TWI431440B - 提供對準標記之方法、器件製造方法和微影裝置 - Google Patents

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Description

提供對準標記之方法、器件製造方法和微影裝置
本發明係關於一種在基板上提供對準標記集合之方法、一種器件製造方法及一種微影裝置。本發明亦係關於一種判定具備對準標記之至少兩個層之相對位移的方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或主光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
一般而言，晶圓覆蓋有置放於彼此之頂部上的複數個層。在層中曝光圖案，其中一層之圖案必須精確地配合於前一層上。實務上，在連續層之間將始終存在偏移。層相對於彼此之偏移或位移在本文中被稱作重疊誤差或重疊。藉由一或多個對準感測器而判定重疊，對準感測器經配置以量測出於該目的而配置於層上之基板對準標記的位置。
存在用以判定微影裝置之重疊能力的若干方法。首先，可使用通常存在於微影裝置中之對準感測器中的一或多者。對準感測器量測第一層中之對準標記相對於第二層中之相同或類似對準標記之位置的相對位置，第二層置放於第一層之頂部上。然而，重疊量測依賴於具有顯著地大於待提供於基板上之典型產品特徵之尺寸的對準標記或類似重疊目標。此外，同樣針對顯著地大於典型產品特徵之精確度而設計對準感測器。
或者，可使用單獨度量衡工具。舉例而言，可藉由度量衡工具而判定第一層中之外部箱體/框架相對於第二層中之內部箱體之位置的位置。此方法相對較慢且涉及在將第一層提供於基板上之後自微影裝置移除基板。最終，重疊之量測可為基於SEM工具的。可相對於在第二層中之解析度下第二線集合的位置而在解析度下(亦即，以具有層中之典型產品特徵之相同數量級的精確度)量測第一層中之線集合的位置。然而，當第一層目標位於產品層中時，此基於SEM工具之方法的完成亦為比較費時且複雜的(或甚至為不可能的)。
需要提供一種用於在基板上提供精確且高品質之對準標記的方法及裝置。
進一步需要提供一種用於提供對準標記之方法及裝置，其中可快速地且以高精確度而判定重疊誤差。
亦需要提供一種用於提供對準標記之方法及裝置，其中可在解析度下判定重疊誤差。
根據本發明之一態樣，提供一種在基板上提供對準標記集合之方法，方法包含：
-在基板之層之至少一曝光區域上曝光第一圖案，第一圖案包含具有第一元件尺寸之重複元件集合；
-在第一圖案之頂部上之至少一曝光區域上曝光第二圖案，第二圖案包含第二元件尺寸之重複元件集合，第二元件尺寸大於或小於第一元件尺寸；其中第一圖案與第二圖案之元件部分地重疊且組合地形成重複大尺寸對準標記集合，使得在重複方向上對準標記之邊緣係由小尺寸元件形成。
根據另一態樣，提供一種校準微影裝置之投影系統的方法，方法包含：
a)當投影系統係在初始條件下時，在基板之層之至少一曝光區域上曝光第一圖案，第一圖案包含重複小尺寸元件集合，且在第一圖案之頂部上之至少一曝光區域上曝光包含大尺寸元件集合之第二圖案，其中第一圖案與第二圖案之元件部分地重疊且組合地形成重複大尺寸對準標記集合，使得在重複方向上對準標記之邊緣係由小尺寸元件形成；
b)當投影系統係在加熱條件下時，重複曝光程序a)；
c)依據投影系統之至少一部分之溫度而判定關於對準標記之扭曲的資訊。
根據本發明之另一態樣，提供一種判定具備各別對準標記集合之至少兩個層之相對位移的方法，方法包含：
-在第一層上產生第一組合對準標記集合且在第二層上產生互補第二組合對準標記集合，第二層提供於第一層之頂部上；
-照射兩個組合對準標記集合；
-偵測第一對準標記集合與第二對準標記集合之間的相對位移。
根據另一態樣，提供一種器件製造方法，方法包含將至少一圖案自圖案化器件轉印至器件之基板上，其中轉印圖案包含：
-在基板之層之至少一曝光區域上轉印第一圖案，第一圖案包含具有第一元件尺寸之重複元件集合；
-在第一圖案之頂部上之至少一曝光區域上轉印第二圖案，第二圖案包含第二元件尺寸之重複元件集合，第二元件尺寸大於或小於第一元件尺寸；其中第一圖案與第二圖案之元件部分地重疊且組合地形成重複大尺寸對準標記集合，使得在重複方向上對準標記之邊緣係由小尺寸元件形成。
根據另一態樣，提供一種經配置以將對準標記圖案自圖案化器件提供至基板上之微影裝置，其中裝置經配置及建構，以便：
-在基板之層之至少一曝光區域上曝光第一圖案，第一圖案包含具有第一元件尺寸之重複元件集合；
-在第一圖案之頂部上之至少一曝光區域上曝光第二圖案，第二圖案包含第二元件尺寸之重複元件集合，第二元件尺寸大於或小於第一元件尺寸；其中第一圖案與第二圖案之元件部分地重疊且組合地形成重複大尺寸對準標記集合，使得在重複方向上對準標記之邊緣係由小尺寸元件形成。
本發明之另外細節、特徵及優點將在其實施例之以下描述中加以闡明。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。裝置包含：
-　照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射)；
-　支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA且連接至經組態以根據某些參數來精確地定位圖案化器件之第一定位器PM；
-　基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，塗覆抗蝕劑之晶圓)W且連接至經組態以根據某些參數來精確地定位基板之第二定位器PW；及
