JP2014099631A - 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】露光装置は、投影光学系と液体とを介して基板を露光する。露光装置は、投影光学系が配置される第1領域と、第1領域と異なる第2領域とを含む所定領域内で、基板を載置して移動可能な第1ステージと、所定領域内で移動可能な第2ステージと、第1、第2ステージをそれぞれ第1、第2領域の一方から他方に移動するとともに、所定領域内で第1、第2ステージを独立に移動するリニアモータシステムと、投影光学系の直下に液体を供給して液浸領域を形成する液浸システムと、投影光学系と第1ステージとの間に液浸領域が維持される第1状態と、投影光学系と第2ステージとの間に液浸領域が維持される第2状態との一方が他方に遷移するように、投影光学系の直下に液浸領域を維持しつつ、リニアモータシステムによって、投影光学系の下方で第1、第2ステージを移動する制御システムと、を備える。
【選択図】図7
Description
ここで、λは露光波長、NAは投影光学系の開口数、k1はプロセス係数である。この式(1)より、使用する露光波長(露光光の波長)が短くなるほど、また投影光学系の開口数(NA)が大きいほど、解像度Rは高くなる。そのため、集積回路の微細化に伴い投影露光装置で使用される露光波長は年々短波長化しており、今日では、KrFエキシマレーザ(波長248nm)より短波長のArFエキシマレーザ(波長193nm)を光源とする露光装置も実用化されている。また、投影光学系の開口数も次第に増大してきている。
本発明の他の態様に従えば、投影光学系と液体とを介してエネルギビームで基板を露光する露光方法であって、それぞれ基板を載置するとともに、上面の一部に基準マーク部材が配置される第1、第2ステージの一方によって投影光学系と対向して配置される基板の一部に、液体によって投影光学系の下に形成される液浸領域を介してエネルギビームを照射することと、投影光学系と対向して配置される一方のステージが第1、第2ステージの他方に置き換えられるように、投影光学系の下方で液浸領域に対して第1、第2ステージを移動することと、液浸領域に対する第1、第2ステージの移動によって、一方のステージと置き換えられた他方のステージの基準マーク部材に、投影光学系と液浸領域の液体とを介してエネルギビームが照射されるように、他方のステージを移動することと、を含む露光方法が提供される。
本発明は、上述した事情の下になされたもので、第1の観点からすると、液体が局所的に供給される2次元面内の第1領域と該第1領域の第1軸方向の一側に位置する第2領域とを含む所定範囲の領域内で、第1ステージと第2ステージとを独立して駆動するステージ駆動方法において、前記第1、第2ステージのうちの一方のステージが前記第1領域に位置する第1の状態から他方のステージが前記第1領域に位置する第2の状態に遷移させる際に、前記第1ステージと前記第2ステージとが、前記第1軸方向に交差する第2軸方向に関して近接した状態及び接触した状態のいずれかを維持して前記第1、第2ステージを前記第2軸方向に同時に駆動することを特徴とする第1のステージ駆動方法である。
以下、本発明の第1の実施形態を図1〜図10に基づいて説明する。
この場合、先端レンズ91とウエハW1(又はW2)との間に保持された水Lqは、常に入れ替わっている。
また、ウエハの移動方向とは無関係に、供給ノズル21a〜21c,22a〜22c,27a,28aから液体Lqを供給しつづけ、回収ノズル23a,23b,24a,24b,29a,29b,30a,30bから液体Lqを回収し続けるようにしても良い。
また、液体給排システムは上述の図4の形態に限られず、投影光学系PLの像面側に液浸領域を形成することができれば、いろいろな形態を適用することができる。
なお焦点位置検出系は、ウエハ表面の位置情報を液体を介して検出するものであっても良いし、液体を介さずに検出するものであっても良い。また焦点位置検出系は、投影光学系PLの像面側でウエハ表面の位置情報を検出するものに限られず、投影光学系PLから離れた場所でウエハ表面の位置情報を検出するものであっても良い。
次に、本発明の第2の実施形態を図11〜図15(B)に基づいて説明する。ここで、前述した第1の実施形態と同一若しくは同等の部分については、同一の符号を用いるとともにその説明を簡略にし、若しくは省略するものとする。この第2の実施形態の露光装置では、ウエハステージ装置の構成等、及び2つのウエハステージを用いた並行処理動作が前述の第1の実施形態と異なる。また、マーク検出系が1つのみ設けられている点が、前述の第1の実施形態と異なる。その他の部分の構成等は、前述の第1の実施形態と同様になっている。従って、以下では重複説明を避ける観点から相違点を中心として説明する。
次に、本発明の第3の実施形態について、図16〜図18(B)に基づいて説明する。
ここで、前述した第1の実施形態と同一若しくは同等の部分については、同一の符号を用いるとともにその説明を簡略にし、若しくは省略するものとする。この第3の実施形態の露光装置では、ウエハステージ装置の構成等が前述した第1の実施形態と異なるのみで、その他の部分の構成は、同様になっている。従って、以下では重複説明を避ける観点から相違点を中心として説明する。
なお、ウエハW上の各ショット領域の露光のための加速開始位置へのウエハステージWSTの移動は、上記のウエハアライメントの結果得られたウエハW上の複数のショット領域の位置座標と、直前に計測したベースラインとに基づいて行われる。
次に、本発明の第4の実施形態について、図20〜図23(B)に基づいて説明する。
ここで、前述した第3の実施形態と同一若しくは同等の部分については、同一の符号を用いるとともにその説明を簡略にし、若しくは省略するものとする。この第4の実施形態の露光装置では、ウエハステージ装置の構成(干渉計の配置を含む)が前述した第3の実施形態と一部相違するのみで、その他の部分の構成等は、その第3の実施形態の装置と同様になっている。従って、以下では重複説明を避ける観点から相違点を中心として説明する。
次に上記各実施形態の露光装置をリソグラフィ工程で使用するデバイスの製造方法の実施形態について説明する。
以上のステップ211〜ステップ214それぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
Claims (82)
- 投影光学系と液体とを介してエネルギビームで基板を露光する露光装置であって、
前記基板を保持する第1ステージと、
前記第1ステージと独立して移動可能な第2ステージと、
前記投影光学系の下方で前記第1、第2ステージを駆動する駆動システムと、
前記投影光学系と、前記第1ステージによって前記投影光学系と対向して配置される前記基板の一部との間に、前記液体で液浸領域を形成する液浸部材と、
前記駆動システムによる前記第1、第2ステージの駆動を制御する制御システムと、を備え、
前記第1、第2ステージの一方は段部を有し、前記第1、第2ステージの他方はブリッジ部を有し、
前記制御システムは、一方が前記投影光学系と対向して配置される前記第1、第2ステージが互いに接近して前記段部に前記ブリッジ部が配置されるように、前記第1、第2ステージを相対移動するとともに、前記液浸領域が前記投影光学系の下に実質的に維持されつつ前記ブリッジ部を介して前記一方のステージから前記他方のステージに移動されるように、前記投影光学系の下方で前記液浸部材に対して前記接近した第1、第2ステージを移動する。 - 請求項1に記載の露光装置において、
