JP4408876B2 - 焦点決定方法、デバイス製造方法、及びマスク - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 72
- 239000003550 marker Substances 0.000 claims description 60
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 30
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 36
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70641—Focus
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
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- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70681—Metrology strategies
- G03F7/70683—Mark designs
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
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Description
リソグラフィ装置を使用して複数の目標マーカを基板上にプリントするステップであって、目標マーカのうちの異なるマーカは異なる焦点設定を用いてプリントされるステップと、
角度分解散乱計(angle−resolved scatterometer)を使用して、目標マーカの特性を測定するステップと、
目標マーカの測定された特性に基づいて1つ又は複数の焦点設定を決定するステップとを含む。
1つ又は複数の焦点設定を、
リソグラフィ装置を使用して複数の目標マーカを第1の基板上にプリントするステップであって、目標マーカのうちの異なるマーカは異なる焦点設定を用いてプリントされるステップと、
角度分解散乱計を使用して、目標マーカの特性を測定するステップと、
目標マーカの測定された特性に基づいて1つ又は複数の最適焦点設定を決定するステップとによって決定するステップと、
1つ又は複数の最適焦点設定を使用してデバイス・パターンを第2の基板上に転写するステップとを含む。
− 放射ビーム(例えば、UV放射又はDUV放射)Bを調整するように構成される照明系(照明器)ILと、
− パターン形成デバイス(例えば、マスク)MAを支持するように構成され、パターン形成デバイスを一定のパラメータに従って正確に位置付けるように構成される第1の位置決め器PMに接続される支持構造(例えば、マスク台)MTと、
− 基板(例えば、レジスト塗布ウェーハ)Wを保持するように構成され、基板を一定のパラメータに従って正確に位置付けるように構成される第2の位置決め器PWに接続される基板台(例えば、ウェーハ台)WTと、
− パターン形成デバイスMAによって放射ビームBに与えられるパターンを基板Wの(例えば、1つ又は複数のダイを含む)目標部分Cに投影するように構成される投影系(例えば、屈折投影レンズ系)PSとを備える。
Am=At+Ae (1)
となる。
A’m=−At+Ae (2)
となる。
BD ビーム送出システム
IL 照明系
AD 調整器
IN 統合器
CO 集光器
B 放射ビーム
MT 支持構造
PM 第1の位置決め器
MA パターン形成デバイス
M1 マスク位置合わせマーク
M2 マスク位置合わせマーク
PS 投影系
WT 基板台
PW 第2の位置決め器
W 基板
C 目標部分
P1 基板位置合わせマーク
P2 基板位置合わせマーク
IF 位置センサ
Claims (6)
- パターン形成デバイスから基板上にパターンを転写するように構成されるリソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法用の1つ又は複数の最適焦点設定を決定するための方法であって、
前記リソグラフィ装置を使用して複数の目標マーカを基板上にプリントするステップであって、前記複数の目標マーカのうちの異なる目標マーカは異なる焦点設定を用いてプリントされるステップと、
角度分解散乱計を使用して、前記目標マーカの特性を測定するステップと、
前記目標マーカの測定された特性に基づいて前記1つ又は複数の最適焦点設定を決定するステップと、を含み、
各前記目標マーカは、形態は同じで、互いに対して180°回転した、又は互いに鏡像関係にある2つのマーカからなるマーカ対であって、
前記プリントするステップは、前記マーカ対をなす2つのマーカを同一の焦点設定を用いてプリントし、
前記目標マーカの特性を測定するステップは、前記角度分解散乱計を使用して、前記マーカ対をなす2つのマーカそれぞれの特性を測定し、
前記1つ又は複数の最適焦点設定を決定するステップは、各前記対の一方のマーカの特性の測定値を各前記対の他方のマーカの特性の測定値から減算して、各前記目標マーカの特性を決定し、該決定された各前記目標マーカの特性を比較する、方法。 - 前記特性が、前記目標マーカの非対称性に関する、請求項1に記載の方法。
- パターン形成デバイスから基板上にパターンを転写するように構成されるリソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法であって、
1つ又は複数の焦点設定を、
前記リソグラフィ装置を使用して複数の目標マーカを第1の基板上にプリントするステップであって、前記複数の目標マーカのうちの異なる目標マーカは異なる焦点設定を用いてプリントされるステップと、
角度分解散乱計を使用して、前記目標マーカの特性を測定するステップと、
前記目標マーカの前記測定された特性に基づいて1つ又は複数の最適焦点設定を決定するステップと、によって決定するステップと、
前記1つ又は複数の最適焦点設定を使用してデバイス・パターンを第2の基板上に転写するステップと、を含み、
各前記目標マーカは、形態は同じで、互いに対して180°回転した、又は互いに鏡像関係にある2つのマーカからなるマーカ対であって、
前記プリントするステップは、前記マーカ対をなす2つのマーカを同一の焦点設定を用いてプリントし、
前記目標マーカの特性を測定するステップは、前記角度分解散乱計を使用して、前記マーカ対をなす2つのマーカそれぞれの特性を測定し、
前記1つ又は複数の最適焦点設定を決定するステップは、各前記対の一方のマーカの特性の測定値を各前記対の他方のマーカの特性の測定値から減算して、各前記目標マーカの特性を決定し、該決定された各前記目標マーカの特性を比較する、方法。 - 前記特性が、前記目標マーカの非対称性に関する、請求項3に記載の方法。
- パターン形成デバイスから基板上にパターンを転写するように構成されるリソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法用の1つ又は複数の最適焦点設定を決定するための方法であって、
前記リソグラフィ装置を使用して複数の目標マーカを基板上にプリントするステップであって、前記複数の目標マーカのうちの異なる目標マーカは異なる焦点設定を用いてプリントされるステップと、
角度分解散乱計を使用して、前記目標マーカの非対称性の特性を測定するステップと、
前記目標マーカの測定された特性に基づいて前記1つ又は複数の最適焦点設定を決定するステップと、を含み、
各前記目標マーカは、形態は同じで、互いに対して180°回転した、又は互いに鏡像関係にある2つのマーカからなるマーカ対であって、
前記プリントするステップは、前記マーカ対をなす2つのマーカを同一の焦点設定を用いてプリントし、
前記目標マーカの特性を測定するステップは、前記角度分解散乱計を使用して、前記マーカ対をなす2つのマーカそれぞれの特性を測定し、
前記1つ又は複数の最適焦点設定を決定するステップは、各前記対の一方のマーカの特性の測定された非対称性Amを示す式(1)
Am=At+Ae (1)
(式中、Atは目標マーカの実際の非対称性であり、Aeは角度分解散乱計である。)
から、各前記対の他方のマーカの特性の測定された非対称性Am’を示す式(2)
Am’=−At+Ae (2)
を減算して、各目標メーカの実際の非対称性Atを取り出し、該決定された各前記目標マーカの実際の非対称性を比較する、方法。 - パターン形成デバイスから基板上にパターンを転写するように構成されるリソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法であって、
1つ又は複数の焦点設定を、
前記リソグラフィ装置を使用して複数の目標マーカを第1の基板上にプリントであって、前記複数の目標マーカのうちの異なる目標マーカは異なる焦点設定を用いてプリントされるステップするステップと、
角度分解散乱計を使用して、前記目標マーカの特性を測定するステップと、
前記目標マーカの前記測定された特性に基づいて1つ又は複数の最適焦点設定を決定するステップと、によって決定するステップと、
前記1つ又は複数の最適焦点設定を使用してデバイス・パターンを第2の基板上に転写するステップと、を含み、
各前記目標マーカは、形態は同じで、互いに対して180°回転した、又は互いに鏡像関係にある2つのマーカからなるマーカ対であって、
前記プリントするステップは、前記マーカ対をなす2つのマーカを同一の焦点設定を用いてプリントし、
前記目標マーカの特性を測定するステップは、前記角度分解散乱計を使用して、前記マーカ対をなす2つのマーカそれぞれの特性を測定し、
前記1つ又は複数の最適焦点設定を決定するステップは、各前記対の一方のマーカの特性の測定された非対称性Amを示す式(1)
Am=At+Ae (1)
(式中、Atは目標マーカの実際の非対称性であり、Aeは角度分解散乱計である。)
から、各前記対の他方のマーカの特性の測定された非対称性Am’を示す式(2)
Am’=−At+Ae (2)
を減算して、各目標メーカの実際の非対称性Atを取り出し、該決定された各前記目標マーカの実際の非対称性を比較する、方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/170,747 US7532307B2 (en) | 2005-06-30 | 2005-06-30 | Focus determination method, device manufacturing method, and mask |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007013169A JP2007013169A (ja) | 2007-01-18 |
JP4408876B2 true JP4408876B2 (ja) | 2010-02-03 |
Family
ID=36763047
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006178892A Active JP4408876B2 (ja) | 2005-06-30 | 2006-06-29 | 焦点決定方法、デバイス製造方法、及びマスク |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7532307B2 (ja) |
EP (1) | EP1739491B1 (ja) |
JP (1) | JP4408876B2 (ja) |
KR (1) | KR100803267B1 (ja) |
CN (1) | CN1892440B (ja) |
SG (1) | SG128658A1 (ja) |
TW (1) | TWI326016B (ja) |
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- 2006-06-19 TW TW095121910A patent/TWI326016B/zh active
- 2006-06-20 EP EP06253169.4A patent/EP1739491B1/en active Active
- 2006-06-29 JP JP2006178892A patent/JP4408876B2/ja active Active
- 2006-06-29 CN CN2006101001365A patent/CN1892440B/zh active Active
- 2006-06-29 SG SG200604437A patent/SG128658A1/en unknown
- 2006-06-30 KR KR1020060061446A patent/KR100803267B1/ko active IP Right Grant
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1892440A (zh) | 2007-01-10 |
EP1739491A1 (en) | 2007-01-03 |
US20070003840A1 (en) | 2007-01-04 |
EP1739491B1 (en) | 2017-08-09 |
TWI326016B (en) | 2010-06-11 |
CN1892440B (zh) | 2011-03-02 |
SG128658A1 (en) | 2007-01-30 |
TW200707136A (en) | 2007-02-16 |
US7532307B2 (en) | 2009-05-12 |
JP2007013169A (ja) | 2007-01-18 |
KR20070003704A (ko) | 2007-01-05 |
KR100803267B1 (ko) | 2008-02-14 |
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Legal Events
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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