CN104797983B - 位置测量系统、用于位置测量系统的光栅、以及方法 - Google Patents

位置测量系统、用于位置测量系统的光栅、以及方法 Download PDF

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Abstract

一种用于位置测量系统的光栅，该光栅包括第一方向上的光栅线的第一阵列和第二方向上的光栅线的第二阵列。第一和第二阵列将入射在第一和第二阵列上的测量束衍射为第一方向上的至少一个第一衍射束和第二方向上的至少一个第二衍射束。至少一个第一衍射束用于第一方向上的位置测量，并且至少一个第二衍射束用于第二方向上的位置测量。测量束具有功率量，并且光栅被配置为将功率量非均匀地分布在至少一个第一衍射束和至少一个第二衍射束之上。

Description

位置测量系统、用于位置测量系统的光栅、以及方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2012年11月19日提交的美国临时申请61/728,071的权益，并且将其通过整体引用并入本文。
技术领域
本发明涉及位置测量系统、用于位置测量系统的光栅、以及方法。
背景技术
光刻设备是将期望的图案应用到衬底上(通常到衬底的目标部分上)的机器。例如，可以在集成电路(IC)的制造中使用光刻设备。在这种情况下，可以使用图案形成装置(备选地称为掩模或者掩模版)来产生将在IC的单独层上形成的电路图案。该图案可以被转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或者几个裸片的一部分)上。图案的转移通常经由成像到设置在衬底上的辐射敏感材料层(抗蚀剂)上。一般而言，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。常规光刻设备包括所谓的步进器和所谓的扫描器，在步进器中通过将整个图案一次暴露到目标部分上来辐射每个目标部分，在扫描器中通过在给定的方向(“扫描”方向)上通过辐射束扫描图案同时平行或者反平行于该方向同步地扫描衬底来辐射每个目标部分。也可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案形成装置转移到衬底。
在已知的光刻设备中，使用可移动物体，诸如可移动衬底支撑件和可移动图案形成装置支撑件。这些可移动物体可以以高精确度移动。为了确定可移动物体的位置，提供了能够以高精确度测量位置的位置测量系统。例如，干涉仪系统和编码器测量系统已经被提供用于光刻设备中的可移动物体的高精确度位置测量。
编码器型测量系统包括至少一个编码器头和光栅，例如被布置在参考板或者其他参考元件上。编码器头可以是能够读取光栅的任何类型的编码器传感器。
编码器头可以被安装在第一物体上，并且光栅被安装在第二物体上。光栅包括光栅线的周期性阵列，并且编码器头被配置为读取光栅线的周期性阵列，以便通过计数在相对移动期间通过的光栅线来确定第一物体相对于第二物体的相对位置的变化。在一些实施例中，编码器头可以在相对较小数量的光栅线的范围内确定相对于光栅线的这个范围的绝对位置。因为在全局上编码器头仅能够确定编码器头相对于光栅的位置变化而不是绝对位置，所以期望知道编码器头相对于光栅的零位置或者起始位置，以便使得确定第一物体相对于第二物体的绝对全局位置成为可能。
光栅可以是被配置为在至少两个测量方向上使用的二维光栅。这样的二维光栅包括在第一方向上的光栅线的第一阵列和在第二方向上的光栅线的第二阵列，其中光栅线的第一阵列和光栅线的第二阵列重叠。第一方向和第二方向相对于彼此垂直。光栅线的第一阵列和光栅线的第二阵列将入射在光栅上的测量束衍射为第一方向上的至少一个第一衍射束和第二方向上的至少一个第二衍射束。至少一个第一衍射束和/或至少一个第二衍射束由编码器头接收并且分别用于在第一方向和第二方向上的位置测量。
光栅可以由在光栅的平面中具有不同的测量方向的不同的编码器传感器使用。
在具有二维光栅的已知的编码器型位置测量系统中，随着增加为了增加位置测量系统的总体准确性而需要的编码器头的数目，需要更多的激光功率以充分地使用编码器头。该激光功率由一个或者多个激光源提供，例如，激光盒。增加激光功率需要具有增加的功率的激光源或者多个激光源。具有增加的功率的激光源或者多个激光源可以显著地增加成本、重量和体积，以用于一个或者多个激光源的集成。多个激光源进一步需要不同的激光源的同步。
进一步地，在已知的编码器型位置测量系统中，已知的光栅不适合确定编码器头相对于光栅的绝对位置，而不对绝对全局位置被测量的位置处的高精确度测量产生负面影响。
在已知的位置测量系统的实施例中，提供了配置为确定编码器头相对于光栅的绝对位置的单独的绝对位置传感器。该绝对位置传感器包括配置为读取相对于光栅被布置在固定位置处的标记的传感器。
在另一已知的实施例中，光栅本身设置有局部标记。当位置测量系统的编码器头与该局部标记对准时，编码器头将确定该标记的存在，并且作为结果，编码器头关于光栅的绝对位置可以被确定。然而，这样的局部标记的存在对局部标记的区域处的高精确度测量具有负面影响。因此，这样的局部标记不适合用于确定其中需要高精确度测量的区域中的绝对位置。
