KR20180062360A - 임프린트 방법, 임프린트 장치, 형, 및 물품 제조 방법 - Google Patents

Abstract

기판 상의 제1 패턴 형성 영역에 임프린트재의 패턴을 형성한 후에, 상기 제1 패턴 형성 영역의 이웃에 있는 제2 패턴 형성 영역에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며, 에너지를 부여함으로써 발액성이 증가하는 막을 상기 기판 상에 형성하는 공정과, 상기 막의, 상기 제1 패턴 형성 영역과 상기 제2 패턴 형성 영역 사이의 영역에 대응하는 부분에 상기 에너지를 부여하고, 상기 제1 패턴 형성 영역에 임프린트재를 공급하는 공정과, 상기 제1 패턴 형성 영역에 공급된 상기 임프린트재에 형의 패턴부를 접촉시킨 상태에서 상기 임프린트재를 경화하여, 경화된 임프린트재로부터 상기 형을 분리함으로써 상기 임프린트재의 패턴을 형성하는 공정을 갖는다.

Description

임프린트 방법, 임프린트 장치, 형, 및 물품 제조 방법{IMPRINT METHOD, IMPRINT APPARATUS, MOLD, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}

본 발명은 임프린트 방법, 임프린트 장치, 형, 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.

반도체 디바이스나 MEMS 등의 미세화의 요구가 진행되고, 종래의 포토리소그래피 기술 이외에, 기판 상의 임프린트재를 형으로 성형하여, 임프린트재의 패턴을 기판 상에 형성하는 미세 가공 기술이 주목을 받고 있다. 이 기술은, 임프린트 기술이라고도 불리며, 기판 상에 수 나노미터 오더의 미세한 구조체를 형성할 수 있다. 예를 들어, 임프린트 기술 중 하나로서, 광 경화법이 있다. 이 광 경화법을 채용한 임프린트 장치에서는, 먼저, 기판 상의 임프린트 영역인 샷 영역에 광 경화성의 임프린트재를 도포한다. 다음으로, 형의 패턴 영역과 샷 영역의 위치 정렬을 행하면서, 형의 패턴 영역을 임프린트재에 접촉(압인)시켜, 임프린트재를 패턴 영역에 충전시킨다. 그리고, 자외선을 조사하여 상기 임프린트재를 경화시킨 후에 분리함으로써, 임프린트재의 패턴이 기판 상의 샷 영역에 형성된다.

이러한 임프린트 장치에서는, 임프린트재가 인접하는 샷 영역으로 비어져 나오면, 인접하는 샷 영역에서 패턴의 높이가 균일하게 되지 않아, 패턴 불량이 발생한다.

일본 특허 공개 제2012-124394호 공보에는, 패턴 형성 불량을 방지하면서, 기판 상의 각 샷 영역에 패턴을 형성하는 패턴 형성 방법이 개시되어 있다. 기판 상의 샷 영역에 임프린트재를 도포하기 전에, 샷 영역을 포위하는 벽면 패턴을 제작하고, 샷 영역간에서 임프린트재의 비어져 나옴을 방지하는 기술이 개시되어 있다. 이에 의해, 패턴 형성 불량의 발생을 회피할 수 있다.

그러나, 일본 특허 공개 제2012-124394호 공보에 기재된 패턴 형성 방법에서는, 형의 패턴 영역을 임프린트재에 압인시키기 전에, 기판 상에 벽면 패턴을 형성할 필요가 있었다. 그 때문에, 보다 간편하게 패턴 불량을 억제하는 임프린트 방법이 요망되고 있었다.

본 발명은 보다 간편하게 패턴 형성 불량을 억제하는 임프린트 방법, 임프린트 장치, 형, 및 물품 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 일측면으로서의 임프린트 방법은, 기판 상의 제1 패턴 형성 영역에 임프린트재의 패턴을 형성한 후에, 상기 제1 패턴 형성 영역의 이웃에 있는 제2 패턴 형성 영역에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며, 에너지를 부여함으로써 발액성이 증가하는 막을 상기 기판 상에 형성하는 공정과, 상기 막의, 상기 제1 패턴 형성 영역과 상기 제2 패턴 형성 영역 사이의 영역에 대응하는 부분에 상기 에너지를 부여하고, 상기 제1 패턴 형성 영역에 임프린트재를 공급하는 공정과, 상기 제1 패턴 형성 영역에 공급된 상기 임프린트재에 형의 패턴부를 접촉시킨 상태에서 상기 임프린트재를 경화하고, 경화한 임프린트재로부터 상기 형을 분리함으로써 상기 임프린트재의 패턴을 형성하는 공정을 갖는다.

본 발명의 임프린트 장치에 의하면, 샷 영역의 외주 부근의 영역에 광을 조사함으로써, 임프린트재가 인접하는 샷 영역에 비어져 나오는 것을 억제할 수 있고, 보다 간편하게 패턴 불량을 억제할 수 있다.

도 1은 실시예 1에 관한 임프린트 장치를 나타낸 도면.
도 2는 실시예 1에 관한 임프린트 방법을 나타낸 흐름도.
도 3은 기판 상의 밀착층에 광을 조사하는 방법을 나타낸 도면.
도 4는 실시예 1에 관한 기판 상의 샷 영역 등을 나타낸 도면.
도 5는 실시예 1에 관한 임프린트 처리를 나타낸 도면.
도 6은 실시예 2에 관한 임프린트 방법을 나타낸 흐름도.
도 7은 실시예 2에 관한 몰드를 나타낸 도면.
도 8은 실시예 2에 관한 몰드와 기판을 나타낸 도면.
도 9는 실시예 2에 관한 임프린트 처리를 나타낸 도면.
도 10은 실시예 3에 관한 마스크와 기판을 나타낸 도면.
도 11은 물품 제조 방법을 설명하는 도면.

이하에, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면에서, 동일한 부재에 대해서는, 동일한 참조 번호를 부여하고, 중복되는 설명은 생략한다.

<실시예 1>

도 1을 사용하여, 실시예 1에 관한 임프린트 장치의 대표적인 장치 구성에 대해 설명한다. 임프린트 장치(1)는, 기판 상에 공급된 임프린트재를 형과 접촉시켜, 임프린트재에 경화용 에너지를 부여함으로써, 형의 요철 패턴이 전사된 경화물의 패턴을 형성하는 장치이다.

여기서, 임프린트재에는, 경화용 에너지가 부여됨으로써 경화하는 경화성 조성물(미경화 상태의 수지라고 칭하는 경우도 있음)이 사용된다. 경화용 에너지로는, 전자파, 열 등이 사용된다. 전자파로서는, 예를 들어 그의 파장이 150㎚ 이상 1㎜ 이하인 범위에서 선택되는, 적외선, 가시광선, 자외선 등의 광이다.

경화성 조성물은, 광의 조사에 의해, 혹은, 가열에 의해 경화하는 조성물이다. 이 중 광에 의해 경화하는 광 경화성 조성물은, 중합성 화합물과 광중합 개시제를 적어도 함유하고, 필요에 따라 비중합성 화합물 또는 용제를 함유해도 된다. 비중합성 화합물은, 증감제, 수소 공여체, 내첨형 이형제, 계면 활성제, 산화 방지제, 중합체 성분 등의 군으로부터 선택되는 적어도 1종이다.

