091885A (ko) 2007-12-11 2010-08-19 가부시키가이샤 니콘 이동체 장치, 노광 장치 및 패턴 형성 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
US20090153824A1 (en) * 2007-12-17 2009-06-18 Kla-Tencor Corporation Multiple chuck scanning stage
SG183058A1 (en) * 2007-12-17 2012-08-30 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
US8964166B2 (en) 2007-12-17 2015-02-24 Nikon Corporation Stage device, exposure apparatus and method of producing device
US8269945B2 (en) * 2007-12-28 2012-09-18 Nikon Corporation Movable body drive method and apparatus, exposure method and apparatus, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method
US8237916B2 (en) * 2007-12-28 2012-08-07 Nikon Corporation Movable body drive system, pattern formation apparatus, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
TWI643035B (zh) * 2007-12-28 2018-12-01 日商尼康股份有限公司 Exposure apparatus, exposure method, and component manufacturing method
JP5369443B2 (ja) 2008-02-05 2013-12-18 株式会社ニコン ステージ装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
KR20100124245A (ko) 2008-02-08 2010-11-26 가부시키가이샤 니콘 위치 계측 시스템 및 위치 계측 방법, 이동체 장치, 이동체 구동 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 패턴 형성 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
JP2009218564A (ja) * 2008-02-12 2009-09-24 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
US20100039628A1 (en) * 2008-03-19 2010-02-18 Nikon Corporation Cleaning tool, cleaning method, and device fabricating method
JPWO2009125867A1 (ja) 2008-04-11 2011-08-04 株式会社ニコン ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法
US8654306B2 (en) * 2008-04-14 2014-02-18 Nikon Corporation Exposure apparatus, cleaning method, and device fabricating method
US8786829B2 (en) 2008-05-13 2014-07-22 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8228482B2 (en) 2008-05-13 2012-07-24 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8817236B2 (en) 2008-05-13 2014-08-26 Nikon Corporation Movable body system, movable body drive method, pattern formation apparatus, pattern formation method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8137875B2 (en) 2008-05-22 2012-03-20 Micronic-Mydata AB Method and apparatus for overlay compensation between subsequently patterned layers on workpiece
US9176393B2 (en) * 2008-05-28 2015-11-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus
US20100165309A1 (en) * 2008-07-10 2010-07-01 Nikon Corporation Deformation measuring apparatus, exposure apparatus, jig for the deformation measuring apparatus, position measuring method and device fabricating method
TW201017347A (en) * 2008-10-31 2010-05-01 Nikon Corp Exposure device, exposure method, and device manufacturing method
EP2189849B1 (en) 2008-11-21 2015-12-16 ASML Netherlands B.V. A lithographic apparatus provided with a swap bridge
EP2196857A3 (en) 2008-12-09 2010-07-21 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9062260B2 (en) 2008-12-10 2015-06-23 Chevron U.S.A. Inc. Removing unstable sulfur compounds from crude oil
US8599359B2 (en) 2008-12-19 2013-12-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method
US8902402B2 (en) 2008-12-19 2014-12-02 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8760629B2 (en) 2008-12-19 2014-06-24 Nikon Corporation Exposure apparatus including positional measurement system of movable body, exposure method of exposing object including measuring positional information of movable body, and device manufacturing method that includes exposure method of exposing object, including measuring positional information of movable body
US8773635B2 (en) * 2008-12-19 2014-07-08 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8896806B2 (en) 2008-12-29 2014-11-25 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US20100196832A1 (en) * 2009-01-30 2010-08-05 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, liquid immersion member and device fabricating method
JP5482784B2 (ja) 2009-03-10 2014-05-07 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US8202671B2 (en) 2009-04-28 2012-06-19 Nikon Corporation Protective apparatus, mask, mask forming apparatus, mask forming method, exposure apparatus, device fabricating method, and foreign matter detecting apparatus
US20100296074A1 (en) * 2009-04-30 2010-11-25 Nikon Corporation Exposure method, and device manufacturing method
US20110085152A1 (en) * 2009-05-07 2011-04-14 Hideaki Nishino Vibration control apparatus, vibration control method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US20100323303A1 (en) * 2009-05-15 2010-12-23 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
JPWO2010131490A1 (ja) 2009-05-15 2012-11-01 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US8970820B2 (en) 2009-05-20 2015-03-03 Nikon Corporation Object exchange method, exposure method, carrier system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8792084B2 (en) * 2009-05-20 2014-07-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
IT1399285B1 (it) * 2009-07-03 2013-04-11 Applied Materials Inc Sistema di lavorazione substrato
TWI579659B (zh) * 2009-08-07 2017-04-21 尼康股份有限公司 An exposure apparatus, and an element manufacturing method
WO2011016255A1 (ja) 2009-08-07 2011-02-10 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US8493547B2 (en) 2009-08-25 2013-07-23 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8514395B2 (en) 2009-08-25 2013-08-20 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US20110096312A1 (en) * 2009-09-28 2011-04-28 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabricating method
US20110102761A1 (en) * 2009-09-28 2011-05-05 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method
US20110096318A1 (en) * 2009-09-28 2011-04-28 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabricating method
US20110096306A1 (en) * 2009-09-28 2011-04-28 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method
US20110199591A1 (en) * 2009-10-14 2011-08-18 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, maintenance method and device fabricating method
US10061214B2 (en) 2009-11-09 2018-08-28 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, exposure apparatus maintenance method, exposure apparatus adjustment method and device manufacturing method
US20110128523A1 (en) * 2009-11-19 2011-06-02 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method
US20110123913A1 (en) * 2009-11-19 2011-05-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
DE102009054653A1 (de) * 2009-12-15 2011-06-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel für den EUV-Wellenlängenbereich, Substrat für einen solchen Spiegel, Verwendung einer Quarzschicht für ein solches Substrat, Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie mit einem solchen Spiegel oder einem solchen Substrat und Projetktionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Projektionsobjektiv
CN102652349A (zh) 2009-12-28 2012-08-29 株式会社尼康 液浸构件、液浸构件的制造方法、曝光装置、及元件制造方法
JP5741859B2 (ja) 2010-01-08 2015-07-01 株式会社ニコン 液浸部材、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2011156678A (ja) * 2010-01-29 2011-08-18 Sony Corp ３次元造形装置、３次元造形物の製造方法及び３次元造形物
WO2011102109A1 (ja) 2010-02-20 2011-08-25 株式会社ニコン 光源最適化方法、露光方法、デバイス製造方法、プログラム、露光装置、リソグラフィシステム、及び光源評価方法、並びに光源変調方法
US20110222031A1 (en) * 2010-03-12 2011-09-15 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium
NL2006506A (en) * 2010-04-28 2011-10-31 Asml Netherlands Bv A component of an immersion system, an immersion lithographic apparatus and a device manufacturing method.
