KR20230123101A

KR20230123101A - 마스크 및 이의 제조 방법

Info

Publication number: KR20230123101A
Application number: KR1020220019773A
Authority: KR
Inventors: 김세일; 이상민
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2022-02-15
Filing date: 2022-02-15
Publication date: 2023-08-23
Also published as: CN219891544U; WO2023158194A1; US20230259018A1; CN116609995A

Abstract

마스크는 제1 방향을 따라 연장된 길이를 갖고, 상기 제1 방향을 따라 배열되고 각각이 복수의 제1 홀들을 포함하는 복수의 제1 셀 영역들 및 각각이 복수의 제2 홀들을 포함하는 복수의 제2 셀 영역들이 정의된 몸체, 및 상기 제1 방향을 따라 상기 몸체로부터 돌출되고 상기 몸체와 일체의 형상을 이루는 클램핑부를 포함하고, 상기 몸체에는 상기 제1 홀들 및 상기 제2 홀들과 비 중첩하는 정렬 마크가 정의되고, 상기 정렬 마크는 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에서 볼 때 상기 제1 및 제2 셀 영역들 각각에 중첩한다.

Description

마스크 및 이의 제조 방법{MASK AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 마스크 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.

표시 패널은 복수의 화소들을 포함한다. 화소들 각각은 트랜지스터와 같은 구동 소자 및 유기발광 다이오드와 같은 표시 소자를 포함한다. 표시 소자는 기판 상에 전극과 발광 패턴을 적층하여 형성될 수 있다.

발광 패턴은 소정의 영역에 형성되도록 홀들이 정의된 마스크를 이용하여 패터닝된다. 발광 패턴은 개구부에 의해 노출된 영역에 형성될 수 있다. 발광 패턴의 형상은 개구부의 형상에 따라 제어될 수 있다.

본 발명의 목적은 표시 장치의 생산성을 향상시킬 수 있는 마스크 및 이의 제조 방법을 제공하는데 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 마스크는 제1 방향을 따라 연장된 길이를 갖고, 상기 제1 방향을 따라 배열되고 각각이 복수의 제1 홀들을 포함하는 복수의 제1 셀 영역들 및 각각이 복수의 제2 홀들을 포함하는 복수의 제2 셀 영역들이 정의된 몸체, 및 상기 제1 방향을 따라 상기 몸체로부터 돌출되고 상기 몸체와 일체의 형상을 이루는 클램핑부를 포함하고, 상기 몸체에는 상기 제1 홀들 및 상기 제2 홀들과 비 중첩하는 정렬 마크가 정의되고, 상기 정렬 마크는 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에서 볼 때 상기 제1 및 제2 셀 영역들 각각에 중첩한다.

상기 정렬 마크는 홀 또는 함몰부일 수 있다.

상기 정렬 마크는 포토레지스트를 포함할 수 있다.

상기 정렬 마크는 상기 제1 방향을 따라 정렬된 복수의 마크들을 포함할 수 있다.

상기 정렬 마크는 상기 제1 홀들 및 상기 제2 홀들을 사이에 두고 상기 제2 방향에서 이격된 제1 정렬 마크 및 제2 정렬 마크를 포함하고, 상기 제1 및 제2 정렬 마크들 각각은 상기 마크들을 포함하고 상기 제1 및 제2 정렬 마크들 각각의 마크들은 상기 제2 방향에서 서로 정렬될 수 있다.

상기 마크들 각각의 형상은 평면상에서 원형, 타원형, 또는 십자형일 수 있다.

상기 정렬 마크는 상기 제1 홀들 및 상기 제2 홀들을 사이에 두고 상기 제2 방향에서 이격된 제1 정렬 마크 및 제2 정렬 마크를 포함하고, 상기 제1 및 제2 정렬 마크들 각각은 상기 제1 방향을 따라 연장된 바 형상을 갖고, 상기 제1 및 제2 정렬 마크들은 상기 제2 방향에서 서로 정렬될 수 있다.

상기 바 형상의 상기 제1 방향에서의 길이는 상기 제1 및 제2 셀 영역들 중 서로 인접하는 셀 영역들 사이의 간격 이상일 수 있다.

상기 몸체는, 상기 제1 셀 영역들이 정의된 제1 몸체, 및 상기 제2 셀 영역들이 정의된 제2 몸체를 포함하고, 상기 정렬 마크는 복수로 구비되어 상기 제1 몸체와 상기 제2 몸체에 각각 정의되고 평면상에서 중첩할 수 있다.

상기 제1 몸체와 상기 제2 몸체를 결합하는 용접부를 더 포함할 수 있다.

상기 용접부는 상기 정렬 마크와 평면상에서 중첩할 수 있다.

상기 제1 몸체와 상기 제2 몸체 각각은 상기 제1 방향에서 서로 맞물릴 수 있다.

상기 정렬 마크는 상기 제1 셀 영역들과 상기 제2 셀 영역들이 서로 인접하는 영역에 배치되고, 상기 제1 셀 영역들과 상기 제2 셀 영역들의 수는 동일할 수 있다.

상기 정렬 마크는 상기 제1 셀 영역들과 상기 제2 셀 영역들이 서로 인접하는 영역에 배치되고, 상기 제1 셀 영역들과 상기 제2 셀 영역들의 수는 상이할 수 있다.

상기 제1 셀 영역들의 수는 상기 제2 셀 영역들의 수보다 클 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 제조 방법은 제1 영역 및 제2 영역이 정의된 패턴 영역을 포함하는 마스크 시트를 제1 롤러 및 제2 롤러 상에 배치하는 단계, 상기 제1 롤러 및 상기 제2 롤러를 회전시켜, 상기 패턴 영역을 노광 모듈 상에 배치하는 단계, 상기 노광 모듈을 통해 상기 제1 영역에 대한 제1 노광 공정을 수행하여, 상기 제1 영역에 제1 패턴 및 정렬 마크를 형성하는 단계, 상기 정렬 마크를 통해 상기 노광 모듈을 제2 영역에 정렬하는 단계, 및 상기 노광 모듈을 통해 상기 제2 영역에 대한 제2 노광 공정을 수행하여, 상기 제2 영역에 제2 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.

상기 제1 영역과 상기 제2 영역은 부분적으로 중첩하고, 상기 정렬 마크는 상기 제1 영역과 상기 제2 영역이 중첩하는 영역에 형성될 수 있다.

상기 제1 패턴과 상기 정렬 마크는 하나의 포토마스크를 통해 동시에 형성될 수 있다.

상기 정렬하는 단계에서, 상기 제2 영역과 제1 영역은 상기 정렬 마크를 이용하여 제1 방향을 따라 정렬될 수 있다.

상기 제1 방향을 기준으로 상기 제1 영역의 길이와 상기 제2 영역의 길이는 실질적으로 동일할 수 있다.

상기 마스크 시트는 상기 제2 영역으로부터 이격되어 상기 제1 영역과 부분적으로 중첩하는 제3 영역을 더 포함하고, 상기 노광 모듈을 통해 상기 제3 영역에 대한 제3 노광 공정을 수행하여, 상기 제3 영역에 제3 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1 방향을 기준으로, 상기 제1 영역의 길이는 상기 제2 영역의 길이 또는 상기 제3 영역의 길이보다 길 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 제조 방법은 제3 영역에 제3 패턴을 형성하는 단계 이전에 상기 노광 모듈을 제3 영역에 정렬하는 단계를 더 포함하고, 상기 정렬 마크는 상기 제1 영역 중 상기 제2 영역과 중첩하는 영역에 형성되는 제1 정렬 마크 및 상기 제1 영역 중 상기 제3 영역과 중첩하는 영역에 형성되는 제2 정렬 마크를 포함할 수 있다.

상기 정렬 마크는 상기 제1 방향을 따라 배열된 복수의 원형 패턴들, 복수의 십자형 패턴들, 및 상기 제1 방향을 따라 연장된 바 형상 패턴 중 어느 하나일 수 있다.

본 발명에 따르면, 대면적 증착을 위한 마스크를 용이하게 생성할 수 있다.

본 발명에 따르면, 표시 장치의 불량률을 감소시킬 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 마스크 어셈블리를 예시적으로 도시하는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 마스크의 사시도이다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 일 실시 예에 따른 마스크들을 도시하는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 마스크를 이용하여 표시 장치를 제조하는 과정을 예시적으로 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 마스크를 제조하는 방법을 나타내는 순서도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 마스크를 제조하는 공정들 중 노광 공정을 수행하는 시스템의 전체적인 모습을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 7은 도 6에 도시된 마스크 시트의 형상을 예시적으로 도시하는 도면이다.
도 8a 내지 도 8i는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 제조하는 공정들을 개략적으로 도시하는 도면들이다.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 일 실시예에 따른 노광 정렬홀들을 도시한 평면도들이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크의 사시도이다.
도 11a 내지 도 11d는 도 10에 도시된 마스크의 제조 공정을 설명하기 위한 도면들이다.
도 12a 내지 도 12d는 도 10에 도시된 마스크의 제조 공정을 설명하기 위한 도면들이다.
도 13a 및 도 13b는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 설명하기 위한 도면들이다.
도 14a 및 도 14b는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 설명하기 위한 도면들이다.
도 15a 내지 도 15c는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 설명하기 위한 도면들이다.

본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.

동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.

"및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.

또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.

다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의될 수 있다.

"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 마스크 어셈블리를 예시적으로 도시하는 도면이다. 도 2는 도 1에 도시된 마스크의 사시도이다.

마스크 어셈블리(MA)는 표시 장치를 제조하는 공정에 이용될 수 있다. 구체적으로, 마스크 어셈블리(MA)는 표시 장치의 증착 기판에 유기 발광 소자층을 증착하는 공정에서 이용될 수 있다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 마스크 어셈블리(MA)는 복수 개의 마스크들(MK) 및 마스크 프레임(MF)을 포함할 수 있다. 마스크 어셈블리(MA)는 제1 방향(DR1)으로 연장하는 변들 및 제2 방향(DR2)으로 연장하는 변들을 갖는 사각형 형상을 가질 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 마스크 어셈블리(MA)는 표시 장치의 형상에 대응하여 다양한 형상을 가질 수 있다.

이하, 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 의해 정의된 평면과 실질적으로 수직하게 교차하는 방향은 제3 방향(DR3)으로 정의된다. 본 명세서에서 "평면상에서 봤을 때"의 의미는 제3 방향(DR3)에서 바라본 상태를 의미할 수 있다.

마스크 프레임(MF)은, 평면상에서 바라봤을 때, 사각 폐라인 형상을 가질 수 있다. 구체적으로, 마스크 프레임(MF)은 제1 방향(DR1)으로 연장하는 2개의 프레임들과 제2 방향(DR2)으로 연장하는 2개의 프레임들을 포함할 수 있다. 마스크 프레임(MF)의 중심부에는, 프레임들이 연결됨에 따라 개구부가 정의될 수 있다.

마스크 프레임(MF)은 충분한 강성을 가질 수 있다. 예를 들어, 마스크 프레임(MF)은 스테인리스 스틸(SUS), 인바(Invar) 합금, 니켈(Ni), 코발트(Co) 등과 같은 금속 물질을 포함할 수 있다.

마스크 프레임(MF)에는 마스크들(MK)이 고정될 수 있다. 예를 들어, 마스크들(MK)은 제2 방향(DR2)을 따라 배열된 상태로 마스크 프레임(MF)에 고정될 수 있다. 마스크(MK)들 각각은 제1 방향(DR1)을 따라 연장할 수 있다. 본 실시예에서, 마스크 프레임(MF)의 제1 방향(DR1)에서의 길이(LM, 마스크 프레임 길이)는 약 1200mm 이상일 수 있다. 이에 따라, 마스크(MK)의 제1 방향(DR1)에서의 길이는 마스크 프레임 길이(LM) 이상일 수 있다. 예를 들어, 마스크 프레임 길이(LM) 및 마스크(MK)의 제1 방향(DR1)에서의 길이는 약 2000mm 이상일 수 있다. 본 발명에 따르면, 1200mm 이상의 길이를 가진 일체형의 마스크(MK)를 용이하게 제공할 수 있어, 대면적의 표시 장치가 제공될 수 있고, 더 많은 수의 셀 영역들을 증착할 수 있는 대 면적의 마스크 어셈블리(MA)가 제공될 수 있다. 한편, 마스크 프레임의 길이(LM)는 1200mm 이하일 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

마스크(MK)는 몸체(BO), 클램핑부(CP), 복수 개의 제1 셀 영역들(CEL1), 및 복수 개의 제2 셀 영역들(CEL2)을 포함할 수 있다.

몸체(BO)는 제1 방향(DR1)으로 연장하는 장변들을 갖고, 제2 방향(DR2)으로 연장하는 단변들을 가질 수 있다. 평면상에서 바라봤을 때, 몸체(BO)는 제1 방향(DR1)으로 길게 연장하는 직사각형 형상을 가질 수 있다. 클램핑부(CP)는 몸체(BO)의 단변들로부터 제1 방향(DR1)으로 연장할 수 있다. 클램핑부(CP)는 몸체(BO)가 마스크 프레임(MF)에 고정된 이후에 제거될 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 몸체(BO)는 제1 부분(PP1), 제2 부분(PP2), 및 중첩 부분(PP0)을 포함할 수 있다. 중첩 부분(PP0)은 제1 부분(PP1)과 제2 부분(PP2) 사이에 배치될 수 있다. 제1 방향(DR1)을 기준으로, 제1 부분(PP1), 중첩 부분(PP0), 및 제2 부분(PP2)이 순차적으로 배열될 수 있다.

