TWI394015B - 用於粗晶圓校準之標記結構及製造此標記結構之方法 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種用於微影裝置中之粗晶圓校準之標記結構。又，本發明係關於一種用於此標記之製造方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或主光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向("掃描"方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
對於微影裝置中之晶圓的粗光學校準，已知包含三個平行線之標記結構(標記)。平行線配置於晶圓之切割道中且在切割道之縱向方向上延伸。在標記之三個線當中，一對鄰近線具有第一間距，且另一對鄰近線具有第二間距。第一間距及第二間距沿著切割道之寬度方向延伸，且第一間距不同於第二間距。
在此間距方向上沿著掃描路徑執行光學校準掃描(因此，亦在切割道外部收集掃描資料)。光學校準掃描係基於所謂的自參考干涉量測以自標記獲得掃描資料信號。已在EP 1372040中描述所使用之自參考干涉量測。可藉由在掃描資料信號中搜尋匹配於標記設計之兩個間距之信號部分(例如，藉由圖案辨識程序)來獲得標記之位置。掃描資料信號中之匹配信號部分的位置與掃描路徑內之標記的位置相關。
然而，觀測到，當根據先前技術而使用標記時，僅有可能基於兩個間距來選擇經校準位置。可能會發生緊接於標記及在切割道外部之產品結構類似於此等間距中之一或兩者，此導致未校準。
此外，因為緊接於標記之任何器件結構均將導致干涉標記自身，所以此將干擾校準效能。因此，標記具有排除區域(exclusion zone)，必須保持排除區域為空而無器件結構。出於該原因，切割道不能具有低於最小值之寬度。在根據先前技術之粗晶圓校準的情況下，至切割道寬度之更低值的降低為不可能的。
根據一態樣，提供一種在基板上之標記結構，其包含複數個(n個)線，n等於至少四，線在第一方向上平行於彼此而延伸且以選自複數個線之每一對線之間的間距而配置，間距在垂直於第一方向之第二方向上被引導，其中每一對選定線之間的間距不同於每一另一對選定線之間的間距。
根據一態樣，提供一種包含如以上所描述之標記結構的半導體器件。
根據一態樣，提供一種用於在基板上製造半導體器件之方法，其包括提供基板、藉由微影過程而在基板上形成標記結構，其中標記結構包括複數個(n個)線，n等於至少四，線在第一方向上平行於彼此而延伸且以選自複數個線之每一對線之間的各別間距而配置，間距在垂直於第一方向之第二方向上被引導，其中每一對選定線之間的間距不同於每一另一對選定線之間的間距。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。裝置包含：
-照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或EUV輻射)；
-支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA且連接至經組態以根據某些參數來精確地定位圖案化器件之第一定位器PM；
-基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，塗覆抗蝕劑之晶圓)W且連接至經組態以根據某些參數來精確地定位基板之第二定位器PW；及
-投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、成形或控制輻射之各種類型的光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構支撐(亦即，承載)圖案化器件。支撐結構以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否固持於真空環境中)的方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統而處於所要位置。可認為本文對術語"主光罩"或"光罩"之任何使用均與更通用之術語"圖案化器件"同義。
本文所使用之術語"圖案化器件"應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中形成圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不會精確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所形成之器件(諸如，積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影術中為熟知的，且包括諸如二元交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。
本文所使用之術語"投影系統"應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文對術語"投影透鏡"之任何使用均與更通用之術語"投影系統"同義。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)的類型。在此等"多平台"機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間。浸沒技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。如本文所使用之術語"浸沒"不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射器時，輻射源與微影裝置可為單獨實體。在此等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之一部分，且輻射光束借助於包含(例如)適當引導鏡面及/或光束放大器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源為汞燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分布的調整器AD。