US8937703B2 (en) 2010-07-14 2015-01-20 Nikon Corporation Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium
US20120013863A1 (en) 2010-07-14 2012-01-19 Nikon Corporation Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium
US20120013864A1 (en) 2010-07-14 2012-01-19 Nikon Corporation Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium
US20120012191A1 (en) 2010-07-16 2012-01-19 Nikon Corporation Liquid recovery apparatus, exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium
US20120019803A1 (en) 2010-07-23 2012-01-26 Nikon Corporation Cleaning method, liquid immersion member, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program, and storage medium
US20120019802A1 (en) 2010-07-23 2012-01-26 Nikon Corporation Cleaning method, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program, and storage medium
US20120019804A1 (en) 2010-07-23 2012-01-26 Nikon Corporation Cleaning method, cleaning apparatus, device fabricating method, program, and storage medium
US8418773B2 (en) 2010-09-10 2013-04-16 Jason Cerrano Fire-fighting control system
JP5510299B2 (ja) * 2010-12-13 2014-06-04 ウシオ電機株式会社 露光装置および露光方法
EP2469339B1 (en) * 2010-12-21 2017-08-30 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20120162619A1 (en) 2010-12-27 2012-06-28 Nikon Corporation Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, exposing method, device fabricating method, program, and storage medium
US20120188521A1 (en) 2010-12-27 2012-07-26 Nikon Corporation Cleaning method, liquid immersion member, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program and storage medium
US9030057B2 (en) 2011-06-24 2015-05-12 Nikon Corporation Method and apparatus to allow a plurality of stages to operate in close proximity
US20130016329A1 (en) 2011-07-12 2013-01-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, measurement method, and device manufacturing method
US9329496B2 (en) 2011-07-21 2016-05-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, method of manufacturing device, program, and storage medium
US9256137B2 (en) 2011-08-25 2016-02-09 Nikon Corporation Exposure apparatus, liquid holding method, and device manufacturing method
US20130050666A1 (en) 2011-08-26 2013-02-28 Nikon Corporation Exposure apparatus, liquid holding method, and device manufacturing method
US8794610B2 (en) * 2011-09-20 2014-08-05 Mitutoyo Corporation Two-dimension precision transfer equipment, three-dimension precision transfer equipment, and coordinate measuring machine
NL2009345A (en) * 2011-09-28 2013-04-02 Asml Netherlands Bv Method of applying a pattern to a substrate, device manufacturing method and lithographic apparatus for use in such methods.
WO2013073538A1 (ja) 2011-11-17 2013-05-23 株式会社ニコン エンコーダ装置、移動量計測方法、光学装置、並びに露光方法及び装置
US20130135594A1 (en) 2011-11-25 2013-05-30 Nikon Corporation Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, program, and recording medium
US20130169944A1 (en) 2011-12-28 2013-07-04 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, program, and recording medium
US9207549B2 (en) 2011-12-29 2015-12-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement
CN103199046B (zh) * 2012-01-05 2015-09-09 沈阳新松机器人自动化股份有限公司 晶圆缺口边缘中心预对准方法
US9323160B2 (en) 2012-04-10 2016-04-26 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposure method, device fabricating method, program, and recording medium
US9268231B2 (en) 2012-04-10 2016-02-23 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method for manufacturing device, program, and recording medium
US20130271738A1 (en) * 2012-04-13 2013-10-17 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9823580B2 (en) 2012-07-20 2017-11-21 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method for manufacturing device, program, and recording medium
CN104838469B (zh) 2012-10-02 2018-04-24 株式会社尼康 曝光装置及曝光方法、以及器件制造方法
US9494870B2 (en) 2012-10-12 2016-11-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium
US9568828B2 (en) 2012-10-12 2017-02-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium
WO2014080957A1 (ja) 2012-11-20 2014-05-30 株式会社ニコン 露光装置、移動体装置、及びデバイス製造方法
JP6429017B2 (ja) 2012-11-30 2018-11-28 株式会社ニコン 搬入方法、搬送システム及び露光装置、並びにデバイス製造方法
