JP5333622B2 - 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 - Google Patents
露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5333622B2 JP5333622B2 JP2012078281A JP2012078281A JP5333622B2 JP 5333622 B2 JP5333622 B2 JP 5333622B2 JP 2012078281 A JP2012078281 A JP 2012078281A JP 2012078281 A JP2012078281 A JP 2012078281A JP 5333622 B2 JP5333622 B2 JP 5333622B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stages
- stage
- optical system
- projection optical
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70833—Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
- G03F7/2006—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light using coherent light; using polarised light
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70653—Metrology techniques
- G03F7/70666—Aerial image, i.e. measuring the image of the patterned exposure light at the image plane of the projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70758—Drive means, e.g. actuators, motors for long- or short-stroke modules or fine or coarse driving
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
- H01L21/0275—Photolithographic processes using lasers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
Description
ここで、λは露光波長、NAは投影光学系の開口数、k1はプロセス係数である。この式(1)より、使用する露光波長(露光光の波長)が短くなるほど、また投影光学系の開口数(NA)が大きいほど、解像度Rは高くなる。そのため、集積回路の微細化に伴い投影露光装置で使用される露光波長は年々短波長化しており、今日では、KrFエキシマレーザ(波長248nm)より短波長のArFエキシマレーザ(波長193nm)を光源とする露光装置も実用化されている。また、投影光学系の開口数も次第に増大してきている。
なお、本明細書においては、水以外の液体を用いた場合に、先端レンズなどに形成される染みも水染み(ウォーターマーク)と称する。
すなわち、一方のステージ上に液体が保持された状態から、両方のステージ上に跨って液体が保持される状態を経て、他方のステージ上に液体が保持された状態に、液体の全回収、再度の供給という工程を経ることなく、遷移させることが可能となる。従って、第1の状態から第2の状態への遷移を短時間で行うことが可能となる。
以下、本発明の第1の実施形態を図1〜図10に基づいて説明する。
この照明系10では、レチクルブラインドで規定されたレチクルR上のスリット状の照明領域をエネルギビームとしての照明光(露光光)ILによりほぼ均一な照度で照明する。
ここで、照明光ILとしては、一例としてArFエキシマレーザ光(波長193nm)が用いられている。また、オプティカルインテグレータとしては、フライアイレンズ、ロッドインテグレータ(内面反射型インテグレータ)あるいは回折光学素子などを用いることができる。この他、照明系10として、例えば特開平6−349701号公報及びこれに対応する米国特許第5,534,970号などに開示される構成を採用しても良い。本国際出願で指定した指定国(又は選択した選択国)の国内法令が許す限りにおいて、上記各公報及び対応する米国特許出願公開明細書又は米国特許における開示を援用して本明細書の記載の一部とする。
これらのX軸リニアガイド86、87は、例えばX軸方向に沿って所定間隔でかつ交互に配置されたN極磁石とS極磁石の複数の組から成る永久磁石群を内蔵する磁極ユニットによって構成されている。これらのX軸リニアガイド86、87の上方には、各2つのスライダ82,84及び83,85が、対応するX軸リニアガイド86、87を上方から取り囲む状態で非接触で設けられている。すなわち、合計4つのスライダ82、84、83、85は、X軸リニアガイド86又は87を上方及び側方から囲むような断面逆U字状の形状を有し、対応するX軸リニアガイド86又は87に対して不図示のエアパッドをそれぞれ介して例えば数μm程度のクリアランスを介して浮上支持されている。スライダ82、84、83、85のそれぞれは、例えばX軸方向に沿って所定間隔で配置された電機子コイルをそれぞれ内蔵する電機子ユニットによって構成されている。すなわち、本実施形態では、電機子ユニットから成るスライダ82、84と磁極ユニットから成るX軸リニアガイド86とによって、ムービングコイル型のX軸リニアモータがそれぞれ構成されている。同様にスライダ83、85とX軸リニアガイド87とによって、ムービングコイル型のX軸リニアモータがそれぞれ構成されている。以下においては、上記4つのX軸リニアモータのそれぞれを、それぞれの可動子を構成するスライダ82、84、83、85と同一の符号を用いて、適宜、X軸リニアモータ82、X軸リニアモータ84、X軸リニアモータ83、及びX軸リニアモータ85と呼ぶものとする。
なお、補助プレート72a〜72dは、一つの部材で構成しても良い。また、投影光学系PLの像面側に液体Lqを保持可能であれば、ウエハ表面と補助プレート表面との間に段差があっても良い。
従って、これらのY軸干渉計44,46,48では、ウエハステージWST1又はWST2のY軸方向の位置計測以外に、X軸回りの回転量(ピッチング量)の計測が可能となっている。
この場合、先端レンズ91とウエハW1(又はW2)との間に保持された水Lqは、常に入れ替わっている。
また、ウエハの移動方向とは無関係に、供給ノズル21a〜21c,22a〜22c,27a,28aから液体Lqを供給しつづけ、回収ノズル23a,23b,24a,24b,29a,29b,30a,30bから液体Lqを回収し続けるようにしても良い。
また、液体給排システムは上述の図4の形態に限られず、投影光学系PLの像面側に液浸領域を形成することができれば、いろいろな形態を適用することができる。
なお焦点位置検出系は、ウエハ表面の位置情報を液体を介して検出するものであっても良いし、液体を介さずに検出するものであっても良い。また焦点位置検出系は、投影光学系PLの像面側でウエハ表面の位置情報を検出するものに限られず、投影光学系PLから離れた場所でウエハ表面の位置情報を検出するものであっても良い。
このとき、基準マーク板FM2上の一対の第1基準マーク及びレチクルアライメントマークの像の検出は、投影光学系PL及び水を介して行われる。
次に、本発明の第2の実施形態を図11〜図15(B)に基づいて説明する。ここで、前述した第1の実施形態と同一若しくは同等の部分については、同一の符号を用いるとともにその説明を簡略にし、若しくは省略するものとする。この第2の実施形態の露光装置では、ウエハステージ装置の構成等、及び2つのウエハステージを用いた並行処理動作が前述の第1の実施形態と異なる。また、マーク検出系が1つのみ設けられている点が、前述の第1の実施形態と異なる。その他の部分の構成等は、前述の第1の実施形態と同様になっている。従って、以下では重複説明を避ける観点から相違点を中心として説明する。
なお、上記の移動の間中、ウエハステージWST1’、WST2’は弾性シール部材93を介して相互に接触する位置関係を保っている。
次に、本発明の第3の実施形態について、図16〜図18(B)に基づいて説明する。
ここで、前述した第1の実施形態と同一若しくは同等の部分については、同一の符号を用いるとともにその説明を簡略にし、若しくは省略するものとする。この第3の実施形態の露光装置では、ウエハステージ装置の構成等が前述した第1の実施形態と異なるのみで、その他の部分の構成は、同様になっている。従って、以下では重複説明を避ける観点から相違点を中心として説明する。
またウエハステージWSTには、計測用の部材を搭載しても良いし、搭載してなくても良い。
図17(B)には、上記の移動の途中に水(液浸領域)がウエハステージWST、計測ステージMST上に同時に跨って存在するときの状態、すなわちウエハステージWST上から計測ステージMST上に水が渡される直前の状態が示されている。
なお、ウエハW上の各ショット領域の露光のための加速開始位置へのウエハステージWSTの移動は、上記のウエハアライメントの結果得られたウエハW上の複数のショット領域の位置座標と、直前に計測したベースラインとに基づいて行われる。
またウエハの交換毎などに計測ステージMSTに搭載された計測用部材を使って各種の計測を行って、その後の露光動作に計測結果を反映させることができるので、常に高精度に調整された状態でウエハの露光を行うことができる。
また、遷移の際の両ステージの間隙への水(液体)の漏れ出しは、漏れ出し量がわずかであれば許容される場合もあり得るので、遷移の際の両ステージの間隔は、ステージの材質やステージ表面の状態や形状、液体の種類だけでなく、漏れ出しの許容量を考慮して決めるようにしても良い。
次に、本発明の第4の実施形態について、図20〜図23(B)に基づいて説明する。
ここで、前述した第3の実施形態と同一若しくは同等の部分については、同一の符号を用いるとともにその説明を簡略にし、若しくは省略するものとする。この第4の実施形態の露光装置では、ウエハステージ装置の構成(干渉計の配置を含む)が前述した第3の実施形態と一部相違するのみで、その他の部分の構成等は、その第3の実施形態の装置と同様になっている。従って、以下では重複説明を避ける観点から相違点を中心として説明する。
この場合、庇部111aの上面と計測ステージMST’の上面の夫々を撥水性(水との接触角が80°以上)にすることによって、その隙間への水の浸入をより確実に防止することができる。なお、この移動の間に、干渉計IF2からの干渉計ビームは計測ステージMST’の端面Sbに当たらなくなるが、それとほぼ同時に(その直前又は直後に)干渉計IF3の干渉計ビームが計測ステージMST’の端面Sbに当たるようになるので、その時点で干渉計IF3のリセット(又はプリセット)が主制御装置20によって実行されている。
次に上記各実施形態の露光装置をリソグラフィ工程で使用するデバイスの製造方法の実施形態について説明する。
以上のステップ211〜ステップ214それぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
Claims (102)
- 投影光学系と液体とを介してエネルギビームで基板を露光する露光装置であって、
前記投影光学系の下に液体を供給する液浸システムと、
それぞれ基板を載置する第1、第2ステージと、
前記供給される液体によって前記投影光学系の下に形成される液浸領域を維持する前記第1、第2ステージの一方が他方に置き換えられるように、前記投影光学系の下方で前記液浸領域に対して前記第1、第2ステージを移動する駆動システムと、を備え、
前記第1、第2ステージはその端部が対向した状態で前記液浸領域に対して移動されるとともに、前記対向する第1、第2ステージの端部が、前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と、前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで互いに異なる。 - 投影光学系と液体とを介してエネルギビームで基板を露光する露光装置であって、
前記投影光学系の下に液体を供給する液浸システムと、
それぞれ基板を載置する第1、第2ステージと、
前記第1、第2ステージを駆動する駆動システムと、を備え、
前記駆動システムは、前記供給される液体によって前記投影光学系の下に形成される液浸領域に対して、一方が前記投影光学系と対向して配置される前記第1、第2ステージを移動し、この移動により、前記一方のステージの代わりに前記投影光学系と対向して配置される前記第1、第2ステージの他方によって前記投影光学系の下に前記液浸領域が維持され、
前記第1、第2ステージはその端部が対向した状態で前記液浸領域に対して移動されるとともに、前記対向する第1、第2ステージの端部が、前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と、前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで互いに異なる。 - 投影光学系と液体とを介してエネルギビームで基板を露光する露光装置であって、
前記投影光学系の下に液体を供給する液浸システムと、
それぞれ基板を載置する第1、第2ステージと、
前記第1、第2ステージを駆動する駆動システムと、を備え、
前記駆動システムは、前記供給される液体によって前記投影光学系の下に形成される液浸領域が前記投影光学系と前記第1、第2ステージの一方との間に維持される第1状態から、前記液浸領域が前記投影光学系と前記第1、第2ステージの他方との間に維持される第2状態に遷移するように、前記投影光学系の下方で前記液浸領域に対して前記第1、第2ステージを移動し、
前記第1、第2ステージはその端部が対向した状態で前記液浸領域に対して移動されるとともに、前記対向する第1、第2ステージの端部が、前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と、前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで互いに異なる。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージは、所定方向に関する位置関係が前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで異なるようにその位置関係が変更される。 - 請求項4に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージは、前記第1ステージの前記第2ステージへの置換において前記第1、第2ステージの第1端部が対向するように配置されるとともに、前記第2ステージの前記第1ステージへの置換において前記第1端部と異なる、前記第1、第2ステージの第2端部が対向するように配置される。 - 請求項5に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記第1、第2端部が前記所定方向に関して両端の端部である。 - 請求項4〜6のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージは、前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と、前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで、前記液浸領域に対して、前記所定方向に関して同一向きに移動される。 - 請求項1〜7のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動による、前記第1、第2ステージの一方の他方への置換において、前記液浸領域は、前記投影光学系の下に維持される。 - 請求項1〜8のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動によって、前記液浸領域は、前記第1、第2ステージの少なくとも一方によって前記投影光学系の下に維持されつつ前記第1、第2ステージの一方から他方に移動する。 - 請求項9に記載の露光装置において、
前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動の途中で、前記液浸領域は、前記1、第2ステージの両方によって前記投影光学系の下に維持される。 - 請求項1〜10のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージは、その少なくとも一方によって前記投影光学系の下に前記液浸領域が維持されるように、互いに近接または接触した状態が実質的に維持されつつ前記液浸領域に対して移動される。 - 請求項1〜11のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記駆動システムは、前記投影光学系の下に前記液浸領域が実質的に維持されるように近接した状態、または前記第1、第2ステージの間隙からの液体の漏出が防止又は抑制されるように近接した状態、または接触した状態で、前記第1、第2ステージを前記液浸領域に対して移動する。 - 請求項11又は12に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージは、所定方向に関して前記近接または接触した状態で、その境界またはその間隙が前記液浸領域の下を通るように移動されるとともに、前記所定方向に関する位置関係が前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで異なるように配置される。 - 請求項13に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージは、前記所定方向に関して並置され、前記液浸領域が前記対向した端部を横切るように前記所定方向に移動される。 - 請求項1〜14のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージは、前記投影光学系と対向して配置される前記一方のステージに対して前記他方のステージが接近するように相対移動され、前記接近した第1、第2ステージが前記液浸領域に対して移動される。 - 請求項15に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記第1、第2ステージが移動される所定方向に関して互いに接近し、前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで、前記所定方向に関して前記第1、第2ステージの配置が逆となるように相対移動される。 - 請求項16に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージは、前記所定方向と交差する方向に関しても接近するように相対移動される。 - 請求項1〜17のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記第1、第2ステージが移動される所定方向と交差する方向に関してその位置関係が調整されるように相対移動される。 - 請求項1〜18のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはその位置関係が実質的に維持されつつ前記液浸領域に対して移動される。 - 請求項19に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記第1、第2ステージが移動される所定方向に関して実質的にその位置関係が維持される。 - 請求項1〜20のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記基板の一部に前記液浸領域が位置するように移動され、
前記基板は、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して前記エネルギビームで露光される。 - 請求項1〜21のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、上面の一部に配置される前記基板の載置領域を有し、前記上面と、前記載置領域に載置される基板との少なくとも一方によって、前記投影光学系の下に前記液浸領域を維持可能である。 - 請求項22に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記上面によって、前記載置領域に載置される基板から外れる前記液浸領域の少なくとも一部を保持する。 - 請求項22又は23に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記基板の表面が前記上面とほぼ面一となるように前記基板を前記載置領域に載置する。 - 請求項22〜24のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記上面の一部に配置される基準部材を有し、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して前記エネルギビームが前記基準部材に照射されるように移動される。 - 請求項25に記載の露光装置において、
前記基準部材はその表面が前記上面とほぼ面一となるように設けられる。 - 請求項25又は26に記載の露光装置において、
前記基準部材は、前記基板の露光に用いられるマスクのマーク検出で用いられる。 - 請求項1〜27のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記基板の載置領域と、内部に前記載置領域が配置される補助部材と、を有し、その上面が前記補助部材によって実質的に同一面となるように設定される。 - 請求項1〜28のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1ステージに載置される基板の露光動作と、前記第2ステージに載置される基板の露光動作とが交互に行われ、前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動はその露光動作の間に行われる。 - 請求項1〜29のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージを交互に用いて複数の基板の露光動作が行われ、前記液浸領域は、前記複数の基板の露光動作において前記投影光学系の下に維持される。 - 請求項1〜30のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動の前後の少なくとも一方において、前記第1ステージと前記第2ステージとで互いに異なる動作が並行して行われる。 - 請求項1〜31のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記基板の計測、露光、及び交換が行われるように移動され、
前記基板の露光前後でそれぞれ、前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動が行われる。 - 請求項32に記載の露光装置において、
前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動に先立ち、前記第1、第2ステージの一方に載置される基板の露光と並行して、前記第1、第2ステージの他方に載置される基板の計測又は交換が行われる。 - 請求項33に記載の露光装置において、
前記計測が行われた基板を載置する前記他方のステージは、前記投影光学系と対向して配置される前記一方のステージに対して接近するように相対移動され、前記液浸領域に対する前記接近した第1、第2ステージの移動に続いて、前記他方のステージに載置される基板の露光動作が開始される。 - 請求項34に記載の露光装置において、
前記液浸領域に対する前記接近した第1、第2ステージの移動によって前記投影光学系の下から離脱した前記一方のステージは、前記露光された基板の交換が行われる。 - 請求項1〜35のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記基板のマークを検出するマーク検出系を、さらに備え、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記基板の露光に先立ち、前記マーク検出系によるマーク検出を含む前記基板の計測が行われるように移動される。 - 請求項36に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ基準部材を有し、前記マーク検出系によって前記基板のマークと前記基準部材とが検出される。 - 請求項1〜37のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記基板は、前記液体を介して露光が行われるとともに、前記液体を介すことなくマーク検出が行われる。 - 請求項1〜38のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記基板は走査露光が行われ、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して、前記走査露光時に前記基板が移動される走査方向と交差する所定方向に移動される。 - 請求項1〜39のいずれか一項に記載の露光装置において、