发明内容
总体而言，期望提供一种改进的位置测量系统，具体地，一种有效地使用可用的测量束功率的包括衍射光栅的编码器型测量系统。进一步地，可以期望降低关于位置测量系统的期望的精确度所需要的激光功率。此外，可以期望提供光栅，该光栅提供用于位置测量系统的编码器头的归零位置。
根据本发明的实施例，提供了一种被配置为确定第一物体相对于第二物体的位置的位置测量系统，包括：安装在第一物体上的编码器头，安装在第二物体上的光栅，其中光栅包括第一方向上的光栅线的第一阵列和第二方向上的光栅线的第二阵列，以将入射在第一和第二阵列上的测量束衍射为第一方向上的至少一个第一衍射束和第二方向上的至少一个第二衍射束，其中至少一个第一衍射束用于第一方向上的位置测量并且其中至少一个第二衍射束用于第二方向上的位置测量，其中测量束具有功率量，并且其中光栅被配置为将功率量不均匀地分布在至少一个第一衍射束和至少一个第二衍射束之上。
根据本发明的实施例，提供了一种用于位置测量系统的光栅，其中光栅包括第一方向上的光栅线的第一阵列和第二方向上的光栅线的第二阵列，以将入射在第一和第二阵列上的测量束衍射为第一方向上的至少一个第一衍射束和第二方向上的至少一个第二衍射束，其中至少一个第一衍射束用于第一方向上的位置测量，并且其中至少一个第二衍射束用于第二方向上的位置测量，其中测量束具有功率量，并且其中光栅被配置为将功率量不均匀地分布在至少一个第一衍射束和至少一个第二衍射束之上。
根据本发明的实施例，提供了一种确定第一物体相对于第二物体的位置的方法，包括：在第一物体上提供编码器头；在第二物体上提供光栅，其中光栅包括第一方向上的光栅线的第一阵列和第二方向上的光栅线的第二阵列，以将入射在第一和第二阵列上的测量束衍射为第一方向上的至少一个第一衍射束和第二方向上的至少一个第二衍射束，其中至少一个第一衍射束用于第一方向上的位置测量，并且其中至少一个第二衍射束用于第二方向上的位置测量；通过编码器头将测量束投射在光栅上，其中测量束具有功率量，并且其中光栅被配置为将功率量不均匀地分布在至少一个第一衍射束和至少一个第二衍射束之上；通过编码器头接收至少一个第一衍射束和至少一个第二衍射束；以及基于至少一个第一衍射束和/或至少一个第二衍射束确定第一物体相对于第二物体的位置。
附图说明
现在将参考所附示意图仅通过示例的方式描述本发明的实施例，在附图中对应的附图标记指示对应的部分，并且其中：
图1描绘了根据本发明的实施例的光刻设备；
图2示意性地描绘了编码器头和二维光栅上的侧视图；
图3示意性地描绘了编码器头和二维光栅上的顶视图；
图4示意性地描绘了现有技术的二维光栅上的顶视图；
图5和图6描绘了具有在不同的位置处的衬底平台的光刻设备的位置测量系统上的顶视图；
图7示意性地描绘了根据本发明的实施例的二维光栅上的顶视图；以及
图8示意性地描绘了根据本发明的实施例的二维光栅上的顶视图。
具体实施方式
图1示意性地描绘了根据本发明的一个实施例的光刻设备。该设备包括照射系统(照射器)IL和支撑结构或者图案形成装置支撑件(例如，掩模台)MT，照射系统IL被配置为调节辐射束B(例如，UV辐射或者任何其他合适的辐射)，支撑结构或者图案形成装置支撑件MT被构造为支撑图案形成装置MA并且连接到被配置为根据某些参数精确定位图案形成装置的第一定位装置PM。该设备还包括衬底台WT(例如，晶片台或者衬底支撑件)，被构造为保持衬底(例如，涂布抗蚀剂的晶片)W并且连接到被配置为根据某些参数精确定位衬底W的第二定位装置PW。该设备进一步包括投射系统PS，被配置为将通过图案形成装置MA给予辐射束B的图案投射到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或者多个裸片)上。
照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，诸如折射、反射、磁性、电磁、静电或者其他类型的光学部件，或其任何组合，用于定向、成形或者控制辐射。
支撑机构MT支撑图案形成装置MA，即承受图案形成装置MA的重量。它以依赖于图案形成装置MA的定向、光刻设备的设计和诸如例如图案形成装置MA是否被保持在真空环境中的其他条件的方式保持图案形成装置MA。支撑结构MT可以使用机械、真空、静电或者其他夹持技术保持图案形成装置MA。支撑结构MT可以是框架或者台，例如，其可以被固定或者按照要求可动。支撑结构MT可以确保图案形成装置MA在期望的位置处，例如相对于投射系统PS。
本文所使用的术语“图案形成装置”应当被广义地解释为指可以用于在辐射束的截面中给予辐射束以图案以便在衬底的目标部分中创建图案的任何装置。应当注意，给予辐射束的图案可以不精确地对应于衬底的目标部分中的期望的图案，例如，如果图案包括相移特征或者所谓的辅助特征。总体而言，给予辐射束的图案将对应于创建在诸如集成电路之类的目标部分中的器件中的特定功能层。术语“掩模版”和“掩模”可以被认为与更一般的术语“图案形成装置”同义。