前記液浸部材に対する前記接近した第1、第2ステージの移動において、前記ブリッジ部はその上面が前記他方のステージの上面と実質的に同一面となるように配置される。 - 請求項1又は2に記載の露光装置において、
前記液浸部材に対する前記接近した第1、第2ステージの移動において、前記ブリッジ部はその上面が前記一方のステージの上面と実質的に同一面となるように前記段部に配置される。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸部材に対する前記接近した第1、第2ステージの移動において、前記ブリッジ部は所定のクリアランスを介して前記段部に配置される。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記ブリッジ部は、前記液浸領域の、前記第1、第2ステージの一方から他方への移動と、前記液浸領域の、前記第1、第2ステージの他方から一方への移動との両方で用いられる。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記段部と前記ブリッジ部との両方が設けられ、
前記液浸領域の、前記第1、第2ステージの一方から他方への移動において、前記第1ステージのブリッジ部が前記第2ステージの段部に配置されるとともに、前記液浸領域の、前記第1、第2ステージの他方から一方への移動において、前記第2ステージのブリッジ部が前記第1ステージの段部に配置される。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第2ステージは基板を保持可能であり、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、上面の一部に配置される、前記基板の載置領域を有し、前記上面と、前記載置領域に載置される基板との少なくとも一方によって、前記投影光学系の下に前記液浸領域を維持可能である。 - 請求項7に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記基板の表面が前記上面とほぼ面一となるように前記基板を前記載置領域に載置する。 - 請求項7又は8に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記上面の一部に配置される基準部材を有し、前記液浸領域の下に前記基準部材が位置付けられるように移動され、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して前記エネルギビームが前記基準部材に照射される。 - 請求項9に記載の露光装置において、
前記基準部材はその表面が前記上面とほぼ同一面となるように設けられる。 - 請求項9又は10に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記液浸部材に対する前記接近した第1、第2ステージの移動に続いて、前記液浸領域の下に前記基準部材が位置するように移動される。 - 請求項7〜11のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1ステージに載置される基板の露光動作と、前記第2ステージに載置される基板の露光動作とが交互に行われ、前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動はその露光動作の間に行われる。 - 請求項7〜12のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージを交互に用いて複数の基板の露光動作が行われ、前記液浸領域は、前記複数の基板の露光動作において前記投影光学系の下に維持される。 - 請求項7〜13のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸部材に対する前記接近した第1、第2ステージの移動前後の少なくとも一方において、前記第1ステージと前記第2ステージとで互いに異なる動作が並行して行われる。 - 請求項7〜14のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記投影光学系と対向して配置される前記第1、第2ステージの一方と、前記第1、第2ステージの他方とで、互いに異なる動作が並行して行われる。 - 請求項7〜15のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記基板の計測、露光、及び交換が行われるように移動され、
前記基板の露光前後でそれぞれ、前記液浸部材に対する前記接近した第1、第2ステージの移動が行われる。 - 請求項16に記載の露光装置において、
前記液浸部材に対する前記接近した第1、第2ステージの移動に先立ち、前記第1、第2ステージの一方に保持される基板の露光と並行して、前記第1、第2ステージの他方に保持される基板の計測又は交換が行われる。 - 請求項17に記載の露光装置において、
前記計測が行われた基板を保持する前記他方のステージは、前記投影光学系と対向して配置される前記一方のステージに対して接近するように相対移動され、前記液浸領域に対する前記接近した第1、第2ステージの移動に続いて、前記他方のステージに保持される基板の露光動作が開始される。 - 請求項18に記載の露光装置において、
前記液浸部材に対する前記接近した第1、第2ステージの移動によって前記投影光学系の下から離脱した前記一方のステージは、前記露光された基板の交換が行われる。 - 請求項7〜19のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記基板のマークを検出するマーク検出系を、さらに備え、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記基板の露光に先立ち、前記マーク検出系によるマーク検出を含む前記基板の計測が行われるように移動される。 - 請求項7〜20のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記基板は、前記液体を介して露光が行われ、前記液体を介することなくマークの検出が行われる。 - 請求項7〜21のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記基板は走査露光が行われ、
前記接近した第1、第2ステージは、前記液浸部材に対して、前記走査露光時に前記基板が移動される方向と交差する所定方向に移動される。 - 請求項7〜22のいずれか一項に記載の露光装置において、
所定方向と交差する方向に関して前記投影光学系と位置が異なるマーク検出系を、さらに備え、
前記接近した第1、第2ステージは、前記液浸部材に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項7〜23のいずれか一項に記載の露光装置において、
所定方向に交差する方向に関して前記投影光学系と異なる位置で、前記第1、第2ステージにそれぞれ載置される基板の交換が行われ、