所定方向と交差する方向に関して前記投影光学系と位置が異なるマーク検出系を、さらに備え、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項1〜40のいずれか一項に記載の露光装置において、
所定方向に交差する方向に関して前記投影光学系と異なる位置で、前記第1、第2ステージにそれぞれ載置される基板の交換が行われ、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項1〜41のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、所定方向と交差する方向に関して前記第1領域と位置が異なる第2領域との一方から他方に移動され、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項1〜39のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記投影光学系と所定方向に関して異なる位置に配置されるマーク検出系を、さらに備え、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項1〜39、43のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記投影光学系と所定方向に関して異なる位置で、前記第1、第2ステージにそれぞれ載置される基板の交換が行われ、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項1〜39、43、44のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と所定方向に関して位置が異なる第2領域との一方から他方に移動され、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項42又は45に記載の露光装置において、
前記第2領域において、前記基板のマーク検出及び/又は交換が行われる。 - 請求項1〜46のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と異なる第2領域との一方から他方に移動されるとともに、前記第1領域から前記第2領域への移動と前記第2領域から前記第1領域への移動とで異なる経路を辿るように移動される。 - 請求項1〜47のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と異なる第2領域との一方から他方に移動され、
前記第1ステージと前記第2ステージとで、前記第2領域から前記第1領域への移動経路が同一となる。 - 請求項1〜48のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と異なる第2領域との一方から他方に移動され、
前記第1ステージと前記第2ステージとで、前記第1領域から前記第2領域への移動経路が同一となる。 - 請求項1〜49のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸システムは、少なくとも前記基板の露光動作において、前記液浸領域への液体供給と、前記液浸領域からの液体回収とを常時行う。 - 投影光学系と液体とを介してエネルギビームで基板を露光する露光方法であって、
それぞれ基板を載置する第1、第2ステージを相対的に移動することと、
前記液体によって前記投影光学系の下に形成される液浸領域を維持する前記第1、第2ステージの一方が他方に置き換えられるように、前記投影光学系の下方で前記液浸領域に対して前記第1、第2ステージを移動することと、を含み、
前記第1、第2ステージはその端部が対向した状態で前記液浸領域に対して移動されるとともに、前記対向する第1、第2ステージの端部が、前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と、前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで互いに異なる。 - 投影光学系と液体とを介してエネルギビームで基板を露光する露光方法であって、
それぞれ基板を載置する第1、第2ステージを相対的に移動することと、
前記液体によって前記投影光学系の下に形成される液浸領域に対して、一方が前記投影光学系と対向して配置される前記第1、第2ステージを移動することと、を含み、
この移動により前記一方のステージの代わりに前記投影光学系と対向して配置される前記第1、第2ステージの他方によって前記投影光学系の下に前記液浸領域が維持され、
前記第1、第2ステージはその端部が対向した状態で前記液浸領域に対して移動されるとともに、前記対向する第1、第2ステージの端部が、前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と、前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで互いに異なる。 - 投影光学系と液体とを介してエネルギビームで基板を露光する露光方法であって、
それぞれ基板を載置する第1、第2ステージを相対的に移動することと、
前記液体によって前記投影光学系の下に形成される液浸領域が前記投影光学系と前記第1、第2ステージの一方との間に維持される第1状態から、前記液浸領域が前記投影光学系と前記第1、第2ステージの他方との間に維持される第2状態に遷移するように、前記投影光学系の下方で前記液浸領域に対して前記第1、第2ステージを移動することと、を含み、
前記第1、第2ステージはその端部が対向した状態で前記液浸領域に対して移動されるとともに、前記対向する第1、第2ステージの端部が、前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と、前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで互いに異なる。 - 請求項51〜53のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージは、所定方向に関する位置関係が前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで異なるようにその位置関係が変更される。 - 請求項54に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージは、前記第1ステージの前記第2ステージへの置換において前記第1、第2ステージの第1端部が対向するように配置されるとともに、前記第2ステージの前記第1ステージへの置換において前記第1端部と異なる、前記第1、第2ステージの第2端部が対向するように配置される。 - 請求項55に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記第1、第2端部が前記所定方向に関して両端の端部である。 - 請求項54〜56のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージは、前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と、前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで、前記液浸領域に対して、前記所定方向に関して同一向きに移動される。 - 請求項51〜57のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動による、前記第1、第2ステージの一方の他方への置換において、前記液浸領域は、前記投影光学系の下に維持される。 - 請求項51〜58のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動によって、前記液浸領域は、前記第1、第2ステージの少なくとも一方によって前記投影光学系の下に維持されつつ前記第1、第2ステージの一方から他方に移動する。 - 請求項59に記載の露光方法において、
前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動の途中で、前記液浸領域は、前記1、第2ステージの両方によって前記投影光学系の下に維持される。 - 請求項51〜60のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージは、その少なくとも一方によって前記投影光学系の下に前記液浸領域が維持されるように、互いに近接または接触した状態が実質的に維持されつつ前記液浸領域に対して移動される。 - 請求項51〜61のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージは、前記投影光学系の下に前記液浸領域が実質的に維持されるように近接した状態、または前記第1、第2ステージの間隙からの液体の漏出が防止又は抑制されるように近接した状態、または接触した状態で前記液浸領域に対して移動される。 - 請求項61又は62に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージは、所定方向に関して前記近接または接触した状態で、その境界またはその間隙が前記液浸領域の下を通るように移動されるとともに、前記所定方向に関する位置関係が前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで異なるように配置される。 - 請求項63に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージは、前記所定方向に関して並置され、前記液浸領域が前記対向した端部を横切るように前記所定方向に移動される。 - 請求項51〜64のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージは、前記投影光学系と対向して配置される前記一方のステージに対して前記他方のステージが接近するように相対移動され、前記接近した第1、第2ステージが前記液浸領域に対して移動される。 - 請求項65に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記第1、第2ステージが移動される所定方向に関して互いに接近し、前記第1ステージの前記第2ステージへの置換と前記第2ステージの前記第1ステージへの置換とで、前記所定方向に関して前記第1、第2ステージの位置が逆となるように相対移動される。 - 請求項66に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージは、前記所定方向と交差する方向に関しても接近するように相対移動される。 - 請求項51〜67のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記第1、第2ステージが移動される所定方向と交差する方向に関してその位置関係が調整されるように相対移動される。 - 請求項51〜68のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはその位置関係が実質的に維持されつつ前記液浸領域に対して移動される。 - 請求項69に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記第1、第2ステージが移動される所定方向に関して実質的にその位置関係が維持される。 - 請求項51〜70のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記基板の一部に前記液浸領域が位置するように移動され、
前記基板は、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して前記エネルギビームで露光される。 - 請求項51〜71のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、一部に前記基板の載置領域が配置される上面と、前記載置領域に載置される基板との少なくとも一方によって、前記投影光学系の下に前記液浸領域を維持可能である。 - 請求項72に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記上面によって、前記載置領域に載置される基板から外れる前記液浸領域の少なくとも一部を保持する。 - 請求項72又は73に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記基板の表面が前記上面とほぼ面一となるように前記基板を前記載置領域に載置する。 - 請求項72〜74のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して前記エネルギビームが、前記上面の一部に配置される基準部材に照射されるように移動される。 - 請求項75に記載の露光方法において、
前記基準部材はその表面が前記上面とほぼ面一となるように設けられる。 - 請求項75又は76に記載の露光方法において、
前記基準部材は、前記基板の露光に用いられるマスクのマーク検出で用いられる。 - 請求項51〜77のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、内部に前記基板の載置領域が配置される補助部材によって、その上面が実質的に同一面となるように設定される。 - 請求項51〜78のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1ステージに載置される基板の露光動作と、前記第2ステージに載置される基板の露光動作とが交互に行われ、前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動はその露光動作の間に行われる。 - 請求項51〜79のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージを交互に用いて複数の基板の露光動作が行われ、前記液浸領域は、前記複数の基板の露光動作において前記投影光学系の下に維持される。 - 請求項51〜80のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動の前後の少なくとも一方において、前記第1ステージと前記第2ステージとで互いに異なる動作が並行して行われる。 - 請求項51〜81のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記基板の計測、露光、及び交換が行われるように移動され、
前記基板の露光前後でそれぞれ、前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動が行われる。 - 請求項82に記載の露光方法において、
前記液浸領域に対する前記第1、第2ステージの移動に先立ち、前記第1、第2ステージの一方に載置される基板の露光と並行して、前記第1、第2ステージの他方に載置される基板の計測又は交換が行われる。 - 請求項83に記載の露光方法において、
前記計測が行われた基板を載置する前記他方のステージは、前記投影光学系と対向して配置される前記一方のステージに対して接近するように相対移動され、前記液浸領域に対する前記接近した第1、第2ステージの移動に続いて、前記他方のステージに載置される基板の露光動作が開始される。 - 請求項84に記載の露光方法において、
前記液浸領域に対する前記接近した第1、第2ステージの移動によって前記投影光学系の下から離脱した前記一方のステージは、前記露光された基板の交換が行われる。 - 請求項51〜85のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記基板の露光に先立ち、前記基板のマーク検出を含む前記基板の計測が行われるように移動される。 - 請求項86に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ基準部材を有し、前記基板のマークを検出するマーク検出系によって前記基板のマークと前記基準部材とが検出される。 - 請求項51〜87のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記基板は、前記液体を介して露光が行われるとともに、前記液体を介すことなくマーク検出が行われる。 - 請求項51〜88のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記基板は走査露光が行われ、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して、前記走査露光時に前記基板が移動される走査方向と交差する所定方向に移動される。 - 請求項51〜89のいずれか一項に記載の露光方法において、
所定方向と交差する方向に関して前記投影光学系と位置が異なるマーク検出系によって、前記基板のマーク検出が行われ、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項51〜90のいずれか一項に記載の露光方法において、
所定方向に交差する方向に関して前記投影光学系と異なる位置で、前記第1、第2ステージにそれぞれ載置される基板の交換が行われ、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項51〜91のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、所定方向と交差する方向に関して前記第1領域と位置が異なる第2領域との一方から他方に移動され、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項51〜89のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記投影光学系と所定方向に関して異なる位置に配置されるマーク検出系によって、前記基板のマーク検出が行われ、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項51〜89、93のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記投影光学系と所定方向に関して異なる位置で、前記第1、第2ステージにそれぞれ載置される基板の交換が行われ、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項51〜89、93、94のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と所定方向に関して位置が異なる第2領域との一方から他方に移動され、
前記第1、第2ステージは、前記液浸領域に対して前記所定方向に移動される。 - 請求項92又は95に記載の露光方法において、
前記第2領域において、前記基板のマーク検出及び/又は交換が行われる。 - 請求項51〜96のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と異なる第2領域との一方から他方に移動されるとともに、前記第1領域から前記第2領域への移動と前記第2領域から前記第1領域への移動とで異なる経路を辿るように移動される。 - 請求項51〜97のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と異なる第2領域との一方から他方に移動され、
前記第1ステージと前記第2ステージとで、前記第2領域から前記第1領域への移動経路が同一となる。 - 請求項51〜98のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2ステージはそれぞれ、前記投影光学系が配置される第1領域と、前記第1領域と異なる第2領域との一方から他方に移動され、
前記第1ステージと前記第2ステージとで、前記第1領域から前記第2領域への移動経路が同一となる。 - 請求項51〜99のいずれか一項に記載の露光方法において、
少なくとも前記基板の露光動作において、前記液浸領域への液体供給と、前記液浸領域からの液体回収とが常時行われる。 - リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、
前記リソグラフィ工程では、請求項1〜50のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板上にデバイスパターンを転写することを特徴とするデバイス製造方法。 - リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、
前記リソグラフィ工程では、請求項51〜100のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板上にデバイスパターンを転写することを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012078281A JP5333622B2 (ja) | 2004-02-02 | 2012-03-29 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004025837 | 2004-02-02 | ||
JP2004025837 | 2004-02-02 | ||
JP2004300566 | 2004-10-14 | ||
JP2004300566 | 2004-10-14 | ||
JP2012078281A JP5333622B2 (ja) | 2004-02-02 | 2012-03-29 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011028991A Division JP5287896B2 (ja) | 2004-02-02 | 2011-02-14 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012142604A JP2012142604A (ja) | 2012-07-26 |
JP2012142604A5 JP2012142604A5 (ja) | 2013-06-06 |
JP5333622B2 true JP5333622B2 (ja) | 2013-11-06 |
Family
ID=34829444
Family Applications (16)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005517477A Expired - Fee Related JP4910394B2 (ja) | 2004-02-02 | 2005-01-27 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2010012364A Expired - Fee Related JP4952803B2 (ja) | 2004-02-02 | 2010-01-22 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2010012363A Expired - Fee Related JP4952802B2 (ja) | 2004-02-02 | 2010-01-22 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011028991A Expired - Fee Related JP5287896B2 (ja) | 2004-02-02 | 2011-02-14 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011028992A Expired - Fee Related JP5287897B2 (ja) | 2004-02-02 | 2011-02-14 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011127624A Expired - Fee Related JP5287932B2 (ja) | 2004-02-02 | 2011-06-07 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012078251A Expired - Fee Related JP5344061B2 (ja) | 2004-02-02 | 2012-03-29 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012078281A Expired - Fee Related JP5333622B2 (ja) | 2004-02-02 | 2012-03-29 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013080851A Expired - Fee Related JP5488741B2 (ja) | 2004-02-02 | 2013-04-08 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013268680A Expired - Fee Related JP5630557B2 (ja) | 2004-02-02 | 2013-12-26 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2014122324A Expired - Fee Related JP5761430B2 (ja) | 2004-02-02 | 2014-06-13 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2015006834A Expired - Fee Related JP5930083B2 (ja) | 2004-02-02 | 2015-01-16 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2015124507A Expired - Fee Related JP5935929B2 (ja) | 2004-02-02 | 2015-06-22 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2016006012A Expired - Fee Related JP6052439B2 (ja) | 2004-02-02 | 2016-01-15 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2016132653A Expired - Fee Related JP6222301B2 (ja) | 2004-02-02 | 2016-07-04 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2017105222A Expired - Fee Related JP6327385B2 (ja) | 2004-02-02 | 2017-05-29 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