图案形成装置MA可以是透射式或者反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列和可编程LCD面板。掩模在光刻中众所周知，并且包括诸如二元掩模、交替型相移掩模和衰减相移之类的掩模类型以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，其中每个小反射镜可以被单独地倾斜以便在不同的方向上反射入射辐射束。倾斜的反射镜给予由反射镜矩阵反射的辐射束以图案。
本文所使用的术语“投射系统”应当被广义地理解为包含任何类型的投射系统，包括折射、反射、反射折射、磁性、电磁和静电光学系统或其任何组合，如对于所使用的曝光辐射或者对于诸如浸没液体的使用或者真空的使用之类的其他因素合适的。本文中的术语“投射透镜”的任何使用可以被认为与更一般的术语“投射系统”同义。
如本文所描绘的，设备是透射式的(例如，采用透射掩模)。备选地，设备可以是反射式的(例如，采用如上文所涉及的类型的可编程反射镜阵列，或者采用反射掩模)。
光刻设备可以是具有两个(双平台)或者更多衬底台或者“衬底支撑件”(和/或两个或者更多掩模台或者“掩模支撑件”)的类型。在这样的“多平台”机器中，附加的台或者支撑件可以被并行使用，或者准备步骤可以被实现在一个或者多个台或者支撑件上，而一个或者多个其他台或者支撑件被使用用于曝光。备选地或者附加地，设备可以具有衬底台和测量台。测量台被布置为承载测量设备，诸如传感器。测量台可以不被布置为保持衬底。
光刻设备也可以是如下类型的，其中衬底W的至少一部分可以由具有相对较高的折射率的液体(例如，水)覆盖以便填充投射系统PS和衬底W之间的空间。浸没液体也可以被应用于光刻设备中的其他空间，例如图案形成装置MA和投射系统PS之间的空间。浸没技术可以用于增加投射系统PS的数值孔径。如本文所使用的术语“浸没”并不意味着诸如衬底W之类的结构必须被浸没在液体中，而是仅意味着在曝光期间液体位于投射系统PS和衬底W之间。
参考图1，照射系统IL从辐射源SO接收辐射束。源SO和光刻设备可以是单独的实体，例如，当源SO是受激准分子激光器时。在这样的情况下，源SO不被认为形成光刻设备的一部分，并且辐射束在束递送系统BD的帮助下从源SO向照射系统IL传递，束递送系统BD包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器。在其他情况下，源可以是光刻设备的整体部分，例如当源是汞灯时。源SO和照射系统IL与束递送系统BD(如果需要)一起可以被称为辐射系统。
照射系统IL可以包括调整器AD，被配置为调整辐射束的角度强度分布。总体而言，照射系统IL的光瞳面中的强度分布的至少外径向范围和/或内径向范围(通常分别被称为σ外和σ内)可以被调整。另外，照射系统IL可以包括各种其他部件，诸如积分器IN和聚光器CO。照射系统IL可以用于调节辐射束以在其截面中具有期望的均匀性和强度分布。
辐射束B入射在被保持在支撑结构MT上的图案形成装置MA上，并且由图像形成装置MA图案化。在穿过图案形成装置MA之后，辐射束B穿过投射系统PS，投射系统PS将束聚焦到衬底W的目标部分C上。在第二定位装置PW和定位传感器IF(例如，干涉测量装置、线性编码器或者电容传感器)的帮助下，衬底台WT可以被精确地移动，例如，以便将不同的目标部分C定位在辐射束B的路径中。同样地，第一定位装置PM和另一位置传感器(在图1中未明确示出)可以用于例如在从掩模库的机械获取之后或者在扫描期间相对于辐射束B的路径精确地定位图案形成装置MA。总体而言，支撑结构MT的移动可以在形成第一定位装置PM的一部分的长冲程模块和短冲程模块的帮助下被实现。长冲程模块可以被布置为在大范围内以有限的精确度移动短冲程模块。短冲程模块可以布置为以高精确度在小范围内相对于长冲程模块移动支撑结构MT。类似地，衬底台WT的移动可以使用形成第二定位器PW的一部分的长冲程模块和短冲程模块来实现。在步进器(与扫描器相反)的情况下，图案形成装置支撑件MT可以仅被连接到短冲程致动器，或者可以被固定。图案形成装置MA和衬底W可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2被对准。虽然如图所示的衬底对准标记P1、P2占据专用的目标部分，但是它们可以被定位在目标部分C之间的空间中。类似地，在其中一个以上的裸片设置在图案形成装置MA上的情况下，图案形成装置对准标记可以被定位在裸片之间。
所描绘的装置可以被用在以下三种模式中的至少一个模式中。
第一模式是所谓的步进模式。在步进模式中，支撑结构MT和衬底台WT被基本上保持静止，而给予辐射束的整个图案被一次(即，单次静态曝光)投射到目标部分C上。然后，衬底台WT被在X和/或Y方向上移动以使得不同的目标部分C可以被曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制在单次静态曝光中成像的目标部分的尺寸。
第二模式是所谓的扫描模式。在扫描模式中，支撑结构MT和/或衬底台WT被同步地扫描，而给予辐射束的图案被投射到目标部分C上(即，单次动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构MT的速度和方向可以由投射系统PS的放大(缩小)和图像反转特性确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制在单次动态曝光中的目标部分的宽度(在非扫描方向上)，而扫描运动的长度确定目标部分C的高度(在扫描方向上)。
