JP2000195786A - 露光装置、露光方法およびデバイス製造方法 - Google Patents
露光装置、露光方法およびデバイス製造方法Info
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- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 積算露光量を精確に制御できるようにする。
【解決手段】 走査型の露光装置および露光方法におい
て、原板５０のパターン面と共役な位置に配置された光
検出器３９と、露光光束が照明する原板のパターン面の
各位置についての光検出器の出力に対する補正情報を記
憶する記憶手段７１とを設け、露光転写の際に補正情報
を用いて光検出器の出力を補正する。あるいは、原板の
パターン面と共役な位置に配置された第１の光検出器３
９と、前記パターン面からの反射光を検出するための第
２の光検出器４１と、第１および第２の光検出器の出力
に基づく原板のパターン面上の各位置についての第１の
光検出器の出力に対する補正情報を記憶する記憶手段７
１とを設け、原板のパターンを基板６１に転写する際、
補正情報を用いて第１の光検出器の出力を補正する。補
正情報は、露光光束が照明する原板のパターン面の各位
置での反射光の光量に応じて決まる。
て、原板５０のパターン面と共役な位置に配置された光
検出器３９と、露光光束が照明する原板のパターン面の
各位置についての光検出器の出力に対する補正情報を記
憶する記憶手段７１とを設け、露光転写の際に補正情報
を用いて光検出器の出力を補正する。あるいは、原板の
パターン面と共役な位置に配置された第１の光検出器３
９と、前記パターン面からの反射光を検出するための第
２の光検出器４１と、第１および第２の光検出器の出力
に基づく原板のパターン面上の各位置についての第１の
光検出器の出力に対する補正情報を記憶する記憶手段７
１とを設け、原板のパターンを基板６１に転写する際、
補正情報を用いて第１の光検出器の出力を補正する。補
正情報は、露光光束が照明する原板のパターン面の各位
置での反射光の光量に応じて決まる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はスキャン方式の半導
体露光装置等の露光装置、これを用いることができる露
光方法およびデバイス製造方法に関し、特に、レチク
ル、ウエハ等からの反射光の影響を除去して、正確な積
算露光量の制御を実行可能としたものに関する。
体露光装置等の露光装置、これを用いることができる露
光方法およびデバイス製造方法に関し、特に、レチク
ル、ウエハ等からの反射光の影響を除去して、正確な積
算露光量の制御を実行可能としたものに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来例として、放電灯を光源として用い
た半導体露光装置について以下に説明する。但し、本発
明は放電灯のような連続光光源を使用した半導体露光装
置に限定されるものではない。
た半導体露光装置について以下に説明する。但し、本発
明は放電灯のような連続光光源を使用した半導体露光装
置に限定されるものではない。
【０００３】従来よりスキャン動作によりレチクル上の
パターンをウエハ上に露光転写するスキャン方式の半導
体露光装置が知られている。図１３は一般的なスキャン
方式の半導体露光装置の要部既略図である。この装置で
は、同図に示すように、レチクル５０上のパターン２０
０の一部に対して連続光光源もしくはパルス光光源を用
いた照明系によりスリット状の照明光２０１による照明
を行ない、投影系６０により、ウエハ６１上にパターン
２００の一部の像を縮小投影する。そして、レチクル５
０およびウエハ６１を、投影系６０とスリット状照明光
２０１に対し、投影系６０の縮小比率と同じ速度比率で
矢印２０２および２０３の方向に、互いに逆方向にスキ
ャンさせながら、レチクル５０の全面のパターンをウエ
ハ６１上の１チップ領域または複数チップ領域に転写す
る。
パターンをウエハ上に露光転写するスキャン方式の半導
体露光装置が知られている。図１３は一般的なスキャン
方式の半導体露光装置の要部既略図である。この装置で
は、同図に示すように、レチクル５０上のパターン２０
０の一部に対して連続光光源もしくはパルス光光源を用
いた照明系によりスリット状の照明光２０１による照明
を行ない、投影系６０により、ウエハ６１上にパターン
２００の一部の像を縮小投影する。そして、レチクル５
０およびウエハ６１を、投影系６０とスリット状照明光
２０１に対し、投影系６０の縮小比率と同じ速度比率で
矢印２０２および２０３の方向に、互いに逆方向にスキ
ャンさせながら、レチクル５０の全面のパターンをウエ
ハ６１上の１チップ領域または複数チップ領域に転写す
る。
【０００４】このような従来の半導体露光装置において
は、像面照度とスキャンスピードで決定されるウエハヘ
の積算露光量を常に一定にするために、像面照度を一定
にする必要がある。この要求を達成するために、従来の
スキャン方式の半導体露光装置では、レチクルと共役な
位置に光検出器を配置し、この光検出器の出力が常に一
定になるように、放電灯に対する投入電力を制御するよ
うにしている。
は、像面照度とスキャンスピードで決定されるウエハヘ
の積算露光量を常に一定にするために、像面照度を一定
にする必要がある。この要求を達成するために、従来の
スキャン方式の半導体露光装置では、レチクルと共役な
位置に光検出器を配置し、この光検出器の出力が常に一
定になるように、放電灯に対する投入電力を制御するよ
うにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来技術によれば、光検出器の出力が常に一定にな
るように制御しても、ウエハへの積算露光量を一定にす
ることができないという問題がある。
うな従来技術によれば、光検出器の出力が常に一定にな
るように制御しても、ウエハへの積算露光量を一定にす
ることができないという問題がある。
【０００６】本発明の目的は、このような従来技術の問
題点に鑑み、露光装置、露光方法およびデバイス製造方
法において、積算露光量を正確に制御できるようにする
ことにある。
題点に鑑み、露光装置、露光方法およびデバイス製造方
法において、積算露光量を正確に制御できるようにする
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】従来のスキャン方式の露
光装置の積算露光量制御における精度の問題を検討した
結果、積算露光量制御の精度を悪化させている主な原因
は、原板面の照度を計測するために原板面と共役な位置
に配置した光検出器に対する原板からの反射光にあるこ
とが解った。そこで本発明では、この原板からの反射光
の影響を除去して、より高精度な積算露光制御を達成す
るようにしている。
光装置の積算露光量制御における精度の問題を検討した
結果、積算露光量制御の精度を悪化させている主な原因
は、原板面の照度を計測するために原板面と共役な位置
に配置した光検出器に対する原板からの反射光にあるこ
とが解った。そこで本発明では、この原板からの反射光
の影響を除去して、より高精度な積算露光制御を達成す
るようにしている。
【０００８】すなわち、本発明の露光装置は、原板と基
板をスリット状の露光光束に対して相対的に走査移動さ
せながら、原板のパターンを基板に逐次露光転写する走
査型の露光装置であって、原板のパターン面と共役な位
置に配置された光検出器と、露光光束が照明する原板の
パターン面の各位置についての光検出器の出力に対する
補正情報を記憶する記憶手段とを具備し、露光転写の際
に前記補正情報を用いて光検出器の出力を補正すること
を特徴とするまた、本発明の別の露光装置は、原板と基
板をスリット状の露光光束に対して相対的に走査移動さ
せながら、原板のパターンを基板に逐次露光転写する走
査方式による露光方法において、原板のパターンを基板
に転写する際、露光光束が照明する原板の各位置に対応
する所定の補正情報を用いて、原板のパターン面と共役
な位置に配置された光検出器の出力を補正することを特
徴とする。
板をスリット状の露光光束に対して相対的に走査移動さ
せながら、原板のパターンを基板に逐次露光転写する走
査型の露光装置であって、原板のパターン面と共役な位
置に配置された光検出器と、露光光束が照明する原板の
パターン面の各位置についての光検出器の出力に対する
補正情報を記憶する記憶手段とを具備し、露光転写の際
に前記補正情報を用いて光検出器の出力を補正すること
を特徴とするまた、本発明の別の露光装置は、原板と基
板をスリット状の露光光束に対して相対的に走査移動さ
せながら、原板のパターンを基板に逐次露光転写する走
査方式による露光方法において、原板のパターンを基板
に転写する際、露光光束が照明する原板の各位置に対応
する所定の補正情報を用いて、原板のパターン面と共役
な位置に配置された光検出器の出力を補正することを特
徴とする。
【０００９】また、本発明の露光方法は、原板と基板を
スリット状の露光光束に対して相対的に走査移動させな
がら、原板のパターンを基板に逐次露光転写する走査方
式による露光方法において、原板のパターンを基板に転
写する際、露光光束が照明する原板の各位置に対応する
所定の補正情報を用いて、原板のパターン面と共役な位
置に配置された光検出器の出力を補正することを特徴と
する。
スリット状の露光光束に対して相対的に走査移動させな
がら、原板のパターンを基板に逐次露光転写する走査方
式による露光方法において、原板のパターンを基板に転
写する際、露光光束が照明する原板の各位置に対応する
所定の補正情報を用いて、原板のパターン面と共役な位
置に配置された光検出器の出力を補正することを特徴と
する。
【００１０】また、本発明のデバイス製造方法は、上述
のような本発明の露光方法によって原板のパターンを基
板に露光することによりデバイスを製造することを特徴
とする。
のような本発明の露光方法によって原板のパターンを基
板に露光することによりデバイスを製造することを特徴
とする。
【００１１】本発明によれば、補正情報として、露光光
束が照明する原板のパターン面の各位置での反射光の光
量に応じて決まるものを用い、この補正情報によってパ
ターン面と共役な位置に配置された光検出器の出力を補
正するようにしたため、その光検出器の出力から、原板
のパターン面からの反射光の影響が除去され、より高精
度な積算露光制御の達成が図られる。
束が照明する原板のパターン面の各位置での反射光の光
量に応じて決まるものを用い、この補正情報によってパ
ターン面と共役な位置に配置された光検出器の出力を補
正するようにしたため、その光検出器の出力から、原板
のパターン面からの反射光の影響が除去され、より高精
度な積算露光制御の達成が図られる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施形態におい
ては、光源からの露光光により原板を照明する照明光学
系により照明される原板のパターンを基板上に投影光学
系により投影露光するとともに、その際、原板のパター
ン面と共役な位置に配置した光検出器の出力に基づき光
源の出力を制御する露光装置および露光方法において、
原板のパターン面が前記照明光学系により照明されると
きの光検出器の出力から、原板のパターン面からの反射
光による影響を排除する。
ては、光源からの露光光により原板を照明する照明光学
系により照明される原板のパターンを基板上に投影光学
系により投影露光するとともに、その際、原板のパター
ン面と共役な位置に配置した光検出器の出力に基づき光
源の出力を制御する露光装置および露光方法において、
原板のパターン面が前記照明光学系により照明されると
きの光検出器の出力から、原板のパターン面からの反射
光による影響を排除する。
【００１３】また、この露光装置および露光方法は、照
明光学系からのスリット状の照明光および投影光学系に
対して原板および基板を相対的にスキャン移動させなが
ら露光を行なう走査型の露光装置および露光方法であ
り、光源は放電灯である。
明光学系からのスリット状の照明光および投影光学系に
対して原板および基板を相対的にスキャン移動させなが
ら露光を行なう走査型の露光装置および露光方法であ
り、光源は放電灯である。
【００１４】そして、あらかじめ、この放電灯への投入
電力を一定に制御しかつスキャン移動を通常より遅い速
度で行ないながら各移動位置についての光検出器の出力
を得、またその際に原板のパターン面から反射光が前記
光検出器に戻らない状態における光検出器の出力を得、
そして実際に基板への露光を行なうときには、まずスキ
ャン移動の開始時に、原板のパターン面から反射光が光
検出器に戻らない状態における光検出器の出力を得、ス
キャン移動の各移動位置においては、この出力と前記あ
らかじめ得ておいた各出力とに基づいて前記反射光によ
る影響の排除を行なうとともに、この反射光による影響
の排除が行なわれた光検出器の出力に基づき光源の出力
を制御する。
電力を一定に制御しかつスキャン移動を通常より遅い速
度で行ないながら各移動位置についての光検出器の出力
を得、またその際に原板のパターン面から反射光が前記
光検出器に戻らない状態における光検出器の出力を得、