-　投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、成形或控制輻射之各種類型的光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構支撐(亦即，承載)圖案化器件。支撐結構以視圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否固持於真空環境中)而定的方式來固持圖案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統而處於所要位置。可認為本文對術語「主光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術語「圖案化器件」同義。
本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中形成圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不會精確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所形成之器件(諸如，積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影術中為熟知的，且包括諸如二元交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。
如此處所描繪，裝置為反射類型(例如，使用反射光罩)。或者，裝置可為透射類型(例如，使用透射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)的類型。在該等「多平台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間。浸沒技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。如本文所使用之術語「浸沒」不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為單獨實體。在該等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之一部分，且輻射光束借助於包含(例如)適當引導鏡面及/或光束放大器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源為汞燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分布的調整器AD。通常，可調整照明器之瞳孔平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化器件(例如，光罩MA)上，且由圖案化器件圖案化。在橫穿光罩MA後，輻射光束B穿過投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。借助於第二定位器PW及位置感測器IF2(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可精確地移動，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器IF1可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來精確地定位光罩MA。一般而言，可借助於形成第一定位器PM之一部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(與掃描器相對)之情況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準光罩MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使光罩台MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單重靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單重靜態曝光中所成像之目標部分C的尺寸。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描光罩台MT及基板台WT(亦即，單重動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於光罩台MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單重動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使光罩台MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影術。
亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
一般而言，晶圓或基板覆蓋有大量層。每一層均始於基板上之圖案的曝光。圖案必須精確地配合於前一圖案上。實務上，在連續層之間將始終存在偏移。此偏移可(例如)在使基板處於外部以用於化學處理之後將其重新定位於曝光單元內部以使得個別層之所有圖案均精確地配合於彼此之頂部上的情況下由基板之略微未對準導致。層相對於彼此之偏移或位移在本文中被稱作重疊誤差或重疊。