Family Applications Before (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005517477A Expired - Fee Related JP4910394B2 (ja) | 2004-02-02 | 2005-01-27 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2010012364A Expired - Fee Related JP4952803B2 (ja) | 2004-02-02 | 2010-01-22 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2010012363A Expired - Fee Related JP4952802B2 (ja) | 2004-02-02 | 2010-01-22 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011028991A Expired - Fee Related JP5287896B2 (ja) | 2004-02-02 | 2011-02-14 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011028992A Expired - Fee Related JP5287897B2 (ja) | 2004-02-02 | 2011-02-14 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011127624A Expired - Fee Related JP5287932B2 (ja) | 2004-02-02 | 2011-06-07 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012078251A Expired - Fee Related JP5344061B2 (ja) | 2004-02-02 | 2012-03-29 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Family Applications After (8)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013080851A Expired - Fee Related JP5488741B2 (ja) | 2004-02-02 | 2013-04-08 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013268680A Expired - Fee Related JP5630557B2 (ja) | 2004-02-02 | 2013-12-26 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2014122324A Expired - Fee Related JP5761430B2 (ja) | 2004-02-02 | 2014-06-13 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2015006834A Expired - Fee Related JP5930083B2 (ja) | 2004-02-02 | 2015-01-16 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2015124507A Expired - Fee Related JP5935929B2 (ja) | 2004-02-02 | 2015-06-22 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2016006012A Expired - Fee Related JP6052439B2 (ja) | 2004-02-02 | 2016-01-15 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2016132653A Expired - Fee Related JP6222301B2 (ja) | 2004-02-02 | 2016-07-04 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
JP2017105222A Expired - Fee Related JP6327385B2 (ja) | 2004-02-02 | 2017-05-29 | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (15) | US7589822B2 (ja) |
EP (9) | EP2284866B1 (ja) |
JP (16) | JP4910394B2 (ja) |
KR (16) | KR101187616B1 (ja) |
CN (1) | CN101685263B (ja) |
AT (1) | ATE493753T1 (ja) |
DE (1) | DE602005025596D1 (ja) |
HK (8) | HK1093606A1 (ja) |
IL (7) | IL226838A (ja) |
SG (5) | SG185342A1 (ja) |
TW (14) | TWI521312B (ja) |
WO (1) | WO2005074014A1 (ja) |
Families Citing this family (193)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG121822A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101533206B1 (ko) * | 2003-04-11 | 2015-07-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법 |
KR101419663B1 (ko) | 2003-06-19 | 2014-07-15 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
CN100407371C (zh) * | 2003-08-29 | 2008-07-30 | 株式会社尼康 | 曝光装置和器件加工方法 |
US7589822B2 (en) * | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US20070030467A1 (en) * | 2004-02-19 | 2007-02-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device fabricating method |
JP4220423B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2009-02-04 | 株式会社東芝 | レジストパターン形成方法 |
EP1737024A4 (en) * | 2004-03-25 | 2008-10-15 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICES, EXPOSURE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
EP3098835B1 (en) * | 2004-06-21 | 2017-07-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
KR101331631B1 (ko) | 2004-10-15 | 2013-11-20 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7119876B2 (en) * | 2004-10-18 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101598903A (zh) * | 2004-11-01 | 2009-12-09 | 株式会社尼康 | 曝光装置及曝光方法 |
TWI553703B (zh) | 2004-11-18 | 2016-10-11 | 尼康股份有限公司 | A position measuring method, a position control method, a measuring method, a loading method, an exposure method and an exposure apparatus, and a device manufacturing method |
KR20070100865A (ko) * | 2004-12-06 | 2007-10-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 처리 방법, 노광 방법, 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
US7528931B2 (en) | 2004-12-20 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20070258068A1 (en) * | 2005-02-17 | 2007-11-08 | Hiroto Horikawa | Exposure Apparatus, Exposure Method, and Device Fabricating Method |
USRE43576E1 (en) | 2005-04-08 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN100555568C (zh) | 2005-04-28 | 2009-10-28 | 株式会社尼康 | 曝光方法及曝光装置、以及元件制造方法 |
KR20080028839A (ko) * | 2005-08-05 | 2008-04-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지 장치 및 노광 장치 |
US8780326B2 (en) | 2005-09-09 | 2014-07-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US7633073B2 (en) | 2005-11-23 | 2009-12-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7871933B2 (en) * | 2005-12-01 | 2011-01-18 | International Business Machines Corporation | Combined stepper and deposition tool |
US8953148B2 (en) | 2005-12-28 | 2015-02-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and making method thereof |
KR101296546B1 (ko) | 2005-12-28 | 2013-08-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 패턴 형성 방법 및 패턴 형성 장치, 노광 방법 및 노광장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
WO2007080523A1 (en) * | 2006-01-10 | 2007-07-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Maglev object positioning apparatus and method for positioning an object and maintaining position with high stability |
EP2857902B1 (en) | 2006-01-19 | 2016-04-20 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus, immersion exposure method, and device fabricating method |
KR101346581B1 (ko) * | 2006-02-21 | 2014-01-02 | 가부시키가이샤 니콘 | 패턴 형성 장치 및 패턴 형성 방법, 이동체 구동 시스템 및이동체 구동 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
CN101385122B (zh) * | 2006-02-21 | 2010-12-08 | 株式会社尼康 | 图案形成装置、标记检测装置、曝光装置、图案形成方法、曝光方法及组件制造方法 |
SG170010A1 (en) | 2006-02-21 | 2011-04-29 | Nikon Corp | Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure appararus and method, and device manufacturing method |
JP5077770B2 (ja) | 2006-03-07 | 2012-11-21 | 株式会社ニコン | デバイス製造方法、デバイス製造システム及び測定検査装置 |
US7230676B1 (en) * | 2006-03-13 | 2007-06-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7310132B2 (en) * | 2006-03-17 | 2007-12-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7760324B2 (en) * | 2006-03-20 | 2010-07-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI454859B (zh) | 2006-03-30 | 2014-10-01 | 尼康股份有限公司 | 移動體裝置、曝光裝置與曝光方法以及元件製造方法 |
CN102298274A (zh) | 2006-05-18 | 2011-12-28 | 株式会社尼康 | 曝光方法及装置、维护方法、以及组件制造方法 |
TW200818256A (en) | 2006-05-22 | 2008-04-16 | Nikon Corp | Exposure method and apparatus, maintenance method, and device manufacturing method |
CN102156389A (zh) | 2006-05-23 | 2011-08-17 | 株式会社尼康 | 维修方法、曝光方法及装置、以及组件制造方法 |
JPWO2007139017A1 (ja) * | 2006-05-29 | 2009-10-08 | 株式会社ニコン | 液体回収部材、基板保持部材、露光装置、及びデバイス製造方法 |
CN101479832B (zh) | 2006-06-09 | 2011-05-11 | 株式会社尼康 | 移动体装置、曝光装置和曝光方法以及元件制造方法 |
CN100456138C (zh) * | 2006-06-13 | 2009-01-28 | 上海微电子装备有限公司 | 浸没式光刻机浸液流场维持系统 |
EP2043134A4 (en) | 2006-06-30 | 2012-01-25 | Nikon Corp | MAINTENANCE METHOD, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
US8570484B2 (en) * | 2006-08-30 | 2013-10-29 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus, device manufacturing method, cleaning method, and cleaning member to remove foreign substance using liquid |
KR101824374B1 (ko) | 2006-08-31 | 2018-01-31 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
TWI572995B (zh) | 2006-08-31 | 2017-03-01 | 尼康股份有限公司 | Exposure method and exposure apparatus, and component manufacturing method |
CN104656377B (zh) | 2006-08-31 | 2017-07-07 | 株式会社尼康 | 曝光方法、曝光装置、及组件制造方法 |
SG174102A1 (en) | 2006-09-01 | 2011-09-29 | Nikon Corp | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and calibration method |
TWI623825B (zh) | 2006-09-01 | 2018-05-11 | Nikon Corp | 曝光裝置及方法、以及元件製造方法 |
US7872730B2 (en) * | 2006-09-15 | 2011-01-18 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus and immersion exposure method, and device manufacturing method |
KR101413891B1 (ko) * | 2006-09-29 | 2014-06-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
US20080158531A1 (en) * | 2006-11-15 | 2008-07-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
JP5055971B2 (ja) | 2006-11-16 | 2012-10-24 | 株式会社ニコン | 表面処理方法及び表面処理装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
US7973910B2 (en) * | 2006-11-17 | 2011-07-05 | Nikon Corporation | Stage apparatus and exposure apparatus |
JP5089143B2 (ja) * | 2006-11-20 | 2012-12-05 | キヤノン株式会社 | 液浸露光装置 |
US20080156356A1 (en) | 2006-12-05 | 2008-07-03 | Nikon Corporation | Cleaning liquid, cleaning method, liquid generating apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method |
JP2009033111A (ja) * | 2007-05-28 | 2009-02-12 | Nikon Corp | 露光装置、デバイス製造方法、洗浄装置、及びクリーニング方法並びに露光方法 |
US8164736B2 (en) | 2007-05-29 | 2012-04-24 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device |
US7737515B2 (en) * | 2007-06-20 | 2010-06-15 | New Jersey Institute Of Technology | Method of assembly using array of programmable magnets |
WO2009011119A1 (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-22 | Nikon Corporation | パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法及びデバイス |
US9025126B2 (en) | 2007-07-31 | 2015-05-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus adjusting method, exposure apparatus, and device fabricating method |
US8421994B2 (en) | 2007-09-27 | 2013-04-16 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
US8279399B2 (en) | 2007-10-22 | 2012-10-02 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP4986185B2 (ja) * | 2007-11-07 | 2012-07-25 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
SG185261A1 (en) | 2007-12-11 | 2012-11-29 | Nikon Corp | Movable body apparatus, exposure apparatus and pattern formation apparatus, and device manufacturing method |
SG183057A1 (en) * | 2007-12-17 | 2012-08-30 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
US20090153824A1 (en) * | 2007-12-17 | 2009-06-18 | Kla-Tencor Corporation | Multiple chuck scanning stage |
US8964166B2 (en) | 2007-12-17 | 2015-02-24 | Nikon Corporation | Stage device, exposure apparatus and method of producing device |
US8269945B2 (en) * | 2007-12-28 | 2012-09-18 | Nikon Corporation | Movable body drive method and apparatus, exposure method and apparatus, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method |
US8237916B2 (en) * | 2007-12-28 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Movable body drive system, pattern formation apparatus, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
TWI454851B (zh) * | 2007-12-28 | 2014-10-01 | 尼康股份有限公司 | An exposure apparatus, a moving body driving system, a pattern forming apparatus, and an exposure method, and an element manufacturing method |