前記接近した第1、第2ステージは、前記液浸部材に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項7〜24のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、所定方向と交差する方向に関して前記第1領域と位置が異なる第2領域との一方から他方に移動され、
前記接近した第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項7〜21のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記投影光学系と所定方向に関して位置が異なるマーク検出系を、さらに備え、
前記接近した第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項7〜21、26のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記投影光学系と所定方向に関して異なる位置で、前記第1、第2ステージにそれぞれ載置される基板の交換が行われ、
前記接近した第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項7〜21、26、27のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と所定方向に関して位置が異なる第2領域との一方から他方に移動され、
前記接近した第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項26〜28のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記基板は、その走査露光において、前記所定方向と交差する方向に移動される。 - 請求項7〜29のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と異なる第2領域との一方から他方に移動され、
前記第1ステージと前記第2ステージとで、前記第1領域から前記第2領域への移動経路が異なる。 - 請求項7〜30のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と異なる第2領域との一方から他方に移動され、
前記第1ステージと前記第2ステージとで、前記第2領域から前記第1領域への移動経路が異なる。 - 請求項7〜31のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と異なる第2領域との一方から他方に移動されるとともに、前記第1領域から前記第2領域への移動と、前記第2領域から前記第1領域への移動とで逆の経路を辿るように移動される。 - 請求項7〜32のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸部材に対する移動において対向する前記接近した第1、第2ステージの端部は、前記液浸領域の、前記第1、第2ステージの一方から他方への移動と、前記液浸領域の、前記第1、第2ステージの他方から一方への移動とで同一となる。 - 請求項7〜33のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域の、前記第1、第2ステージの一方から他方への移動と、前記液浸領域の、前記第1、第2ステージの他方から一方への移動とで、前記液浸部材に対して前記接近した第1、第2ステージが移動される所定方向に関して逆向きに移動される。 - 請求項7〜29のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と異なる第2領域との一方から他方に移動され、
前前記第1ステージと前記第2ステージとで、記第2領域から前記第1領域への移動経路が同一となる。 - 請求項7〜29、35のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と異なる第2領域との一方から他方に移動され、
前記第1ステージと前記第2ステージとで、前記第1領域から前記第2領域への移動経路が同一となる。 - 請求項7〜29、35、36のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と異なる第2領域との一方から他方に移動されるとともに、前記第1領域から前記第2領域への移動と、前記第2領域から前記第1領域への移動とで異なる経路を辿るように移動される。 - 請求項7〜29、35〜37のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸部材に対する移動において対向する前記接近した第1、第2ステージの端部は、前記液浸領域の、前記第1、第2ステージの一方から他方への移動と、前記液浸領域の、前記第1、第2ステージの他方から一方への移動とで互いに異なる。 - 請求項38に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記対向する端部が、前記液浸領域に対して前記接近した第1、第2ステージが移動される所定方向に関して両端に配置される端部である。 - 請求項7〜29、35〜39のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域の、前記第1、第2ステージの一方から他方への移動と、前記液浸領域の、前記第1、第2ステージの他方から一方への移動とで、前記液浸部材に対して前記接近した第1、第2ステージが移動される所定方向に関して同一向きに移動される。 - 投影光学系と液体とを介してエネルギビームで基板を露光する露光方法であって、
前記投影光学系の下端側に配置される液浸部材によって、前記投影光学系と、前記投影光学系と対向して配置される前記基板の一部との間に、前記液体で液浸領域を形成することと、
前記基板を保持する第1ステージと、前記第1ステージとは独立して移動可能な第2ステージとが互いに接近して、前記第1、第2ステージの一方の段部に、前記第1、第2ステージの他方のブリッジ部が配置されるように、前記第1、第2ステージを相対移動することと、
前記液浸領域が前記投影光学系の下に実質的に維持されつつ前記ブリッジ部を介して前記一方のステージから前記他方のステージに移動されるように、前記投影光学系の下方で前記液浸部材に対して前記接近した第1、第2ステージを移動することと、を含む。 - 請求項41に記載の露光方法において、
前記液浸部材に対する前記接近した第1、第2ステージの移動において、前記ブリッジ部はその上面が前記他方のステージの上面と実質的に同一面となるように配置される。 - 請求項41又は42に記載の露光方法において、
前記液浸部材に対する前記接近した第1、第2ステージの移動において、前記ブリッジ部はその上面が前記一方のステージの上面と実質的に同一面となるように前記段部に配置される。 - 請求項41〜43のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸部材に対する前記接近した第1、第2ステージの移動において、前記ブリッジ部は所定のクリアランスを介して前記段部に配置される。 - 請求項41〜44のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記ブリッジ部は、前記液浸領域の、前記第1、第2ステージの一方から他方への移動と、前記液浸領域の、前記第1、第2ステージの他方から一方への移動との両方で用いられる。 - 請求項41〜44のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記段部と前記ブリッジ部との両方が設けられ、
