JPH0578008B2 - - Google Patents
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は、半導体集積回路素子の製造に用いら
れる投影露光装置、特に縮小投影、露光装置に関
し、とりわけその投影光学系における光学性能の
変化に伴つて生ずる結像状態の変動を安定化する
装置、及び方法に関する。
れる投影露光装置、特に縮小投影、露光装置に関
し、とりわけその投影光学系における光学性能の
変化に伴つて生ずる結像状態の変動を安定化する
装置、及び方法に関する。
（発明の背景）
一般にIC、LSI等の集積回路の製造工程は、ウ
エハに対し、レジスト塗布→アライメント→露光
→現像→エツチングの複数回の繰り返しが基本に
なつている。従来、アライメント及び露光工程
は、コンタクト方式、プロジエクシヨン方式など
の一括露光方式によりおこなわれていたが、エツ
チング工程などでおこるウエハの変形によるアラ
イメント工程の誤差が大きく、露光工程に要求さ
れる微細パターン化への対応が難しい。このた
め、最近の高集積化された半導体の製造には縮小
投影露光方式が使われてきている。縮小投影露光
方式では、４〜６インチのウエハに10mm角〜20mm
角程度の露光範囲をステツプ・アンド・リピート
方式で焼付けていくため、変形したウエハに対し
ても、各々の露光に際し、前工程のパターンへの
重ね合せを高い精度で維持することが可能であ
る。また、縮小投影露光方式のための投影レンズ
はN.A.＝0.26〜0.35を有し、露光光として波長の
短いｇ線（λ＝436nｍ）やｉ線（λ＝365nｍ）
を用いるため、線幅が1μｍ以下のいわゆるサブ
ミクロンの焼付けも可能である。
エハに対し、レジスト塗布→アライメント→露光
→現像→エツチングの複数回の繰り返しが基本に
なつている。従来、アライメント及び露光工程
は、コンタクト方式、プロジエクシヨン方式など
の一括露光方式によりおこなわれていたが、エツ
チング工程などでおこるウエハの変形によるアラ
イメント工程の誤差が大きく、露光工程に要求さ
れる微細パターン化への対応が難しい。このた
め、最近の高集積化された半導体の製造には縮小
投影露光方式が使われてきている。縮小投影露光
方式では、４〜６インチのウエハに10mm角〜20mm
角程度の露光範囲をステツプ・アンド・リピート
方式で焼付けていくため、変形したウエハに対し
ても、各々の露光に際し、前工程のパターンへの
重ね合せを高い精度で維持することが可能であ
る。また、縮小投影露光方式のための投影レンズ
はN.A.＝0.26〜0.35を有し、露光光として波長の
短いｇ線（λ＝436nｍ）やｉ線（λ＝365nｍ）
を用いるため、線幅が1μｍ以下のいわゆるサブ
ミクロンの焼付けも可能である。
しかしながら、サブミクロン領域における微細
パターンの露光の繰り返しを正確に行なうために
は、投影光学系自体の光学性能が常に安定して優
れた状態にあることが必要である。投影光学系の
光学性能に変動を生ずる要因としては、気温や湿
度、大気圧等の環境条件があるが、投影光学系の
素子自体が露光エネルギーを吸収して温度変化す
ることによつても光学性能が変動し、このような
変動も超LSI用パターンの一層の微細化に対して
無視し得ないことが分かつてきた。露光エネルギ
ーの吸収によつて投影光学系の光学素子自体が温
度上昇することによつて生ずる光学性能変化とし
て、具体的には結像面の変化及び投影倍率の変化
があり、結像面の変化は、高解像力のためには本
質的に避けられない浅い焦点深度において致命的
な悪影響を及ぼし、倍率変動は重ね焼き精度に悪
影響をもたらす。投影光学系は露光用の照射エネ
ルギーを吸収し熱エネルギーとして蓄積するた
め、露光光の照射の仕方、すなわち照射履歴によ
つて光学性能の変化特性が変動する。照射履歴が
一定である場合には、予め実験的に光学性能の変
化特性を測定しておくことによつて露光状態に応
じた光学性能の変動量を知ることができ、その補
正に必要な補正手段を構ずることが可能である。
ところが、一般にはウエハやレチクルの交換、或
はアライメントにおいて各所要時間が必ずしも一
定ではなく、また不測の事態によつても照射履歴
が変わる場合があり、このような場合にはもはや
光学性能の変化状態を知ることができなくなる。
従つて、何らかの補正手段があつたにしても、ど
のようにまたどの程度補正を行う必要があるかを
知ることができなくなり、所望の光学性能を維持
することが不可能になつてしまう。
パターンの露光の繰り返しを正確に行なうために
は、投影光学系自体の光学性能が常に安定して優
れた状態にあることが必要である。投影光学系の
光学性能に変動を生ずる要因としては、気温や湿
度、大気圧等の環境条件があるが、投影光学系の
素子自体が露光エネルギーを吸収して温度変化す
ることによつても光学性能が変動し、このような
変動も超LSI用パターンの一層の微細化に対して
無視し得ないことが分かつてきた。露光エネルギ
ーの吸収によつて投影光学系の光学素子自体が温
度上昇することによつて生ずる光学性能変化とし
て、具体的には結像面の変化及び投影倍率の変化
があり、結像面の変化は、高解像力のためには本
質的に避けられない浅い焦点深度において致命的
な悪影響を及ぼし、倍率変動は重ね焼き精度に悪
影響をもたらす。投影光学系は露光用の照射エネ
ルギーを吸収し熱エネルギーとして蓄積するた
め、露光光の照射の仕方、すなわち照射履歴によ
つて光学性能の変化特性が変動する。照射履歴が
一定である場合には、予め実験的に光学性能の変
化特性を測定しておくことによつて露光状態に応
じた光学性能の変動量を知ることができ、その補
正に必要な補正手段を構ずることが可能である。
ところが、一般にはウエハやレチクルの交換、或
はアライメントにおいて各所要時間が必ずしも一
定ではなく、また不測の事態によつても照射履歴
が変わる場合があり、このような場合にはもはや
光学性能の変化状態を知ることができなくなる。
従つて、何らかの補正手段があつたにしても、ど
のようにまたどの程度補正を行う必要があるかを
知ることができなくなり、所望の光学性能を維持
することが不可能になつてしまう。
