TWI326016B - Focus determination method, device manufacturing method, and mask - Google Patents

Description

1326016 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於焦點確定方法、元件製造方法及遮罩。 【先前技術】 微影裝置為將所要圖案施加於基板上（通常施加於基板 之目標部分上）的機器。微影裝置可用於（例如）積體電路 (ic)之製造中。在彼種情況下，可使用圖案化元件（或者被 Φ 稱為遮罩或主光罩）來產生將在1C之個別層上形成的電路 圖案。可將此圖案轉移至基板上（例如，碎晶圓）之目標部 分（例如，包含一或若干個晶粒之部分）上。圖案之轉移通 常係經由成像至基板上所提供之一輻射敏感材料（抗蝕劑） 層上來進行。大體上，單一基板將含有經相繼地圖案化之 鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：所謂的步進 機，其中藉由將整個圖案一次曝光於每一目標部分上來照 射該目標部分；及所謂的掃瞎器，其中藉由經由㈣束以 • 一給定方向（"掃描”方向）掃描圖案同時平行於或反向平行 於此方向同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有可能 藉由將圖案壓印於基板上來將圖案自圖案化元件轉移至基 板0 在使用微影製程之it件製造中，通f將每—遮罩圖案投 影於聚焦目標部分上。實務上，此意謂基板之目標部分係 定位於由投影系統所投影之空間影像的最佳焦點平面中。 由於微影中臨界尺寸（CD(意即，其之變化將引起特徵之物 理性質（諸如電晶體之閘極寬度）的不良變化的特徵尺寸）收 111800.doc υιό 縮故，，、'.點的-致性（穿過基板與基板之間）變得愈加重 要从傳 '先上’微影裝置使用影像感應器來探測空間影像’ 或藉由冑别發送的晶圓"(意，在生產運行之前經曝光、 員 '及里測之基板)來確定最佳設置。在提前發送的晶圓 ’、。構係曝光於所謂的焦點·能量矩陣中，且 子彼等測試結構之檢驗來確定最佳焦點及能量設置。 已提議使用對準系統以監控焦點，且其之使用涉及在相 對於在處於各種不同焦點設置之正常對準標記的已知位置 」意p曰基板相對於投影系統之位置）列印焦點敏感對準 t "己$測此等焦點敏感標記相對於正常對準標記之位 置’且對準偏移(A〇)顯現哪—者代表聚焦誤差。 然而’此方法可使用寶貴的機器時間以列印標記及進行 確定對準偏移所必需之對準量測。同樣，該方法可使用具 有與對準感應器匹配之週期（你丨、 %朗（例如，近似16 pm)的標記， 此《顯著地大於元件圖案中之臨界結構的週期。因此， 對於對準標記而言經確定為尹彳去从也 疋马豉佳的焦點設置對於元件結構 而言可能不同樣為最佳的。 【發明内容】 因此’需要提供—種佔用與_g/ # 从衫裝置的較少時間且/或採 用具有較短週期之結構的用於確定一或多個最佳焦點設置 的方法 ' -種使用該或該等最佳焦點設置的元件製造方法 及用於該等方法之一或多者中的遮罩。 $據本發明之一態樣，提供—種用於為使用經配置以將 圖案自圖案化元件轉移至基板上之微影裝置的元件製造方 111800.doc 丄以6016 法確疋或夕個最佳焦點設置的方法，該方法包含： 使用微影裝置將複數個目標標記列印於基板上，以不同 的焦點設置來列印不同的目標標記； 使用角解析散射計來量測目標標記之性質；及 基於目標標記之所量測性質來確定該或該等焦點設置。 根據本發明之一態樣，提供使用經配置以將圖案自圖案 化兀件轉移至基板上之微影裝置的元件製造方

包含： 万去 藉由以下步驟確定一或多個焦點設置： 使用微影裝置將複數個目標標記列印於基板上，以不同 的焦點設置來列印不同的目標標記； 使用角解析散射計來量測目標標記之性質；及 基於目標標記之所量測性質來確定一或多個最佳焦點μ 置；及 〇又 使用該或該等最佳焦點設置來將元件圖案轉移至第二美 板上。 土 根據本發明之一態樣，提供一種用於一方法中之遮罩， 該方法為使用經配置以將圖案自圖案化元件轉移至基板上 之微影裝置的元件製造方法確定一或多個焦點設置，該遮 罩包含-代表目標標記之圖案’ g目標標記對焦點設置敏 感，且該遮罩包含一具有在大約200 nm至大約ι _之範圍 中的週期或尺度的結構及一具有類似於將在元件製造方法 中加以列印的元件特徵之週期或尺度的週期或尺度的子結 111800.doc 1326016 【實施方式】 圖1示意性地描述用於本發明之一實施例中的微影裝 置。該裝置包含： —照明系統（照明器）IL，其經組態以調節輻射束B(例 如，UV輻射或DUV輻射）。

—支撐結構（例如，遮罩台）MT，其經構造以支撐一圖案 化元件（例如，一遮罩）MA且連接至經組態以根據某些參數 來精確地定位圖案化元件的第一定位器PM ; 一基板台（例如’晶圓臺）WT ’其經構造以固持—基板 (例如，塗佈有抗蝕劑之晶圓）W且連接至經組態以根據某 些參數來精確地定位基板的第二定位器PW ;及 一投影系統（例如，折射投影透鏡系統）ps，其經組態以 藉由圖案化元件MA來將賦予輻射束6之圖案投影至基板w 之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒）上。

,照明系統可包括用於引導、定形、或控制輻射的各種類 型光學組件，諸如折射、反射、 型光學組件，或其之任何組合。 靜電或其他類 構以一方式來固持圖案化元件，該方式取決於圖 :真==:影裝置之設計及其他條件，諸如是否 在真二％境中固持圖案化元件。 空、靜電或其他夾持技椒^ 構可使用機械、真 凡八他灭符技術來固持圖案 + ^ ^ ^ 為一框架或-台，例如’其視需要可為。、“可 支樓結構可嫁保圖案化元件(例如)相對广的或移動的。 所要位置。可認為本文 " 十於投影系統處於一 1 °。主光罩"或"遮罩"的任何使 111800.doc 1326016 用與更通用的術語”圖案化元件"同義。 本文中所用的術語，•圖案化元 件應廣泛地理解為指可用 於在一輻射束之橫截面上將一 j. ^ 固累賦予該輻射束從而使得 在基板之目標部分中產生圖幸 付 ㈣Α 茶的任何几件。應注意，賦予 輻射束之圖案可以不完全對鹿 基板之目標部分中的所 要圖案’例如，若該圆案自 /、 移特徵或所謂的輔助性特 2。大體上’賦予輕射束之圖案將對應於在目標部分中產 的70件（諸如，積體電路）中的特殊功能層。 圖案化元件可為透射性的戍 a反射性的。圖案化元件之眚 例匕括遮罩、可程式鏡面陣列及 微影中係為吾人所熟知， 1罩在 包括凊如二7C型、交變相移型 及农減相移型的遮罩類型 各種還合料類型。可程式 鏡面陣列之一實例採用小鏡面 卜 個別地傾斜以反射不同…車配置’母-小鏡面可 门方向的入射輻射束。傾斜鏡面將一 圖案賦予由鏡面矩陣反射之II射束中。 本文中所用的術語”投影系統"應廣泛地理解為包含任何 類型的投影系統’包括折射、反射、反射折射、磁、電磁 及㈣光學系統或其之任何經合，只要其適於正使用之曝 光輕射，或適於盆#田本“#, 八他因素（啫如，浸液之使用或真空之使 )可〜為本文中術浯”投影透鏡"的任何使用與更通用 術語"投影系統”同義。 如本文中所述’裝置為透射型(例如，採用—透射遮 罩)。或者，該裝置可為反射型(例如，採用一如上述之類 型的可程式鏡面陣列，或採用一反射遮罩）。 U\S00.doc 1326016 微影裝置可為具有兩個^譬 另两個（雙千臺）或兩個以上基板台（及/ 或兩個或兩個以上遮罩台）之類型。在此”多平臺，機器中， 可並行使用額外台，或可在一或多個臺上執行預備步驟， 同時使用一或多個其他台來進行曝光。 微影裝置亦可為其中基板之至少一部分可由具有相對高 折射率之液體(例如，水)覆蓋以填充在投影系統與基板之 間之間隔的類型。亦可將一浸液施加於微影裝置中之其他

間隔例如’在遮罩與投影系統之間的間隔。液浸技術在 增加投影系統之數值孔徑的技術中為吾人所熟知。本文中 所用的術語"浸”並；^意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體 中，而疋僅意謂在曝光期間液體位於投影系統與基板之 間。 參看圖1 ,照明器IL自輻射源so接收一輻射束。該源與 微影裝置在（例如）該源為一準分子雷射器時可為分離的實 體。在該等狀況下，不認為該源形成微影裝置之一部分， 且在包含（例如）適當的導向鏡及/或射束放大器的光束傳遞 系統BD的幫助下’該輕射束自源s〇傳至照明器IL。在其 他狀況下，（例如）當該源為一水銀燈時，該源可為微影裝 置之一整體部分。若需要，則源S〇及照明器IL連同光束傳 遞系統BD可被稱為一輻射系統。 照明器IL可包含用於調整輻射束之角強度分佈的調整器 AD。大體上，可調整在照明器之瞳孔平面中強度分佈的 至少外部及/或内部徑向範圍（通常分別被稱為σ_外部及σ_ 内部）。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如積光 111800.doc 1326016 态IN及聚光器C0。照明器可用於調節輻射束，以使得在 其之橫截面中具有所要的均勻性及強度分佈。

輻射束Β係入射於固持於支撐結構（例如，遮罩台Μτ)上 之圖案化it件（例如’遮罩ΜΑ)上，且藉由該圖案化元件來 圖案化。在橫穿遮罩ΜΑ之後’輻射束Β經過將該束聚焦於 基板W之目標部分C上的投影系㈣。在第二定位器請及 位置感應器(例如’丨涉元件、線性編碼器或電容式感 應器）的幫助下，基板台霤丁可經精確地移動，（例如）以在 輻射束B之路徑中定位不同的目標部分CH (例如）在 自遮罩庫争機械地擷取之後或在一掃瞄期間，第一定位^ PM及另叫立置感應器（在圖1中未明❹述）可用於相對於 輻射束B之路徑來精確地定位遮罩MA。大體上，遮罩a MT之移動可在形成第—定位器pM之一部分的長衝程模^ (粗定位）及短衝程模組（精定位）的幫助下來實現。同樣， 基板台WT之移動可使用形成第二定位sPW之一部分的長 衝程模組及短衝程模組來實現。在一步進機（與一掃描器 相對）之狀況下，遮罩台MT可僅連接至一短衝程致動^， 或可為固定的。可使用遮罩對準標記M1、M2及基板對準 標記PI、P2來使遮罩MA及基板w對準。儘管所說明之基 板對準標記佔據專用的目標部分，但其可位於目標部分之 間的間隔中（此等被稱為劃線對準標記）。同樣，在其中多 個晶粒被提供於遮罩MA上的情況下，遮罩對準標呓可位 於晶粒之間。 所描述之裝置可用於下列模式之至少一者十： 111800.doc 12 h在步進模式中，使遮罩台ΜΤ及基板台WT保持大體上 _定’同時將賦予輻射束之整個圖案一次投影於目標部分

Cjl(意即’單一靜態曝光）。隨後將基板台WT以X及/或Y 方向移位’從而使得可曝光不同目標部分C。在步進模式 中’曝光場之最大尺寸限制單一靜態曝光中成像之目標部 分c的尺寸。 2.在掃描模式中’同步掃描遮罩台MT及基板台WT，同 • 時將賦予輻射束之圖案投影至目標部分C上（意即，單一動 〜、曝光）。基板台WT相對於遮罩台MT之速度及方向可由投 办系統PS之放大（縮小）及影像反轉特性來確定。在掃描模 . 式中曝光场之最大尺寸限制單一動態曝光中目標部分之 寬度（在非掃描方向上）’而掃描運動之長度確定目標部分 的尚度（在掃描方向上 3·在另一模式中，保持遮罩台Μτ大體上固定從而固持 可私式圖案化元件，且移動或掃描基板台wt，同時將 _ 冑予輻射束之圖案投景多至目標部分C上。在此模式中，通 常採用—脈衝輻射源，且在基板台WT之每-移動後或在 -掃描期間之相繼的輻射脈衝之間，視需要更新可程式圖 案化元件。可容易地將此操作模式應用於利用諸如如上所 述類型之可程式鏡面陣列的可程式圖案化元件的無遮罩微 影。 亦可採用上述使用模式之組合及/或變化、或完全不同 之使用模式。 圖2為根據本發明之一實施例描述一方法的流程圖，其 111800.doc -13· 1326016 中確定用於元件製造之最佳焦點設置，且隨後將該等焦點 設置用於製造元件。 在第一步驟si中，使用隨後將用於元件製造之微影裝置 來將複數個目標標記列印於一測試或，，提前發送"的基板 上。該等目標標記可包含：-主結構，其具有一相對大的 週期或尺度，例如在大約200 nm至大約1 μιη的範圍中尤 其為大約500 nm;及一子結構，其具有相對小的尺度例 如在大約25至大約150 nm的範圍中。該子結構可具有一與 待製造之元件結構之一或多者的尺度相當的週期或尺度了 例如大約50 nm或大約1〇〇 nn^在一特殊實施例中，包括 具有兩個不同尺度之子結構。在一實施例中，可提供一經 組態以列印此等目標標記之一或多者的遮罩。 該複數個目標標記係列印於具有複數個不同焦點設置的 基板上，可將若干目標標記列印於每一焦點設置處。詳古 之，在該複數個目標標記中為除了相對於彼此旋轉“Ο。： 彼，互為鏡像之外相同的標記對。以相同的焦點設置來列 印每一對之兩個標記。 目標標記係對焦點敏感的’意謂若其在焦點之外被曝 光貝J將可檢測到所列印之標記（無論係潛伏 的)皆不同於列印於焦點中之標記。目標標記可使得= 所列印之標記來確定在焦點之外曝光所達到的程度。在— ^殊實，例中’若目標標記係列印於焦點中則其為不對稱 的’但若其係列印 以使得轉換適用…… 稱“亦可經配置 或，、可在，、之對稱度與焦點設置之間具 Π 1800.doc Ϊ326016 有較複雜的關係。

^ ^ ^ 乃〜口个硬的美國真南I 申言月案第US 10/918,742號（該文件之 ，〜王又以y用的方式 入本文幻中所描述的㈣析散射計來量測㈣印之 L己的⑨質’’然而亦可使用其他工具^該散射計可係離 線的或單獨的工具’或係經整合至一微影裝置（例如，將 用t元件製造之微影裝置）中的散射計。該散射計可讀取

目^之潛影、㈣劑中之顯影或—經轉移至基板中的影 像。 曰散射計之輸出的精轉形式將取決於目標標記之形式及經 量"J之f生f纟一些狀況下，散射計資料可用於重建散射 結構：影像(意即，目標標記)’而在許多狀況下，尤其若 不對稱H經里^，則散射計輸出可較簡單地與所量測之性 ^相關纟一些狀況下，所量測之性質可藉由將散射量測 f料與自H或多個校準標記所得到的f料相比較來確 定。 在對私性係經量測之性質的^兄了，目標標記之所量測 的不對％性Am可由目標標記之實際不對稱性At及散射計之 任何系統誤差Ae組成，意即：

Am=At+Ae ⑴ 補充目標標記（意即’一列印有相同的焦點設置但旋 轉1 80或為鏡像的相同標記）之所量測的不對稱性α、將被 期望展現相等但相反的實際不對稱性及相同的系統不對稱 性，意即： 111800.doc 15 1326016 A'm=-At+Ae (2) 從而使得藉由自（1)減去（2)，有可能提取出目標標記之 實際不對稱性。 步驟S3包含處理散射量測資料以確定將用於元件製造方 法中之焦點6又置。在一痛早狀況下，此可包含比較確定用 於列印有不同焦點設置之標記（對）的（實際）不對稱性以識 別哪一者為最不對稱或最對稱。在某些狀況下，可藉由在 所量測之結果之間内插或自所量測之結果外推來確定最佳 設置。在步驟S4 ’隨後可使用焦點設置以使用一相同微影 裝置來曝光生產基板’經由該相同微影裝置處理測試或" 提前發送”基板。 以下參看圖3至5來解釋本發明之一實施例的操作。一包 含一 500 nm渠溝（其中具有1〇〇 nm及50 nm線）的目標標記 在三個不同焦點設置被成像至基板上，且圖3A、4八及5A 中展示所得結構的橫截面。相應的散射計輸出展示於圖 3B、4B及5B中。在圖3A中，影像完全在焦點之外，從而 使知根本未能解析出1 〇 〇 nm及5 0 nm線。因此在基板上之 結構由兩個1〇〇 nm高的不透明區域組成，渠溝之每一側為 5 00 iim寬。在圖4A中，影像接近焦點’從而使得可解析與 渠溝之中心偏差50 nm的1〇〇 nm線，而不可解析50 nm線。 在圖5A中，可解析兩線。在1 〇〇 nm線的相對側，50 距渠溝之側50 nm。可在圖3B、4B及5B中清楚地看出相應 散射計輸出之差異。圖3B展示在圓形區域大體上恆定且外 部為零的對稱回應。圖4B展示具有強不對稱性（在對應於 111800.doc -16 - ^26016 100 nm線之側上具有較高強度）的重疊偏位圓之圖案。圖 5B展示重疊圓的類似圖案’但該圓案具有較少的不對稱 置。可藉由簡單的準則（例如，藉由在散射量測回應中量 測不對稱性及/或空間頻率）來容易地區分此等圓案。 使用根據本發明之一實施例的方法所確定之焦點設置可 優於使用先前技術所確定之彼等焦點設置，因為所使用之 標記可經配置以類似於一元件結構且具有類似的離焦行 為。因此，對於測試標記而言經綠定為最佳的焦點設置對 於元件結構而言亦應為最佳的。 儘管在此文中參考可特定參考在IC之製造中的微影裝置 的使用，但應瞭解，本文中所描述之微影裝置可具有其他 應用，諸如積體光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測 圖案、平板顯示器、液晶顯示器（LCD)、薄膜磁頭等的製 造。熟習此項技術者應瞭解，在該等替代應用之情況下， 本文中術曰曰圓或"晶粒"的任何使用可被認為分別與更 通用的術語"基板"或，，目標部分"同義。在（例如）自動化塗 佈顯影系統（通常將抗蝕劑層塗覆於基板上且顯影經曝光 之抗蝕劑的工具）、計量工具及/或檢測工具中曝光前或 後，可對本文中所涉及的基板加以處理。在可適用時，本 文中之揭示案可應用於此等及其他基板處理工具。另外， (例如）為了產生多層1C，基板可經多次處理，從而使得本 文中所使用之術語基板亦可指已含有多個經處理層的基 板。 儘管在上文中可特定參考在光學微影中的本發明之實施 111800.doc 1326016 例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用（例如，壓 印微影）’且在情況允許時，本發明不限於光學微影。在 愿印微影中，圖案化元件中之構形界定產生於基板上之圖 案。圖案化元件之構形可被壓入供應於基板上之抗姓劑層 中’在該基板上藉由施加電磁輕射、熱、壓力或其之組合 來固化抗蝕劑。將圖案化元件移出抗蝕劑，從而在該抗蝕 劑被固化之後在其中留下一圖案。 本文_所使.用的術語"輕射"及"束”包含所有類型的電磁 輻射，包括紫外（uv)輻射（例如，具有大約365、355、 248、193、157或120 nm之波長）及遠紫外（EUV)輻射（例 如，具有在5至20 nm之範圍中的波長）以及粒子束（諸如離 子束或電子束）。 術語"透鏡"在情況允許時可指各種類型的光學組件（包括 折射、反射、磁、電磁及靜電光學組件）的任一者或組合。 隹…、:以上已描述了本發明之特定實施例，但將瞭解，可 不同於所描述地來實施本發明。舉例言之，本發明可採取 含有摇述上述方法之一或多個機器可讀指令序列的電腦程 式或其中儲存有該電腦程式的資料儲存媒體（例如，半導 體s己憶體、磁碟或光碟）的形式。 上文中之為述思欲為說明性的，而非限制性的。因此， 對於熟習此項技術者而言，在不偏離下文中陳述之申請專 利範圍的範缚的情況下可對所述之發明進行修正是顯而易 見的® 【圖式簡單說明】 111800.doc -18- 1326016 圖1根據本發明之一實施例描述微影裝置； 圖2根據本發明之一實施例描述一方法；及 圖3A、3B、4A、4B、5A及5B描述在不同焦點設置成像 之目標圖案及一散射計之相應回應。 【主要元件符號說明】

AD 調整器 BD 光束傳遞系統 B 輻射束 CO 聚光器 IF 位置感應器 IL 照明系統/照明器 IN 積光器 Ml 遮罩對準標記 M2 遮罩對準標記 ΜΑ 圖案化元件/遮罩 ΜΤ 支撐結構/遮罩台 Ρ1 基板對準標記 Ρ2 基板對準標記 ΡΜ 第一定位器 PS 投影系統 PW 第二定位器 SO 輻射源 WT 基板台 W 基板 H1800.doc -19·

Claims (1)

1^2601$〇9512191〇號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(98年9月）十、申請專利範圍：

年 F贫·正補充 1.:種用於A冑帛一微影裝置之元件製造方法確定一個 最佳焦點設置的方法，該微影装置經配置以將一圖案自 一圖案化元件轉移至-基板上，該方法包含： 使用該微影袭置將複數個目標標記列印於一基板上， 該等目輮私圮中不同的目標標記列印有不同的焦點設 置其中δ玄等目標標記包括形式相同但相對於彼此旋轉 180°的成對標記； 使用一角解析散射計量測該等目標標記之一性質；及 基於該#目標標記之一所量測性質來確定最佳焦點設 置，包含自該等對之一個別一者之一第二目標標記的該 所量測性質的一量測減去該等對之該個別一者之一第一 目標標記之該所量測性質的一量測。 2. 如請求項1之方法，其中該等目標標記包含一具有一在 大約200 nm至大約i μιη之範圍中的週期或尺度的結構， 及一具有一與一將在該元件製造方法中被列印的元件特 徵之週期或尺度類似的週期或尺度的子結構。 3. 如請求項2之方法，其中該子結構之該週期或尺度在大 約25 nm至大約15〇 nm之範圍中。 4·如請求項2之方法，其中該子結構具有兩個特殊 的週期。 5.如請求項1之方法，其令該性質與該目標標記之一 稱性相關。 對 6. 一種 用一經配置以將一圖案自一圖案化元件轉移 至 H1800-980929.doc 丄J厶丄 月M曰修正補充 基:上之微影裝置W件製造方法，該方法包含： 藉由以下步騾確定一焦點設置： 使用該微影裝置將複數個 標標記列印於一裳_ ^ 板上，該等目桿栌命" π第基 ，、標記中不同的目標 焦點設置，其中竽黧a丨有不円的 #目標標記包括形式㈣但相對於 彼此旋轉180。的成對標記； ·； :用肖解析散射計量測該等目標標記之一性質；及 隹土於該等目標標記之該所量測性質來確定一個最佳 俨々的〜 等 個別-者之-第二目標 ^⑯ jl±貝的——減去該等對之該個別- -目標標記之該所量測性質一該量測，·及 使用该最佳隹雖^n. m -. 上。 .，"^又置將一疋件圖案轉移至一第二基板 7. 如清求項6之方沐 甘士斗松 <万法，其中該等目標標記包含一具有— 大約200 ηιη至大的！ μ止 々微未之範圍中的週期或尺度的結 H與一將在該元件製造方法中被列印的元 徵之週期或尺度類似的週期或尺度的子結構。 8. 如請求項7夕士、+ 法，-中該子結構之該週期或尺度在大 約25 nm至大約150 nm之範圍中。 9. 如請求項7之^ ^ 之方法，其中該子結構具有兩個特殊且不同 的週期。 10. 如請求項6夕十、1 , 項之方法，其中該性質與該目標標記之一不 稱性相關。 11· 一種用於~ 、—方法中以為一元件製造方法確定一個焦點設 111800-980929.doc Ι3_16 Ή 日修止補疋 置的遮罩，該元件製造方法使^一經配置以將一圖案自 • 一圖案化元件轉移至一基板上之微影裝置’該遮罩包含 - 一表示一目標標記之圖案，該目標標記對焦點設置敏 感，且該遮罩包含一具·有一在大約200 nm至大約1微米 之範圍中之週期的結構及一具有一與一將在該元件製造 方法中被列印的元件特徵之週期類似的週期或尺度的子 結構。 12. 如請求項11之遮罩

其中忒子結構之該週期在大約25 13. nm至大約150 nm之範圍中。 如請求項11之遮罩，其中該子結構具有兩 的週期。 個特殊且不同 14·如請求項11之遮罩，其中該遮罩包 ^ 3 一表示形式相鬥 相對於彼此旋轉180度或彼此為鏡億 圖案。 像之一對目標標記的

111800-980929.doc