通常，可調整照明器之瞳孔平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化器件(例如，光罩MA)上，且由圖案化器件圖案化。在橫穿光罩MA後，輻射光束B穿過投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。借助於第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可精確地移動，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來精確地定位光罩MA。一般而言，可借助於形成第一定位器PM之一部分的長衝程模組(粗定位)及短衝程模組(細定位)來實現光罩台MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(與掃描器相對)之情況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用光罩校準標記M1、M2及基板校準標記P1、P2來校準光罩MA及基板W。儘管如所說明之基板校準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等被稱為切割道校準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩校準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使光罩台MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單重靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單重靜態曝光中所成像之目標部分C的尺寸。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描光罩台MT及基板台WT(亦即，單重動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於光罩台MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單重動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使光罩台MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影術。
亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
圖2描繪根據本發明之一實施例之標記結構M的俯視圖。
標記結構M配置於切割道SL中，切割道SL在兩個目標部分C中間。切割道SL在第一方向D1上縱向地延伸，且在垂直於第一方向D1之第二方向D2上具有寬度。
標記結構M包含複數個(n個；至少四個)線M1、M2、M3、M4、M5，線在切割道SL之縱向方向D1上延伸。n個線M1...M5被彼此分離n-1個間隙。每一間隙具有不同於另一間隙之間距的間距。
線M1與線M2被分離具有第一間距P1之第一間隙，線M2與線M3被分離具有第二間距P2之第二間隙，線M3與線M4被分離具有第三間距P3之第三間隙，且線M4與線M5被分離具有第四間距P4之第四間隙。
第一間距、第二間距、第三間距及第四間距(或通常為n-1個間距)中之每一者具有不同於其他間距之尺寸。
歸因於自參考干涉計之特性，在光學校準掃描期間，在標記結構中之複數個(n個)線M1...M5中之每一者的位置處及在複數個(n個)線M1...M5中之兩者或兩者以上的干涉處獲得干涉量測信號中之區域強度最小值。
因此，根據本發明，以使得藉由自參考干涉計而在標記結構M上所量測之干涉圖案僅揭露區域強度最小值而無大體上重疊位置的方式來選擇n-1個間距及其在標記結構內之分級。
標記結構經配置用於在光學校準期間產生光學干涉圖案，其中光學干涉圖案顯示不重疊之許多個別區域強度最小值。
本發明允許在光學校準掃描期間可藉由標記結構M來產生獨特干涉圖案之條件下最大化標記結構M內之線的數目。
在圖2中，作為一實例，展示包含各自為2μm寬之5個線之標記結構M。線被隔開，其中第一間距P1為9μm，第二間距P2為13μm，第三間距P3為17μm，且第四間距為5μm。
圖3描繪圖2之例示性標記結構M之干涉圖案R的曲線，此將在第二方向D2上跨越切割道SL而沿著掃描路徑之光學校準掃描期間進行量測。
自參考干涉計之照明光束作為光點而提供於基板上以用於照明標記結構。自參考干涉計使用至少四個雷射光束，每一者具有在約530nm與約850nm之間的範圍內且不同於其他雷射光束之波長的各別波長。在圖3中，將針對單一波長之經量測強度(垂直軸線)標繪為切割道SL內在第二方向D2上沿著掃描路徑之量測位置(水平軸線)的函數。
圖4描繪標記結構之干涉圖案R與布局之間的關係。
在標記結構M之線M1...M5之位置處，干涉圖案R顯示具有相對降低之強度的初級區域強度最小值。初級區域強度最小值係由實線L1、L2、L3、L4、L5指示。
又，如由虛線L6、L7、L8、L9所指示，在兩個線之間的干涉處(亦即，在每一對鄰近線之間的中途之二級位置處)顯示二級區域強度最小值。
如由點線L10、L11、L12、L13、L14所指示，在兩個以上線之間的干涉處(亦即，在每一各別干涉中所涉及之兩個外部線的中途之三級位置處)產生三級區域強度最小值。
歸因於二級區域強度最小值及三級區域強度最小值之產生，干涉圖案內之資訊增加。結果，可預期輸出精確度之增加，其與標記結構內之間距之數目除以二的平方根成比例。
由於針對特定間距之組合之更高選擇性，輸出精確度之增加有利地改良過程穩固性。
哪些干涉線實際地顯現與標記結構之哪些線可彼此干涉相關。清楚地，此受到由感測器所照明之區域或預定距離(光點直徑)限制。僅在小於光點直徑之間距下之線干涉，在更大間距下之線將不導致產生額外二級強度最小值及/或三級強度最小值。