また、照射履歴から露光時間の積算値を算出
し、この値に基づいて光学性能の補正量を検出す
る手法が知られているが、光学性能の変動は露光
履歴のみならず、レチクルの透過率や光源の輝度
変化によつても生ずるため、各変動要素に対して
それぞれ検出手段を必要とし構成が複雑になると
共に、各検出手段ごとに測定誤差を生ずるため光
学性能の変動を正確に知ることが難しいという欠
点が存在した。
し、この値に基づいて光学性能の補正量を検出す
る手法が知られているが、光学性能の変動は露光
履歴のみならず、レチクルの透過率や光源の輝度
変化によつても生ずるため、各変動要素に対して
それぞれ検出手段を必要とし構成が複雑になると
共に、各検出手段ごとに測定誤差を生ずるため光
学性能の変動を正確に知ることが難しいという欠
点が存在した。
（発明の目的）
本発明の目的は、投影光学系が露光エネルギー
を吸収して温度変化することによつて変動する光
学性能を、露光状態にかかわらず直接的にしかも
簡単に検出することができる検出方法及びこのた
めの検出装置を提供し、もつてより微細なパター
ンの高精度の焼付を可能とし超高密度集積回路の
製造が可能な投影露光装置を達成することにあ
る。
を吸収して温度変化することによつて変動する光
学性能を、露光状態にかかわらず直接的にしかも
簡単に検出することができる検出方法及びこのた
めの検出装置を提供し、もつてより微細なパター
ンの高精度の焼付を可能とし超高密度集積回路の
製造が可能な投影露光装置を達成することにあ
る。
（発明の概要）
本発明は、投影光学系内の光学要素の温度分布
が投影光学系の結像面や倍率などの光学性能と密
接な関係にあるという物理現象に基づき、投影光
学系の光路中の光学要素が露光エネルギーを吸収
して生ずる光軸に関してほぼ回転対象な温度分
布、具体的には温度勾配を測定することによつ
て、光学性能の変動量或はその対応値を検出する
ものである。そして、このために投影光学系内の
光学要素に光軸から異なる距離位置に測温素子を
設け、これらの素子の温度差によつて光学性能の
変化量或はその対応値を検出するものである。
が投影光学系の結像面や倍率などの光学性能と密
接な関係にあるという物理現象に基づき、投影光
学系の光路中の光学要素が露光エネルギーを吸収
して生ずる光軸に関してほぼ回転対象な温度分
布、具体的には温度勾配を測定することによつ
て、光学性能の変動量或はその対応値を検出する
ものである。そして、このために投影光学系内の
光学要素に光軸から異なる距離位置に測温素子を
設け、これらの素子の温度差によつて光学性能の
変化量或はその対応値を検出するものである。
一般にレンズに光束が入射すると、レンズ自体
が入射エネルギーを吸収して温度上昇するが、こ
の場合の温度分布状態はほぼ回転対称であり、レ
ンズ中心の光軸上が最も高温となり、周縁部が最
も低くなる。例えば第１図Ａの断面図に示すごと
く、鏡筒Ｂによつて周縁を支持固定されたレンズ
Ｌに光束Ｅが入射するとすると、レンズＬの半径
方向の温度分布は例えば第１図Ｂのようになる。
第１図Ｂの横軸はレンズ光軸から半径方向の距離
Ｒを表わし、縦軸は温度ｔを表わす。また、破線
はレンズ表面より空気への熱伝導が小さい場合を
示し、一点鎖線は空気への熱伝導が大きい場合を
示している。レンズＬを支持固定する鏡筒Ｂは光
束Ｅによつて直接的に照射されることはなく、ま
た投影露光装置としての環境温度が一般には一定
に保たれるため、鏡筒Ｂの温度は一定温度に維持
され、従つて、レンズＬの周縁の温度は常に一定
と考えることができる。
が入射エネルギーを吸収して温度上昇するが、こ
の場合の温度分布状態はほぼ回転対称であり、レ
ンズ中心の光軸上が最も高温となり、周縁部が最
も低くなる。例えば第１図Ａの断面図に示すごと
く、鏡筒Ｂによつて周縁を支持固定されたレンズ
Ｌに光束Ｅが入射するとすると、レンズＬの半径
方向の温度分布は例えば第１図Ｂのようになる。
第１図Ｂの横軸はレンズ光軸から半径方向の距離
Ｒを表わし、縦軸は温度ｔを表わす。また、破線
はレンズ表面より空気への熱伝導が小さい場合を
示し、一点鎖線は空気への熱伝導が大きい場合を
示している。レンズＬを支持固定する鏡筒Ｂは光
束Ｅによつて直接的に照射されることはなく、ま
た投影露光装置としての環境温度が一般には一定
に保たれるため、鏡筒Ｂの温度は一定温度に維持
され、従つて、レンズＬの周縁の温度は常に一定
と考えることができる。
レンズにおけるこのような半径方向の温度勾配
が生ずることにより、このレンズにおいて倍率変
動及び結像面変動等の光学性能の変動が生ずる。
温度勾配の表わす量として、いま、レンズの軸上
とレンズの周縁との温度差△ｔを用いるとする
と、このレンズにおける倍率変動量△ｙ及び結像
面変動量△ｚは、温度勾配△ｔに依存し△ｔの関
数として表わされる。他方、温度勾配によるレン
ズ材料の物性的変化（屈折率、分散など）と形状
変化とが理論的に求められ、これらからさらに倍
率変化量と結像面変化量とを理論的に求めること
ができる。また、温度勾配から倍率及び結像面等
の光学性能の変化を実験によつて求めることも可
能である。
が生ずることにより、このレンズにおいて倍率変
動及び結像面変動等の光学性能の変動が生ずる。
温度勾配の表わす量として、いま、レンズの軸上
とレンズの周縁との温度差△ｔを用いるとする
と、このレンズにおける倍率変動量△ｙ及び結像
面変動量△ｚは、温度勾配△ｔに依存し△ｔの関
数として表わされる。他方、温度勾配によるレン
ズ材料の物性的変化（屈折率、分散など）と形状
変化とが理論的に求められ、これらからさらに倍
率変化量と結像面変化量とを理論的に求めること
ができる。また、温度勾配から倍率及び結像面等
の光学性能の変化を実験によつて求めることも可
能である。
そこで、縮小投影型露光装置に用いられる投影
対物レンズについてみれば、複数のレンズの組合
せからなる投影対物レンズでは、露光光の照射に
より各レンズがそれぞれ個有の温度勾配を生じ、
レンズ系全体としての倍率変動量△Ｙや結像面変
動量△Ｚは、各レンズの倍率変動量△yiや結像面
