JP2004054092A

JP2004054092A - マスクおよびその製造方法

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Publication number: JP2004054092A
Application number: JP2002213775A
Authority: JP
Inventors: Tadao Yasusato; 安里　直生; Hiroshi Ichikawa; 市川　博
Original assignee: Elpida Memory Inc; Hiroshima Nippon Denki KK
Current assignee: NEC Hiroshima Ltd; Micron Memory Japan Ltd
Priority date: 2002-07-23
Filing date: 2002-07-23
Publication date: 2004-02-19

Abstract

【課題】露光装置起因で生じる寸法ばらつき（予測が可能であるため従来から補正可能）とマスク製造誤差起因の寸法ばらつき（毎回ランダムに生じる製造誤差起因であるため従来は補正不可能）を補正することが可能なマスクおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】部分的に透過率あるいは反射率の調整を行い、結像面上での転写パターンの寸法均一性を向上させたことを特徴とする透過型あるいは反射型マスク、および、マスク上のパターンを結像面上に転写し、その寸法分布を測定した後、分布の傾向がうち消されるようにマスクの透過率を調整することを特徴とするマスク製造方法を提供する。
【選択図】　　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マスクおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体基板上にデバイスパターンを形成するためには、リソグラフィとエッチング工程が用いられている。リソグラフィ工程では、レジストと呼ばれる感光性樹脂のパターンを形成する。そして、このレジストパターンをエッチングマスクに、半導体基板上に成膜された特定の膜を加工するのがエッチング工程である。現在、リソグラフィの主流である光リソグラフィでは、露光用原板（写真のネガに相当）であるマスク上に形成されたパターンを、投影レンズ系を通してレジストの塗布された半導体基板上に結像し、現像により所望のレジストパターンを形成している。マスクパターンと半導体基板上での転写パターンの寸法が１：１でない場合はレチクルと呼ぶ場合があるが、ここではすべての露光用原板をマスクと記載する。
【０００３】
光リソグラフィでは、パターン寸法のばらつきは、半導体基板面内とショット（１回に露光される範囲）内の傾向に分けることが出来る。ウエハ内のばらつきは、半導体基板上に成膜された透明膜の膜厚分布に影響されることが多く、これに対しては、半導体基板上の膜厚測定データを元に、各ショット毎の露光量を変化させる方法等が提案されている。
【０００４】
一方、ショット内の寸法ばらつきは、投影レンズ系の特性（収差）とマスクパターンの製造誤差が主な原因となっている。そして、ショット内の寸法ばらつきの改善手法としては、たとえば特開昭６０−１４４７４３号公報に露光装置の光学に起因する寸法不均一性をマスクパターンにフィードバックする手法が示されている。マスク寸法が均一で、露光装置光学系も寸法ばらつきを生じさせないことが理想ではある。しかし、実際にはマスクの製造工程において寸法誤差は生じる。また、露光装置の光学系の設計および製造工程でも収差は完全にゼロとはならない。この露光装置の収差起因の寸法分布傾向は装置を一度組み立てた後は安定している。そのため、露光装置起因の寸法分布に合わせ、マスク上のパターン寸法を補正することで、その露光装置とマスクを組み合わせた時にショット内の寸法ばらつきを低減できる。