前記液浸領域の、前記第1、第2ステージの一方から他方への移動において、前記第1ステージのブリッジ部が前記第2ステージの段部に配置されるとともに、前記液浸領域の、前記第1、第2ステージの他方から一方への移動において、前記第2ステージのブリッジ部が前記第1ステージの段部に配置される。 - 請求項41〜46のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第2ステージによって基板が保持され、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、上面の一部に配置される、前記基板の載置領域を有し、前記上面と、前記載置領域に載置される基板との少なくとも一方によって、前記投影光学系の下に前記液浸領域を維持される。 - 請求項47に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記基板の表面が前記上面とほぼ面一となるように前記基板を前記載置領域に載置する。 - 請求項47又は48に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記上面の一部に配置される基準部材を有し、前記液浸領域の下に前記基準部材が位置付けられるように移動され、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して前記エネルギビームが前記基準部材に照射される。 - 請求項49に記載の露光方法において、
前記基準部材はその表面が前記上面とほぼ同一面となるように設けられる。 - 請求項49又は50に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記液浸部材に対する前記接近した第1、第2ステージの移動に続いて、前記液浸領域の下に前記基準部材が位置するように移動される。 - 請求項47〜51のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1ステージに載置される基板の露光動作と、前記第2ステージに載置される基板の露光動作とが交互に行われ、前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動はその露光動作の間に行われる。 - 請求項47〜52のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージを交互に用いて複数の基板の露光動作が行われ、前記液浸領域は、前記複数の基板の露光動作において前記投影光学系の下に維持される。 - 請求項47〜53のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸部材に対する前記接近した第1、第2ステージの移動前後の少なくとも一方において、前記第1ステージと前記第2ステージとで互いに異なる動作が並行して行われる。 - 請求項47〜54のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記投影光学系と対向して配置される前記第1、第2ステージの一方と、前記第1、第2ステージの他方とで、互いに異なる動作が並行して行われる。 - 請求項47〜55のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記基板の計測、露光、及び交換が行われるように移動され、
前記基板の露光前後でそれぞれ、前記液浸部材に対する前記接近した第1、第2ステージの移動が行われる。 - 請求項56に記載の露光方法において、
前記液浸部材に対する前記接近した第1、第2ステージの移動に先立ち、前記第1、第2ステージの一方に保持される基板の露光と並行して、前記第1、第2ステージの他方に保持される基板の計測又は交換が行われる。 - 請求項57に記載の露光方法において、
前記計測が行われた基板を保持する前記他方のステージは、前記投影光学系と対向して配置される前記一方のステージに対して接近するように相対移動され、前記液浸領域に対する前記接近した第1、第2ステージの移動に続いて、前記他方のステージに保持される基板の露光動作が開始される。 - 請求項58に記載の露光方法において、
前記液浸部材に対する前記接近した第1、第2ステージの移動によって前記投影光学系の下から離脱した前記一方のステージは、前記露光された基板の交換が行われる。 - 請求項47〜59のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記基板の露光に先立ち、マーク検出系による前記基板のマークの検出を含む前記基板の計測が行われるように移動される。 - 請求項47〜60のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記基板は、前記液体を介して露光が行われ、前記液体を介することなくマークの検出が行われる。 - 請求項47〜61のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記基板は走査露光が行われ、
前記接近した第1、第2ステージは、前記液浸部材に対して、前記走査露光時に前記基板が移動される方向と交差する所定方向に移動される。 - 請求項47〜62のいずれか一項に記載の露光方法において、
所定方向と交差する方向に関して前記投影光学系と位置が異なるマーク検出系を、さらに備え、
前記接近した第1、第2ステージは、前記液浸部材に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項47〜63のいずれか一項に記載の露光方法において、
所定方向に交差する方向に関して前記投影光学系と異なる位置で、前記第1、第2ステージにそれぞれ載置される基板の交換が行われ、
前記接近した第1、第2ステージは、前記液浸部材に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項47〜64のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、所定方向と交差する方向に関して前記第1領域と位置が異なる第2領域との一方から他方に移動され、
前記接近した第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項47〜61のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記投影光学系と所定方向に関して位置が異なるマーク検出系を、さらに備え、
前記接近した第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項47〜61、66のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記投影光学系と所定方向に関して異なる位置で、前記第1、第2ステージにそれぞれ載置される基板の交換が行われ、