JP5369443B2 (ja) | 2008-02-05 | 2013-12-18 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
WO2009098891A1 (ja) | 2008-02-08 | 2009-08-13 | Nikon Corporation | 位置計測システム及び位置計測方法、移動体装置、移動体駆動方法、露光装置及び露光方法、パターン形成装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2009218564A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-09-24 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US20100039628A1 (en) * | 2008-03-19 | 2010-02-18 | Nikon Corporation | Cleaning tool, cleaning method, and device fabricating method |
WO2009125867A1 (ja) | 2008-04-11 | 2009-10-15 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
US8654306B2 (en) * | 2008-04-14 | 2014-02-18 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, cleaning method, and device fabricating method |
US8817236B2 (en) | 2008-05-13 | 2014-08-26 | Nikon Corporation | Movable body system, movable body drive method, pattern formation apparatus, pattern formation method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8786829B2 (en) | 2008-05-13 | 2014-07-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8228482B2 (en) | 2008-05-13 | 2012-07-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
EP2283310A4 (en) * | 2008-05-22 | 2011-11-02 | Micronic Laser Systems Ab | METHOD AND DEVICE FOR OVERLAP COMPENSATION BETWEEN EFFECTED LAYERS ON A WORKPIECE |
US9176393B2 (en) * | 2008-05-28 | 2015-11-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus |
WO2010005081A1 (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-14 | 株式会社ニコン | 変形計測装置、露光装置、変形計測装置用治具、位置計測方法、及びデバイス製造方法 |
WO2010050240A1 (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
EP2189849B1 (en) | 2008-11-21 | 2015-12-16 | ASML Netherlands B.V. | A lithographic apparatus provided with a swap bridge |
EP2196857A3 (en) | 2008-12-09 | 2010-07-21 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9062260B2 (en) | 2008-12-10 | 2015-06-23 | Chevron U.S.A. Inc. | Removing unstable sulfur compounds from crude oil |
US8599359B2 (en) | 2008-12-19 | 2013-12-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method |
US8902402B2 (en) | 2008-12-19 | 2014-12-02 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8760629B2 (en) | 2008-12-19 | 2014-06-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus including positional measurement system of movable body, exposure method of exposing object including measuring positional information of movable body, and device manufacturing method that includes exposure method of exposing object, including measuring positional information of movable body |
US8773635B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-07-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8896806B2 (en) * | 2008-12-29 | 2014-11-25 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US20100196832A1 (en) * | 2009-01-30 | 2010-08-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, liquid immersion member and device fabricating method |
WO2010103822A1 (ja) | 2009-03-10 | 2010-09-16 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
US8202671B2 (en) | 2009-04-28 | 2012-06-19 | Nikon Corporation | Protective apparatus, mask, mask forming apparatus, mask forming method, exposure apparatus, device fabricating method, and foreign matter detecting apparatus |
US20100296074A1 (en) * | 2009-04-30 | 2010-11-25 | Nikon Corporation | Exposure method, and device manufacturing method |
TW201115047A (en) * | 2009-05-07 | 2011-05-01 | Nikon Corp | Vibration control apparatus, vibration control method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US20100323303A1 (en) * | 2009-05-15 | 2010-12-23 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method |
TW201115280A (en) | 2009-05-15 | 2011-05-01 | Nikon Corp | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US8792084B2 (en) * | 2009-05-20 | 2014-07-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8970820B2 (en) * | 2009-05-20 | 2015-03-03 | Nikon Corporation | Object exchange method, exposure method, carrier system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
IT1399285B1 (it) * | 2009-07-03 | 2013-04-11 | Applied Materials Inc | Sistema di lavorazione substrato |
JP5667568B2 (ja) | 2009-08-07 | 2015-02-12 | 株式会社ニコン | 移動体装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
US20110032495A1 (en) | 2009-08-07 | 2011-02-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8493547B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-07-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8514395B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-08-20 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US20110102761A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-05-05 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method |
US20110096312A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
US20110096318A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
US20110096306A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method |
US20110199591A1 (en) * | 2009-10-14 | 2011-08-18 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, maintenance method and device fabricating method |
KR20120101437A (ko) | 2009-11-09 | 2012-09-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법, 노광 장치의 메인터넌스 방법, 노광 장치의 조정 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
US20110123913A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-05-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method |
US20110128523A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method |
DE102009054653A1 (de) * | 2009-12-15 | 2011-06-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel für den EUV-Wellenlängenbereich, Substrat für einen solchen Spiegel, Verwendung einer Quarzschicht für ein solches Substrat, Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie mit einem solchen Spiegel oder einem solchen Substrat und Projetktionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Projektionsobjektiv |
CN103135365A (zh) | 2009-12-28 | 2013-06-05 | 株式会社尼康 | 液浸构件、液浸构件的制造方法、曝光装置、及元件制造方法 |
US9223225B2 (en) | 2010-01-08 | 2015-12-29 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP2011156678A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Sony Corp | 3次元造形装置、3次元造形物の製造方法及び3次元造形物 |
KR20120116329A (ko) | 2010-02-20 | 2012-10-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 광원 최적화 방법, 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 프로그램, 노광 장치, 리소그래피 시스템, 광원 평가 방법 및 광원 변조 방법 |
US20110222031A1 (en) * | 2010-03-12 | 2011-09-15 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
NL2006506A (en) * | 2010-04-28 | 2011-10-31 | Asml Netherlands Bv | A component of an immersion system, an immersion lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
US20120013863A1 (en) | 2010-07-14 | 2012-01-19 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
US20120013864A1 (en) | 2010-07-14 | 2012-01-19 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
US8937703B2 (en) | 2010-07-14 | 2015-01-20 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
US20120012191A1 (en) | 2010-07-16 | 2012-01-19 | Nikon Corporation | Liquid recovery apparatus, exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium |
US20120019802A1 (en) | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Nikon Corporation | Cleaning method, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program, and storage medium |
US20120019804A1 (en) | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Nikon Corporation | Cleaning method, cleaning apparatus, device fabricating method, program, and storage medium |
US20120019803A1 (en) | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Nikon Corporation | Cleaning method, liquid immersion member, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program, and storage medium |
US8418773B2 (en) | 2010-09-10 | 2013-04-16 | Jason Cerrano | Fire-fighting control system |
JP5510299B2 (ja) * | 2010-12-13 | 2014-06-04 | ウシオ電機株式会社 | 露光装置および露光方法 |
EP2469339B1 (en) * | 2010-12-21 | 2017-08-30 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20120162619A1 (en) | 2010-12-27 | 2012-06-28 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, exposing method, device fabricating method, program, and storage medium |
US20120188521A1 (en) | 2010-12-27 | 2012-07-26 | Nikon Corporation | Cleaning method, liquid immersion member, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program and storage medium |
US9030057B2 (en) | 2011-06-24 | 2015-05-12 | Nikon Corporation | Method and apparatus to allow a plurality of stages to operate in close proximity |
US20130016329A1 (en) | 2011-07-12 | 2013-01-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, measurement method, and device manufacturing method |
US9329496B2 (en) | 2011-07-21 | 2016-05-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, method of manufacturing device, program, and storage medium |
US9256137B2 (en) | 2011-08-25 | 2016-02-09 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, liquid holding method, and device manufacturing method |
US20130050666A1 (en) | 2011-08-26 | 2013-02-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, liquid holding method, and device manufacturing method |
US8794610B2 (en) * | 2011-09-20 | 2014-08-05 | Mitutoyo Corporation | Two-dimension precision transfer equipment, three-dimension precision transfer equipment, and coordinate measuring machine |
NL2009345A (en) * | 2011-09-28 | 2013-04-02 | Asml Netherlands Bv | Method of applying a pattern to a substrate, device manufacturing method and lithographic apparatus for use in such methods. |
WO2013073538A1 (ja) | 2011-11-17 | 2013-05-23 | 株式会社ニコン | エンコーダ装置、移動量計測方法、光学装置、並びに露光方法及び装置 |
US20130135594A1 (en) | 2011-11-25 | 2013-05-30 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, program, and recording medium |
US20130169944A1 (en) | 2011-12-28 | 2013-07-04 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, program, and recording medium |
US9207549B2 (en) | 2011-12-29 | 2015-12-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement |
CN103199046B (zh) * | 2012-01-05 | 2015-09-09 | 沈阳新松机器人自动化股份有限公司 | 晶圆缺口边缘中心预对准方法 |
US9323160B2 (en) | 2012-04-10 | 2016-04-26 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposure method, device fabricating method, program, and recording medium |
US9268231B2 (en) | 2012-04-10 | 2016-02-23 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method for manufacturing device, program, and recording medium |
US20130271738A1 (en) * | 2012-04-13 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9823580B2 (en) | 2012-07-20 | 2017-11-21 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method for manufacturing device, program, and recording medium |
US9678433B2 (en) | 2012-10-02 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
US9568828B2 (en) | 2012-10-12 | 2017-02-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium |
US9494870B2 (en) | 2012-10-12 | 2016-11-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium |
US9772564B2 (en) * | 2012-11-12 | 2017-09-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
EP2947679A4 (en) | 2012-11-20 | 2017-02-08 | Nikon Corporation | Exposure device, mobile device, and device manufacturing method |
CN104969330B (zh) | 2012-11-30 | 2018-04-03 | 株式会社尼康 | 吸引装置、搬入方法、搬送系统及曝光装置、和器件制造方法 |
KR101450713B1 (ko) * | 2012-12-05 | 2014-10-16 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