そして実際に基板への露光を行なうときには、まずスキ
ャン移動の開始時に、原板のパターン面から反射光が光
検出器に戻らない状態における光検出器の出力を得、ス
キャン移動の各移動位置においては、この出力と前記あ
らかじめ得ておいた各出力とに基づいて前記反射光によ
る影響の排除を行なうとともに、この反射光による影響
の排除が行なわれた光検出器の出力に基づき光源の出力
を制御する。
【００１５】あるいは、あらかじめ、放電灯への投入電
力を一定に制御しかつスキャン移動を通常より遅い速度
で行ないながら各移動位置についての光検出器の出力お
よび前記原板のパターン面から前記照明光学系に戻る反
射光を検出する反射光検出手段の検出結果を得、そして
実際に基板への露光を行なうときには、スキャン移動の
各移動位置において、前記光検出器の出力および反射光
検出手段の検出結果に基づいて前記反射光による影響の
排除を行なうとともに、この反射光による影響の排除が
行なわれた光検出器の出力に基づき光源の出力を制御す
る。
力を一定に制御しかつスキャン移動を通常より遅い速度
で行ないながら各移動位置についての光検出器の出力お
よび前記原板のパターン面から前記照明光学系に戻る反
射光を検出する反射光検出手段の検出結果を得、そして
実際に基板への露光を行なうときには、スキャン移動の
各移動位置において、前記光検出器の出力および反射光
検出手段の検出結果に基づいて前記反射光による影響の
排除を行なうとともに、この反射光による影響の排除が
行なわれた光検出器の出力に基づき光源の出力を制御す
る。
【００１６】より具体的には、本発明は以下の２つの方
法を提供するものである。 「レチクル位置毎の定照度指令値発生」照明光学系内
に、光検出器としてレチクル面照明検出器を配置する。
放電灯は定入力制御の場合、照度は数ｍＳｅｃ〜数十ｍ
Ｓｅｃの短時間で計測すると変動が大きいが、数秒単位
での積算値をみると比較的安定している。そこで、放電
灯を定入力で点灯しておき、レチクルステージをゆっく
りスキャン動作させ、この時の、レチクル面照明検出器
の出力を記憶する。もし、レチクル面照明検出器にレチ
クル面からの反射光が入らなければ、レチクル面照明検
出器の出力は、レチクル位置によらずに一定になるはず
である。もし、変動が計測されれば、その変動分はレチ
クルからの反射光によるものであるため、実際のウエハ
に対する露光動作においては、レチクル位置に同期し
て、このレチクル位置毎の変動分を取り除いた成分で、
定照度制御をすれば良いことになる。
法を提供するものである。 「レチクル位置毎の定照度指令値発生」照明光学系内
に、光検出器としてレチクル面照明検出器を配置する。
放電灯は定入力制御の場合、照度は数ｍＳｅｃ〜数十ｍ
Ｓｅｃの短時間で計測すると変動が大きいが、数秒単位
での積算値をみると比較的安定している。そこで、放電
灯を定入力で点灯しておき、レチクルステージをゆっく
りスキャン動作させ、この時の、レチクル面照明検出器
の出力を記憶する。もし、レチクル面照明検出器にレチ
クル面からの反射光が入らなければ、レチクル面照明検
出器の出力は、レチクル位置によらずに一定になるはず
である。もし、変動が計測されれば、その変動分はレチ
クルからの反射光によるものであるため、実際のウエハ
に対する露光動作においては、レチクル位置に同期し
て、このレチクル位置毎の変動分を取り除いた成分で、
定照度制御をすれば良いことになる。
【００１７】「レチクル反射光検出器での補正」照明系
内に、レチクル面照明検出器とレチクル反射光検出器を
配置する。放電灯は定入力制御の場合、照度は数ｍＳｅ
ｃ〜数十ｍＳｅｃの短時間で計測すると変動が大きい
が、数秒単位での積算値をみると比較的安定している。
そこで、放電灯を定入力で点灯しておき、レチクルステ
ージをゆっくりスキャン動作させ、この時の、レチクル
面照明検出器とレチクル反射光検出器の出力を記憶す
る。もし、レチクル面照明検出器にレチクル面からの反
射光が入らなければ、レチクル面照明検出器の出力は、
レチクル位置によらずに一定になるはずである。ところ
が、実際には、レチクル面照明検出器の出力は、レチク
ル位置により多少変動する。ここで、レチクル反射光検
出器の出力の変動分と、レチクル面照明検出器の出力の
変動分とが、レチクル位置によらずに一定の比率関係が
あるならば、レチクル反射光検出器の出力から、レチク
ル面照明検出器に混入しているレチクルからの反射光の
影響が解ることになる。つまり、通常のウエハ露光時に
は、レチクル反射光検出器の出力変動分を上記特定比率
で補正した結果で、レチクル面照明検出器の計測結果を
補正して、正確なレチクル面照度を求め、この値によ
り、定照度制御をすれば良いことになる。
内に、レチクル面照明検出器とレチクル反射光検出器を
配置する。放電灯は定入力制御の場合、照度は数ｍＳｅ
ｃ〜数十ｍＳｅｃの短時間で計測すると変動が大きい
が、数秒単位での積算値をみると比較的安定している。
そこで、放電灯を定入力で点灯しておき、レチクルステ
ージをゆっくりスキャン動作させ、この時の、レチクル
面照明検出器とレチクル反射光検出器の出力を記憶す
る。もし、レチクル面照明検出器にレチクル面からの反
射光が入らなければ、レチクル面照明検出器の出力は、
レチクル位置によらずに一定になるはずである。ところ
が、実際には、レチクル面照明検出器の出力は、レチク
ル位置により多少変動する。ここで、レチクル反射光検
出器の出力の変動分と、レチクル面照明検出器の出力の
変動分とが、レチクル位置によらずに一定の比率関係が
あるならば、レチクル反射光検出器の出力から、レチク
ル面照明検出器に混入しているレチクルからの反射光の
影響が解ることになる。つまり、通常のウエハ露光時に
は、レチクル反射光検出器の出力変動分を上記特定比率
で補正した結果で、レチクル面照明検出器の計測結果を
補正して、正確なレチクル面照度を求め、この値によ
り、定照度制御をすれば良いことになる。
【００１８】
【実施例】図１は本発明の一実施例に係る半導体露光装
置の構成を示す図である。同図において、１は放電灯で
あって図４のような分光出力特性を有するｉ線ランプ、
２はｉ線ランプ１の電源である点灯装置、３はｉ線ラン
プ１の光束を集光させるための楕円ミラー、４は半導体
露光装置の停止中に光束を遮断するための遮閉板、５は
遮閉板４を駆動するモータ、６は数１０ｎｍ程度の中帯
域ｉ線フィルタ、７は通常露光動作時に１ショット露光
動作毎に開閉動作を行なう高速露光シャッタ、８はアー
クモニタ結像レンズ、９〜１２はハーフミラー、１３は
ミラー、１４および１５は狭帯域ｉ線フィルタ、１６は
中帯域ｉ線フィルタ、１７は狭帯域ｇ線フィルタ、１８
は楕円ミラー３の分光反射率とほぼ同等な分光透過率を
有する広帯域フィルタ、１９はアーク形状を計測するた
めのＣＣＤカメラである。２０〜２３は各々狭帯域ｉ線
フィルタ１５、中帯域ｉ線フィルタ１６、狭帯域ｇ線フ
ィルタ１７および広帯域フィルタ１８を透過してきた光
エネルギを計測するための光検出器であり、各々狭帯域
ｉ線検出器、中帯域ｉ線検出器、狭帯域ｇ線検出器およ
び広帯域検出器ということとする。２４は高速露光シャ
ッタ７からの反射光を計測するための光検出器、２５は
以上の要素１〜２４を内部に保持しているランプハウス
である。
置の構成を示す図である。同図において、１は放電灯で
あって図４のような分光出力特性を有するｉ線ランプ、
２はｉ線ランプ１の電源である点灯装置、３はｉ線ラン
プ１の光束を集光させるための楕円ミラー、４は半導体
露光装置の停止中に光束を遮断するための遮閉板、５は
遮閉板４を駆動するモータ、６は数１０ｎｍ程度の中帯
域ｉ線フィルタ、７は通常露光動作時に１ショット露光
動作毎に開閉動作を行なう高速露光シャッタ、８はアー
クモニタ結像レンズ、９〜１２はハーフミラー、１３は
ミラー、１４および１５は狭帯域ｉ線フィルタ、１６は
中帯域ｉ線フィルタ、１７は狭帯域ｇ線フィルタ、１８
は楕円ミラー３の分光反射率とほぼ同等な分光透過率を
有する広帯域フィルタ、１９はアーク形状を計測するた
めのＣＣＤカメラである。２０〜２３は各々狭帯域ｉ線
フィルタ１５、中帯域ｉ線フィルタ１６、狭帯域ｇ線フ
ィルタ１７および広帯域フィルタ１８を透過してきた光
エネルギを計測するための光検出器であり、各々狭帯域
ｉ線検出器、中帯域ｉ線検出器、狭帯域ｇ線検出器およ
び広帯域検出器ということとする。２４は高速露光シャ
ッタ７からの反射光を計測するための光検出器、２５は
以上の要素１〜２４を内部に保持しているランプハウス
である。
【００１９】３０はｉ線ランプ１のアーク形状を最適な
大きさでハエノ目前端に結像するための第１ズームレン
ズ、３１はズームレンズ３０を駆動するためのモータ、
３２は最終的に露光波長を決定している帯域幅が数ｎｍ
の狭帯域ｉ線フィルタ、３３はミラー、３４はハエノ
目、３５は照明系のシグマ値を設定するための絞り、３
６はレチクル面における中心部と周囲部の照度分布を調
整するための第２ズームレンズ、３７は第２ズームレン
ズ３６を駆動するためのモータ、３８は第２ズームレン
ズ３６からの光束の約１％程度を光検出器３９に導入す
る平行平板、３９はレチクル面中央部と共役位置に配置
されているレチクル面照度検出器、４０はレチクル面か
らの反射光を集光するための集光レンズ、４１は集光レ
ンズ４０によって集光されたレチクル反射光を計測する
ためのレチクル反射光検出器、４２は矢印方向に移動可
能な、レチクル上の露光領域をスキャン方向に制限する
マスキングブレード、４３はレチクル上のスリット状の
露光領域を形成するためのスリット、４４および４６は
コンデンサレンズ、４５はミラーである。
大きさでハエノ目前端に結像するための第１ズームレン
ズ、３１はズームレンズ３０を駆動するためのモータ、
３２は最終的に露光波長を決定している帯域幅が数ｎｍ
の狭帯域ｉ線フィルタ、３３はミラー、３４はハエノ
目、３５は照明系のシグマ値を設定するための絞り、３
６はレチクル面における中心部と周囲部の照度分布を調
整するための第２ズームレンズ、３７は第２ズームレン
ズ３６を駆動するためのモータ、３８は第２ズームレン
ズ３６からの光束の約１％程度を光検出器３９に導入す
る平行平板、３９はレチクル面中央部と共役位置に配置
されているレチクル面照度検出器、４０はレチクル面か
らの反射光を集光するための集光レンズ、４１は集光レ
ンズ４０によって集光されたレチクル反射光を計測する
ためのレチクル反射光検出器、４２は矢印方向に移動可
能な、レチクル上の露光領域をスキャン方向に制限する
マスキングブレード、４３はレチクル上のスリット状の
露光領域を形成するためのスリット、４４および４６は
コンデンサレンズ、４５はミラーである。
【００２０】４７はレチクル面およびウエハ面のパター
ン画像を計測するための顕微鏡であり、露光光束位置外
に退避移動可能なようになっている。４８は顕微鏡４７
の結像レンズ、４９はＣＣＤカメラである。５０はレチ
クル、５１はレチクルと同じ厚さのダミーレチクル、５
２はレチクル５０およびダミーレチクル５１を搭載して
矢印５３の方向にスキャン動作可能なレチクルステージ
である。
ン画像を計測するための顕微鏡であり、露光光束位置外
に退避移動可能なようになっている。４８は顕微鏡４７
の結像レンズ、４９はＣＣＤカメラである。５０はレチ
クル、５１はレチクルと同じ厚さのダミーレチクル、５
２はレチクル５０およびダミーレチクル５１を搭載して
矢印５３の方向にスキャン動作可能なレチクルステージ
である。
【００２１】６０はレチクル５０内のパターンをウエハ
６１の上面位置に縮小投影する投影レンズ、６１はウエ
ハ、６２はウエハ６１を真空吸着して保持するためのウ
エハチャック、６３はウエハチャック６２を垂直方向お
よびチルト方向に駆動してウエハ６１の上面を投影レン
ズ６０の像面に一致させるためのθＺステージ、６４は
θＺステージ６３上に取り付け可能な照度ムラ測定器、
６５はθＺステージ６３上に取り付けられている基準マ
ークブロック、６６はθＺステージ６３上に取り付けら
れているレチクル回折光センサ、６７はθＺステージ６
３をスキャン方向６８およびスキャン方向と直行する方
向に移動可能なウエハステージである。７０はｉ線ラン
プ１のアーク形状を計測する画像処理装置、７１は照明
系制御部、７２は半導体露光装置の全体制御部、７３は
全体制御部７２から駆動指令を受けてレチクルステージ
５２、θＺステージ６３およびウエハステージ６７を駆
動するためのドライバ部、７４はレチクル面およびウエ
ハ面のパターン画像を計測するための画像処理装置、７
５は半導体露光装置の操作部であるコンソールである。
６１の上面位置に縮小投影する投影レンズ、６１はウエ
ハ、６２はウエハ６１を真空吸着して保持するためのウ
エハチャック、６３はウエハチャック６２を垂直方向お
よびチルト方向に駆動してウエハ６１の上面を投影レン
ズ６０の像面に一致させるためのθＺステージ、６４は
θＺステージ６３上に取り付け可能な照度ムラ測定器、
６５はθＺステージ６３上に取り付けられている基準マ
ークブロック、６６はθＺステージ６３上に取り付けら
れているレチクル回折光センサ、６７はθＺステージ６
３をスキャン方向６８およびスキャン方向と直行する方
向に移動可能なウエハステージである。７０はｉ線ラン