変動量△ziそれぞれの和として生ずる。従つて、 △Ｙ＝ 〓i △yi（△ti） (1) △Ｚ＝ 〓i △zi（△ti） (2) と表わすことができる。但し、△tiは各レンズに
おける温度勾配を表わす。
対物レンズについてみれば、複数のレンズの組合
せからなる投影対物レンズでは、露光光の照射に
より各レンズがそれぞれ個有の温度勾配を生じ、
レンズ系全体としての倍率変動量△Ｙや結像面変
動量△Ｚは、各レンズの倍率変動量△yiや結像面
変動量△ziそれぞれの和として生ずる。従つて、 △Ｙ＝ 〓i △yi（△ti） (1) △Ｚ＝ 〓i △zi（△ti） (2) と表わすことができる。但し、△tiは各レンズに
おける温度勾配を表わす。
ここで、一般に投影対物レンズはそれに個有の
倍率、開口数及び視野数で用いられ、露光光の照
射を行なう時に光束がレンズ系内を通過する状態
はほぼ一定であるため、レンズ系内の一部のレン
ズにおける温度勾配と残るレンズ各々における温
度勾配とは一義的に対応する。このため、一部の
レンズにおける温度勾配を測定することによつ
て、全系の倍率変動量や結像面変動量等の光学性
能の変動量を知ることができる。すなわち、投影
光学系の光路中のある特定の光学要素において△
t1の温度勾配が生じ、これによりこの光学要素
で、△y1の倍率変化と△z1の結像面変化が生ずる
とすると、上記(1)式及び(2)はそれぞれ △Ｙ＝△y1（△t1）＋ 〓i=2 △yi（△ti） (3) △Ｚ＝△z1（△t1）＋ 〓i=2 △zi（△ti） (4) と表わされ、△t1のみを測定することによつて、
全系の倍率変動量△Ｙ及び全系の結像面変動量△
Ｚを知ることが可能である。
倍率、開口数及び視野数で用いられ、露光光の照
射を行なう時に光束がレンズ系内を通過する状態
はほぼ一定であるため、レンズ系内の一部のレン
ズにおける温度勾配と残るレンズ各々における温
度勾配とは一義的に対応する。このため、一部の
レンズにおける温度勾配を測定することによつ
て、全系の倍率変動量や結像面変動量等の光学性
能の変動量を知ることができる。すなわち、投影
光学系の光路中のある特定の光学要素において△
t1の温度勾配が生じ、これによりこの光学要素
で、△y1の倍率変化と△z1の結像面変化が生ずる
とすると、上記(1)式及び(2)はそれぞれ △Ｙ＝△y1（△t1）＋ 〓i=2 △yi（△ti） (3) △Ｚ＝△z1（△t1）＋ 〓i=2 △zi（△ti） (4) と表わされ、△t1のみを測定することによつて、
全系の倍率変動量△Ｙ及び全系の結像面変動量△
Ｚを知ることが可能である。
ところで、投影光学系の各要素自体が露光光の
照射エネルギーを吸収して温度勾配を生ずること
により光学性能が変化する訳であるが、照射エネ
ルギーの吸収による各光学要素の温度上昇が飽和
した状態では温度勾配が一定し、飽和状態が続く
限り照射エネルギーによる光学性能の変動は生ず
ることがないと考えられる。従つて、上記のごと
き本発明が最も必要とされるのは、露光光の照射
を開始した直後において、各光学要素が照射エネ
ルギーを吸収して温度上昇の飽和状態に達するま
での間である。この間には、時間経過と共に温度
分布が変化し、刻々と光学性能が変化するから、
本発明のごとき実時間で光学性能を変動検出し、
そしてこれに応じて適切な補正手段を構ずること
が必要である。このことは、投影光学装置の運転
開始時のみならず、ウエハやレクチルの交換及び
アライメント等一時的に露光光照射を中断した
後、再び露光を始める場合にも同様である。そし
て、光学要素の温度上昇が飽和状態に達するまで
の温度勾配（温度分布）の変化特性の指標となる
時定数が、倍率或は結像面の変動の時定数とほぼ
等しくなることが確かめられたので、温度勾配の
変化状態と倍率或は結像面の変動状態との対応が
とりやすく、実時間制御による補正を容易に行な
うことが可能である。
照射エネルギーを吸収して温度勾配を生ずること
により光学性能が変化する訳であるが、照射エネ
ルギーの吸収による各光学要素の温度上昇が飽和
した状態では温度勾配が一定し、飽和状態が続く
限り照射エネルギーによる光学性能の変動は生ず
ることがないと考えられる。従つて、上記のごと
き本発明が最も必要とされるのは、露光光の照射
を開始した直後において、各光学要素が照射エネ
ルギーを吸収して温度上昇の飽和状態に達するま
での間である。この間には、時間経過と共に温度
分布が変化し、刻々と光学性能が変化するから、
本発明のごとき実時間で光学性能を変動検出し、
そしてこれに応じて適切な補正手段を構ずること
が必要である。このことは、投影光学装置の運転
開始時のみならず、ウエハやレクチルの交換及び
アライメント等一時的に露光光照射を中断した
後、再び露光を始める場合にも同様である。そし
て、光学要素の温度上昇が飽和状態に達するまで
の温度勾配（温度分布）の変化特性の指標となる
時定数が、倍率或は結像面の変動の時定数とほぼ
等しくなることが確かめられたので、温度勾配の
変化状態と倍率或は結像面の変動状態との対応が
とりやすく、実時間制御による補正を容易に行な
うことが可能である。
（実施例）
以下、本発明を図示した実施例に基づいて説明
する。
する。
第２図は本発明による縮小投影型露光装置に用
いられる投影対物レンズの構成の一例を示す概略
光路図である。レクチルＲ上に形成されている所
定のパターンが９個のレンズL1〜L9からなる投
影対物レンズによつてウエハＷ上に縮小投影され
る。正の第４レンズL4と負の第５レンズL5とは
平面にて接合されており、この接合面上には、第
３図Ａの断面図及び第３図Ｂの平面図に示すごと
く、レンズ面の中心位置、中間位置、周縁位置の
３ケ所にそれぞれ薄膜測温抵抗体R1，R2，R3が
設けられている。これら３個の測温抵抗体（以下
RTDと略称する）により、第４レンズL4と第５
レンズL5との接合面における温度勾配すなわち
温度分布状態を知ることができる。
いられる投影対物レンズの構成の一例を示す概略
光路図である。レクチルＲ上に形成されている所
定のパターンが９個のレンズL1〜L9からなる投
影対物レンズによつてウエハＷ上に縮小投影され
る。正の第４レンズL4と負の第５レンズL5とは
平面にて接合されており、この接合面上には、第