藉由經配置以量測基板對準標記之位置的一或多個對準感測器而判定重疊。圖2展示雷射步進對準配置之實例。圖2所示之配置包含雷射源2、鏡面10、半透明鏡面12、鏡面14、偵測器4及處理器6。圖2中亦展示投影系統PS、基板W及基板台WT以及致動器8。
在使用中，雷射源2產生經引導至鏡面10之雷射光束16。鏡面10將雷射光束16反射至半透明鏡面12。將如由半透明鏡面12所反射之雷射光束16引導至鏡面14。將由鏡面14所反射之雷射光束16作為對準光束18而引導至基板W上之基板對準標記P1。藉由標記P1而將如由標記P1所接收之對準光束18作為經繞射輻射16'而繞射回至鏡面14。鏡面14將經繞射輻射16'反射至半透明鏡面12。鏡面12為半透明的且將經繞射輻射16'之一部分傳遞至偵測器4。偵測器4接收經繞射輻射16'之該部分且產生用於處理器6之輸出信號。
圖2所示之致動器8意欲說明基板台WT可移動至使得標記P1可與對準光束18對準之位置。此外，如熟習此項技術者所知，致動器8經配置以移動基板台WT以允許藉由經由投影系統PS之曝光光而曝光基板W。藉由處理器6而控制致動器8。當然，實務上，可存在一個以上致動器以允許在複數個方向上移動基板台WT。應注意，處理器6經展示為一連接至偵測器4及致動器8兩者之單一處理器單元。然而，必要時，可在不同處理器中實施處理器6之多個不同功能。此等處理器未必需要處於微影裝置內，而可位於微影裝置外部。
由處理器6所接收之信號可由處理器6用以對準定位有標記P1之層。為此，如熟習此項技術者所知，可使用各種演算法。
本發明亦可適用於其他類型之對準設置(例如，適用於具有所謂的「Athena」感測器的設置中)。此對準感測器量測對準標記之位置。在對準期間，藉由對準輻射光束而照明對準標記。對準輻射光束藉由對準標記而繞射成若干繞射級(諸如，+1、-1、+2及-2)。藉由使用光學元件，可使用每一對應繞射級(比如，+1及-1)集合以將對準標記之影像形成至參考板上。參考板可包含待量測之每一對應繞射級集合的參考光柵。在每一參考光柵後方，可配置單獨偵測器以量測穿過參考光柵之影像中之輻射的強度。藉由相對於參考板而移動對準標記，可找到具有一或多個影像之最高強度的位置，此給出經對準位置。
為了增強效能，可量測若干影像之強度，且對準輻射光束可由多種顏色組成。不排除使用其他類型之感測器，包括基於電容性或聲學量測原理之感測器。
圖3A及圖3B展示根據本方法之一實施例的形成對準標記之對準圖案集合的實例。方法包含在第一層20之曝光區域處曝光重複配置之圖案元件的第一密集圖案21。在所示實施例中，圖案21係由基本上平行元件22(在下文中被稱作「溝槽」，但應理解，在其他實施例中同樣可應用類似元件或線)之陣列構成。溝槽係以恆定間距27而隔開，且每一溝槽22具有第一寬度(F1 )。第一寬度可具有典型產品特徵之數量級。現今在微影術中待達成之尺寸係在45nm或更少之範圍內，且在將來可甚至達到更小值(諸如，32nm或更少)。然而，在其他實施例中，第一寬度亦可顯著地大於在解析度下之間距。舉例而言，如在下文中將論述，藉由擴大始於在解析度下之間距的間距，可判定依據間距之列印誤差。
在曝光第一圖案21(亦即，在解析度下之溝槽22)之後，顯影光阻層20。在曝光期間，可(例如)歸因於透鏡扭曲、主光罩寫入誤差或任何其他工具誘發性偏移(例如，浸沒相關移位或透鏡加熱)而移位第一層圖案21。在曝光層20之後，在第一圖案21之頂部上之曝光區域上曝光第二對準圖案23。如圖3B所示，第二圖案23亦包含由基本上平行第二溝槽24之陣列構成之重複元件集合，第二溝槽24具有大於第一元件22之寬度(F1 )的寬度(F2 )。第二對準圖案23之溝槽24部分地重疊於第一對準圖案21之溝槽22，以便形成複數個組合對準標記25，如圖3B所示。第二溝槽經定尺寸及配置，以便以使得組合對準標記25之邊緣係由第一元件22之邊緣26(在重複方向Pr 上，參看圖3A)形成的方式而重疊於第一溝槽。以此方式，可產生大尺寸對準標記25，大尺寸對準標記25由於其尺寸而可由標準對準感測器偵測，而藉由第一圖案21之小尺寸元件22而判定對準標記25之精確度且藉此判定經對準位置。或者，換言之，藉由曝光區域上之圖案(影像)的雙重曝光，可形成一或多個雙重曝光對準標記25，其中可顯著地改良對準標記之精確度，且可在顯著地高於標準對準標記將允許之低解析度的解析度下判定對準標記之位置。
在另外實施例中，小尺寸元件可在解析度下(亦即，在可由微影工具看見或成像之細節的最小位準下)經定尺寸，現今通常為約45nm，如較早所提及。在下文中給出小尺寸圖案元件在解析度下經定尺寸之實施例的實例。
在以上所描述之實施例中，第一圖案及第二圖案兩者均曝光於同一層中。代替在同一層中之此雙重曝光(亦即，雙重圖案化(DPT)應用)，第一圖案可曝光於第一層中且第二圖案可曝光於第二層中，第二層重疊於第一層。以此方式，可增強對準標記之對比度。藉由組合第二層中之第二圖案與第一層中之第一圖案，所得標記可具有高於界定於第一層中之標準標記的對比度。歸因於設計要求，可甚至不可能在第一層中界定具有足夠對比度之標記。如在下文中將論述，特別當硬式光罩用於第三層曝光且需要對第一層之對準時，可應用根據本發明之對準標記。
可甚至判定前一層之位置而不實際地具有該層中之對準圖案(例如，在DPT程序中)。
此外，在不同層中曝光第一圖案及第二圖案之情況下，可使用已存在於微影裝置中之對準系統而對準所得對準標記。可藉由第二層曝光而進行對比，且藉由第一層曝光而判定經對準位置。應理解，倘若第二層重疊誤差保持小於±F/2，則第二層重疊誤差對經對準位置不具有效應，其中F為列印於第一層中之最小圖案元件尺寸。