プ１のアーク形状を計測する画像処理装置、７１は照明
系制御部、７２は半導体露光装置の全体制御部、７３は
全体制御部７２から駆動指令を受けてレチクルステージ
５２、θＺステージ６３およびウエハステージ６７を駆
動するためのドライバ部、７４はレチクル面およびウエ
ハ面のパターン画像を計測するための画像処理装置、７
５は半導体露光装置の操作部であるコンソールである。
【００２２】図２は高速露光シャッタ７の詳細図であ
り、同図（ａ）はシャッタ羽根の形状を示し、同図
（ｂ）は高速露光シャッタ７の構成を示す。同図におい
て、８０は回転駆動により露光光束を遮断および開放す
るための導電性を有する金属材料のシャッタ羽根、８１
はシャッタ羽根８０の回転軸、８２（斜線部）は露光光
束、８３はシャッタ羽根８０を回転駆動するためのＡＣ
サーボモータ、８４はモータ固定板、８５および８６は
シャッタ羽根８０をはさむように配置されている導電性
を有する金属材料の遮閉板、８７〜８９は遮閉板８５お
よび８６をモータ固定板８４から電気的に絶縁して保持
するためのスペーサ、９０は非接触型温度計である。
り、同図（ａ）はシャッタ羽根の形状を示し、同図
（ｂ）は高速露光シャッタ７の構成を示す。同図におい
て、８０は回転駆動により露光光束を遮断および開放す
るための導電性を有する金属材料のシャッタ羽根、８１
はシャッタ羽根８０の回転軸、８２（斜線部）は露光光
束、８３はシャッタ羽根８０を回転駆動するためのＡＣ
サーボモータ、８４はモータ固定板、８５および８６は
シャッタ羽根８０をはさむように配置されている導電性
を有する金属材料の遮閉板、８７〜８９は遮閉板８５お
よび８６をモータ固定板８４から電気的に絶縁して保持
するためのスペーサ、９０は非接触型温度計である。
【００２３】図３は可変スリット部４３の詳細図であ
る。図中、１００ａ〜１００ｋおよび１０１ａ〜１０１
ｋは矢印１２９方向に駆動可能な上部スリット板および
下部スリット板、１０２ａ〜１０２ｋおよび１０３ａ〜
１０３ｋは上記スリット板のガイド部、１０４ａ〜１０
４ｋおよび１０５ａ〜１０５ｋは上記スリット板と一体
で移動する回転可能な突起部、１０６および１０７は上
記回転可能突起部を貫通して各スリットを連結している
バネ板、１１０〜１１３および１２０〜１２３は特定の
スリット板を駆動するモータである。
る。図中、１００ａ〜１００ｋおよび１０１ａ〜１０１
ｋは矢印１２９方向に駆動可能な上部スリット板および
下部スリット板、１０２ａ〜１０２ｋおよび１０３ａ〜
１０３ｋは上記スリット板のガイド部、１０４ａ〜１０
４ｋおよび１０５ａ〜１０５ｋは上記スリット板と一体
で移動する回転可能な突起部、１０６および１０７は上
記回転可能突起部を貫通して各スリットを連結している
バネ板、１１０〜１１３および１２０〜１２３は特定の
スリット板を駆動するモータである。
【００２４】図４はｉ線ランプ１の分光出力特性を示し
ており、本装置では、その分光出力中、３６５ｎｍ付近
の、図示してあるｉ線部分のみを、狭帯域ｉ線フィルタ
３２により抜き出して使用している。なお、図示してあ
る４３６ｎｍ付近の分光出力をｇ線という。
ており、本装置では、その分光出力中、３６５ｎｍ付近
の、図示してあるｉ線部分のみを、狭帯域ｉ線フィルタ
３２により抜き出して使用している。なお、図示してあ
る４３６ｎｍ付近の分光出力をｇ線という。
【００２５】図５は楕円ミラー３の分光反射率を示す。
楕円ミラー３は３２０ｎｍ〜４００ｎｍ程度の光束のみ
反射するような特性をもっている。
楕円ミラー３は３２０ｎｍ〜４００ｎｍ程度の光束のみ
反射するような特性をもっている。
【００２６】図６中の波線および実線はそれぞれ中帯域
ｉ線フィルタ６および狭帯域ｉ線フィルタ３２のカット
特性を示す。中帯域ｉ線フィルタ６のカット特性は、狭
帯域ｉ線フィルタ３２のカット特性を数十ｎｍ広げたも
のになっている。
ｉ線フィルタ６および狭帯域ｉ線フィルタ３２のカット
特性を示す。中帯域ｉ線フィルタ６のカット特性は、狭
帯域ｉ線フィルタ３２のカット特性を数十ｎｍ広げたも
のになっている。
【００２７】図７はレチクル回折光センサ６６の構成を
示す斜視図である。図中、１３０は投影レンズ６０の像
面へθＺステージ６３により駆動可能なスリット板、１
３１は露光スリットとほぼ同じ長さを有する幅０．３ｍ
ｍ程度のスリット、１３２〜１３６はレチクル回折光を
検出するための光検出器である。
示す斜視図である。図中、１３０は投影レンズ６０の像
面へθＺステージ６３により駆動可能なスリット板、１
３１は露光スリットとほぼ同じ長さを有する幅０．３ｍ
ｍ程度のスリット、１３２〜１３６はレチクル回折光を
検出するための光検出器である。
【００２８】図８は一般的なｉ線ランプの投入電力と純
度の関係を示す。同図にも示すように、ｉ線ランプは投
入電力を増やすと、純度は減少する。
度の関係を示す。同図にも示すように、ｉ線ランプは投
入電力を増やすと、純度は減少する。
【００２９】図９（ａ）は従来の半導体露光装置のスリ
ット内照度分布を示す。理想的にはスリット方向の全て
の位置におけるスキャン方向の照度分布が全て同じにな
るようにしている（Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃの形状が全て同
一）。
ット内照度分布を示す。理想的にはスリット方向の全て
の位置におけるスキャン方向の照度分布が全て同じにな
るようにしている（Ｓａ、Ｓｂ、Ｓｃの形状が全て同
一）。
【００３０】図９（ｂ）は本実施例の半導体露光装置の
スリット内照度分布を示す。第２ズームレンズ３６と可
変スリット４３により、投影レンズ６０内で露光中に発
生する露光非点収差を軽減するために必要なスリット形
状と照度分布を形成可能にしている。
スリット内照度分布を示す。第２ズームレンズ３６と可
変スリット４３により、投影レンズ６０内で露光中に発
生する露光非点収差を軽減するために必要なスリット形
状と照度分布を形成可能にしている。
【００３１】図１０（ａ）および図１０（ｂ）はそれぞ
れｉ線ランプ１の半径方向および電極方向のｉ線強度分
布を示す。本実施例の照明系では、図１０（ａ）で示す
半径方向のｉ線強度分布がハエノ目３４の入射側にズー
ムレンズ３０により投影されるようになっている。
れｉ線ランプ１の半径方向および電極方向のｉ線強度分
布を示す。本実施例の照明系では、図１０（ａ）で示す
半径方向のｉ線強度分布がハエノ目３４の入射側にズー
ムレンズ３０により投影されるようになっている。
【００３２】本実施例の半導体露光装置は従来の半導体
露光装置に次の機能を追加したものである。すなわち、 Ａ．ｉ線ランプの異常検出、 Ｂ．ｉ線ランプのアーク形状補正機能、 Ｃ．狭帯域ｉ線フィルタ、高速露光シャッタ耐久性向
上、 Ｄ．ｉ線ランプの純度管理、 Ｅ．露光シャッタ羽根の反射率検出、 Ｆ．露光シャッタ羽根の変形検出、 Ｇ．非点収差低減、 Ｈ．高精度積算露光量制御、 の各機能である。以下に各機能毎に説明する。
露光装置に次の機能を追加したものである。すなわち、 Ａ．ｉ線ランプの異常検出、 Ｂ．ｉ線ランプのアーク形状補正機能、 Ｃ．狭帯域ｉ線フィルタ、高速露光シャッタ耐久性向
上、 Ｄ．ｉ線ランプの純度管理、 Ｅ．露光シャッタ羽根の反射率検出、 Ｆ．露光シャッタ羽根の変形検出、 Ｇ．非点収差低減、 Ｈ．高精度積算露光量制御、 の各機能である。以下に各機能毎に説明する。
【００３３】Ａ．ｉ線ランプの異常検出 本実施例の半導体露光装置では、図１に示すように、狭
帯域ｉ線検出器２０と狭帯域ｇ線検出器２２をランプハ
ウス２５内に備えており、照明系制御部７１の内部のＣ
ＰＵ（図示せず）の動作により、ｉ線ランプ１の点灯
後、ｉ線ランプ１の放電が安定してから、各検出器のア
ナログ信号出力を数ｍＳｅｃ毎に取り込んで、ＡＤコン
バータ（図示せず）でディジタル化して、メモリ（図示
せず）内に計測データとして記憶していく。ＣＰＵは、
上記動作と並行して、メモリ内に記憶した各検出器の計
測データについて、以下の判断を常時行なっている。 各検出器の計測データが所定の許容範囲内に入ってい
るか 各検出器の計測データの変動が所定の許容範囲に入っ
ているか 各検出器の計測データの比率が所定の許容範囲に入っ
ているか
帯域ｉ線検出器２０と狭帯域ｇ線検出器２２をランプハ
ウス２５内に備えており、照明系制御部７１の内部のＣ
ＰＵ（図示せず）の動作により、ｉ線ランプ１の点灯
後、ｉ線ランプ１の放電が安定してから、各検出器のア
ナログ信号出力を数ｍＳｅｃ毎に取り込んで、ＡＤコン
バータ（図示せず）でディジタル化して、メモリ（図示
せず）内に計測データとして記憶していく。ＣＰＵは、
上記動作と並行して、メモリ内に記憶した各検出器の計
測データについて、以下の判断を常時行なっている。 各検出器の計測データが所定の許容範囲内に入ってい
るか 各検出器の計測データの変動が所定の許容範囲に入っ
ているか 各検出器の計測データの比率が所定の許容範囲に入っ
ているか
【００３４】これらの確認の結果、ＣＰＵが異常の確認
をした場合には、即時、点灯装置２にｉ線ランプ１の消
灯指令を出し、かつ全体制御部７２にこの異常を通知す
る。全体制御部７２はこの異常通知を受け取ると、装置
の運転を停止し、その旨の警報および表示を行なう。以
上の動作により、不完全な露光プロセスを続行する可能
性をなくし、また、ｉ線ランプ１の破裂等の事故も回避
可能となる。
をした場合には、即時、点灯装置２にｉ線ランプ１の消
灯指令を出し、かつ全体制御部７２にこの異常を通知す
る。全体制御部７２はこの異常通知を受け取ると、装置
の運転を停止し、その旨の警報および表示を行なう。以
上の動作により、不完全な露光プロセスを続行する可能
性をなくし、また、ｉ線ランプ１の破裂等の事故も回避
可能となる。
【００３５】Ｂ．ｉ線ランプのアーク形状補正機能 従来の半導体露光装置は、本実施例の半導体露光装置と
同じように、その照明系の内部に開口径を変更可能な可
変絞り３５を有しており、この絞りの大きさに対応する
ハエノ目３４の一部に、ｉ線ランプ１のアークをズーム
レンズ３０により最適な大きさにして投影するようにし
ている。ところが、図１０（ａ）および（ｂ）で表現さ
れるような、ｉ線ランプ１のアーク形状と大きさは、ラ
ンプメーカ差、部品差（製造誤差）、投入電力差等によ
り常に一定のものではなく、従来の方法では、常にｉ線
ランプ１の光束を有効に、かつ安定して活用していると
は言えなかった。そこで、本実施例の半導体露光装置で
は、図１に示すように、ＣＣＤカメラ１９をランプハウ
ス２５内に備え、ｉ線ランプ１のアーク形状を水平方向
から計測可能なようにしており、ｉ線ランプ１の点灯
後、放電が安定してから、アーク形状および大きさの計
測を行なっている。
同じように、その照明系の内部に開口径を変更可能な可
変絞り３５を有しており、この絞りの大きさに対応する
ハエノ目３４の一部に、ｉ線ランプ１のアークをズーム
レンズ３０により最適な大きさにして投影するようにし
ている。ところが、図１０（ａ）および（ｂ）で表現さ
れるような、ｉ線ランプ１のアーク形状と大きさは、ラ
ンプメーカ差、部品差（製造誤差）、投入電力差等によ
り常に一定のものではなく、従来の方法では、常にｉ線
ランプ１の光束を有効に、かつ安定して活用していると
は言えなかった。そこで、本実施例の半導体露光装置で
は、図１に示すように、ＣＣＤカメラ１９をランプハウ
ス２５内に備え、ｉ線ランプ１のアーク形状を水平方向
から計測可能なようにしており、ｉ線ランプ１の点灯
後、放電が安定してから、アーク形状および大きさの計
測を行なっている。
【００３６】この実際の計測は、画像処理装置７０によ
り行なわれている。すなわち、画像処理装置７０はアー
ク画像をＣＣＤカメラ１９から入力すると、この画像の
中で最大輝点の位置を特定し、この位置における水平方
向の強度分布を求める。この強度分布は図１０（ａ）に
示すような形状のものである。次に、画像処理装置７０
は、この強度分布の半値幅（ピークの半分の幅）を求
め、アーク半径値として照明系制御部７１に送り込む。
照明系制御部７１内のＣＰＵ（図示せず）は、上記アー
ク半径値を受け取ると、基準ｉ線ランプのアーク半径値
と比較し、最適でないと判断した場合には、これが最適
な大きさでハエノ目３４の入射部に投影されるように、
ズームレンズ３０の駆動を行なう。
り行なわれている。すなわち、画像処理装置７０はアー
ク画像をＣＣＤカメラ１９から入力すると、この画像の
中で最大輝点の位置を特定し、この位置における水平方
向の強度分布を求める。この強度分布は図１０（ａ）に
示すような形状のものである。次に、画像処理装置７０
は、この強度分布の半値幅（ピークの半分の幅）を求
め、アーク半径値として照明系制御部７１に送り込む。
照明系制御部７１内のＣＰＵ（図示せず）は、上記アー
ク半径値を受け取ると、基準ｉ線ランプのアーク半径値
と比較し、最適でないと判断した場合には、これが最適
な大きさでハエノ目３４の入射部に投影されるように、
ズームレンズ３０の駆動を行なう。
【００３７】本実施例の半導体露光装置は上記動作を常
時行なっており、定照度モード等で、ｉ線ランプ１に対
する投入電力が変わり、アーク形状が変わった場合で
も、自動的に最適なアーク形状をハエノ目３４の入射部
に投影するようになっている。
時行なっており、定照度モード等で、ｉ線ランプ１に対