３図Ａの断面図及び第３図Ｂの平面図に示すごと
く、レンズ面の中心位置、中間位置、周縁位置の
３ケ所にそれぞれ薄膜測温抵抗体R1，R2，R3が
設けられている。これら３個の測温抵抗体（以下
RTDと略称する）により、第４レンズL4と第５
レンズL5との接合面における温度勾配すなわち
温度分布状態を知ることができる。
第４レンズL4と第５レンズL5との接合面は第
２図に示した光路図からも分るとおり、投影対物
レンズの実質的開口絞りＳの位置の近傍である。
開口絞りＳの位置は、一般に斜光束の主光線が光
軸と交わる位置として定義されており、軸上物点
からの光束と軸外物点からの光束との通過領域が
ほぼ重畳する位置であることによつて、開口絞り
位置近傍のレンズ面において生ずる温度勾配が最
も大きくなるため測定が容易であり、レンズ系全
体の温度勾配を代表するのに適している。しか
も、開口絞り位置はレチクル上のパターン面との
共役関係からは最も遠い位置にあるため、レチク
ル上の一般には非対称なパターンによつて温度分
布が光軸に関して回転対称状態から外れることが
なく投影対物レンズ系全体の最も平均的な温度分
布を反映している。また、RTDを露光光の通過
領域中に配置する場合には、わずかながらも光束
を一部遮光するため、結像性能に悪影響を及ぼし
がちであるところ、開口絞り位置にRTDを設け
る場合に結像性能に対する影響を最も少なくする
ことが可能である。
２図に示した光路図からも分るとおり、投影対物
レンズの実質的開口絞りＳの位置の近傍である。
開口絞りＳの位置は、一般に斜光束の主光線が光
軸と交わる位置として定義されており、軸上物点
からの光束と軸外物点からの光束との通過領域が
ほぼ重畳する位置であることによつて、開口絞り
位置近傍のレンズ面において生ずる温度勾配が最
も大きくなるため測定が容易であり、レンズ系全
体の温度勾配を代表するのに適している。しか
も、開口絞り位置はレチクル上のパターン面との
共役関係からは最も遠い位置にあるため、レチク
ル上の一般には非対称なパターンによつて温度分
布が光軸に関して回転対称状態から外れることが
なく投影対物レンズ系全体の最も平均的な温度分
布を反映している。また、RTDを露光光の通過
領域中に配置する場合には、わずかながらも光束
を一部遮光するため、結像性能に悪影響を及ぼし
がちであるところ、開口絞り位置にRTDを設け
る場合に結像性能に対する影響を最も少なくする
ことが可能である。
第３図Ａ及び第３図Ｂに示した各RTDによる
温度測定回路はいわゆる４線式配線法によつて抵
抗測定を行なうものであり、第４図の回路図に示
すごとくである。RTDの両端Ｐ，Ｑからそれぞ
れ２本のリード線が引かれ、４個の端子T1，T2，
T3，T4に接続されており、第１端子T1には定電
流源Ｉが接続されRTDを経て第４端子T4へ一定
電流が供給される。この第４図の測定回路におい
て、端子T1，T2，T3，T4は第３図Ｂに示した３
つのRTDの各々の４端子a1，a2，a3，a4，b1，
b2，b3，b4、又はc1，c2，c3，c4のいずれか１つ
とそれぞれ接続され、第４図の回路は同じものが
各RTDに対応して３個設けられる。そして、第
２端子T2と第３端子T3との間に接続された差動
増幅器Ｄによつて、RTDでの電圧降下を検出す
る。ここで、差動増幅器Ｄの入力インピーダンス
を十分に高くすることによつてT2，Ｐ，Ｑ，T3
を流れる電流は無視することができ、各リード線
の配線抵抗ｒの影響も無視することができる。そ
の結果、Ｐ，Ｑ間の抵抗値を極めて正確に測定す
ることが可能である。尚、RTD自体の発熱量を
小さくするために定電流源Ｉからの供給電流はあ
まり大きくしないことが必要である。
温度測定回路はいわゆる４線式配線法によつて抵
抗測定を行なうものであり、第４図の回路図に示
すごとくである。RTDの両端Ｐ，Ｑからそれぞ
れ２本のリード線が引かれ、４個の端子T1，T2，
T3，T4に接続されており、第１端子T1には定電
流源Ｉが接続されRTDを経て第４端子T4へ一定
電流が供給される。この第４図の測定回路におい
て、端子T1，T2，T3，T4は第３図Ｂに示した３
つのRTDの各々の４端子a1，a2，a3，a4，b1，
b2，b3，b4、又はc1，c2，c3，c4のいずれか１つ
とそれぞれ接続され、第４図の回路は同じものが
各RTDに対応して３個設けられる。そして、第
２端子T2と第３端子T3との間に接続された差動
増幅器Ｄによつて、RTDでの電圧降下を検出す
る。ここで、差動増幅器Ｄの入力インピーダンス
を十分に高くすることによつてT2，Ｐ，Ｑ，T3
を流れる電流は無視することができ、各リード線
の配線抵抗ｒの影響も無視することができる。そ
の結果、Ｐ，Ｑ間の抵抗値を極めて正確に測定す
ることが可能である。尚、RTD自体の発熱量を
小さくするために定電流源Ｉからの供給電流はあ
まり大きくしないことが必要である。
上記のごとき測定回路を持つ３個のRTDを第
３図Ｂに示すごとく、第1RTDR1は光軸上に、第
2RTDR2は破線で示した露光光束の通過領域のす
ぐ外側に、第3RTDR3はレンズの周縁にそれぞれ
配置している。各RTDR1，R2，R3の位置は、第
１図Ｂに示した温度分布の例において図示した位
置に対応し、これら３点の温度測定により温度分
布の実態を知ることができる。
３図Ｂに示すごとく、第1RTDR1は光軸上に、第
2RTDR2は破線で示した露光光束の通過領域のす
ぐ外側に、第3RTDR3はレンズの周縁にそれぞれ
配置している。各RTDR1，R2，R3の位置は、第
１図Ｂに示した温度分布の例において図示した位
置に対応し、これら３点の温度測定により温度分
布の実態を知ることができる。
しかしなあら、必ずしも上記のごとき３点で温
度測定を行なう必要はなく、いずれか２点での測
定によつてもおよその温度分布を知ることができ
るため、光軸から半径方向に異なる距離位置の２
点にて温度測定することとしてもよい。特に、レ
ンズ周縁での温度とレンズ鏡筒の温度とをほぼ同
一とみなすことができるため、レンズ鏡筒の温度
を測定する場合には、レンズ面上では１点のみの
測定によつても温度分布状態を検出し得る。
度測定を行なう必要はなく、いずれか２点での測