KR101450713B1 (ko) * 2012-12-05 2014-10-16 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP6074058B2 (ja) 2012-12-20 2017-02-01 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置およびその装置で使用するためのテーブル
JP6119242B2 (ja) 2012-12-27 2017-04-26 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US9720331B2 (en) 2012-12-27 2017-08-01 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium
US9651873B2 (en) 2012-12-27 2017-05-16 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium
US9057955B2 (en) 2013-01-22 2015-06-16 Nikon Corporation Functional film, liquid immersion member, method of manufacturing liquid immersion member, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9352073B2 (en) 2013-01-22 2016-05-31 Niko Corporation Functional film
WO2014132923A1 (ja) 2013-02-28 2014-09-04 株式会社ニコン 摺動膜、摺動膜が形成された部材、及びその製造方法
JP5344105B1 (ja) 2013-03-08 2013-11-20 ウシオ電機株式会社 光配向用偏光光照射装置及び光配向用偏光光照射方法
JP6178092B2 (ja) * 2013-03-28 2017-08-09 株式会社荏原製作所 ステージ装置及び電子線応用装置
KR101794744B1 (ko) 2013-08-14 2017-12-01 에프이아이 컴파니 하전 입자 비임 시스템용 회로 프로브
EP3057122B1 (en) 2013-10-08 2018-11-21 Nikon Corporation Immersion member, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
EP3055737A1 (en) * 2013-10-09 2016-08-17 ASML Netherlands B.V. Polarization independent interferometer
US20150187540A1 (en) * 2013-12-27 2015-07-02 Canon Kabushiki Kaisha Drawing apparatus and method of manufacturing article
JP6481242B2 (ja) * 2014-10-29 2019-03-13 新シコー科技株式会社 レンズ駆動装置、カメラ装置及び電子機器
JP6719729B2 (ja) * 2015-02-23 2020-07-08 株式会社ニコン 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法
KR102574558B1 (ko) 2015-02-23 2023-09-04 가부시키가이샤 니콘 계측 장치, 리소그래피 시스템 및 노광 장치, 그리고 관리 방법, 중첩 계측 방법 및 디바이스 제조 방법
KR102552792B1 (ko) 2015-02-23 2023-07-06 가부시키가이샤 니콘 계측 장치, 리소그래피 시스템 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
US9927723B2 (en) * 2015-03-24 2018-03-27 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for on-the-fly digital exposure image data modification
JP6774031B2 (ja) 2015-03-25 2020-10-21 株式会社ニコン レイアウト方法、マーク検出方法、露光方法、計測装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
TW201643558A (zh) * 2015-03-31 2016-12-16 尼康股份有限公司 曝光裝置、平面顯示器之製造方法、元件製造方法、及曝光方法
JP6700932B2 (ja) * 2016-04-20 2020-05-27 キヤノン株式会社 検出装置、検出方法、プログラム、リソグラフィ装置、および物品製造方法
JP6353487B2 (ja) * 2016-05-26 2018-07-04 株式会社サーマプレシジョン 投影露光装置及びその投影露光方法
US10845720B2 (en) * 2016-05-31 2020-11-24 Nikon Corporation Mark detection apparatus, mark detection method, measurement apparatus, exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method
JP6929024B2 (ja) * 2016-07-06 2021-09-01 キヤノン株式会社 光学装置、露光装置及び物品の製造方法
KR102566162B1 (ko) * 2016-08-23 2023-08-10 삼성전자주식회사 웨이퍼 검사 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 검사 방법
CN109791368B (zh) 2016-09-27 2021-11-26 株式会社尼康 决定方法及装置、程序、信息记录媒体、曝光装置、布局信息提供方法、布局方法、标记检测方法、曝光方法、以及器件制造方法
WO2018141713A1 (en) * 2017-02-03 2018-08-09 Asml Netherlands B.V. Exposure apparatus
WO2018154941A1 (ja) * 2017-02-22 2018-08-30 新東工業株式会社 テストシステム
US10009119B1 (en) * 2017-03-06 2018-06-26 The Boeing Company Bandgap modulation for underwater communications and energy harvesting
WO2019012495A1 (ja) 2017-07-14 2019-01-17 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 計測装置
JP6985102B2 (ja) * 2017-10-31 2021-12-22 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP7060995B2 (ja) * 2018-03-30 2022-04-27 キヤノン株式会社 ステージ装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法
WO2019231518A1 (en) * 2018-05-31 2019-12-05 Applied Materials, Inc. Multi-substrate processing on digital lithography systems
US11556003B2 (en) 2018-07-30 2023-01-17 Canon Kabushiki Kaisha Cleaning apparatus and control method for cleaning apparatus
JP2020022010A (ja) 2018-07-30 2020-02-06 キヤノン株式会社 清掃装置及び清掃方法
TWI721307B (zh) * 2018-09-21 2021-03-11 禾宬科技有限公司 半導體清洗裝置及方法
WO2020173652A1 (en) * 2019-02-28 2020-09-03 Asml Netherlands B.V. Stage system and lithographic apparatus
US11094499B1 (en) * 2020-10-04 2021-08-17 Borries Pte. Ltd. Apparatus of charged-particle beam such as electron microscope comprising sliding specimen table within objective lens

Family Cites Families (345)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US478661A (en) 1892-07-12 Henri tudor
US723963A (en) * 1902-10-01 1903-03-31 Howard H Willson Temporary binder.