在第三模式中，支撑结构MT被基本上保持静止，保持可编程图案形成装置，并且衬底台WT被移动或者扫描而同时给予辐射束的图案被投射到目标部分C上。在该模式中，通常采用脉冲辐射源并且可编程图案形成装置在衬底台WT的每次移动之后或者在扫描期间的连续辐射脉冲之间按照需要更新。该操作模式可以被轻易地应用于利用诸如上文所涉及的类型的可编程反射镜阵列之类的可编程图案形成装置的无掩模光刻。
上述使用模式的组合和/或改变或者完全不同的使用模式也可以被采用。
图2示出了根据本发明的实施例的位置测量系统的编码器头EH和光栅G的侧视图。位置测量系统可以是如在图1的实施例中所描述的位置传感器IF的一部分。图3示出了光栅G的一部分和编码器头EH上的顶视图。编码器头EH可以是光学编码器头。
编码器头EH可以被安装在第一物体(例如，衬底平台WS)上并且光栅G被安装在第二物体(例如，量测框架)上。在一个实施例中，多个编码器头EH可以被安装在第一物体上以与光栅G协作，并且此外多个光栅G可以与一个或者多个编码器头EH协作提供和使用。备选地，至少一个光栅G被安装在衬底平台WS上，并且至少一个编码器头EH被安装在参考框架上。参考框架可以相对于投射系统PS基本上静止。参考框架可以支撑投射系统PS。衬底平台WS可以包括第一表面和第二表面。第一表面可以在衬底平台WS的顶侧上。第二表面可以在衬底平台WS的底侧上。第一表面可以被布置为保持晶片。第二表面可以被布置为保持光栅。
在图2和图3中，仅示出光栅G的小部分。在一个实施例中，光栅G可以在较大范围内延伸，以使得编码器头EH相对于光栅G的移动可以在该较大范围内被确定。
编码器头EH被配置为朝向光栅G发出测量束MB。光栅G包括以重叠的方式布置的第一方向上的光栅线的第一阵列和第二方向上的光栅线的第二阵列，以将入射在第一和第二阵列上的测量束MB衍射为第一方向上的至少一个第一衍射束1DB和第二方向上的至少一个第二衍射束2DB。第一阵列可以被布置为将入射在第一阵列上的测量束衍射为至少一个第一衍射束1DB。第二阵列可以被布置为将入射在第二阵列上的测量束衍射为至少一个第二衍射束2DB。至少一个第一衍射束1DB和至少一个第二衍射束2DB由编码器头EH接收并且用于确定编码器头EH相对于光栅G的位置的变化。至少一个第一衍射束1DB包括由用于在第一方向上的位置测量的相应的编码器头EH使用的所有的衍射束，并且至少一个第二衍射束2DB包括由用于在第二方向上的位置测量的相应的编码器头EH使用的所有衍射束。
注意，光栅G也可以将测量束MB衍射为并不用于位置测量的另外的衍射束FDB。另外的衍射束FDB并不由编码器头EH观察。至少一个第一衍射束1DB和至少一个第二衍射束2DB是例如一阶衍射束，而另外的衍射束FDB可以例如包括更高阶束或者在第一方向或者第二方向外的其他方向上传播的一阶衍射束。
图4示出了现有技术的光栅G的顶视图。光栅G包括第一方向1D上的光栅线的第一阵列1GL和第二方向2D上的光栅线的第二阵列2GL。光栅线1GL和光栅线2GL以重叠的方式相对于彼此垂直布置，以使得第一阵列的单个的光栅线在第二方向上延伸并且第二阵列的单个的光栅线在第一方向上延伸。
光栅线1GL、2GL可以是适于获得光栅G上的测量束MB的衍射的任何类型的。光栅线可以例如由在栅格板的表面中机器加工的槽形成，其中槽被填充有具有与栅格板的材料不同的折射率的材料。注意，光栅线的第一阵列1GL和光栅线的第二阵列2GL与彼此交叉。作为结果，单个光栅线不是由连续的线(例如，连续的槽)形成，而是由中间中断的线(例如，在与光栅线的阵列的方向垂直的方向上延伸的一系列槽)形成。
光栅线的第一阵列1GL具有第一周期Pe1，并且光栅线的第二阵列2GL具有第二周期Pe2。第一周期Pe1和第二周期Pe2相同，即，第一阵列和第二阵列的后续的光栅线被等间距地布置。
光栅线的第一阵列1GL具有第一占空比并且光栅线的第二阵列2GL具有第二占空比。
光栅的占空比是光栅线的宽度(例如，槽宽)与光栅线的周期(即，两个相邻光栅线之间的周期距离)的比例。
在图4中的现有技术的实施例中，光栅线的第一阵列1GL的第一占空比和光栅线的第二阵列2GL的第二占空比相同。
因此，光栅G的特性在第一方向和第二方向上相同。具体地，当测量束在第一方向和第二方向上被同样地衍射时，测量束的功率被均匀地分布在第一方向上的至少一个第一衍射束和第二方向上的至少一个第二衍射束之上。作为结果，就依赖于一个或者多个第一和第二衍射束的功率而言，两个方向上的测量精确度基本上相等。
然而，不是在所有的情况下或者应用中，两个测量方向(即，第一方向和第二方向)是同样地重要。通常，第一方向和第二方向中的一个方向是主测量方向，而第一方向和第二方向中的另一方向是次测量方向。在这样的情况下，只有在主测量方向中可能需要高精确度测量。
例如，图5和图6示出了光刻设备的衬底平台WS的编码器型测量系统的顶视图。衬底平台WS包括衬底台WT和第二定位器PW。位置测量系统包括八个栅格板GP，每个栅格板GP包括二维光栅。栅格板GP被安装在基本上静止的框架处，诸如量测框架。衬底平台WS是相对于栅格板GP在不同位置之间可移动的。
