CN109901359A - 用于掩膜的对准图形、掩膜及晶圆 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种对准图形，包括设置于对准图形的靠近中间位置的对准标记，对准标记包括：多个对准单元，在第一方向上彼此平行且间隔开地布置；间隔单元，位于多个对准单元之间以用于将多个对准单元隔开，间隔单元的数量比多个对准单元的数量少一个，并且间隔单元和对准单元在第一方向上的尺寸相同，对准标记具有在第一方向上的第一图案尺寸和在与第一方向垂直的第二方向上的第二图案尺寸，第一图案尺寸大于第二图案尺寸，对准单元以等线宽等间距的方式布满在对准标记中。根据本发明设计者能够自行设计有别于曝光机厂商提供的对准图形，改善曝光机的对准，增加了对准图型的多样性以及划片槽的空间使用。本发明还涉及掩膜以及晶圆。

Description

用于掩膜的对准图形、掩膜及晶圆

技术领域

本发明涉及半导体光刻工艺的应用，特别涉及用于掩膜的对准图形、掩膜以及晶圆。

背景技术

在半导体芯片的制造中，随着芯片中承载的集成电路的密度不断增大而且线宽尺寸越来越小，半导体制造中所涉及的工艺的复杂性也加大。光刻工艺是半导体芯片制造工艺中的重要环节。

在现如今的光刻工艺中，各曝光机生产厂商在生产曝光机时通常配置有标准的对准图形，并且由专门的感测器来读取这些标准的对准图形，从而在芯片光刻中进行对准。

然而，由于现有的对准图形必须符合曝光机厂商所规定的原则并且曝光机厂商仅提供标准的对准信息，因此，现有对准图形的尺寸较大进而使得划片槽空间增大，并且用户不能根据实际情况来选择对准图形且对准精度较低，从而对曝光机的应用造成了很大的障碍。

例如，参照附图中的图1，示出了现有技术中的对准图形，其中对准图形长度尺寸b和宽度尺寸a由曝光机厂商在机器出厂时预先设定，并且这些尺寸不能改变，从而限制了对准图形的应用并且会降低对准精度，而且这些对准图形的尺寸通常比较大。

因此，需要一种使得对准图形的选择性增加并且对准图形尺寸大大减小从而增加划片槽空间的对准图形。

在背景技术中公开的上述信息仅用于加强对本发明的背景的理解，因此其可能包含没有形成为本领域普通技术人员所知晓的现有技术的信息。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例希望提供一种能够增加对准图形的选择性以及对准图形大大减小的对准图形，以至少解决现有技术中存在的问题。

本发明实施例的技术方案是这样实现的，根据本发明的一个方面，提供了一种对准图形，用于晶圆曝光时的对准，其特征在于，所述对准图形包括对准标记，所述对准标记设置于所述对准图形的靠近中间位置，并且所述对准标记包括：

多个对准单元，每个所述对准单元在第一方向上彼此平行且间隔开地布置；以及

间隔单元，位于多个所述对准单元之间以用于将多个所述对准单元隔开，所述间隔单元的数量比多个所述对准单元的数量少一个，并且所述间隔单元和所述对准单元在所述第一方向上的尺寸相同，

其中，所述对准标记具有在所述第一方向上的第一图案尺寸和在与所述第一方向垂直的第二方向上的第二图案尺寸，所述第一图案尺寸大于所述第二图案尺寸，并且所述对准单元以等线宽和等间距的方式布满在所述对准标记中。

在一个具体实施例中，所述对准单元可以包括刻线，所述间隔单元可以包括空隙，或者所述对准单元可以包括空隙并且所述间隔单元可以包括刻线。

优选地，所述对准单元的形状可以包括矩形。

在一个具体实施例中，所述对准图形还可以包括在所述第一方向上且位于所述对准标记两侧的第一对称留白参数区，所述第一对称留白参数区在所述第一图案尺寸之外，其中所述第一图案尺寸包括固定尺寸，并且所述第一对称留白参数区包括可调尺寸

在一个具体实施例中，所述对准图形还可以包括在所述第二方向上且位于所述对准标记两侧的第二对称留白参数区，所述第二对称留白参数区在所述第二图案尺寸之外，所述第二图案尺寸包括固定尺寸或可调尺寸，并且所述第二对称留白参数区包括固定尺寸或可调尺寸。

在一个具体实施例中，所述第一图案尺寸可以为136微米，所述第二图案尺寸可以为38至46微米，可以具有26个所述对准单元以及25个所述间隔单元，其中所述对准单元与所述间隔单元在所述第一方向上的尺寸均可以为8/3微米。