제1 방향(DR1)을 기준으로, 제1 부분(PP1)의 길이와 중첩 부분(PP0)의 길이의 합은 제1 길이(L1)일 수 있다. 제1 방향(DR1)을 기준으로, 제2 부분(PP2)의 길이와 중첩 부분(PP0)의 길이의 합은 제2 길이(L2)일 수 있다. 중첩 부분(PP0)의 길이는 제3 길이(L3)일 수 있다.

복수의 셀 영역들(CEL1, CEL2)은 복수의 제1 셀 영역들(CEL1) 및 복수의 제2 셀 영역들(CEL2)을 포함할 수 있다.

제1 셀 영역들(CEL1)은 제1 부분(PP1) 및 중첩 부분(PP0) 중 일부에 정의될 수 있다. 평면상에서 바라봤을 때, 제1 셀 영역들(CEL1) 각각은 사각형 형상을 가질 수 있다. 제1 셀 영역들(CEL1) 각각의 제1 방향(DR1)으로의 길이는 제4 길이(L4)일 수 있다. 제4 길이(L4)는 제1 길이(L1)보다 작을 수 있다. 도시하지는 않았으나, 제1 셀 영역(CEL1)의 면적은 실질적으로 하나의 표시 장치의 면적에 대응할 수 있다.

도 2에서는 제1 부분(PP1)에 정의되는 제1 셀 영역들(CEL1)의 개수를 4개로 도시하였으나, 이는 설명의 편의를 위한 것일 뿐, 제1 셀 영역들(CEL1)의 개수가 이에 한정되는 것은 아니다. 실제로, 제1 부분(PP1)에 정의되는 제1 셀 영역들(CEL1)의 개수는 4개보다 많을 수 있다.

제1 셀 영역들(CEL1)은 제1 방향(DR1)으로 서로 이격될 수 있다. 예를 들어, 제1 방향(DR1)으로 서로 인접한 제1 셀 영역들(CEL1) 사이의 간격은 제1 거리(d1)일 수 있다. 제1 셀 영역들(CEL1) 각각에는 서로 이격된 복수 개의 제1 홀들(H1)이 정의될 수 있다. 제1 거리(d1)는 제1 셀 영역들(CEL1) 내에서의 제1 홀들(H1) 사이의 간격과 동일하거나 클 수 있다. 평면상에서 바라봤을 때, 제1 홀들(H1) 각각은 사각형 형상을 가질 수 있다. 제1 홀들(H1)은 두께 방향(예를 들어, 제3 방향(DR3))으로 몸체(BO)를 관통할 수 있다.

도 2에서는 하나의 제1 셀 영역(CEL1)에 정의되는 제1 홀들(H1)의 개수를 20개로 도시하였으나, 실제로 하나의 제1 셀 영역(CEL1)에 정의되는 제1 홀들(H1)의 개수는 이보다 많을 수 있다. 또한, 제1 홀들(H1)의 형상이 사각형 형상에 한정되는 것은 아니며, 제1 홀들(H1)의 형상은 다양하게 변경될 수 있다.

제1 셀 영역들(CEL1) 중 제2 셀 영역들(CEL2)에 인접하는 제1 셀 영역(CEL10)은 제1 부분(PP1)과 중첩 부분(PP0)에 걸쳐 정의될 수 있다. 즉, 제1 셀 영역(CEL10) 중 일부는 제1 부분(PP1)에 형성되고, 제1 셀 영역(CEL10) 중 나머지는 중첩 부분(PP0)에 형성될 수 있다.

제2 셀 영역들(CEL2)은 제2 부분(PP2) 및 중첩 부분(PP0) 중 일부에 정의될 수 있다. 평면상에서 바라봤을 때, 제2 셀 영역들(CEL2) 각각은 사각형 형상을 가질 수 있다. 제2 셀 영역들(CEL2) 각각의 제1 방향(DR1)으로의 길이는 제5 길이(L5)일 수 있다. 본 실시 예에서 제5 길이(L5)는 제4 길이(L4)와 같을 수 있다.

제2 셀 영역들(CEL2)은 제1 방향(DR1)으로 서로 이격될 수 있다. 예를 들어, 인접한 제2 셀 영역들(CEL1) 사이의 간격은 제2 거리(d2)일 수 있다. 본 실시 예에서, 제2 거리(d2)는 제1 거리(d1)와 같을 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 제2 거리(d2)는 제1 거리(d1)와 상이할 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

제2 셀 영역들(CEL2) 각각에는 복수 개의 제2 홀들(H2)이 정의될 수 있다. 제2 거리(d2)는 제2 셀 영역들(CEL2) 내에서의 제2 홀들(H2) 사이의 간격과 동일하거나 클 수 있다. 평면상에서 바라봤을 때, 제2 홀들(H2) 각각은 사각형 형상을 가질 수 있다. 제2 홀들(H2)은 두께 방향(예를 들어, 제3 방향(DR3))으로 몸체(BO)를 관통할 수 있다. 다만, 제2 홀들(H2)의 형상이 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 홀들(H2)의 형상은 마름모, 원형 등과 같이 다양하게 변경될 수 있다.

제2 셀 영역들(CEL2) 중 제1 셀 영역들(CEL1)에 인접하는 제2 셀 영역(CEL20)은 제2 부분(PP2)과 중첩 부분(PP0)에 걸쳐 정의될 수 있다. 즉, 제2 셀 영역(CEL20) 중 일부는 제2 부분(PP2)에 형성되고, 제2 셀 영역(CEL20) 중 나머지는 중첩 부분(PP0)에 형성될 수 있다.

본 실시예에 따르면, 중첩 부분(PP0)에는 제1 셀 영역(CEL10) 중 일부와 제2 셀 영역(CEL20) 중 일부가 정의될 수 있다. 한편, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 셀 영역들의 배열 및 개수에 따라, 중첩 부분(PP0)에 하나의 셀 영역만 배치되거나 세 개 이상의 셀 영역들이 정의될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

제1 셀 영역(CEL10)과 제2 셀 영역(CEL20) 사이의 간격은 제3 거리(d3)일 수 있다. 제3 거리(d3)는 제1 거리(d1) 또는 제2 거리(d2)와 같을 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 제3 거리(d3)는 제1 거리(d1) 및 제2 거리(d2)와 상이할 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

한편, 도시되지 않았으나, 제1 셀 영역(CEL10)과 제2 셀 영역(CEL20) 사이에는 더미 홀들(미도시)이 더 추가될 수도 있다. 더미 홀들은 제1 홀(H1) 또는 제2 홀(H2)과 동일하거나 부분적으로 동일한 형상일 수 있다. 즉, 더미 홀들은 제2 방향(DR2)을 따라 배열된 4 개의 홀들로 구성될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(MK)는 정렬 마크(AMK)를 포함할 수 있다. 정렬 마크(AMK)는 중첩 부분(PP0)에 정의될 수 있다. 정렬 마크(AMK)는 제2 방향(DR2)에서 서로 이격되어 배치된 복수의 제1 정렬 마크들(AM1) 및 복수의 제2 정렬 마크들(AM2)을 포함할 수 있다.

제1 정렬 마크들(AM1) 및 제2 정렬 마크들(AM2)은 평면상에서 볼 때, 셀 영역들(CEL1, CEL2, CEL0)과 비 중첩하여 배치될 수 있다. 제1 정렬 마크들(AM1) 및 제2 정렬 마크들(AM2)은 중첩 셀 영역들(CEL0)을 사이에 두고 제2 방향(DR2)에서 서로 이격되어 배치될 수 있다. 제1 정렬 마크들(AM1) 및 제2 정렬 마크들(AM2)은 제2 방향(DR2)에서 볼 때 서로 중첩하는 위치에 정렬될 수 있다.

제1 정렬 마크들(AM1) 및 제2 정렬 마크들(AM2) 각각은 몸체(BO)를 관통하는 홀이거나, 몸체(BO) 표면의 일부가 제거되어 형성된 함몰부일 수 있다. 또는, 제1 정렬 마크들(AM1) 및 제2 정렬 마크들(AM2) 각각은 몸체(BO)에 배치된 포토레지스트 패턴일 수도 있다. 본 실시예에서, 제1 정렬 마크들(AM1) 및 제2 정렬 마크들(AM2) 각각은 제1 방향(DR1)을 따라 배열된 3 개의 원형 홀들로 도시되었으나, 이에 한정되지 않고 제1 정렬 마크들(AM1) 및 제2 정렬 마크들(AM2) 각각은 다양한 수 및 다양한 형상으로 형성될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

본 발명에 따른 마스크(MK)는 복수의 노광 단계를 통해 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2)은 서로 다른 타이밍에 노광되는 영역들과 대응될 수 있다. 복수의 정렬 마크들(AM1, AM2)은 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2)이 제1 방향(DR1)을 따라 정렬되도록 함으로써, 셀 영역들(CEL1 CEL2, CEL3)이 제1 방향(DR1)을 따라 정렬되어 정의될 수 있다. 이에 따라, 하나의 마스크를 복수 회의 노광 단계를 거쳐 형성하더라도 셀 영역들(CEL1, CEL2, CEL0)의 정렬도가 향상되고, 마스크(MK)의 불량률이 감소될 수 있다. 또한, 하나의 마스크에 더 많은 수의 셀 영역들을 확보할 수 있어 표시 장치의 생산성이 향상될 수 있다.

도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 일 실시 예에 따른 마스크들을 도시하는 도면이다. 이하 도 3a 내지 도 3e를 참조하여 본 발명에 대해 설명한다.

도 3a를 참조하면, 마스크(MK-1)에 있어서, 제1 홀들(H1)과 제2 홀들(H2-1)은 서로 상이한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 셀 영역들(CEL2-1)에 정의되는 제2 홀(H2-1)은, 평면상에서 바라봤을 때, 마름모 형상을 가질 수 있다. 결과적으로, 하나의 마스크(MK-1)에는 서로 다른 형상을 갖는 제1 홀들(H1) 및 제2 홀들(H2-1)이 정의될 수 있다.

또한, 제1 중첩 셀 영역의 홀들(H01)과 제2 중첩 셀 영역의 홀들(H02-1)은 서로 상이한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 중첩 셀 영역의 홀들(H01)은 제1 홀들(H1)과 대응되는 형상을 갖고, 제2 중첩 셀 영역의 홀들(H02-1)은 제2 홀들(H2-1)과 대응되는 형상을 가질 수 있다. 결과적으로, 하나의 마스크(MK-1)에는 서로 다른 형상을 갖는 홀들(H01, H02-1)이 정의된 중첩 셀 영역들(CEL0)이 정의될 수 있다.

이에 따라, 하나의 마스크(MK-1)를 이용하여 서로 다른 발광 패턴을 갖는 표시 장치들을 제조할 수 있다. 다만, 홀들(H1, H2-1, H01, H02-1)의 형상이 전술한 바에 한정되는 것은 아니다.

도 3b를 참조하면, 마스크(MK-2)에 있어서, 정렬 마크(AMK-1)는 제2 방향(DR2)에서 이격되어 배치된 단일의 제1 정렬 마크(AM1-1), 및 단일의 제2 정렬 마크(AM2-1)를 포함할 수 있다. 정렬 마크들(AM1-1, AM2-1) 각각은 평면상에서 볼 때, 바(bar) 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 정렬 마크들(AM1-1, AM2-1) 각각은 제1 방향(DR1)을 따라 연장되고 제2 방향(DR2)에서 서로 평행한 직선의 바(bar) 형상을 가질 수 있다. 즉 본 실시예에서, 제1 및 제2 정렬 마크들(AM1-1, AM2-1) 각각은 하나의 마크로 형성될 수 있다. 상술한 바와 같이, 제1 및 제2 정렬 마크들(AM1-1, AM2-) 각각이 몸체(BO)를 관통하는 홀 또는 오목한 함몰부로 형성될 수 있다.

도 3c를 참조하면, 마스크(MK-3)에 있어서, 정렬 마크(AMK-2)는 제2 방향(DR2)을 따라 배열된 복수의 마크들을 포함할 수 있다. 상술한 바와 같이, 마크들 각각이 몸체(BO)를 관통하는 홀 또는 오목한 함몰부로 형성될 수 있다. 정렬 마크(AMK-2)는 셀들(CEL) 중 인접하는 2 개의 셀들 사이에 정의될 수 있다. 이에 따라, 마스크(MK-3)의 제1 방향(DR1)에서의 너비가 감소될 수 있다.

도 3d를 참조하면, 마스크(MK-4)에 있어서, 정렬 마크(AMK-3)는 제2 방향(DR2)을 따라 배열된 복수의 마크들을 포함할 수 있다. 상술한 바와 같이, 마크들 각각이 몸체(BO)를 관통하는 홀 또는 오목한 함몰부로 형성될 수 있다. 정렬 마크(AMK-3)는 셀들(CEL) 중 인접하는 2 개의 셀들 사이에 정의될 수 있다.