定によつてもおよその温度分布を知ることができ
るため、光軸から半径方向に異なる距離位置の２
点にて温度測定することとしてもよい。特に、レ
ンズ周縁での温度とレンズ鏡筒の温度とをほぼ同
一とみなすことができるため、レンズ鏡筒の温度
を測定する場合には、レンズ面上では１点のみの
測定によつても温度分布状態を検出し得る。
尚、第１図Ｂにも示したとおり、レンズの軸上
位置での温度上昇が最も大きく、この点で軸上位
置での温度測定が正確かつ容易で温度分布状態の
決定に最も有利である。しかしながら、RTDは
一般にアルミニウムや白金、クロム等の金属薄膜
で形成されて光束を反射或は吸収するものである
ため、光軸上にある場合には製造及び調整時の光
軸合せに支障を生ずる場合があるので、光軸位置
からややずらした位置に設けることが実用的であ
る。また、RTDが光束の通過領域中に設けられ
る場合には、RTD自体が照射エネルギーを吸収
して温度上昇する恐れがあるため、例えば、第３
図Ａ及びＢに示した第2RTDR2や第3RTDR3のご
とく、光束通過領域外にのみRTDを設けること
とすれば、RTD自体が照射エネルギーを吸収す
ることによる誤差を除くことが可能である。
位置での温度上昇が最も大きく、この点で軸上位
置での温度測定が正確かつ容易で温度分布状態の
決定に最も有利である。しかしながら、RTDは
一般にアルミニウムや白金、クロム等の金属薄膜
で形成されて光束を反射或は吸収するものである
ため、光軸上にある場合には製造及び調整時の光
軸合せに支障を生ずる場合があるので、光軸位置
からややずらした位置に設けることが実用的であ
る。また、RTDが光束の通過領域中に設けられ
る場合には、RTD自体が照射エネルギーを吸収
して温度上昇する恐れがあるため、例えば、第３
図Ａ及びＢに示した第2RTDR2や第3RTDR3のご
とく、光束通過領域外にのみRTDを設けること
とすれば、RTD自体が照射エネルギーを吸収す
ることによる誤差を除くことが可能である。
他方、RTDは薄膜状に形成されているので質
量が小さく、従つて熱容量が小さいため、露光光
の照射を止めればRTD自体における照射エネル
ギー吸収による温度上昇は短時間で消失する。従
つて、RTDを光束通過領域中に設ける場合には、
露光光の照射を切つて所定時間の経過後に温度測
定することとすれば、RTD自体が照射エネルギ
ーを吸収して温度上昇することによる誤差を除く
ことができる。この場合、露光光の照射を切つて
から温度測定を開始するまでの時間は、照射エネ
ルギー吸収によるRTD自体の温度上昇がほぼ消
失するに必要な時間より長く、レンズ自体の温度
分布があまり変化しない程度の時間とすることが
望ましい。
量が小さく、従つて熱容量が小さいため、露光光
の照射を止めればRTD自体における照射エネル
ギー吸収による温度上昇は短時間で消失する。従
つて、RTDを光束通過領域中に設ける場合には、
露光光の照射を切つて所定時間の経過後に温度測
定することとすれば、RTD自体が照射エネルギ
ーを吸収して温度上昇することによる誤差を除く
ことができる。この場合、露光光の照射を切つて
から温度測定を開始するまでの時間は、照射エネ
ルギー吸収によるRTD自体の温度上昇がほぼ消
失するに必要な時間より長く、レンズ自体の温度
分布があまり変化しない程度の時間とすることが
望ましい。
尚、上記の例では、第４レンズL4と第５レン
ズL5との間の平面の接合面にて温度分布を測定
することとしたが、接合面においては空気による
冷却効果の影響が少なくレンズ内部の温度分布を
より忠実に検出することができる。しかし、接合
面での接着剤の影響が予想される場合もあるの
で、空気と接するレンズ表面上にて温度測定する
ことも十分可能である。この場合、RTDに保護
膜を設けることが望ましく、RTDの露光光吸収
がより少なくなるような膜構造とすることが可能
である。さらに光学性能変動のより精密な測定を
行なうために、レンズ内部の光軸方向での温度分
布をも測定することが有効である。また平面上に
て温度測定をすることとしたのは、薄膜RTDの
製造上都合が良いためであり、曲面上にて測定す
ることも可能である。
ズL5との間の平面の接合面にて温度分布を測定
することとしたが、接合面においては空気による
冷却効果の影響が少なくレンズ内部の温度分布を
より忠実に検出することができる。しかし、接合
面での接着剤の影響が予想される場合もあるの
で、空気と接するレンズ表面上にて温度測定する
ことも十分可能である。この場合、RTDに保護
膜を設けることが望ましく、RTDの露光光吸収
がより少なくなるような膜構造とすることが可能
である。さらに光学性能変動のより精密な測定を
行なうために、レンズ内部の光軸方向での温度分
布をも測定することが有効である。また平面上に
て温度測定をすることとしたのは、薄膜RTDの
製造上都合が良いためであり、曲面上にて測定す
ることも可能である。
以上のごときRTDを用いた温度測定回路によ
り、開口絞り近傍のレンズにおける温度勾配を検
出することができ、これに対応して理論的又は実
験的に倍率や結像面などの光学性能の変動量を知
ることができる。従つて、温度検出によつて直ち
にその状態において生じた光学性能の変動に起因
する所定結像状態からのずれ量の補正を行なうこ
とができ、照射履歴にかかわらずリアルタイムで
光学性能の安定化を図ることができる。以下に、
上記の温度勾配検出に基づいて倍率及び結像面位
置等の結像状態の変動の補正を行なう投影型露光
装置の一例について説明する。
り、開口絞り近傍のレンズにおける温度勾配を検
出することができ、これに対応して理論的又は実
験的に倍率や結像面などの光学性能の変動量を知
ることができる。従つて、温度検出によつて直ち
にその状態において生じた光学性能の変動に起因
する所定結像状態からのずれ量の補正を行なうこ
とができ、照射履歴にかかわらずリアルタイムで
光学性能の安定化を図ることができる。以下に、
上記の温度勾配検出に基づいて倍率及び結像面位
置等の結像状態の変動の補正を行なう投影型露光
装置の一例について説明する。
第５図は投影対物レンズ１内の第４レンズL4
と第５レンズL5との接合面に設けられた前述の
