JP2017502336A - 検査方法およびリソグラフィ装置 - Google Patents
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Abstract
Description
[0001] 本出願は、2013年12月17日に出願された米国仮出願第61/917,041号および2014年2月27日に出願された米国仮出願第61/945,656号に関連し、それらは参照により全体が本明細書に組み込まれる。
[0031] 放射ビームB(例えば、UV放射またはDUV放射)を調整するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
[0032] パターニングデバイス(例えば、マスク)MAを支持するように構築され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1ポジショナPMに連結されたサポート構造(例えば、マスクテーブル)MTと、
[0032] 基板(例えば、レジストコートウェーハ)Wを保持するように構築され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第2ポジショナPWに連結された基板テーブル(例えば、ウェーハテーブル)WTと、
[0034] パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付けられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば、1つ以上のダイを含む)上に投影するように構成された投影システム(例えば、屈折投影レンズシステム)PSと、を備える。
のパラメータのセットを報告することである。追加の反復が実行される場合、計算された回折パターンおよび関連する改良パラメータのセットを新しい項目としてライブラリに追加することは任意選択的事項であろう。このように、比較的少ない計算労力に基づくものの改良ステップ616の計算労力を用いてより大きいライブラリに構築されるライブラリを当初から使用することができる。いずれのスキームが使用されても、複数の候補構造の適合の良好性に基づいて、報告された変動パラメータのうちの1つ以上の値のさらなる改良も達成することができる。例えば、最終的に報告されるパラメータ値のセットは、2つ以上の候補構造の両方またはすべてが高い適合スコアを有するということを前提として、それらの候補構造のパラメータ値とパラメータ値との間で補間を行うことによって生成され得る。
[00118] 図13cに示す非対称性信号1330、1350の両方(結果として得られる信号1360は、CoG信号のBossung型挙動と非対称性ライン信号の差との間の類似性に依存することになる)の差分を見つけること、および/または、
[00119] ターゲット1200、1230の両方の(多変量)フォーカス(ドーズ)モデルを作成すること、によって対処することができる。
第1露光を基板上に行うことであって、第1露光は、第1パターニングデバイスまたは第1パターニングデバイスパターン上に位置付けられる第1パターニングデバイス構造から第1印刷構造を印刷することと、
第2露光を基板上に行うことであって、第2露光は第1露光に隣接し、基板上に第1露光と第2露光の重なりの領域が存在し、重なりの領域は第1印刷構造を含むことと、を含み、
第2露光は、基板上の重なりの領域において、第1パターニングデバイスまたは第1パターニングデバイスパターン上、あるいは第2パターニングデバイスまたは第2パターニングデバイスパターン上に位置付けられた第2パターニングデバイス構造から第2印刷構造を印刷し、それによって複合構造を形成することを含む。
Claims (64)
- リソグラフィプロセスに関する焦点情報を得る方法であって、
第1ターゲットを照明することであって、前記第1ターゲットは交互に並ぶ第1および第2構造を備え、前記第2構造の形態は、前記第1ターゲットを形成するために使用されるパターン形成ビームの焦点に依存するように焦点依存性を有し、前記第1構造の形態は、前記第2構造の焦点依存性と同一の焦点依存性を有しない、照明することと、
前記第1ターゲットによって散乱した放射を検出して、前記第1ターゲットについて、前記第1ターゲットの全体的な非対称性を表す非対称性測定値を得ることであって、前記非対称性測定値は、前記第1ターゲットを形成する際に前記パターン形成ビームの焦点を示す、検出することと、を含む、
方法。 - 前記第1構造の前記形態は、前記第1ターゲットを形成する際に前記パターン形成ビームの焦点に対して故意の依存性を有しない、請求項1に記載の方法。
- 前記第1構造の前記形態は、前記第1ターゲットを形成する際に前記パターン形成ビームの焦点に対して依存性を有し、前記焦点依存性は、前記第2構造の前記焦点依存性と異なる、請求項1に記載の方法。
- 前記焦点依存性は、焦点シフトが反対方向に存在する前記第1構造および前記第2構造の重心のシフトを引き起こすように、前記第1および第2構造について異なる、請求項3に記載の方法。
- 前記パターン形成ビームを生成するためにパターニングデバイスが使用され、前記パターニングデバイスは、前記第1構造を形成する第1構造フィーチャと前記第2構造を形成する第2構造フィーチャとを備え、
前記第1構造フィーチャおよび前記第2構造フィーチャの両方は、低解像度サブ構造を形成する低解像度サブ構造フィーチャを備え、