임프린트재는, 스핀 코터나 슬릿 코터에 의해 기판 상에 막 형상으로 부여된다. 혹은 액체 분사 헤드에 의해, 액적 형상, 혹은 복수의 액적이 연결되어 형성된 섬 형상 또는 막 형상이 되어 기판 상에 제공되어도 된다. 임프린트재의 점도(25℃에서의 점도)는, 예를 들어 1mPa·s 이상 100mPa·s 이하이다.

기판은, 유리, 세라믹스, 금속, 반도체, 수지 등이 사용되고, 필요에 따라, 그의 표면에 기판과는 다른 재료를 포함하는 부재가 형성되어 있어도 된다. 기판(11)으로는, 구체적으로, 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼, 석영 유리 등이다.

본 실시예에서는, 임프린트 장치(1)는, 광의 조사에 의해 임프린트재를 경화시키는 광 경화법을 채용하는 것으로서 설명한다. 또한, 이하에서는, 기판 상의 임프린트재에 대해 자외선을 조사하는 조사계의 광축에 평행인 방향을 Z축이라 하고, Z축으로 수직인 평면 내에 서로 직교하는 두 방향을 X축 및 Y축이라 한다.

임프린트 장치(1)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 조사부(2)(광 조사부)와, 몰드 보유 지지 기구(몰드 스테이지)(3)와, 기판 스테이지(4)와, 임프린트재 공급부(5)와, 제어부(6)와, 배율 보정 기구(18)와, 얼라인먼트 계측계(22)를 갖는다. 또한, 임프린트 장치(1)는, 기판 스테이지(4)를 적재하는 베이스 정반(24)과, 몰드 보유 지지 기구(3)를 고정하는 브리지 정반(25)과, 베이스 정반(24)으로부터 연장 설치되어, 브리지 정반(25)을 지지하기 위한 지주(26)를 갖는다. 임프린트 장치(1)는, 몰드(형)(7)를 장치 외부로부터 임프린트 장치(1)(몰드 보유 지지 기구 (3))로 반송하는 몰드 반송 기구(도시되지 않음)와, 기판(11)을 장치 외부로부터 임프린트 장치(1)(기판 스테이지(4))로 반송하는 기판 반송 기구(도시되지 않음)를 갖는다.

조사부(2)는, 임프린트 처리에 있어서, 몰드(7)를 통해, 기판(11) 상의 임프린트재(14)에 자외선(즉, 임프린트재(14)를 경화시키기 위한 광)(8)을 조사한다. 조사부(2)는, 광원(9)과, 광원(9)으로부터의 자외선(8)을 임프린트 처리에 적절한 광의 상태(광의 강도 분포, 조명 영역 등)로 조정하기 위한 광학 소자(렌즈, 미러, 차광판 등)(10)를 포함한다. 본 실시 형태에서는, 광 경화법을 채용하고 있기 때문에, 임프린트 장치(1)가 조사부(2)를 갖고 있다. 단, 열경화법을 채용하는 경우에는, 임프린트 장치(1)는, 조사부(2) 대신에, 임프린트재(열경화성 임프린트재)를 경화시키기 위한 열원을 갖게 된다.

몰드(7)는, 직사각형의 외주 형상을 갖고, 기판(11)에 대향하는 면(패턴면)에 3차원 형상으로 형성된 패턴(회로 패턴 등의 기판(11)에 전사해야 할 요철 패턴)을 구비한 패턴부(7a)를 갖는다. 몰드(7)는, 자외선(8)을 투과시킬 수 있는 재료, 예를 들어 석영으로 구성된다.

몰드(7)는, 패턴면과는 반대측의 면(자외선(8)이 입사하는 입사면)에, 몰드(7)의 변형을 용이하게 하기 위한 캐비티(오목부)(7b)를 갖는다. 캐비티(7b)는, 원형의 평면 형상을 갖는다. 캐비티(7b)의 두께(깊이)는, 몰드(7)의 크기나 재질에 따라 설정된다.

캐비티(7b)는, 몰드 보유 지지 기구(3)에 형성된 개구(17)와 연통하고, 개구(17)에는, 개구(17)의 일부와 캐비티(7b)로 둘러싸인 공간(12)을 밀폐 공간으로 하기 위한 광 투과 부재(13)가 배치되어 있다. 공간(12)의 압력은, 압력 조정 기구(도시되지 않음)에 의해 제어된다. 예를 들어, 몰드(7)를 기판(11) 상의 임프린트재(14)에 압박할 때에, 압력 조정 기구에 의해, 공간(12)의 압력을 외부의 압력보다도 높게 하고, 몰드(7)의 패턴부(7a)를 기판(11)에 대해 볼록 형상으로 휘게 한다. 이에 의해, 몰드(7)는, 패턴부(7a)의 중심부로부터 기판(11) 상의 임프린트재(14)에 접촉한다. 그 때문에, 패턴부(7a)와 임프린트재(14) 사이에 기체(공기)가 잔류하는 것이 억제되어, 패턴부(7a)에 임프린트재(14)를 효율적으로 충전시킬 수 있다.

몰드 보유 지지 기구(3)는, 진공 흡착력이나 정전기력에 의해 몰드(7)를 끌어 당겨서 보유 지지하는 몰드 척(15)과, 몰드 척(15)을 보유 지지하여 몰드(7)(몰드 척(15))를 이동시키는 몰드 이동 기구(16)를 포함한다. 몰드 척(15) 및 몰드 이동 기구(16)는, 조사부(2)로부터의 자외선(8)이 기판(11) 상의 임프린트재(14)에 조사되도록, 중심부(내측)에 개구(17)를 갖는다.

배율 보정 기구(변형 기구)(18)는, 몰드 척(15)에 배치되고, 몰드 척(15)에 보유 지지된 몰드(7)의 측면에 힘(변위)을 추가하여 몰드(7)의 패턴부(7a)의 형상을 보정한다(즉, 패턴부(7a)를 변형시킨다). 배율 보정 기구(18)는, 예를 들어 전압을 추가하면 체적 변화에 따라 신축되는 피에조 소자를 포함하고, 몰드(7)의 각 측면의 복수 개소를 가압하도록 구성된다. 배율 보정 기구(18)는, 몰드(7)의 패턴부(7a)를 변형시킴으로써, 기판(11)에 형성되어 있는 샷 영역의 형상에 대해, 몰드(7)의 패턴부(7a)의 형상을 정합시킨다.

단, 배율 보정 기구(18)에 의해, 기판(11)에 형성되어 있는 샷 영역의 형상에 대해 몰드(7)의 패턴부(7a)의 형상을 정합시키기 곤란한 경우도 생각할 수 있다. 이러한 경우에는, 기판(11)에 형성되어 있는 샷 영역도 변형시켜서, 몰드(7)의 패턴부(7a)의 형상과 기판(11)에 형성되어 있는 샷 영역의 형상을 접근(형상차를 저감)시키도록 해도 된다. 기판(11)에 형성되어 있는 샷 영역을 변형시키기 위해서는, 예를 들어 기판(11)을 가열하여 열 변형시키면 된다.