이때, 정렬 마크(AMK-3)는 도 3c에 도시된 정렬 마크(AMK-2)와 달리, 4 개의 마크들로 이루어질 수 있다. 마크들은 제1 방향(DR1)에서 제1 홀들(H1) 또는 제2 홀들(H2)과 정렬될 수 있다. 즉, 정렬 마크(AMK-3)는 제1 홀들(H1)과 제2 홀들(H2)이 연속되는 것과 유사한 형상으로 배열될 수 있다. 4 개의 마크들은 제1 홀들(H1) 또는 제2 홀들(H2)의 평면상 형상과 동일한 형상을 가질 수 있다. 또는, 4 개의 마크들은 제1 홀들(H1) 또는 제2 홀들(H2)의 평면상 형상 중 일부와 동일한 형상을 가질 수도 있다.

도 3e를 참조하면, 마스크(MK-5)에 있어서, 정렬 마크(AMK-4)는 제2 방향(DR2)에서 서로 이격된 복수의 마크들(AM1-2, AM2-2)을 포함할 수 있다. 마크들(AM1-2, AM2-2) 각각은 제1 방향(DR1)을 따라 배열된 복수의 마크들을 포함할 수 있다. 마크들 각각은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 의해 정의되는 평면상에서 십자 형상을 가질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크들(MK-1, MK-2, MK-3, MK-4, MK-5)은 다양한 형태의 정렬 마크들을 포함할 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 마스크를 이용하여 표시 장치를 제조하는 과정을 예시적으로 나타내는 도면이다. 이하에서는 전술한 마스크(MK)를 이용하여 표시 장치의 기판(SUB)에 유기 발광 소자를 증착하는 공정을 설명하도록 한다.

도 4를 참조하면, 증착 장비(ED)는 챔버(CHB), 증착원(S), 스테이지(ST), 구동 플레이트(PP), 및 마스크 어셈블리(MA)를 포함할 수 있다.

챔버(CHB)의 내부에는 증착원(S), 스테이지(ST), 이동 플레이트(PP) 및 마스크 어셈블리(MA)들이 배치될 수 있다. 챔버(CHB)는 밀폐된 공간을 형성할 수 있다. 챔버(CHB)는 적어도 하나의 게이트(GT)를 구비할 수 있다. 게이트(GT)를 통하여 챔버(CHB)가 개폐될 수 있다. 마스크 어셈블리(MA) 및 기판(SUB)은 챔버(CHB)에 구비된 게이트(GT)를 통하여 출입할 수 있다. 기판(SUB)은 표시 장치에서 증착물질이 증착되는 베이스 기판일 수 있다.

증착원(S)은 챔버(CHB) 내에서 하부에 배치될 수 있다. 증착원(S)은 증착물질을 포함할 수 있다. 상기 증착물질은 승화 또는 기화가 가능한 물질로 무기물, 금속, 또는 유기물 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 본 실시예에서 증착원(S)은 유기 발광 소자(미도시)를 제작하기 위한 유기물을 포함하는 경우를 예시적으로 설명한다.

스테이지(ST)는 증착원(S)의 상부에 배치될 수 있다. 스테이지(ST) 상에 마스크 어셈블리(MA)가 안착될 수 있다. 마스크 어셈블리(MA)는 증착원(S)과 대향할 수 있다. 평면 상에서 스테이지(ST)는 마스크 프레임(MF)과 중첩하여 마스크 어셈블리(MA)를 지지할 수 있다. 스테이지(ST)는 증착원(S)으로부터 기판(SUB)으로 공급되는 증착 물질의 이동 경로 외측에 배치될 수 있다.

마스크 어셈블리(MA) 위에는 기판(SUB)이 배치될 수 있다. 구동 플레이트(PP)는 기판(SUB) 위에 배치될 수 있다. 구동 플레이트(PP)는 기판(SUB)을 마스크 어셈블리(MA) 상에 정렬시킬 수 있다.

증착 물질은, 도 2에 도시된 마스크(MK)의 제1 홀들(H1) 및 제2 홀들(H2)들을 통해 기판(SUB)에 증착될 수 있다. 결과적으로, 기판(SUB) 상에는 마스크 어셈블리(MA)를 통해 유기 발광 소자가 증착될 수 있다.

이하에서는 본 발명의 일 실시 예에 따른 마스크를 제조하는 방법에 대하여 설명하도록 한다.

도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 마스크를 제조하는 방법을 나타내는 순서도이다. 도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 마스크를 제조하는 공정들 중 노광 공정을 수행하는 시스템의 전체적인 모습을 개략적으로 도시하는 도면이다. 도 7은 도 6에 도시된 마스크 시트의 형상을 예시적으로 도시하는 도면이다. 도 8a 내지 도 8f는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 제조하는 공정들을 개략적으로 도시하는 도면들이다. 도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 일 실시예에 따른 노광 정렬홀들을 도시한 평면도들이다. 이하, 도 5 내지 도 9c를 참조하여 본 발명에 대해 설명한다.

도 5 내지 도 7을 참조하면, 제1 단계(S1)에서는 마스크 시트(MS)를 제1 롤러(RO1) 및 제2 롤러(RO2) 상에 배치할 수 있다. 마스크 시트(MS)는 제3 방향(DR3)을 기준으로, 얇은 두께를 갖는 시트 형상을 가질 수 있다. 마스크 시트(MS)는 가요성을 가질 수 있다. 예를 들어, 마스크 시트(MS)는 중심축(CX)을 기준으로 권취되거나 권출될 수 있다. 중심축(CX)은 제2 방향(DR2), 즉 마스크 시트(MS)의 폭 방향과 평행하고, 제1 방향(DR1), 즉 마스크 시트(MS)의 길이 방향과 직교할 수 있다. 도 6에 도시된 제2 방향축(D2)은 마스크 시트(MS)의 폭 방향 및 중심축(CX)의 연장 방향과 대응될 수 있다. 제3 방향축(D3)은 중력의 반대 방향과 대응될 수 있다. 제1 방향축(D1)은 제2 방향축(D2) 및 제3 방향축(D3) 각각에 직교하는 방향일 수 있다.

마스크 시트(MS)는 제1 포토레지스트(PR1), 금속층(ML), 및 제2 포토레지스트(PR2)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 포토레지스트(PR1)는 금속층(ML)의 상면에 배치되며, 제2 포토레지스트(PR2)는 금속층(ML)의 하면에 배치될 수 있다. 제1 포토레지스트(PR1) 및 제2 포토레지스트(PR2)들은 포지티브(positive)형 감광성 레지스트 물질을 포함할 수 있다. 다만, 제1 포토레지스트(PR1) 및 제2 포토레지스트(PR2)의 재료가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 및 제2 포토레지스트(PR1, PR2)는 네거티브(negative)형 감광성 레지스트 물질을 포함할 수도 있다. 제1 포토레지스트(PR1) 및 제2 포토레지스트(PR2)들 각각에는 후술하는 노광 공정들에 의하여 패턴들이 형성될 수 있다.

금속층(ML)은 충분한 강성을 가질 수 있다. 실질적으로, 금속층(ML)은 도 2에 도시된 마스크(MK)와 동일한 물질을 가질 수 있다. 예를 들어, 금속층(ML)은 인바 합금 등과 같은 금속 물질을 포함할 수 있다.

마스크 시트(MS)는 상면(UF)과 하면(BF)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 7에 도시된 바와 같이, 상면(UF) 및 하면(BF)들은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)들에 의해 정의될 수 있다. 실질적으로, 마스크 시트(MS)의 상면(UF)은 제1 포토레지스트(PR1)의 상면을, 하면(BF)은 제2 포토레지스트(PR2)의 하면을 각각 의미할 수 있다.

마스크 시트(MS)는 복수 개의 패턴 영역들(PTA)을 포함할 수 있다. 패턴 영역들(PTA) 각각의 제1 방향(DR1)으로의 길이는 도 2에 도시된 마스크(MK)의 몸체(BO)의 제1 방향(DR1)으로의 길이에 대응할 수 있다. 구체적으로, 패턴 영역들(PTA) 각각에는 제1 영역(AR1), 제2 영역(AR2), 및 중첩 영역(AR0)들이 정의될 수 있다. 중첩 영역(AR0)은 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2)이 중첩하는 영역일 수 있다.

제1 영역(AR1)은 제1 셀 영역들(CEL1, 도 2 참조)이 형성되기 위해 노광기에 의해 노광되는 영역일 수 있다. 즉, 제1 영역(AR1)은 도 2에 도시된 제1 부분(PP1, 도 2 참조)과 중첩 부분(PP0, 도 2 참조)을 포함하는 영역과 대응될 수 있다. 따라서, 제1 방향(DR1)을 기준으로, 제1 영역(AR1)의 길이는 제1 부분(PP1)과 중첩 부분(PP0)의 길이들의 합인 제1 길이(L1, 도 2 참조)와 동일할 수 있다.

제2 영역(AR2)은 제2 셀 영역들(CEL2, 도 2 참조)이 형성되기 위해 노광기에 의해 노광되는 영역일 수 있다. 즉, 제2 영역(AR2)은 도 2에 도시된 제2 부분(PP2, 도 2 참조)과 중첩 부분(PP0)을 포함하는 영역과 대응될 수 있다. 따라서, 제1 방향(DR1)을 기준으로, 제2 영역(AR2)의 길이는 제2 부분(PP2)과 중첩 부분(PP0)의 길이들의 합인 제2 길이(L2, 도 2 참조)와 동일할 수 있다.

다만, 제1 방향(DR1)을 기준으로, 제1 영역(AR1)의 길이는 제1 길이(L1)보다 클 수도 있다. 마찬가지로, 제2 영역(AR2)의 길이는 제2 길이(L2)보다 클 수도 있다. 제1 방향(DR1)을 기준으로, 제3 영역(AR3)은 제3 길이(L3, 도 2 참조)와 동일한 길이를 가질 수 있다.

제1 롤러(RO1)와 제2 롤러(RO2)는 마스크 시트(MS)를 이동시킬 수 있다. 제1 롤러(RO1)는 제2 롤러(RO2)로부터 이격될 수 있다. 예를 들어, 제1 롤러(RO1)는 제3 방향축(D3)을 기준으로, 제2 롤러(RO2)보다 높은 위치에 배치될 수 있다. 제1 롤러(RO1) 및 제2 롤러(RO2)들 각각은 마스크 시트(MS)에 접촉할 수 있다. 예를 들어, 제1 롤러(RO1)는 마스크 시트(MS)의 하면(BF)의 일부분에 접촉하고, 제2 롤러(RO2)는 마스크 시트(MS)의 상면(UF)의 일부분에 접촉할 수 있다.

제1 롤러(RO1)와 제2 롤러(RO2) 사이에는 노광 모듈(PRM)이 배치될 수 있다. 노광 모듈(PRM)은 적어도 하나의 노광기를 포함할 수 있다. 예를 들어, 노광 모듈(PRM)은 제1 노광기(PRD1)를 포함할 수 있다. 제1 노광기(PRD1)는 마스크 시트(MS)의 적어도 일면에 노광 공정을 수행할 수 있다. 제1 노광기(PRD1)에 관한 자세한 사항은 후술될 것이다.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 제1 롤러(RO1)와 마스크 시트(MS)가 권취된 중심축(CX) 사이에는 가이드 롤러(GRO)가 더 배치될 수 있다. 가이드 롤러(GRO)는 제3 방향축(D3)을 기준으로, 제1 롤러(RO1)와 동일한 높이에 배치될 수 있다. 가이드 롤러(GRO)는 중심축(CX)으로부터 권출된 마스크 시트(MS)를 제1 롤러(RO1)로 안내할 수 있다.

도 8a는 도 5에 도시된 제2 단계(S2)를 설명하기 위한 도면이다. 도 5 및 도 8a를 참조하면, 제2 단계(S2)에서는 패턴 영역(PTA)을 노광 모듈(PRM) 상에 배치할 수 있다. 이때, 마스크 시트(MS)는 제1 롤러(RO1) 및 제2 롤러(RO2)가 회전함에 따라 이동할 수 있다. 구체적으로, 제1 롤러(RO1)는 제2 방향축(D2)을 기준으로, 반시계 방향으로 회전하고, 제2 롤러(RO2)가 시계 방향으로 회전할 수 있다. 제1 및 제2 롤러들(RO1, RO2)과 마스크 시트(MS) 사이에는 마찰력이 작용할 수 있다. 이에 따라, 마스크 시트(MS)는 권출되어 제1 롤러(RO1)로부터 제2 롤러(RO2)를 향하여 이동할 수 있다.

패턴 영역(PTA)의 제1 영역(AR1)이 제1 노광기(PRD1) 상에 배치될 때, 제1 롤러(RO1) 및 제2 롤러(RO2)의 회전은 정지할 수 있다. 이때, 제3 영역(AR3) 및 제2 영역(AR2)은 제1 노광기(PRD1)와 제1 롤러(RO1) 또는 제1 롤러(RO1)의 부근에 배치될 수 있다. 제1 롤러(RO1)와 제2 롤러(RO2)는 제3 방향축(D3)을 따라 서로 이격되어 배치되고, 마스크 시트(MS)의 제1 영역(AR1)은 제1 롤러(RO1)와 제2 롤러(RO2) 사이에 배치된다. 이에 따라, 마스크 시트(MS)의 제1 영역(AR1)을 포함하는 부분은 제2 방향축(DR2) 및 제3 방향축(DR3)에 의해 정의되는 평면과 평행하도록 배치될 수 있다.