前記第2構造フィーチャおよび、前記第1構造の前記形態が焦点依存性を有する場合、前記第1構造フィーチャは、前記第1ターゲットの高解像度サブ構造の数および/またはサイズが第1ターゲットを形成する際に前記パターン形成ビームの焦点に依存するように、高解像度サブ構造を形成する高解像度サブ構造フィーチャを備える、請求項2乃至4のいずれかに記載の方法。 - 前記低解像度サブ構造のライン幅は、前記高解像度サブ構造のライン幅より10nm〜50nm大きい、請求項5に記載の方法。
- 前記高解像度サブ構造は、前記低解像度サブ構造の方向に垂直な方向に延在する複数の矩形の高解像度サブ構造を含む、請求項5または請求項6に記載の方法。
- 前記高解像度サブ構造は、前記低解像度サブ構造に平行に配置された複数の矩形の高解像度サブ構造を含む、請求項5または請求項6に記載の方法。
- 前記高解像度サブ構造は、高解像度サブ構造の2次元アレイを含む、請求項5または請求項6に記載の方法。
- 前記高解像度サブ構造は、別々のライン幅を有する高解像度サブ構造を含む、請求項5乃至9のいずれかに記載の方法。
- 前記高解像度サブ構造は、前記低解像度サブ構造からライン幅が減少する順に配置される、請求項10に記載の方法。
- 前記高解像度サブ構造の各々は、50nm未満のライン幅を有する、請求項5乃至11のいずれかに記載の方法。
- 前記パターニングデバイスは、前記第1ターゲットが前記パターニングデバイス上の製品フィーチャについての最良焦点からオフセットされる最良焦点で形成されるように、3次元マスク効果を生じさせるマスク効果フィーチャを備える、請求項5乃至12のいずれかに記載の方法。
- 前記マスク効果フィーチャは、前記高解像度サブ構造のうちの1つ以上を備える、請求項13に記載の方法。
- 前記第1ターゲットは、前記非対称性測定値が前記第1構造と前記第2構造との間の重心シフトから得られる第1非対称性成分と、前記第2構造のプロファイルの非対称性から得られる第2非対称性成分とを備えるように構成され、前記第1ターゲットは、前記パターニングデバイス上の製品フィーチャについての最良焦点からオフセットされる最良焦点で形成され、前記最良焦点オフセットは、前記第2非対称性成分から得られる、請求項5乃至12のいずれかに記載の方法。
- 前記第2構造プロファイルの変化および前記第1構造および前記第2構造の相対的な配置を介して前記最良焦点オフセットを最適化することをさらに含む、請求項15に記載の方法。
- 少なくとも第2ターゲットを照明することをさらに含み、前記第2ターゲットは、第3および第4構造を備え、前記第4構造は、前記第2構造と異なる少なくとも1つのパラメータを有する、請求項1乃至16のいずれかに記載の方法。
- 前記第2ターゲットでの前記第4構造に対する前記第3構造の配置は、前記第1ターゲットでの前記第2構造に対する前記第1構造の配置に類似している、請求項17に記載の方法。
- 前記第2ターゲットによって散乱した放射を検出して、前記第2ターゲットについて、第2非対称性測定値を得ることと、
前記第2非対称性測定値と前記第1ターゲットに由来する前記非対称性測定値の差を決定することと、
前記差を使用して焦点決定の符号を決定することと、をさらに含む、請求項17または請求項18に記載の方法。 - 前記第1および第2ターゲットの多変量焦点モデルを構築することと、
前記モデルを使用して焦点決定の符号および/または値を決定することと、をさらに含む、請求項17または請求項18に記載の方法。 - 少なくとも2つの露光において前記第1ターゲットを形成することをさらに含み、前記形成することは、
第1露光を基板に対して実行することであって、前記第1露光は、前記第1構造または前記第2構造を形成する、実行することと、
第2露光を前記基板上に実行することであって、前記第2露光は前記第1露光に隣接し、前記基板上に前記第1露光と前記第2露光の重なりの領域が存在し、前記重なりの領域は前記形成された第1構造または形成された第2構造を備える、実行することと、を含み、
前記第2露光は、前記基板上の前記重なりの領域に、前記第1構造または前記第2構造の他方を形成することを含み、それによって前記第1ターゲットを形成する、請求項5乃至20のいずれかに記載の方法。 - 前記第1および第2構造は、フォトレジストにトレンチを備える、請求項21に記載の方法。
- 前記パターニングデバイスは、製品エリアと、前記製品エリアの周囲にスクライブラインエリアとを備え、前記第1構造フィーチャおよび前記第2構造フィーチャは、前記スクライブラインエリアに位置付けられる、請求項21または請求項22に記載の方法。
- 前記第1構造フィーチャは、前記スクライブラインエリアの第1側に位置付けられ、かつ、前記第2構造フィーチャは、前記製品エリアの前記第1側の反対側に位置付けられ、前記第1構造フィーチャは、単一の軸に対して前記第2構造フィーチャの正反対に位置付けられるようにする、請求項23に記載の方法。
- 前記非対称性測定値を使用して、前記ターゲットを形成するために使用される前記パターン形成ビームの焦点を決定することをさらに含む、請求項1乃至24のいずれかに記載の方法。
- 較正プロセスと監視および制御プロセスとを実行することをさらに含む、請求項1乃至25のいずれかに記載の方法。