몰드 이동 기구(16)는, 기판(11) 상의 임프린트재(14)에의 몰드(7)의 압박(압인), 또는 기판(11) 상의 임프린트재(14)로부터의 몰드(7)의 분리(이형)를 선택적으로 행하도록, 몰드(7)를 Z축 방향으로 이동시킨다. 몰드 이동 기구(16)에 적용 가능한 액추에이터는, 예를 들어 리니어 모터나 에어 실린더를 포함한다. 몰드 이동 기구(16)는, 몰드(7)를 고정밀도로 위치 결정하기 위하여, 조동 구동계나 미동 구동계 등의 복수의 구동계로 구성되어 있어도 된다. 또한, 몰드 이동 기구(16)는, Z축 방향뿐만 아니라, X축 방향이나 Y축 방향으로 몰드(7)를 이동 가능하게 구성되어 있어도 된다. 또한, 몰드 이동 기구(16)는, 몰드(7)의 θ(Z축 주위의 회전) 방향의 위치나 몰드(7)의 기울기를 조정하기 위한 틸트 기능을 갖도록 구성되어 있어도 된다.

임프린트 장치(1)에서의 몰드(7)의 압인 및 이형은, 본 실시 형태와 같이, 몰드(7)를 Z축 방향으로 이동시킴으로써 실현한다. 단, 기판(11)(기판 스테이지(4))를 Z축 방향으로 이동시킴으로써 실현시켜도 된다. 또한, 몰드(7)와 기판(11)의 양쪽을 상대적으로 Z축 방향으로 이동시킴으로써, 몰드(7)의 압인 및 이형을 실현해도 된다.

기판 스테이지(4)는, 기판(11)을 보유 지지하여 이동 가능하다. 몰드(7)를 기판(11) 상의 임프린트재(14)에 압박할 때에, 기판 스테이지(4)를 이동시킴으로써 기판(11)과 몰드(7)의 위치 정렬(얼라인먼트)을 행한다. 기판 스테이지(4)는, 진공 흡착력이나 정전기력에 의해 기판(11)을 끌어 당겨서 보유 지지하는 기판 척(19)과, 기판 척(19)을 기계적으로 보유 지지하여 XY 면 내에서 이동 가능하게 하는 기판 이동 기구(구동부)(20)를 포함한다. 또한, 기판 스테이지(4)에는, 기판 스테이지(4)의 위치 결정 시에 사용할 수 있는 기준 마크(21)가 배치되어 있다.

기판 이동 기구(20)에 적용 가능한 액추에이터는, 예를 들어 리니어 모터나 에어 실린더를 포함한다. 기판 이동 기구(20)는, 기판(11)을 고정밀도로 위치 결정하기 위하여, 조동 구동계나 미동 구동계 등의 복수의 구동계로 구성되어 있어도 된다. 또한, 기판 이동 기구(20)는, X축 방향이나 Y축 방향뿐만 아니라, Z축 방향으로 기판(11)을 이동 가능하게 구성되어 있어도 된다. 또한, 기판 이동 기구(20)는, 기판(11)의 θ(Z축 주위의 회전) 방향의 위치나 기판(11)의 기울기를 조정하기 위한 틸트 기능을 갖도록 구성되어 있어도 된다.

임프린트재 공급부(5)는, 기판(11) 상에 공급해야 할 임프린트재(14)의 공급량을 나타내는 정보로서 설정되어 있는 공급량 정보에 기초하여, 기판(11) 상에 임프린트재(14)를 공급한다. 또한, 임프린트재 공급부(5)로부터 공급되는 임프린트재(14)의 공급량(즉, 공급량 정보)은, 예를 들어 기판(11)에 형성되는 임프린트재(14)의 패턴의 두께(잔막의 두께)나 임프린트재(14)의 패턴의 밀도 등에 따라 설정된다.

제어부(6)는, CPU나 메모리 등을 포함하는 컴퓨터로 구성되어, 메모리에 저장된 프로그램에 따라 임프린트 장치(1)의 전체를 제어한다. 제어부(6)는, 임프린트 장치(1)의 각 부의 동작 및 조정 등을 제어함으로써 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 제어한다. 제어부(6)는, 임프린트 장치(1)의 다른 부분과 일체로서(공통된 케이스 내에) 구성해도 되고, 임프린트 장치(1)의 다른 부분과는 별개로(다른 케이스 내에) 구성해도 된다. 또한, 제어부(6)는, 복수의 컴퓨터를 포함하는 구성으로 해도 된다.

얼라인먼트 계측계(계측부)(22)는, 기판(11)에 형성된 얼라인먼트 마크와, 몰드(7)에 형성된 얼라인먼트 마크의 X축 및 Y축의 각 방향으로의 위치 어긋남을 계측한다. 제어부(6)는, 얼라인먼트 계측계(22)에 의해 계측된 위치 어긋남에 기초하여, 몰드(7)의 위치와 기판(11)의 위치가 서로 정합하도록, 기판 스테이지(4)의 위치를 조정한다(기판 스테이지(4)를 이동시킨다). 또한, 얼라인먼트 계측계(22)는, 몰드(7)의 패턴부(7a)의 형상이나 기판(11)에 형성된 샷 영역의 형상을 계측하는 것도 가능하다. 따라서, 얼라인먼트 계측계(22)는, 임프린트 처리의 대상이 되는 기판(11)의 영역과 몰드(7)의 패턴부(7a) 사이의 정합 상태를 계측하는 계측부로서도 기능한다. 얼라인먼트 계측계(22)는, 본 실시 형태에서는, 몰드(7)의 패턴부(7a)와 기판(11)에 형성된 샷 영역의 형상차를 계측한다.

다음으로, 도 2를 사용하여 실시예 1에 관한 임프린트 방법을 나타낸 흐름도에 대해 설명한다. 스텝 S201에서는, 임프린트재(14)에 대해 친액성을 나타내는 밀착층(300)(광이 조사됨으로써 발액화하는 막)이 형성된 기판(11)을 기판 스테이지(4)에 반송한다. 밀착층(300)은, 기판(11)과 결합하는 카르복실기 및 임프린트재(14)와 반응하는 아크릴기를 갖는 재료를 포함하고, 기판(11)과 임프린트재(14)를 밀착시키는 기능을 갖는다. 또한, 밀착층(300)은, 도포 장치 등의 외부 장치에 의해 기판(11)에 형성되어도 되고, 임프린트 장치(1)에 도포부를 갖고, 임프린트 장치(1) 내에서 형성되어도 된다.

이어서, 스텝 S202에서는, 기판(11) 상의 샷 영역의 외주 부근의 영역에 광을 조사함으로써, 상기 샷 영역의 외주 부근의 영역 밀착층(300)을 발액성으로 한다. 또한, 샷 영역의 외주란, 기판(11) 상의 샷 영역과, 상기 샷 영역의 주위에 설치되어 있는 스크라이브 라인의 경계를 규정하는 외측 에지이다. 또한, 상기 샷 영역의 외주 부근의 영역은 패턴을 형성하는 영역(패턴 형성 영역)을 둘러싸는 영역이며, 외주 부근의 영역에는 패턴을 형성하지 않는다.