GB1242527A (en) 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US3626560A (en) 1970-06-04 1971-12-14 Cogsdill Tool Prod Sizing and finishing device for external surfaces
US4026653A (en) 1975-05-09 1977-05-31 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Proximity printing method
US4341164A (en) 1980-06-13 1982-07-27 Charles H. Ruble Folding camp table
US4346164A (en) * 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4509852A (en) 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
JPS57117238A (en) * 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
US4465363A (en) 1981-11-27 1984-08-14 Hoechst Aktiengesellschaft Cleaning device for cleaning the peripheral surface of a photoconductive drum in an electrophotographic copier
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
JPS59228356A (ja) 1983-06-09 1984-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 空気電池の収納ケ−ス
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
US4650983A (en) 1983-11-07 1987-03-17 Nippon Kogaku K. K. Focusing apparatus for projection optical system
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6122249A (ja) 1984-07-11 1986-01-30 Tokyo Keiki Co Ltd 超音波探傷器
US4780617A (en) 1984-08-09 1988-10-25 Nippon Kogaku K.K. Method for successive alignment of chip patterns on a substrate
JPS6144429A (ja) 1984-08-09 1986-03-04 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 位置合わせ方法、及び位置合せ装置
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS62121417A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JP2940553B2 (ja) 1988-12-21 1999-08-25 株式会社ニコン 露光方法
JP2897355B2 (ja) 1990-07-05 1999-05-31 株式会社ニコン アライメント方法，露光装置，並びに位置検出方法及び装置
US5121256A (en) 1991-03-14 1992-06-09 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Lithography system employing a solid immersion lens
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JP3200874B2 (ja) 1991-07-10 2001-08-20 株式会社ニコン 投影露光装置
US5243195A (en) 1991-04-25 1993-09-07 Nikon Corporation Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるｌｓｉ製造縮小投影露光装置の光学系
JP3203719B2 (ja) 1991-12-26 2001-08-27 株式会社ニコン 露光装置、その露光装置により製造されるデバイス、露光方法、およびその露光方法を用いたデバイス製造方法
JPH05304072A (ja) 1992-04-08 1993-11-16 Nec Corp 半導体装置の製造方法
US5469963A (en) 1992-04-08 1995-11-28 Asyst Technologies, Inc. Sealable transportable container having improved liner
JPH06124873A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP3316833B2 (ja) 1993-03-26 2002-08-19 株式会社ニコン 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法
KR100300618B1 (ko) 1992-12-25 2001-11-22 오노 시게오 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법
JPH06208058A (ja) 1993-01-13 1994-07-26 Olympus Optical Co Ltd 顕微鏡対物レンズ
US5591958A (en) * 1993-06-14 1997-01-07 Nikon Corporation Scanning exposure method and apparatus
JP3412704B2 (ja) 1993-02-26 2003-06-03 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに露光装置
JPH09311278A (ja) 1996-05-20 1997-12-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
JP3747951B2 (ja) 1994-11-07 2006-02-22 株式会社ニコン 反射屈折光学系
JP3747958B2 (ja) 1995-04-07 2006-02-22 株式会社ニコン 反射屈折光学系
JP3635684B2 (ja) 1994-08-23 2005-04-06 株式会社ニコン 反射屈折縮小投影光学系、反射屈折光学系、並びに投影露光方法及び装置
US5636066A (en) 1993-03-12 1997-06-03 Nikon Corporation Optical apparatus
JP3265503B2 (ja) 1993-06-11 2002-03-11 株式会社ニコン 露光方法及び装置
US5534970A (en) 1993-06-11 1996-07-09 Nikon Corporation Scanning exposure apparatus
DE69429131T2 (de) 1993-06-18 2002-07-11 Hitachi Maxell Ltd., Osaka Elektrochemisches Element mit flüssigem organischem Elektrolyten
JP3212199B2 (ja) 1993-10-04 2001-09-25 旭硝子株式会社 平板型陰極線管
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
US6989647B1 (en) 1994-04-01 2006-01-24 Nikon Corporation Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device
US5874820A (en) 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
US5528118A (en) 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
US7365513B1 (en) 1994-04-01 2008-04-29 Nikon Corporation Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device
JP3395801B2 (ja) 1994-04-28 2003-04-14 株式会社ニコン 反射屈折投影光学系、走査型投影露光装置、及び走査投影露光方法
JP3555230B2 (ja) 1994-05-18 2004-08-18 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH07335748A (ja) 1994-06-07 1995-12-22 Miyazaki Oki Electric Co Ltd 半導体素子の製造方法
US5715064A (en) * 1994-06-17 1998-02-03 International Business Machines Corporation Step and repeat apparatus having enhanced accuracy and increased throughput
KR0124189B1 (ko) * 1994-07-29 1997-11-25 배순훈 다중광학계를 갖춘 광픽업장치
USRE38438E1 (en) 1994-08-23 2004-02-24 Nikon Corporation Catadioptric reduction projection optical system and exposure apparatus having the same
JPH0883753A (ja) 1994-09-13 1996-03-26 Nikon Corp 焦点検出方法
US5623853A (en) 1994-10-19 1997-04-29 Nikon Precision Inc. Precision motion stage with single guide beam and follower stage
JPH08136475A (ja) 1994-11-14 1996-05-31 Kawasaki Steel Corp 板状材の表面観察装置
JP3387075B2 (ja) 1994-12-12 2003-03-17 株式会社ニコン 走査露光方法、露光装置、及び走査型露光装置
JPH08171054A (ja) 1994-12-16 1996-07-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
US5677758A (en) 1995-02-09 1997-10-14 Mrs Technology, Inc. Lithography System using dual substrate stages
US6008500A (en) 1995-04-04 1999-12-28 Nikon Corporation Exposure apparatus having dynamically isolated reaction frame
DE69604524T2 (de) * 1995-04-25 2000-04-13 Canon K.K., Tokio/Tokyo Abtastbelichtungsapparat und Belichtungsverfahren unter Verwendung desselben
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316124A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US5751404A (en) * 1995-07-24 1998-05-12 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method wherein alignment is carried out by comparing marks which are incident on both reticle stage and wafer stage reference plates
JP3526042B2 (ja) 1995-08-09 2004-05-10 株式会社ニコン 投影露光装置
JPH0954443A (ja) * 1995-08-18 1997-02-25 Nikon Corp 露光方法及び装置
JPH09232213A (ja) 1996-02-26 1997-09-05 Nikon Corp 投影露光装置
US5964441A (en) 1996-04-01 1999-10-12 Lear Corporation Linkage assembly with extruded hole member
JPH103039A (ja) 1996-06-14 1998-01-06 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH1020195A (ja) 1996-06-28 1998-01-23 Nikon Corp 反射屈折光学系