【０００５】
また、特開昭６０−１４４７４３号公報には、マスク上を複数の領域に分割し、その各領域に同一のモニターパターンを配置して、半導体基板上に露光およびエッチングを行い、そのショット内寸法分布を測定して、その分布を補正するような寸法分布のマスクを作製することが示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述の従来の技術における露光装置起因の寸法ばらつき補正方法では、マスクを再作成する必要があるため、マスク再作製のコストがかかっていた。また、従来は露光装置の収差等の影響を補正するために、マスク寸法にどのような寸法分布を持たせたら良いかは分かっても、実際にマスクを作製する際に製造誤差が加わってしまっていた。
【０００７】
本発明の目的は、露光装置起因で生じる寸法ばらつき（予測が可能であるため従来から補正可能）とマスク製造誤差起因の寸法ばらつき（毎回ランダムに生じる製造誤差起因であるため従来は補正不可能）を補正することが可能なマスクおよびその製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明のマスクは、
透明基板上に遮光膜を成膜し、透明領域と遮光領域とからなるパターンが形成された投影露光用の透過型マスクにおいて、所定の領域の透明領域を透過する光の強度を低下させ、結像面での転写パターンの寸法均一性を向上させている。
【０００９】
また、透過する光の強度を低下させる手段として、透明基板を所定の深さエッチングして形成した段差の側壁を利用してもよい。
【００１０】
本発明のマスクは、
多層コーティングミラー上に吸収材を形成し、反射領域と吸収領域とからなるパターンが形成された投影露光用の反射型マスクにおいて、所定の領域の反射領域を反射する光の強度を低下させ、結像面での転写パターンの寸法均一性を向上させている。
【００１１】
本発明のマスクは、
透明基板上に遮光膜を成膜し、透明領域と遮光領域とからなるパターンが形成された投影露光用の透過型マスクにおいて、所定の領域の透明領域を透過する光の強度を増加させ、結像面での転写パターンの寸法均一性を向上させている。
【００１２】
また、透過する光の強度を増加させる手段として、透明基板上にあらかじめ透過率を所定の値だけ低下させる膜を成膜しておき、膜を除去することにより相対的に他の部分より透過する光の強度を増加させるようにしてもよい。
【００１３】
本発明のマスクは、
多層コーティングミラー上に吸収材を形成し、反射領域と吸収領域とからなるパターンが形成された投影露光用の反射型マスクにおいて、所定の領域の反射領域を反射する光の強度を増加させ、結像面での転写パターンの寸法均一性を向上させている。
【００１４】
また、反射する光の強度を増加させる手段として、多層コーティングミラー上にあらかじめ反射率を所定の値だけ低下させる膜を成膜しておき、膜を除去することにより相対的に他の部分より反射する光の強度を増加させるようにしてもよい。
【００１５】
本発明のマスクの製造方法は、
通常と同じマスク製造方法でマスクを作製する段階と、マスクの寸法測定と位置測定とを行う段階と、マスクの欠陥検査を行う段階と、露光装置を用いて半導体基板上に塗布されたレジストにパターンを転写し、ウエハ上での転写パターンの寸法を測定し、露光領域内での分布を求める段階と、基板エッチング量と寸法縮小量の関係を求め、パターンの光の強度を低下させる部分が露出するようにマスク描画を行って寸法を補正するエッチング量だけ透明基板のエッチングを行う段階と、基板エッチングの際に異物が付着していないかを確認するために、再びマスクの欠陥検査を行い、問題がなければマスク作製は完了し、必要があればペリクルの貼り付けを行う段階とを有する。
【００１６】
本発明のマスクの製造方法は、