여기서, 도 3을 사용하여 기판 상의 밀착층에 광을 조사하는 방법에 대해 설명한다. 도 3의 (a)는 기판(11) 상에 밀착층(300)이 형성되어 있음을 나타내고 있다. 밀착층(300)은 임프린트재(14)에 대해 친액성을 나타내지만, 광이 조사됨으로써 임프린트재(14)에 대해 발액성으로 변화한다. 여기서, 광의 조사에 의해 밀착층(300)이 발액성으로 변화되는 이유를 설명한다. 밀착층(300)의 표면에 분위기 중의 수분을 흡착함으로써, 밀착층(300)의 표면 에너지는 증가한다. 이 밀착층(300)에 광을 조사하면 표면에 흡착된 수분이 탈리된다. 이에 따라, 밀착층(300)의 광을 조사한 영역은, 밀착층(300)의 광을 조사하지 않은 영역에 비하여 표면 에너지가 저하되기 때문에, 임프린트재(14)에 대해 발액성을 나타낸다. 또한, 조사하는 광은, 밀착층(300)의 표면에 흡착된 수분을 이탈시키기 위하여 필요한 에너지를 부여할 수 있는 광이면 되고, 예를 들어 자외선 등이 있다.

도 3의 (b)는 기판(11) 상의 밀착층(300)에 광이 조사되고 있음을 나타내고 있다. 광원(301)으로부터의 광이 마스크(27)를 통해 기판(11) 상의 밀착층(300)에 조사된다. 마스크(27)는 기판(11) 상의 밀착층(300)에 광을 조사하는 경우에만 사용되는 부재이며, 차광부(303)와 투과부(302)를 갖고 있다. 광원(301)으로부터의 광은, 투과부(302)를 통하여 밀착층(300)에 조사된다. 이에 의해, 기판(11) 상의 밀착층(300)의 일부에 광이 조사되어, 기판(11) 상의 밀착층(300)의 일부 영역이 발액성으로 변화한다. 또한, 차광부(303)는, 예를 들어 크롬, 니켈 합금 등을 포함하는 금속막(ND 필터) 등이고, 광원(301)으로부터 광을 차광시킬 수 있는 재료이면 된다. 또한, 마스크(27)는 광원(301)으로부터의 광을 투과시킬 수 있는 재료, 예를 들어 석영으로 구성되는 것으로 하고, 투과부(302)는 차광부(303)의 간극 부분으로 해도 된다. 또한, 마스크(27)에 구멍을 마련한 개구부를 투과부(302)로 해도 된다. 또한, 광원(301)은, 도 1에 있어서의 광원(9)과 동일한 광원으로 해도 되고, 별도의 광원으로 해도 된다.

도 3의 (c)는 기판(11) 상의 밀착층(300)의 일부에 발액성을 나타내는 발액성 영역(304)이 형성되는 것을 나타내고 있다. 밀착층(300)은 기판(11)과 임프린트재(14)를 밀착시키는 기능이 있기 때문에, 밀착층(300)의 표면에 임프린트재가 있는 경우, 일반적으로 임프린트재(14)는 5˚ 이하의 접촉각을 나타내고, 경시적으로 번진다. 한편, 광이 조사되어 발액성을 나타내는 발액성 영역(304)의 표면에 임프린트재(14)가 있는 경우, 임프린트재는 5˚보다도 큰 접촉각을 나타내며, 액적으로서 보유 지지되고, 경시적으로 번지지 않는다.

또한, 투과부(302)를 통하여 기판(11) 상에 광을 조사한 경우, 기판(11) 상의 샷 영역의 외주 부근의 영역에 광을 조사하도록, 투과부(302)와 차광부(303)가 배치되어 있다. 또한, 차광부(303)와 투과부(302)의 형상은, 상기 샷 영역의 소정의 폭만큼 내측의 외주 부근의 영역의 전부에 광을 조사하는 형상이어도 되고, 상기 샷 영역의 외주 부근의 영역의 일부에 광을 조사하는 형상이어도 된다. 상기 외주 부근의 영역의 폭은, 밀착층(300)에 대해 광이 조사되는 발액성 영역(304)의 폭이 된다. 상기 외주 부근의 영역의 폭이 넓어지는 경우에는, 임프린트재(14)를 기판(11)에 공급한 후, 샷 영역의 외주 부근의 영역에서 임프린트재(14)가 퍼지는 데 필요한 시간이 길어질 가능성이 있다. 한편, 상기 외주 부근의 영역 폭이 좁아지는 경우에는, 임프린트재(14)의 인접하는 샷 영역에의 비어져 나옴을 억제하는 효과가 저하될 가능성이 있다. 그 때문에, 임프린트재(14)의 도포 위치 및 도포량 또는 밀착층(300)과 임프린트재(14)의 종류에 맞춰서, 상기 외주 부근의 영역 폭을 정하면 된다. 또한, 상기 외주 부근의 영역 폭은 샷 영역의 경계를 형성하는 스크라이브 라인의 폭과 동일한 정도로 하는 것이 바람직하기 때문에, 예를 들어 10㎛ 이상 100㎛ 이하인 폭 영역으로 하면 된다.

여기서, 도 4를 사용하여, 실시예 1에 관한 기판 상의 샷 영역 등에 대해 설명한다. 도 4의 (a)는, 광이 조사되기 전의 기판(11) 상의 샷 영역(401-1)과, 샷 영역(401-1)의 이웃에 있는 샷 영역(401-2)을 나타내고 있다. 또한, 도 4의 (a)에 서 샷 영역(401-1, 401-2)을 나타내는 실선이 각각 샷 영역(401-1, 401-2)의 외주이다. 또한, 회색의 영역(406)이 스크라이브 라인을 나타내고 있다.

샷 영역(401-1, 401-2)의 각각의 내측에, 패턴을 형성하는 영역(402-1, 402-1)이 있다. 예를 들어, 샷 영역(401-1, 401-2)의 외주 부근의 영역은, 패턴을 형성하는 영역(402-1, 402-1)의 각각의 외측, 또한 샷 영역(401-1, 401-2)의 각각의 내측인 영역으로 할 수 있다.

그러나, 샷 영역(401-1, 401-2)의 외주 부근의 영역은, 이것에만 한정되지 않는다. 샷 영역(401-1, 401-2)의 내측, 또한 패턴을 형성하는 영역(402-1, 402-1)의 외측 영역에 외주를 갖는 영역을 각각 영역(403-1, 403-2)으로 한다. 예를 들어, 샷 영역(401-1, 401-2)의 외주 부근의 영역을, 패턴을 형성하는 영역(402-1, 402-1)의 외측, 또한 영역(403)의 내측인 영역으로 해도 된다. 또한, 예를 들어 샷 영역(401-1, 401-2)의 외주 부근의 영역을, 각각 영역(403-1, 403-2)의 외측, 또한, 각각 샷 영역(401-1, 401-2)의 내측인 영역으로 해도 된다.