如在下文中將論述，可顛倒在一或多個層上應用第一圖案及第二圖案之整個序列，亦即，在第一層中曝光大尺寸圖案元件，且在第二層中曝光小尺寸元件(例如，溝槽)之密集圖案，第二層置放於第一層之頂部上。在該情況下，藉由第二層圖案而判定經對準位置。
在本發明之實施例中，對準標記係由部分地重疊於至少兩個小尺寸圖案元件之單一大尺寸圖案元件構成。更具體而言，大尺寸元件具有大於連續小尺寸元件之間的相互距離的寬度，使得大尺寸元件將至少在某一程度上重疊於小尺寸元件中之至少兩者。然而，在其他實施例中，使用一個以上大尺寸圖案元件及大量小尺寸圖案元件。為了確保在後者實施例中使第一圖案與第二圖案彼此匹配，連續大尺寸圖案元件之間的空間的寬度(W，參看圖3B)經選擇為小尺寸圖案元件22之間距27的整數倍。
在圖4A及圖4B中，展示對準標記之另外實例。圖4A展示為單重曝光之結果的對準標記25之三個集合30。歸因於最後溝槽(線)成像效應，外部兩個溝槽(或線)25'之品質可較差。溝槽25'之品質對於判定經對準位置且因此對於確保高對準精確度為至關重要的。因為此等兩個溝槽為半密集的，所以此不為易於執行之任務。圖4B展示根據本發明之一實施例的為雙重曝光之結果的對準標記25之三個集合30。外部溝槽(或線)25'現由密集圖案21引起，且由最後溝槽25'所形成之圖案的邊緣經良好地界定，使得高品質對準標記形成於基板上。
在結合圖3A及圖3B所描述之實施例中，第一曝光形成相對小尺寸圖案元件22之第一圖案，而第二曝光形成相對大尺寸圖案元件23之第二圖案。然而，在其他實施例中，情形為顛倒的。在第一曝光中形成相對大尺寸圖案元件23之第一圖案，而第二曝光形成相對小尺寸圖案元件22之第二圖案。
在本發明之另外實施例中，提供一種用於判定具備各別對準標記集合之至少兩個層之相對位移的方法。方法包含在第一層上產生第一組合對準標記集合且在第二層上產生互補第二組合對準標記集合，第二層提供於第一層之頂部上。此後，照射兩個組合對準標記集合，且以高精確度而判定第一對準標記集合與第二對準標記集合之間的相對位移。圖5A至圖5F中展示該實施例之實例。圖5A展示形成於基板之第一層20中之第一曝光區域處的第一圖案21。第一圖案為包含可以在解析度下之密集圖案之形式之複數個連續小尺寸元件22的類型。如圖5D所示，在同一第一層20之另一曝光區域處，曝光包含複數個連續大尺寸元件24之類型的第二圖案。緊接著，將第二層29置放於第一層20之頂部上。在圖5A之同一曝光區域處，將第三圖案曝光於第二層29上，其中第三圖案為具有部分地重疊於第一圖案之複數個大尺寸元件24的類型(參看圖5B)。類似地，如圖5E所示，在大尺寸元件24之頂部上，在圖5D之同一曝光區域處曝光複數個小尺寸元件22。圖5C及圖5F現展示在兩個曝光區域處之所得對準標記30、31。對準標記30表示第一層20之X、Y位置(在解析度下)，而對準標記31表示第二層29之X、Y位置(在解析度下)。兩個位置之間的差呈遞在解析度下之重疊偏移或重疊。因此，為了判定在解析度下之重疊，可使用存在於微影裝置中之重疊感測器，例如，偵測系統之SMASH類型(參看EP 1 372 040 A2)或Athena類型(參看EP 0 906 590 A1)或任何另一繞射/相位光柵類型的對準感測器。此外，相機或基於影像之系統可同樣用以偵測在解析度下之結構的位置。以此方式，有可能藉由僅能夠在更低解析度下進行量測之對準感測器而量測在解析度下之重疊(基板之特徵之重疊)。
在圖6A至圖6D所示之實施例中，圖案之小尺寸元件係由重疊目標區域處之產品特徵形成。圖6A展示具有待曝光之大量晶粒的晶圓40。圖6B展示晶圓40之晶粒41'中之一者的放大細節。其展示晶粒41'之產品特徵44，例如，DRAM記憶體中之大量平行字線、溝槽、位元線或控制閘。存在平行元件之(例如)歸因於透鏡及主光罩扭曲、與浸沒相關之誤差、光罩、基板台中之誤差或由透鏡加熱所導致之誤差的扭曲。在圖6B之光阻特徵之頂部上，曝光第二層，其中提供許多對準圖案42，每一者具有重複對準圖案元件43之集合。圖6D中展示所得產品。每一對準圖案42連同現有產品特徵44形成可用以判定晶粒之區域扭曲的對準標記。事實上，可依據晶粒上之位置而判定扭曲。儘管在圖6D中描繪三個對準標記42，但對準標記之數目可視產品特性而變化。
方法亦可用以校準透鏡加熱效應。在基板上之後續場的曝光期間，投影系統之透鏡經加熱。加熱程序影響透鏡之特性，亦即，當在曝光程序中加熱透鏡時，改變透鏡扭曲。因此，當曝光第一場時之透鏡扭曲通常不同於當曝光另一場時之透鏡扭曲。因此，曝光於基板上之圖案可用以判定關於加熱對透鏡扭曲之效應的資訊。基於此資訊，可(例如)藉由操控投影系統而執行投影系統之校準以解決在曝光基板期間透鏡扭曲之預期改變。
儘管在以上實施例中使用恆定間距，但在其他實施例中，可同樣使用小尺寸元件之變化間距，例如，自幾乎隔離(ISO)線(亦即，具有相對較大間距但小於大尺寸元件之間距(對準標記)的線)變化至圖6所示之密集線。藉由曝光光而曝光此等小尺寸元件，曝光光通常具有相對較短波長，例如，具有為約193nm之波長(λ)的「藍」光。用於在基板上形成小尺寸元件之結構存在於光罩(或主光罩)上，且發生「藍」光之繞射。經繞射光接著穿過曝光透鏡。自ISO結構所繞射之光與來自密集結構之光以不同方式而穿過透鏡。
因此，具有不同間距(亦即，與形成對準標記之大尺寸元件之更大間距或對準間距相比的小尺寸間距)之圖案藉由曝光光而經不同地繞射，且經歷不同透鏡扭曲(經由曝光透鏡之光徑不同)。不同透鏡扭曲導致基板上之特徵的不同位移(偏移)。藉由在第一圖案(具有小尺寸元件)上曝光具有大尺寸間距之第二圖案，可判定位移(偏移)。