前記接近した第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項47〜61、66、67のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と所定方向に関して位置が異なる第2領域との一方から他方に移動され、
前記接近した第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項66〜68のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記基板は、その走査露光において、前記所定方向と交差する方向に移動される。 - 請求項47〜69のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と異なる第2領域との一方から他方に移動され、
前記第1ステージと前記第2ステージとで、前記第1領域から前記第2領域への移動経路が異なる。 - 請求項47〜70のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と異なる第2領域との一方から他方に移動され、
前記第1ステージと前記第2ステージとで、前記第2領域から前記第1領域への移動経路が異なる。 - 請求項47〜71のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と異なる第2領域との一方から他方に移動されるとともに、前記第1領域から前記第2領域への移動と、前記第2領域から前記第1領域への移動とで逆の経路を辿るように移動される。 - 請求項47〜72のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸部材に対する移動において対向する前記接近した第1、第2ステージの端部は、前記液浸領域の、前記第1、第2ステージの一方から他方への移動と、前記液浸領域の、前記第1、第2ステージの他方から一方への移動とで同一となる。 - 請求項47〜73のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域の、前記第1、第2ステージの一方から他方への移動と、前記液浸領域の、前記第1、第2ステージの他方から一方への移動とで、前記液浸部材に対して前記接近した第1、第2ステージが移動される所定方向に関して逆向きに移動される。 - 請求項47〜69のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と異なる第2領域との一方から他方に移動され、
前前記第1ステージと前記第2ステージとで、記第2領域から前記第1領域への移動経路が同一となる。 - 請求項47〜69、75のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と異なる第2領域との一方から他方に移動され、
前記第1ステージと前記第2ステージとで、前記第1領域から前記第2領域への移動経路が同一となる。 - 請求項47〜69、75、76のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と異なる第2領域との一方から他方に移動されるとともに、前記第1領域から前記第2領域への移動と、前記第2領域から前記第1領域への移動とで異なる経路を辿るように移動される。 - 請求項47〜69、75〜77のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸部材に対する移動において対向する前記接近した第1、第2ステージの端部は、前記液浸領域の、前記第1、第2ステージの一方から他方への移動と、前記液浸領域の、前記第1、第2ステージの他方から一方への移動とで互いに異なる。 - 請求項78に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記対向する端部が、前記液浸領域に対して前記第1、第2ステージが移動される所定方向に関して両端に配置される端部である。 - 請求項47〜69、75〜79のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域の、前記第1、第2ステージの一方から他方への移動と、前記液浸領域の、前記第1、第2ステージの他方から一方への移動とで、前記液浸部材に対して前記接近した第1、第2ステージが移動される所定方向に関して同一向きに移動される。 - リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、
前記リソグラフィ工程では、請求項1〜40のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板上にデバイスパターンを転写することを特徴とするデバイス製造方法。 - リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、
前記リソグラフィ工程では、請求項41〜80のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板上にデバイスパターンを転写することを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013268680A JP5630557B2 (ja) | 2004-02-02 | 2013-12-26 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004025837 | 2004-02-02 | ||
JP2004025837 | 2004-02-02 | ||
JP2004300566 | 2004-10-14 | ||
JP2004300566 | 2004-10-14 | ||
JP2013268680A JP5630557B2 (ja) | 2004-02-02 | 2013-12-26 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013080851A Division JP5488741B2 (ja) | 2004-02-02 | 2013-04-08 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014122324A Division JP5761430B2 (ja) | 2004-02-02 | 2014-06-13 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014099631A true JP2014099631A (ja) | 2014-05-29 |
JP5630557B2 JP5630557B2 (ja) | 2014-11-26 |
Family
ID=34829444