또한, 샷 영역(401-1, 401-2)의 외측 영역을, 각각 영역(405-1, 405-2)으로 한다. 예를 들어, 샷 영역(401-1, 401-2)의 외주 부근의 영역을, 각각 패턴을 형성하는 영역(402-1, 402-2)의 외측, 또한, 각각 영역(405-1, 405-2)의 내측인 영역으로 해도 된다. 또한, 예를 들어 샷 영역(401-1, 401-2)의 외주 부근의 영역을, 각각 영역(403-1, 403-2)의 외측, 또한 각각 영역(405-1, 405-2)의 내측인 영역으로 해도 된다. 또한, 샷 영역(401-1, 401-2)의 외주 부근의 영역을, 각각 샷 영역(401-1, 401-2)의 외측, 또한, 각각 영역(405-1, 405-2)의 내측인 영역으로 해도 된다.

또한, 외주 부근의 영역의 변은 직선뿐만 아니라, 곡선으로 구성되어 있어도 되고, 외주 부근의 영역의 폭은 일정하지 않고 변동되어 있어도 된다.

도 4의 (b)는, 외주 부근의 영역에 광이 조사된 샷 영역(401-1)과 외주 부근의 영역에 광이 조사되지 않은 샷 영역(401-2)을 나타내고 있다. 샷 영역(401-1)의 외주 부근의 영역에, 발액성 영역(304)이 형성되어 있다. 여기에서는, 샷 영역(401-1)의 외주 부근의 영역을, 패턴을 형성하는 영역(402-1)의 외측, 또한 샷 영역(401-1)의 내측인 영역이라고 하고 있다. 샷 영역(401-1)의 외주 부근의 영역 이라고 하고 있다. 또한, 발액성 영역(304) 이외의 영역이 친액성을 나타내는 밀착층(300)의 영역이며, 패턴을 형성하는 영역이다.

이와 같이, 패턴을 형성하는 영역 이외의 영역에 광을 조사하여 발액성 영역(304)을 형성함으로써, 패턴을 형성하는 영역에서 친액성을 안정적으로 보유 지지할 수 있다. 따라서, 기판과 임프린트재를 밀착시키는 기능이 안정적으로 발휘되어, 패턴 불량의 발생을 저감하기 때문에 유리하다.

도 4의 (c)는, 기판(11) 전체에서의 샷 영역을 나타내고 있다. 기판에 복수의 샷 영역이 서로 인접하여 배치되어 있다. 각 샷 영역의 외주 부근의 영역에, 발액성 영역(304)이 형성되어 있고, 발액성 영역(304) 이외의 영역이 친액성을 나타내는 밀착층(300)의 영역이다.

도 4의 (d)는, 투과부와 차광부를 갖는 마스크(27)의 다른 예를 나타내고 있다. 마스크(27)는, 도 4의 (c)에 나타내는 기판(11)에 있어서의 복수의 샷 영역에 대응한 투과부(302)와 차광부(303)를 갖고 있다. 즉, 복수의 샷 영역의 외주 부근의 영역에 광을 조사하기 위한 투과부(302)와 차광부(303)를 갖고 있다. 따라서, 복수의 샷 영역의 외주 부근의 영역에 한번에 광이 조사되므로 발액성 영역(304)을 형성하는 시간을 단축할 수 있다.

여기서, 마스크(27)는 몰드 보유 지지 기구(3)에 의해 보유 지지되고, 조사부(2)가 마스크(27)를 통해 광을 기판(11)에 조사함으로써, 발액성 영역(304)을 형성할 수 있다. 또한, 조사부(2) 외에, 임프린트 장치(1)에 구성되고, 광원을 갖고 광을 조사하는 유닛을 사용하여, 발액성 영역(304)을 형성해도 된다. 또한, 임프린트 장치(1)가, 복수의 임프린트 처리부를 갖는 소위 클러스터형 임프린트 장치의 경우, 휴지하고 있는 임프린트 처리부를 사용하여, 발액성 영역(304)을 형성해도 된다. 또한, 임프린트 장치(1) 이외의 외부 장치를 이용하여 발액성 영역(304)을 형성해도 된다.

여기서, 마스크(27)를 사용하는 대신, 복수의 광 변조 소자를 갖고, 광원으로부터의 광을 변조하는 공간 광 변조기(공간 광 변조부)를 사용하여, 샷 영역의 외주 부근의 영역에 광을 조사해도 된다. 이 경우, 광 변조 소자마다 광의 투사 ON/OFF를 전환함으로써, 샷 영역의 외주 부근의 영역에 광을 조사할 수 있다. 공간 광 변조기로서, 예를 들어 DMD(디지털 마이크로미러 디바이스)나 액정 소자 어레이가 채용될 수 있다.

다음에, 도 2로 돌아와 스텝 S203에 대해 설명한다. 스텝 S203에서는, 발액성 영역(304)을 형성한 샷 영역에 대해 임프린트 처리를 행한다. 먼저, 임프린트재 공급부(5)에 의해 기판(11)의 상기 샷 영역 상에 임프린트재(14)를 공급한다(공급 공정). 이어서, 기판 스테이지(4)에 의해 기판(11)과 몰드(7)의 위치 정렬을 행한다. 또한, 배율 보정 기구(18)에 의해 몰드(7)의 패턴부(7a)의 형상을 기판(11) 상의 샷 영역의 형상으로 보정시킨다. 다음에, 몰드 이동 기구(16)에 의해 기판(11) 상의 임프린트재(14)와 패턴부(7a)를 접촉시킨다(접촉 공정). 또한, 임프린트재(14)와 패턴부(7a)가 접촉하고 있는 동안, 기판 스테이지(4)에 의한 위치 정렬과, 배율 보정 기구(18)에 의한 보정을 해도 된다. 다음으로, 조사부(2)에 의해 몰드(7)를 통해 임프린트재(14)에 자외선을 조사하여 임프린트재(14)를 경화시킨다(경화 공정). 그리고, 몰드 이동 기구(16)에 의해 기판(11) 상의 임프린트재(14)와 패턴부(7a)를 분리한다(이형 공정).

다음으로, 도 5를 이용하여 실시예 1에 관한 임프린트 처리에 대해 설명한다. 도 5의 (a, b, c, d)의 순서대로 시간이 경과하고 있다. 또한, 도 5에서는, 도 4에서 설명한 스크라이브 라인에 대해서는 생략하였다.

도 5의 (a)는, 밀착층(300) 상에 공급된 임프린트재(14)를 나타내고 있다. 기판(11) 상에 형성된 밀착층(300) 상에 임프린트재(14)가 공급되고 있다. 또한, 임프린트재(14)가 공급된 샷 영역의 -X축 방향으로 인접하는 샷 영역이 나타나 있다. 또한, 임프린트재(14)가 공급된 샷 영역 위의 밀착층(300)에는, 인접하는 샷의 경계에 발액성 영역(304)이 형성되어 있다.

도 5의 (b)는 경시적으로 번지는 임프린트재(14)를 나타내고 있다. 임프린트재(14)는 발액성 영역(304)의 바로 앞까지 번져있다.

도 5의 (c)는, 도 5의 (b) 후에 경시적으로 번지는 임프린트재(14)를 나타내고 있다. 임프린트재(14)는 발액성 영역(304)과는 반대 방향으로 번져서, 발액성 영역(304)으로의 번짐은 억제되고 있다.