- 該方法は、前記較正プロセス中、前記パターン形成ビームを使用して、焦点および露光オフセットの複数の組合せを用いて較正基板を露光することによって前記第1ターゲットを形成することを含み、前記照明することおよび検出することは、前記較正基板に対して実行され、かつ、焦点の関数として複数の前記非対称性測定値を得ることを含み、該方法は、前記複数の前記非対称性測定値および対応する焦点オフセットから焦点較正曲線を計算することをさらに含む、請求項26に記載の方法。
- 該方法は、前記監視および制御プロセス中、前記パターン形成ビームを使用して、監視基板を露光することによって前記第1ターゲットを形成することを含み、前記照明することおよび検出することは、前記監視基板に対して実行され、該方法は、前記焦点較正曲線を使用して前記非対称性測定値を焦点測定値に変換することをさらに含む、請求項27に記載の方法。
- 前記監視基板は、前記焦点測定値のすべてが前記焦点較正曲線のピークの一方側に存在する程度に十分な故意の焦点オフセットを用いて露光され、該方法は、前記焦点較正曲線を用いて得られた前記焦点測定値と前記故意の焦点オフセットの差として、実際の焦点測定値を計算することをさらに含む、請求項28に記載の方法。
- 前記焦点測定値は、後続のリソグラフィプロセス中、焦点設定を最適化するために使用される、請求項28または請求項29に記載の方法。
- 前記非対称性測定値は、検出された正および負の高次の回折次数の差を計算することを含む、請求項1乃至30のいずれかに記載の方法。
- 前記パターン形成ビームは、5nm〜20nmの範囲内の波長を有する、請求項1乃至31のいずれかに記載の方法。
- パターン形成ビームを使用して、リソグラフィプロセスの一部として前記ターゲットを形成することをさらに含む、請求項1乃至32のいずれかに記載の方法。
- ビームにパターン形成して交互に並ぶ第1および第2構造を備える第1ターゲットを形成するための第1パターンを備えるパターニングデバイスであって、該パターニングデバイスは、
前記第1構造を形成する第1構造フィーチャと、
前記第2構造を形成する第2構造フィーチャと、を備え、
前記第2構造フィーチャは、前記第2構造の形態が、前記第1ターゲットを形成する際に、前記パターン形成ビームの焦点に依存するように焦点依存性を有するように構成され、前記第1構造フィーチャは、前記第1構造の形態が前記第2構造の焦点依存性と同一の焦点依存性を有しないように構成される、パターニングデバイス。 - 前記第1構造フィーチャは、前記第1構造の前記形態が、前記第1ターゲットを形成する際に、前記パターン形成ビームの焦点に対して故意の依存性を有しないように構成される、請求項34に記載のパターニングデバイス。
- 前記第1構造は、前記第1構造の前記形態が、前記第1ターゲットを形成する際に、前記パターン形成ビームの焦点に対して依存性を有し、前記焦点依存性は、前記第2構造の前記焦点依存性と異なる、請求項34に記載のパターニングデバイス。
- 前記第1構造フィーチャは、焦点シフトが反対方向に存在する前記第1構造および前記第2構造の重心シフトを生じさせるように、前記第1および第2構造について前記焦点依存性が異なるように構成される、請求項36に記載のパターニングデバイス。
- 前記第1構造フィーチャおよび前記第2構造フィーチャの両方は、低解像度サブ構造を形成する低解像度サブ構造フィーチャを備え、
前記第2構造フィーチャおよび、前記第1構造の前記形態が焦点依存性を有する場合、前記第1構造フィーチャは、前記第1ターゲットの高解像度サブ構造の数および/またはサイズが第1ターゲットを形成する際に前記パターン形成ビームの焦点に依存するように、高解像度サブ構造を形成する高解像度サブ構造フィーチャを備える、請求項35乃至37のいずれかに記載のパターニングデバイス。 - 前記高解像度サブ構造フィーチャは、前記低解像度サブ構造フィーチャの方向に垂直な方向に延在する複数の矩形の高解像度サブ構造フィーチャを含む、請求項38に記載のパターニングデバイス。
- 前記高解像度サブ構造フィーチャは、前記低解像度サブ構造フィーチャに平行に配置された複数の矩形の高解像度サブ構造フィーチャを含む、請求項38に記載のパターニングデバイス。
- 前記高解像度サブ構造フィーチャは、高解像度サブ構造フィーチャの2次元アレイを含む、請求項38に記載のパターニングデバイス。
- 前記複数の高解像度サブ構造フィーチャは、別々のライン幅を有する高解像度サブ構造フィーチャを含む、請求項38乃至41のいずれかに記載のパターニングデバイス。
- 前記複数の高解像度サブ構造フィーチャは、前記低解像度サブ構造フィーチャからライン幅が減少する順に配置される、請求項42に記載のパターニングデバイス。
- 前記高解像度サブ構造フィーチャの各々は、50nm未満のライン幅を有する、請求項38乃至43のいずれかに記載のパターニングデバイス。
- 製品フィーチャとマスク効果フィーチャとを備え、前記マスク効果フィーチャは、前記第1ターゲットが前記製品フィーチャについての最良焦点からオフセットされる最良焦点で形成されるように3次元マスク効果を生じさせる、請求項38乃至44のいずれかに記載のパターニングデバイス。
- 前記マスク効果フィーチャは、前記高解像度サブ構造のうちの1つ以上を備える、請求項45に記載のパターニングデバイス。
- リソグラフィプロセスに従ってビームにパターン形成して前記第1ターゲットを形成するように動作可能である、請求項38乃至46のいずれかに記載のパターニングデバイス。