する投入電力が変わり、アーク形状が変わった場合で
も、自動的に最適なアーク形状をハエノ目３４の入射部
に投影するようになっている。
【００３８】Ｃ．狭帯域ｉ線フィルタ、高速露光シャッ
タ耐久性向上 本実施例の半導体露光装置では、実際の露光光は、図４
の分光出力特性を有するｉ線ランプ１の光束から、図５
に示すような、長波長カット特性を有する楕円ミラーを
用いて３２０〜４００ｎｍの範囲の光束を抜き出し、さ
らに図６の波線で示す中帯域ｉ線フィルタ６によりｉ線
付近の数十ｎｍ幅の光束を抜き出し、さらに図６の実線
で示す狭帯域ｉ線フィルタ３２によりｉ線付近の数ｎｍ
幅の光束を抜き出すようにしている。このため、実際の
露光光に極めて近い波長帯域の光束のみがシャッタ羽根
８０または狭帯域ｉ線フィルタ３２に入射するようにな
っている。
タ耐久性向上 本実施例の半導体露光装置では、実際の露光光は、図４
の分光出力特性を有するｉ線ランプ１の光束から、図５
に示すような、長波長カット特性を有する楕円ミラーを
用いて３２０〜４００ｎｍの範囲の光束を抜き出し、さ
らに図６の波線で示す中帯域ｉ線フィルタ６によりｉ線
付近の数十ｎｍ幅の光束を抜き出し、さらに図６の実線
で示す狭帯域ｉ線フィルタ３２によりｉ線付近の数ｎｍ
幅の光束を抜き出すようにしている。このため、実際の
露光光に極めて近い波長帯域の光束のみがシャッタ羽根
８０または狭帯域ｉ線フィルタ３２に入射するようにな
っている。
【００３９】Ｄ．ｉ線ランプの純度管理 本実施例の半導体露光装置では、従来、ジョブとは独立
であったｉ線ランプ１の電力制御方法をコンソール７５
から、ジョブ毎に設定可能なようにしている。具体的な
電力制御方法は下記の通りである。 （１）定入力モード 従来の定入力モードと同様、ｉ線ランプ１に対する投入
電力を指定する。ほぼ純度一定となるが、純度計測等は
実行しない。 （２）定照度モード 従来の定照度モードと同様、像面照度を指定する。但
し、照度が一定になるように、ｉ線ランプ１に対する投
入電力を制御しているため、純度は変化してしまう。投
入電力を変更するタイミングは、ウエハ毎、ジョブ毎の
指定が可能である。 （３）定純度モード 本実施例で追加したモードであり、ｉ線ランプ１の純度
を指定する。純度計測により投入電力を制御して指定純
度を保つ。投入電力を変更するタイミングは、ウエハ
毎、ジョブ毎の指定が可能である。
であったｉ線ランプ１の電力制御方法をコンソール７５
から、ジョブ毎に設定可能なようにしている。具体的な
電力制御方法は下記の通りである。 （１）定入力モード 従来の定入力モードと同様、ｉ線ランプ１に対する投入
電力を指定する。ほぼ純度一定となるが、純度計測等は
実行しない。 （２）定照度モード 従来の定照度モードと同様、像面照度を指定する。但
し、照度が一定になるように、ｉ線ランプ１に対する投
入電力を制御しているため、純度は変化してしまう。投
入電力を変更するタイミングは、ウエハ毎、ジョブ毎の
指定が可能である。 （３）定純度モード 本実施例で追加したモードであり、ｉ線ランプ１の純度
を指定する。純度計測により投入電力を制御して指定純
度を保つ。投入電力を変更するタイミングは、ウエハ
毎、ジョブ毎の指定が可能である。
【００４０】以下に本実施例で追加した、上記（３）の
定純度モードについて説明を行なう。本実施例の半導体
露光装置では、図１に示すように、ｉ線波長±１０ｎｍ
程度の光束を計測する中帯域ｉ線検出器２１と、ｉ線波
長±数ｎｍ程度の光束を計測する狭帯域ｉ線検出器２０
とを設けており、照明系制御部７１の内部のＣＰＵ（図
示せず）の動作により、ｉ線ランプ１の点灯後、ｉ線ラ
ンプ１の放電が安定してから、各検出器のアナログ信号
出力を数ｍＳｅｃ毎に取り込んで、ＡＤコンバータ（図
示せず）でディジタル化してから、各検出器の計測デー
タの比率計算、つまり純度の計算を行なっている。この
純度計算結果が所定純度に対して許容範囲を超えた場合
には、指定タイミングにおいて、投入電力許容範囲を超
えない範囲でｉ線ランプ１に対する投入電力を制御する
ことにより、目標純度を達成するようにしている。な
お、指定純度を達成するための投入電力が、投入電力許
容範囲を超える場合には、全体制御部７２に露光動作続
行不能を通知する。全体制御部７２はこの通知を受け取
ると、装置の運転を停止し、警報、表示を行なう。
定純度モードについて説明を行なう。本実施例の半導体
露光装置では、図１に示すように、ｉ線波長±１０ｎｍ
程度の光束を計測する中帯域ｉ線検出器２１と、ｉ線波
長±数ｎｍ程度の光束を計測する狭帯域ｉ線検出器２０
とを設けており、照明系制御部７１の内部のＣＰＵ（図
示せず）の動作により、ｉ線ランプ１の点灯後、ｉ線ラ
ンプ１の放電が安定してから、各検出器のアナログ信号
出力を数ｍＳｅｃ毎に取り込んで、ＡＤコンバータ（図
示せず）でディジタル化してから、各検出器の計測デー
タの比率計算、つまり純度の計算を行なっている。この
純度計算結果が所定純度に対して許容範囲を超えた場合
には、指定タイミングにおいて、投入電力許容範囲を超
えない範囲でｉ線ランプ１に対する投入電力を制御する
ことにより、目標純度を達成するようにしている。な
お、指定純度を達成するための投入電力が、投入電力許
容範囲を超える場合には、全体制御部７２に露光動作続
行不能を通知する。全体制御部７２はこの通知を受け取
ると、装置の運転を停止し、警報、表示を行なう。
【００４１】Ｅ．露光シャッタ羽根の反射率検出 本実施例の半導体露光装置は「Ｃ．狭帯域ｉ線フィル
タ、高速露光シャッタ耐久性向上」で示したような露光
シャッタ保護対策を実施しているが、これだけでは完全
な保護になっているとは言えない。何故ならば、シャッ
タ羽根８０の冷却エアに不純物が混入し、これがシャッ
タ羽根８０の表面に付着してシャッタ羽根８０の表面反
射率を下げ、熱吸収の増加が起きる可能性があるからで
ある。
タ、高速露光シャッタ耐久性向上」で示したような露光
シャッタ保護対策を実施しているが、これだけでは完全
な保護になっているとは言えない。何故ならば、シャッ
タ羽根８０の冷却エアに不純物が混入し、これがシャッ
タ羽根８０の表面に付着してシャッタ羽根８０の表面反
射率を下げ、熱吸収の増加が起きる可能性があるからで
ある。
【００４２】そこで、本実施例の半導体露光装置では図
１で示すように、楕円ミラー３で集光される光束と同じ
帯域の波長を直接検出する広帯域検出器２３とシャッタ
羽根８０からの反射光を検出する光検出器２４とを設
け、ｉ線ランプ１の点灯後、ｉ線ランプ１の放電が安定
してから、遮閉板４が開放状態の時に、照明系制御部７
１の内部のＣＰＵ（図示せず）の動作により、各検出器
のアナログ信号出力を数ｍＳｅｃ毎に取り込んで、ＡＤ
コンバータ（図示せず）でディジタル化してから、各検
出器の計測データの比率計算、つまり、シャッタ羽根８
０の表面反射率の計算を行なっている。この反射率の計
算結果が所定値に対して許容範囲を超えた場合には、即
時、点灯装置２にｉ線ランプ１の消灯指令を出し、か
つ、全体制御部７２にこの異常を通知する。全体制御部
７２はこの異常通知を受け取ると、装置の運転を停止
し、警報、表示を行なう。
１で示すように、楕円ミラー３で集光される光束と同じ
帯域の波長を直接検出する広帯域検出器２３とシャッタ
羽根８０からの反射光を検出する光検出器２４とを設
け、ｉ線ランプ１の点灯後、ｉ線ランプ１の放電が安定
してから、遮閉板４が開放状態の時に、照明系制御部７
１の内部のＣＰＵ（図示せず）の動作により、各検出器
のアナログ信号出力を数ｍＳｅｃ毎に取り込んで、ＡＤ
コンバータ（図示せず）でディジタル化してから、各検
出器の計測データの比率計算、つまり、シャッタ羽根８
０の表面反射率の計算を行なっている。この反射率の計
算結果が所定値に対して許容範囲を超えた場合には、即
時、点灯装置２にｉ線ランプ１の消灯指令を出し、か
つ、全体制御部７２にこの異常を通知する。全体制御部
７２はこの異常通知を受け取ると、装置の運転を停止
し、警報、表示を行なう。
【００４３】Ｆ．露光シャッタ羽根の変形検出 また、本実施例の半導体露光装置では、露光シャッタ７
に対し、上記対策以外に、シャッタ羽根と周囲部材との
接触検出を行なっている。これは、シャッタ羽根の変形
を起こす原因として、前述の熱変形以外に、ユーザ若く
はサービスマンの誤ったメインテナンス、製造ミス、輸
送時の機械的なダメージ等が想定されるからである。そ
こで、本実施例では図２に示すように、シャッタ羽根８
０を導電性の金属材料とし、かつ、開口部周辺の遮閉板
８５および８６も導電性の金属材料とし、これらを絶縁
材のスペーサ８７、８８および８９で電気的に絶縁した
状態で保持している。一方、照明系制御部７１の内部の
ＣＰＵ（図示せず）は、シャッタ羽根８０と遮閉板８５
および８６との電気的な接触を常時監視しており、も
し、電気的な接触が検出された場合には、即時、点灯装
置２にｉ線ランプ１の消灯指令を出し、かつ、全体制御
部７２にこの異常を通知する。全体制御部７２はこの異
常通知を受け取ると、装置の運転を停止し、警報、表示
を行なう。なお、本実施例ではシャッタ羽根８０と直接
に電気的接続をするのが困難であるため、図２に示すＡ
Ｃサーボモータ８３の匡体と遮閉板８５および８６との
間の電気的な接触を検出するようにしている。
に対し、上記対策以外に、シャッタ羽根と周囲部材との
接触検出を行なっている。これは、シャッタ羽根の変形
を起こす原因として、前述の熱変形以外に、ユーザ若く
はサービスマンの誤ったメインテナンス、製造ミス、輸
送時の機械的なダメージ等が想定されるからである。そ
こで、本実施例では図２に示すように、シャッタ羽根８
０を導電性の金属材料とし、かつ、開口部周辺の遮閉板
８５および８６も導電性の金属材料とし、これらを絶縁
材のスペーサ８７、８８および８９で電気的に絶縁した
状態で保持している。一方、照明系制御部７１の内部の
ＣＰＵ（図示せず）は、シャッタ羽根８０と遮閉板８５
および８６との電気的な接触を常時監視しており、も
し、電気的な接触が検出された場合には、即時、点灯装
置２にｉ線ランプ１の消灯指令を出し、かつ、全体制御
部７２にこの異常を通知する。全体制御部７２はこの異
常通知を受け取ると、装置の運転を停止し、警報、表示
を行なう。なお、本実施例ではシャッタ羽根８０と直接
に電気的接続をするのが困難であるため、図２に示すＡ
Ｃサーボモータ８３の匡体と遮閉板８５および８６との
間の電気的な接触を検出するようにしている。
【００４４】Ｇ．露光非点収差軽減 本実施例の半導体露光装置は露光中に発生する非点収差
を軽減する機能を有している。本実施例は、投影レンズ
設計段階において、各照明モード毎に、露光による非点
収差の発生を最小にするスリット形状およびスリット形
状内照度分布を求めておき、これを半導体露光装置上で
実現するものである。
を軽減する機能を有している。本実施例は、投影レンズ
設計段階において、各照明モード毎に、露光による非点
収差の発生を最小にするスリット形状およびスリット形
状内照度分布を求めておき、これを半導体露光装置上で
実現するものである。
【００４５】従来の半導体露光装置のスリット形状およ
びスリット形状内照度分布の例を図９（ａ）に示す。こ
の図からも明らかなように、従来の半導体露光装置で
は、スリット方向の積算露光量を均一化する目的で、ス
リット上の各点におけるスキャン方向の照度分布が同じ
になるようにしていた。つまり、図９（ａ）におけるＳ
ａ、Ｓｂ、Ｓｃの形状がほぼ同じになるようにしてい
た。
びスリット形状内照度分布の例を図９（ａ）に示す。こ
の図からも明らかなように、従来の半導体露光装置で
は、スリット方向の積算露光量を均一化する目的で、ス
リット上の各点におけるスキャン方向の照度分布が同じ
になるようにしていた。つまり、図９（ａ）におけるＳ
ａ、Ｓｂ、Ｓｃの形状がほぼ同じになるようにしてい
た。
【００４６】また、従来の半導体露光装置では、スリッ
ト方向の照度分布が均一でない場合に、スリット方向の
積算露光量を均一化する目的で、スリット上の各点にお
けるスリット幅を可変にすることにより、スキャン方向
の照度積算量が同じになるように工夫されたものもあっ
た。つまり、この場合には、図９（ａ）におけるＳａ、
Ｓｂ、Ｓｃの面積がほぼ同じになるようにしていた。
ト方向の照度分布が均一でない場合に、スリット方向の
積算露光量を均一化する目的で、スリット上の各点にお
けるスリット幅を可変にすることにより、スキャン方向
の照度積算量が同じになるように工夫されたものもあっ
た。つまり、この場合には、図９（ａ）におけるＳａ、
Ｓｂ、Ｓｃの面積がほぼ同じになるようにしていた。
【００４７】本実施例の半導体露光装置は、上記従来例
と類似の構成を有しているが、その目的は全く違うもの
である。本実施例の半導体露光装置は、スリット形状お
よびスリット形状内照度分布が任意に設定可能になって
おり、この機能により、露光中に発生する非点収差等を
軽減するものである。
と類似の構成を有しているが、その目的は全く違うもの
である。本実施例の半導体露光装置は、スリット形状お
よびスリット形状内照度分布が任意に設定可能になって
おり、この機能により、露光中に発生する非点収差等を
軽減するものである。
【００４８】図９（ｂ）は、ある照明モードに対する、