도 5의 (d)는, 몰드(7)를 압박한 임프린트재(14)를 나타내고 있다. 몰드(7)를 임프린트재(14)에 압박한 경우, 임프린트재(14)의 인접하는 샷으로의 비어져 나옴을 억제할 수 있다. 또한, 임프린트재(14)의 공급 위치를 인접하는 샷 영역의 경계에 접근시킬 수 있다. 그래서, 인접하는 샷 영역의 경계 부근에서의 임프린트재(14)의 충전성을 향상시킬 수도 있다.

다음으로, 도 2로 돌아와 스텝 S204에 대해 설명한다. 스텝 S204에서는, 최종 샷 영역의 임프린트 처리를 행했는지 판단한다. 최종 샷 영역의 임프린트 처리를 행한 경우는 종료한다. 최종 샷 영역의 임프린트 처리를 행하지 않은 경우는, 스텝 S205에서 다음의 샷 영역의 임프린트 처리하기 위해 기판 스테이지(4)를 이동하여, 스텝 S202로 돌아온다.

이상, 본 실시예에 관한 임프린트 장치에 의하면, 샷 영역의 외주 부근의 영역에 광을 조사함으로써, 임프린트재가 인접하는 샷 영역에 비어져 나오는 것을 억제할 수 있고, 보다 간편하게 패턴 불량을 억제할 수 있다.

<실시예 2>

다음으로 실시예 2에 관한 임프린트 장치에 대해 설명한다. 또한, 여기에서 언급하지 않는 사항은, 실시예 1에 따를 수 있다. 먼저, 도 6을 사용하여, 실시예 2에 관한 임프린트 방법을 나타낸 흐름도에 대해 설명한다. 스텝 S601은 도 2의 스텝 S201과 동일하다.

이어서, 스텝 S602에서는, 기판(11) 상의 샷 영역의 외주 부근의 영역에 광을 조사함으로써, 상기 영역의 밀착층(300)을 발액성으로 한다. 여기서, 도 7을 사용하여 실시예 2에 관한 몰드에 대해 설명한다. 본 실시예에 관한 몰드(7)는, 임프린트 대상의 샷 영역(대상 샷 영역)의 주변 샷 영역(주변에 배치된 샷 영역)에 대해, 광을 조사하기 위한 투과부(302)와 차광부(303)를 갖고 있다.

도 7의 (a)는 본 실시예에 관한 몰드(7)의 단면도와 상면도를 나타내고 있다. 몰드(7)는, 패턴부(7a) 및 캐비티(7b)를 갖고 있다. 또한, 몰드(7)는, 패턴부(7a)의 주위에 투과부(302)와 차광부(303)를 갖고 있다. 투과부(302)를 통하여 기판(11) 상에 광을 조사한 경우, 기판(11) 상의 상기 주변 샷 영역의 외주 부근의 영역에 광을 조사하도록, 투과부(302)와 차광부(303)가 배치되어 있다. 몰드(7)의 투과부(302)와 차광부(303)에 의해, 상기 주변 샷 영역의 외주 부근의 영역에 광을 조사할 수 있다. 또한, 차광부(303)와 투과부(302)의 형상은, 상기 주변 샷 영역의 외주 부근의 영역 전체에 광을 조사하는 형상이어도 되고, 상기 주변 샷 영역의 외주 부근의 영역의 일부에 광을 조사하는 형상이어도 된다. 또한, 도 7의 (a)의 상면도에서는 8개의 주변 샷 영역에 대응한 투과부(302)와 차광부(303)를 갖고 있지만, 주변 샷 영역의 개수는 8개로 한정되지 않는다. 또한, 조사하는 광의 조사 범위에 따라서는, 주변 샷 영역의 외측에 있는 샷 영역에 광이 조사될 가능성이 있다. 그 경우는, 도 7의 (b)에 나타내는 몰드(7)와 같이, 주변 샷 영역에 대응한 투과부(302)와 차광부(303)의 외측에 차광부(303)를 가져도 된다.

다음에, 도 8을 사용하여, 실시예 2에 관한 몰드와 기판에 대해 설명한다. 도 8은, 실시예 2에 관한 몰드와 기판을 나타낸 도면이다.

도 8의 (a)는 몰드(7)와 기판(11)의 단면도와, 몰드(7)와 기판(11)의 상면도를 나타내고 있다. 몰드(7)의 패턴부(7a)는, 기판(11) 상의 임프린트 대상의 샷 영역의 -X축 방향으로 인접한 샷 영역에 겹치는 위치에 배치되어 있다. 이 위치에서 +Z축 방향으로부터 광을 조사함으로써, 임프린트 대상의 샷 영역과 일부의 주변 샷 영역에 광이 조사된다.

도 8의 (b)는 광이 조사된 기판(11)을 나타내고 있다. 임프린트 대상의 샷 영역(801)뿐만 아니라, 예를 들어 주변 샷 영역(802, 803) 등에 대해서도 광이 조사되어, 발액성 영역(304)이 형성되어 있다.

다음에, 도 6으로 돌아와 스텝 S603에 대해 설명한다. 스텝 S603에서는, 발액성 영역(304)이 형성된 샷 영역(801)에 대해 임프린트 처리를 행한다. 여기서, 도 9를 사용하여 임프린트 처리에 대해 설명한다. 도 9는 실시예 2에 관한 임프린트 처리를 나타낸 도면이다. 도 9의 (a)는, 샷 영역(801)의 임프린트 처리 시의 몰드(7)와 기판(11)의 상면도이다. 몰드(7)의 패턴부(7a)가 기판(11)의 샷 영역(801)에 겹치는 위치가 되도록, 기판(11)을 탑재한 기판 스테이지(4)가 이동한다. 그리고, 임프린트재 공급부(5)에 의해 샷 영역(801) 위에 임프린트재(14)를 공급한다. 다음에, 샷 영역(801) 상의 임프린트재(14)와 몰드(7)를 접촉시킨다. 이어서, 조사부(2)에 의해 몰드(7)를 통해 임프린트재(14)에 자외선을 조사하여 임프린트재(14)를 경화시킨다. 이 때, 샷 영역(801)의 주변 샷 영역에 대해서도 자외선이 조사되어, 주변 샷 영역의 외주 부근의 영역에 발액성 영역(304)이 형성된다. 도 9의 (b)는 몰드(7)와 기판(11)이 접촉하고 있는 상태에서 임프린트재(14)에 자외선을 조사하고 있을 때의 몰드(7)와 기판(11)의 단면도이다. 그리고, 몰드 이동 기구(16)에 의해 임프린트재(14)와 패턴부(7a)를 분리한다.

도 9의 (c)는 자외선이 조사된 기판(11)을 나타내고 있다. 샷 영역(801)의 임프린트 처리 시에, 샷 영역(801)의 주변 샷 영역에 대해서도 자외선이 조사되어, 새롭게 주변 샷 영역(804, 805, 806)에 대해서도 발액성 영역(304)이 형성되어 있다. 이와 같이, 임프린트재(14)를 경화시키기 위한 광 조사에 의해, 주변 샷 영역에 발액성 영역(304)이 형성된다.