ごときRTDにより、この面での温度勾配を測定
し、投影対物レンズ１内のレンズ間隔１０及び２
０を大気から遮断し、これらのレンズ間隔の圧力
を温度勾配の情報に応じて制御し、必要な光学性
能の補正を行なうものである。すなわち、光学性
能の補正手法として、投影対物レンズ中のレンズ
間隔の少なくとも１ケ所に外気から遮断された空
気室を設けると共に、該空気室の圧力を制御する
ための圧力制御器を設け、該圧力制御器により前
記投影対物レンズ中の空気室の圧力を変えること
によつて該投影対物レンズの投影倍率や結像面等
の光学性能を調整可能に構成したものである。投
影対物レンズ１は照明装置２により均一照明され
たレチクルＲ上のパターンを、ステージ３上に載
置されたウエハＷ上に縮小投影する。投影対物レ
ンズ１中には、２つの独立した空気室１０，２０
が形成されており、各空気室１０，２０はパイプ
１１，２１によりそれぞれ、対物レンズ外に設け
られた圧力制御器１２及び２２に連結されてい
る。そして各圧力制御器１２，２２には、フイル
タ１３及び２３を通して加圧空気供給器４より定
常的に一定圧力の空気が供給され、また必要に応
じて排気装置８によつて排気される。一方、各空
気室の側面にはその内部圧力を検出する圧力セン
サー１４，２４が設けられており、この出力信号
は演算器５に送られる。このような投影対物レン
ズ中の特定の空気間隔を大気から遮断して圧力制
御することによつて、光学性能を補正又は微調整
する方法については、本願と同一出願人による特
願昭58−137377や特願昭58−186269に詳述されて
いる。
と第５レンズL5との接合面に設けられた前述の
ごときRTDにより、この面での温度勾配を測定
し、投影対物レンズ１内のレンズ間隔１０及び２
０を大気から遮断し、これらのレンズ間隔の圧力
を温度勾配の情報に応じて制御し、必要な光学性
能の補正を行なうものである。すなわち、光学性
能の補正手法として、投影対物レンズ中のレンズ
間隔の少なくとも１ケ所に外気から遮断された空
気室を設けると共に、該空気室の圧力を制御する
ための圧力制御器を設け、該圧力制御器により前
記投影対物レンズ中の空気室の圧力を変えること
によつて該投影対物レンズの投影倍率や結像面等
の光学性能を調整可能に構成したものである。投
影対物レンズ１は照明装置２により均一照明され
たレチクルＲ上のパターンを、ステージ３上に載
置されたウエハＷ上に縮小投影する。投影対物レ
ンズ１中には、２つの独立した空気室１０，２０
が形成されており、各空気室１０，２０はパイプ
１１，２１によりそれぞれ、対物レンズ外に設け
られた圧力制御器１２及び２２に連結されてい
る。そして各圧力制御器１２，２２には、フイル
タ１３及び２３を通して加圧空気供給器４より定
常的に一定圧力の空気が供給され、また必要に応
じて排気装置８によつて排気される。一方、各空
気室の側面にはその内部圧力を検出する圧力セン
サー１４，２４が設けられており、この出力信号
は演算器５に送られる。このような投影対物レン
ズ中の特定の空気間隔を大気から遮断して圧力制
御することによつて、光学性能を補正又は微調整
する方法については、本願と同一出願人による特
願昭58−137377や特願昭58−186269に詳述されて
いる。
ここで、演算器５には第３図Ａ，Ｂに示した３
個のRTDR1，R2，R3による各点の温度に対応す
る信号が線T1，T2，T3により入力され、演算器
５は第４レンズL4と第５レンズL5との接合面で
の温度勾配△t1を検出する。そして、演算器５は
前述した式(3)及び式(4)に基づいてレンズ系全体に
おける倍率変動量△Ｙ及び結像面変動量△Ｚを決
定し、各変動量を補正するに必要な各空気１０，
２０の圧力変化量を算出する。補正に必要な圧力
変化量の信号は、各圧力制御器１２，２２へ出力
され、各圧力制御器は各空気室１０，２０内の圧
力をこの信号に応じた量だけ変化させる。このよ
うな構成によつて、投影対物レンズ１内のレンズ
要素自体が照射エネルギーを吸収することによつ
て温度変化を生じ光学性能が変化しても直ちに補
正され、常に実時間制御により安定して優れた結
像性能を維持することが可能である。
個のRTDR1，R2，R3による各点の温度に対応す
る信号が線T1，T2，T3により入力され、演算器
５は第４レンズL4と第５レンズL5との接合面で
の温度勾配△t1を検出する。そして、演算器５は
前述した式(3)及び式(4)に基づいてレンズ系全体に
おける倍率変動量△Ｙ及び結像面変動量△Ｚを決
定し、各変動量を補正するに必要な各空気１０，
２０の圧力変化量を算出する。補正に必要な圧力
変化量の信号は、各圧力制御器１２，２２へ出力
され、各圧力制御器は各空気室１０，２０内の圧
力をこの信号に応じた量だけ変化させる。このよ
うな構成によつて、投影対物レンズ１内のレンズ
要素自体が照射エネルギーを吸収することによつ
て温度変化を生じ光学性能が変化しても直ちに補
正され、常に実時間制御により安定して優れた結
像性能を維持することが可能である。
この縮小投影型露光装置においては、計測器６
によつて大気圧等の環境条件の変動を検出し、環
境条件の変動に対しても光学性能の補正を行なう
ことが可能である。また、温度センサ７により投
影対物レンズ１の鏡筒の温度を測定し、鏡筒の温
度変化も加味して光学性能の補正を行なうことが
望ましい。鏡筒の温度変化は第１図Ｂに示したご
ときレンズ自体における温度分布の直流成分とし
て扱うことが可能である。
によつて大気圧等の環境条件の変動を検出し、環
境条件の変動に対しても光学性能の補正を行なう
ことが可能である。また、温度センサ７により投
影対物レンズ１の鏡筒の温度を測定し、鏡筒の温
度変化も加味して光学性能の補正を行なうことが
望ましい。鏡筒の温度変化は第１図Ｂに示したご
ときレンズ自体における温度分布の直流成分とし
て扱うことが可能である。
上記の投影型露光装置において、第４レンズ
L4と第５レンズL5との接合面に設けられた３個
のRTDによる各点での検出温度のうち、演算器
５はいずれか２点の温度差を用いて温度勾配を検
出することができる。第３図Ｂに示したごとく、