露光非点収差を軽減するために最適なスリット形状およ
びスリット形状内照度分布の例を示す。同図のスリット
照明は、レチクル、ウエハに近いレンズにおいて、レン
ズ中心付近を通過する光束の光エネルギ密度を下げ、光
束が通過する領域内において、レンズ中心付近と周辺部
との温度差が大きくならないようにしている。
露光非点収差を軽減するために最適なスリット形状およ
びスリット形状内照度分布の例を示す。同図のスリット
照明は、レチクル、ウエハに近いレンズにおいて、レン
ズ中心付近を通過する光束の光エネルギ密度を下げ、光
束が通過する領域内において、レンズ中心付近と周辺部
との温度差が大きくならないようにしている。
【００４９】また、上記露光非点収差の発生は当然、レ
チクル面照度、レチクル透過率、レチクル平均回折率に
依存するものであるため、本実施例では、これらの計測
結果も、スリット形状およびスリット形状内照度分布の
決定に使用している。この様子を以下に述べる。
チクル面照度、レチクル透過率、レチクル平均回折率に
依存するものであるため、本実施例では、これらの計測
結果も、スリット形状およびスリット形状内照度分布の
決定に使用している。この様子を以下に述べる。
【００５０】図７はθＺステージ６３上に搭載されてい
るレチクル回折センサ６６の構成を示す斜視図である。
レチクル回折センサ６６はスキャン方向のレチクル回折
の程度を計測するものである。図７において、１３１は
露光スリット長と同等の長さを有する幅０．３ｍｍ程度
のスリットであり、１３２〜１３６はそれぞれ光検出部
である。ここで、レチクル上の露光パターンに微細なパ
ターンが多いほど周辺の光検出器への入射光エネルギが
多くなる。
るレチクル回折センサ６６の構成を示す斜視図である。
レチクル回折センサ６６はスキャン方向のレチクル回折
の程度を計測するものである。図７において、１３１は
露光スリット長と同等の長さを有する幅０．３ｍｍ程度
のスリットであり、１３２〜１３６はそれぞれ光検出部
である。ここで、レチクル上の露光パターンに微細なパ
ターンが多いほど周辺の光検出器への入射光エネルギが
多くなる。
【００５１】本実施例の半導体露光装置では、レチクル
５０が最初にレチクルステージ５２上に設定されると、
レチクル平均回折率およびレチクル透過率の測定が行な
われる。この測定は実際の露光と同じ照明モード（照明
系σ設定または変形照明）で行なわれる。この時、図７
のレチクル回折センサ６６は、露光光束のほぼ中央位置
で静止して、レチクル５０をスキャン動作している間
に、入射してくる光エネルギを積分計測する。このレチ
クル回折センサ６６の各センサ１３２〜１３６の積分計
測値の比率から、設定されているレチクルの平均回折率
が計算される。
５０が最初にレチクルステージ５２上に設定されると、
レチクル平均回折率およびレチクル透過率の測定が行な
われる。この測定は実際の露光と同じ照明モード（照明
系σ設定または変形照明）で行なわれる。この時、図７
のレチクル回折センサ６６は、露光光束のほぼ中央位置
で静止して、レチクル５０をスキャン動作している間
に、入射してくる光エネルギを積分計測する。このレチ
クル回折センサ６６の各センサ１３２〜１３６の積分計
測値の比率から、設定されているレチクルの平均回折率
が計算される。
【００５２】また、上記計測中、照明系内のレチクル面
照度検出器３９も積分計測を行なっており、レチクル回
折センサ６６の各センサ１３２〜１３６の積分出力の総
和と、上記レチクル面照度検出器３９の積分計測値の比
率からレチクル透過率も算出される。以上の計測によ
り、レチクル平均回折率とレチクル透過率が求められ
る。本実施例の半導体露光装置では、実際のウエハの露
光動作に入る直前にレチクル面照度検出器３９により、
レチクル面照度の計測も行なうようにしている。
照度検出器３９も積分計測を行なっており、レチクル回
折センサ６６の各センサ１３２〜１３６の積分出力の総
和と、上記レチクル面照度検出器３９の積分計測値の比
率からレチクル透過率も算出される。以上の計測によ
り、レチクル平均回折率とレチクル透過率が求められ
る。本実施例の半導体露光装置では、実際のウエハの露
光動作に入る直前にレチクル面照度検出器３９により、
レチクル面照度の計測も行なうようにしている。
【００５３】以上の動作により、設定されたレチクル５
０のレチクル平均回折率、レチクル透過率、および現在
設定している照明モードでのレチクル面照度がわかるた
め、露光非点収差を最小にするためのスリット形状およ
びスリット形状内照度分布の算出が可能となる。
０のレチクル平均回折率、レチクル透過率、および現在
設定している照明モードでのレチクル面照度がわかるた
め、露光非点収差を最小にするためのスリット形状およ
びスリット形状内照度分布の算出が可能となる。
【００５４】なお、この決定のための計算量は膨大なも
のとなるため、本実施例の半導体露光装置では、本体制
御部７２内のメモリ上に、設計段階において、各照明モ
ード毎に計算したレチクル平均回折率、レチクル透過率
およびレチクル面照度ならびに最適スリット形状および
スリット形状内照度分布の代表的なデータを予め用意し
ておき、前述のレチクル平均回折率、レチクル透過率お
よびレチクル面照度の計測値からの補間計算により、容
易に最適スリット形状およびスリット形状内照度分布が
求められるようにしている。
のとなるため、本実施例の半導体露光装置では、本体制
御部７２内のメモリ上に、設計段階において、各照明モ
ード毎に計算したレチクル平均回折率、レチクル透過率
およびレチクル面照度ならびに最適スリット形状および
スリット形状内照度分布の代表的なデータを予め用意し
ておき、前述のレチクル平均回折率、レチクル透過率お
よびレチクル面照度の計測値からの補間計算により、容
易に最適スリット形状およびスリット形状内照度分布が
求められるようにしている。
【００５５】前記最適スリット形状およびスリット形状
内照度分布が決定されると、これらのデータは、本体制
御部７２から照明系制御部７１に送られ、照明系制御部
７１は図３の可変スリット４３のモータ１１０〜１１
３、１２０〜１２３を駆動することにより、最適スリッ
ト形状を実現し、また、第２ズームレンズ３６のモータ
３７を駆動することにより、最適スリット形状内照度分
布を実現する。
内照度分布が決定されると、これらのデータは、本体制
御部７２から照明系制御部７１に送られ、照明系制御部
７１は図３の可変スリット４３のモータ１１０〜１１
３、１２０〜１２３を駆動することにより、最適スリッ
ト形状を実現し、また、第２ズームレンズ３６のモータ
３７を駆動することにより、最適スリット形状内照度分
布を実現する。
【００５６】本実施例の半導体露光装置は上記動作後、
レチクルステージ５２を移動することにより、透明なダ
ミーレチクル５１を照明領域に移動させ、最適スリット
形状およびスリット形状内照度分布が実現されているこ
とを、照度ムラ測定器６４を用いて計測する。
レチクルステージ５２を移動することにより、透明なダ
ミーレチクル５１を照明領域に移動させ、最適スリット
形状およびスリット形状内照度分布が実現されているこ
とを、照度ムラ測定器６４を用いて計測する。
【００５７】この照度ムラ測定器６４は、スキャン方向
に長い計測範囲を有するリニアＣＣＤセンサであり、こ
れを像面位置に移動させて、スリット上の１点のスキャ
ン方向の光エネルギ分布を計測する。この後、上記計測
をスリット上の複数点で実施し、最適値が実現されてい
ることの確認を行ない、もし、誤差がある場合には、可
変スリット４３、第２ズームレンズ３６の微調整を実施
する。
に長い計測範囲を有するリニアＣＣＤセンサであり、こ
れを像面位置に移動させて、スリット上の１点のスキャ
ン方向の光エネルギ分布を計測する。この後、上記計測
をスリット上の複数点で実施し、最適値が実現されてい
ることの確認を行ない、もし、誤差がある場合には、可
変スリット４３、第２ズームレンズ３６の微調整を実施
する。
【００５８】なお、当然、スリット方向の積算露光量の
均一化のため、ここで実現されたスキャン方向の光エネ
ルギ分布はスキャン方向に積分するとどのスリット位置
においても同じ値になるべきものである。
均一化のため、ここで実現されたスキャン方向の光エネ
ルギ分布はスキャン方向に積分するとどのスリット位置
においても同じ値になるべきものである。
【００５９】以上の設定が完了すると、本実施例の半導
体露光装置はレチクルステージをスキャンスタート位置
に戻し、次に示す「Ｈ．高精度積算露光量制御」のため
のレチクル反射率計測に移る。
体露光装置はレチクルステージをスキャンスタート位置
に戻し、次に示す「Ｈ．高精度積算露光量制御」のため
のレチクル反射率計測に移る。
【００６０】なお、本実施例では、露光非点収差の変化
をさらに最小にするために、露光中においても、投影レ
ンズ６０に入射する総光エネルギを光検出器３９の出力
値とレチクル透過率とから計算し、露光中に最適スリッ
ト照明形状および光エネルギ分布の微調整を自動的に実
行するようにしている。また、本実施例の半導体露光装
置では、一定時間毎に図１中の顕微鏡４７を露光領域に
挿入し、θＺステージ６３上に取り付けられている基準
マークブロック上の縦、横パターンをＣＣＤカメラ４９
で計測し、露光非点収差が確実に許容範囲に収まってい
ることを確認可能なようにしている。
をさらに最小にするために、露光中においても、投影レ
ンズ６０に入射する総光エネルギを光検出器３９の出力
値とレチクル透過率とから計算し、露光中に最適スリッ
ト照明形状および光エネルギ分布の微調整を自動的に実
行するようにしている。また、本実施例の半導体露光装
置では、一定時間毎に図１中の顕微鏡４７を露光領域に
挿入し、θＺステージ６３上に取り付けられている基準
マークブロック上の縦、横パターンをＣＣＤカメラ４９
で計測し、露光非点収差が確実に許容範囲に収まってい
ることを確認可能なようにしている。
【００６１】Ｈ．高精度積算露光量制御 本実施例の半導体露光装置では、前記、「Ｇ．露光非点
収差軽減」のためのスリット形状およびスリット形状内
照度分布の決定後、積算露光量制御をより高精度に実施
するのに必要なレチクル反射計測に入る。以下に、レチ
クル反射計測および実際の露光動作の説明を行なう。
収差軽減」のためのスリット形状およびスリット形状内
照度分布の決定後、積算露光量制御をより高精度に実施
するのに必要なレチクル反射計測に入る。以下に、レチ
クル反射計測および実際の露光動作の説明を行なう。
【００６２】（１）照明系制御部７１から点灯装置２に
対してｉ線ランプ１に投入する指令電力を伝え、点灯装
置２はこの指令電力をｉ線ランプ１に投入する。
対してｉ線ランプ１に投入する指令電力を伝え、点灯装
置２はこの指令電力をｉ線ランプ１に投入する。
【００６３】（２）次にレチクルステージ５２をスキャ
ンスタート位置に移動させ、この時のレチクル面照度検
出器３９の計測値を基準照度として記憶しておく。な
お、レチクルステージ５２がスキャンスタート位置にあ
る場合には、照明系からの光束は照明系に戻らないよう
になっている。すなわちレチクル反射光が全くレチクル
面照度検出器３９に戻っていない状態となっている。
ンスタート位置に移動させ、この時のレチクル面照度検
出器３９の計測値を基準照度として記憶しておく。な
お、レチクルステージ５２がスキャンスタート位置にあ
る場合には、照明系からの光束は照明系に戻らないよう
になっている。すなわちレチクル反射光が全くレチクル
面照度検出器３９に戻っていない状態となっている。
【００６４】（３）レチクルステージ５２を通常露光時
よりも十分遅いスピードで全露光領域についてスキャン
動作させ、各レチクル位置毎のレチクル面照度検出器３
９の計測値を照明系制御部７１内のメモリに記憶する。
よりも十分遅いスピードで全露光領域についてスキャン
動作させ、各レチクル位置毎のレチクル面照度検出器３
９の計測値を照明系制御部７１内のメモリに記憶する。
【００６５】（４）照明系制御部７１内のＣＰＵは、上
記計測後、レチクル各位置におけるレチクル面照度検出
器３９の計測値から、（２）で計測した計測値の引き算
を実行し、これを、レチクル反射計測値として、レチク
ル各位置毎にメモリに記憶する。
記計測後、レチクル各位置におけるレチクル面照度検出
器３９の計測値から、（２）で計測した計測値の引き算
を実行し、これを、レチクル反射計測値として、レチク
ル各位置毎にメモリに記憶する。
【００６６】（５）以上の計測後、本実施例の半導体露
光装置は実際のウエハ処理動作に入る。実際のウエハ処
理では、まず、ウエハの搬入と平行して、上記（２）と
同様の動作を実行し、現在のレチクル面照度を計測し、
このレチクル面照度から、目標露光量を達成するために
必要なスキャンスピードを決定する。また、このレチク
ル面照度と、（２）で求めた基準照度との比率を計算
し、この比率から、（４）で求めたレチクル反射計測値
を補正計算し、現在のレチクル反射計測値として、レチ
クル各位置毎にメモリに記憶する。
光装置は実際のウエハ処理動作に入る。実際のウエハ処
理では、まず、ウエハの搬入と平行して、上記（２）と
同様の動作を実行し、現在のレチクル面照度を計測し、
このレチクル面照度から、目標露光量を達成するために
必要なスキャンスピードを決定する。また、このレチク