標記結構之設計(亦即，標記結構中之複數個(n個)線中之每一者的位置)可藉由具有此等性質之標記布局的蠻力計算程序而判定，亦即，如由自參考干涉計所產生之干涉圖案顯示許多個別區域強度最小值，其中如由標記結構M之圖案所產生之區域強度最小值的位置不展示任何實質重疊。標記結構包含複數個線，其中線大體上平行地延伸且配置於在每兩個鄰近線之間具有間隙之圖案中。以使得達成產生在個別區域強度最小值之間大體上不具有重疊之干涉圖案之需求的方式來選擇及分級間隙。標記結構之照明在光學校準期間產生光學干涉圖案，其中光學干涉圖案顯示大體上不重疊之許多個別區域強度最小值。大體上平行意謂線實務上可能不完全筆直或可能具有區域變化。所意欲的係線足夠地平行(且線之間的間距足夠地垂直)而使得其可提供產生所需干涉圖案之功能。
可能標記結構設計之數目受到許多輸入參數限制，諸如，標記結構之寬度、標記結構中之線的數目、標記中之每一線的線寬、干涉圖案中之區域最小值之間的最小允許距離。
舉例而言，對於具有60μm之寬度、線寬2μm之5個線及2μm之區域最小值之間的最小距離之標記的情況，仍大約2500個線圖案可建構於1μm柵格上(亦即，標記結構之柵格的解析度為1μm)，此滿足大體上無重疊之需求。排除相同間距出現兩次(或更多)之所有設計，因為此等設計將展現干涉圖案中之個別區域強度最小值之重疊。
在剩餘可能標記布局(亦即，無出現兩次或更多之間距)上，可應用另外最佳化以針對特定條件(例如，切割道內部之線的均勻分布、各種間距之間的最小或最大差)而最佳化。
圖5描繪根據本發明之一實施例之標記結構的橫截面。
如圖2所示，沿著線V-V截取橫截面。在基板100上，藉由在基板100之表面上之第一層102中形成複數個(n個)線M1、M2、M3、M4、M5來界定標記結構M。熟習此項技術者應瞭解在形成個(n個)線M1...M5之圖案之過程中可涉及的各種微影過程。線M1、M2、M3、M4、M5可由諸如金屬之第一材料形成。第一層102中之線M1、M2、M3、M4、M5之間的空間103可為空孔，或包含具有與第一材料之光學性質不同的光學性質之第二材料。第二材料可包含二氧化矽。
第一材料與第二材料之適當組合可包括具有反射率差之材料。又，可使用具有在線M1...M5與空間103之間形成相差之性質的第一材料及第二材料。
藉由箭頭D2來指示切割道SL之橫向方向。
圖6描繪根據本發明之另一實施例之標記結構的橫截面。如圖2所示，沿著線V-V截取橫截面。
標記結構包含複數個線之位於基板上之第一層中的第一子集，及複數個線之位於第一層上方之第二層中的第二子集。
可在兩個步驟中使用複數個(n個)線之第一子集及第二子集而形成標記結構M。在基板100上，藉由在基板100之表面上之第一層102中形成複數個(n個)線之第一子集(例如，M1、M3、M5)來界定標記結構M。線M1、M3、M5可由諸如金屬之第一材料形成。在線M1、M3、M5之間，第一層102可包含具有與第一材料之光學性質不同的光學性質之第二材料103。第二材料可包含二氧化矽。
在第一層102之頂部上，配置在此實例中包含複數個(n個)線之第二子集M2、M4的第二層104。線M2、M4可由第一材料或具有與第一材料之光學性質大體上類似的光學性質之材料形成。在線M2、M4之間的空間105中，第二材料或另一第三材料可作為填充材料而存在。填充材料應具有與線M2、M4之材料之光學性質不同的光學性質。或者，第二層中之鄰近線之間的空間可為空孔。
可以如下方式來選擇第一子集中及第二子集中之線位置的分布：對於在標記結構中鄰近之每一對線，該對之一線在第一子集中且該對之另一線在第二子集中。
注意，或者或此外，第一子集及第二子集可在標記結構中之相同位置處包含共同線。標記結構經配置成使得複數個線之第一子集具有與複數個線之第二子集共同之至少一線。
第一層102中之第一子集之一或多個線的位置可與第二層104中之第二子集之一或多個線的位置共同。舉例而言，線M3可列印於第一層102中且(再次)列印於第二層104中。
如以上所描述之標記結構可提供有用結果。與根據先前技術之標記結構相比，可獲得更高精確度，因為可在光學校準程序之圖案辨識步驟期間使更多數目之間距組合且達到平均數。此外，根據本發明之標記結構之實施例可對產品串擾(如由於在光學校準掃描期間照明目標部分之一部分而導致)顯著地較不敏感，因為圖案通常更獨特(使得有可能減少在光學校準掃描期間用於禁止之在標記結構與產品區域或目標部分之間的排除區域)。又，本發明之實施例可允許在選擇標記設計之過程中之顯著更靈活的方法。另外，藉由在不同層/曝光中(在線之至少兩個子集中)分裂標記結構，其可有助於自單一標記結構同時對兩個層之校準。
儘管在此本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造積體光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之情境中，可認為本文對術語"晶圓"或"晶粒"之任何使用分別與更通用之術語"基板"或"目標部分"同義。可在曝光之前或之後在(例如)軌道(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便形成多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管以上可特定地參考在光學微影術之情境中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影術)中，且在情境允許時不限於光學微影術。在壓印微影術中，圖案化器件中之構形界定形成於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
本文所使用之術語"輻射"及"光束"涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365nm、355nm、248nm、193nm、157nm或126nm之波長)及遠紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為5nm至20nm之範圍內的波長)，以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。