露光光の通過領域外に設けられた第2RTDR2と第
3RTDR3とによつて温度勾配を検出することとす
れば、RTD自体が照射エネルギーを吸収して温
度上昇することによる誤差を除くことができる。
また、露光光通過領域内に設けたRTDを用いて
温度勾配を検出する場合には、演算器５は露光用
シヤツターの開閉信号をも入力することとし、シ
ヤツター閉の後所定時間経過後にRTDの出力を
入力し、温度勾配を検出するようにすることが望
ましく、このような測定方法によつてもRTD自
体が照射エネルギーを吸収して温度上昇すること
による誤差を除くことが可能である。
L4と第５レンズL5との接合面に設けられた３個
のRTDによる各点での検出温度のうち、演算器
５はいずれか２点の温度差を用いて温度勾配を検
出することができる。第３図Ｂに示したごとく、
露光光の通過領域外に設けられた第2RTDR2と第
3RTDR3とによつて温度勾配を検出することとす
れば、RTD自体が照射エネルギーを吸収して温
度上昇することによる誤差を除くことができる。
また、露光光通過領域内に設けたRTDを用いて
温度勾配を検出する場合には、演算器５は露光用
シヤツターの開閉信号をも入力することとし、シ
ヤツター閉の後所定時間経過後にRTDの出力を
入力し、温度勾配を検出するようにすることが望
ましく、このような測定方法によつてもRTD自
体が照射エネルギーを吸収して温度上昇すること
による誤差を除くことが可能である。
尚、上記実施例では投影対物レンズの内の２ケ
所の空気間隔を大気から遮断して圧力制御するこ
とによつて光学性能を補正する構成としたが、１
ケ所のみの空気間隔を圧力制御することによつて
倍率及び結像面の補正を行なうことも可能であ
り、複数の空気間隔を連通して圧力制御すること
も可能である。また、空気間隔の圧力制御のみな
らず、特定の空気間隔中に封入されるガスの濃度
や温度を制御することによつて光学性能を補正す
ることも可能である。
所の空気間隔を大気から遮断して圧力制御するこ
とによつて光学性能を補正する構成としたが、１
ケ所のみの空気間隔を圧力制御することによつて
倍率及び結像面の補正を行なうことも可能であ
り、複数の空気間隔を連通して圧力制御すること
も可能である。また、空気間隔の圧力制御のみな
らず、特定の空気間隔中に封入されるガスの濃度
や温度を制御することによつて光学性能を補正す
ることも可能である。
（発明の効果）
以上のごとく、本発明によれば投影光学系内の
特定の光学要素における温度勾配を測定し、これ
によつて投影光学系全体の光学性能の変動量を検
出するため、光学性能の変化状態を実時間で直接
的かつ正確に知ることができる。従つて適切な補
正手段を設けることにより露光光の照射履歴にか
かわらず常に安定した優れた結像状態に維持する
ことができる。そして、より微細なパターンの高
精度の焼付を可能とし超高密度集積回路素子の製
造を行ない得る投影露光方法、及び露光装置が実
現される。
特定の光学要素における温度勾配を測定し、これ
によつて投影光学系全体の光学性能の変動量を検
出するため、光学性能の変化状態を実時間で直接
的かつ正確に知ることができる。従つて適切な補
正手段を設けることにより露光光の照射履歴にか
かわらず常に安定した優れた結像状態に維持する
ことができる。そして、より微細なパターンの高
精度の焼付を可能とし超高密度集積回路素子の製
造を行ない得る投影露光方法、及び露光装置が実
現される。
第１図Ａはレンズに光束が入射する時の状態の
一例を示す断面図、第１図Ｂはこの状態における
レンズの温度分布状態の例を示す図、第２図は本
発明による実施例に用いた投影対物レンズの概略
光路図、第３図Ａ及びＢはそれぞれ投影対物レン
ズ中に設けた測温抵抗体の構成を示す断面図及び
平面図、第４図は測温抵抗体を用いた温度測定回
路図、第５図は投影露光光学装置の一例を示す構
成図である。 〔主要部分の符号の説明〕、Ｒ……レチクル、
Ｗ……ウエハ、１……投影対物レンズ、R1，R2，
R3……測温抵抗体（RTD）。
一例を示す断面図、第１図Ｂはこの状態における
レンズの温度分布状態の例を示す図、第２図は本
発明による実施例に用いた投影対物レンズの概略
光路図、第３図Ａ及びＢはそれぞれ投影対物レン
ズ中に設けた測温抵抗体の構成を示す断面図及び
平面図、第４図は測温抵抗体を用いた温度測定回
路図、第５図は投影露光光学装置の一例を示す構
成図である。 〔主要部分の符号の説明〕、Ｒ……レチクル、
Ｗ……ウエハ、１……投影対物レンズ、R1，R2，
R3……測温抵抗体（RTD）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ レチクルを露光用の照明光で均一に照明する
照明系と、前記レチクルに形成されたパターンを
所定の結像状態で感光基板上に投影露光する投影
光学系とを備えた露光投影露光光学装置におい
て、 前記投影光学系を構成する一部の光学要素の光
軸からの距離が互いに異なる少なくとも２ケ所の
特定部分に設けられ、該一部の光学要素の温度を
測定する少なくとも２つの測温素子と； 前記少なくとも２つの測温素子からの出力信号
に基づいて、前記一部の光学要素の光軸からの距
離に対応した温度分布を検出する温度分布検出手
段と； 該検出された温度分布に基づいて、前記投影光
学系の光学特性の変化に起因して生ずる前記所定
の結像状態からの変動を補正する変動補正手段と を設けたことを特徴とする投影露光光学装置。 ２ 前記少なくとも２つの測温素子は、前記投影
光学系の開口絞り近傍に位置する一部の光学要素
に固着したことを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載の装置。 ３ 前記少なくとも２つの測温素子は、前記一部
の光学要素の少なくとも１つの面に密着された薄
膜測温抵抗体で構成されることを特徴とする特許
請求の範囲第２項に記載の装置。 ４ 前記温度分布検出手段は、前記少なくとも２
つの測温素子からの出力信号に基づいて、前記光
学要素の径方向の温度勾配の時間的な変化を演算
し、前記変動補正手段は該温度勾配の変化に基づ
いて、前記投影光学系内の特定の空気室の圧力を
制御する圧力制御器を備えることを特徴とする特