- 前記パターニングデバイスは、製品エリアと、前記製品エリアの周囲にスクライブラインエリアとを備え、前記第1構造フィーチャおよび前記第2構造フィーチャは、前記スクライブラインエリアに位置付けられ、前記第1構造フィーチャは、前記スクライブラインエリアの第1側に位置付けられ、かつ、前記第2構造フィーチャは、前記製品エリアの前記第1側の反対側に位置付けられ、前記第1構造フィーチャは、単一の軸に対して前記第2構造フィーチャの正反対に位置付けられるようにする、請求項38乃至47のいずれかに記載のパターニングデバイス。
- 前記パターニングデバイスは、ビームにパターン形成して第2ターゲットを形成するための第2パターンを備え、前記第2パターンは、第3および第4構造フィーチャを備え、前記第4構造フィーチャは、前記第2構造フィーチャと異なる少なくとも1つのパラメータを有する、請求項48に記載のパターニングデバイス。
- 前記第2パターンでの前記第4構造フィーチャに対する前記第3構造フィーチャの配置は、前記第1パターンでの前記第2構造フィーチャに対する前記第1構造フィーチャの配置に類似している、請求項49に記載のパターニングデバイス。
- 交互に並ぶ第1および第2構造を有する第1ターゲットを備える基板であって、
前記第1構造および前記第2構造の両方は、低解像度サブ構造を備え、
少なくとも前記第2構造は、高解像度サブ構造を備え、前記第1ターゲットの高解像度サブ構造の数および/またはサイズは、前記第1ターゲットを形成するために使用されるパターン形成ビームの焦点によって決定されている、基板。 - 前記高解像度サブ構造は、前記低解像度サブ構造の方向に垂直な方向に延在する複数の矩形の高解像度サブ構造を備える、請求項51に記載の基板。
- 前記高解像度サブ構造は、前記低解像度サブ構造に平行に配置された複数の矩形の高解像度サブ構造を備える、請求項51に記載の基板。
- 前記高解像度サブ構造は、高解像度サブ構造の2次元アレイを備える、請求項51に記載の基板。
- 前記高解像度サブ構造は、別々のライン幅を有する高解像度サブ構造を備える、請求項51乃至54のいずれかに記載の基板。
- 前記高解像度サブ構造は、前記低解像度サブ構造からライン幅が減少する順に配置される、請求項55に記載の基板。
- 前記高解像度サブ構造の各々は、50nm未満のライン幅を有する、請求項41乃至56のいずれかに記載の基板。
- 前記第1ターゲットは、請求項34乃至50のいずれかに記載のパターニングデバイスを使用して形成される、請求項51乃至57のいずれかに記載の基板。
- 前記リソグラフィプロセスを監視する監視基板を備える、請求項41乃至58のいずれかに記載の基板。
- 少なくとも第2ターゲットをさらに備え、前記第2ターゲットは、第3および第4構造を備え、前記第4構造は、前記第2構造と異なる少なくとも1つのパラメータを有する、請求項51乃至59のいずれかに記載の基板。
- 前記第2ターゲットでの前記第4構造に対する前記第3構造の配置は、前記第1ターゲットでの前記第2構造に対する前記第1構造の配置に類似している、請求項60に記載の基板。
- 請求項1乃至33のいずれかに記載の方法を実行するように動作可能であるリソグラフィ装置。
- 請求項1乃至33のいずれかに記載の方法を表す機械読取可能命令のシーケンスを備えるコンピュータプログラム。
- 請求項63に記載のコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体。
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Cited By (1)
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Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104658942A (zh) * | 2015-03-13 | 2015-05-27 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 关键尺寸测量设备的光源亮度调整系统和方法 |
WO2016198283A1 (en) | 2015-06-12 | 2016-12-15 | Asml Netherlands B.V. | Inspection apparatus, inspection method, lithographic apparatus, patterning device and manufacturing method |
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JP6738423B2 (ja) | 2015-12-17 | 2020-08-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 測定を向上させるための非対称なサブ分解能フィーチャを用いるリソグラフィプロセスの光学計測 |
JP6626208B2 (ja) * | 2015-12-21 | 2019-12-25 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置の焦点性能を測定するための方法、パターニングデバイス、計測装置、リソグラフィシステム、コンピュータプログラムおよびデバイス製造方法 |
WO2017123464A1 (en) * | 2016-01-11 | 2017-07-20 | Kla-Tencor Corporation | Hot spot and process window monitoring |