在另一个具体实施例中，所述第一图案尺寸可以为136微米，所述第二图案尺寸可以为38至46微米，可以具有60个所述对准单元以及59个所述间隔单元，其中所述对准单元与所述间隔单元在所述第一方向上的尺寸均可以为8/7微米。

在另一个具体实施例中，所述第一图案尺寸可以为328微米，所述第二图案尺寸可以为72微米，可以具有62个所述对准单元以及61个所述间隔单元，其中所述对准单元与所述间隔单元在所述第一方向上的尺寸均可以为8/3微米。

在另一个具体实施例中，所述第一图案尺寸可以为328微米，所述第二图案尺寸可以为72微米，可以具有103个所述对准单元以及102个所述间隔单元，其中所述对准单元与所述间隔单元在所述第一方向上的尺寸可以均为8/5微米。

在另一个具体实施例中，所述第一图案尺寸可以为328微米，所述第二图案尺寸可以为72微米，可以具有144个所述对准单元以及143个所述间隔单元，其中所述对准单元与所述间隔单元在所述第一方向上的尺寸均可以为8/7微米。

在另一个具体实施例中，所述第一图案尺寸可以为136微米，所述第二图案尺寸可以为72微米，可以具有26个所述对准单元以及25个所述间隔单元，其中所述对准单元与所述间隔单元在所述第一方向上的尺寸均可以为8/3微米。

在另一个具体实施例中，所述第一图案尺寸可以为136微米，所述第二图案尺寸可以为72微米，可以具有43个所述对准单元以及42个所述间隔单元，其中所述对准单元与所述间隔单元在所述第一方向上的尺寸均可以为8/5微米。

在另一个具体实施例中，所述第一图案尺寸可以为136微米，所述第二图案尺寸可以为72微米，可以具有60个所述对准单元以及59个所述间隔单元，其中所述对准单元与所述间隔单元在所述第一方向上的尺寸均可以为8/7微米。

进一步地，所述对准标记在所述第二方向上可以被分割成若干段。

进一步地，所述对准标记可以设置成阵列状。

本发明的另一方面还涉及一种掩膜，在该掩膜上设置有如上所述的对准图形。

本发明的又一方面涉及一种晶圆，包括通过如上所述的掩膜在所述晶圆上刻划出的所述对准标记的一部分。

根据本发明，设计者能够自行设计有别于曝光机厂商提供的对准图形，使用后再配合曝光程式使用，从而能够改善曝光机的对准，增加了对准图型的多样性以及划片槽的空间使用(比原先长度相对减少一半)，并且增加了对准精准度的可能性(如现有技术中的设计本来五阶光为最常通用讯号最好光源，但是，经由本发明的图形设记，三阶和七阶光亦可能为讯号最好光源，因此在厂商标准对准图形也针对3&7阶设计)

上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本发明进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。

附图说明

在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或单元。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本发明公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本发明范围的限制。

图1示出了现有技术中的标准对准图形的示意图。图2示出了根据本发明一个实施例的对准图形的示意图。

图3示出了将图2中所示的对准图形制成为凹槽的示意图。

图4示出了将图2中所示的对准图形制成为凸条的示意图。

图5示出了将图2中所示的对准图形制成为节段的示意图，其中左侧为立体图，右侧为俯视图。以及

图6示出了将图2中所示的对准图形制成为阵列的示意图，其中左侧为立体图，右侧为俯视示意图。

附图标号说明：

现有技术：

a 对准图形的宽度尺寸；

b 对准图形的长度尺寸；

本发明：

100 本发明的对准图形；

110 对准标记；

111 对准单元(刻线)；

112 间隔单元(空隙)；

121 第一延伸区域；

122 第二延伸区域；

123 第三延伸区域；

124 第四延伸区域；

B 第一图案尺寸(对准标记长度)；

A 第二图案尺寸(对准标记宽度)；

X 第一方向；

Y 第二方向；

EB X方向上的留白长度；

EA Y方向上的留白长度；

L 线宽；

S 空隙宽度(间距)。

具体实施方式

在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接，还可以是通信；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。现在根据附图来描述根据本发明的具体实施例。