US9377697B2 (en) | 2012-12-20 | 2016-06-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and table for use in such an apparatus |
JP6119242B2 (ja) | 2012-12-27 | 2017-04-26 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
US9651873B2 (en) | 2012-12-27 | 2017-05-16 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium |
US9720331B2 (en) | 2012-12-27 | 2017-08-01 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium |
US9352073B2 (en) | 2013-01-22 | 2016-05-31 | Niko Corporation | Functional film |
US9057955B2 (en) | 2013-01-22 | 2015-06-16 | Nikon Corporation | Functional film, liquid immersion member, method of manufacturing liquid immersion member, exposure apparatus, and device manufacturing method |
WO2014132923A1 (ja) | 2013-02-28 | 2014-09-04 | 株式会社ニコン | 摺動膜、摺動膜が形成された部材、及びその製造方法 |
JP5344105B1 (ja) * | 2013-03-08 | 2013-11-20 | ウシオ電機株式会社 | 光配向用偏光光照射装置及び光配向用偏光光照射方法 |
JP6178092B2 (ja) * | 2013-03-28 | 2017-08-09 | 株式会社荏原製作所 | ステージ装置及び電子線応用装置 |
KR101794744B1 (ko) | 2013-08-14 | 2017-12-01 | 에프이아이 컴파니 | 하전 입자 비임 시스템용 회로 프로브 |
WO2015052781A1 (ja) | 2013-10-08 | 2015-04-16 | 株式会社ニコン | 液浸部材、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
EP3055737A1 (en) * | 2013-10-09 | 2016-08-17 | ASML Netherlands B.V. | Polarization independent interferometer |
US20150187540A1 (en) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Drawing apparatus and method of manufacturing article |
JP6481242B2 (ja) * | 2014-10-29 | 2019-03-13 | 新シコー科技株式会社 | レンズ駆動装置、カメラ装置及び電子機器 |
TWI696042B (zh) | 2015-02-23 | 2020-06-11 | 日商尼康股份有限公司 | 測量裝置、微影系統及曝光裝置、以及管理方法、重疊測量方法及元件製造方法 |
JP6719729B2 (ja) * | 2015-02-23 | 2020-07-08 | 株式会社ニコン | 基板処理システム及び基板処理方法、並びにデバイス製造方法 |
KR20230107706A (ko) | 2015-02-23 | 2023-07-17 | 가부시키가이샤 니콘 | 계측 장치, 리소그래피 시스템 및 노광 장치, 그리고디바이스 제조 방법 |
US9927723B2 (en) * | 2015-03-24 | 2018-03-27 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for on-the-fly digital exposure image data modification |
KR102556125B1 (ko) | 2015-03-25 | 2023-07-14 | 가부시키가이샤 니콘 | 레이아웃 방법, 마크 검출 방법, 노광 방법, 계측 장치, 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
JP6700932B2 (ja) * | 2016-04-20 | 2020-05-27 | キヤノン株式会社 | 検出装置、検出方法、プログラム、リソグラフィ装置、および物品製造方法 |
JP6353487B2 (ja) * | 2016-05-26 | 2018-07-04 | 株式会社サーマプレシジョン | 投影露光装置及びその投影露光方法 |
EP3467591A4 (en) * | 2016-05-31 | 2020-02-12 | Nikon Corporation | MARKING DETECTION DEVICE, MARKING DETECTION METHOD, MEASURING DEVICE, EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
JP6929024B2 (ja) * | 2016-07-06 | 2021-09-01 | キヤノン株式会社 | 光学装置、露光装置及び物品の製造方法 |
KR102566162B1 (ko) * | 2016-08-23 | 2023-08-10 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 검사 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 검사 방법 |
JP7081490B2 (ja) | 2016-09-27 | 2022-06-07 | 株式会社ニコン | レイアウト情報提供方法、レイアウト情報、決定方法、プログラム、並びに情報記録媒体 |
CN110268334A (zh) * | 2017-02-03 | 2019-09-20 | Asml荷兰有限公司 | 曝光设备 |
WO2018154941A1 (ja) * | 2017-02-22 | 2018-08-30 | 新東工業株式会社 | テストシステム |
US10009119B1 (en) * | 2017-03-06 | 2018-06-26 | The Boeing Company | Bandgap modulation for underwater communications and energy harvesting |
TWI818915B (zh) | 2017-07-14 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 度量衡裝置及基板載物台處置器系統 |
JP6985102B2 (ja) * | 2017-10-31 | 2021-12-22 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP7060995B2 (ja) * | 2018-03-30 | 2022-04-27 | キヤノン株式会社 | ステージ装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
JP7212701B2 (ja) * | 2018-05-31 | 2023-01-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | デジタルリソグラフィシステムでのマルチ基板処理 |
JP2020022010A (ja) * | 2018-07-30 | 2020-02-06 | キヤノン株式会社 | 清掃装置及び清掃方法 |
CN110773513B (zh) * | 2018-07-30 | 2022-12-20 | 佳能株式会社 | 清洁设备和清洁设备的控制方法 |
TWI721307B (zh) * | 2018-09-21 | 2021-03-11 | 禾宬科技有限公司 | 半導體清洗裝置及方法 |
JP7265020B2 (ja) * | 2019-02-28 | 2023-04-25 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | ステージシステム及びリソグラフィ装置 |
US11094499B1 (en) * | 2020-10-04 | 2021-08-17 | Borries Pte. Ltd. | Apparatus of charged-particle beam such as electron microscope comprising sliding specimen table within objective lens |
Family Cites Families (345)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US478661A (en) | 1892-07-12 | Henri tudor | ||
US723963A (en) * | 1902-10-01 | 1903-03-31 | Howard H Willson | Temporary binder. |
GB1242527A (en) | 1967-10-20 | 1971-08-11 | Kodak Ltd | Optical instruments |
US3626560A (en) | 1970-06-04 | 1971-12-14 | Cogsdill Tool Prod | Sizing and finishing device for external surfaces |
US4026653A (en) | 1975-05-09 | 1977-05-31 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Proximity printing method |
US4341164A (en) | 1980-06-13 | 1982-07-27 | Charles H. Ruble | Folding camp table |
US4509852A (en) * | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
US4346164A (en) * | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57117238A (en) | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
US4465363A (en) | 1981-11-27 | 1984-08-14 | Hoechst Aktiengesellschaft | Cleaning device for cleaning the peripheral surface of a photoconductive drum in an electrophotographic copier |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
JPS59228356A (ja) | 1983-06-09 | 1984-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 空気電池の収納ケ−ス |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
US4650983A (en) | 1983-11-07 | 1987-03-17 | Nippon Kogaku K. K. | Focusing apparatus for projection optical system |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS6122249A (ja) | 1984-07-11 | 1986-01-30 | Tokyo Keiki Co Ltd | 超音波探傷器 |
US4780617A (en) | 1984-08-09 | 1988-10-25 | Nippon Kogaku K.K. | Method for successive alignment of chip patterns on a substrate |
JPS6144429A (ja) | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ方法、及び位置合せ装置 |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS62121417A (ja) | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Hitachi Ltd | 液浸対物レンズ装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JP2940553B2 (ja) | 1988-12-21 | 1999-08-25 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
JP2897355B2 (ja) | 1990-07-05 | 1999-05-31 | 株式会社ニコン | アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置 |
US5121256A (en) * | 1991-03-14 | 1992-06-09 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Lithography system employing a solid immersion lens |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
US5243195A (en) | 1991-04-25 | 1993-09-07 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor |
JP3200874B2 (ja) | 1991-07-10 | 2001-08-20 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
JP3203719B2 (ja) | 1991-12-26 | 2001-08-27 | 株式会社ニコン | 露光装置、その露光装置により製造されるデバイス、露光方法、およびその露光方法を用いたデバイス製造方法 |
US5469963A (en) * | 1992-04-08 | 1995-11-28 | Asyst Technologies, Inc. | Sealable transportable container having improved liner |
JPH05304072A (ja) | 1992-04-08 | 1993-11-16 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH06124873A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JP3316833B2 (ja) | 1993-03-26 | 2002-08-19 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法 |
KR100300618B1 (ko) | 1992-12-25 | 2001-11-22 | 오노 시게오 | 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법 |
JPH06208058A (ja) | 1993-01-13 | 1994-07-26 | Olympus Optical Co Ltd | 顕微鏡対物レンズ |
US5591958A (en) * | 1993-06-14 | 1997-01-07 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus |
JP3412704B2 (ja) | 1993-02-26 | 2003-06-03 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 |
JP3747958B2 (ja) | 1995-04-07 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系 |
JP3747951B2 (ja) | 1994-11-07 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系 |
JPH09311278A (ja) | 1996-05-20 | 1997-12-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JP3635684B2 (ja) | 1994-08-23 | 2005-04-06 | 株式会社ニコン | 反射屈折縮小投影光学系、反射屈折光学系、並びに投影露光方法及び装置 |
US5636066A (en) | 1993-03-12 | 1997-06-03 | Nikon Corporation | Optical apparatus |
US5534970A (en) | 1993-06-11 | 1996-07-09 | Nikon Corporation | Scanning exposure apparatus |
JP3265503B2 (ja) | 1993-06-11 | 2002-03-11 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置 |
DE69429131T2 (de) | 1993-06-18 | 2002-07-11 | Hitachi Maxell | Elektrochemisches Element mit flüssigem organischem Elektrolyten |
JP3212199B2 (ja) * | 1993-10-04 | 2001-09-25 | 旭硝子株式会社 | 平板型陰極線管 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
US7365513B1 (en) | 1994-04-01 | 2008-04-29 | Nikon Corporation | Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device |
US6989647B1 (en) | 1994-04-01 | 2006-01-24 | Nikon Corporation | Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device |
US5528118A (en) | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
US5874820A (en) | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
JP3395801B2 (ja) | 1994-04-28 | 2003-04-14 | 株式会社ニコン | 反射屈折投影光学系、走査型投影露光装置、及び走査投影露光方法 |
JP3555230B2 (ja) | 1994-05-18 | 2004-08-18 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JPH07335748A (ja) | 1994-06-07 | 1995-12-22 | Miyazaki Oki Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
US5715064A (en) * | 1994-06-17 | 1998-02-03 | International Business Machines Corporation | Step and repeat apparatus having enhanced accuracy and increased throughput |
KR0124189B1 (ko) * | 1994-07-29 | 1997-11-25 | 배순훈 | 다중광학계를 갖춘 광픽업장치 |
USRE38438E1 (en) | 1994-08-23 | 2004-02-24 | Nikon Corporation | Catadioptric reduction projection optical system and exposure apparatus having the same |
JPH0883753A (ja) * | 1994-09-13 | 1996-03-26 | Nikon Corp | 焦点検出方法 |
US5623853A (en) | 1994-10-19 | 1997-04-29 | Nikon Precision Inc. | Precision motion stage with single guide beam and follower stage |
JPH08136475A (ja) | 1994-11-14 | 1996-05-31 | Kawasaki Steel Corp | 板状材の表面観察装置 |
JP3387075B2 (ja) | 1994-12-12 | 2003-03-17 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、露光装置、及び走査型露光装置 |
JPH08171054A (ja) | 1994-12-16 | 1996-07-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
US5677758A (en) | 1995-02-09 | 1997-10-14 | Mrs Technology, Inc. | Lithography System using dual substrate stages |
US6008500A (en) | 1995-04-04 | 1999-12-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus having dynamically isolated reaction frame |
DE69604524T2 (de) * | 1995-04-25 | 2000-04-13 | Canon Kk | Abtastbelichtungsapparat und Belichtungsverfahren unter Verwendung desselben |
JPH08316124A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
US5751404A (en) * | 1995-07-24 | 1998-05-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method wherein alignment is carried out by comparing marks which are incident on both reticle stage and wafer stage reference plates |
JP3526042B2 (ja) | 1995-08-09 | 2004-05-10 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JPH0954443A (ja) * | 1995-08-18 | 1997-02-25 | Nikon Corp | 露光方法及び装置 |
JPH09232213A (ja) | 1996-02-26 | 1997-09-05 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
US5964441A (en) | 1996-04-01 | 1999-10-12 | Lear Corporation | Linkage assembly with extruded hole member |
JPH103039A (ja) | 1996-06-14 | 1998-01-06 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JPH1020195A (ja) | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
EP0951054B1 (en) | 1996-11-28 | 2008-08-13 | Nikon Corporation | Aligner and method for exposure |
JP4029180B2 (ja) * | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JP4029182B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JP4029181B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