術語"透鏡"在情境允許時可指代各種類型之光學組件之任一者或組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
儘管以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如以上所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之此電腦程式。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見的為，可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
100．．．基板
102．．．第一層
103．．．空間
104．．．第二層
105．．．空間
AD．．．調整器
B．．．輻射光束
BD．．．光束傳送系統
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
D1．．．第一方向
D2．．．第二方向
IF．．．位置感測器
IL．．．照明器
IN．．．積光器
L1．．．初級區域強度最小值
L2．．．初級區域強度最小值
L3．．．初級區域強度最小值
L4．．．初級區域強度最小值
L5．．．初級區域強度最小值
L6．．．二級區域強度最小值
L7．．．二級區域強度最小值
L8．．．二級區域強度最小值
L9．．．二級區域強度最小值
L10．．．三級區域強度最小值
L11．．．三級區域強度最小值
L12．．．三級區域強度最小值
L13．．．三級區域強度最小值
L14．．．三級區域強度最小值
M1．．．光罩校準標記/線
M2．．．光罩校準標記/線
M3．．．線
M4．．．線
M5．．．線
M．．．標記結構
MA．．．光罩
MT．．．光罩台
P1．．．基板校準標記
P2．．．基板校準標記
P3．．．第三間距
P4．．．第四間距
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器
R．．．干涉圖案
SL．．．切割道
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台
X．．．方向
Y．．．方向
圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；
圖2描繪根據本發明之一實施例的標記結構；
圖3描繪圖2之標記結構的回應函數；
圖4描繪標記結構之回應函數與布局之間的關係；
圖5描繪根據本發明之一實施例之標記結構的橫截面；且
圖6描繪根據本發明之一實施例之標記結構的橫截面。
AD．．．調整器
B．．．輻射光束
BD．．．束傳送系統
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
IF．．．位置感測器
IL．．．照明器
IN．．．積光器
M1．．．光罩校準標記
M2．．．光罩校準標記
MA．．．光罩
MT．．．光罩台
P1．．．基板校準標記
P2．．．基板校準標記
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台
X．．．方向
Y．．．方向
Claims (16)
- 一種在一基板上之標記結構，該標記結構包含複數個(n個)線，n至少為四，該等線在一第一方向上實質上彼此平行而延伸且在選自該複數個線之每一對線之間具有一間距，該間距以一實質上垂直於該第一方向之第二方向引導，其中每一對選定線之間的該間距不同於每一另一對選定線之間的該間距。
- 如請求項1之標記結構，其中該標記結構配置於該基板之一切割道中，該第一方向係沿著該切割道之一縱向方向被引導。
- 如請求項1之標記結構，其中該複數個線之一第一子集位於該基板上之一第一層中，且該複數個線之一第二子集位於該第一層上方之一第二層中。
- 如請求項3之標記結構，其中該複數個線之該第二子集具有實質上上覆該複數個線之該第一子集之一對應線的至少一線。
- 如請求項3之標記結構，其中對於該複數個線中在該第二方向上鄰近之每一對線，該對線之一線在該第一子集中且該對線之另一線在該第二子集中。
- 如請求項1之標記結構，其中該標記結構經配置用於在一光學校準期間產生一光學干涉圖案，其中該光學干涉圖案顯示不重疊之許多個別區域強度最小值。
- 如請求項1之標記結構，其中該標記結構在該第二方向上之一寬度為約60微米，該標記結構中之線的數目為五 且線寬為約2微米。
- 如請求項7之標記結構，其中一第一對兩個鄰近線之間的一第一間距為約9微米，一第二對兩個鄰近線之間的一第二間距為約13微米，一第三對兩個鄰近線之間的一第三間距為約17微米，且一第四對兩個鄰近線之間的一第四間距為約5微米。
- 一種基板，其用於一用於產生一包含一如請求項1至8中任一項之標記結構之半導體器件的過程中。
- 一種用於在一基板上製造一半導體器件之方法，其包含：藉由一微影過程而在該基板上形成一標記結構，該標記結構包含複數個(n個)線，n至少為四，該等線在一第一方向上實質上彼此平行而延伸且在選自該複數個線之每一對線之間具有一間距，該間距以一實質上垂直於該第一方向之第二方向引導，其中每一對選定線之間的該間距不同於每一另一對選定線之間的該間距。
- 如請求項10之方法，其中該複數個(n個)線位於該基板上之一第一層中。
- 如請求項10之方法，其中該複數個(n個)線之一第一子集位於該基板上之一第一層中，且該複數個(n個)線之一第二子集位於該第一層上方之一第二層中。
- 如請求項12之方法，其中該複數個線之該第二子集具有實質上上覆該複數個線之該第一子集之一對應線的至少一線。
- 如請求項12之方法，其中對於該複數個線中在該第二方向上鄰近之每一對線，該對線之一線配置於該第一子集中且該對線之另一線配置於該第二子集中。
- 如請求項10之方法，其進一步包含：將一自參考干涉計之一照明光束作為一光點而提供於該基板上以用於照明該標記結構。
- 如請求項15之方法，其中該照明該標記結構在一光學校準期間產生一光學干涉圖案，其中該光學干涉圖案顯示不重疊之許多個別區域強度最小值。
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