對準通常係由一或多個對準感測器執行，其中對準感測器具有產生具有相對較大波長之光(例如，具有633nm之波長的「紅」光)的光源。此光導致具有大尺寸間距(亦即，大尺寸元件之間距)之元件的繞射。對準感測器經組態以偵測自具有大尺寸間距之此等大尺寸元件所繞射的光，且因此能夠執行對準程序。然而，根據一實施例，藉由小尺寸元件之圖案且因此藉由不同小尺寸元件而判定對準標記之位置。因為每一個別小尺寸間距在基板處不同地終止(像差誘發性位移)，所以可使用具有不同間距之圖案集合來判定關於特徵(例如，隔離(ISO)線及密集線)之間距對由對準感測器所感測之對準信號之效應的資訊。基於此資訊，可執行ISO密集校準。
圖7A至圖7B係關於本發明之另一實施例。在此實施例中，在雙重圖案化(DPT)應用中界定對準標記。諸圖展示基板45，在其頂部上已應用硬式光罩46。在第一圖案化步驟中，在層46中圖案化具有相對小尺寸圖案元件或溝槽48之第一圖案。圖7A中描繪在第一圖案化程序之後的結果。接著，執行第二圖案化步驟，且在層46中圖案化具有相對大尺寸元件49之第二圖案。參看圖7B，小尺寸元件48與大尺寸元件49之組合呈遞對準標記。更具體而言，在第二圖案化程序中界定對準標記自身，而在第一圖案化程序中界定經對準位置。
圖7C展示一替代實施例，其中在第二圖案化程序之後，某些突起(線)47保持存在於由圖7B之大尺寸圖案元件49所佔用的區域中。或者，換言之，在圖案化大尺寸元件期間，保持大尺寸元件之區域處之小尺寸元件的子集為大體上完整的。突起之數目應保持足夠小以形成待形成之組合對準標記的足夠對比度，而同時，數目應足夠大以滿足(例如)由晶片製造商所要求之圖案密集要求。
圖8A至圖8E係關於本發明之另一實施例，其中，類似於結合圖7A至圖7C所描述之實施例，在雙重圖案化(DPT)應用(更具體而言，為雙重曝光應用)中於硬式光罩層中形成對準圖案。本實施例之目標係在第一曝光中界定具有優良對比度之圖案(標記)，且隨後在第二曝光中添加各別程序分段，以便滿足圖案密集要求。諸圖展示基板45，在其頂部上已應用硬式光罩46。在第一圖案化步驟中，在層46中圖案化具有相對大尺寸圖案元件或溝槽50之第一圖案。圖8A及圖8B中描繪在第一圖案化程序之後的結果。在圖8A中，提供許多大尺寸圖案元件50，而在圖8B中，提供具有大尺寸圖案元件51之類似圖案，其中保持許多小尺寸元件(例如，線52)為完整的。然而，小尺寸元件52之間的區域53為足夠大以保持具有基本上大尺寸圖案元件51之圖案。以此方式，可滿足任何圖案密集要求。
在兩個情形中，達成具有相對較高對比度之圖案。接著，執行第二圖案化步驟，且在層46中圖案化具有相對小尺寸元件或溝槽54之第二圖案。始於圖8A之情形，在平行於光柵週期之方向上圖案化溝槽54，此導致圖8C所示之布局。小尺寸元件54與大尺寸元件50之組合呈遞對準標記。圖8A所示之對準標記具有可能為了能夠執行第二曝光而需要之高對比度。然而，標記8A可能違反客戶設計規則。此可為在DPT應用中或當光罩之後為所謂的修整光罩時的特定使用。
始於圖8B之情形(其中原始線或小尺寸元件52之某些部分已保持完整)，不能在平行於光柵週期之方向上圖案化溝槽。實情為，在垂直於光柵週期之方向上圖案化溝槽55(參看灰色區域)，此導致如圖8D之橫截面及圖8E之俯視圖中所示的對準標記。此時，對準標記遵照設計規則，且可蝕刻下伏基板。
圖9A至圖9C說明本發明之另一實施例。圖9A展示基板45，在其頂部上應用硬式光罩60。以此項技術中如此已知之方式，硬式光罩60已具備複數個間隔件62。換言之，在硬式光罩60上，圖案化特徵，在硬式光罩及其特徵上形成薄膜，部分地蝕刻掉薄膜，使得曝光特徵之水平表面，此僅在其側道上留下薄膜材料，且移除原始經圖案化特徵。如圖9A所示，結果為：僅留下薄膜材料，薄膜材料形成間隔件62。間隔件組成小尺寸圖案元件之第一圖案。
在另一步驟中，應用修整光罩，此移除(修整)間隔件之一部分且導致圖9B所示之圖案。修整光罩部分地移除間隔件62，且因此產生相對大尺寸圖案元件63之重複集合。小尺寸圖案元件(間隔件62)與大尺寸圖案元件63之組合形成對準標記。再次，對準標記界定於修整光罩中，而經對準位置係由間隔件之層界定。
圖9C說明具有替代布局之另一實施例。修整光罩移除許多間隔件62，但保持圖9B中由大尺寸元件63所佔用之區域中的若干間隔件64為完整的，以便能夠遵照某些圖案密度要求。
圖10A及圖10B說明本發明之另一實施例。諸圖展示基板，通常為具有大量電容器之記憶體晶片的一部分，在該基板中，存在深溝槽層65。深溝槽層65含有許多深溝槽67(深度通常為8μm或更多)，深溝槽67通常經配置以形成相對小尺寸圖案元件之重複集合。此外，深溝槽67(亦即，小尺寸圖案元件)經配置成深溝槽67之群組以形成重複大尺寸圖案元件集合。深溝槽67之群組共同地形成對準標記。在圖10A中，對準標記包含深溝槽67之三個群組。此數目可變化且在大多數應用中將大於三個。現為了增強對準標記之對比度，可(例如)藉由有效區域曝光程序而移除深溝槽層65之上部部分的一部分(在深溝槽之位置處)。圖10B中說明所得圖案。以如下方式而執行移除：以使得大尺寸圖案元件69部分地重疊於複數個小尺寸圖案元件67同時大尺寸元件69之邊緣係由原始深溝槽67形成之方式而形成許多大尺寸圖案元件69。大尺寸圖案元件之存在改良對準標記之對比度，但對準標記之定位仍係由深溝槽67判定。