다음에, 도 6으로 돌아와 스텝 S604에 대해 설명한다. 스텝 S604에서는, 최종 샷의 임프린트 처리를 행했는지 판단한다. 최종 샷 영역의 임프린트 처리를 행한 경우는 종료한다. 최종 샷 영역의 임프린트 처리를 행하지 않은 경우는, 스텝 S605에서 다음 샷 영역의 임프린트 처리를 하기 위하여 기판 스테이지(4)를 이동하고, 스텝 S603으로 돌아온다. 여기서, 실시예 1의 도 2에서는 스텝 S202로 돌아왔지만, 이어서 임프린트 처리를 행하는 주변 샷 영역(805)에 대해서는, 이미 발액성 영역(304)이 형성되어 있기 때문에, 스텝 S602로 돌아올 필요는 없다.

따라서, 본 실시예에 관한 임프린트 장치에 의하면, 샷 영역의 외주 부근의 영역에 광을 조사함으로써, 임프린트재가 인접하는 샷 영역으로 비어져 나오는 것을 억제할 수 있고, 보다 간편하게 패턴 불량을 억제할 수 있다. 또한, 임프린트 처리 중에 대상 샷 영역의 주변에 있는 주변 샷 영역에 대해 발액성 영역(304)을 형성할 수 있으므로, 임프린트 처리 시간을 단축할 수 있다.

<실시예 3>

다음에 실시예 3에 관한 임프린트 장치에 대해 설명한다. 또한, 여기에서 언급하지 않는 사항은, 실시예 1, 실시예 2를 따를 수 있다. 도 10을 사용하여, 실시예 3에 관한 마스크와 기판에 대해 설명한다. 도 10은, 실시예 3에 관한 몰드와 기판을 나타낸 도면이다. 실시예 3에서는, 기판의 외주 부근에서 일부가 절결되어 있는 절결 샷 영역(일부가 절결되어 있는 샷 영역)에 패턴을 형성한다. 이 경우, 기판의 외주 부근의 영역에 광을 조사함으로써, 상기 영역의 밀착층(300)을 발액성으로 한다.

도 10의 (a)는 기판 및 샷 영역의 외주 부근의 영역에 광을 조사하기 위한 마스크(27)를 나타내고 있다. 마스크(27)에는, 기판 및 샷 영역의 외주 부근의 영역에 대응한 형상의 차광부(303)와 투과부(302)를 갖고 있다. 도 10의 (b)는 마스크(27)를 투과한 광이 조사된 기판(11)을 나타내고 있다. 마스크(27)의 투과부(302)를 투과한 광이 기판 및 샷 영역의 외주 부근의 영역을 조사함으로써, 상기 영역에 발액성 영역(304)이 형성된다. 이에 따라, 임프린트재가 기판의 외주 밖으로 비어져 나오는 것을 억제할 수 있다.

또한, 도 10의 (a)에 있어서, 마스크(27)는 기판(11)에 4분의 1의 영역에 대응한 형상으로 되어 있지만, 마스크(27)는 기판(11)의 전체 영역 등, 임의의 영역에 대응한 형상으로 해도 된다.

또한, 마스크(27)를 사용하는 대신, 복수의 광 변조 소자를 갖고, 광원으로부터의 광을 변조하는 공간 광 변조기(공간 광 변조부)를 사용하여, 기판 및 샷 영역의 외주 부근의 영역에 광을 조사해도 된다.

이상, 본 실시예에 관한 임프린트 장치에 의하면, 샷 영역의 외주 부근의 영역에 광을 조사함으로써, 임프린트재가 인접하는 샷 영역으로 비어져 나오는 것을 억제할 수 있고, 보다 간편하게 패턴 불량을 억제할 수 있다. 또한, 기판의 외주 부근의 영역에 광을 조사함으로써, 임프린트재가 기판의 외주 밖으로 비어져 나오는 것을 억제할 수 있다.

(물품 제조 방법)

임프린트 장치를 사용하여 형성된 경화물의 패턴은, 각종 물품의 적어도 일부에 영구적으로, 혹은 각종 물품을 제조할 때에 일시적으로, 사용될 수 있다. 물품이란, 전기 회로 소자, 광학 소자, MEMS, 기록 소자, 센서, 혹은, 형 등이다. 전기 회로 소자로서는, DRAM, SRAM, 플래시 메모리, MRAM과 같은, 휘발성 혹은 불휘발성 반도체 메모리나, LSI, CCD, 이미지 센서, FPGA와 같은 반도체 소자 등을 들 수 있다. 형으로서는, 임프린트용 몰드 등을 들 수 있다.

경화물의 패턴은, 상기 물품의 적어도 일부의 구성 부재로서, 그대로 사용되거나, 혹은, 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용된다. 기판의 가공 공정에 있어서 에칭 또는 이온 주입 등이 행해진 후, 레지스트 마스크는 제거된다.

다음으로, 물품의 구체적인 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 11의 (a)에 도시된 바와 같이, 절연체 등의 피가공재(2z)가 표면에 형성된 실리콘 웨이퍼 등의 기판(1z)을 준비하고, 계속해서, 잉크젯 방법 등에 의해, 피가공재(2z)의 표면에 임프린트재(3z)를 부여한다. 여기에서는, 복수의 액적 형상으로 된 임프린트재(3z)가 기판 상에 부여된 모습을 나타내고 있다.

도 11의 (b)에 도시된 바와 같이, 임프린트용 형(4z)을, 그의 요철 패턴이 형성된 측을 기판 상의 임프린트재(3z)를 향해, 대향시킨다. 도 11의 (c)에 도시된 바와 같이, 임프린트재(3z)가 부여된 기판(1z)과 형(4z)을 접촉시켜, 압력을 가한다. 임프린트재(3z)는 형(4z)과 피가공재(2z)의 간극에 충전된다. 이 상태에서 경화용 에너지로서 광을 형(4z)을 통해 조사하면, 임프린트재(3z)는 경화된다.

도 11의 (d)에 도시된 바와 같이, 임프린트재(3z)를 경화시킨 후, 형(4z)과 기판(1z)을 분리하면, 기판(1z) 상에 임프린트재(3z)의 경화물의 패턴이 형성된다. 이 경화물의 패턴은, 형의 오목부가 경화물의 볼록부에, 형의 볼록부가 경화물의 오목부에 대응한 형상으로 되어 있어, 즉, 임프린트재(3z)에 형(4z)의 요철 패턴이 전사되게 된다.

도 11의 (e)에 도시된 바와 같이, 경화물의 패턴을 내 에칭 마스크로서 에칭을 행하면, 피가공재(2z)의 표면 중, 경화물이 없거나 혹은 얇게 잔존하는 부분이 제거되어, 홈(5z)이 된다. 도 11의 (f)에 도시된 바와 같이, 경화물의 패턴을 제거하면, 피가공재(2z)의 표면에 홈(5z)이 형성된 물품을 얻을 수 있다. 여기에서는 경화물의 패턴을 제거했지만, 가공 후도 제거하지 않고, 예를 들어 반도체 소자 등에 포함되는 층간 절연용 막, 즉, 물품의 구성 부재로서 이용해도 된다.

이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 이들 실시 형태에 한정되지 않는 것은 물론, 그 요지의 범위 내에서 다양한 변형 및 변경이 가능하다. 또한, 실시예 1, 실시예 2 및 실시예 3은, 단독으로 실시할 뿐만 아니라, 실시예 1, 실시예 2 및 실시예 3의 조합으로 실시할 수 있다.