透明基板上に半透明膜を成膜し、その上に遮光膜を成膜したマスク基板を作製する段階と、マスク基板にレジストを塗布してマスクパターンの描画を行う段階と、現像してレジストパターンを形成して、遮光膜のエッチングを行う段階と、レジストを剥離していったんマスクを作製し、寸法および欠陥の検査を行い、規格に合格していれば露光を行い、露光領域内の寸法を測定する段階と、再度レジストを塗布し、パターンの光の強度を上げたい部分上のレジストが除去されるようにマスク描画を行う段階と、現像して所定の部分のみレジストを除去した後、半透明膜を除去する段階と、レジストを剥離し、マスクを洗浄して、再び欠陥検査を行い、マスクが完成する段階とを有する。
【００１７】
従って、本発明は、部分的に透過率あるいは反射率の調整を行い、結像面上での転写パターンの寸法均一性を向上させたことを特徴とする透過型あるいは反射型マスク、および、マスク上のパターンを結像面上に転写し、その寸法分布を測定した後、分布の傾向がうち消されるようにマスクの透過率を調整することを特徴とするマスク製造方法を提供することにより、露光装置起因で生じる寸法ばらつき（予測が可能であるため従来から補正可能）とマスク製造誤差起因の寸法ばらつき（毎回ランダムに生じる製造誤差起因であるため従来は補正不可能）を補正することが可能となっている。
【００１８】
【発明の実施の形態】
（発明の第１の実施の形態）
図１に本発明の第１の実施の形態のマスクを示す。マスクの露光領域内は領域Ａ，Ｂ，およびＣの３つに区別されている。また、図２（ａ）、（ｂ）および（ｃ）にはそれぞれ図１の領域Ａ，ＢおよびＣの縦断面を示す。領域Ｂおよび領域Ｃはそれぞれ４１ｎｍおよび８２ｎｍの深さに透明基板がエッチングされている。
【００１９】
次に、本発明の第１の実施の形態のマスクの製造方法について図面を用いて説明する。図３に、本発明の第１の実施の形態のマスク製造方法のフローを示す。はじめに、通常と同じマスク製造方法でマスクを作製する（ａ）。そして、寸法測定（ｂ）、位置測定および欠陥検査を行う（ｃ）。通常はこれらの検査を合格すれば、ペリクルを貼り付るが、ここではそのまま次の露光工程に送る。そして、実際にそのマスクを使用する予定の露光装置を用いて半導体基板上に塗布されたレジストにパターンを転写する。ここでは、縦横９個の領域に分割し、その中央付近にて寸法を測定して、露光領域内の寸法分布が分かり易いようにしている。また、各領域の境界は、ホールパターンにはかからないようにした。次に、ウエハ上での転写パターンの寸法を測定し、露光領域内での分布を求める（ｄ）。なお後に、寸法の大きい部分を小さくするように補正する関係で、露光量は最も寸法の小さい領域が目標寸法の下限に入るように設定している。
【００２０】
次に、求めた寸法分布より、マスク基板エッチングを決定する。ここで、パターン形状および寸法により、基板エッチング量と寸法縮小量の関係が変化するので、事前にその関係を求めておくことが必要となる。基板エッチング量と寸法縮小量の関係は、市販のリソグラフィシミュレータを用いて求めることもできるし、目的のパターンを用いてエッチング深さを変えたマスクを用いて実験により求めることも出来る。たとえば、縮小率×４倍、開口数ＮＡ＝０．６８、コヒーレントファクターσ＝０．７５、２／３輪帯照明のＫｒＦ（波長λ＝２４８ｎｍ）露光装置では、０．１８μｍホールパターンに対しては、基板エッチング量と寸法縮小量の関係はエッチング量が少ない範囲ではほぼ比例し、エッチング量の４１ｎｍでホール寸法縮小量は５ｎｍ、８２ｎｍで１０ｎｍと求められた。よって、ホール寸法を±５ｎｍの範囲に収めるため、寸法が５〜９ｎｍ大きい領域Ｂのエッチング量を４１ｎｍとし、寸法が１０ｎｍ以上大きい領域Ｃのエッチング量を８２ｎｍとした。そして次に、ここで求めたエッチング量だけ各領域をエッチングする（ｅ）。そのためには、２回のマスク描画と透明基板のエッチングを行う。たとえば、１回目のマスク露光で、レジストを塗布し領域ＢとＣの部分のレジストを除去する。そして、エッチングを行い、領域Ｂと領域Ｃを４１ｎｍだけエッチングする。そして、いったんレジストを剥離した後、再び塗布して、２回目のマスク描画を行う。２度目は領域Ｃのみレジストが除去されるように露光して、領域Ｃのレジストを取り除いた後、さらに４１ｎｍエッチングを行う。これで、領域Ｃは合計８２ｎｍエッチングされる。そして、レジストを剥離して、最後に基板エッチングの際に異物等が付着していないかを確認するために、再び検査を行う（ｆ）。問題がなければマスク作製は完了し、必要があればペリクルの貼り付けを行う。