WO1998028665A1 (en) | 1996-12-24 | 1998-07-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device |
US5815246A (en) | 1996-12-24 | 1998-09-29 | U.S. Philips Corporation | Two-dimensionally balanced positioning device, and lithographic device provided with such a positioning device |
JPH10209039A (ja) | 1997-01-27 | 1998-08-07 | Nikon Corp | 投影露光方法及び投影露光装置 |
JP3612920B2 (ja) | 1997-02-14 | 2005-01-26 | ソニー株式会社 | 光学記録媒体の原盤作製用露光装置 |
JP3626504B2 (ja) | 1997-03-10 | 2005-03-09 | アーエスエム リソグラフィ ベスローテン フェンノートシャップ | 2個の物品ホルダを有する位置決め装置 |
JPH10255319A (ja) | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置及び方法 |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH1116816A (ja) | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
US5900354A (en) * | 1997-07-03 | 1999-05-04 | Batchelder; John Samuel | Method for optical inspection and lithography |
IL135139A0 (en) | 1997-09-19 | 2001-05-20 | Nikon Corp | Stage apparatus, scanning type exposure apparatus, and device produced with the same |
JP2000106340A (ja) | 1997-09-26 | 2000-04-11 | Nikon Corp | 露光装置及び走査露光方法、並びにステージ装置 |
JP4210871B2 (ja) * | 1997-10-31 | 2009-01-21 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
AU1175799A (en) | 1997-11-21 | 1999-06-15 | Nikon Corporation | Projection aligner and projection exposure method |
JPH11176727A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP4264676B2 (ja) | 1998-11-30 | 2009-05-20 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法 |
US6897963B1 (en) * | 1997-12-18 | 2005-05-24 | Nikon Corporation | Stage device and exposure apparatus |
EP1041357A4 (en) * | 1997-12-18 | 2005-06-15 | Nikon Corp | PLATINUM AND EXPOSURE APPARATUS |
US6208407B1 (en) | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
WO1999049504A1 (fr) * | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
KR20010075157A (ko) | 1998-09-17 | 2001-08-09 | 오노 시게오 | 투영광학계의 조정방법 |
ATE389237T1 (de) * | 1998-12-02 | 2008-03-15 | Newport Corp | Armgreiforgan für probehalteroboter |
JP2000187338A (ja) * | 1998-12-24 | 2000-07-04 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2000216082A (ja) * | 1999-01-27 | 2000-08-04 | Nikon Corp | ステ―ジ装置および露光装置 |
WO2000055891A1 (fr) * | 1999-03-12 | 2000-09-21 | Nikon Corporation | Dispositif pour exposition, procede d'exposition et procede de fabrication d'un tel dispositif |
JP4365934B2 (ja) | 1999-05-10 | 2009-11-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法 |
JP4504479B2 (ja) | 1999-09-21 | 2010-07-14 | オリンパス株式会社 | 顕微鏡用液浸対物レンズ |
JP2001118773A (ja) * | 1999-10-18 | 2001-04-27 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
WO2001035168A1 (en) | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
TWI223734B (en) | 1999-12-21 | 2004-11-11 | Asml Netherlands Bv | Crash prevention in positioning apparatus for use in lithographic projection apparatus |
TW546551B (en) | 1999-12-21 | 2003-08-11 | Asml Netherlands Bv | Balanced positioning system for use in lithographic apparatus |
EP1111471B1 (en) | 1999-12-21 | 2005-11-23 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus with collision preventing device |
US6995930B2 (en) * | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
US7187503B2 (en) | 1999-12-29 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective for immersion lithography |
JP2001267239A (ja) | 2000-01-14 | 2001-09-28 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2001241439A (ja) | 2000-02-25 | 2001-09-07 | Canon Inc | 静圧軸受を備えた移動装置 |
SG107560A1 (en) | 2000-02-25 | 2004-12-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution |
JP2001313250A (ja) | 2000-02-25 | 2001-11-09 | Nikon Corp | 露光装置、その調整方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造方法 |
KR100945707B1 (ko) * | 2000-02-28 | 2010-03-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지장치와 홀더, 및 주사형 노광장치 그리고 노광장치 |
US6426790B1 (en) * | 2000-02-28 | 2002-07-30 | Nikon Corporation | Stage apparatus and holder, and scanning exposure apparatus and exposure apparatus |
US20020041377A1 (en) * | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2002014005A (ja) | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置 |
JP4503906B2 (ja) | 2000-05-03 | 2010-07-14 | エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. | パージガスを用いた非接触型シール |
TW591653B (en) * | 2000-08-08 | 2004-06-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing an optically scannable information carrier |
JP4405071B2 (ja) | 2000-10-23 | 2010-01-27 | パナソニック株式会社 | 送り装置及びそれを具備する光ディスク原盤記録装置 |
KR100866818B1 (ko) * | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
JP2002305140A (ja) | 2001-04-06 | 2002-10-18 | Nikon Corp | 露光装置及び基板処理システム |
US20020163629A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-07 | Michael Switkes | Methods and apparatus employing an index matching medium |
JP2002339853A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-27 | Nissan Motor Co Ltd | 充電ステーション |
KR100423783B1 (ko) * | 2001-06-13 | 2004-03-22 | 제일모직주식회사 | 인조 대리석의 제조 공정 |
US6788385B2 (en) | 2001-06-21 | 2004-09-07 | Nikon Corporation | Stage device, exposure apparatus and method |
TW529172B (en) | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
JPWO2003010802A1 (ja) * | 2001-07-26 | 2004-11-18 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US6680774B1 (en) * | 2001-10-09 | 2004-01-20 | Ultratech Stepper, Inc. | Method and apparatus for mechanically masking a workpiece |
US6665054B2 (en) | 2001-10-22 | 2003-12-16 | Nikon Corporation | Two stage method |
US7134668B2 (en) * | 2001-10-24 | 2006-11-14 | Ebara Corporation | Differential pumping seal apparatus |
JP2003249443A (ja) | 2001-12-21 | 2003-09-05 | Nikon Corp | ステージ装置、ステージ位置管理方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
WO2003065427A1 (fr) * | 2002-01-29 | 2003-08-07 | Nikon Corporation | Dispositif et procede d'exposition |
US20050003048A1 (en) * | 2002-02-11 | 2005-01-06 | Edizone, Lc | Electrolyte-containing orally soluble films |
US7154676B2 (en) | 2002-03-01 | 2006-12-26 | Carl Zeiss Smt A.G. | Very-high aperture projection objective |
DE10229249A1 (de) | 2002-03-01 | 2003-09-04 | Zeiss Carl Semiconductor Mfg | Refraktives Projektionsobjektiv mit einer Taille |
US7190527B2 (en) | 2002-03-01 | 2007-03-13 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective |
DE10229818A1 (de) | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
US7092069B2 (en) * | 2002-03-08 | 2006-08-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure method and projection exposure system |
DE10210899A1 (de) * | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
TW200305927A (en) * | 2002-03-22 | 2003-11-01 | Nippon Kogaku Kk | Exposure apparatus, exposure method and manufacturing method of device |
AU2003236023A1 (en) | 2002-04-09 | 2003-10-20 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure device, and device manufacturing method |
KR20040104691A (ko) | 2002-05-03 | 2004-12-10 | 칼 짜이스 에스엠테 아게 | 높은 개구를 갖는 투영 대물렌즈 |
JP4360064B2 (ja) * | 2002-06-10 | 2009-11-11 | 株式会社ニコン | ステージ装置および露光装置 |
WO2004019128A2 (en) | 2002-08-23 | 2004-03-04 | Nikon Corporation | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
TW559895B (en) * | 2002-09-27 | 2003-11-01 | Taiwan Semiconductor Mfg | Exposure system and exposure method thereof |
US7093375B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-08-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing |
US6954993B1 (en) | 2002-09-30 | 2005-10-18 | Lam Research Corporation | Concentric proximity processing head |
US7383843B2 (en) * | 2002-09-30 | 2008-06-10 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer |
US7367345B1 (en) | 2002-09-30 | 2008-05-06 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography |
US6988326B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-01-24 | Lam Research Corporation | Phobic barrier meniscus separation and containment |
US6788477B2 (en) * | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
US7110081B2 (en) | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121822A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101424881B (zh) * | 2002-11-12 | 2011-11-30 | Asml荷兰有限公司 | 光刻投射装置 |
JP3977324B2 (ja) | 2002-11-12 | 2007-09-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置 |
EP1420299B1 (en) | 2002-11-12 | 2011-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE60335595D1 (de) | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
SG121819A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1420300B1 (en) | 2002-11-12 | 2015-07-29 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7372541B2 (en) | 2002-11-12 | 2008-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10253679A1 (de) * | 2002-11-18 | 2004-06-03 | Infineon Technologies Ag | Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren |
SG131766A1 (en) | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10258718A1 (de) * | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
JP4645027B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2011-03-09 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
US6992750B2 (en) * | 2002-12-10 | 2006-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
CN101872135B (zh) | 2002-12-10 | 2013-07-31 | 株式会社尼康 | 曝光设备和器件制造法 |
JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4232449B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-03-04 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP4701606B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2011-06-15 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法 |
WO2004055803A1 (en) | 2002-12-13 | 2004-07-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer |
AU2003283717A1 (en) | 2002-12-19 | 2004-07-14 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
US7010958B2 (en) * | 2002-12-19 | 2006-03-14 | Asml Holding N.V. | High-resolution gas gauge proximity sensor |
DE60314668T2 (de) | 2002-12-19 | 2008-03-06 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Verfahren und anordnung zum bestrahlen einer schicht mittels eines lichtpunkts |
US6781670B2 (en) * | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
US7090964B2 (en) * | 2003-02-21 | 2006-08-15 | Asml Holding N.V. | Lithographic printing with polarized light |
JP4604452B2 (ja) * | 2003-02-26 | 2011-01-05 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
US6943941B2 (en) * | 2003-02-27 | 2005-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US7206059B2 (en) | 2003-02-27 | 2007-04-17 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US7029832B2 (en) | 2003-03-11 | 2006-04-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Immersion lithography methods using carbon dioxide |
US20050164522A1 (en) | 2003-03-24 | 2005-07-28 | Kunz Roderick R. | Optical fluids, and systems and methods of making and using the same |
JP4902201B2 (ja) * | 2003-04-07 | 2012-03-21 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
KR20110104084A (ko) | 2003-04-09 | 2011-09-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 유체 제어 시스템 |
EP3062152B1 (en) | 2003-04-10 | 2017-12-20 | Nikon Corporation | Environmental system including vaccum scavenge for an immersion lithography apparatus |
WO2004090633A2 (en) | 2003-04-10 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus |
EP2921905B1 (en) | 2003-04-10 | 2017-12-27 | Nikon Corporation | Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus |
CN103383527B (zh) | 2003-04-10 | 2015-10-28 | 株式会社尼康 | 包括用于沉浸光刻装置的真空清除的环境系统 |