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP4029180B2 (ja) * 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JP4029181B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置
CN1244018C (zh) 1996-11-28 2006-03-01 株式会社尼康 曝光方法和曝光装置
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
DE69735016T2 (de) 1996-12-24 2006-08-17 Asml Netherlands B.V. Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern
US5815246A (en) 1996-12-24 1998-09-29 U.S. Philips Corporation Two-dimensionally balanced positioning device, and lithographic device provided with such a positioning device
JPH10209039A (ja) 1997-01-27 1998-08-07 Nikon Corp 投影露光方法及び投影露光装置
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
USRE40043E1 (en) 1997-03-10 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Positioning device having two object holders
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JPH1116816A (ja) 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
US5900354A (en) 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
AU9095798A (en) 1997-09-19 1999-04-12 Nikon Corporation Stage device, a scanning aligner and a scanning exposure method, and a device manufactured thereby
JP2000106340A (ja) 1997-09-26 2000-04-11 Nikon Corp 露光装置及び走査露光方法、並びにステージ装置
JP4210871B2 (ja) * 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
WO1999027568A1 (fr) 1997-11-21 1999-06-03 Nikon Corporation Graveur de motifs a projection et procede de sensibilisation a projection
JPH11176727A (ja) * 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
KR20010033118A (ko) * 1997-12-18 2001-04-25 오노 시게오 스테이지 장치 및 노광장치
US6897963B1 (en) * 1997-12-18 2005-05-24 Nikon Corporation Stage device and exposure apparatus
JP4264676B2 (ja) 1998-11-30 2009-05-20 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
US6208407B1 (en) 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
EP1126510A4 (en) 1998-09-17 2003-03-26 Nikon Corp METHOD FOR ADJUSTING AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM
IL143467A (en) * 1998-12-02 2005-05-17 Newport Corp Specimen holding robotic arm and effector
JP2000187338A (ja) 1998-12-24 2000-07-04 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
JP2000216082A (ja) * 1999-01-27 2000-08-04 Nikon Corp ステ―ジ装置および露光装置
KR20020006670A (ko) 1999-03-12 2002-01-24 시마무라 테루오 노광장치 및 노광방법, 그리고 디바이스 제조방법
JP4365934B2 (ja) 1999-05-10 2009-11-18 キヤノン株式会社 露光装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法
JP4504479B2 (ja) 1999-09-21 2010-07-14 オリンパス株式会社 顕微鏡用液浸対物レンズ
JP2001118773A (ja) 1999-10-18 2001-04-27 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
WO2001035168A1 (en) 1999-11-10 2001-05-17 Massachusetts Institute Of Technology Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams
TWI223734B (en) * 1999-12-21 2004-11-11 Asml Netherlands Bv Crash prevention in positioning apparatus for use in lithographic projection apparatus
TW546551B (en) 1999-12-21 2003-08-11 Asml Netherlands Bv Balanced positioning system for use in lithographic apparatus
EP1111471B1 (en) 1999-12-21 2005-11-23 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus with collision preventing device
US7187503B2 (en) 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
US6995930B2 (en) * 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
JP2001267239A (ja) 2000-01-14 2001-09-28 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2001241439A (ja) 2000-02-25 2001-09-07 Canon Inc 静圧軸受を備えた移動装置
KR20010085493A (ko) 2000-02-25 2001-09-07 시마무라 기로 노광장치, 그 조정방법, 및 상기 노광장치를 이용한디바이스 제조방법
JP2001313250A (ja) 2000-02-25 2001-11-09 Nikon Corp 露光装置、その調整方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造方法
KR100945707B1 (ko) * 2000-02-28 2010-03-05 가부시키가이샤 니콘 스테이지장치와 홀더, 및 주사형 노광장치 그리고 노광장치
JP2001244177A (ja) 2000-02-28 2001-09-07 Nikon Corp ステージ装置とホルダ、および走査型露光装置並びに露光装置
JP2002014005A (ja) 2000-04-25 2002-01-18 Nikon Corp 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置
US20020041377A1 (en) * 2000-04-25 2002-04-11 Nikon Corporation Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method
DE60130754T2 (de) 2000-05-03 2008-01-24 Asml Holding, N.V. Apparat zur Erzeugung eines gespülten optischen Weges in einer photolithographischen Projektionsanlage sowie ein entsprechendes Verfahren
TW591653B (en) * 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
JP4405071B2 (ja) 2000-10-23 2010-01-27 パナソニック株式会社 送り装置及びそれを具備する光ディスク原盤記録装置
KR100866818B1 (ko) * 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
JP2002305140A (ja) 2001-04-06 2002-10-18 Nikon Corp 露光装置及び基板処理システム
WO2002091078A1 (en) 2001-05-07 2002-11-14 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus employing an index matching medium
JP2002339853A (ja) * 2001-05-16 2002-11-27 Nissan Motor Co Ltd 充電ステーション
KR100423783B1 (ko) * 2001-06-13 2004-03-22 제일모직주식회사 인조 대리석의 제조 공정
US6788385B2 (en) 2001-06-21 2004-09-07 Nikon Corporation Stage device, exposure apparatus and method
TW529172B (en) 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
JPWO2003010802A1 (ja) * 2001-07-26 2004-11-18 株式会社ニコン ステージ装置、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US6680774B1 (en) * 2001-10-09 2004-01-20 Ultratech Stepper, Inc. Method and apparatus for mechanically masking a workpiece
US6665054B2 (en) 2001-10-22 2003-12-16 Nikon Corporation Two stage method
US7134668B2 (en) 2001-10-24 2006-11-14 Ebara Corporation Differential pumping seal apparatus
JP2003249443A (ja) 2001-12-21 2003-09-05 Nikon Corp ステージ装置、ステージ位置管理方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JPWO2003065427A1 (ja) * 2002-01-29 2005-05-26 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
US20050003048A1 (en) * 2002-02-11 2005-01-06 Edizone, Lc Electrolyte-containing orally soluble films
US7190527B2 (en) 2002-03-01 2007-03-13 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective
US7154676B2 (en) 2002-03-01 2006-12-26 Carl Zeiss Smt A.G. Very-high aperture projection objective
DE10229249A1 (de) 2002-03-01 2003-09-04 Zeiss Carl Semiconductor Mfg Refraktives Projektionsobjektiv mit einer Taille
DE10210899A1 (de) * 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