在图5中，在顶侧处，衬底平台WS被定位在光刻设备的曝光侧处的曝光位置中，其中由衬底平台WS支撑的衬底W与用于将图案化的辐射束投射在衬底W上的投射系统PS对准。在图5的底侧处，衬底平台WS被示出(在虚线中)在光刻设备的测量侧处的测量位置中。在该测量侧处，衬底W的表面可以被测量以获得衬底W的表面地图。该表面地图在曝光期间被用于增加衬底W相对于投射系统PS的定位精确度。
在图6中，衬底平台WS被示出在光刻设备的曝光侧和测量侧之间的转换位置中。
位置测量系统包括安装在衬底平台WS上的四个编码器头EH。编码器头EH中的每个编码器头包括由编码器头EH的每个编码器头中的箭头指示的测量方向。
注意，编码器头EH也可以被配置为确定编码器头相对于相应的栅格板GP在垂直于或者基本上垂直于栅格板GP的测量平面的方向上的位置。
在曝光位置和测量位置中，衬底平台WS的定位系统的高精确度被需要，通常包括在光栅线的小范围内确定局部高精确度绝对位置。
在转换位置中，定位系统的精确度水平可以低于在曝光位置和测量位置中。例如，在转换位置中，只有相对于光栅线的位置的全局变化被测量，而在光栅线的小范围内的局部高精确度绝对位置未被确定。
在图5和图6中，光栅的第一方向和第二方向分别由实线箭头和虚线箭头指示。可以看出，在图5中示出的衬底平台WS的曝光位置和测量位置中，编码器头EH的测量方向平行于相应的编码器头EH与其对准的栅格板GP的光栅的第一方向。然而，在如图6所示的衬底平台WS的转换位置中，编码器头EH的测量方向平行于第二方向。由于编码器头EH和栅格板GP的这个布置，栅格板GP中的每个栅格板GP的第一方向上的位置测量比其第二方向上的位置测量重要。因此，第一方向是主测量方向并且第二方向是次测量方向。
本发明的一个实施例提出将测量束MB的功率量(例如，激光测量束的激光功率)非均匀地分布在至少一个第一衍射束1DB和至少一个第二衍射束2DB之上。在图5和图6中示出的位置测量中，期望在第一方向上衍射的至少一个第一衍射束1DB接收比在第二方向上衍射的至少一个第二衍射束2DB相对更多的功率，因为在其中需要较高测量精确度的位置中，编码器头EH的测量方向平行于相应的光栅的第一方向。
通过将测量束(通常为激光束)的相对较多的功率衍射到第一方向上，可以增加第一方向上的编码器头的测量精确度。例如，可以改进信噪比。
备选地，当假设在功率在第一方向和第二方向上的均匀分布的情况下第一方向上的功率足够用于第一方向上高精确度的位置测量时，将相对较多的功率定向到第一方向导致高精确度位置测量需要更少的总激光功率。作为结果，向单个编码器EH提供的总功率可以被降低，并且，例如，更多的编码器头EH可以被连接到单个激光源。这使得不需要通过增加单个激光源的激光功率或者通过提供多个激光源来增加可用的激光功率，以防编码器头EH的总数必须被增加。
图7示意性地示出了其中至少一个第一衍射束1DB和至少一个第二衍射束2DB之间的功率分布是不均匀的光栅G的一个实施例。光栅G包括第一方向上的光栅线的第一阵列1GL和第二方向上的光栅线的第二阵列2GL。第一和第二阵列重叠。
第一方向上的光栅线1GL具有周期Pe1。光栅G的第二方向上的光栅线2GL具有周期Pe2。周期Pe1与周期Pe2相同使得至少一个第一衍射束和至少一个第二衍射束的衍射角是对应的。
然而，第一方向上的光栅线1GL包括第一占空比，并且第二方向上的光栅线2GL包括第二占空比。第一占空比和第二占空比不同，如与两个相邻光栅线之间的周期距离相比在第二方向和第二方向上形成光栅线的光栅元件的长度/宽度所示意性地指示的。
选择第一占空比和第二占空比使得在测量束MB的衍射期间在至少一个第一衍射束和至少一个第二衍射束中的功率分布是不均匀的。具体地，更多的激光功率被定向到第一衍射束1DB而不是第二衍射束2DB。
光栅线的第一阵列1GL的第一占空比和光栅线的第二阵列2GL的第二占空比之间的差异在整个光栅G中基本上相同，使得对于光栅G上的每个测量位置，获得功率在至少一个第一衍射束和至少一个第二衍射束之上的基本上相同的非均匀分布。
在其他实施例中，至少一个第一衍射束1DB和至少一个第二衍射束2DB之间的功率分布可以在光栅G的一些区域中是均匀的，而在光栅G的其他范围中是非均匀的。此外，在至少一个第一衍射束和至少一个第二衍射束之间的功率分布的比例对于光栅的不同区域可以不同。
注意，可以应用对光栅G的任何适配，特别是对导致测量束的功率在至少一个第一衍射方向1DB和至少一个第二衍射方向2DB中的非均匀分布的光栅线的任何适配。附加地或者作为对光栅的第一占空比和/或第二占空比的适配的备选，在第一和第二方向上形成光栅线的槽的深度可以被适配和/或槽壁的角度可以被适配。也可以应用导致在用于第一方向上的位置测量的第一衍射束1DB和用于第二方向上的位置测量的第二衍射束2DB之间的非均匀功率分布的任何其他措施。
图8示出了使用在第一方向和第二方向上激光功率的非均匀分布的另一示例。
在图7的实施例中，光栅G被提出将相对较多的功率定向到用于位置测量的至少一个第一衍射束1DB，因为该至少一个第一衍射束1DB在对于位置测量最重要的第一方向上被衍射。