JP4582089B2 (ja) | 2003-04-11 | 2010-11-17 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム |
KR101533206B1 (ko) | 2003-04-11 | 2015-07-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법 |
WO2004093130A2 (en) | 2003-04-11 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Cleanup method for optics in immersion lithography |
SG152078A1 (en) | 2003-04-17 | 2009-05-29 | Nikon Corp | Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography |
JP4146755B2 (ja) | 2003-05-09 | 2008-09-10 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4025683B2 (ja) | 2003-05-09 | 2007-12-26 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法及び露光装置 |
TWI295414B (en) * | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN100437358C (zh) * | 2003-05-15 | 2008-11-26 | 株式会社尼康 | 曝光装置及器件制造方法 |
US6995833B2 (en) | 2003-05-23 | 2006-02-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
TW201806001A (zh) * | 2003-05-23 | 2018-02-16 | 尼康股份有限公司 | 曝光裝置及元件製造方法 |
JP2004349645A (ja) | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Sony Corp | 液浸差動排液静圧浮上パッド、原盤露光装置および液侵差動排液による露光方法 |
TWI347741B (en) * | 2003-05-30 | 2011-08-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2261742A3 (en) * | 2003-06-11 | 2011-05-25 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
JP4084710B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4054285B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-02-27 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
KR101419663B1 (ko) * | 2003-06-19 | 2014-07-15 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
JP4029064B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-01-09 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4084712B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP2005019616A (ja) * | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Canon Inc | 液浸式露光装置 |
JP4343597B2 (ja) * | 2003-06-25 | 2009-10-14 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1491956B1 (en) | 2003-06-27 | 2006-09-06 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1498778A1 (en) * | 2003-06-27 | 2005-01-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP3862678B2 (ja) | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US6809794B1 (en) | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
EP1494074A1 (en) * | 2003-06-30 | 2005-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005006026A2 (en) | 2003-07-01 | 2005-01-20 | Nikon Corporation | Using isotopically specified fluids as optical elements |
EP2466382B1 (en) | 2003-07-08 | 2014-11-26 | Nikon Corporation | Wafer table for immersion lithography |
SG109000A1 (en) * | 2003-07-16 | 2005-02-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7384149B2 (en) | 2003-07-21 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system |
EP1500982A1 (en) * | 2003-07-24 | 2005-01-26 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7309345B2 (en) * | 2003-07-25 | 2007-12-18 | Boston Scientific-Scimed, Inc. | Method and system for delivering an implant utilizing a lumen reducing member |
US7006209B2 (en) | 2003-07-25 | 2006-02-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
EP1503244A1 (en) * | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
JP4492239B2 (ja) | 2003-07-28 | 2010-06-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
EP1653501B1 (en) | 2003-07-28 | 2012-09-19 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, device producing method, and exposure apparatus controlling method |
US7326522B2 (en) * | 2004-02-11 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a substrate |
US7175968B2 (en) * | 2003-07-28 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate |
US7779781B2 (en) * | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7145643B2 (en) * | 2003-08-07 | 2006-12-05 | Asml Netherlands B.V. | Interface unit, lithographic projection apparatus comprising such an interface unit and a device manufacturing method |
US7579135B2 (en) * | 2003-08-11 | 2009-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits |
US7700267B2 (en) * | 2003-08-11 | 2010-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography |
US7061578B2 (en) * | 2003-08-11 | 2006-06-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7085075B2 (en) | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
US6844206B1 (en) | 2003-08-21 | 2005-01-18 | Advanced Micro Devices, Llp | Refractive index system monitor and control for immersion lithography |
TWI245163B (en) * | 2003-08-29 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI263859B (en) | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6954256B2 (en) * | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
US7070915B2 (en) | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
US7014966B2 (en) | 2003-09-02 | 2006-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems |
EP3223053A1 (en) | 2003-09-03 | 2017-09-27 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
JP4378136B2 (ja) | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3870182B2 (ja) * | 2003-09-09 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US6961186B2 (en) * | 2003-09-26 | 2005-11-01 | Takumi Technology Corp. | Contact printing using a magnified mask image |
US7158211B2 (en) | 2003-09-29 | 2007-01-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1519231B1 (en) * | 2003-09-29 | 2005-12-21 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1519230A1 (en) * | 2003-09-29 | 2005-03-30 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7369217B2 (en) * | 2003-10-03 | 2008-05-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for immersion lithography |
JP2005136374A (ja) * | 2003-10-06 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置及びそれを用いたパターン形成方法 |
EP1524558A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1524557A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7678527B2 (en) * | 2003-10-16 | 2010-03-16 | Intel Corporation | Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids |
US7411653B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US7352433B2 (en) * | 2003-10-28 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005159322A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Nikon Corp | 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
EP1685446A2 (en) | 2003-11-05 | 2006-08-02 | DSM IP Assets B.V. | A method and apparatus for producing microchips |
US7924397B2 (en) * | 2003-11-06 | 2011-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications |
JP2005150290A (ja) | 2003-11-13 | 2005-06-09 | Canon Inc | 露光装置およびデバイスの製造方法 |
EP1531362A3 (en) * | 2003-11-13 | 2007-07-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing apparatus and pattern formation method |
US7528929B2 (en) * | 2003-11-14 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1695148B1 (en) | 2003-11-24 | 2015-10-28 | Carl Zeiss SMT GmbH | Immersion objective |
US7545481B2 (en) * | 2003-11-24 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10355301B3 (de) * | 2003-11-27 | 2005-06-23 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Abbildung einer Struktur auf einen Halbleiter-Wafer mittels Immersionslithographie |
US7125652B2 (en) * | 2003-12-03 | 2006-10-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Immersion lithographic process using a conforming immersion medium |
JP2005175016A (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Canon Inc | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
JP2005175034A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Canon Inc | 露光装置 |
JP5106858B2 (ja) | 2003-12-15 | 2012-12-26 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 高開口数と平面状端面とを有する投影対物レンズ |
KR100965330B1 (ko) | 2003-12-15 | 2010-06-22 | 칼 짜이스 에스엠티 아게 | 적어도 한 개의 액체 렌즈를 가진 마이크로리소그래피 투사대물렌즈로서의 대물렌즈 |
WO2005106589A1 (en) | 2004-05-04 | 2005-11-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore |
JP4308638B2 (ja) * | 2003-12-17 | 2009-08-05 | パナソニック株式会社 | パターン形成方法 |
JP5102492B2 (ja) | 2003-12-19 | 2012-12-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ |
US20050185269A1 (en) * | 2003-12-19 | 2005-08-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
JP4323946B2 (ja) | 2003-12-19 | 2009-09-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP2005183656A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Canon Inc | 露光装置 |
US7460206B2 (en) | 2003-12-19 | 2008-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for immersion lithography |
US7589818B2 (en) * | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
DE10360788A1 (de) | 2003-12-23 | 2005-07-28 | Marconi Communications Gmbh | Optisches Kommunikationsnetz und Komponente dafür |
US7394521B2 (en) * | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7119884B2 (en) | 2003-12-24 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20050147920A1 (en) * | 2003-12-30 | 2005-07-07 | Chia-Hui Lin | Method and system for immersion lithography |
US7088422B2 (en) * | 2003-12-31 | 2006-08-08 | International Business Machines Corporation | Moving lens for immersion optical lithography |
JP4371822B2 (ja) * | 2004-01-06 | 2009-11-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP4429023B2 (ja) * | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US20050153424A1 (en) * | 2004-01-08 | 2005-07-14 | Derek Coon | Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography |
KR101288187B1 (ko) | 2004-01-14 | 2013-07-19 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 반사굴절식 투영 대물렌즈 |
JP4958562B2 (ja) | 2004-01-16 | 2012-06-20 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 偏光変調光学素子 |
WO2005069078A1 (en) | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens |
WO2005071491A2 (en) | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Exposure apparatus and measuring device for a projection lens |
US7026259B2 (en) * | 2004-01-21 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | Liquid-filled balloons for immersion lithography |
US7391501B2 (en) * | 2004-01-22 | 2008-06-24 | Intel Corporation | Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography |
US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8054947B2 (en) * | 2004-02-02 | 2011-11-08 | Eicon Networks Corporation | Apparatus and method for multiplexing communication signals |
KR20070039869A (ko) | 2004-02-03 | 2007-04-13 | 브루스 더블유. 스미스 | 용액을 사용한 포토리소그래피 방법 및 관련 시스템 |
KR101276392B1 (ko) | 2004-02-03 | 2013-06-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
WO2005076084A1 (en) | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
US7050146B2 (en) * | 2004-02-09 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1714192A1 (en) | 2004-02-13 | 2006-10-25 | Carl Zeiss SMT AG | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
JP2007523383A (ja) | 2004-02-18 | 2007-08-16 | コーニング インコーポレイテッド | 深紫外光による大開口数結像のための反射屈折結像光学系 |
JP2005236087A (ja) | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2005259789A (ja) | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Nikon Corp | 検知システム及び露光装置、デバイス製造方法 |
US20050205108A1 (en) * | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for immersion lithography lens cleaning |
JP2005268700A (ja) | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
US7027125B2 (en) * | 2004-03-25 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | System and apparatus for photolithography |
JP2005285881A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
US7084960B2 (en) * | 2004-03-29 | 2006-08-01 | Intel Corporation | Lithography using controlled polarization |