ル面照度と、（２）で求めた基準照度との比率を計算
し、この比率から、（４）で求めたレチクル反射計測値
を補正計算し、現在のレチクル反射計測値として、レチ
クル各位置毎にメモリに記憶する。
【００６７】（６）上記動作後、本実施例の半導体露光
装置は、プリアライメント計測、ファインアライメント
計測、フォーカス計測等を実行した後、レチクル５０お
よびウエハ６１を、投影系６０の縮小比率と同じ速度比
率で図示されている矢印のように、互いに逆方向にスキ
ャンさせながら、レチクル５０の全面のパターンをウエ
ハ６１上の１チップ領域に転写していく、スキャン露光
動作をスタートする。
装置は、プリアライメント計測、ファインアライメント
計測、フォーカス計測等を実行した後、レチクル５０お
よびウエハ６１を、投影系６０の縮小比率と同じ速度比
率で図示されている矢印のように、互いに逆方向にスキ
ャンさせながら、レチクル５０の全面のパターンをウエ
ハ６１上の１チップ領域に転写していく、スキャン露光
動作をスタートする。
【００６８】（７）スキャン露光動作がスタートし、各
ステージが露光領域の直前に来た時に、高速露光シャッ
タ７を開放させる。
ステージが露光領域の直前に来た時に、高速露光シャッ
タ７を開放させる。
【００６９】（８）高速露光シャッタ７を開放させる
と、レチクル面照度検出器３９でレチクル面照度が計測
可能になる。ここで、本実施例の半導体露光装置では、
上記レチクル面照度検出器３９の計測値をレチクル面照
度とはせず、この計測値から、上記（５）で求めた、現
在のレチクル位置毎のレチクル反射計測値を引き算した
値をレチクル面照度とし、この値が常に（５）で記憶し
た現在のレチクル面照度と同じになるように、点灯装置
２の電力制御を行なう。この動作はスキャン露光動作中
続行する。
と、レチクル面照度検出器３９でレチクル面照度が計測
可能になる。ここで、本実施例の半導体露光装置では、
上記レチクル面照度検出器３９の計測値をレチクル面照
度とはせず、この計測値から、上記（５）で求めた、現
在のレチクル位置毎のレチクル反射計測値を引き算した
値をレチクル面照度とし、この値が常に（５）で記憶し
た現在のレチクル面照度と同じになるように、点灯装置
２の電力制御を行なう。この動作はスキャン露光動作中
続行する。
【００７０】（９）スキャン露光動作が完了すると、点
灯装置２に対する電力指令値を（１）で指令した投入電
力指令値に固定し、高速露光シャッタ７を閉じる。
灯装置２に対する電力指令値を（１）で指令した投入電
力指令値に固定し、高速露光シャッタ７を閉じる。
【００７１】以上の動作により１ショット分の露光動作
が完了し、同様な動作を繰りかえすことによりウエハ全
面へのスキャン露光を完了させる。
が完了し、同様な動作を繰りかえすことによりウエハ全
面へのスキャン露光を完了させる。
【００７２】［変形例］上述実施例に対する変形例とし
ては、以下のものが考えられる。 （１）「発明の実施の形態」の欄で説明した「レチクル
反射光検出器での補正」による方法。 （２）レチクル透過率が高く、ウエハ反射率が高い場合
には、レチクル面照度検出器に、ウエハからの反射光の
影響がでる場合がある。その場合には、上述実施例で示
した方法を、実際のウエハと同等の反射率を有する反射
板をウエハ位置に配置して、上述実施例と同様なことを
行なえばよい。 （３）上述実施例では、連続光の場合を示したが、本発
明はエキシマレーザのようなパルス光光源を用いた半導
体露光装置にも容易に適用可能である。
ては、以下のものが考えられる。 （１）「発明の実施の形態」の欄で説明した「レチクル
反射光検出器での補正」による方法。 （２）レチクル透過率が高く、ウエハ反射率が高い場合
には、レチクル面照度検出器に、ウエハからの反射光の
影響がでる場合がある。その場合には、上述実施例で示
した方法を、実際のウエハと同等の反射率を有する反射
板をウエハ位置に配置して、上述実施例と同様なことを
行なえばよい。 （３）上述実施例では、連続光の場合を示したが、本発
明はエキシマレーザのようなパルス光光源を用いた半導
体露光装置にも容易に適用可能である。
【００７３】＜デバイス製造方法の実施例＞次に、図１
の露光装置を利用した半導体デバイスの製造方法の実施
例を説明する。図１１は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ
等の半導体チップ、液晶パネルやＣＣＤ）の製造のフロ
ーを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイス
の回路設計を行なう。ステップ２（マスク制作）では設
計したパターンを形成したマスク（レチクル５０）を制
作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン
等の材料を用いてウエハ（ウエハ６１）を製造する。ス
テップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用
意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によ
ってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５
（組立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成
されたウエハを用いてチップ化する工程であり、アッセ
ンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージ
ング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６
（検査）ではステップ５で作成された半導体デバイスの
動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こう
した工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷
（ステップ７）される。
の露光装置を利用した半導体デバイスの製造方法の実施
例を説明する。図１１は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ
等の半導体チップ、液晶パネルやＣＣＤ）の製造のフロ
ーを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイス
の回路設計を行なう。ステップ２（マスク制作）では設
計したパターンを形成したマスク（レチクル５０）を制
作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン
等の材料を用いてウエハ（ウエハ６１）を製造する。ス
テップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用
意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によ
ってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５
（組立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成
されたウエハを用いてチップ化する工程であり、アッセ
ンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージ
ング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６
（検査）ではステップ５で作成された半導体デバイスの
動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こう
した工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷
（ステップ７）される。
【００７４】図１２は上記ウエハプロセス（ステップ
４）の詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）では
ウエハ（ウエハ６１）の表面を酸化させる。ステップ１
２（ＣＶＤ）ではウエハの表面に絶縁膜を形成する。ス
テップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によ
って形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエ
ハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）
ではウエハにレジスト（感材）を塗布する。ステップ１
６（露光）では上記露光装置によってマスク（レチクル
５０）の回路パターンの像でウエハを露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによりウエハ上に回路
パターンが形成される。
４）の詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）では
ウエハ（ウエハ６１）の表面を酸化させる。ステップ１
２（ＣＶＤ）ではウエハの表面に絶縁膜を形成する。ス
テップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によ
って形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエ
ハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）
ではウエハにレジスト（感材）を塗布する。ステップ１
６（露光）では上記露光装置によってマスク（レチクル
５０）の回路パターンの像でウエハを露光する。ステッ
プ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ１８（エッチング）では現像したレジスト以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによりウエハ上に回路
パターンが形成される。
【００７５】本実施例の製造方法を用いれば、従来は難
しかった高集積度の半導体デバイスを製造することが可
能になる。
しかった高集積度の半導体デバイスを製造することが可
能になる。
【００７６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、原
板面からの反射光の影響を除去した原板面の照度を計測
することができるため、より正確な積算露光量制御が可
能となる。また、基板面からの反射光も考慮することに
より、その影響も除去することができるため、さらに正
確な積算露光量制御が可能となる。
板面からの反射光の影響を除去した原板面の照度を計測
することができるため、より正確な積算露光量制御が可
能となる。また、基板面からの反射光も考慮することに
より、その影響も除去することができるため、さらに正
確な積算露光量制御が可能となる。
【図１】 本発明の一実施例に係る半導体露光装置の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図２】 図１の装置の高速露光シャッタの詳細図であ
る。
る。
【図３】 図１の装置の可変スリット部の詳細図であ
る。
る。
【図４】 図１の装置のｉ線ランプの分光出力特性を示
すグラフである。
すグラフである。
【図５】 図１の装置の楕円ミラー３の分光反射率を示
すグラフである。
すグラフである。
【図６】 図１の装置の中帯域ｉ線フィルタおよび狭帯
域ｉ線フィルタのカット特性を示すグラフである。
域ｉ線フィルタのカット特性を示すグラフである。
【図７】 図１の装置のレチクル回折光センサ６６の構
成を示す斜視図である。
成を示す斜視図である。
【図８】 図１の装置のｉ線ランプの投入電力と純度の
関係を示すグラフである。
関係を示すグラフである。
【図９】 従来および図１の装置におけるスリット内照
度分布の説明図である。
度分布の説明図である。
【図１０】 図１の装置のｉ線ランプの半径方向および
電極方向のｉ線強度分布を示すグラフである。
電極方向のｉ線強度分布を示すグラフである。
【図１１】 本発明の露光装置を利用できる半導体デバ
イスの製造工程を示すフローチャートである。
イスの製造工程を示すフローチャートである。
【図１２】 図１１の工程中のウエハプロセスの詳細な
フローチャートである。
フローチャートである。
【図１３】 従来の半導体露光装置の説明図である。
１：ｉ線ランプ、２：点灯装置、３：楕円ミラー、４：
遮閉板、５：モータ、６：中帯域ｉ線フィルタ、７：高
速露光シャッタ、８：アークモニタ結像レンズ、９〜１
２：ハーフミラー、１３：ミラー、１４，１５：狭帯域
ｉ線フィルタ、１６：中帯域ｉ線フィルタ、１７：狭帯
域ｇ線フィルタ、１８：広帯域フィルタ、１９：ＣＣＤ
カメラ、２０：狭帯域ｉ線検出器、２１：中帯域ｉ線検
出器、２２：狭帯域ｇ線検出器、２３：広帯域検出器、
２４：光検出器、２５：ランプハウス、３０：第１ズー
ムレンズ、３１：モータ、３２：狭帯域ｉ線フィルタ、
３３：ミラー、３４：ハエノ目、３５：絞り、３６：第
２ズームレンズ、３７：モータ、３８：平行平板、３