Family Applications (16)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005517477A Expired - Fee Related JP4910394B2 (ja) | 2004-02-02 | 2005-01-27 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2010012364A Expired - Fee Related JP4952803B2 (ja) | 2004-02-02 | 2010-01-22 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2010012363A Expired - Fee Related JP4952802B2 (ja) | 2004-02-02 | 2010-01-22 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011028991A Expired - Fee Related JP5287896B2 (ja) | 2004-02-02 | 2011-02-14 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011028992A Expired - Fee Related JP5287897B2 (ja) | 2004-02-02 | 2011-02-14 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011127624A Expired - Fee Related JP5287932B2 (ja) | 2004-02-02 | 2011-06-07 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012078251A Expired - Fee Related JP5344061B2 (ja) | 2004-02-02 | 2012-03-29 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012078281A Expired - Fee Related JP5333622B2 (ja) | 2004-02-02 | 2012-03-29 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
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JP2015006834A Expired - Fee Related JP5930083B2 (ja) | 2004-02-02 | 2015-01-16 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (15) | US7589822B2 (ja) |
EP (9) | EP2284866B1 (ja) |
JP (16) | JP4910394B2 (ja) |
KR (16) | KR101276423B1 (ja) |
CN (1) | CN101685263B (ja) |
AT (1) | ATE493753T1 (ja) |
DE (1) | DE602005025596D1 (ja) |
HK (8) | HK1093606A1 (ja) |
IL (7) | IL177221A (ja) |
SG (5) | SG185342A1 (ja) |
TW (14) | TWI437376B (ja) |
WO (1) | WO2005074014A1 (ja) |
Families Citing this family (193)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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- 2005-01-27 EP EP15171838.4A patent/EP2960927B1/en active Active
- 2005-01-27 SG SG2012080495A patent/SG185342A1/en unknown
- 2005-01-27 EP EP05704182A patent/EP1713113B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-27 EP EP16186291.7A patent/EP3139401A1/en not_active Withdrawn
- 2005-01-27 SG SG200903000-8A patent/SG152291A1/en unknown
- 2005-01-27 KR KR1020127015767A patent/KR101276423B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 SG SG2012080503A patent/SG185343A1/en unknown
- 2005-01-27 KR KR1020127019814A patent/KR101288139B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 KR KR1020127019812A patent/KR101476015B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 DE DE602005025596T patent/DE602005025596D1/de active Active
- 2005-01-27 KR KR1020117003625A patent/KR101187614B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 CN CN2009101689947A patent/CN101685263B/zh active Active
- 2005-01-27 SG SG2013076823A patent/SG195559A1/en unknown
- 2005-01-27 KR KR1020157001506A patent/KR101673826B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 KR KR1020137031485A patent/KR101539877B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 SG SG200903003-2A patent/SG152294A1/en unknown
- 2005-01-27 KR KR1020187002348A patent/KR20180011877A/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 KR KR1020117026306A patent/KR101276512B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 KR KR1020157028041A patent/KR101698290B1/ko active Application Filing
- 2005-01-27 KR KR1020117003628A patent/KR101191061B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 EP EP15185639.0A patent/EP2998982B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-27 AT AT05704182T patent/ATE493753T1/de not_active IP Right Cessation