US7034917B2 (en) | 2004-04-01 | 2006-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US7227619B2 (en) | 2004-04-01 | 2007-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7295283B2 (en) | 2004-04-02 | 2007-11-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7712905B2 (en) | 2004-04-08 | 2010-05-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging system with mirror group |
US7898642B2 (en) | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7271878B2 (en) | 2004-04-22 | 2007-09-18 | International Business Machines Corporation | Wafer cell for immersion lithography |
US7244665B2 (en) | 2004-04-29 | 2007-07-17 | Micron Technology, Inc. | Wafer edge ring structures and methods of formation |
US7379159B2 (en) | 2004-05-03 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8054448B2 (en) | 2004-05-04 | 2011-11-08 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
US7091502B2 (en) | 2004-05-12 | 2006-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. | Apparatus and method for immersion lithography |
KR20170129271A (ko) | 2004-05-17 | 2017-11-24 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈 |
US7616383B2 (en) | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7486381B2 (en) | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4913041B2 (ja) | 2004-06-04 | 2012-04-11 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 強度変化の補償を伴う投影系及びそのための補償素子 |
CN101833247B (zh) | 2004-06-04 | 2013-11-06 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 微光刻投影曝光系统的投影物镜的光学测量的测量系统 |
US7057702B2 (en) * | 2004-06-23 | 2006-06-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7463330B2 (en) | 2004-07-07 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP3919782B2 (ja) * | 2004-10-08 | 2007-05-30 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101331631B1 (ko) | 2004-10-15 | 2013-11-20 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7119876B2 (en) * | 2004-10-18 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7700365B2 (en) * | 2004-10-29 | 2010-04-20 | Mayo Foundation For Medical Education And Research | Vitamin D deficiencies |
US7583357B2 (en) * | 2004-11-12 | 2009-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7403261B2 (en) * | 2004-12-15 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102004061462A1 (de) * | 2004-12-17 | 2006-07-06 | Delphi Technologies, Inc., Troy | Verfahren und Vorrichtung zur Motorsteuerung bei einem Kraftfahrzeug |
US7528931B2 (en) * | 2004-12-20 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG124351A1 (en) | 2005-01-14 | 2006-08-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7161659B2 (en) * | 2005-04-08 | 2007-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN102156389A (zh) * | 2006-05-23 | 2011-08-17 | 株式会社尼康 | 维修方法、曝光方法及装置、以及组件制造方法 |
JP4442904B2 (ja) * | 2006-07-21 | 2010-03-31 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP5304072B2 (ja) | 2007-07-18 | 2013-10-02 | ヤマハ株式会社 | 力覚制御装置、鍵盤楽器、力覚制御方法およびプログラム |
TWI452546B (zh) * | 2012-12-28 | 2014-09-11 | Univ Chienkuo Technology | Hybrid large - scale collapse model |
-
2004
- 2004-02-02 US US10/588,029 patent/US7589822B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-01-27 KR KR1020067012095A patent/KR101187616B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 JP JP2005517477A patent/JP4910394B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-01-27 EP EP10186153.2A patent/EP2284866B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-27 SG SG2012080495A patent/SG185342A1/en unknown
- 2005-01-27 DE DE602005025596T patent/DE602005025596D1/de active Active
- 2005-01-27 CN CN2009101689947A patent/CN101685263B/zh active Active
- 2005-01-27 EP EP10186140.9A patent/EP2287893B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-27 KR KR1020127015767A patent/KR101276423B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 SG SG2012080503A patent/SG185343A1/en unknown
- 2005-01-27 EP EP15179672.9A patent/EP2980834B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-27 KR KR1020177000846A patent/KR101824373B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 KR KR1020117003587A patent/KR101235523B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 EP EP10186134.2A patent/EP2267759B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-27 WO PCT/JP2005/001076 patent/WO2005074014A1/ja active Application Filing
- 2005-01-27 KR KR1020137031485A patent/KR101539877B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 KR KR1020117003627A patent/KR101187615B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 KR KR1020157028041A patent/KR101698290B1/ko active Application Filing
- 2005-01-27 AT AT05704182T patent/ATE493753T1/de not_active IP Right Cessation
- 2005-01-27 EP EP10186147.4A patent/EP2287894B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-27 EP EP15171838.4A patent/EP2960927B1/en active Active
- 2005-01-27 KR KR1020147017029A patent/KR101590742B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 KR KR1020187002348A patent/KR20180011877A/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 EP EP16186291.7A patent/EP3139401A1/en not_active Withdrawn
- 2005-01-27 KR KR1020117026306A patent/KR101276512B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 SG SG2013076823A patent/SG195559A1/en unknown
- 2005-01-27 KR KR1020117003625A patent/KR101187614B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 SG SG200903003-2A patent/SG152294A1/en unknown
- 2005-01-27 KR KR1020157001506A patent/KR101673826B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 KR KR1020127019812A patent/KR101476015B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 EP EP05704182A patent/EP1713113B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-27 SG SG200903000-8A patent/SG152291A1/en unknown
- 2005-01-27 KR KR1020117003628A patent/KR101191061B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 EP EP15185639.0A patent/EP2998982B1/en not_active Not-in-force
- 2005-01-27 KR KR1020117003626A patent/KR101187618B1/ko active IP Right Grant
- 2005-01-27 KR KR1020127019814A patent/KR101288139B1/ko active IP Right Grant
- 2005-02-02 TW TW101103185A patent/TWI521312B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW106100843A patent/TWI627511B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW098120058A patent/TWI437375B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW101146582A patent/TWI498680B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW104127655A patent/TWI578114B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW101103186A patent/TWI499870B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW104118470A patent/TWI596440B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW098115103A patent/TWI443475B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW098120060A patent/TWI437376B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW103100487A patent/TWI564673B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW098120061A patent/TWI436170B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW098120057A patent/TWI437374B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW094103146A patent/TWI390358B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-02-02 TW TW107106822A patent/TW201823875A/zh unknown
-
2006
- 2006-08-01 IL IL226838A patent/IL226838A/en active IP Right Grant
- 2006-08-01 IL IL177221A patent/IL177221A/en active IP Right Grant
- 2006-08-01 IL IL226841A patent/IL226841A/en active IP Right Grant
- 2006-10-23 HK HK06111676.2A patent/HK1093606A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-04-20 US US11/785,860 patent/US8045136B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-06-22 US US11/812,919 patent/US9632431B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-05-08 US US12/453,386 patent/US20090231564A1/en not_active Abandoned
- 2009-08-05 US US12/461,246 patent/US8547528B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-08-05 US US12/461,244 patent/US8553203B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-01-22 JP JP2010012364A patent/JP4952803B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-01-22 JP JP2010012363A patent/JP4952802B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-03-24 US US12/659,894 patent/US9665016B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-06-18 HK HK10106066.4A patent/HK1139469A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2010-10-07 US US12/923,783 patent/US8724079B2/en active Active
- 2010-10-07 US US12/923,785 patent/US8705002B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-10-07 US US12/923,786 patent/US8736808B2/en active Active
- 2010-10-07 US US12/923,784 patent/US8711328B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-02-14 JP JP2011028991A patent/JP5287896B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-02-14 JP JP2011028992A patent/JP5287897B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-05-23 HK HK11105039.9A patent/HK1151144A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2011-06-07 HK HK11105685.6A patent/HK1151631A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-06-07 HK HK16109044.9A patent/HK1221071A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-06-07 HK HK11105679.4A patent/HK1151630A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-06-07 HK HK16104747.0A patent/HK1217249A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-06-07 JP JP2011127624A patent/JP5287932B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-03-29 JP JP2012078251A patent/JP5344061B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-03-29 JP JP2012078281A patent/JP5333622B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-03-30 US US13/435,780 patent/US9684248B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-04-08 JP JP2013080851A patent/JP5488741B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-06-09 IL IL226839A patent/IL226839A/en active IP Right Grant
- 2013-06-09 IL IL226838A patent/IL226838A0/en unknown
- 2013-06-09 IL IL226840A patent/IL226840A/en active IP Right Grant
- 2013-06-09 IL IL226841A patent/IL226841A0/en unknown
- 2013-12-26 JP JP2013268680A patent/JP5630557B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-06-13 JP JP2014122324A patent/JP5761430B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-01-16 JP JP2015006834A patent/JP5930083B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-03-19 US US14/663,084 patent/US10007196B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-06-22 JP JP2015124507A patent/JP5935929B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-09-08 US US14/847,746 patent/US10139737B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-01-15 JP JP2016006012A patent/JP6052439B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-06-21 HK HK16107103.1A patent/HK1219172A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2016-07-04 JP JP2016132653A patent/JP6222301B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-05-29 JP JP2017105222A patent/JP6327385B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-11-20 US US16/196,416 patent/US20190086815A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6327385B2 (ja) | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130411 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130702 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130715 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5333622 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |