JP2009218518A - 半導体装置の製造方法、マスク管理方法および露光量補正情報の取得方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法、マスク管理方法および露光量補正情報の取得方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009218518A JP2009218518A JP2008063343A JP2008063343A JP2009218518A JP 2009218518 A JP2009218518 A JP 2009218518A JP 2008063343 A JP2008063343 A JP 2008063343A JP 2008063343 A JP2008063343 A JP 2008063343A JP 2009218518 A JP2009218518 A JP 2009218518A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- substrate
- mask
- mask substrate
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/52—Details
- G03B27/54—Lamp housings; Illuminating means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70083—Non-homogeneous intensity distribution in the mask plane
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70133—Measurement of illumination distribution, in pupil plane or field plane
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70308—Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】光源からの光をフォトマスク上の所定の領域で透過または反射させて基板上のフォトレジストに照射してパターンを形成し、半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、フォトマスクの面内の各位置における、入射光強度に対するフォトマスクで透過または反射する出射光強度の割合である出射光比率に基づいて、フォトマスクからの出射光強度が均一となる入射光強度のフォトマスク上での分布である露光量補正情報を算出する工程と、基板上の露光領域に対応するフォトマスクの照射領域への照射量が、対応する位置での露光量補正情報となるように入射光強度を補正しながら、露光領域を露光する工程と、を含む。
【選択図】 図5
Description
図1は、本発明の第1の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法に用いられる露光装置の概略構成を示す図である。この露光装置10は、たとえばArFエキシマレーザ光を出力するレーザ光源などによって構成される光源11と、被加工物である半導体基板(ウェハ)30を載置するウェハステージ12と、光源11とウェハステージ12との間に設けられ、フォトマスク55を載置するフォトマスクステージ13と、光源11からの光をフォトマスク55に照射する照明光学系14と、フォトマスク55を通過した光を半導体基板30上に投影する投影光学系15と、ウェハステージ12を所定の方向に駆動するウェハステージ駆動機構16と、フォトマスクステージ13を所定の方向に駆動するフォトマスクステージ駆動機構17と、フォトマスク55を通過する光の量(露光量)を制御するためにフォトマスクステージ13の光源11側に設けられる形状可変スリット18と、ウェハステージ駆動機構16、フォトマスクステージ駆動機構17および形状可変スリット18を制御する制御部20と、を備える。
D1:D2=1/T1:1/T2 ・・・(1)
この第2の実施の形態では、マスク基板の面内透過率のばらつきを取得し、透過率ばらつきが所定の値よりも小さい領域には半導体基板上に転写されるレジストパターンに関して高度な寸法制御が要求されるパターンを配置し、透過率の悪い領域または透過率ばらつきが所定の値よりも大きい領域には、高度な寸法精度が不要なパターンを配置したフォトマスクを使用して半導体装置を製造する場合について説明する。
上述した第2の実施の形態の図8のフローチャートのステップS37〜S38では、マスク基板上にマスクパターン領域の高精度管理領域を定義し、その領域内でマスク基板の透過率分布が規格値を満たすか否かを判定する場合を示した。ところで、マスク基板は通常正方形であり、マスクパターンは矩形であるため、両者の辺が平行となるようにマスクパターンの配置が行われる。そのため、マスクパターンとマスク基板とを相対的に回転させることによって、定義した高精度管理領域の規格値を満たす条件が存在することもあり得る。そこで、この第3の実施の形態では、マスク基板とマスクパターンとを相対的に回転させることによって、基板透過率が規格値を満足する状態が存在するか否かを判定して、最終的にそのマスク基板を使用するか否かを判定する場合について説明する。
この第4の実施の形態では、マスク基板を製造するマスク基板製造者とフォトマスクを作製するフォトマスク作製者が異なり、マスク基板製造者がマスク基板の選別を実施する場合のフォトマスクの製造方法の例について説明する。
上述した第1〜第4の実施の形態は、透過型のフォトマスクを用いたものである。しかし、EUV(Extreme Ultra Violet)露光装置のように、10〜14nmの非常に波長の短い光を露光光に用いる場合には、光がほとんど吸収されてしまうために、透過型のフォトマスクを用いることができない。そのため、EUV露光装置では、反射型のフォトマスクが使用されるが、この反射型のフォトマスクにも、上述した第1〜第4の実施の形態を適用することができる。
Claims (5)
- 光源からの光をフォトマスク上の所定の領域で透過または反射させて基板上のフォトレジストに照射してパターンを形成し、半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、
前記フォトマスクの面内の各位置における、入射光強度に対する前記フォトマスクで透過または反射する出射光強度の割合である出射光比率に基づいて、前記フォトマスクからの出射光強度が均一となる入射光強度の前記フォトマスク上での分布である露光量補正情報を算出する第1の工程と、
前記基板上の露光領域に対応する前記フォトマスクの照射領域への照射量が、対応する位置での前記露光量補正情報となるように前記入射光強度を補正しながら、前記露光領域を露光する第2の工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記出射光比率は、前記フォトマスクの基となるマスク基板、パターニングされていない所定の被膜が全面に形成された前記マスク基板、または前記パターニングされた所定の被膜が形成された前記マスク基板のいずれかの状態から求められた出射光比率であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記出射光比率は、同一の製造工程で同一の製造プロセスで製造された複数のマスク基板から抽出された1ないし複数枚のマスク基板を用いて求められ、
前記第2の工程では、前記出射光比率を求めるのに使用された前記マスク基板と同一の製造工程で同一の製造プロセスで製造されたマスク基板から形成されたフォトマスクが使用されることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - フォトマスクは、基板上のフォトレジストに形成されるパターンの寸法のばらつきが所定値以下となるように、前記フォトマスクの面内の各位置における、入射光強度に対する前記フォトマスクで透過または反射する出射光強度の割合である出射光比率の大きさまたは前記出射光比率のばらつきの大きさで示される規格値によって管理されることを特徴とするマスク管理方法。
- フォトマスクの面内の各位置における、入射光強度に対する前記フォトマスクで透過または反射する出射光強度の割合である出射光比率に基づいて、前記フォトマスクからの出射光強度が均一となる入射光強度の前記フォトマスク上での分布である露光量補正情報を取得することを特徴とする露光量補正情報の取得方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008063343A JP2009218518A (ja) | 2008-03-12 | 2008-03-12 | 半導体装置の製造方法、マスク管理方法および露光量補正情報の取得方法 |
US12/401,840 US20090233189A1 (en) | 2008-03-12 | 2009-03-11 | Device and method for obtaining exposure correction information, and manufacturing method of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008063343A JP2009218518A (ja) | 2008-03-12 | 2008-03-12 | 半導体装置の製造方法、マスク管理方法および露光量補正情報の取得方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009218518A true JP2009218518A (ja) | 2009-09-24 |
Family
ID=41063402
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008063343A Pending JP2009218518A (ja) | 2008-03-12 | 2008-03-12 | 半導体装置の製造方法、マスク管理方法および露光量補正情報の取得方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090233189A1 (ja) |
JP (1) | JP2009218518A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013545125A (ja) * | 2010-10-07 | 2013-12-19 | カール ツァイス エスエムエス リミテッド | 臨界寸法均一性再構成のための広域標識方法 |
JP2016072598A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | レチクル透過率測定方法、投影露光装置および投影露光方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200938957A (en) * | 2008-03-05 | 2009-09-16 | Nanya Technology Corp | Feedback system and feedback method for controlling power ratio of light source |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000195786A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Canon Inc | 露光装置、露光方法およびデバイス製造方法 |
JP2001284227A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Canon Inc | 露光方法、露光装置、およびデバイス製造方法 |
JP2006135325A (ja) * | 2004-11-03 | 2006-05-25 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
-
2008
- 2008-03-12 JP JP2008063343A patent/JP2009218518A/ja active Pending
-
2009
- 2009-03-11 US US12/401,840 patent/US20090233189A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000195786A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Canon Inc | 露光装置、露光方法およびデバイス製造方法 |
JP2001284227A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Canon Inc | 露光方法、露光装置、およびデバイス製造方法 |
JP2006135325A (ja) * | 2004-11-03 | 2006-05-25 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013545125A (ja) * | 2010-10-07 | 2013-12-19 | カール ツァイス エスエムエス リミテッド | 臨界寸法均一性再構成のための広域標識方法 |
JP2016072598A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | レチクル透過率測定方法、投影露光装置および投影露光方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090233189A1 (en) | 2009-09-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7327436B2 (en) | Method for evaluating a local flare, correction method for a mask pattern, manufacturing method for a semiconductor device and a computer program product | |
KR100714480B1 (ko) | 포토마스크의 테스트 패턴 이미지로부터 인쇄된 테스트피쳐들을 이용하는 포토리소그래피 공정에 있어서 초점변화를 측정하는 시스템 및 방법 | |
JP5008687B2 (ja) | アラインメントシステム及び方法及びそれにより製造したデバイス | |
US7396621B2 (en) | Exposure control method and method of manufacturing a semiconductor device | |
US20070065732A1 (en) | Photomask providing uniform critical dimension on semiconductor device and method of manufacturing the same | |
US20080134131A1 (en) | Simulation model making method | |
US20090190118A1 (en) | Exposure apparatus inspection mask, and method of inspecting exposure apparatus using exposure apparatus inspection mask | |
JP2006301631A (ja) | 向上したフォトリソグラフィ工程ウィンドーを提供するフォトマスク構造及びその製造方法 | |
TW201117259A (en) | An optimization method and a lithographic cell | |
TW200900872A (en) | Method for predicting resist pattern shape, computer readable medium storing program for predicting resist pattern shape, and computer for predicting resist pattern shape | |
JP2007035709A (ja) | 露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法 | |
TWI447531B (zh) | 曝光設備及裝置製造方法 | |
JP2009218518A (ja) | 半導体装置の製造方法、マスク管理方法および露光量補正情報の取得方法 | |
US9250512B2 (en) | Exposure amount evaluation method and photomask | |
JP2004054092A (ja) | マスクおよびその製造方法 | |
JP2010276960A (ja) | 位相シフトマスク又はそのマスクデータの作成方法、及び半導体装置の製造方法 | |
TWI394015B (zh) | 用於粗晶圓校準之標記結構及製造此標記結構之方法 | |
JP2008288338A (ja) | フォトマスク、このフォトマスクを用いた露光装置のフレア測定方法及びマスクパターンの補正方法 | |
JP2007287907A (ja) | マスクパターン補正方法、露光用マスクおよびマスク製造方法 | |
JP4157518B2 (ja) | 基板を準備する方法、測定方法、デバイス製造方法、リソグラフィ装置、コンピュータ・プログラム、及び基板 | |
CN113906346B (zh) | 包括消球差单物镜的量测工具 | |
CN116249889A (zh) | 消色差光学中继装置 | |
KR102669151B1 (ko) | 조합된 모델 함수를 산출하는 방법, 리소그래피 장치 세팅 방법, 리소그래피 방법, 리소그래피 장치 | |
US11854854B2 (en) | Method for calibrating alignment of wafer and lithography system | |
CN110967922B (zh) | 一种掩模版及离焦量的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100222 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100513 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100518 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100616 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100928 |