- 2005-01-27 KR KR1020117003627A patent/KR101187615B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 KR KR1020117003587A patent/KR101235523B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 KR KR1020067012095A patent/KR101187616B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 EP EP15179672.9A patent/EP2980834B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-27 KR KR1020117003626A patent/KR101187618B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 KR KR1020177000846A patent/KR101824373B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 JP JP2005517477A patent/JP4910394B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-01-27 KR KR1020147017029A patent/KR101590742B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 WO PCT/JP2005/001076 patent/WO2005074014A1/ja active Application Filing
- 2005-01-27 EP EP10186140.9A patent/EP2287893B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-27 EP EP10186134.2A patent/EP2267759B1/en not_active Not-in-force
- 2005-02-02 TW TW098120060A patent/TWI437376B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW101103186A patent/TWI499870B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW103100487A patent/TWI564673B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW098120058A patent/TWI437375B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW101103185A patent/TWI521312B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW098115103A patent/TWI443475B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW107106822A patent/TW201823875A/zh unknown
- 2005-02-02 TW TW094103146A patent/TWI390358B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW106100843A patent/TWI627511B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW101146582A patent/TWI498680B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW104127655A patent/TWI578114B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW098120061A patent/TWI436170B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW104118470A patent/TWI596440B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW098120057A patent/TWI437374B/zh not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-08-01 IL IL177221A patent/IL177221A/en active IP Right Grant
- 2006-08-01 IL IL226838A patent/IL226838A/en active IP Right Grant
- 2006-08-01 IL IL226841A patent/IL226841A/en active IP Right Grant
- 2006-10-23 HK HK06111676.2A patent/HK1093606A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-04-20 US US11/785,860 patent/US8045136B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-06-22 US US11/812,919 patent/US9632431B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-05-08 US US12/453,386 patent/US20090231564A1/en not_active Abandoned
- 2009-08-05 US US12/461,246 patent/US8547528B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-08-05 US US12/461,244 patent/US8553203B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-01-22 JP JP2010012364A patent/JP4952803B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-01-22 JP JP2010012363A patent/JP4952802B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-03-24 US US12/659,894 patent/US9665016B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-06-18 HK HK10106066.4A patent/HK1139469A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2010-10-07 US US12/923,785 patent/US8705002B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-10-07 US US12/923,784 patent/US8711328B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-10-07 US US12/923,786 patent/US8736808B2/en active Active