US7092069B2 (en) * 2002-03-08 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system
DE10229818A1 (de) 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
TW200305927A (en) * 2002-03-22 2003-11-01 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method and manufacturing method of device
JPWO2003085708A1 (ja) 2002-04-09 2005-08-18 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
KR20040104691A (ko) 2002-05-03 2004-12-10 칼 짜이스 에스엠테 아게 높은 개구를 갖는 투영 대물렌즈
JP4360064B2 (ja) * 2002-06-10 2009-11-11 株式会社ニコン ステージ装置および露光装置
US7362508B2 (en) 2002-08-23 2008-04-22 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
TW559895B (en) * 2002-09-27 2003-11-01 Taiwan Semiconductor Mfg Exposure system and exposure method thereof
US6954993B1 (en) 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US7093375B2 (en) 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US7383843B2 (en) * 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
US6988326B2 (en) 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US6788477B2 (en) * 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
DE60335595D1 (de) 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
SG2010050110A (en) 2002-11-12 2014-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7372541B2 (en) 2002-11-12 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101470360B (zh) * 2002-11-12 2013-07-24 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
JP3953460B2 (ja) 2002-11-12 2007-08-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ投影装置
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1420299B1 (en) 2002-11-12 2011-01-05 ASML Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1420300B1 (en) 2002-11-12 2015-07-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG131766A1 (en) * 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10253679A1 (de) * 2002-11-18 2004-06-03 Infineon Technologies Ag Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren
DE10258718A1 (de) * 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
EP1429190B1 (en) * 2002-12-10 2012-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
JP4645027B2 (ja) * 2002-12-10 2011-03-09 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP4701606B2 (ja) * 2002-12-10 2011-06-15 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法
KR20110086130A (ko) 2002-12-10 2011-07-27 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
EP1573730B1 (en) 2002-12-13 2009-02-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer
EP1732075A3 (en) 2002-12-19 2007-02-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
EP1579435B1 (en) 2002-12-19 2007-06-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
US7010958B2 (en) * 2002-12-19 2006-03-14 Asml Holding N.V. High-resolution gas gauge proximity sensor
US6781670B2 (en) * 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
US7090964B2 (en) 2003-02-21 2006-08-15 Asml Holding N.V. Lithographic printing with polarized light
JP4604452B2 (ja) * 2003-02-26 2011-01-05 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US7206059B2 (en) 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US6943941B2 (en) * 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7029832B2 (en) * 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
US20050164522A1 (en) 2003-03-24 2005-07-28 Kunz Roderick R. Optical fluids, and systems and methods of making and using the same
DE602004020200D1 (de) 2003-04-07 2009-05-07 Nippon Kogaku Kk Belichtungsgerät und verfahren zur herstellung einer vorrichtung
JP4488004B2 (ja) 2003-04-09 2010-06-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ流体制御システム
KR20170064003A (ko) 2003-04-10 2017-06-08 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
KR101129213B1 (ko) 2003-04-10 2012-03-27 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 액체를 수집하는 런-오프 경로
CN104597717B (zh) 2003-04-10 2017-09-05 株式会社尼康 包括用于沉浸光刻装置的真空清除的环境系统
JP4656057B2 (ja) 2003-04-10 2011-03-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子
KR101508810B1 (ko) 2003-04-11 2015-04-14 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
KR101178756B1 (ko) 2003-04-11 2012-08-31 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침액체를 유지하는 장치 및 방법
JP4582089B2 (ja) 2003-04-11 2010-11-17 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム
JP2006523958A (ja) 2003-04-17 2006-10-19 株式会社ニコン 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造
JP4146755B2 (ja) 2003-05-09 2008-09-10 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4025683B2 (ja) 2003-05-09 2007-12-26 松下電器産業株式会社 パターン形成方法及び露光装置
TWI295414B (en) * 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100437358C (zh) * 2003-05-15 2008-11-26 株式会社尼康 曝光装置及器件制造方法
EP1480065A3 (en) 2003-05-23 2006-05-10 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
TWI503865B (zh) 2003-05-23 2015-10-11 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
JP2004349645A (ja) 2003-05-26 2004-12-09 Sony Corp 液浸差動排液静圧浮上パッド、原盤露光装置および液侵差動排液による露光方法
TWI442694B (zh) * 2003-05-30 2014-06-21 Asml Netherlands Bv 微影裝置及元件製造方法
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261742A3 (en) * 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP4054285B2 (ja) 2003-06-12 2008-02-27 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4084710B2 (ja) 2003-06-12 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
EP2216685B1 (en) 2003-06-19 2012-06-27 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
JP4084712B2 (ja) 2003-06-23 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4029064B2 (ja) 2003-06-23 2008-01-09 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP2005019616A (ja) * 2003-06-25 2005-01-20 Canon Inc 液浸式露光装置
JP4343597B2 (ja) * 2003-06-25 2009-10-14 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
DE60308161T2 (de) 2003-06-27 2007-08-09 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
EP1498778A1 (en) * 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP1494074A1 (en) * 2003-06-30 2005-01-05 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7236232B2 (en) 2003-07-01 2007-06-26 Nikon Corporation Using isotopically specified fluids as optical elements
EP2853943B1 (en) 2003-07-08 2016-11-16 Nikon Corporation Wafer table for immersion lithography