CN109073981B (zh) * | 2016-04-04 | 2021-09-24 | 科磊股份有限公司 | 通过填充因数调制的工艺兼容性改善 |
KR102201794B1 (ko) * | 2016-06-10 | 2021-01-13 | 아이엠이씨 브이제트더블유 | 반도체 제조 프로세스를 위한 계측 방법 및 장치 |
KR20210018967A (ko) * | 2016-07-11 | 2021-02-18 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 성능 파라미터의 핑거프린트를 결정하는 장치 및 방법 |
JP6716779B2 (ja) * | 2016-07-21 | 2020-07-01 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | ターゲットの測定方法、基板、計測装置およびリソグラフィ装置 |
CN109844647B (zh) * | 2016-10-14 | 2022-06-10 | 科磊股份有限公司 | 基于衍射的聚焦度量 |
DE102017201694A1 (de) * | 2017-02-02 | 2017-11-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Charakterisierung eines durch wenigstens einen Lithographieschritt strukturierten Wafers |
EP3376290A1 (en) | 2017-03-14 | 2018-09-19 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method and method of device manufacture |
US10656535B2 (en) * | 2017-03-31 | 2020-05-19 | Imec Vzw | Metrology method for a semiconductor manufacturing process |
US11131629B2 (en) * | 2017-05-26 | 2021-09-28 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and methods for measuring phase and amplitude of light through a layer |
EP3422102A1 (en) * | 2017-06-26 | 2019-01-02 | ASML Netherlands B.V. | Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method |
EP3454129A1 (en) * | 2017-09-07 | 2019-03-13 | ASML Netherlands B.V. | Beat patterns for alignment on small metrology targets |
EP3598235A1 (en) | 2018-07-18 | 2020-01-22 | ASML Netherlands B.V. | Metrology apparatus and method for determining a characteristic relating to one or more structures on a substrate |
EP3637187A1 (en) * | 2018-10-12 | 2020-04-15 | ASML Netherlands B.V. | Method for measuring focus performance of a lithographic apparatus |
EP3657256A1 (en) * | 2018-11-20 | 2020-05-27 | ASML Netherlands B.V. | Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method |
US10990022B2 (en) * | 2018-12-20 | 2021-04-27 | Kla Corporation | Field-to-field corrections using overlay targets |
KR20220036133A (ko) | 2020-09-15 | 2022-03-22 | 삼성전자주식회사 | Euv 포토마스크 및 이를 이용한 마스크 패턴의 형성 방법 |
US11460783B2 (en) | 2021-01-07 | 2022-10-04 | Kla Corporation | System and method for focus control in extreme ultraviolet lithography systems using a focus-sensitive metrology target |
EP4202550A1 (en) * | 2021-12-22 | 2023-06-28 | ASML Netherlands B.V. | Substrate comprising a target arrangement, associated patterning device, lithographic method and metrology method |