在另一方法中，可以推断，由于至少一个第一衍射束1DB对于位置测量最重要，因此分布到至少一个第二衍射束2DB的功率较不重要。分布到至少一个第二衍射束2DB的该功率也可以用于其他应用，特别是用于获得绝对参考点，即，光栅中的归零位置。
如上文所解释的，光栅G包括第一方向上的光栅线的第一阵列1GL和第二方向上的光栅线的第二阵列2GL。因为，在该实施例中，第一方向是主测量方向，光栅线的第一阵列1GL的诸如周期Pe1之类的特性在整个光栅G之上是相同的。作为结果，在整个光栅G之上，可以获得第一方向上的相同水平的高精确度位置测量。
在光栅线的第二阵列2GL的一部分中，光栅线2GL的占空比有变化。该部分在图8中由MC示意性地指示。部分MC的占空比与第二阵列的其他部分的占空比不同。
当测量束MB入射在包括部分MC的光栅G的区域上时，第二方向上的光栅线的第二阵列2GL将入射在光栅上的测量束MB衍射为具有与光栅G的其他区域中相同的功率的至少一个第一衍射束1DB、具有与光栅G的其他区域相比降低的功率的至少一个第二衍射束2DB以及至少一个或者多个另外的衍射束FDB。
一个或者多个另外的衍射束FDB可以在第一和/或第二方向上被衍射，但是并不用于第一或者第二方向上的位置测量。
另外的衍射束FDB可以是只有当测量束被定向到部分MC的时候存在的新光束，和/或另外的衍射束FDB可以是在光栅G的整个表面区域之上存在的但是在部分MC处具有与光栅G的其他区域相比增加的功率的另外的衍射束。
由于在衍射期间功率分布的这个变化，在第二方向上进行测量的编码器头EH将观察到当编码器头穿过部分MC时至少一个第二衍射束2DB中的功率下降。该功率下降指示编码器头相对于光栅G在第二方向上的绝对位置。因此，部分MC可以被用作绝对参考位置，即，归零位置，绝对参考位置用于获得、检查、校正和/或复位由位置测量系统获得的绝对位置。
这排除了对用于对位置测量系统进行归零的单独的绝对位置传感器的需要。
由于功率下降仅产生在与第二方向有关的衍射束中，因此部分MC的通过不对第一方向上获得的高精确度测量具有显著影响。
注意，根据本发明的实施例的光栅也可以包括例如如图7所示的一个或者多个第一衍射束1DB和一个或者多个第二衍射束2DB之间的功率分布的全局差异与例如如图8所示的第二方向上的光栅线的局部变化的组合。
此外，注意，在图5和图6的实施例中，栅格板GP的第一和第二方向在不同的栅格板GP之间不同。因此，编码器头相对于栅格板GP的绝对位置可以在多个方向上被确定，借此只有第二方向上的测量被使用。
备选地或者附加地，上文所描述的位置测量系统可以用于确定除了衬底平台WS之外的可移动物体的位置。作为替代，例如，支撑结构MT的位置可以通过将编码器头EH和光栅G之一安装在支撑结构MT上而被确定。
从上文中，将领会至少一个第二衍射束的功率也可以用于其他应用。
虽然在本文中具体参考了IC制造中的光刻设备的使用，但是应当理解本文所描述的光刻设备可以具有其他应用，诸如集成光学系统、磁畴存储器的引导及检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等的制造。本领域技术人员将领会，在这样的备选应用的上下文中，在本文中术语“晶片”或者“裸片”的任何使用可以被认为分别与更一般的术语“衬底”或者“目标部分”同义。本文所指的衬底可以在曝光之前或者之后被处理，例如在轨道(通常向衬底涂布抗蚀剂层并且对暴露的抗蚀剂显影的工具)、量测工具和/或检查工具中。在适用的情况下，本文的公开可以被应用于这样的或者其它衬底处理工具。此外，衬底可以被处理一次以上，例如以便创建多层IC，使得本文所使用的术语衬底也可以指已经包含多个处理后的层的衬底。
虽然上文具体参考了在光学光刻的背景下的本发明的实施例的使用，但是将领会本发明可以用于其他应用(例如，压印光刻)中，并且在上下文允许的情况下，不限于光学光刻。在压印光刻中，图案形成装置中的拓扑限定在衬底上创建的图案。图案形成装置的拓扑可以压到向衬底提供的抗蚀剂层中，在衬底上，抗蚀剂通过应用电磁辐射、热、压力或其组合被固化。在抗蚀剂被固化之后，图案形成装置从抗蚀剂移除，从而在其中留下图案。
本文所使用的术语“辐射”和“束”包含各种类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如，具有约365、248、193、157或者126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如，具有在5-20nm范围内的波长)，以及粒子束，诸如离子束或者电子束。
虽然上文描述了本发明的特定实施例，但是将领会本发明可以以除上文所描述的之外的其他方式实践。
以上描述旨在是说明性的，而不是限制性的。因此，对于本领域技术人员明显的是，可以在不脱离下文所阐述的权利要求的范围的情况下对所描述的发明做出修改。

Claims (9)

1.一种位置测量系统，被配置为确定第一物体相对于第二物体的位置，包括：
编码器头，安装在所述第一物体上，
光栅，安装在所述第二物体上，
其中所述光栅包括第一方向上的光栅线的第一阵列和第二方向上的光栅线的第二阵列，以将入射在所述第一阵列和所述第二阵列上的测量束衍射为所述第一方向上的至少一个第一衍射束和所述第二方向上的至少一个第二衍射束，其中所述至少一个第一衍射束用于所述第一方向上的位置测量并且其中所述至少一个第二衍射束用于所述第二方向上的位置测量，