한편, 제1 롤러(RO1) 및 제2 롤러(RO2)의 회전 방향이 전술한 바에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 롤러(RO1)는 시계 방향으로 회전하고, 제2 롤러(RO2)는 반시계 방향으로 회전하여 마스크 시트(MS)를 권취시킬 수도 있다.

도 8b 내지 도 8e는 도 5에 도시된 제3 단계(S3)를 설명하기 위한 도면들이다. 도 5, 8b 내지 도 8e를 참조하면, 제3 단계(S3)에서는 제1 영역(AR1)에 대한 제1 노광 공정을 수행하여 제1 영역(AR1)에 제1 패턴(PT1) 및 정렬 마크(AMK)를 형성할 수 있다. 제1 노광 공정은 진공 상태에서 수행될 수 있다.

제1 노광기(PRD1)가 1회 가동을 통해 노광 공정을 수행할 수 있는 범위는 제1 노광 영역(LTA1)으로 표시되었다. 제1 노광 영역(LTA1)에 의해 제1 패턴(PT1)이 형성되는 영역은 제1 영역(AR1)과 대응될 수 있다. 즉, 제1 노광 영역(LTA1)은 제1 노광기(PRD1)에 의해 광이 제공되는 영역일 수 있고, 제1 영역(AR1)은 노광마스크(PMA1)를 거쳐 실질적으로 제1 패턴(PT1)이 형성되는 영역일 수 있다. 따라서, 제1 영역(AR1)은 제1 노광 영역(LTA1)과 동일하거나 제1 노광 영역(LTA1)의 크기보다 작은 크기로 정의될 수 있다. 제1 노광 영역(LTA1)은 제1 노광기(PRD1)의 평면상 크기 이하의 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 길이 방향(예를 들어, 제1 방향(DR1))으로, 제1 노광기(PRD)의 가용한 제1 노광 영역(LTA1)의 길이는 제1 영역(AR1)의 제1 방향(DR1)에서의 길이와 같거나 작을 수 있다.

제1 노광기(PRD1)는 제1 영역(AR1)의 상면(UF) 및 하면(BF)에 제1 패턴(PT1)을 형성할 수 있다. 제1 노광기(PRD1)는 제1 서브 노광기(SPD1) 및 제2 서브 노광기(SPD2)를 포함할 수 있다. 제1 서브 노광기(SPD1)는 제1 영역(AR1)의 상면(UF)에 제1 노광 공정을 수행할 수 있다. 제1 서브 노광기(SPD1)는 제1 영역(AR1)의 상면(UF)에 제1 노광 마스크(PMA1)를 배치할 수 있다.

제1 노광 마스크(PMA1)에는 복수 개의 노광 라인들(PL)이 정의될 수 있다. 노광 라인들(PL)은 제2 방향(DR2)으로 이격되고, 노광 라인들(PL) 각각은 제1 방향(DR1)을 따라 연장할 수 있다. 도 8c에서는 제1 노광 마스크(PMA1)에 4개의 노광 라인들(PL)이 정의된 것으로 도시하였으나, 이는 설명의 편의를 위한 것일 뿐, 실제로 제1 노광 마스크(PMA1)에 정의되는 노광 라인들(PL)의 개수는 더 많을 수 있다.

하나의 노광 라인(PL)은 실제로 도 2에 도시된 마스크(MK)의 제1 부분(PP1)과 제3 부분(PP2)을 포함하는 제1 영역(AR1)에 대응될 수 있다. 구체적으로, 노광 라인(PL)은 4개의 그룹들(GU) 및 복수의 노광 정렬홀들(PRA)을 포함할 수 있다. 하나의 그룹(GU)은 실제로 도 2에 도시된 하나의 제1 셀 영역(CEL1)에 대응할 수 있다.

그룹들(GU) 각각은 복수 개의 제1 노광홀들(PRH1)을 포함할 수 있다. 제1 노광홀(PRH1)은 도 2에 도시된 제1 홀(H1)과 동일한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 평면상에서 바라봤을 때, 제1 노광홀(PRH1)은 사각형 형상을 가질 수 있다. 제1 영역(AR1)의 상면(UF)에서 제1 노광홀들(PRH1)에 중첩하는 부분들은 제1 노광 마스크(PMA1) 외부로 노출될 수 있다.

노광 정렬홀들(PRA)은 제1 방향(DR1)을 따라 배열된 3 개의 홀들이 제2 방향(DR2)을 따라 이격된 배열을 가질 수 있다. 노광 정렬홀들(PRA)은 도 2에 도시된 마스크(MK)의 정렬 마크들(AM1, AM2)과 대응될 수 있다. 본 실시예에서, 노광 정렬홀들(PRA)은 노광 라인들(PL)에 의해 구획되는 영역들마다 정의되었다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 노광 정렬홀들(PRA)은 노광 라인들(PL)에 의해 구획되는 영역들 중 일부에만 정의될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

노광 정렬홀들(PRA) 각각은 관통홀 형성을 위한 투과홀이거나 함몰부 형성을 위한 반투과 홀일 수 있다. 한편, 노광 정렬홀들(PRA)의 배열이나 수는 다양하게 변경될 수 있다. 또한, 노광 정렬홀들(PRA) 각각의 형상은 제1 노광홀들(PRH1) 각각의 형상과 동일하거나 상이할 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

예를 들어, 도 9a 내지 도 9c를 참조하면, 노광 정렬홀들(PRA, PRA-1, PRA-2)은 다양한 형상으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 도 9a에 도시된 것과 같이, 노광 정렬홀들(PRA)은 일 방향을 따라 배열된 복수의 원형들로 제공될 수 있다. 노광 정렬홀들(PRA) 각각은 평면상에서 원 형상을 가질 수 있다. 이에 따라, 정렬 마크들(AMPT1, AMPT2)은 노광 정렬홀들(PRA)에 대응되는 복수의 원형 마크들로 형성될 수 있다.

또는, 도 9b에 도시된 것과 같이, 노광 정렬홀들(PRA-1)은 일 방향을 따라 배열된 복수의 십자 형상들로 제공될 수 있다. 노광 정렬홀들(PRA-1) 각각은 평면상에서 십자 형상을 가질 수 있다. 십자 형상은 제1 방향(DR1)을 따라 연장된 바 부분(B1) 및 제2 방향(DR2)을 따라 연장된 바 부분(B2)이 교차된 형상을 가질 수 있다. 바 부분들(B1)은 제1 방향(DR1)을 따라 정렬될 수 있다. 이에 따라, 정렬 마크들(AMPT1, AMPT2)은 노광 정렬홀들(PRA-1)에 대응되는 복수의 십자 형 마크들로 형성될 수 있다.

또는, 도 9c에 도시된 것과 같이, 노광 정렬홀(PRA-2)은 일 방향을 따라 연장된 일체의 바 형상으로 제공될 수 있다. 노광 정렬홀(PRA-2)은 평면상에서 제1 방향(DR1)을 따라 연장된 바(bar) 형상을 가질 수 있다. 이에 따라, 정렬 마크들(AMPT1, AMPT2) 각각은 노광 정렬홀들(PRA-2)에 대응되는 단일의 바 형상 마크들로 형성될 수 있다.

도 8d 및 도 8e를 참조하면, 제1 서브 노광기(SPD1)는 제1 영역(AR1)의 상면(UF)에 광을 조사할 수 있다. 이에 따라, 제1 영역(AR1)의 상면(UF)에는 제1 패턴(PT1)이 형성될 수 있다. 구체적으로, 제1 패턴(PT1)은 제1 노광 마스크(PMA1)의 제1 노광홀들(PRH1)의 형상에 대응되는 복수의 제1 홀 패턴들(HPT1)을 포함할 수 있다. 제1 노광홀들(PRH1)에 의해 광에 노출되는 제1 포토레지스트(PR1)의 부분들의 화학적 성질이 변할 수 있다. 도 8e에는 용이한 설명을 위해 포토레지스트(PR1) 중 화학적 성질이 변화된 부분들을 해칭 처리하여 도시하였다. 또한, 도 8c에 도시된 노광 라인들(PL) 중 어느 하나와 대응되고 하나의 마스크(MK: 도 2 참조)와 대응되는 마스크 영역(MAT)을 도시하였다. 즉, 도 8e에 도시된 것과 같이, 하나의 마스크 시트(MS)에 있어서, 제2 방향(DR2)을 따라 4 개의 마스크들로 분할될 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 설계 변경을 통해 하나의 마스크 시트(MS)에서 제2 방향(DR2)을 따라 하나의 마스크만 형성되거나 다른 수의 마스크들로 분할될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

제2 서브 노광기(SPD2)는 제1 영역(AR1)의 하면(BF)에 제1 노광 공정을 수행할 수 있다. 제2 서브 노광기(SPD2)는 제1 영역(AR1)의 하면(BF)에 제2 노광 마스크(PMA2)를 배치할 수 있다. 제2 노광 마스크(PMA2)에는 복수 개의 제2 노광홀들(PRH2)이 정의될 수 있다. 도시하지는 않았으나, 제2 노광 마스크(PMA2)는 제1 노광 마스크(PMA1)와 동일한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 노광홀들(PRH2) 각각은 제1 노광홀들(PRH1)과 동일한 형상을 가질 수 있고, 제2 노광홀들(PRH2)은 제1 노광홀들(PRH1)과 동일한 구조로 배열될 수 있다. 제1 영역(AR1)의 하면(BF)에서 제2 노광홀들(PRH2)에 중첩하는 부분들은 제2 노광 마스크(PMA2) 외부로 노출될 수 있다. 다만, 제2 노광 마스크(PMA2)의 형상이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제2 노광 마스크(PMA2)의 제1 노광홀(PRH2)은 제1 노광홀(PRH1)과 다른 형상을 가질 수 있다.

제2 서브 노광기(SPD2)는 제1 영역(AR1)의 하면(BF)에 광을 조사할 수 있다. 제1 영역(AR1)의 하면(BF)에는 제1 패턴(PT1)이 형성될 수 있다. 제1 패턴(PT1)은 제2 노광 마스크(PMA2)의 제2 노광홀들(PRH2)의 형상에 대응할 수 있다. 마스크 시트(MS)의 제2 포토레지스트(PR2)에서 제2 노광홀들(PRH2)에 의해 광에 노출되는 부분의 화학적 성질은 변화할 수 있다. 이때, 노광 정렬홀들(PRA)을 통해서도 노광이 일어날 수 있다. 마스크 시트(MS)의 제1 영역(AR1) 중 노광 정렬홀들(PRA)과 중첩하는 부분들은 광에 노출될 수 있다. 이에 따라, 마스크 시트(MS)의 제1 포토 레지스트(PR1) 및 제2 포토 레지스트(PR2)에서 노광 정렬홀들(PRA)에 의해 광에 노출되는 부분의 화학적 성질은 변화할 수 있다. 정렬 패턴들(AMPT1, AMPT2)은 포토 레지스트(PR1, PR2) 중 화학적 성질이 변화된 패턴들일 수 있다. 본 발명에 따르면, 노광홀들(PRH1, PRH2) 및 노광 정렬홀들(PRA)에 의해 노출된 부분들의 화학적 성질들이 변화됨으로써, 제1 영역(AR1)에 대한 제1 노광 공정이 종료될 수 있다.

이때, 노광 정렬홀들(PRA)은 제1 노광 마스크(PMA1)에만 정의되고, 제2 노광 마스크(PMA2)에는 노광홀들이 정의되지 않을 수 있다. 이 경우, 후술하는 제2 영역(AR2)의 정렬은 상면(UF)을 기준으로 이루어질 수 있다. 이후, 현상 공정 및 에칭 공정을 통해 제1 패턴(PT1)이 홀들로 형성되더라도, 정렬 마크들(AMPT1, AMPT2)은 배면(BF)에는 형성되지 않으므로, 정렬 마크들(AMPT1, AMPT2)과 대응되는 부분에는 충분한 노광이 이루어지지 않을 수 있다. 이에 따라, 정렬 마크들(AMPT1, AMPT2)에 대응되는 홀은 형성되지 않을 수 있다. 또는, 정렬 마크들(AMPT1, AMPT2)에 대응되는 부분은 상면(UF)의 일부만 제거된 함몰부로 형성될 수도 있다. 또는, 정렬 마크들(AMPT1, AMPT2)에 대응되는 부분은 최종마스크(MK)에 잔존하여 포토레지스트 패턴으로 남게 될 수도 있다.

또는 예를 들어, 제2 노광 마스크(PMA2)에도 노광 정렬홀들(PRA)이 형성될 수도 있다. 이에 따라, 상면(UF)과 하면(BF) 모두에 대해 정렬이 이루어질 수 있으므로, 마스크 시트(MS)의 정렬도가 향상될 수 있다. 정렬 마크들(AMPT1, AMPT2)은 풀-톤 또는 하프-톤일 수 있으므로, 정렬 마크들(AMPT1, AMPT2)과 대응되는 부분은 이후 현상 공정 및 에칭 공정을 통해 홀 또는 함몰부로 형성될 수 있다.