【００２１】
次に本発明の第１の実施の形態の動作について説明する。
【００２２】
マスク上の透明領域の透過光を交互に反転させるレベンソン方式の位相シフトマスクにおいては、位相差１８０度反転させるために基板をエッチングした部分の光強度が低下することが以前から問題になっていた。これは、エッチングされた透明基板段差部の側壁近傍では光りの位相が変化するためであり、干渉で光強度が低下する。本発明においては、この透明基板段差側壁の効果を寸法分布の補正に用いている。透過率調整前の投影光学系およびマスク寸法誤差起因で、ショット内で相対的に光強度が強くなっているように見える領域（ホール等の開口パターンであれば寸法が大きい領域、ライン等の遮光パターンであれば寸法の小さい領域）の光強度を低下させることで、ショット内の寸法均一性を改善している。
【００２３】
たとえば、初めにマスクを用いて露光を行った時の寸法分布を図４に示す。ここでは、目標寸法を１８０ｎｍとして、露光領域の各位置でのずれ量を等高線表示している。また、図４のＸ軸上の寸法分布を図５に示す。目標寸法とのずれが５ｎｍ以上１０ｎｍ未満の領域Ｂを５ｎｍ小さくなるように、またずれ量が１０ｎｍ以上１５ｎｍ未満の領域Ｃを１０ｎｍ小さくなるように透明基板をエッチングして光強度を低下させることで、図５の寸法分布を図６に示すように改善することができる。なお、各領域の選びかたは必要とされる寸法精度に依存し、寸法ばらつきのレンジが１０ｎｍ必要であれば、このように各領域を５ｎｍ刻みで分類してそれぞれを補正することになる。初期値（補正前）でのショット内寸法ばらつきが同じで、必要な寸法ばらつきのレンジが大きくても良い場合には、領域の分類も少なく、補正のためのマスク描画と基板エッチングの回数も少なくなる。同様に、初期値での寸法ばらつきが同じでより小さな寸法ばらつきレンジが必要ならば、寸法刻みを小さくして領域を分類して、それぞれの領域の寸法を補正するためのマスク描画と基板エッチングの回数を増やすことになる。
【００２４】
また、寸法調整を行う領域は、寸法分布の等高線に沿って選ぶ方法に限られない。
【００２５】
たとえば、転写パターンの寸法分布をマスク上の位置に図７に示すような寸法分布が縦横のメッシュ状に分割して、その各領域内の平均寸法により寸法調整量（透明基板のエッチング量）を決めても良い。この場合、メッシュ内では多少寸法分布が残るが、マスク描画データの作製が容易になる。
【００２６】
なお、マスク透過光の強度を低下させる方法は、エッチングにより透明基板の段差を形成する以外にも可能である。透過率を低下させたい領域にイオン注入を行っても透過率を低下させることが出来る。これは、リン（Ｐ）、ガリウム（Ｇａ）などの露光光に対して吸収のある元素を打ち込むことで、その吸収により透過光の強度が低下する。そして、そのイオン注入の量により透過率を調整し、転写パターンの寸法分布を改善することが出来る。
【００２７】
また、上記実施の形態では、そのマスクが実際に用いられる露光装置が１台の場合を示した。複数台の露光装置で用いられる場合には、その中でも中間の特性（照度均一性および収差が一般的）の露光装置を用いて露光を行い、露光領域内の寸法分布を求めて、この分布を改善するように透過率の低下処理を行う。あるいは、マスクが使用される露光装置が２、３台と少ない場合には、それらすべての露光装置で露光を行い、それぞれの露光領域内の寸法分布を求め、平均の寸法分布を補正するように透過率を調整しても良い。