WO2023183526A1 (en) * | 2022-03-24 | 2023-09-28 | Massachusetts Institute Of Technology | Controlled delamination through surface engineering for nonplanar fabrication |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006039148A (ja) * | 2004-07-26 | 2006-02-09 | Toshiba Corp | ホトマスク、それを用いたフォーカス測定方法および半導体装置の製造方法 |
JP2007013169A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Asml Netherlands Bv | 焦点決定方法、デバイス製造方法、及びマスク |
JP2009260344A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ投影装置を測定する方法 |
US20110109888A1 (en) * | 2008-04-24 | 2011-05-12 | Asml Netherlands B.V. | Method and Apparatus for Measuring Line End Shortening, Substrate and Patterning Device |
JP2013520020A (ja) * | 2010-02-19 | 2013-05-30 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
WO2014074868A1 (en) * | 2012-11-09 | 2014-05-15 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for providing a target design displaying high sensitivity to scanner focus change |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6730444B2 (en) | 2001-06-05 | 2004-05-04 | Micron Technology, Inc. | Needle comb reticle pattern for critical dimension and registration measurements using a registration tool and methods for using same |
US7791727B2 (en) | 2004-08-16 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
US7352451B2 (en) * | 2004-11-12 | 2008-04-01 | Kla-Tencor Corporation | System method and structure for determining focus accuracy |
KR100831680B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2008-05-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 노광 포커스 계측 패턴을 가지는 마스크 및 이를 이용한계측 방법 |
JP4714162B2 (ja) | 2007-01-25 | 2011-06-29 | エルピーダメモリ株式会社 | フォーカスモニタ用マーク、フォーカスモニタ方法及びデバイス製造方法 |
TWI383273B (zh) * | 2007-11-20 | 2013-01-21 | Asml Netherlands Bv | 微影投射裝置之焦點測量方法及微影投射裝置之校準方法 |
JP2009130065A (ja) | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP5400451B2 (ja) * | 2008-04-18 | 2014-01-29 | パナソニック株式会社 | リチウム一次電池用負極およびリチウム一次電池 |
EP2131243B1 (en) * | 2008-06-02 | 2015-07-01 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for calibrating a stage position |
CN102272678A (zh) | 2008-12-30 | 2011-12-07 | Asml荷兰有限公司 | 检验方法和设备、光刻设备、光刻处理单元和器件制造方法 |
JP5864752B2 (ja) * | 2011-08-31 | 2016-02-17 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 焦点補正を決定する方法、リソグラフィ処理セル及びデバイス製造方法 |