다시 도 8f 내지 도 8h를 참조하여 마스크(MK) 형성 공정에 대해 설명한다. 도 8f 내지 도 8h는 도 5에 도시된 제4 단계(S4), 제5 단계(S5), 및 제6 단계(S6)를 설명하는 도면들이다. 도 5, 도 8f, 도 8g, 및 도 8h를 참조하면, 제4 단계(S4)에서는 제2 영역(AR2)을 노광 모듈(PRM)의 제1 노광기(PRD1) 상에 배치된다.

구체적으로, 제1 롤러(RO1) 및 제2 롤러(RO2)는 회전할 수 있다. 제1 패턴(PT1)이 형성된 제1 영역(AR1)은 제1 노광기(PRD1)의 외부로 반출될 수 있다. 본 실시예에서, 제1 영역(AR1)의 일부 영역은 제2 영역(AR2)과 중첩되어 중첩 영역(AR0)을 정의한다. 결과적으로, 제2 영역(AR2)이 제1 노광기(PRD1) 상에 배치될 때, 제1 영역(AR1) 중 제3 영역(AR3)과 대응되는 일부 영역은 제1 노광기(PRD1) 상에 배치되고, 제1 영역(AR1) 중 다른 일부 영역은 제1 노광기(PRD1)와 제2 롤러(RO2) 사이 또는 제2 롤러(RO2) 부근에 배치될 수 있다. 제1 영역(AR1) 중 제3 영역(AR3)과 대응되는 일부 영역은 제2 영역(AR2)의 노광 공정 시 제1 노광기(PRD1)에 추가로 노출될 수 있다.

도 8g 및 도 8h를 참조하면, 제5 단계(S5)에서 제2 영역(AR2)과 제2 노광 영역(LTA2)이 정렬되고, 이후 제6 단계(S6)에서 제2 패턴(PT2)이 마스크 시트(MS)에 형성된다. 제2 패턴(PT2)은 각각이 제2 홀들(H2, 도 2 참조)과 대응되는 복수의 제2 홀 패턴들(HPT2)을 포함한다. 도 8h에는 용이한 설명을 위해 포토레지스트(PR1) 중 화학적 성질이 변화된 부분들을 해칭 처리하여 도시하였다. 이때, 제2 노광 영역(LTA2)과 제2 영역(AR2) 사이의 정렬에 정렬 마크(AMPT1, AMPT2)가 이용될 수 있다. 제2 노광 영역(LTA2)은 패터닝을 위한 광이 제공되는 영역일 수 있고, 제1 노광 영역(LTA1)과 다른 타이밍에 노광되는 영역일 수 있다. 제2 노광 영역(LTA2)은 제1 노광기(PRD1)의 평면상 크기 이하의 크기를 가질 수 있다. 정렬 포인트(PNT)는 제1 노광기(PRD1)에 설치된 카메라 또는 포인터이거나, 노광 마스크에 정의된 정렬 마크일 수 있다. 정렬 마크들(AMPT1, AMPT2)은 최초 포토레지스트로부터 노광에 의해 화학적 성질이 변화되어 형성되므로, 특수 카메라를 통해 용이하게 시인될 수 있다.

도 8f에는 정렬 포인트(PNT)를 제1 노광기(PRD1)에 개략적으로 표시하였다. 본 실시예에 따르면, 정렬 포인트(PNT)와 정렬 마크들(AMPT1, AMPT2) 사이의 일치 여부를 확인하거나, 어긋난 정도를 통해 마스크 시트(MS)의 평면상에서의 위치를 보정하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이에 따라, 제1 노광기(PRD1)의 노광 영역과 제2 영역(AR2) 사이의 정렬 정확성이 향상될 수 있다.

또는, 제2 패턴(PT2)을 형성하기 위한 노광 마스크와 정렬 마크(AMPT1, AMPT2) 사이의 정렬 여부를 통해 실질적인 노광 영역과 제2 영역(AR2) 사이의 정렬 작업이 진행될 수도 있다. 도 8h를 참조하면, 제2 영역(AR2)에 제2 패턴(PT2)이 형성되는데 이용되는 노광 마스크에 제2 패턴(PT2)을 위한 노광홀들 외에 정렬 마크(AMTP1, AMPT2)와 대응되는 위치에 노광 정렬홀들이 추가로 정의될 수 있다. 제2 패턴(PT2) 형성을 위한 노광 마스크는 노광 정렬홀들과 정렬 마크(AMPT1, AMPT2) 사이의 중첩 정도를 통해 정렬 여부를 확인하고 보정 작업을 거침으로써, 제2 영역(AR2)과 일치하는 위치에 정렬될 수 있다. 제2 패턴(PT2)이 형성된 상태에서, 정렬 마크(AMTP1, AMPT2)는 1차 노광 및 2차 노광을 포함하는 2 회의 노광 처리가 된 상태일 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 2차 노광 시 이용된 노광 마스크에 노광 정렬홀들이 생략된 경우, 정렬 마크(AMTP1, AMPT2)는 1차 노광 처리만을 거친 상태일 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

도 8g를 참조하여 정렬 단계에 대해 구체적으로 살펴보면, 제2 노광 영역(LTA2)의 정렬 포인트(PNT)를 구성하는 제1 및 제2 포인트들(PNT1, PNT2)과 제1 영역(AR1)의 제1 및 제2 정렬 마크들(AMPT1, AMPT2) 사이의 틀어짐 정도를 통해 제2 노광 영역(LTA2)과 제2 영역(AR2)을 정렬시킨다. 제2 포인트(PNT2)를 제2 정렬 마크들(AM1) 중 중간의 마크에 정렬시키고, 제1 포인트(PNT1)와 제1 정렬 마크들(AM2) 중 중간의 마크 사이의 틀어짐 정도를 X변위(dX)와 Y변위(dY)로 수치화여 정렬 정도를 판단할 수 있다.

X변위(dX)와 Y변위(dY)가 소정의 범위 이상의 값으로 나타나는 경우 오정렬된 것으로 판단하고 마스크 시트(MS)나 노광기(PRD1)의 위치를 변경함으로써, 제2 영역(AR2)과 제2 노광 영역(LTA2)을 정렬시킬 수 있다. X변위(dX)와 Y변위(dY)가 소정의 범위 이내의 값으로 나타나는 경우, 오차 범위 내에서 정렬된 것으로 판단하여 제2 노광 공정이 진행될 수 있다.

X변위(dX)는 X방향, 즉, 마스크 시트(MS)의 길이 방향에서의 틀어짐 정도를 의미할 수 있다. 본 실시예에서, X변위(dX)는 제2 포인트(PNT2)와 제2 정렬 마크(AMPT2) 사이의 좌우 방향에서의 틀어짐 정도로부터 확인될 수 있다. X변위(dX)는 예를 들어, 약 ±2.5㎛ 이내인 경우 오차 범위 내의 정렬로 판단될 수 있다. 바람직하게는 X변위(dX)는 약 ±1.5㎛ 이내인 경우 오차 범위 내의 정렬로 판단될 수 있다.

Y변위(dY)는 Y방향, 즉, 마스크 시트(MS)의 폭 방향에서의 틀어짐 정도를 의미할 수 있다. 본 실시예에서, Y변위(dY)는 제2 포인트(PNT2)와 제2 정렬 마크(AMPT2) 사이의 상하 방향에서의 틀어짐 정도로부터 확인될 수 있다. Y변위(dY)는 예를 들어, 약 ±2.0㎛ 이내인 경우 오차 범위 내의 정렬로 판단될 수 있다. 바람직하게는 Y변위(dY)는 약 ±1.0㎛ 이내인 경우 오차 범위 내의 정렬로 판단될 수 있다.

본 발명에 따르면 X변위(dX)와 Y변위(dY)를 통해 마스크 시트(MS)와 노광기(PRD1) 사이의 정렬여부를 용이하게 파악할 수 있고, 이를 기초로 정렬 공정이 진행될 수 있다. 이에 따라, 제1 노광 공정과 다른 타이밍에 이루어지는 제2 노광 공정이 제2 영역(AR2)에 안정적으로 이루어질 수 있다. 한편, 본 실시예에서, X변위(dX)와 Y변위(dY)는 정렬 마크들(AM1, AM2) 중 가운데 마크들과 포인트들(PNT1, PNT2) 사이의 위치 차이를 통해 얻어지는 것으로 예시적으로 도시되었으나, 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, X변위(dX)와 Y변위(dY)는 정렬 마크들(AMPT1, AMPT2) 중 첫번째 정렬 마크들과 포인트들(PNT1, PNT2) 사이의 위치 차이를 통해 얻어지는 갑들일 수도 있다. 또는, 예를 들어, 포인트들(PNT1, PNT2) 각각은 둘 이상의 정렬 마크들과 중첩되는 크기로 제공될 수도 있다. 제1 포인트(PNT1)는 제1 정렬 마크들(AMPT1) 전체와 중첩하는 하나의 타원 또는 바 형상으로 제공될 수 있다. 제2 포인트(PNT2)는 제2 정렬 마크들(AMPT2) 전체와 중첩하는 하나의 타원 또는 바 형상으로 제공될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 영역(AR2)과 제2 노광 영역(LTA2) 사이의 정렬 단계는 정렬 마크들(AMPT1, AMPT2)을 이용할 수 있다면 다양한 방식을 취할 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

한편, 도시되지 않았으나, 마스크 시트(MS)에는 정렬 마크들(AMPT1, AMPT2) 외의 다른 마크들이 더 배치될 수도 있다. 이는 정렬 오차 보정에 이용되거나 마스크 시트 진행 상황 등을 모니터링하는데 이용될 수 있다. 즉, 정렬 마크들(AMPT1, AMPT2) 외의 정렬 단계에 이용되는 다른 마크들이 마스크 시트(MS)에 더 배치될 수도 있다. 해당 마크는 정렬 마크들(AMPT1, AMPT2)과는 다른 공정을 통해 형성될 수 있다. 예를 들어, 마스크 시트(MS)에 이미 형성된 상태로 제공되거나, 노광기(PRD1)가 아닌 다른 기기를 통해 다른 공정에서 형성된 상태로 제공될 수도 있다.

한편, 본 실시예에서, 제2 패턴(PT2)은 제1 패턴(PT1)을 형성하는 제1 노광기(PRD1)를 통해 형성되는 것으로 도시되었다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 본 실시예에서 제2 패턴(PT2)은 제1 노광기(PRD1)와 독립적으로 제공되는 별도의 노광기를 통해 형성될 수도 있다. 또한, 제1 패턴(PT1) 형성 후 마스크 시트(MS)를 권취한 후, 재 권출하여 제2 패턴(PT2)을 형성할 수도 있고, 별도의 권취 단계 없이 제1 패턴(PT1) 형성 후 다른 장소에서 제2 영역(AR2) 정렬 후 제2 패턴(PT2)을 형성하는 공정이 이루어질 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

이후, 도시되지 않았으나, 마스크 시트(MS)는 현상 공정 및 에치 공정을 거쳐 제1 패턴(PT1)과 제2 패턴(PT2) 각각에 대응되는 복수의 홀들(H1, H2, 도 2 참조)이 형성된 마스크(MK, 도 2 참조)로 형성될 수 있다. 이때, 상술한 바와 같이, 정렬 마크들(AMPT1, AMPT2)에 대한 노광 정도나 에칭 공정 여부에 따라, 마스크(MK)에 정렬 마크들(AMPT1, AMPT2)과 대응되는 패턴이 형성되거나 형성되지 않을 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 제조 공정은 정렬 마크들(AMPT1, AMPT2) 형성 단계 및 이를 이용한 정렬 단계를 포함할 수 있다면 다양한 단계로 이루어질 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

한편, 도 8i를 참조하면, 마스크 시트(MS1)에 있어서, 정렬 마크들(AMPT1, AMPT2)은 패턴들(PT1, PT2)이 형성된 영역의 외측에 형성될 수도 있다. 본 실시예에서, 정렬 마크들(AMPT1, AMPT2)은 마스크 영역(MAT)의 외측에 형성되며 홀 패턴들(HPT1, HPT2) 사이의 영역에는 형성되지 않은 것으로 도시되었다. 이 경우, 정렬 마크들(AMPT1, AMPT2)은 마스크 시트(MS1) 상태에서만 나타나고, 이후 포토레지스트(PR1, PR2)가 제거되어 마스크로 형성된 상태에서는 정렬 마크들(AMPT1, AMPT2)에 대응되는 마크는 생략될 수도 있다. 본 발명에 따르면, 정렬 마크들(AMPT1, AMPT2)이 차지하는 면적이 감소되고 홀 패턴들(HPT1, HPT2)이 형성되는 영역을 침범하지 않을 수 있어, 패턴들(PT1, PT2)이 형성되는 면적이 넓게 확보될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 정렬 마크들(AMPT1, AMPT2)은 다양한 위치에 제공될 수 있으며 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

전술한 단계들(S1 ~ S6)은 도 2에 도시된 마스크(MK)를 제조하는 방법에 관한 것이나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 전술한 단계들(S1 ~ S6)은 본 발명의 범주 내에서 변경될 수 있다. 예를 들어, 노광 모듈(PRM)은 패턴 영역(PTA)에 도 2에 도시된 클램핑부(CP)에 대응하는 패턴을 형성할 수도 있다. 예를 들어, 제1 노광기(PRD1)의 노광 마스크는 클램핑부(CP)에 대응하는 홈을 더 구비할 수 있다. 이 경우, 제1 노광기(PRD1)는, 제1 노광 공정과 제2 노광 공정 사이에, 제1 방향축(D1)을 기준으로 180° 회전할 수 있다. 여기서, 제1 방향축(DR1)은 상술한 바와 같이 마스크 시트(MS)의 상면(UF)과 수직한 방향일 수 있다. 이에 따라, 중첩 영역(AR0)을 중심으로 서로 대칭적인 형상을 갖는 클램핑부(CP)가 형성될 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 하나의 패턴 영역(PTA)에 제1 노광 공정과 제2 노광 공정을 나누어 수행하기 때문에, 제1 노광기(PRD1)의 가용한 노광 영역의 길이보다 더 큰 길이를 갖는 마스크(MK)를 제조할 수 있다. 이에 따라, 표시 장치의 생산 효율이 증가할 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 제1 및 제2 노광 공정 시, 마스크 시트(MS)의 패턴 영역(PTA)이 중력 방향(D3)과 나란하게 배치됨에 따라 마스크 시트(MS)의 패턴 영역(PTA)에 주름이 발생하는 문제를 개선할 수 있다.