在對準標記界定於後續層中之一者中之硬式光罩下方之深溝槽層中的情形中，對比度增強可特別有益。圖10C中示意性地展示此情形。圖10C說明圖10A之布局，其中在深溝槽層65之頂部上，已應用另一層76及硬式光罩70。歸因於另一層76之存在且特別歸因於硬式光罩70之存在，對準標記之對比度(參看圖10C)可能極低。當應用移除深溝槽層65之上部部分之一部分的對比度增強程序(更具體而言為有效區域曝光程序(或可用以增強對比度之任何另一處理步驟))(參看圖10B)且在經處理深溝槽層65之頂部上提供後續層76及硬式光罩70時，此導致具有更好對比度之對準標記(參看圖10D)。可甚至在使得即使存在硬式光罩(形成第三層)仍可藉由第一層(亦即，深溝槽層65)之深溝槽而判定經對準位置的程度上增強對比度。
圖11A及圖11B說明在類似於結合圖10A至圖10D所描述之組態的組態中本發明之另一實施例。在本實施例中，基板包含深溝槽層71，其中已提供複數個深溝槽72。深溝槽72未經分組，但或多或少沿著深溝槽層71而均勻地分布。在深溝槽層71之頂部上，應用另一層74及硬式光罩75。圖11A中展示未界定對準標記之此組態。為了向基板提供對準標記，在若干位置處，移除深溝槽72之上部部分，使得許多大尺寸元件或凹座77存在於深溝槽層71之上部部分中。可藉由任何程序(例如，有效區域曝光程序)而製造凹座。當已製造凹座時，在深溝槽層71之頂部上應用另一層74且隨後應用硬式光罩75。凹座77連同深溝槽72形成對準標記。此對準標記之對比度係由凹座77判定，而經對準位置係由深溝槽層71中之溝槽72判定。
圖12A至圖12C說明本發明之另一實施例，其中將組合不同對準圖案以形成對準標記之概念應用於通孔層。圖12A展示由置放於彼此之頂部上之複數個層78至84構成的基板89。層81及82已具備用於互連金屬層80及82之金屬接觸點或通道86之群組85。通道86在本發明之意義上形成小尺寸圖案元件之重複集合。亦以群組85而配置通道，每一群組形成相對大尺寸元件集合中之元件。在不進一步處理此等小尺寸圖案元件之情形中，可認為小尺寸圖案元件形成對準標記。在圖12A中，描繪通道86之三個群組，但實務上，共同地形成對準標記之群組的數目可不同。然而，此類型之對準標記的對比度可證明為不夠的。為了改良對準標記之對比度(同時保持由通道86所界定之原始對準標記的精確度)，通道之上部部分可經受金屬曝光程序以呈遞圖12B所示之組態。
金屬曝光程序導致通道之上部部分界定大尺寸元件87之重複集合，每一元件87經定尺寸及配置以部分地重疊於通道86之群組85。小尺寸圖案元件(亦即，通道86)與大尺寸元件(亦即，金屬曝光部分)之組合形成對準標記。此對準標記之對比度得以改良，因為其係由大尺寸金屬曝光部分87判定，而精確度(經對準位置)係由小尺寸通道86判定(因為對準標記之邊緣係由通道86形成，如在圖12B中可見)。
在圖12C中，說明本發明之另一實施例。在此實施例中，通道86經定尺寸及配置以用於重複小尺寸圖案元件集合(類似於結合圖12A所論述之實施例)，但小尺寸圖案元件未經分組成形成相對大尺寸元件85之集合。在本實施例中，僅在金屬曝光程序之後形成對準標記以提供如圖12C所示之組態。金屬曝光部分88界定大尺寸元件集合，其結合由通道86所形成之小尺寸元件而形成對準標記。如圖12C所示，金屬曝光部分88經定尺寸及配置成使得對準標記之邊緣係由通道86形成且不係由金屬曝光部分形成。因此，對準標記提供優良對比度，因為其係由大尺寸金屬曝光部分88判定，同時精確度(經對準位置)較高，因為此係由小尺寸通道86判定。在此實施例中，將通道曝光為溝槽，而在其他實施例中，將通道曝光為接觸孔。
在另一實施例(圖中未展示)中，方法包含在基板之曝光場之間的一或多個切割道中提供第一圖案及第二圖案。舉例而言，藉由在基板之第一場之切割道中之左邊一者中提供相對小尺寸圖案元件之第一圖案、在第一場之右邊切割道中提供相對大尺寸圖案元件之第二圖案且重複在基板之第二場之切割道中提供第一圖案及第二圖案之步驟(第二場鄰接於第一場，使得提供於第一場之切割道中之一者中的圖案重疊於提供於第二場之切割道中之一者中的圖案(例如，藉由重疊地曝光第一場及第二場(縫合)))，可達成切割道中之對準標記。在對準標記提供於場之上部切割道及下部切割道中的情況下，類似程序為可能的。
應瞭解，在諸圖所說明之實施例中的若干者中，標記為大體上矩形。應進一步瞭解，標記無需完全為矩形，而可包括在形狀上之微小不規則性，包括(例如)不完全為正方形之轉角，及不完全為筆直及均勻之側。實情為，出於對準目的，標記僅應該為足夠矩形以擔當光柵。
儘管在此本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造積體光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在該等替代應用之情境中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)軌道(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示應用於該等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便形成多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管以上可特定地參考在光學微影術之情境中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影術)中，且在情境允許時不限於光學微影術。在壓印微影術中，圖案化器件中之構形界定形成於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365nm、355nm、248nm、193nm、157nm或126nm之波長)及遠紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為5nm至20nm之範圍內的波長)，以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。