KR101983615B1 (ko) | 2012-06-22 | 2019-05-29 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 포커스를 결정하는 방법, 검사 장치, 패터닝 장치, 기판, 및 디바이스 제조 방법 |
US9411223B2 (en) * | 2012-09-10 | 2016-08-09 | Globalfoundries Inc. | On-product focus offset metrology for use in semiconductor chip manufacturing |
-
2014
- 2014-11-20 US US15/104,212 patent/US10001711B2/en active Active
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2016
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2018
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- 2018-05-01 US US15/968,743 patent/US10394137B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006039148A (ja) * | 2004-07-26 | 2006-02-09 | Toshiba Corp | ホトマスク、それを用いたフォーカス測定方法および半導体装置の製造方法 |
JP2007013169A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Asml Netherlands Bv | 焦点決定方法、デバイス製造方法、及びマスク |
JP2009260344A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ投影装置を測定する方法 |
US20110109888A1 (en) * | 2008-04-24 | 2011-05-12 | Asml Netherlands B.V. | Method and Apparatus for Measuring Line End Shortening, Substrate and Patterning Device |
JP2013520020A (ja) * | 2010-02-19 | 2013-05-30 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
WO2014074868A1 (en) * | 2012-11-09 | 2014-05-15 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for providing a target design displaying high sensitivity to scanner focus change |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021535445A (ja) * | 2018-10-30 | 2021-12-16 | ケーエルエー コーポレイション | 非対称収差の推定 |
JP7225388B2 (ja) | 2018-10-30 | 2023-02-20 | ケーエルエー コーポレイション | 計量ターゲット |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108931891A (zh) | 2018-12-04 |
TW201716883A (zh) | 2017-05-16 |
KR101865641B1 (ko) | 2018-06-08 |
KR101982642B1 (ko) | 2019-05-27 |
CN105980932B (zh) | 2018-08-03 |
KR20160097304A (ko) | 2016-08-17 |
JP6334708B2 (ja) | 2018-05-30 |
US20160313656A1 (en) | 2016-10-27 |
CN108931891B (zh) | 2020-11-03 |
JP2018139005A (ja) | 2018-09-06 |
US10394137B2 (en) | 2019-08-27 |
JP6560787B2 (ja) | 2019-08-14 |
IL246161B (en) | 2021-01-31 |
KR20180063366A (ko) | 2018-06-11 |
US20180253018A1 (en) | 2018-09-06 |
NL2013838A (en) | 2015-06-18 |
TW201527901A (zh) | 2015-07-16 |
TWI575334B (zh) | 2017-03-21 |
TWI645257B (zh) | 2018-12-21 |
WO2015090839A1 (en) | 2015-06-25 |
IL246161A0 (en) | 2016-07-31 |
US10001711B2 (en) | 2018-06-19 |
CN105980932A (zh) | 2016-09-28 |
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