【００２８】
また、光リソグラフィの透過型マスクだけでなく、縮小投影Ｘ線露光に用いられる反射型マスクも同様に適用することが出来る。反射型Ｘ線マスクは多層コーティングミラーの上に吸収材でパターンを形成した構造となっている。多層コーティングミラーは屈折率の異なる２種類の材料を成膜したもので、その界面で反射するＸ線の位相が同じになるように膜厚を設定することで、Ｘ線に対して高反射率を実現している。この材料としては、Ｘ線の波長が１３ｎｍ程度の場合はモリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）の組み合わせが用いられ、波長５ｎｍ程度ではクロム（Ｃｒ）と炭素（Ｃ）の組み合わせが用いられることが多い。また、遮光領域を形成する吸収材としては、金（Ａｕ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）等を用いることができる。
【００２９】
まず、通常の方法で、波長１３ｎｍのＸ線用Ｍｏ／Ｓｉの多層コーティングミラー上に、金の吸収材でパターンを形成して反射型マスクを作製する。次に、これも従来と同様にマスクの寸法および反射率の測定を行う。マスク検査の値が規格範囲であれば、このマスクを用いて露光を行い、半導体基板上へ転写したレジストパターンの寸法を測定する。次に、転写パターン寸法ばらつきを低減するように、部分的に反射率低下処理を行う。多層コーティングミラーの反射率は、表面層をエッチングすることで低下させる。表面層をエッチングして膜厚を薄くすると、表面での反射するＸ線と、その下からの反射してくるＸ線との位相がずれるので、干渉により反射率が低下する。
【００３０】
なお、多層コーティングミラーの透過率を低下させる手段としては、エッチングする以外にも、イオン注入を用いることもできる。これは、ミラーを構成する屈折率の異なる材料に他の元素を打ち込むことで、その部分の屈折率が変化するためである。屈折率が変化するとその部分を通るＸ線の位相が変化し、位相差により強度が低下する。
【００３１】
（発明の第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態について図面を用いて説明する。
【００３２】
まず、図８（ａ）に示すように、透明基板１上に半透明膜３を成膜し、その上に遮光膜２を成膜したマスク基板を作製する。ＫｒＫエキシマレーザー露光装置に用いるマスクでは、たとえば酸化スズ、ＩＴＯ（インジュウムとスズの酸化物）、および酸化ハフニュウム等を用いることができる。これらの高い透過率を有する金属酸化物はｉ線露光用の位相シフトマスク作製のためのエッチングストッパーとして検討された材料である。これらの材料は膜厚５ｎｍ程度では、ｉ線（波長３６５ｎｍ）の光りにはほぼ１００％の透過率を示すが、それより波長の短いＫｒＦエキシマレーザーには９０％程度の透過率に低下することが知られている。ここでは、酸化スズを膜厚４ｎｍで成膜した半透明膜３を用いて、透過率は９４％としている。
【００３３】
次に、図８（ｂ）に示すように、このマスク基板にレジスト４を塗布してマスクパターンの描画を行う。次に、現像してレジストパターンを形成して、遮光膜２のエッチングを行う。
【００３４】
次に、図８（ｃ）に示すようにレジスト４を剥離していったんマスクを作製する。そして、寸法および欠陥等の検査を行い、規格に合格していれば露光を行う。そして、露光領域内の寸法を測定する。本実施の形態では、マスク製造誤差あるいは露光装置の収差等の影響で転写パターンの光強度が低下して寸法誤差を生じているパターン部分の半透明膜３を除去することで、転写パターンの大きさの差をなくすようにしている。半透明膜３を除去すると透過率が６％向上し、０．１８μｍホールパターンでは０．０１２μｍ寸法が大きくなる。よって、その１／２の０．００６μｍより転写パターンの寸法が小さいパターンの部分の半透明膜３を除去することで露光領域内の寸法ばらつきを小さくすることができる。