９：レチクル面照度検出器、４０：集光レンズ、４１：
レチクル反射光検出器、４２：マスキングブレード、４
３：スリット、４４，４６：コンデンサレンズ、４５：
ミラー、４７：顕微鏡、４８：結像レンズ、４９：ＣＣ
Ｄカメラ、５０：レチクル、５１：ダミーレチクル、５
２：レチクルステージ、６０：投影レンズ、６１：ウエ
ハ、６２：ウエハチャック、６３：θＺステージ、６
４：照度ムラ測定器、６５：基準マークブロック、６
６：レチクル回折光センサ、６７：ウエハステージ、７
０：画像処理装置、７１：照明系制御部、７２：全体制
御部、７３：ドライバ部、７５：コンソール、８０：シ
ャッタ羽根、８１：シャッタ羽根８０の回転軸、８２
（斜線部）：露光光束、８３：ＡＣサーボモータ、８
４：モータ固定板、８５，８６：遮閉板、８７〜８９：
スペーサ、９０：非接触型温度計、１００ａ〜１００
ｋ：上部スリット板、１０１ａ〜１０１ｋ：下部スリッ
ト板、１０２ａ〜１０２ｋ，１０３ａ〜１０３ｋ：ガイ
ド部、１０４ａ〜１０４ｋ，１０５ａ〜１０５ｋ：回転
可能突起部、１０６，１０７：バネ板、１１０〜１１
３，１２０〜１２３：モータ、１３０：スリット板、１
３１：スリット、１３２〜１３６：光検出器。
遮閉板、５：モータ、６：中帯域ｉ線フィルタ、７：高
速露光シャッタ、８：アークモニタ結像レンズ、９〜１
２：ハーフミラー、１３：ミラー、１４，１５：狭帯域
ｉ線フィルタ、１６：中帯域ｉ線フィルタ、１７：狭帯
域ｇ線フィルタ、１８：広帯域フィルタ、１９：ＣＣＤ
カメラ、２０：狭帯域ｉ線検出器、２１：中帯域ｉ線検
出器、２２：狭帯域ｇ線検出器、２３：広帯域検出器、
２４：光検出器、２５：ランプハウス、３０：第１ズー
ムレンズ、３１：モータ、３２：狭帯域ｉ線フィルタ、
３３：ミラー、３４：ハエノ目、３５：絞り、３６：第
２ズームレンズ、３７：モータ、３８：平行平板、３
９：レチクル面照度検出器、４０：集光レンズ、４１：
レチクル反射光検出器、４２：マスキングブレード、４
３：スリット、４４，４６：コンデンサレンズ、４５：
ミラー、４７：顕微鏡、４８：結像レンズ、４９：ＣＣ
Ｄカメラ、５０：レチクル、５１：ダミーレチクル、５
２：レチクルステージ、６０：投影レンズ、６１：ウエ
ハ、６２：ウエハチャック、６３：θＺステージ、６
４：照度ムラ測定器、６５：基準マークブロック、６
６：レチクル回折光センサ、６７：ウエハステージ、７
０：画像処理装置、７１：照明系制御部、７２：全体制
御部、７３：ドライバ部、７５：コンソール、８０：シ
ャッタ羽根、８１：シャッタ羽根８０の回転軸、８２
（斜線部）：露光光束、８３：ＡＣサーボモータ、８
４：モータ固定板、８５，８６：遮閉板、８７〜８９：
スペーサ、９０：非接触型温度計、１００ａ〜１００
ｋ：上部スリット板、１０１ａ〜１０１ｋ：下部スリッ
ト板、１０２ａ〜１０２ｋ，１０３ａ〜１０３ｋ：ガイ
ド部、１０４ａ〜１０４ｋ，１０５ａ〜１０５ｋ：回転
可能突起部、１０６，１０７：バネ板、１１０〜１１
３，１２０〜１２３：モータ、１３０：スリット板、１
３１：スリット、１３２〜１３６：光検出器。
Claims (19)
- 【請求項１】 原板と基板をスリット状の露光光束に対
して相対的に走査移動させながら、前記原板のパターン
を前記基板に逐次露光転写する走査型の露光装置であっ
て、前記原板のパターン面と共役な位置に配置された光
検出器と、前記露光光束が照明する前記原板のパターン
面の各位置についての前記光検出器の出力に対する補正
情報を記憶する記憶手段とを具備し、前記露光転写の際
に前記補正情報を用いて前記光検出器の出力を補正する
ことを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 前記補正情報は、前記露光光束が照明す
る前記原板のパターン面の各位置での反射光の光量に応
じて決まることを特微とする請求項１に記載の露光装
置。 - 【請求項３】 原板と基板をスリット状の露光光束に対
して相対的に走査移動させながら、前記原板のパターン
を前記基板に逐次露光転写する走査方式による露光方法
において、前記原板のパターンを前記基板に転写する
際、前記露光光束が照明する前記原板の各位置に対応す
る所定の補正情報を用いて、前記原板のパターン面と共
役な位置に配置された光検出器の出力を補正することを
特徴とする露光方法。 - 【請求項４】 前記補正情報を、前記露光光束が照明す
る前記原板の各位置のパターン面からの反射光の光量に
応じて決めることを特徴とする請求項３に記載の露光方
法。 - 【請求項５】 原板のパターンを基板に露光転写する露
光装置であって、前記原板のパターン面と共役な位置に
配置された第１の光検出器と、前記パターン面からの反
射光を検出するための第２の光検出器と、前記第１およ
び第２の光検出器の出力に基づく前記原板のパターン面
上の各位置についての前記第１の光検出器の出力に対す
る補正情報を記憶する記憶手段とを有し、前記原板のパ
ターンを前記基板に転写する際、前記補正情報を用いて
前記第１の光検出器の出力を補正することを特徴とする
露光装置。 - 【請求項６】 光源からの露光光により原板を照明する
照明光学系と、これにより照明される原板のパターンを
基板上に投影露光する投影光学系と、前記原板のパター
ン面と共役な位置に配置した光検出器と、前記光検出器
の出力に基づき前記光源の出力を制御する制御手段とを
備えた露光装置において、前記原板のパターン面が前記
照明光学系により照明されるときの前記光検出器の出力
から、前記原板のパターン面からの反射光による影響を
排除する補正手段を具備することを特徴とする露光装
置。 - 【請求項７】 前記補正手段は、前記原板が前記照明光
学系により照明されており、かつ前記原板のパターン面
から反射光が前記光検出器に戻らない状態における前記
光検出器の出力を参照して前記反射光による影響の排除
を行なうものであることを特徴とする請求項６に記載の
露光装置。 - 【請求項８】 前記補正手段は、前記照明光学系により
照明される前記原板からの、前記照明光学系に戻る反射
光を検出する反射光検出手段を有し、この検出結果を参
照して、前記反射光による影響の排除を行なうものであ
ることを特徴とする請求項６に記載の露光装置。 - 【請求項９】 前記照明光学系からのスリット状の照明
光および前記投影光学系に対して前記原板および基板を
相対的にスキャン移動させながら露光を行なう走査型の
露光装置であり、前記補正手段は前記スキャン移動の各
移動位置において前記反射光による影響の排除を行なう
ものであり、前記制御手段は前記スキャン移動の各移動
位置において前記反射光による影響の排除が行なわれた
前記光検出器の出力に基づき前記光源の出力を制御する
ものであることを特徴とする請求項６〜８のいずれか１
項に記載の露光装置。 - 【請求項１０】 前記照明光学系からのスリット状の照
明光および前記投影光学系に対して前記原板および基板
を相対的にスキャン移動させながら露光を行なう走査型
の露光装置であり、前記光源は放電灯であり、前記補正
手段は、あらかじめ、この放電灯への投入電力を一定に
制御しかつ前記スキャン移動を通常より遅い速度で行な
いながら各移動位置についての前記光検出器の出力を
得、またその際に前記原板のパターン面から反射光が前
記光検出器に戻らない状態における前記光検出器の出力
を得、そして実際に基板への露光を行なうときには、ま
ずスキャン移動の開始時に、前記原板のパターン面から
反射光が前記光検出器に戻らない状態における前記光検
出器の出力を得、スキャン移動の各移動位置において
は、この出力と前記あらかじめ得ておいた各出力とに基
づいて前記反射光による影響の排除を行なうものであ
り、前記制御手段はこのスキャン移動の各移動位置にお
いてこの反射光による影響の排除が行なわれた前記光検
出器の出力に基づき前記光源の出力を制御するものであ
ることを特徴とする請求項７に記載の露光装置。 - 【請求項１１】 前記照明光学系からのスリット状の照
明光および前記投影光学系に対して前記原板および基板
を相対的にスキャン移動させながら露光を行なう走査型
の露光装置であり、前記光源は放電灯であり、前記補正
手段は、あらかじめ、この放電灯への投入電力を一定に
制御しかつ前記スキャン移動を通常より遅い速度で行な
いながら各移動位置についての前記光検出器の出力およ
び前記反射光検出手段の検出結果を得、そして実際に基
板への露光を行なうときには、スキャン移動の各移動位
置において、前記光検出器の出力および前記反射光検出
手段の検出結果に基づいて前記反射光による影響の排除
を行なうものであり、前記制御手段はこのスキャン移動
の各移動位置においてこの反射光による影響の排除が行
なわれた前記光検出器の出力に基づき前記光源の出力を
制御するものであることを特徴とする請求項８に記載の
露光装置。 - 【請求項１２】 光源からの露光光により原板を照明す
る照明光学系により照明される原板のパターンを基板上
に投影光学系により投影露光するとともに、その際、前
記原板のパターン面と共役な位置に配置した光検出器の
出力に基づき前記光源の出力を制御する露光方法におい
て、前記原板のパターン面が前記照明光学系により照明
されるときの前記光検出器の出力から、前記原板のパタ
ーン面からの反射光による影響を排除することを特徴と
する露光方法。 - 【請求項１３】 前記照明光学系からのスリット状の照
明光および前記投影光学系に対して前記原板および基板
を相対的にスキャン移動させながら露光を行なう走査型
の露光方法であり、前記光源は放電灯であり、あらかじ
め、この放電灯への投入電力を一定に制御しかつ前記ス
キャン移動を通常より遅い速度で行ないながら各移動位
置についての前記光検出器の出力を得、またその際に前
記原板のパターン面から反射光が前記光検出器に戻らな
い状態における前記光検出器の出力を得、そして実際に
基板への露光を行なうときには、まずスキャン移動の開
始時に、前記原板のパターン面から反射光が前記光検出
器に戻らない状態における前記光検出器の出力を得、ス
キャン移動の各移動位置においては、この出力と前記あ
らかじめ得ておいた各出力とに基づいて前記反射光によ
る影響の排除を行なうとともに、この反射光による影響
の排除が行なわれた前記光検出器の出力に基づき前記光
源の出力を制御することを特徴とする請求項１２に記載
の露光方法。 - 【請求項１４】 前記照明光学系からのスリット状の照
明光および前記投影光学系に対して前記原板および基板
を相対的にスキャン移動させながら露光を行なう走査型
の露光方法であり、前記光源は放電灯であり、あらかじ
め、この放電灯への投入電力を一定に制御しかつ前記ス
キャン移動を通常より遅い速度で行ないながら各移動位
置についての前記光検出器の出力および前記原板のパタ
ーン面から前記照明光学系に戻る反射光を検出する反射
光検出手段の検出結果を得、そして実際に基板への露光
を行なうときには、スキャン移動の各移動位置におい
て、前記光検出器の出力および前記反射光検出手段の検
出結果に基づいて前記反射光による影響の排除を行なう
とともに、この反射光による影響の排除が行なわれた前
記光検出器の出力に基づき前記光源の出力を制御するこ
とを特徴とする請求項１２に記載の露光方法。 - 【請求項１５】 前記原板のパターン面からの反射光に
は前記基板の面からの反射光も含まれることを特徴とす
る請求項２または５〜９のいずれか１項に記載の露光装
置。 - 【請求項１６】 前記原板のパターン面からの反射光に
は前記基板の面からの反射光も含まれ、前記あらかじめ
前記光検出器の出力を得る場合には、前記基板と同等の
反射率を有するダミーの基板を用いることを特徴とする
請求項１０または１１に記載の露光装置。 - 【請求項１７】 前記原板のパターン面からの反射光に
は前記基板の面からの反射光も含まれることを特徴とす
る請求項４または１２に記載の露光方法。 - 【請求項１８】 前記原板のパターン面からの反射光に
は前記基板の面からの反射光も含まれ、前記あらかじめ
前記光検出器の出力を得る場合には、前記基板と同等の
反射率を有するダミーの基板を用いることを特徴とする
請求項１３または１４に記載の露光方法。 - 【請求項１９】 請求項３、４、１２、１３、１４、１
７または１８の露光方法によって原板のパターンを基板
に露光することによりデバイスを製造することを特徴と
するデバイス製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37380098A JP3862438B2 (ja) | 1998-12-28 | 1998-12-28 | 走査露光装置、走査露光方法およびデバイス製造方法 |
| US09/472,993 US6888618B2 (en) | 1998-12-28 | 1999-12-28 | Exposure apparatus and exposure method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37380098A JP3862438B2 (ja) | 1998-12-28 | 1998-12-28 | 走査露光装置、走査露光方法およびデバイス製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000195786A true JP2000195786A (ja) | 2000-07-14 |