其中所述测量束具有功率量，并且其中所述光栅被配置为将所述功率量非均匀地分布在所述至少一个第一衍射束和所述至少一个第二衍射束之上，并且
其中所述第一阵列包括第一周期和第一占空比，其中所述第二阵列包括第二周期和第二占空比，其中所述第一周期和所述第二周期相同，并且其中所述第一占空比与所述第二占空比不同。
2.根据权利要求1所述的位置测量系统，其中所述光栅被配置为将在整个所述光栅上的所述功率量非均匀地分布在所述至少一个第一衍射束和所述至少一个第二衍射束之上。
3.根据权利要求1或2所述的位置测量系统，其中在所述第二方向上的所述第二阵列的一部分包括与所述第二占空比不同的第三占空比，其中所述位置测量系统被布置为确定所述编码器头相对于所述一部分的绝对位置。
4.一种光刻设备，包括：
支撑结构，被构造为支撑包括图案的图案形成装置；
投射系统，被配置为将所述图案投射在衬底上；
衬底平台，被构造为保持所述衬底；以及
根据前述权利要求中的一项所述的位置测量系统，其中所述位置测量系统被布置为确定所述支撑结构和所述衬底平台之一相对于所述投射系统的位置。
5.根据权利要求4所述的光刻设备，包括参考框架，其中所述光栅被安装在所述衬底平台上，并且其中所述编码器头被安装在所述参考框架上。
6.根据权利要求4所述的光刻设备，其中所述衬底平台包括第一表面和第二表面，其中所述第一表面在所述衬底平台的顶侧上，其中所述第二表面在所述衬底平台的底侧上，其中所述第一表面被布置为保持所述衬底，其中所述第二表面被布置为保持所述光栅。
7.一种用于位置测量系统的光栅，其中所述光栅包括第一方向上的光栅线的第一阵列和第二方向上的光栅线的第二阵列，以将入射在所述第一阵列和所述第二阵列上的测量束衍射为所述第一方向上的至少一个第一衍射束和所述第二方向上的至少一个第二衍射束，其中所述至少一个第一衍射束用于所述第一方向上的位置测量，并且其中所述至少一个第二衍射束用于所述第二方向上的位置测量，
其中所述测量束具有功率量，并且其中所述光栅被配置为将所述功率量非均匀地分布在所述至少一个第一衍射束和所述至少一个第二衍射束之上，并且
其中所述第一阵列包括第一周期和第一占空比，其中所述第二阵列包括第二周期和第二占空比，其中所述第一周期和所述第二周期相同，并且其中所述第一占空比与所述第二占空比不同。
8.根据权利要求7所述的光栅，其中所述第二阵列的一部分包括与所述第二占空比不同的第三占空比。
9.根据权利要求7所述的光栅，其中所述第一占空比与所述第二占空比之间的差异在整个所述光栅之上相同。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102552792B1 (ko) 2015-02-23 2023-07-06 가부시키가이샤 니콘 계측 장치, 리소그래피 시스템 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
CN107250915B (zh) * 2015-02-23 2020-03-13 株式会社尼康 测量装置、光刻系统及曝光装置、以及管理方法、重迭测量方法及组件制造方法
TWI768409B (zh) 2015-02-23 2022-06-21 日商尼康股份有限公司 基板處理系統及基板處理方法、以及元件製造方法
CN105371881B (zh) * 2015-11-22 2017-07-28 长春禹衡光学有限公司 一种一体化安装的分体式编码器
US10243668B2 (en) 2016-04-27 2019-03-26 Industrial Technology Research Institute Positioning measurement device and the method thereof
EP3586189B1 (en) * 2017-02-23 2024-01-10 Nikon Corporation Measurement of a change in a geometrical characteristic and/or position of a workpiece
CN107993722B (zh) * 2017-12-05 2021-12-07 天津大学 一种针对点阵光源下光子在媒质中分布的快速提取方法
US10768361B1 (en) * 2018-08-03 2020-09-08 Facebook Technologies, Llc System for monitoring grating formation

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5204524A (en) 1991-03-22 1993-04-20 Mitutoyo Corporation Two-dimensional optical encoder with three gratings in each dimension
ATE192566T1 (de) 1994-02-23 2000-05-15 Heidenhain Gmbh Dr Johannes Positionsmessvorrichtung