【００３５】
また、そのためには、図８（ｄ）に示すように、再度レジスト４を塗布し、パターンの小さくなる部分上のレジスト４が除去されるようにマスク描画を行っている。
【００３６】
次に、図８（ｅ）に示すように、現像して所定の部分のみレジスト４を除去した後、半透明膜３を除去している。最後に、図８（ｆ）に示すように、レジストを剥離し、マスクを洗浄して、再び欠陥検査を行い、マスクが完成する。
【００３７】
なお、第１の実施の形態と合わせ、ホール寸法の大きい部分には透過率が低下する処理をおこない、ホール寸法の小さい部分には透過率を上げる処理を行うことで、より寸法ばらつきを低減することができる。
【００３８】
また、第１の実施の形態および本実施の形態とも、露光領域内の寸法分布を補正するにあたり、複数のパターンが存在する場合には、その種類ごとに分布を測定して補正することで、さらに寸法ばらつきが低減できる。これは、露光装置の収差の寸法への影響が、パターン寸法およびピッチ等に依存しているためである。一般には、周期的なパターンは収差による寸法変化が生じにくいが、孤立パターンでは収差による寸法変化が起こりやすい。そのため、周期パターンと孤立パターンでそれぞれで寸法分布を求めて、それぞれ別個に補正するように、マスク上の光強度を調整することで露光領域内の寸法精度がさらに向上する。また、露光装置のコマ収差が大きいと、二つ並んだパターンに寸法差が生じるが、このような場合もそれぞれ別々に寸法を測定して、透過率を補正することで寸法ばらつきを低減することができる。
【００３９】
また、透過型マスクだけでなく、反射型マスクについても、マスク全面にあらかじめ反射を数％〜１０％程度低下させるマスクを成膜しておき、同様に転写パターンの寸法を測定した後、光強度を上げたい部分のみ反射率を低下させる膜を除去することで、露光領域内の寸法ばらつきを低減できる。
【００４０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明には以下の効果がある。
【００４１】
本発明では、いったん露光を行い、ショット内の寸法分布を求めたマスク自身を調整して寸法分布を改善しているので、従来の露光装置起因の寸法ばらつき補正方法とは異なりマスクを再作成する必要が無くなっている。これは、単にマスク再作製のコストが省けるだけでなく、マスク寸法の製造誤差も補正できるという効果を有している。すなわち、従来は露光装置の収差等の影響を補正するために、マスク寸法にどのような寸法分布を持たせたら良いかは分かっても、実際にマスクを作製する際で製造誤差が加わってしまっていた。本発明では、露光装置起因で生じる寸法ばらつき（予測が可能であるため従来から補正可能）とマスク製造誤差起因の寸法ばらつき（毎回ランダムに生じる製造誤差起因であるため従来は補正不可能）を補正することが可能となっている。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態のマスクを示す図である。
【図２】図１の領域Ａ，ＢおよびＣの縦断面を示す図である。
（ａ）図１の領域Ａの縦断面を示す図である。
（ｂ）図１の領域Ｂの縦断面を示す図である。
（ｃ）図１の領域Ｃの縦断面を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態のマスク製造方法のフローを示す図である。
【図４】マスクを用いて露光を行った時の寸法分布を示す図である。
【図５】図４のＸ軸上の寸法分布を示す図である。
【図６】図５の寸法分布を改善した図である。
【図７】寸法分布を縦横のメッシュ状に分割して示す図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態のマスクの製造方法を示す図である。
（ａ）透明基板上に半透明膜を成膜し、その上に遮光膜を成膜したマスク基板を作製する図である。