SG109000A1 (en) * 2003-07-16 2005-02-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
EP1500982A1 (en) * 2003-07-24 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7309345B2 (en) * 2003-07-25 2007-12-18 Boston Scientific-Scimed, Inc. Method and system for delivering an implant utilizing a lumen reducing member
US7006209B2 (en) 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7175968B2 (en) * 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
US7326522B2 (en) * 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
EP1503244A1 (en) * 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
JP4492239B2 (ja) 2003-07-28 2010-06-30 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法
EP2264535B1 (en) 2003-07-28 2013-02-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus
US7779781B2 (en) * 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005057294A (ja) * 2003-08-07 2005-03-03 Asml Netherlands Bv インタフェースユニット、該インタフェースユニットを含むリソグラフィ投影装置、及びデバイス製造方法
US7061578B2 (en) * 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7700267B2 (en) * 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US7579135B2 (en) * 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7085075B2 (en) 2003-08-12 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
TWI245163B (en) * 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7070915B2 (en) 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
US6954256B2 (en) * 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
US7014966B2 (en) 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
EP3223074A1 (en) 2003-09-03 2017-09-27 Nikon Corporation Apparatus and method for immersion lithography for recovering fluid
JP4378136B2 (ja) 2003-09-04 2009-12-02 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP3870182B2 (ja) * 2003-09-09 2007-01-17 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US6961186B2 (en) * 2003-09-26 2005-11-01 Takumi Technology Corp. Contact printing using a magnified mask image
EP1519230A1 (en) * 2003-09-29 2005-03-30 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7158211B2 (en) 2003-09-29 2007-01-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1519231B1 (en) * 2003-09-29 2005-12-21 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7369217B2 (en) 2003-10-03 2008-05-06 Micronic Laser Systems Ab Method and device for immersion lithography
JP2005136374A (ja) * 2003-10-06 2005-05-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置及びそれを用いたパターン形成方法
EP1524557A1 (en) * 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1524558A1 (en) * 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7678527B2 (en) * 2003-10-16 2010-03-16 Intel Corporation Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids
US7352433B2 (en) * 2003-10-28 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411653B2 (en) 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP2005159322A (ja) * 2003-10-31 2005-06-16 Nikon Corp 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法
JP2007525824A (ja) 2003-11-05 2007-09-06 ディーエスエム アイピー アセッツ ビー．ブイ． マイクロチップを製造するための方法および装置
US7924397B2 (en) * 2003-11-06 2011-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications
JP2005150290A (ja) 2003-11-13 2005-06-09 Canon Inc 露光装置およびデバイスの製造方法
EP1531362A3 (en) * 2003-11-13 2007-07-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor manufacturing apparatus and pattern formation method
US7528929B2 (en) * 2003-11-14 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005054953A2 (en) 2003-11-24 2005-06-16 Carl-Zeiss Smt Ag Holding device for an optical element in an objective
DE10355301B3 (de) * 2003-11-27 2005-06-23 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Abbildung einer Struktur auf einen Halbleiter-Wafer mittels Immersionslithographie
US7125652B2 (en) * 2003-12-03 2006-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Immersion lithographic process using a conforming immersion medium
JP2005175016A (ja) * 2003-12-08 2005-06-30 Canon Inc 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法
JP2005175034A (ja) * 2003-12-09 2005-06-30 Canon Inc 露光装置
WO2005059617A2 (en) 2003-12-15 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective having a high aperture and a planar end surface
KR100965330B1 (ko) 2003-12-15 2010-06-22 칼 짜이스 에스엠티 아게 적어도 한 개의 액체 렌즈를 가진 마이크로리소그래피 투사대물렌즈로서의 대물렌즈
JP4308638B2 (ja) * 2003-12-17 2009-08-05 パナソニック株式会社 パターン形成方法
US20050185269A1 (en) * 2003-12-19 2005-08-25 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
JP4323946B2 (ja) 2003-12-19 2009-09-02 キヤノン株式会社 露光装置
JP2005183656A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Canon Inc 露光装置
US7460206B2 (en) 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
JP5102492B2 (ja) 2003-12-19 2012-12-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ
DE10360788A1 (de) 2003-12-23 2005-07-28 Marconi Communications Gmbh Optisches Kommunikationsnetz und Komponente dafür
US7394521B2 (en) * 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7589818B2 (en) * 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7119884B2 (en) 2003-12-24 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20050147920A1 (en) * 2003-12-30 2005-07-07 Chia-Hui Lin Method and system for immersion lithography
US7088422B2 (en) * 2003-12-31 2006-08-08 International Business Machines Corporation Moving lens for immersion optical lithography
JP4371822B2 (ja) * 2004-01-06 2009-11-25 キヤノン株式会社 露光装置
JP4429023B2 (ja) * 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US20050153424A1 (en) * 2004-01-08 2005-07-14 Derek Coon Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography
CN102169226B (zh) 2004-01-14 2014-04-23 卡尔蔡司Smt有限责任公司 反射折射投影物镜
KR101099847B1 (ko) 2004-01-16 2011-12-27 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 편광변조 광학소자
WO2005069078A1 (en) 2004-01-19 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens
DE602005019689D1 (de) 2004-01-20 2010-04-15 Zeiss Carl Smt Ag Belichtungsvorrichtung und messeinrichtung für eine projektionslinse
US7026259B2 (en) * 2004-01-21 2006-04-11 International Business Machines Corporation Liquid-filled balloons for immersion lithography