術語「透鏡」在情境允許時可指代各種類型之光學組件之任一者或組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
儘管以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如以上所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之該電腦程式。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見的為，可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
2．．．雷射源
4．．．偵測器
6．．．處理器
8．．．致動器
10．．．鏡面
12．．．半透明鏡面
14．．．鏡面
16．．．雷射光束
16'．．．經繞射輻射
18．．．對準光束
20．．．第一層/光阻層
21．．．第一密集圖案
22．．．基本上平行元件/溝槽
23．．．第二對準圖案
24．．．第二溝槽
25．．．組合對準標記
25'．．．溝槽(或線)
26．．．第一元件22之邊緣
27．．．恆定間距
29．．．第二層
30．．．對準標記
31．．．對準標記
40．．．晶圓
41'．．．晶粒
42．．．對準圖案/對準標記
43．．．重複對準圖案元件
44．．．產品特徵
45．．．基板
46．．．硬式光罩/層
47．．．突起(線)
48．．．相對小尺寸圖案元件或溝槽
49．．．相對大尺寸元件
50．．．相對大尺寸圖案元件或溝槽
51．．．大尺寸圖案元件
52．．．小尺寸元件/線
53．．．小尺寸元件52之間的區域
54．．．相對小尺寸元件或溝槽
55．．．溝槽
60．．．硬式光罩
62．．．間隔件
63．．．相對大尺寸圖案元件
64．．．間隔件
65．．．深溝槽層
67．．．深溝槽
69．．．大尺寸圖案元件
70．．．硬式光罩
71．．．深溝槽層
72．．．深溝槽
74．．．層
75．．．硬式光罩
76．．．層
77．．．大尺寸元件或凹座
78．．．層
79．．．層
80．．．層/金屬層
81．．．層
82．．．層/金屬層
83．．．層
84．．．層
85．．．金屬接觸點或通道86之群組
86．．．通道
87．．．大尺寸元件/大尺寸金屬曝光部分
88．．．金屬曝光部分
89．．．基板
B．．．輻射光束
C．．．目標部分
F．．．列印於第一層中之最小圖案元件尺寸
F2．．．寬度
IF1．．．位置感測器
IF2．．．位置感測器
IL．．．照明系統
M1．．．光罩對準標記
M2．．．光罩對準標記
MA．．．圖案化器件
MT．．．支撐結構
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器
PR．．．重複方向
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台
-圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；
-圖2描繪雷射步進對準裝置之示意圖；
-圖3A描繪第一對準圖案之實施例的示意性表示；
-圖3B描繪用以形成對準標記之第二對準圖案之實施例的示意性表示，第二對準圖案與圖3A之對準圖案組合；
-圖4A描繪由已知曝光方法引起之對準標記；
-圖4B描繪根據本發明之一實施例的由曝光方法引起之對準標記的實施例；
-圖5A至圖5F描繪根據本發明之一實施例的用於判定重疊之各種對準圖案；
-圖6A描繪含有具有扭曲特徵之晶粒之晶圓的俯視圖；
-圖6B更詳細地描繪圖6A之晶粒的俯視圖；
-圖6C描繪待應用於圖6B之晶粒上之樣本標記之實例的俯視圖；
-圖6D描繪圖6B中具備用於量測產品扭曲之複數個樣本標記之晶粒的俯視圖；
-圖7A至圖7C以橫截面描繪在DPT應用中之另外實施例的各別示意性視圖；
-圖8A至圖8D以橫截面描繪展示對比度相對於圖案密度要求之另外實施例的示意性視圖；
-圖8E描繪圖8D所示之實施例的俯視圖；
-圖9A至圖9C以橫截面描繪在間隔件技術應用中之另外實施例的示意性視圖；
-圖10A至圖10D以橫截面描繪在深溝槽應用中之另外實施例的示意性視圖；
-圖11A至圖11B以橫截面描繪在另一深溝槽應用中之另外實施例的示意性視圖；及
-圖12A至圖12C以橫截面描繪在通孔層應用中之另外實施例的示意性視圖。
B．．．輻射光束
C．．．目標部分
IF1．．．位置感測器
IF2．．．位置感測器
IL．．．照明系統
M1．．．光罩對準標記
M2．．．光罩對準標記
MA．．．圖案化器件
MT．．．支撐結構
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台

Claims (23)