（ｂ）マスク基板にレジストを塗布してマスクパターンの描画を行う図である。
（ｃ）レジストを剥離していったんマスクを作製する図である。
（ｄ）再度レジストを塗布し、パターンの小さくなる部分上のレジストが除去されるようにマスク描画を行う図である。
（ｅ）現像して所定の部分のみレジストを除去した後、半透明膜を除去する図である。
（ｆ）レジストを剥離し、マスクを洗浄して、再び欠陥検査を行い、マスクが完成する図である。
【符号の説明】
１　　透明基板
２　　遮光膜
３　　半透明膜
４　　レジスト

Claims

透明基板上に遮光膜を成膜し、透明領域と遮光領域とからなるパターンが形成された投影露光用の透過型マスクにおいて、
所定の領域の透明領域を透過する光の強度を低下させ、結像面での転写パターンの寸法均一性を向上させたことを特徴とするマスク。
前記透過する光の強度を低下させる手段として、前記透明基板を所定の深さエッチングして形成した段差の側壁を利用したことを特徴とする請求項２に記載のマスク。
多層コーティングミラー上に吸収材を形成し、反射領域と吸収領域とからなるパターンが形成された投影露光用の反射型マスクにおいて、
所定の領域の反射領域を反射する光の強度を低下させ、結像面での転写パターンの寸法均一性を向上させたことを特徴とするマスク。
透明基板上に遮光膜を成膜し、透明領域と遮光領域とからなるパターンが形成された投影露光用の透過型マスクにおいて、
所定の領域の透明領域を透過する光の強度を増加させ、結像面での転写パターンの寸法均一性を向上させたことを特徴とするマスク。
前記透過する光の強度を増加させる手段として、前記透明基板上にあらかじめ透過率を所定の値だけ低下させる膜を成膜しておき、該膜を除去することにより相対的に他の部分より前記透過する光の強度を増加させるようにしたことを特徴とする請求項４に記載のマスク。
多層コーティングミラー上に吸収材を形成し、反射領域と吸収領域とからなるパターンが形成された投影露光用の反射型マスクにおいて、
所定の領域の反射領域を反射する光の強度を増加させ、結像面での転写パターンの寸法均一性を向上させたことを特徴とするマスク。
前記反射する光の強度を増加させる手段として、前記多層コーティングミラー上にあらかじめ反射率を所定の値だけ低下させる膜を成膜しておき、該膜を除去することにより相対的に他の部分より前記反射する光の強度を増加させるようにしたことを特徴とする請求項６に記載のマスク。
通常と同じマスク製造方法でマスクを作製する段階と、
前記マスクの寸法測定と位置測定とを行う段階と、
前記マスクの欠陥検査を行う段階と、
露光装置を用いて半導体基板上に塗布されたレジストにパターンを転写し、ウエハ上での転写パターンの寸法を測定し、露光領域内での分布を求める段階と、
基板エッチング量と寸法縮小量の関係を求め、パターンの光の強度を低下させる部分が露出するようにマスク描画を行って寸法を補正するエッチング量だけ透明基板のエッチングを行う段階と、
基板エッチングの際に異物が付着していないかを確認するために、再びマスクの欠陥検査を行い、問題がなければマスク作製は完了し、必要があればペリクルの貼り付けを行う段階とを有するマスクの製造方法。
透明基板上に半透明膜を成膜し、その上に遮光膜を成膜したマスク基板を作製する段階と、
該マスク基板にレジストを塗布してマスクパターンの描画を行う段階と、
現像してレジストパターンを形成して、前記遮光膜のエッチングを行う段階と、
前記レジストを剥離していったんマスクを作製し、寸法および欠陥の検査を行い、規格に合格していれば露光を行い、露光領域内の寸法を測定する段階と、
再度レジストを塗布し、パターンの光の強度を上げたい部分上のレジストが除去されるようにマスク描画を行う段階と、
現像して所定の部分のみレジストを除去した後、前記半透明膜を除去する段階と、
前記レジストを剥離し、マスクを洗浄して、再び欠陥検査を行い、マスクが完成する段階とを有するマスクの製造方法。