따라서, 본 발명에 따르면, 복수 회의 노광 공정을 통해 하나의 마스크를 형성하더라도, 정렬도를 향상시킴으로써 두 패턴들(PT1, PT2)이 연속성 및 균일성을 가질 수 있다. 이에 따라, 대면적의 마스크를 용이하게 형성할 수 있고, 마스크를 이용한 표시 장치의 불량률이 감소될 수 있다.

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크의 사시도이다. 도 10에 도시된 바와 같이, 마스크(MK-6)에 있어서, 몸체(BO)는 제1 부분(PP11), 제2 부분(PP21), 제3 부분(PP31), 제1 중첩 부분(PP01), 제2 중첩 부분(P02), 및 클램핑부(CP)를 포함할 수 있다. 제1 중첩 부분(PP01)은 제1 부분(PP11)과 제2 부분(PP21) 사이에 배치될 수 있다. 제2 중첩 부분(PP02)은 제2 부분(PP21)과 제3 부분(PP31) 사이에 배치될 수 있다. 제1 방향(DR1)을 기준으로, 제2 부분(PP2), 제1 중첩 부분(PP01), 제1 부분(PP11), 제2 중첩 부분(PP02), 및 제3 부분(PP31)이 순차적으로 배열될 수 있다.

제1 방향(DR1)을 기준으로, 제1 부분(PP11)의 길이, 제1 중첩 부분(PP01)의 길이, 및 제2 중첩 부분(PP02)의 길이의 합은 제1 길이(L11)일 수 있다. 제1 방향(DR1)을 기준으로, 제2 부분(PP21)의 길이와 제1 중첩 부분(PP01)의 길이의 합은 제2 길이(L21)일 수 있다. 제1 방향(DR1)을 기준으로, 제3 부분(PP31)의 길이와 제2 중첩 부분(PP02)의 길이의 합은 제3 길이(L31)일 수 있다.

제1 셀 영역들(CEL11)은 제1 부분(PP11), 제1 중첩 부분(PP01), 및 제2 중첩 부분(PP02)에 정의될 수 있다. 제1 셀 영역들(CEL11) 각각에는 복수의 제1 홀들(H1)이 정의될 수 있다. 제1 홀들(H1)은 도 2에 도시된 제1 홀들(H1)과 대응되는 것으로 도시되었으나, 이에 한정되지는 않는다.

제2 셀 영역들(CEL21)은 제2 부분(PP21) 및 제1 중첩 부분(PP01)에 정의될 수 있다. 제2 셀 영역들(CEL21) 각각에는 복수의 제2 홀들(H2)이 정의될 수 있다. 제2 홀들(H2)은 제1 홀들(H1)과 대응되는 것으로 도시되었으나, 이에 한정되지는 않는다.

제3 셀 영역들(CEL31)은 제3 부분(PP3) 및 제2 중첩 부분(PP02)에 정의될 수 있다. 제3 셀 영역들(CEL31)은 제3 부분(PP31)에만 배치되는 영역(CEL31)과 제3 부분(PP31)과 제2 중첩 부분(PP02)에 걸쳐 배치되는 영역(CEL310)을 포함할 수 있다. 제3 셀 영역들(CEL31) 각각에는 복수의 제3 홀들(H3)이 정의될 수 있다. 제3 홀들(H3)은 제3 홀들(H3)과 대응되는 것으로 도시되었으나, 이에 한정되지는 않는다.

제1 셀 영역들(CEL11) 중 제2 셀 영역들(CEL21)에 인접하는 제1 셀 영역(CEL101)은 제1 부분(PP1)과 제1 중첩 부분(PP01)에 걸쳐 정의되고, 제1 셀 영역들(CEL11) 중 제3 셀 영역들(CEL31)에 인접하는 제1 셀 영역(CEL102)은 제1 부분(PP1)과 제2 중첩 부분(PP02)에 걸쳐 정의될 수 있다. 제2 셀 영역들(CEL21) 중 제1 셀 영역들(CEL11)에 인접하는 제2 셀 영역(CEL201)은 제2 부분(PP21) 및 제1 중첩 부분(PP01)에 걸쳐 정의되고, 제3 셀 영역들(CEL3) 중 제1 셀 영역들(CEL11)에 인접하는 제3 셀 영역(CEL301)은 제3 부분(PP31) 및 제2 중첩 부분(PP02)에 걸쳐 정의될 수 있다. 결과적으로, 제1 중첩 부분(PP01)에는 제1 셀 영역(CEL101)의 일부와 제2 셀 영역(CEL201)의 일부가 정의되고 제2 중첩 부분(PP02)에는 다른 제1 셀 영역(CEL102)의 일부와 제3 셀 영역(CEL301)의 일부가 정의될 수 있다.

한편, 도시되지 않았으나, 중첩 부분(PP01)에 정의된 제1 셀 영역들(CEL101, CEL102)은 제1 홀(H1)과 상이한 형상의 홀을 부분적으로 포함할 수도 있다. 중첩 부분(PP01)에 정의된 제2 셀 영역(CEL210)은 제2 홀(H2)과 상이한 형상의 홀을 부분적으로 포함할 수도 있다. 중첩 부분(PP02)에 정의된 제3 셀 영역들(CEL310)은 제3 홀(H3)과 상이한 형상의 홀을 부분적으로 포함할 수도 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 마스크(MK-6)는 복수의 정렬 마크들(AMPT10, AMPT20, AMPT30, AMPT40)을 포함할 수 있다. 정렬 마크들(AMPT10, AMPT20, AMPT30, AMPT40)은 중첩 부분들(PP01, PP02)에 정의될 수 있다. 상술한 바와 같이, 정렬 마크들(AMPT10, AMPT20, AMPT30, AMPT40) 각각은 홀 또는 함몰부들로 정의될 수 있다.

제1 정렬 마크들(AMPT10) 및 제2 정렬 마크들(AMPT20)은 제1 중첩 부분(P01)에 배치된다. 제1 정렬 마크들(AMPT10) 및 제2 정렬 마크들(AMPT20)은 제2 방향(DR2)에서 서로 이격되어 배치될 수 있다. 제1 정렬 마크들(AMPT10) 및 제2 정렬 마크들(AMPT20)은 제2 방향(DR2)에서 볼 때 서로 평행하고 중첩하는 위치에 정렬될 수 있다. 제1 정렬 마크들(AMPT10) 및 제2 정렬 마크들(AMPT20) 각각은 제1 방향(DR1)을 따라 배열된 3 개의 홀들로 도시되었으나, 이에 한정되지는 않는다.

제3 정렬 마크들(AMPT30) 및 제4 정렬 마크들(AMPT40)은 제2 중첩 부분(P02)에 배치된다. 제3 정렬 마크들(AMPT30) 및 제4 정렬 마크들(AMPT40)은 제2 방향(DR2)에서 서로 이격되어 배치될 수 있다. 제3 정렬 마크들(AM30) 및 제4 정렬 마크들(AMPT40)은 제2 방향(DR2)에서 볼 때 서로 평행하고 중첩하는 위치에 정렬될 수 있다. 제3 정렬 마크들(AMPT30) 및 제4 정렬 마크들(AMPT40) 각각은 제1 방향(DR1)을 따라 배열된 3 개의 홀들로 도시되었으나, 이에 한정되지는 않는다.

도 11a 내지 도 11d는 도 10에 도시된 마스크의 제조 공정을 설명하기 위한 도면들이다. 도 11a는 도 10에 도시된 마스크 시트의 형상을 예시적으로 도시하는 도면이다. 도 11a는 도 7과 대응되도록 도시되었다. 이하 중복된 설명은 생략하기로 한다.

도 11a를 참조하면, 마스크 시트(MS-1)에는 복수의 패턴 영역들(PTA-1)이 정의될 수 있으며, 패턴 영역들(PTA-1) 각각은 제1 영역(AR1), 제2 영역(AR2), 제3 영역(AR3), 제1 중첩 영역(AR01), 및 제2 중첩 영역(AR02)을 포함할 수 있다. 제1 중첩 영역(AR01)은 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2)이 중첩하는 영역이고, 제2 중첩 영역(AR02)은 제2 영역(AR2)과 제3 영역(AR3)이 중첩하는 영역일 수 있다.

도 11b 내지 도 11d는 제1 내지 제3 패턴들(PT1, PT2, PT3)이 순차적으로 형성되는 단계들을 도시한 도면들이다. 도 10b를 참조하면, 제1 영역(AR1)에 제1 패턴(PT1)이 형성된다. 이때, 제1 노광기(PRD1, 도 8a 참조)에 의해 제1 노광 영역(LTA1)이 제공되고, 1 회의 노광을 통해 제1 패턴(PT1)이 형성된다. 제1 패턴(PT1)은 복수의 제1 홀 패턴들(HPT1)을 포함한다.

본 실시예에서, 제1 방향(DR1)을 기준으로, 제1 영역(AR1)의 길이와 제2 영역(AR2)의 길이는 상이할 수 있다. 또한, 제1 방향(DR1)을 기준으로, 제1 영역(AR1)의 길이와 제3 영역(AR3)의 길이는 상이할 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 제1 방향(DR1)을 기준으로, 제1 영역(AR1)은 제2 영역(AR2) 또는 제3 영역(AR3)과 동일한 길이로 정의될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

정렬 마크들(AM10, AM20, AM30, AM40)은 제1 영역(AR1)에 형성될 수 있다. 정렬 마크들(AM10, AM20, AM30, AM40)은 제1 노광 영역(LTA1)에서 제1 패턴(PT1)과 함께 형성된다. 즉, 하나의 포토마스크를 통해 제1 패턴(PT1)과 정렬 마크들(AMPT10, AMPT20, AMPT30, AMPT40)이 동시에 형성될 수 있다.

이후, 도 11c를 참조하면, 제2 영역(AR2)이 노광기(PRD1)에 배치되고 제2 패턴(PT2)이 형성될 수 있다. 제2 패턴(PT2)은 복수의 제2 홀 패턴들(HPT2)을 포함한다 이때, 제2 영역(AR2)과 제2 노광 영역(LTA2)이 일치하도록 마스크 시트(MS-1)의 위치가 정렬될 수 있다. 마스크 시트(MS-1)의 정렬 여부 확인 및 보정은 정렬 마크들(AM10, AM20)을 통해 이루어질 수 있다. 포토마스크에 형성된 노광 정렬홀이나 노광기에 설치된 포인터 등을 통해 제2 노광 영역(LTA2)과 제2 영역(AR2)을 일치시킴으로써, 마스크 시트(MS-1)의 위치가 용이하게 정렬될 수 있다.

제2 영역(AR2)의 정렬은 적어도 제1 방향(DR1)에서 볼 때 제2 영역(AR2)과 제1 영역(AR1)의 중첩을 의미한다. 또한, 제1 영역(AR1)에 형성된 정렬 마크들(AM10, AM20)을 이용하므로, 제2 영역(AR2)의 일부는 제1 영역(AR1)과 중첩할 수 있다. 한편, 본 실시예에서, 제2 노광 영역(LTA2)은 제1 노광 영역(LTA1)과 다른 크기를 가질 수 있다. 즉, 동일한 노광기를 이용하더라도, 노광되는 범위는 다양하게 설계될 수 있다.

이후, 도 11d를 참조하면, 제3 영역(AR3)이 노광기(PRD1)에 배치되고 제3 패턴(PT3)이 형성될 수 있다. 제3 패턴(PT3)은 각각이 제3 홀들(HH3)에 대응되는 형상들을 가진 복수의 제3 홀 패턴들(HPT3)을 포함한다. 이때, 제3 영역(AR3)과 제3 노광 영역(LTA3)이 일치하도록 마스크 시트(MS-1)의 위치가 정렬될 수 있다. 마스크 시트(MS-1)의 정렬 여부 확인 및 보정은 정렬 마크들(AM30, AM40)을 통해 이루어질 수 있다. 포토 마스크에 형성된 노광 정렬홀이나 노광기에 설치된 포인터 등을 통해 제3 노광 영역(LTA3)과 제3 영역(AR3)을 일치시킴으로써, 마스크 시트(MS-1)의 위치가 용이하게 정렬될 수 있다.