图2示出了根据本发明一个实施例的对准图形的示意图。

在附图2中，对准图形总体上利用附图标记100来表示。对准图形100包括：对准标记110；以及围绕对准标记110布置四个延伸区域。这四个延伸区域为：第一延伸区域121；第二延伸区域122；第三延伸区域123；和第四延伸区域124，其中第一延伸区域121和第二延伸区域122具体地为在第一方向X上且位于对准标记110两侧的第一对称留白参数区，第一对称留白参数区包括可调尺寸；第三延伸区域123和第四延伸区域124具体地为在第二方向Y上且位于对准标记110两侧的第二对称留白参数区，并且第二对称留白参数区包括固定尺寸或可调尺寸。

具体地，对准标记110具有在第一方向(具体地为X方向)上的第一图案尺寸和在与第二方向(具体地为Y方向)上的第二图案尺寸，其中，第一图案尺寸具体地为对准标记长度B，并且第二图案尺寸具体地为对准标记宽度A，并且第一图案尺寸包括固定尺寸，第二图案尺寸包括固定尺寸或可调尺寸。第一对称留白参数区在第一图案尺寸之外，第二对称留白参数区在第二图案尺寸之外。

进一步地，对准标记110包括对准单元111和间隔单元112。对准单元111在沿X方向上彼此平行地设置有多个。间隔单元112位于多个对准单元111之间以用于将多个对准单元111隔开。间隔单元112的数量比多个对准单元111的数量少一个，并且间隔单元112和对准单元111在X方向上的尺寸相同。具体地，在如图2所示的实施例中，对准单元111和间隔单元112的形状为尺寸相同的邻接的矩形。

但本发明并不局限于此，对准单元111或间隔单元112可以是其它形状，例如，对准单元还可以是圆形、十字形、S形、多边形等。

图2中示出的对准单元111是刻线，间隔单元112是空隙，反之亦然，即：对准单元111当然也可以是空隙而间隔单元112也可以是刻线，其中，刻线的宽度(具体地线宽)为L，空隙宽度(具体地为间距)为S，且L＝S。图2中所示的对准单元111以等线宽L和等间距S布满在对准标记110中。

第一延伸区域121和第二延伸区域122分别设置在对准标记110在X方向上的左右两侧，并且第三延伸区域123和第四延伸区域12分别设置在对准标记110在Y方向上的上下两侧，并且分别与第一延伸区域121和第二延伸区域122邻接。

在本发明中，由于第一延伸区域121、第二延伸区域122、第三延伸区域123和第四延伸区域124是对准标记110边缘侧的留白区域，因此，通过这些延伸区域可以调节(即改变)对准标记110的具体地为对准标记长度B的第一图案尺寸和具体地为对准标记宽度A的第二图案尺寸，从而使得对准图形的选择灵活性大大增加。

具体地，第一延伸区域121和第二延伸区域122在X方向上的留白长度EB可以在20至100微米之间，并且，第三延伸区域123和第四延伸区域124在Y方向上的留白长度EA可以在1至10微米之间。

以下通过八种示例来说明图2中的对准图形100的参数具体尺寸。

示例1

在示例1中，对准标记长度B可以为136微米，对准标记宽度A可以为38至46微米。

可以具有26个刻线111以及25个空隙112，其中刻线111的宽度L与空隙112的宽度S之和可以为8/3微米，因此，当需要将示例1中的对准图形刻划到掩膜以及晶圆上时，最好地可以利用三阶光来进行曝光。

在示例中，X方向上的留白长度EB可以为50至60微米，在Y方向上的留白长度EA可以为2至3微米。

示例2

在示例2中，对准标记长度B可以为136微米，对准标记宽度A可以为38至46微米。

可以具有60个刻线111以及59个空隙112，其中刻线111的宽度L与空隙112的宽度S之和可以为8/7微米，因此，当需要将示例2中的对准图形刻划到掩膜以及晶圆上时，最好地可以利用七阶光来进行曝光。

在示例2中，X方向上的留白长度EB可以为50至60微米，在Y方向上的留白长度EA可以为2至3微米。

示例3

在示例3中，对准标记长度B可以为328微米，对准标记宽度A可以为72微米。

可以具有62个刻线111以及61个空隙112，其中刻线111的宽度L与空隙112的宽度S之和可以为8/3微米，因此，当需要将示例3中的对准图形刻划到掩膜以及晶圆上时，最好地可以利用三阶光来进行曝光。

在示例3中，X方向上的留白长度EB可以为50至60微米，在Y方向上的留白长度EA可以为2微米。

示例4

在示例4中，对准标记长度B可以为328微米，对准标记宽度A可以为72微米。

可以具有103个刻线111以及102个空隙112，其中刻线111的宽度L与空隙112的宽度S之和可以为8/5微米，因此，当需要将示例4中的对准图形刻划到掩膜以及晶圆上时，最好地可以利用五阶光来进行曝光。