  1. 一種在一基板上提供一對準標記集合之方法，該方法包含：在該基板之一層之至少一曝光區域上曝光一第一圖案，該第一圖案包含具有一第一元件尺寸之一重複元件集合；在該第一圖案上曝光一第二圖案，該第二圖案包含一第二元件尺寸之一重複元件集合，該第二元件尺寸不同於該第一元件尺寸，其中該第二元件尺寸可為小尺寸圖案元件或大尺寸圖案元件，且該該第一元件尺寸可為其他的小尺寸圖案元件或大尺寸圖案元件，其中該第一圖案與該第二圖案之該等元件至少部分地重疊並形成一對準標記，該對準標記包含重複大尺寸圖案元件集合，使得當其正確地對準時，在重複方向上該等大尺寸圖案元件之邊緣係由該等小尺寸圖案元件形成。
  2. 如請求項1之方法，其中連續大尺寸圖案元件之間的一空間的一寬度(W)為該等小尺寸圖案元件之一間距的整數倍。
  3. 如請求項1或2之方法，其中該第一圖案包含該小尺寸圖案元件，且該第二圖案包含該大尺寸圖案元件。
  4. 如請求項1或2之方法，其中該第一圖案包含該大尺寸圖案元件，且該第二圖案包含該小尺寸圖案元件。
  5. 如請求項1或2之方法，其中該第一圖案曝光於一第一層 中，且該第二圖案曝光於一第二層中，該第二層至少部分地重疊於該第一層。
  6. 如請求項1或2之方法，其中該第一圖案及該第二圖案兩者均曝光於同一層中。
  7. 如請求項1或2之方法，其中該等對準標記係在成像一具有一解析度之圖案的程序中使用，且該等小尺寸圖案元件係在該圖案之該解析度下定尺寸。
  8. 如請求項7之方法，其包含在該等小尺寸圖案元件之一解析度下對準該等組合對準標記。
  9. 如請求項1或2之方法，其包含在該等小尺寸圖案元件之一解析度下判定該對準標記之一位置。
  10. 如請求項1或2之方法，其包含在該等大尺寸圖案元件之一解析度下判定該對準標記與其周圍之間的一對比度。
  11. 如請求項1或2之方法，其包含：形成一第一對準標記集合，其中一第一層中之該第一圖案包含該小尺寸圖案元件，且一第二層中之該第二圖案包含該大尺寸圖案元件；形成一第二對準標記集合，其中一第一層中之該第一圖案包含該大尺寸圖案元件，且該第二層中之該第二圖案包含該小尺寸圖案元件；自該第一對準標記集合判定該第一層之一位置；自該第二對準標記集合判定該第二層之一位置；及自該第一層之該經判定位置及該第二層之該經判定位置判定一重疊偏移。
  12. 如請求項1或2之方法，其中該等小尺寸圖案元件形成一由線或溝槽所形成之密集圖案。
  13. 如請求項1或2之方法，其中每一元件為實質上矩形，且該等大尺寸圖案元件具有一大於連續小尺寸圖案元件之間的一相互距離的寬度。
  14. 如請求項1或2之方法，其中一圖案之該等小尺寸元件係由一重疊目標區域處之產品特徵形成。
  15. 如請求項1或2之方法，其中在圖案化該等大尺寸圖案元件期間，保持該等大尺寸元件之該等區域處之該等小尺寸圖案元件的一子集為實質上完整的。
  16. 如請求項1或2之方法，其進一步包含複數個大尺寸圖案元件，其在該等小尺寸圖案元件之間具有變化間距。
  17. 一種校準一微影裝置之一投影系統的方法，該方法包含：當該投影系統係在一初始條件下時，在一基板之一層之至少一曝光區域上曝光一第一圖案，該第一圖案包含一重複小尺寸圖案元件集合，且在該第一圖案之頂部上之該至少一曝光區域上曝光一包含一大尺寸圖案元件集合之第二圖案，其中該第一圖案與該第二圖案之該等元件部分地重疊並形成包含一重複大尺寸圖案元件集合之一對準標記，使得當其正確地對準時，在重複方向上該等大尺寸圖案元件之邊緣係由該等小尺寸圖案元件形成；當該投影系統係在加熱條件下時，重複該第一曝光； 及依據該投影系統之至少一部分之溫度而判定關於該等對準標記之扭曲的資訊。
  18. 如請求項17之方法，其進一步包含依據基於關於該扭曲之該預定資訊之該溫度來調適該投影系統之特性。
  19. 如請求項17或18之方法，其中該第一圖案及該第二圖案提供於該基板之曝光場之間的一或多個切割道中。
  20. 如請求項17或18之方法，其進一步包含：在一基板之一第一場之該等切割道中之一者中形成該小尺寸圖案元件之該第一圖案；在該第一場之一相反切割道中形成該大尺寸圖案元件之該第二圖案；及重複在該基板之一第二場之該等切割道中形成該第一圖案及該第二圖案之該等步驟，該第二場鄰接於該第一場，使得提供於該第一場之該等切割道中之一者中的該圖案重疊於提供於該第二場之該等切割道中之一者中的該圖案。
  21. 如請求項17之方法，其進一步包含：照射該第一對準標記集合及該第二對準標記集合；偵測該第一對準標記集合及該第二對準標記集合之間的相關位移。
  22. 一種器件製造方法，其包含：在一基板之一層之至少一曝光區域上轉印一第一圖案，該第一圖案包含具有一第一元件尺寸之一重複元件 集合；在該第一圖案之頂部上之該至少一曝光區域上轉印一第二圖案，該第二圖案包含一第二元件尺寸之一重複元件集合，該第二元件尺寸不同於該第一元件尺寸且可為小尺寸圖案元件或大尺寸圖案元件，其中該第一圖案與該第二圖案之該等元件部分地重疊且組合並形成包含一重複大尺寸圖案元件集合之一對準標記，使得當其正確地對準時，在重複方向上該等大尺寸圖案元件之邊緣係由小尺寸圖案元件形成。
  23. 一種微影裝置，其經配置以將一對準標記圖案自一圖案化器件提供至一基板上，其中該裝置經組態以：在該基板之一層之至少一曝光區域上曝光一第一圖案，該第一圖案包含具有一第一元件尺寸之一重複元件集合；及在該第一圖案之頂部上之該至少一曝光區域上曝光一第二圖案，該第二圖案包含一第二元件尺寸之一重複元件集合，該第二元件尺寸不同於該第一元件尺寸且可為小尺寸圖案元件或大尺寸圖案元件，，其中該第一圖案與該第二圖案之該等元件部分地重疊且形成包含一重複大尺寸圖案元件集合之一對準標記，使得當其正確地對準時，在重複方向上該等大尺寸圖案元件之邊緣係由小尺寸圖案元件形成。
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