JPH08191043A (ja) 1995-01-11 1996-07-23 Nikon Corp アライメント方法及び該方法で使用される露光装置
US6031951A (en) * 1998-04-24 2000-02-29 Rose Research, L.L.C. Transmission-mode optical coupling mechanism and method of manufacturing the same
US6922287B2 (en) * 2001-10-12 2005-07-26 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Light coupling element
US6781694B2 (en) * 2002-07-16 2004-08-24 Mitutoyo Corporation Two-dimensional scale structures and method usable in an absolute position transducer
US7348574B2 (en) * 2005-09-02 2008-03-25 Asml Netherlands, B.V. Position measurement system and lithographic apparatus
US7483120B2 (en) 2006-05-09 2009-01-27 Asml Netherlands B.V. Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method
JPWO2008072502A1 (ja) * 2006-12-08 2010-03-25 株式会社ニコン 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
DE102007023300A1 (de) 2007-05-16 2008-11-20 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh Positionsmesseinrichtung und Anordnung derselben
CN100587608C (zh) * 2007-07-24 2010-02-03 上海微电子装备有限公司 一种用于光刻设备的对准系统
CN101149564B (zh) * 2007-09-04 2010-05-19 上海微电子装备有限公司 一种对准标记和对其成像的光学系统以及成像方法
NL1036080A1 (nl) * 2007-11-01 2009-05-07 Asml Netherlands Bv Position measurement system and Lithographic Apparatus.
CN101251724B (zh) * 2008-03-31 2010-09-15 上海微电子装备有限公司 一种用于光刻装置的对准系统、对准方法和光刻装置
JP2009281946A (ja) 2008-05-23 2009-12-03 Nikon Corp 位置計測装置及び位置計測方法、パターン形成装置及びパターン形成方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
CN101329514B (zh) * 2008-07-29 2011-06-29 上海微电子装备有限公司 一种用于光刻设备的对准系统及对准方法
CN101551593A (zh) * 2009-04-24 2009-10-07 上海微电子装备有限公司 用于光刻装置的对准系统、光刻装置及其对准方法
JP2011054694A (ja) * 2009-08-31 2011-03-17 Canon Inc 計測装置、露光装置およびデバイス製造方法
JP2011127981A (ja) 2009-12-16 2011-06-30 Canon Inc 変位測定装置、ステージ装置、露光装置、スケール製造方法、及びデバイス製造方法
NL2007176A (en) 2010-08-18 2012-02-21 Asml Netherlands Bv Substrate for use in metrology, metrology method and device manufacturing method.
JP6118030B2 (ja) * 2011-04-05 2017-04-19 キヤノン株式会社 測定装置、露光装置及びデバイスの製造方法
JP5755009B2 (ja) 2011-04-14 2015-07-29 キヤノン株式会社 エンコーダ
WO2013073538A1 (ja) 2011-11-17 2013-05-23 株式会社ニコン エンコーダ装置、移動量計測方法、光学装置、並びに露光方法及び装置

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