在示例4中，X方向上的留白长度EB可以为50至60微米，在Y方向上的留白长度EA可以为2微米。

示例5

在示例5中，对准标记长度B可以为328微米，对准标记宽度A可以为72微米。

可以具有144个刻线111以及143个空隙112，其中刻线111的宽度L与空隙112的宽度S之和可以为8/7微米，因此，当需要将示例5中的对准图形刻划到掩膜以及晶圆上时，最好地可以利用七阶光来进行曝光。

在示例5中，X方向上的留白长度EB可以为50至60微米，在Y方向上的留白长度EA可以为2微米。

示例6

在示例6中，对准标记长度B可以为136微米，对准标记宽度A可以为72微米。

可以具有26个刻线111以及25个空隙112，其中刻线111的宽度L与空隙112的宽度S之和可以为8/3微米，因此，当需要将示例6中的对准图形刻划到掩膜以及晶圆上时，最好地可以利用三阶光来进行曝光。

在示例6中，X方向上的留白长度EB可以为50至60微米，在Y方向上的留白长度EA可以为2微米。

示例7

在示例7中，对准标记长度B可以为136微米，对准标记宽度A可以为72微米。

可以具有43个刻线111以及42个空隙112，其中刻线111的宽度L与空隙112的宽度S之和可以为8/5微米，因此，当需要将示例7中的对准图形刻划到掩膜以及晶圆上时，最好地可以利用五阶光来进行曝光。

在示例7中，X方向上的留白长度EB可以为50至60微米，在Y方向上的留白长度EA可以为2微米。

示例8

在示例8中，对准标记长度B可以为136微米，对准标记宽度A可以为72微米。

可以具有60个刻线111以及59个空隙112，其中刻线111的宽度L与空隙112的宽度S之和可以为8/7微米，因此，当需要将示例8中的对准图形刻划到掩膜以及晶圆上时，最好地可以利用七阶光来进行曝光。

在示例8中，X方向上的留白长度EB可以为50至60微米，在Y方向上的留白长度EA可以为2微米。

尽管上面为了便于理解而示出了八种对准图形的示例，但本发明并不限于此，对准图形的各个固定的或可调节的尺寸不受限制，只要其具有留白参数即可。

根据掩膜性质，本发明的对准图形可以制成为多种式样。

如图3所示，对准图形可以被制成为凹槽状，其中对准单元111为凹槽(空隙)，间隔单元112是位于这些凹槽之间的刻线。

如图4所示，对准图形可以被制成为凸条状，其中对准单元111为凸起的刻线，间隔单元112是位于这些刻线之间的槽(空隙)。

如图5所示，对准图形可以被制成为如图4所示的凸条状，并且可以在Y方向上将这些凸条分割成若干段(图5中具体地为两段)，这些段的长度在图5中相等，但是也可以不相等。

虽然未示出，但是对准图形可以被制成为如图3所示的凹槽状，并且可以在Y方向上将这些凹槽分割成若干段。

如图6所示，对准图形可以被制成为如图所示的凸条状，并且可以将凸条制成为阵列状。

虽然未示出，但是对准图形可以被制成为如图3所示的凹槽状，并且可以将这些凹槽制成为阵列状。

上述八种示例性对准图形是最终图形定义(通常是光刻和蚀刻(Litho-etc))为主，但是重复曝光(double patterning)须看最终图形(例如，Litho-etch-Litho-etch后的完整图形，或者是SPT(Spacer制程)后最终完整图形。因此，这些对准图形可以是除了在光刻和蚀刻之后定义图形，也可以是在重复曝光后定义图形。

当然本发明并不限于此，而可以是除了这八种对准图形之外的其它设计的图形。

本发明还涉及一种掩膜，在该掩膜上设置有如上所述的八种对准图形。

另外，本发明还涉及一种晶圆，该晶圆可以包括通过上述掩膜在晶圆上刻划出的对准图形。

本发明通过良好的对准图型设计，可以影响产品线的曝光图形叠对(overlay)稳定性以及光刻工艺再制(rework)。

本发明的对准图形可以比厂商提供的标准对准图形的尺寸减小一半，并且用户的选择增加，从而有机会选择出比先前样式的图形更为精准的对准图形。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到其各种变化或替换，这些都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (17)

1.一种对准图形，用于晶圆曝光时的对准，其特征在于，所述对准图形包括对准标记，所述对准标记设置于所述对准图形的靠近中间位置，并且所述对准标记包括：

多个对准单元，每个所述对准单元在第一方向上彼此平行且间隔开地布置；以及

间隔单元，位于多个所述对准单元之间以用于将多个所述对准单元隔开，所述间隔单元的数量比多个所述对准单元的数量少一个，并且所述间隔单元和所述对准单元在所述第一方向上的尺寸相同，

其中，所述对准标记具有在所述第一方向上的第一图案尺寸和在与所述第一方向垂直的第二方向上的第二图案尺寸，所述第一图案尺寸大于所述第二图案尺寸，并且所述对准单元以等线宽和等间距的方式布满在所述对准标记中。

2.如权利要求1所述的对准图形，其特征在于，所述对准单元包括刻线，所述间隔单元包括空隙，或者所述对准单元包括空隙并且所述间隔单元包括刻线。

3.如权利要求1所述的对准图形，其特征在于，所述对准图形还包括在所述第一方向上且位于所述对准标记两侧的第一对称留白参数区，所述第一对称留白参数区在所述第一图案尺寸之外，其中所述第一图案尺寸包括固定尺寸，并且所述第一对称留白参数区包括可调尺寸。

4.如权利要求3所述的对准图形，其特征在于，所述对准图形还包括在所述第二方向上且位于所述对准标记两侧的第二对称留白参数区，所述第二对称留白参数区在所述第二图案尺寸之外，所述第二图案尺寸包括固定尺寸或可调尺寸，并且所述第二对称留白参数区包括固定尺寸或可调尺寸。

5.如权利要求1所述的对准图形，其特征在于，所述对准单元的形状包括矩形。

6.如权利要求1所述的对准图形，其特征在于，所述第一图案尺寸为136微米，所述第二图案尺寸为38至46微米，具有26个所述对准单元以及25个所述间隔单元，其中所述对准单元与所述间隔单元在所述第一方向上的尺寸均为8/3微米。

7.如权利要求1所述的对准图形，其特征在于，所述第一图案尺寸为136微米，所述第二图案尺寸为38至46微米，具有60个所述对准单元以及59个所述间隔单元，其中所述对准单元与所述间隔单元在所述第一方向上的尺寸均为8/7微米。

8.如权利要求1所述的对准图形，其特征在于，所述第一图案尺寸为328微米，所述第二图案尺寸为72微米，具有62个所述对准单元以及61个所述间隔单元，其中所述对准单元与所述间隔单元在所述第一方向上的尺寸均为8/3微米。

9.如权利要求1所述的对准图形，其特征在于，所述第一图案尺寸为328微米，所述第二图案尺寸为72微米，具有103个所述对准单元以及102个所述间隔单元，其中所述对准单元与所述间隔单元在所述第一方向上的尺寸均为8/5微米。

10.如权利要求1所述的对准图形，其特征在于，所述第一图案尺寸为328微米，所述第二图案尺寸为72微米，具有144个所述对准单元以及143个所述间隔单元，其中所述对准单元与所述间隔单元在所述第一方向上的尺寸均为8/7微米。

11.如权利要求1所述的对准图形，其特征在于，所述第一图案尺寸为136微米，所述第二图案尺寸为72微米，具有26个所述对准单元以及25个所述间隔单元，其中所述对准单元与所述间隔单元在所述第一方向上的尺寸均为8/3微米。

12.如权利要求1所述的对准图形，其特征在于，所述第一图案尺寸为136微米，所述第二图案尺寸为72微米，具有43个所述对准单元以及42个所述间隔单元，其中所述对准单元与所述间隔单元在所述第一方向上的尺寸均为8/5微米。

13.如权利要求1所述的对准图形，其特征在于，所述第一图案尺寸为136微米，所述第二图案尺寸为72微米，具有60个所述对准单元以及59个所述间隔单元，其中所述对准单元与所述间隔单元在所述第一方向上的尺寸均为8/7微米。

14.如权利要求1所述的对准图形，其特征在于，所述对准标记在所述第二方向上被分割成若干段。

15.如权利要求1所述的对准图形，其特征在于，所述对准标记设置成阵列状。

16.一种掩膜，在该掩膜上设置有如权利要求1-15中任一项所述的对准图形。

17.一种晶圆，包括通过权利要求16所述的掩膜在所述晶圆上刻划出的所述对准标记的一部分。