- 2010-10-07 US US12/923,783 patent/US8724079B2/en active Active
-
2011
- 2011-02-14 JP JP2011028991A patent/JP5287896B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-02-14 JP JP2011028992A patent/JP5287897B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-05-23 HK HK11105039.9A patent/HK1151144A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2011-06-07 JP JP2011127624A patent/JP5287932B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-06-07 HK HK11105679.4A patent/HK1151630A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-06-07 HK HK16104747.0A patent/HK1217249A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-06-07 HK HK16109044.9A patent/HK1221071A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-06-07 HK HK11105685.6A patent/HK1151631A1/zh not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-03-29 JP JP2012078251A patent/JP5344061B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-03-29 JP JP2012078281A patent/JP5333622B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-03-30 US US13/435,780 patent/US9684248B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-04-08 JP JP2013080851A patent/JP5488741B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-06-09 IL IL226839A patent/IL226839A/en active IP Right Grant
- 2013-06-09 IL IL226838A patent/IL226838A0/en unknown
- 2013-06-09 IL IL226841A patent/IL226841A0/en unknown
- 2013-06-09 IL IL226840A patent/IL226840A/en active IP Right Grant
- 2013-12-26 JP JP2013268680A patent/JP5630557B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-06-13 JP JP2014122324A patent/JP5761430B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-01-16 JP JP2015006834A patent/JP5930083B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-03-19 US US14/663,084 patent/US10007196B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-06-22 JP JP2015124507A patent/JP5935929B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-09-08 US US14/847,746 patent/US10139737B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-01-15 JP JP2016006012A patent/JP6052439B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-06-21 HK HK16107103.1A patent/HK1219172A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2016-07-04 JP JP2016132653A patent/JP6222301B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-05-29 JP JP2017105222A patent/JP6327385B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-11-20 US US16/196,416 patent/US20190086815A1/en not_active Abandoned
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---|---|---|
JP6327385B2 (ja) | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140903 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140909 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140922 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5630557 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |