JP2007013169A - 焦点決定方法、デバイス製造方法、及びマスク - Google Patents
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Abstract
【解決手段】リソグラフィ装置を用いて複数の目標マーカを基板上にプリントするステップにおいて、複数のマーカをそれぞれ異なる焦点に設定してプリントする工程と角度分解散乱計を用いて目標マーカの特性を測定するステップと、前記特性に基づいて1つまたは複数の焦点を設定する工程を含む焦点決定方法である。
【選択図】図2
Description
リソグラフィ装置を使用して複数の目標マーカを基板上にプリントするステップであって、目標マーカのうちの異なるマーカは異なる焦点設定を用いてプリントされるステップと、
角度分解散乱計(angle−resolved scatterometer)を使用して、目標マーカの特性を測定するステップと、
目標マーカの測定された特性に基づいて1つ又は複数の焦点設定を決定するステップとを含む。
1つ又は複数の焦点設定を、
リソグラフィ装置を使用して複数の目標マーカを第1の基板上にプリントするステップであって、目標マーカのうちの異なるマーカは異なる焦点設定を用いてプリントされるステップと、
角度分解散乱計を使用して、目標マーカの特性を測定するステップと、
目標マーカの測定された特性に基づいて1つ又は複数の最適焦点設定を決定するステップとによって決定するステップと、
1つ又は複数の最適焦点設定を使用してデバイス・パターンを第2の基板上に転写するステップとを含む。
− 放射ビーム(例えば、UV放射又はDUV放射)Bを調整するように構成される照明系(照明器)ILと、
− パターン形成デバイス(例えば、マスク)MAを支持するように構成され、パターン形成デバイスを一定のパラメータに従って正確に位置付けるように構成される第1の位置決め器PMに接続される支持構造(例えば、マスク台)MTと、
− 基板(例えば、レジスト塗布ウェーハ)Wを保持するように構成され、基板を一定のパラメータに従って正確に位置付けるように構成される第2の位置決め器PWに接続される基板台(例えば、ウェーハ台)WTと、
− パターン形成デバイスMAによって放射ビームBに与えられるパターンを基板Wの(例えば、1つ又は複数のダイを含む)目標部分Cに投影するように構成される投影系(例えば、屈折投影レンズ系)PSとを備える。
Am=At+Ae (1)
となる。
A’m=−At+Ae (2)
となる。
BD ビーム送出システム
IL 照明系
AD 調整器
IN 統合器
CO 集光器
B 放射ビーム
MT 支持構造
PM 第1の位置決め器
MA パターン形成デバイス
M1 マスク位置合わせマーク
M2 マスク位置合わせマーク
PS 投影系
WT 基板台
PW 第2の位置決め器
W 基板
C 目標部分
P1 基板位置合わせマーク
P2 基板位置合わせマーク
IF 位置センサ
Claims (18)
- パターン形成デバイスから基板上にパターンを転写するように構成されるリソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法用の1つ又は複数の最適焦点設定を決定するための方法であって、
前記リソグラフィ装置を使用して複数の目標マーカを基板上にプリントするステップであって、前記目標マーカのうちの異なるマーカは異なる焦点設定を用いてプリントされるステップと、
角度分解散乱計を使用して、前記目標マーカの特性を測定するステップと、
前記目標マーカの測定された特性に基づいて前記1つ又は複数の焦点設定を決定するステップとを含む方法。 - 前記目標マーカが、約200nmから約1μmの範囲の区切り又はスケールを有する構造と、前記デバイス製造方法でプリントされるデバイス・フィーチャのものと同じ区切り又はスケールを有する副構造とを備える、請求項1に記載の方法。
- 前記副構造の前記区切り又はスケールが、約25nmから約150nmの範囲にある、請求項2に記載の方法。
- 前記副構造が、2つの別個の異なる区切りを有する、請求項2に記載の方法。
- 前記複数の目標マーカが、形態は同じであるが、互いに対して180°回転した、又は互いに鏡像関係にあるマーカ対を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記1つ又は複数の焦点設定を決定するステップが、各前記対の一方の目標マーカの前記特性の測定値を、個々の前記対の他方の目標マーカの前記特性の測定値から減算するステップを含む、請求項5に記載の方法。
- 前記特性が、前記目標マーカの非対称性に関する、請求項1に記載の方法。
- パターン形成デバイスから基板上にパターンを転写するように構成されるリソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法であって、
1つ又は複数の焦点設定を、
前記リソグラフィ装置を使用して複数の目標マーカを第1の基板上にプリントするステップであって、前記目標マーカのうちの異なるマーカは異なる焦点設定を用いてプリントされるステップと、
角度分解散乱計を使用して、前記目標マーカの特性を測定するステップと、
前記目標マーカの前記測定された特性に基づいて1つ又は複数の最適焦点設定を決定するステップとによって決定するステップと、
前記1つ又は複数の最適焦点設定を使用してデバイス・パターンを第2の基板上に転写するステップとを含む方法。 - 前記目標マーカが、約200nmから約1ミクロンの範囲の区切り又はスケールを有する構造と、前記デバイス製造方法でプリントされるデバイス・フィーチャのものと同じ区切り又はスケールを有する副構造とを備える、請求項8に記載の方法。
- 前記副構造の前記区切り又はスケールが、約25nmから約150nmの範囲にある、請求項9に記載の方法。
- 前記副構造が、2つの別個の異なる区切りを有する、請求項9に記載の方法。
- 前記複数の目標マーカが、形態は同じであるが、互いに対して180°回転した、又は互いに鏡像関係にあるマーカ対を含む、請求項8に記載の方法。
- 前記1つ又は複数の焦点設定を決定するステップが、各前記対の一方の目標マーカの前記特性の測定値を、個々の前記対の他方の目標マーカの前記特性の測定値から減算するステップを含む、請求項12に記載の方法。
- 前記特性が、前記目標マーカの非対称性に関する、請求項8に記載の方法。
- パターン形成デバイスから基板上にパターンを転写するように構成されるリソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法用の1つ又は複数の焦点設定を決定する方法で使用されるマスクであって、目標マーカを表すパターンを備え、前記目標マーカは、焦点設定に感受性があり、約200nmから約1ミクロンの範囲の区切り又はスケールを有する構造と、前記デバイス製造方法でプリントされるデバイス・フィーチャのものと同じ区切り又はスケールを有する副構造とを備えるマスク。
- 前記副構造の前記区切り又はスケールが、約25nmから約150nmの範囲にある、請求項15に記載のマスク。
- 前記副構造が、2つの別個の異なる区切りを有する、請求項15に記載のマスク。
- 前記マスクが、形態は同じであるが、互いに対して180°回転した、又は互いに鏡像関係にある1対の目標マーカを表すパターンを備える、請求項15に記載のマスク。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140036027A (ko) * | 2011-08-18 | 2014-03-24 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP2017502336A (ja) * | 2013-12-17 | 2017-01-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 検査方法およびリソグラフィ装置 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7916284B2 (en) * | 2006-07-18 | 2011-03-29 | Asml Netherlands B.V. | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method |
US7852459B2 (en) | 2007-02-02 | 2010-12-14 | Asml Netherlands B.V. | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method |
NL1036856A1 (nl) | 2008-04-24 | 2009-10-27 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method. |
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US9466100B2 (en) | 2012-06-06 | 2016-10-11 | Kla-Tencor Corporation | Focus monitoring method using asymmetry embedded imaging target |
CN103832223A (zh) * | 2012-11-20 | 2014-06-04 | 傅黎明 | 一种tpms技术缺陷改进方案 |
US9411249B2 (en) | 2013-09-23 | 2016-08-09 | Globalfoundries Inc. | Differential dose and focus monitor |
KR102238708B1 (ko) | 2014-08-19 | 2021-04-12 | 삼성전자주식회사 | 리소그래피 공정의 초점 이동 체크 방법 및 이를 이용한 전사 패턴 오류 분석 방법 |
Family Cites Families (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69231715D1 (de) | 1991-03-04 | 2001-04-12 | At & T Corp | Herstellungsverfahren von integrierten Halbleiterschaltungen unter Anwendung von latenten Bildern |
DE69531854T2 (de) | 1994-08-02 | 2004-08-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Verfahren zur wiederholten abbildung eines maskenmusters auf einem substrat |
US5703692A (en) | 1995-08-03 | 1997-12-30 | Bio-Rad Laboratories, Inc. | Lens scatterometer system employing source light beam scanning means |
US5880838A (en) | 1996-06-05 | 1999-03-09 | California Institute Of California | System and method for optically measuring a structure |
US5963329A (en) | 1997-10-31 | 1999-10-05 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for measuring the profile of small repeating lines |
JP3949853B2 (ja) | 1999-09-28 | 2007-07-25 | 株式会社東芝 | 露光装置の制御方法及び半導体製造装置の制御方法 |
US6429943B1 (en) | 2000-03-29 | 2002-08-06 | Therma-Wave, Inc. | Critical dimension analysis with simultaneous multiple angle of incidence measurements |
JP2003532306A (ja) | 2000-05-04 | 2003-10-28 | ケーエルエー・テンコール・テクノロジーズ・コーポレーション | リソグラフィ・プロセス制御のための方法およびシステム |
US6429930B1 (en) | 2000-09-06 | 2002-08-06 | Accent Optical Technologies, Inc. | Determination of center of focus by diffraction signature analysis |
US6753961B1 (en) | 2000-09-18 | 2004-06-22 | Therma-Wave, Inc. | Spectroscopic ellipsometer without rotating components |
IL138552A (en) | 2000-09-19 | 2006-08-01 | Nova Measuring Instr Ltd | Measurement of transverse displacement by optical method |
US6750968B2 (en) * | 2000-10-03 | 2004-06-15 | Accent Optical Technologies, Inc. | Differential numerical aperture methods and device |
US6768983B1 (en) | 2000-11-28 | 2004-07-27 | Timbre Technologies, Inc. | System and method for real-time library generation of grating profiles |
US6515744B2 (en) | 2001-02-08 | 2003-02-04 | Therma-Wave, Inc. | Small spot ellipsometer |
US6819426B2 (en) | 2001-02-12 | 2004-11-16 | Therma-Wave, Inc. | Overlay alignment metrology using diffraction gratings |
US6699624B2 (en) | 2001-02-27 | 2004-03-02 | Timbre Technologies, Inc. | Grating test patterns and methods for overlay metrology |
WO2002070985A1 (en) * | 2001-03-02 | 2002-09-12 | Accent Optical Technologies, Inc. | Line profile asymmetry measurement using scatterometry |
US7382447B2 (en) | 2001-06-26 | 2008-06-03 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Method for determining lithographic focus and exposure |
US6704661B1 (en) | 2001-07-16 | 2004-03-09 | Therma-Wave, Inc. | Real time analysis of periodic structures on semiconductors |
US6785638B2 (en) | 2001-08-06 | 2004-08-31 | Timbre Technologies, Inc. | Method and system of dynamic learning through a regression-based library generation process |
US7061615B1 (en) | 2001-09-20 | 2006-06-13 | Nanometrics Incorporated | Spectroscopically measured overlay target |
JP3615181B2 (ja) * | 2001-11-06 | 2005-01-26 | 株式会社東芝 | 露光装置の検査方法、焦点位置を補正する露光方法、および半導体装置の製造方法 |
US6884552B2 (en) | 2001-11-09 | 2005-04-26 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Focus masking structures, focus patterns and measurements thereof |
US6608690B2 (en) | 2001-12-04 | 2003-08-19 | Timbre Technologies, Inc. | Optical profilometry of additional-material deviations in a periodic grating |
US6772084B2 (en) | 2002-01-31 | 2004-08-03 | Timbre Technologies, Inc. | Overlay measurements using periodic gratings |
US6813034B2 (en) | 2002-02-05 | 2004-11-02 | Therma-Wave, Inc. | Analysis of isolated and aperiodic structures with simultaneous multiple angle of incidence measurements |
US7061627B2 (en) | 2002-03-13 | 2006-06-13 | Therma-Wave, Inc. | Optical scatterometry of asymmetric lines and structures |
US6721691B2 (en) | 2002-03-26 | 2004-04-13 | Timbre Technologies, Inc. | Metrology hardware specification using a hardware simulator |
US6928628B2 (en) | 2002-06-05 | 2005-08-09 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Use of overlay diagnostics for enhanced automatic process control |
US7046376B2 (en) | 2002-07-05 | 2006-05-16 | Therma-Wave, Inc. | Overlay targets with isolated, critical-dimension features and apparatus to measure overlay |
US6919964B2 (en) | 2002-07-09 | 2005-07-19 | Therma-Wave, Inc. | CD metrology analysis using a finite difference method |
CN1241067C (zh) * | 2002-08-02 | 2006-02-08 | 南亚科技股份有限公司 | 调整聚焦位置的方法 |
SG120958A1 (en) * | 2002-11-01 | 2006-04-26 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and device manufacturing method |
US7151594B2 (en) * | 2002-11-01 | 2006-12-19 | Asml Netherlands B.V. | Test pattern, inspection method, and device manufacturing method |
US7068363B2 (en) | 2003-06-06 | 2006-06-27 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems for inspection of patterned or unpatterned wafers and other specimen |
US7061623B2 (en) | 2003-08-25 | 2006-06-13 | Spectel Research Corporation | Interferometric back focal plane scatterometry with Koehler illumination |
US7791727B2 (en) | 2004-08-16 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
US20060109463A1 (en) | 2004-11-22 | 2006-05-25 | Asml Netherlands B.V. | Latent overlay metrology |
US7453577B2 (en) | 2004-12-14 | 2008-11-18 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus and method for inspecting a patterned part of a sample |
-
2005
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-
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140036027A (ko) * | 2011-08-18 | 2014-03-24 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP2014525596A (ja) * | 2011-08-18 | 2014-09-29 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2016033678A (ja) * | 2011-08-18 | 2016-03-10 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
KR101633744B1 (ko) * | 2011-08-18 | 2016-06-27 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US9690210B2 (en) | 2011-08-18 | 2017-06-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2017502336A (ja) * | 2013-12-17 | 2017-01-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 検査方法およびリソグラフィ装置 |
US10001711B2 (en) | 2013-12-17 | 2018-06-19 | Asml Netherlands B.V. | Inspection method, lithographic apparatus, mask and substrate |
JP2018139005A (ja) * | 2013-12-17 | 2018-09-06 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 検査方法、リソグラフィ装置、マスクおよび基板 |
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Also Published As
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