본 발명에 따르면, 보다 간편하게 패턴 불량을 억제하는 임프린트 방법, 임프린트 장치, 형, 및 물품 제조 방법을 제공할 수 있다.

본 발명은 상기 실시 형태에 제한되는 것은 아니며, 본 발명의 정신 및 범위로부터 이탈하지 않고, 다양한 변경 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 범위를 공표하기 위하여 이하의 청구항을 첨부한다.

Claims (12)

1. 기판 상의 제1 패턴 형성 영역에 임프린트재의 패턴을 형성한 후에, 상기 제1 패턴 형성 영역의 이웃에 있는 제2 패턴 형성 영역에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며,
   에너지를 부여함으로써 발액성이 증가하는 막을 상기 기판 상에 형성하는 공정과,
   상기 막의, 상기 제1 패턴 형성 영역과 상기 제2 패턴 형성 영역 사이의 영역에 대응하는 부분에 상기 에너지를 부여하고, 상기 제1 패턴 형성 영역에 임프린트재를 공급하는 공정과,
   상기 제1 패턴 형성 영역에 공급된 상기 임프린트재에 형의 패턴부를 접촉시킨 상태에서 상기 임프린트재를 경화하고, 경화한 임프린트재로부터 상기 형을 분리함으로써 상기 임프린트재의 패턴을 형성하는 공정을 갖는,
   임프린트 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 막은 광을 조사함으로써 발액성이 증가하는 막이며,
   상기 임프린트재를 공급하는 공정에 있어서, 상기 막의, 상기 제1 패턴 형성 영역과 상기 제2 패턴 형성 영역 사이의 영역에 대응하는 부분에 상기 광을 조사하는, 임프린트 방법.
3. 제2항에 있어서, 상기 제1 패턴 형성 영역에 공급된 상기 임프린트재에 광을 조사하여 경화시킬 때에, 상기 제2 패턴 형성 영역과, 상기 제2 패턴 형성 영역의 이웃에 있어 상기 제2 패턴 형성 영역에 임프린트재의 패턴을 형성한 후에 임프린트재의 패턴을 형성하는 제3 패턴 형성 영역 사이의 영역에 대응하는 부분에 상기 광을 조사하는, 임프린트 방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 제1 패턴 형성 영역, 상기 제2 패턴 형성 영역, 또는 상기 제3 패턴 형성 영역은, 상기 기판의 외주 부근에 있어 일부가 절결되어 있는 패턴 형성 영역인, 임프린트 방법.
5. 제2항에 있어서, 광을 차단하는 차광부와 광을 투과시키는 투과부를 갖는 마스크에 광을 조사하여, 상기 차광부에서 상기 광을 차단하고, 상기 제1 패턴 형성 영역과 상기 제2 패턴 형성 영역 사이의 영역에 대응하는 부분에, 상기 투과부를 투과한 광을 조사하는, 임프린트 방법.
6. 제2항에 있어서, 광을 변조하는 공간 광 변조부를 사용하여, 상기 제1 패턴 형성 영역과 상기 제2 패턴 형성 영역 사이의 영역에 대응하는 부분에, 상기 공간 광 변조부에 의해 변조된 광을 조사하는, 임프린트 방법.
7. 기판 상의 패턴 형성 영역의 임프린트재에 형의 패턴부를 접촉시킨 상태에서 상기 임프린트재를 경화하고, 경화한 임프린트재로부터 상기 형을 분리함으로써 상기 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며,
   에너지를 부여함으로써 발액성이 증가하는 막을 상기 기판 상에 형성하는 공정과,
   상기 막의, 상기 패턴 형성 영역을 둘러싸는 영역에 대응하는 부분에 상기 에너지를 부여하고, 상기 패턴 형성 영역에 상기 임프린트재를 공급하는 공정을 갖는,
   임프린트 방법.
8. 에너지를 부여함으로써 발액성이 증가하는 막이 형성된 기판 상의 제1 패턴 형성 영역에 임프린트재의 패턴을 형성한 후에, 상기 제1 패턴 형성 영역의 이웃에 있는 제2 패턴 형성 영역에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치이며,
   상기 기판에 상기 임프린트재를 공급하는 공급부를 갖고,
   상기 막의, 상기 제1 패턴 형성 영역과 상기 제2 패턴 형성 영역 사이의 영역에 대응하는 부분에 상기 에너지가 부여된 상기 기판 상의 상기 제1 패턴 형성 영역에 임프린트재를 공급하고, 상기 제1 패턴 형성 영역에 공급된 상기 임프린트재에 형의 상기 패턴 부를 접촉시킨 상태에서 상기 임프린트재를 경화하고, 경화한 임프린트재로부터 상기 형을 분리함으로써 상기 임프린트재의 패턴을 형성하는,
   임프린트 장치.
9. 제8항에 있어서, 상기 기판에 광을 조사하는 광 조사부를 갖고, 상기 막은 광을 조사함으로써 발액성이 증가하는 막이며,
   상기 광 조사부를 사용하여 상기 막의, 상기 제1 패턴 형성 영역과 상기 제2 패턴 형성 영역 사이의 영역에 대응하는 부분에 상기 광을 조사하는,
   임프린트 장치.
10. 광을 조사함으로써 발액성이 증가하는 막이 형성된 기판 상의 제1 패턴 형성 영역에 임프린트재의 패턴을 형성한 후에, 상기 제1 패턴 형성 영역의 이웃에 있는 제2 패턴 형성 영역에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치에 사용되는 형이며,
    광을 차광하는 차광부와 광을 투과시키는 투과부를 갖고,
    상기 차광부는 상기 제2 패턴 형성 영역과, 상기 제1 패턴 형성 영역과 상기 제2 패턴 형성 영역 사이의 영역 외측 영역에 대응하는 형상을 갖고, 또한, 상기 투과부는 상기 제1 패턴 형성 영역과 상기 제2 패턴 형성 영역 사이의 영역에 대응하는 형상을 갖는, 형.
11. 제9항에 있어서, 상기 광은 자외선인, 형.
12. 에너지를 부여함으로써 발액성이 증가하는 막이 형성된 기판 상의 제1 패턴 형성 영역에 임프린트재의 패턴을 형성한 후에, 상기 제1 패턴 형성 영역의 이웃에 있는 제2 패턴 형성 영역에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치를 이용하여, 패턴을 기판에 형성하는 공정과,
    상기 공정에서 상기 패턴을 형성된 상기 기판을 처리하는 공정을 갖고,
    상기 처리된 상기 기판을 사용하여 물품을 제조하고,
    상기 임프린트 장치는, 상기 기판에 상기 임프린트재를 공급하는 공급부를 갖고,
    상기 막의, 상기 제1 패턴 형성 영역과 상기 제2 패턴 형성 영역 사이의 영역에 대응하는 부분에 상기 에너지가 부여된 상기 기판 상의 상기 제1 패턴 형성 영역에 임프린트재를 공급하고, 상기 제1 패턴 형성 영역에 공급된 상기 임프린트재에 형의 상기 패턴 부를 접촉시킨 상태에서 상기 임프린트재를 경화하고, 경화한 임프린트재로부터 상기 형을 분리함으로써 상기 임프린트재의 패턴을 형성하는, 물품 제조 방법.

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