제3 영역(AR3)의 정렬은 적어도 제1 방향(DR1)에서 볼 때 제3 영역(AR3)과 제1 영역(AR1)의 중첩을 의미한다. 또한, 제1 영역(AR1)에 형성된 정렬 마크들(AMPT10, AMPT20)을 이용하므로, 제3 영역(AR3)의 일부는 제1 영역(AR1)과 중첩할 수 있다. 한편, 본 실시예에서, 제3 노광 영역(LTA3)은 제1 노광 영역(LTA1)과 다른 크기를 가질 수 있다. 즉, 마스크 시트(MS-1)는 복수의 노광기를 통해 노광될 수도 있고, 동일한 노광기를 이용하더라도, 노광되는 범위는 다양하게 설계될 수 있다.

본 발명에 따르면, 제1 영역(AR1)은 마스크의 중심 영역에 대응되고, 제2 영역(AR2) 및 제3 영역(AR3)은 제1 영역(AR1)에 비해 상대적으로 마스크의 외곽 영역에 대응될 수 있다. 제1 영역(AR1)의 면적은 제2 영역(AR2)이나 제3 영역(AR3)보다 클 수 있다. 즉, 1 회의 노광 공정을 마스크의 중심 영역을 기준으로 최대한 넓은 영역에서 진행하고, 이후 노광 공정을 통해 마스크의 외곽 영역에 가까운 영역에 패턴들을 형성할 수 있다. 이에 따라, 마스크 중심 영역을 기준으로 외곽 영역의 정렬 여부를 판단할 수 있어, 정렬이 용이하고 정렬도가 향상될 수 있다.

본 발명에 따르면, 2회 이상의 다 회의 노광 공정을 통해 하나의 마스크를 형성할 수 있다. 이때, 정렬 마크들(AMPT10, AMPT20, AMPT30, AMPT40)을 통해 마스크 시트(MS-1)의 영역들(AR1, AR2, AR3)을 제1 방향(DR1)을 따라 정렬되도록 함으로써, 제1 방향(DR1)을 따라 연속성을 가진 패턴들이 용이하게 형성될 수 있다. 따라서, 제1 방향(DR1)을 기준으로 마스크의 길이가 증가되더라도 안정적으로 마스크를 생성할 수 있고, 표시 장치의 공정 불량율이 저감될 수 있다.

도 12a 내지 도 12d는 도 10에 도시된 마스크의 제조 공정을 설명하기 위한 도면들이다. 도 12a 내지 도 12d에는 도 11a 내지 도 11d와 다른 방식의 제조 공정을 설명한다. 이하, 중복된 설명은 생략하기로 한다.

도 12a 내지 도 12d를 참조하면, 마스크 시트(MS-2)에는 제1 내지 제4 영역들(AR1, AR2, AR3, AR4)이 정의될 수 있다. 제1 내지 제4 영역들(AR1, AR2, AR3, AR4) 각각은 서로 다른 타이밍에 실행되는 노광 단계들을 거치는 영역일 수 있고, 서로 다른 타이밍에 제공되는 노광 영역들과 대응될 수 있다.

도 12a를 참조하면, 첫 노광 공정을 통해 마스크 시트(MS-2)의 제1 영역(AR1)에 제1 패턴(PT1)이 형성된다. 이때, 정렬 마크들(AMPT121, AMPT122, AMPT131, AMPT132)도 함께 형성될 수 있다. 정렬 마크들(AMPT121, AMPT122, AMPT131, AMPT132)은 제1 영역(AR1)과 제2 영역(AR2)이 중첩하는 영역 및 제1 영역(AR1)과 제3 영역(AR3)이 중첩하는 영역에 형성된다.

이후, 도 12b를 참조하면, 제2 영역(AR2)에 제2 패턴(PT2)이 형성된다. 이때, 제1 방향(DR1)을 기준으로, 제2 영역(AR2)과 제1 영역(AR1)의 정렬은 정렬 마크들(AMPT121, AMPT122)을 통해 이루어질 수 있다. 이에 따라, 제2 패턴(PT2)은 제1 패턴(PT1)과 정렬되도록 설계된 예상 패턴 영역(PTA2)에 안정적으로 형성될 수 있다.

이후, 도 12c를 참조하면, 제3 영역(AR3)에 제3 패턴(PT3)이 형성된다. 이때, 제1 방향(DR1)을 기준으로, 제3 영역(AR3)과 제1 영역(AR1)의 정렬은 정렬 마크들(AMPT131, AMPT132)을 통해 이루어질 수 있다. 이에 따라, 제3 패턴(PT3)은 제1 패턴(PT1)과 정렬되도록 설계된 예상 패턴 영역(PTA3)에 안정적으로 형성될 수 있다.

한편, 제3 영역(AR3)에는 추가 정렬 마크들(AMPT341, AMPT342)이 형성될 수 있다. 추가 정렬 마크들(AMPT341, AMPT342)은 제3 패턴(PT3)이 형성될 때 동시에 형성될 수 있다. 즉, 추가 정렬 마크들(AMPT341, AMPT342)과 제3 패턴(PT3)은 하나의 포토 마스크를 통해 동시에 형성될 수 있다.

이후, 도 12d를 참조하면, 제4 영역(AR4)에 제4 패턴(PT4)이 형성될 수 있다. 제4 패턴(PT4)은 제3 패턴(PT3)으로부터 이격된 위치에 형성된다. 제4 패턴(PT4)은 클램핑부(CP, 도 2 참조)를 형성하기 위한 패턴일 수 있다.

한편, 제4 영역(AR4)은 추가 정렬 마크들(AMPT341, AMPT342)을 통해 정렬될 수 있다. 구체적으로, 제1 방향(DR1)을 기준으로, 제3 영역(AR3)과 제4 영역(AR4)의 정렬은 정렬 마크들(AMPT341, AMPT342)을 통해 이루어질 수 있다. 이에 따라, 제4 패턴(PT4)은 제3 패턴(PT3)과 정렬되도록 설계된 예상 패턴 영역(PTA4)에 안정적으로 형성될 수 있다.

본 발명에 따르면, 클램핑부를 형성하기 위한 노광 공정을 패턴들(PT1, PT2, PT3)을 형성하는 공정과 별도로 진행될 수 있다. 또한, 클램핑부를 형성하기 위한 영역의 정렬 단계를 더 포함할 수 있으며, 이때, 제3 패턴(PT3) 형성 시 형성된 추가 정렬 마크들(AMPT341, AMPT342)가 이용될 수 잇다. 이에 따라, 정렬도가 향상된 마스크가 제공될 수 있다.

도 13a 및 도 13b는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 설명하기 위한 도면들이다. 도 13a는 분리된 마스크들(MK-W1)을 도시하였고, 도 13b는 결합된 마스크(MK-W10)를 도시하였다. 이하, 중복된 설명은 생략하기로 한다.

도 13a 및 도 13b를 참조하면, 마스크(MK-W10)는 분리된 서브 마스크들(MS-W1)을 결합하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 서브 마스크들(MS-W1)은 제1 클램핑부(CP1), 제1 몸체(BO-S1), 제2 클램핑부(CP2), 및 제2 몸체(BO-S2)를 포함한다.

제1 몸체(BO-S1)는 제1 방향(DR1)을 따라 연장된 길이를 갖는다. 제1 클램핑부(CP1)는 제1 몸체(BO-S1)의 일측으로부터 제1 방향(DR1)과 나란한 방향으로 연장되어 제1 몸체(BO-S1)와 일체의 형상을 이룬다.

제1 몸체(BO-S1)는 복수의 제1 셀 영역들(CEL1-P)을 포함할 수 있다. 제1 셀 영역들(CEL1-P)은 제1 방향(DR1)을 따라 서로 이격된다. 제1 셀 영역들(CEL1-P) 각각에는 복수의 제1 홀들(H1-P)이 정의될 수 있다. 제1 홀들(H1-P) 각각은 제1 몸체(BO-S1)를 관통한다. 제1 셀 영역들(CEL1-P)과 제1 홀들(H1-P)은 도 2에 도시된 제1 셀 영역들(CEL1, 도 2 참조)과 제1 홀들(H1, 도 2 참조)과 대응되도록 도시되었으며 이하 중복된 설명은 생략하기로 한다.

한편, 제1 몸체(BO-S1)는 제1 리세스부(RS1) 및 복수의 제1 정렬 마크들(AMW1S)을 더 포함할 수 있다. 제1 리세스부(RS1)는 제1 몸체(BO-S1)의 배면에 정의될 수 있고 함몰된 부분일 수 있다. 이에 따라, 제1 리세스부(RS1)는 제1 몸체(BO-S1)의 다른 영역보다 작은 두께로 제공될 수 있다.

제1 정렬 마크들(AMW1S)은 제1 리세스부(RS1)와 중첩하여 정의될 수 있다. 제1 정렬 마크들(AMW1S)은 제2 방향(DR2)을 따라 배열된 복수의 홀들로 도시되었으나, 이에 한정되지는 않는다. 제1 정렬 마크들(AMW1S) 각각은 관통홀 또는 함몰부일 수 있고, 다양한 평면상의 형상으로 설계될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

제2 몸체(BO-S2)는 제1 방향(DR1)을 따라 연장된 길이를 갖는다. 제1 클램핑부(CP1)는 제2 몸체(BO-S2)의 일측으로부터 제1 방향(DR1)과 나란한 방향으로 연장되어 제2 몸체(BO-S2)와 일체의 형상을 이룬다.

제2 몸체(BO-S2)는 복수의 제1 셀 영역들(CEL2-P)을 포함할 수 있다. 제2 셀 영역들(CEL2-P)은 제1 방향(DR1)을 따라 서로 이격된다. 제2 셀 영역들(CEL2-P) 각각에는 복수의 제2 홀들(H2-P)이 정의될 수 있다. 제2 홀들(H2-P) 각각은 제2 몸체(BO-S2)를 관통한다. 제2 셀 영역들(CEL2-P)과 제2 홀들(H2-P)은 도 2에 도시된 제2 셀 영역들(CEL2, 도 2 참조)과 제2 홀들(H2, 도 2 참조)과 대응되도록 도시되었으며 이하 중복된 설명은 생략하기로 한다.

한편, 제2 몸체(BO-S2)는 제2 리세스부(RS2) 및 복수의 제2 정렬 마크들(AMW2S)을 더 포함할 수 있다. 제2 리세스부(RS2)는 제2 몸체(BO-S2)의 상면에 정의될 수 있고 함몰된 부분일 수 있다. 이에 따라, 제2 리세스부(RS2)는 제2 몸체(BO-S2)의 다른 영역보다 작은 두께로 제공될 수 있다.

제2 정렬 마크들(AMW2S)은 제2 리세스부(RS2)와 중첩하여 정의될 수 있다. 제2 정렬 마크들(AMW2S)은 제1 정렬 마크들(AMW1S)과 대응되는 형태로 도시되었다. 제2 정렬 마크들(AMW2S) 각각은 관통홀 또는 함몰부일 수 있고, 다양한 평면상의 형상으로 설계될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

도 13b를 참조하면, 마스크(MK-W10)는 제1 몸체(BO-S1)와 제2 몸체(BO-S2)가 결합되어 형성된 몸체(BO-W1)를 포함한다. 몸체(BO-W1)는 제1 부분(PP1-W1), 제2 부분(PP2-W1), 및 둘 사이에 배치된 제3 부분(PP3-W1)을 포함할 수 있다. 이때, 제1 몸체(BO-S1)와 제2 몸체(BO-S2)는 제1 방향(DR1)에서 서로 맞물리는 형상을 가질 수 있다. 이에 따라, 제1 몸체(BO-S1)는 제1 리세스부(RS1)를 갖고 제2 몸체(BO-S2)는 제2 리세스부(RS2)를 가질 수 있다.

제1 몸체(BO-S1)와 제2 몸체(BO-S2)가 결합될 때, 제1 리세스부(RS1)와 제2 리세스부(RS2)는 평면상에서 중첩할 수 있다. 구체적으로, 제1 리세스부(RS1)가 제2 리세스부(RS2) 상에 배치된다. 이에 따라, 제1 리세스부(RS1)의 두께와 제2 리세스부(RS2)의 두께들의 합은 몸체들(BO-S1, BO-S2) 각각의 두께 이하일 수 있다.

본 발명에 따르면, 서브 마스크들(MK-W1)이 서로 다른 노광 공정을 통해 형성되더라도 정렬 마크들(AMW1S, AMW2S)을 통해 제1 셀 영역들(CEL1-P)과 제2 셀 영역들(CEL2-P)이 서로 정렬된 상태로 형성될 수 있다. 이에 대한 중복된 설명은 생략하기로 한다.