許請求の範囲第３項に記載の装置。 ５ 前記温度分布検出手段は、前記温度勾配の直
流成分を求めるために前記投影光学系の鏡筒の温
度を測定する温度センサーを含むことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項又は第４項に記載の装
置。 ６ 前記少なくとも２つの測温素子は、前記一部
の光学要素の前記照明光が通過する領域外で、前
記光軸からの距離が互いに異なる少なくとも２ケ
所の温度を測定することを特徴とする特許請求の
範囲第１項又は第２項に記載の装置。 ７ 前記一部の光学要素は接合された少なくとも
２つの光学硝材から成り、前記少なくとも２つの
測温素子を該２つの光学硝材の接合面に設けたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項
に記載の装置。 ８ パターンの形成された原版を照明光で照射す
る状態と非照射にする状態とに切り換えるととも
に、該照射状態のときに前記原版からの照射光を
投影光学系に導き、前記パターンを感光基板上に
所定の結像状態で投影露光する方法において、 前記投影光学系を構成する一部の光学要素の前
記光軸からの距離が互いに異なる少なくとも２ケ
所の特定部分に、該一部の光学要素の温度を測定
する少なくとも２つの測温素子を設け、 該少なくとも２つの測温素子からの出力信号に
基づいて、前記一部の光学要素の温度分布の時間
的な変化を検出し、該検出された温度分布の変化
に基づいて、前記投影光学系の光学性能の変化に
起因して生ずる前記所定の結像状態からの変動量
に関する値を演算によつて求め、 該変動量が補正されるように前記投影光学系の
一部の要素を補正する工程から成り、 前記少なくとも２つの測温素子による温度測定
を、前記照射状態が前記非照射状態に切り替わつ
た後に行うことを特徴とする投影露光方法。 ９ 前記所定の結像状態からの変動の時定数が、
前記少なくとも２つの測温素子によつて検出され
る前記温度分布の変化の時定数とほぼ等しくなる
ように、前記少なくとも２つの測温素子を設ける
前記一部の光学要素を選定したことを特徴とする
特許請求の範囲第８項に記載の方法。 １０ レチクルを露光用の照明光で均一に照明す
る照明系と、前記レチクルに形成されたパターン
を所定の結像状態で感光基板上に投影露光する投
影光学系とを備えた露光投影露光光学装置におい
て、 前記投影光学系の鏡筒と前記投影光学系を構成
する一部の光学要素の系方向に該鏡筒から所定距
離だけ離れた該一部の光学要素の特定部分とにそ
れぞれ設けられた少なくとも２つの測温素子と； 前記少なくとも２つの測温素子からの出力信号
に基づいて、前記一部の光学要素の光軸からの距
離に対応した温度分布を検出する温度分布検出手
段と； 該検出された温度分布に基づいて、前記投影光
学系の光学特性の変化に起因して生ずる前記所定
の結像状態からの変動を補正する変動補正手段と を設けたことを特徴とする投影露光光学装置。 １１ 前記温度分布検出手段は、前記少なくとも
２つの測温素子からの出力信号に基づいて、前記
光学要素の径方向の温度勾配の時間的な変化を演
算し、前記変動補正手段は該温度勾配の変化に基
づいて、前記投影光学系内の特定の空気室の圧力
を制御する圧力制御器を備えることを特徴とする
特許請求の範囲第１０項に記載の装置。 １２ 前記鏡筒に設けられた測温素子は、前記温
度勾配の直流成分を求めるために前記鏡筒の温度
を測定する温度センサーを含むことを特徴とする
特許請求の範囲第１１項に記載の装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59018887A JPS60163046A (ja) | 1984-02-03 | 1984-02-03 | 投影露光光学装置及び投影露光方法 |
| US06/696,085 US4730900A (en) | 1984-02-03 | 1985-01-29 | Projection optical apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59018887A JPS60163046A (ja) | 1984-02-03 | 1984-02-03 | 投影露光光学装置及び投影露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60163046A JPS60163046A (ja) | 1985-08-24 |
| JPH0578008B2 true JPH0578008B2 (ja) | 1993-10-27 |
Family
ID=11984074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59018887A Granted JPS60163046A (ja) | 1984-02-03 | 1984-02-03 | 投影露光光学装置及び投影露光方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4730900A (ja) |
| JP (1) | JPS60163046A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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1984
- 1984-02-03 JP JP59018887A patent/JPS60163046A/ja active Granted
-
1985
- 1985-01-29 US US06/696,085 patent/US4730900A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
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| JPS60163046A (ja) | 1985-08-24 |
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