US7391501B2 (en) * 2004-01-22 2008-06-24 Intel Corporation Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8054947B2 (en) * 2004-02-02 2011-11-08 Eicon Networks Corporation Apparatus and method for multiplexing communication signals
US8852850B2 (en) 2004-02-03 2014-10-07 Rochester Institute Of Technology Method of photolithography using a fluid and a system thereof
JP4506674B2 (ja) 2004-02-03 2010-07-21 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
EP1716454A1 (en) 2004-02-09 2006-11-02 Carl Zeiss SMT AG Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
US7050146B2 (en) * 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1714192A1 (en) 2004-02-13 2006-10-25 Carl Zeiss SMT AG Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
JP2007523383A (ja) 2004-02-18 2007-08-16 コーニング インコーポレイテッド 深紫外光による大開口数結像のための反射屈折結像光学系
JP2005236087A (ja) 2004-02-20 2005-09-02 Nikon Corp 露光装置
JP2005259789A (ja) 2004-03-09 2005-09-22 Nikon Corp 検知システム及び露光装置、デバイス製造方法
US20050205108A1 (en) * 2004-03-16 2005-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for immersion lithography lens cleaning
JP2005268700A (ja) 2004-03-22 2005-09-29 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
US7027125B2 (en) * 2004-03-25 2006-04-11 International Business Machines Corporation System and apparatus for photolithography
JP2005285881A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
US7084960B2 (en) * 2004-03-29 2006-08-01 Intel Corporation Lithography using controlled polarization
US7034917B2 (en) 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7227619B2 (en) 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7295283B2 (en) 2004-04-02 2007-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005098504A1 (en) 2004-04-08 2005-10-20 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system with mirror group
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7271878B2 (en) 2004-04-22 2007-09-18 International Business Machines Corporation Wafer cell for immersion lithography
US7244665B2 (en) 2004-04-29 2007-07-17 Micron Technology, Inc. Wafer edge ring structures and methods of formation
US7379159B2 (en) 2004-05-03 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1747499A2 (en) 2004-05-04 2007-01-31 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US20060244938A1 (en) 2004-05-04 2006-11-02 Karl-Heinz Schuster Microlitographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore
US7091502B2 (en) 2004-05-12 2006-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
KR20170129271A (ko) 2004-05-17 2017-11-24 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8605257B2 (en) 2004-06-04 2013-12-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection system with compensation of intensity variations and compensation element therefor
CN100594430C (zh) 2004-06-04 2010-03-17 卡尔蔡司Smt股份公司 用于测量光学成像系统的图像质量的系统
US7057702B2 (en) 2004-06-23 2006-06-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP3919782B2 (ja) * 2004-10-08 2007-05-30 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP4488006B2 (ja) 2004-10-15 2010-06-23 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US7119876B2 (en) * 2004-10-18 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7700365B2 (en) * 2004-10-29 2010-04-20 Mayo Foundation For Medical Education And Research Vitamin D deficiencies
US7583357B2 (en) * 2004-11-12 2009-09-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7403261B2 (en) * 2004-12-15 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102004061462A1 (de) * 2004-12-17 2006-07-06 Delphi Technologies, Inc., Troy Verfahren und Vorrichtung zur Motorsteuerung bei einem Kraftfahrzeug
US7528931B2 (en) 2004-12-20 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG124351A1 (en) 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7161659B2 (en) 2005-04-08 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
JP5019170B2 (ja) 2006-05-23 2012-09-05 株式会社ニコン メンテナンス方法、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP4442904B2 (ja) * 2006-07-21 2010-03-31 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP5304072B2 (ja) 2007-07-18 2013-10-02 ヤマハ株式会社 力覚制御装置、鍵盤楽器、力覚制御方法およびプログラム
TWI452546B (zh) * 2012-12-28 2014-09-11 Univ Chienkuo Technology Hybrid large - scale collapse model

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI624734B (zh) * 2012-11-12 2018-05-21 尼康股份有限公司 曝光裝置及曝光方法、以及元件製造方法
TWI628519B (zh) * 2012-11-12 2018-07-01 尼康股份有限公司 移動體裝置、曝光裝置、元件製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6052439B2 (ja) 2016-12-27
TWI596440B (zh) 2017-08-21
KR20110038140A (ko) 2011-04-13
EP2284866A3 (en) 2012-11-07
HK1151144A1 (zh) 2012-01-20
US20100182584A1 (en) 2010-07-22
JP4952803B2 (ja) 2012-06-13
JP2015222427A (ja) 2015-12-10
EP2287893B1 (en) 2016-04-20
KR101187615B1 (ko) 2012-10-08
IL226838A (en) 2015-09-24
HK1151631A1 (zh) 2012-02-03
EP1713113A1 (en) 2006-10-18
KR20120092676A (ko) 2012-08-21
TW201535072A (zh) 2015-09-16
US20150378267A1 (en) 2015-12-31
EP2284866A2 (en) 2011-02-16
JP2014099631A (ja) 2014-05-29
KR101824373B1 (ko) 2018-01-31
US20110025998A1 (en) 2011-02-03
IL226840A0 (en) 2013-07-31
HK1221071A1 (zh) 2017-05-19
ATE493753T1 (de) 2011-01-15
US8711328B2 (en) 2014-04-29
EP2980834B1 (en) 2016-10-12
KR20110137389A (ko) 2011-12-22
SG185342A1 (en) 2012-11-29
SG185343A1 (en) 2012-11-29
IL226841A (en) 2015-09-24
US10139737B2 (en) 2018-11-27
KR101276423B1 (ko) 2013-06-19
US20070247607A1 (en) 2007-10-25
EP2267759B1 (en) 2014-11-26
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US20120212713A1 (en) 2012-08-23
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EP2267759A2 (en) 2010-12-29
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US20070127006A1 (en) 2007-06-07
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EP2980834A1 (en) 2016-02-03
IL177221A0 (en) 2006-12-10
EP2960927A3 (en) 2016-03-16
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US8736808B2 (en) 2014-05-27
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HK1139469A1 (en) 2010-09-17
JP5935929B2 (ja) 2016-06-15
KR20150120530A (ko) 2015-10-27
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