또한, 제1 리세스부(RS1)가 제2 리세스부(RS2)가 중첩될 때 제1 정렬 마크들(AMW1S)과 제2 정렬 마크들(AMW2S)에 의해 정렬될 수 있다. 본 발명에 따르면, 제1 정렬 마크들(AMW1S)과 제2 정렬 마크들(AMW2S)의 일치 여부를 통해 제1 몸체(BO-S1)와 제2 몸체(BO-S2)의 정렬 여부를 판단할 수 있고 보정하여 이상적인 위치에 배치시킬 수 있다. 이에 따라, 마스크(MK-W10)의 정렬도가 향상되고 불량율이 저감될 수 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 마스크(MK-W10)에는 용접 공정에 따른 용접부(WD)가 더 포함될 수 있다. 용접부(WD)를 제1 정렬 마크들(AMW1S)과 제2 정렬 마크들(AMW2S)을 따라 형성하거나 제1 정렬 마크들(AMW1S)과 제2 정렬 마크들(AMW2S) 내에 형성함으로써, 표면 균일도가 향상되고 결합력도 증가될 수 있어 마스크(SK-W10)의 공정 신뢰성이 향상될 수 있다.

도 14a 및 도 14b는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 설명하기 위한 도면들이다. 도 14a는 분리된 마스크들(MK-W2)을 도시하였고, 도 14b는 결합된 마스크(MK-W20)를 도시하였다. 이하, 중복된 설명은 생략하기로 한다.

도 14a 및 도 14b를 참조하면, 마스크(MK-W20)는 분리된 서브 마스크들(MS-W2)을 결합하여 형성될 수 있다. 서브 마스크들(MS-W2)은 제1 클램핑부(CP1), 제1 몸체(BO-S1), 제2 클램핑부(CP2), 및 제2 몸체(BO-S2)를 포함한다. 이에 대한 중복된 설명은 생략하기로 한다.

본 실시예에서, 제1 정렬 마크들(AMW1)은 제2 방향(DR2)에서 이격된 2 개의 홀들로 정의될 수 있다. 이와 대응되어 제2 정렬 마크들(AMW2)은 제2 방향(DR2)에서 이격된 2 개의 홀들로 정의될 수 있다. 제1 정렬 마크들(AMW1)과 제2 정렬 마크들(AMW2)은 정렬되어 마스크(MK-W20)의 정렬 마크(AMK-W)를 구성한다. 본 발명에 따르면, 정렬 마크들의 수는 다양하게 설계될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

도 15a 내지 도 15c는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크를 설명하기 위한 도면들이다. 도 15a는 분리된 마스크들(MK-W3)을 도시하였고, 도 15b 및 도 15c에는 결합된 마스크들(MK-W30, MK-40)를 도시하였다. 이하, 중복된 설명은 생략하기로 한다.

도 15a 및 도 15b를 참조하면, 마스크(MK-W30)는 분리된 서브 마스크들(MS-W3)을 결합하여 형성될 수 있다. 서브 마스크들(MS-W3)은 제1 클램핑부(CP1), 제1 몸체(BO-S1), 제2 클램핑부(CP2), 및 제2 몸체(BO-S2)를 포함한다. 이에 대한 중복된 설명은 생략하기로 한다.

제1 몸체(BO-S1)와 제2 몸체(BO-S2)는 제1 방향(DR1)에서 맞물리는 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 몸체(BO-S1)는 제1 그루브(GV1)를 포함하고, 제2 몸체(BO-S2)는 제2 그루브(GV2)를 포함할 수 있다.

제1 그루브(GV1)는 제1 몸체(BO-S1)의 측면, 구체적으로 제2 몸체(BO-S2)와 결합되는 측에 정의될 수 있고 복수의 굴곡된 부분들일 수 있다.

제1 정렬 마크들(AMW11)은 제1 그루브(GV1)와 중첩하여 정의될 수 있다. 제1 정렬 마크들(AMW11)은 제2 방향(DR2)을 따라 이격된 2 개의 홀들로 도시되었으나, 이에 한정되지는 않는다. 한편, 제1 그루브(GV1) 중 제1 정렬 마크들(AMW11)이 정의된 영역은 나머지 영역보다 작은 두께로 제공될 수 있다.

제2 그루브(GV2)는 제1 몸체(BO-S2)의 측면, 구체적으로 제1 몸체(BO-S1)와 결합되는 측에 정의될 수 있고 복수의 굴곡된 부분들일 수 있다.

제2 정렬 마크들(AMW22)은 제2 그루브(GV2)와 중첩하여 정의될 수 있다. 제2 정렬 마크들(AMW22)은 제2 방향(DR2)을 따라 이격된 2 개의 홀들로 도시되었으나, 이에 한정되지는 않는다. 한편, 제2 그루브(GV2) 중 제2 정렬 마크들(AMW22)이 정의된 영역은 나머지 영역보다 작은 두께로 제공될 수 있다.

도 15b를 참조하면, 마스크(MK-W30)는 제1 몸체(BO-S1)와 제2 몸체(BO-S2)가 결합되어 하나의 몸체(BO-W1)를 형성한다. 이때, 제1 그루브(GV1)와 제2 그루브(GV2)는 평면상에서 중첩할 수 있다. 구체적으로, 제1 그루브(GV1)와 제2 그루브(GV2)가 서로 맞물리며 결합될 수 있다. 즉, 제1 그루브(GV1)에서 돌출된 부분은 제2 그루브(GV2)에서 오목한 부분과 대응될 수 있다.

본 발명에 따르면, 서브 마스크들(MK-W3)이 서로 다른 노광 공정을 통해 형성되더라도 정렬 마크들(AMW11, AMW22)을 통해 제1 셀 영역들(CEL1-P)과 제2 셀 영역들(CEL2-P)이 서로 정렬된 상태로 형성될 수 있다. 이에 대한 중복된 설명은 생략하기로 한다.

또한, 제1 그루브(GV1)와 제2 그루브(GV2)가 중첩될 때 제1 정렬 마크들(AMW11)과 제2 정렬 마크들(AMW11)에 의해 정렬될 수 있다. 본 발명에 따르면, 제1 정렬 마크들(AMW11)과 제2 정렬 마크들(AMW22)의 일치 여부를 통해 제1 몸체(BO-S1)와 제2 몸체(BO-S2)의 정렬 여부를 판단할 수 있고 보정하여 이상적인 위치에 배치시킬 수 있다. 이에 따라, 마스크(MK-W30)의 정렬도가 향상되고 불량율이 저감될 수 있다.

도 15c를 참조하면, 마스크(MK-40)는 커버(CV)를 더 포함할 수 있다. 커버(CV)는 도전층일 수 있고 서브 마스크들이 결합된 부분, 즉 중첩 부분(PP3-W1)을 커버한다. 이에 따라, 중첩 부분(PP3-W1)이 용접 등에 의해 불균일한 표면을 갖더라도, 커버(CV)에 의해 커버될 수 있다. 또한, 결합된 경계부를 커버(CV)가 커버함으로써, 마스크(MK-W40)의 분리 등과 같은 마스크(MK-W40)의 파손이 방지될 수 있다.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

MK: 마스크 AM: 정렬 마크들
CEL1: 제1 셀 영역 CEL2: 제2 셀 영역
PP0: 중첩 부분

Claims

제1 방향을 따라 연장된 길이를 갖고, 상기 제1 방향을 따라 배열되고 각각이 복수의 제1 홀들을 포함하는 복수의 제1 셀 영역들 및 각각이 복수의 제2 홀들을 포함하는 복수의 제2 셀 영역들이 정의된 몸체; 및
상기 제1 방향을 따라 상기 몸체로부터 돌출되고 상기 몸체와 일체의 형상을 이루는 클램핑부를 포함하고,
상기 몸체에는 상기 제1 홀들 및 상기 제2 홀들과 비 중첩하는 정렬 마크가 정의되고,
상기 정렬 마크는 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에서 볼 때 상기 제1 및 제2 셀 영역들 각각에 중첩하는 마스크.
제1 항에 있어서,
상기 정렬 마크는 홀 또는 함몰부인 마스크.
제1 항에 있어서,
상기 정렬 마크는 포토레지스트를 포함하는 마스크.
제1 항에 있어서,
상기 정렬 마크는 상기 제1 방향을 따라 정렬된 복수의 마크들을 포함하는 마스크.
제4 항에 있어서,
상기 정렬 마크는 상기 제1 홀들 및 상기 제2 홀들을 사이에 두고 상기 제2 방향에서 이격된 제1 정렬 마크 및 제2 정렬 마크를 포함하고,
상기 제1 및 제2 정렬 마크들 각각은 상기 마크들을 포함하고
상기 제1 및 제2 정렬 마크들 각각의 마크들은 상기 제2 방향에서 서로 정렬된 마스크.
제5 항에 있어서,
상기 마크들 각각의 형상은 평면상에서 원형, 타원형, 또는 십자형인 마스크.
제1 항에 있어서,
상기 정렬 마크는 상기 제1 홀들 및 상기 제2 홀들을 사이에 두고 상기 제2 방향에서 이격된 제1 정렬 마크 및 제2 정렬 마크를 포함하고,
상기 제1 및 제2 정렬 마크들 각각은 상기 제1 방향을 따라 연장된 바 형상을 갖고,
상기 제1 및 제2 정렬 마크들은 상기 제2 방향에서 서로 정렬된 마스크.
제7 항에 있어서,
상기 바 형상의 상기 제1 방향에서의 길이는 상기 제1 및 제2 셀 영역들 중 서로 인접하는 셀 영역들 사이의 간격 이상인 마스크.
제1 항에 있어서,
상기 몸체는,
상기 제1 셀 영역들이 정의된 제1 몸체; 및
상기 제2 셀 영역들이 정의된 제2 몸체를 포함하고,
상기 정렬 마크는 복수로 구비되어 상기 제1 몸체와 상기 제2 몸체에 각각 정의되고 평면상에서 중첩하는 마스크.
제9 항에 있어서,
상기 제1 몸체와 상기 제2 몸체를 결합하는 용접부를 더 포함하는 마스크.
제10 항에 있어서,
상기 용접부는 상기 정렬 마크와 평면상에서 중첩하는 마스크.
제1 항에 있어서,
상기 제1 몸체와 상기 제2 몸체 각각은 상기 제1 방향에서 서로 맞물리는 마스크.
제1 항에 있어서,
상기 정렬 마크는 상기 제1 셀 영역들과 상기 제2 셀 영역들이 서로 인접하는 영역에 배치되고,
상기 제1 셀 영역들과 상기 제2 셀 영역들의 수는 동일한 마스크.
제1 항에 있어서,
상기 정렬 마크는 상기 제1 셀 영역들과 상기 제2 셀 영역들이 서로 인접하는 영역에 배치되고,
상기 제1 셀 영역들과 상기 제2 셀 영역들의 수는 상이한 마스크.
제14 항에 있어서,
상기 제1 셀 영역들의 수는 상기 제2 셀 영역들의 수보다 큰 마스크.
제1 영역 및 제2 영역이 정의된 패턴 영역을 포함하는 마스크 시트를 제1 롤러 및 제2 롤러 상에 배치하는 단계;
상기 제1 롤러 및 상기 제2 롤러를 회전시켜, 상기 패턴 영역을 노광 모듈 상에 배치하는 단계;
상기 노광 모듈을 통해 상기 제1 영역에 대한 제1 노광 공정을 수행하여, 상기 제1 영역에 제1 패턴 및 정렬 마크를 형성하는 단계;
상기 정렬 마크를 통해 상기 노광 모듈을 제2 영역에 정렬하는 단계; 및
상기 노광 모듈을 통해 상기 제2 영역에 대한 제2 노광 공정을 수행하여, 상기 제2 영역에 제2 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 마스크 제조 방법.
제16 항에 있어서,
상기 제1 영역과 상기 제2 영역은 부분적으로 중첩하고,
상기 정렬 마크는 상기 제1 영역과 상기 제2 영역이 중첩하는 영역에 형성되는 마스크 제조 방법.
제16 항에 있어서,
상기 제1 패턴과 상기 정렬 마크는 하나의 포토마스크를 통해 동시에 형성되는 마스크 제조 방법.
제16 항에 있어서,
상기 정렬하는 단계에서, 상기 제2 영역과 제1 영역은 상기 정렬 마크를 이용하여 제1 방향을 따라 정렬되는 마스크 제조 방법.
제16 항에 있어서,
상기 제1 방향을 기준으로 상기 제1 영역의 길이와 상기 제2 영역의 길이는 실질적으로 동일한 마스크 제조 방법.
제16 항에 있어서,
상기 마스크 시트는 상기 제2 영역으로부터 이격되어 상기 제1 영역과 부분적으로 중첩하는 제3 영역을 더 포함하고,
상기 노광 모듈을 통해 상기 제3 영역에 대한 제3 노광 공정을 수행하여, 상기 제3 영역에 제3 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 제1 방향을 기준으로, 상기 제1 영역의 길이는 상기 제2 영역의 길이 또는 상기 제3 영역의 길이보다 긴 마스크 제조 방법.
제21 항에 있어서,
제3 영역에 제3 패턴을 형성하는 단계 이전에 상기 노광 모듈을 제3 영역에 정렬하는 단계를 더 포함하고,
상기 정렬 마크는 상기 제1 영역 중 상기 제2 영역과 중첩하는 영역에 형성되는 제1 정렬 마크 및 상기 제1 영역 중 상기 제3 영역과 중첩하는 영역에 형성되는 제2 정렬 마크를 포함하는 마스크 제조 방법.
제16 항에 있어서,
상기 정렬 마크는 상기 제1 방향을 따라 배열된 복수의 원형 패턴들, 복수의 십자형 패턴들, 및 상기 제1 방향을 따라 연장된 바 형상 패턴 중 어느 하나인 마스크 제조 방법.