| JP3862438B2 JP3862438B2 (ja) | 2006-12-27 |
Family
ID=18502782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP37380098A Expired - Fee Related JP3862438B2 (ja) | 1998-12-28 | 1998-12-28 | 走査露光装置、走査露光方法およびデバイス製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6888618B2 (ja) |
| JP (1) | JP3862438B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005048326A1 (ja) * | 2003-11-13 | 2005-05-26 | Nikon Corporation | 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 |
| JP2007142265A (ja) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Fuji Koken Kk | 露光装置及び露光方法 |
| JP2008252093A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-16 | Asml Holding Nv | リソグラフィスキャナのための瞳の残留非対称補償器 |
| JP2009218518A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法、マスク管理方法および露光量補正情報の取得方法 |
| JP2009259870A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-11-05 | Canon Inc | 露光装置、測定方法、安定化方法及びデバイスの製造方法 |
| JP2010067911A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Nikon Corp | 計測装置、光源装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
| WO2010032585A1 (ja) * | 2008-09-17 | 2010-03-25 | 株式会社ニコン | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
| JP5071385B2 (ja) * | 2006-06-16 | 2012-11-14 | 株式会社ニコン | 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| JP2015126044A (ja) * | 2013-12-26 | 2015-07-06 | ウシオ電機株式会社 | 真空紫外光照射処理装置 |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IL148484A (en) * | 2002-03-04 | 2008-11-26 | Nova Measuring Instr Ltd | Optical measurements of patterned structures |
| US7170587B2 (en) * | 2002-03-18 | 2007-01-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US6885429B2 (en) * | 2002-06-28 | 2005-04-26 | Asml Holding N.V. | System and method for automated focus measuring of a lithography tool |
| JP4315420B2 (ja) * | 2003-04-18 | 2009-08-19 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び露光方法 |
| JP2005109304A (ja) * | 2003-10-01 | 2005-04-21 | Canon Inc | 照明光学系及び露光装置 |
| WO2005040927A2 (en) * | 2003-10-18 | 2005-05-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Device and method for illumination dose adjustments in microlithography |
| TWI240852B (en) * | 2004-01-08 | 2005-10-01 | Powerchip Semiconductor Corp | Photolithograph system with variable shutter and method of using the same |
| US7375794B2 (en) * | 2004-08-04 | 2008-05-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20060103828A1 (en) * | 2004-11-17 | 2006-05-18 | David Douglas J | Adjustable illumination blade assembly for photolithography scanners |
| US7362413B2 (en) * | 2004-12-09 | 2008-04-22 | Asml Netherlands B.V. | Uniformity correction for lithographic apparatus |
| JP2007158225A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Canon Inc | 露光装置 |
| US20080204683A1 (en) * | 2007-02-26 | 2008-08-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
| WO2009028595A1 (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Canon Anelva Corporation | 基板処理装置 |
| DE102008001553B4 (de) * | 2008-05-05 | 2015-04-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Komponente zur Einstellung einer scanintegrierten Beleuchtungsenergie in einer Objektebene einer Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage |
| JP2009302344A (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| NL2004770A (nl) * | 2009-05-29 | 2010-11-30 | Asml Holding Nv | Lithographic apparatus and method for illumination uniformity correction and uniformity drift compensation. |
| CN108345157B (zh) * | 2017-01-25 | 2019-07-23 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 快门装置及其控制方法、光刻机及其曝光剂量控制方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2658051B2 (ja) * | 1987-05-15 | 1997-09-30 | 株式会社ニコン | 位置合わせ装置，該装置を用いた投影露光装置及び投影露光方法 |
| US5591958A (en) * | 1993-06-14 | 1997-01-07 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus |
| US5581324A (en) * | 1993-06-10 | 1996-12-03 | Nikon Corporation | Thermal distortion compensated projection exposure method and apparatus for manufacturing semiconductors |
| JPH07254559A (ja) | 1994-01-26 | 1995-10-03 | Canon Inc | 走査型露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法 |
| JPH07335524A (ja) | 1994-06-06 | 1995-12-22 | Canon Inc | 位置合わせ方法 |
| JPH08293453A (ja) | 1995-04-25 | 1996-11-05 | Canon Inc | 走査型露光装置及び該装置を用いた露光方法 |
-
1998
- 1998-12-28 JP JP37380098A patent/JP3862438B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-12-28 US US09/472,993 patent/US6888618B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005048326A1 (ja) * | 2003-11-13 | 2005-05-26 | Nikon Corporation | 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 |
| JPWO2005048326A1 (ja) * | 2003-11-13 | 2007-05-31 | 株式会社ニコン | 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 |
| US7889320B2 (en) | 2003-11-13 | 2011-02-15 | Nikon Corporation | Variable slit apparatus, illumination apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device fabrication method |
| JP4631707B2 (ja) * | 2003-11-13 | 2011-02-16 | 株式会社ニコン | 照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 |
| JP2007142265A (ja) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Fuji Koken Kk | 露光装置及び露光方法 |
| JP5071385B2 (ja) * | 2006-06-16 | 2012-11-14 | 株式会社ニコン | 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
| JP2008252093A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-16 | Asml Holding Nv | リソグラフィスキャナのための瞳の残留非対称補償器 |
| JP2009218518A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法、マスク管理方法および露光量補正情報の取得方法 |
| JP2009259870A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-11-05 | Canon Inc | 露光装置、測定方法、安定化方法及びデバイスの製造方法 |
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| WO2010032585A1 (ja) * | 2008-09-17 | 2010-03-25 | 株式会社ニコン | 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
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